TW574585B - Method for manufacturing active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

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Michiaki Sakamoto
Yuichi Yamaguchi
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Description

574585 五、發明說明（1) 【發明背景】 發明之領垃 端種適用於攜帶式電話、攜帶式資訊終 ί 1 ϊ 陣型液晶顯示裝置的製造方法。尤 # &晻u、ΐ夠藉由此方法而預防待顯示之影像劣化的主 動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法 祖關技術之描沭 主動矩陣型液晶顯示裝置例如包含一Τ基板，其中 i ΐ之s作切換兀件的薄膜電晶體（m)係形成在各 m一黏著至m基板的對向基板、及-填入tft基板 與對向基板之間的液晶層。 圖1為說明習知液晶顧千驻m &面 、 狀日日々不裝置所用之TFT基板構造的佈 之二，^為顯不習知液晶顯示裝置之㈣基板與對向基 關係之橫剖面圖。吾人應注意，圖1及圖2 ΐ:if 裝置並非相同者，例如，彼此具有不同之 源極電極的幾何形狀。 在習知液晶顯示裝置中，脾、、右s a n n 1與21之間。之後，將設置右r將曰液曰曰層33形成在透明基板 一側稱A「肉如 ，β\置有液日日層33之透明基板1與21的 側？稱為内侧」、及未設置有液晶層的另一側稱為「外 將連接至掃描線2的閘極雷炻q + 絕绫膜4 m/ 覆盍閘極電極3的閘 、色緣膑4形成在透明基板〗的内側表面上。 成在閉極絕緣膜4 Λ ’俾能面對著閘’半2 :5 極 形 將 汲極電極7及源極電極8形成在填主=進一 乂 丹八主其間之半導體層的
574585 、發明說明（2) 閉f絕緣膜4上，藉以構成薄膜電晶體（TFT ) 1 〇。吾人應 /主意到’將沒極電極7連接至延伸在垂直於掃描線2方向上 的資料線6 成純化膜 接觸孔1 2 中的接觸 蓋層11上 從垂直於 成為重疊 資料線6 ， 著對應於 形成在像 一方面， 明基板2 1 同電極2 4 色矩陣之 形 者，將 各像素 成在覆 漏，故 1 3係形 相鄰之 則圍繞 圖示） 另 成在透 23、共 片與黑 32 〇 9及覆蓋層11而用以覆蓋上述之元件。再 形成在鈍化膜9與覆蓋層1 1中，並將經由 孔1 2而連接至源極電極8的像素電極1 3形 。為了預防光線從像素電極1 3的周邊洩 透明基板1的位置上看基板時，像素電極 於其周邊局部的兩相鄰之掃描線2、2及兩 > 6，而兩相鄰之掃描線與兩相鄰之資料線 像素電極1 3的像素。此外，將對正膜（未 素電極13上，藉以構成TFT基板31。 將對應於待顯示之各種顏色的濾色片2 2形 的内侧表面上，並進一步依序將黑色矩陣 、及對正層（未圖示）形成在相對於濾色 内側上的透明基板2 1，藉以構成對向基板 舌人應注意到 伸到具有源、極電極8:掃：’之將後， 造，俾能由其直線部在么=的f鄰像素附近的構 形成掃描線的構造重疊於源極電極8，而 形成在TFT10之閘極電極3的 中’僅將源極電極8 电位4的附近。如上所述，圖1及圖2之

Claims (1)

