JP2002287163A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 開口率を低下させることなく、表示画面上で
同極性の画素のみを表示させる場合でもフリッカが強く
発生するのを抑制する。 【解決手段】 開示される液晶表示装置は、第１及び第
２のＴＦＴ２９、３０を介して互いに極性の異なる画素
電圧を第１及び第２の画素電極２１、２３に印加する第
１及び第２のデータ線２２、２４は、パッシベーション
膜２５を介して重畳されるように形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置及
びその製造方法に係り、詳しくは、同一走査線で駆動さ
れる２つの駆動素子を有し、互いに極性の異なる画素電
圧が２つのデータ線から各駆動素子を介して印加される
２つの画素電極を有する単位画素から構成される液晶表
示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の情報機器等のディスプレイ装置と
して液晶表示装置が広く用いられている。液晶表示装置
は、表示すべき単位画素を選択するためにオン、オフの
スイッチングを行うスイッチング素子（駆動素子）とし
て動作するＴＦＴ（Thin FilmTransistor）が形成され
たＴＦＴ基板（駆動素子基板）と、対向基板との間に液
晶が封入された構成を基本としており、複数の単位画素
がマトリクス状に配置されている。このような液晶表示
装置は、表示方式の違いにより、ＴＮ(Twisted Nemati
c)形とＩＰＳ(In-Plane Switching)形とに大別される。
【０００３】ＴＮ形の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板上に
形成した画素電極に画素電圧を印加するとともに、対向
基板上に形成した共通電極に共通電圧を印加して、これ
ら画素電圧と共通電圧との差電圧により、両基板表面に
対して垂直方向に縦方向電界を発生させて液晶を駆動す
る。一方、ＩＰＳ形の液晶表示装置は、一方側の基板で
あるＴＦＴ基板上に画素電極と共通電極との両電極を層
間絶縁膜を介して相互に絶縁されるように形成して、両
電極に印加した両電圧の差電圧により、両基板表面に対
して水平方向に横方向電界を発生させて液晶を駆動す
る。このような駆動方法において、特にＩＰＳ形の液晶
表示装置では、両基板表面に沿って液晶分子の長軸が水
平に配列されるので、液晶表示装置を観察するとき視角
方向を変えても明るさの変化が小さくなるため、広い視
野角が得られるという利点を有している。したがって、
最近ではＩＰＳ形の液晶表示装置が好んで採用される傾
向にある。
【０００４】図３５は、従来のＩＰＳ形の液晶表示装置
の構成を示す平面図、図３６は図３５のＬ−Ｌ矢視断面
図である。なお、図３５及び図３６は、一つの単位画素
１００のみを示している。同液晶表示装置は、図３５及
び図３６に示すように、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１
０２との間に液晶１０３が封入され、ＴＦＴ基板１０１
は、ガラス等から成る第１の透明基板１０６と、第１の
透明基板１０６の裏面に形成された第１の偏光板１０７
と、第１の透明基板１０６の表面の一部分に形成された
走査線（ゲートバスライン）１０８と、第１の透明基板
１０６の表面の他部分に形成された共通電極１０９と、
走査線１０８及び共通電極１０９を覆うように形成され
てゲート絶縁膜となる層間絶縁膜１１０と、層間絶縁膜
１１０を介して走査線１０８の上部に形成された半導体
層１１３と、半導体層１１３にそれぞれ接続されるよう
に形成されたドレイン電極１１６及びソース電極１１７
と、ドレイン電極１１６及びソース電極１１７と一体に
層間絶縁膜１１０上に形成された画素電極１２１及びデ
ータ線１２２と、画素電極１２１及びデータ線１２２を
覆うように形成されたパッシベーション膜１２５と、パ
ッシベーション膜１２５を介して画素電極１２１及びデ
ータ線１２２を覆うように形成された第１の配向膜１２
７とを備えている。ここで、走査線１０８、半導体層１
１３、ドレイン電極１１６及びソース電極１１７により
ＴＦＴ１２９が構成されている。
【０００５】一方、対向基板１０２は、ガラス等から成
る第２の透明基板１３１と、第２の透明基板１３１の裏
面に静電気防止用の導電層１３２を介して形成された第
２の偏光板１３３と、第２の透明基板１３１の表面に形
成されたブラックマトリクス層１３４と、ブラックマト
リクス層１３４を覆うカラーフィルタとなる色層１３５
と、ブラックマトリクス層１３４及び色層１３５を覆う
平坦化膜１３６と、平坦化膜１３６上に形成された第２
の配向膜１３７とを備えている。また、符号１３９は液
晶１０３のラビング方向を示している。
【０００６】上述したような液晶表示装置を駆動させる
には、従来から、液晶の長寿命化を図る観点から、各単
位画素を構成している画素電極に対して周期的に互いに
極性の異なる画素電圧を印加することが行われている。
すなわち、図３５及び図３６において、データ線１２２
からＴＦＴ１２９を介して画素電極１２１に対して、図
３７に示すような周期的に互いに極性の異なる画素電圧
Ｖeを印加することが行われている。同図において、符
号Ｖcは共通電極１０９に印加される共通電圧を示し、
図示しない走査電圧の印加タイミングで画素電圧Ｖeと
共通電圧Ｖcとの差電圧Ｖd1、Ｖd2により液晶１０３が
駆動されて、液晶１０３はこの駆動電圧に応じた電荷を
保持する。
【０００７】ここで、上述したように画素電極１２１に
対して周期的に極性の異なる画素電圧Ｖｅを印加して液
晶１０３を駆動するには、以下に説明するような３つの
方法が主として行われている。第１の駆動方法は、図３
８（ａ）に示すように、１Ｈ（Horizontal）反転駆動方
法と称されるもので、画像を構成する画素の画像データ
を切り換えるときに、１水平線毎に画素の正極性と負極
性とを反転させる方法である。第２の駆動方法は、図３
８（ｂ）に示すように、１Ｖ（Vertical）反転駆動方法
と称されるもので、画素の画像データを切り換えるとき
に、１垂