  1. 574585 :偏 91113M
    六、，請專利範费 1 · 一種主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，包含以下步 驟： 形成一薄膜電晶體在一透明基板上； 形成一覆蓋該薄膜電晶體的鈍化膜在該透明基板上； 對該純化膜進行退火； 形成一第一開口部在該鈍化膜中，俾能延伸到該薄膜 電晶體的一源極電極；及 形成一經由該第一開口部而連接至該源極電極的像素 電極在該鈍化膜上。 2 · —種主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，包含以下步 驟： 形成一薄膜電晶體在一透明基板上； 形成一覆蓋該薄膜電晶體的純化膜在該透明基板上； 形成一第一開口部在該鈍化膜中，俾能延伸到該薄膜 電晶體的一源極電極； 形成一經由該第一開口部而連接至，該源極電極的像素 電極在該鈍化膜上；及 對該鈍化膜進行退火。 3· 一種主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，包含以下步 驟： 形成一薄膜電晶體在一透明基板上； 形成一覆蓋該薄膜電晶體的鈍化膜在該透明基板上；
    第24頁 574585 皇號9川·· 羊月曰 修正 六 、申讀專利範® 對該鈍化膜進行退火； 形成一第一開口部在該鈍化膜中·，俾能延伸到該薄膜 電晶雜的一源極電極； 形成一有機膜在該鈍化膜上； 形成一第二開口部在該有機膜中，俾能與該第一開口 部對齊；及 形成一經由該第一與第二開口部而連接至該源極電極 的像素電極在該有機膜上。 驟一種主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，包含以下步 形成一薄膜電晶體在一透明基板上； 形成一覆蓋該薄膜電晶體的鈍化膜在該透明基板上· 形成一第一開口部在該純化膜中，俾能延伸到該薄膜 電晶體的一源極電極； 、 對該鈍化膜進行退火； 形成一有機膜在該鈍化膜上； 部對2成一第二開口部在該有機膜中，俾能與該第一開口 :成-經由該第一與第二開口部而連接至該源極 的像素電極在該有機膜上。 5製
    第25頁 574585 案號 9111.S71Q 六、申請專利範圍 的形成步驟與該像素電極的形成步驟之間，而該氧化膜存 在於該源極電極的一表面中並藉由該第二開口部而露出。 6 •—種主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，包含以下步 驟： 形成一薄膜電晶體在一透明基板上； 形成一覆蓋該薄膜電晶體的鈍化膜在該透明基板上； 對該鈍化膜進行退火； 形成一有機膜在該鈍化膜上； 形成一第二開口部在該有機膜中，俾能與該薄膜電晶 體的一源極電極對齊； 形成一第一開口部在該鈍化膜中，俾能延伸到該薄膜 電晶體的該源極電極；及 形成一經由該第一與第二開口部而連接至該源極電極 的像素電極在該有機膜上。
    第26頁
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100997963B1 (ko) * 2003-06-30 2010-12-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR101039024B1 (ko) 2004-06-14 2011-06-03 삼성전자주식회사 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
TWI316274B (en) * 2006-07-14 2009-10-21 Au Optronics Corp Method for fabricating thin film transistor
KR101510212B1 (ko) * 2008-06-05 2015-04-10 삼성전자주식회사 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법
US8338226B2 (en) * 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20180031077A (ko) * 2009-09-24 2018-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2011077450A (ja) * 2009-10-01 2011-04-14 Fujifilm Corp 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
WO2011070901A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10427961B2 (en) * 2011-07-15 2019-10-01 Soclean, Inc. Technologies for sanitizing reservoirs
US10434204B2 (en) * 2011-07-15 2019-10-08 Soclean, Inc. Technologies for sanitizing mist humidifiers
JP2019053105A (ja) * 2017-09-13 2019-04-04 シャープ株式会社 表示パネル用基板の製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2794499B2 (ja) * 1991-03-26 1998-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6556257B2 (en) * 1991-09-05 2003-04-29 Sony Corporation Liquid crystal display device
EP0689085B1 (en) * 1994-06-20 2003-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Display device and manufacture method for the same
JP3221240B2 (ja) 1994-06-24 2001-10-22 ソニー株式会社 表示用基板の製造方法
JP3963961B2 (ja) * 1994-08-31 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3059915B2 (ja) * 1994-09-29 2000-07-04 三洋電機株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
JP3240858B2 (ja) * 1994-10-19 2001-12-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
KR960042173A (ko) 1995-05-16 1996-12-21 구자홍 박막트랜지스터-액정표시장치 제조방법
US6391690B2 (en) * 1995-12-14 2002-05-21 Seiko Epson Corporation Thin film semiconductor device and method for producing the same
KR100234376B1 (ko) * 1996-04-09 1999-12-15 윤종용 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 액정 표시장치의 제조방법
KR100198728B1 (ko) * 1996-05-11 1999-06-15 구자홍 구동회로 일체형 액정표시소자 및 제조방법
EP1450412A3 (en) 1996-05-15 2005-03-09 Seiko Epson Corporation Thin film device and method for making
JPH1079510A (ja) * 1996-09-02 1998-03-24 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
CN1148600C (zh) * 1996-11-26 2004-05-05 三星电子株式会社 薄膜晶体管基片及其制造方法
TW477907B (en) * 1997-03-07 2002-03-01 Toshiba Corp Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method
JP3191745B2 (ja) * 1997-04-23 2001-07-23 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ素子及びその製造方法
US6017806A (en) * 1997-07-28 2000-01-25 Texas Instruments Incorporated Method to enhance deuterium anneal/implant to reduce channel-hot carrier degradation
JPH11109406A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置とその製造方法
US6359672B2 (en) * 1997-10-20 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Method of making an LCD or X-ray imaging device with first and second insulating layers
KR100271041B1 (ko) * 1997-11-05 2000-11-01 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의 기판의 제조방법 및 액정표시장치의 기판의 구조(substrate of a siquid crystal display and method of manufacturing the same)
TW394986B (en) * 1997-11-25 2000-06-21 Nippon Electric Co Active matrix liquid crystal display device and its manufacturing method
KR100289649B1 (ko) * 1998-06-25 2001-05-02 박종섭 박막트랜지스터액정표시소자의제조방법
JP2001085701A (ja) 1999-04-06 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多層構造を有する素子、その素子の製造装置、及びその素子の製造方法
JP4115654B2 (ja) 1999-04-30 2008-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4307635B2 (ja) 1999-06-22 2009-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001119029A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置
JP3961172B2 (ja) * 1999-11-26 2007-08-22 アルプス電気株式会社 酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置
KR100710276B1 (ko) * 1999-12-31 2007-04-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 제조방법
US6632478B2 (en) * 2001-02-22 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Process for forming a low dielectric constant carbon-containing film

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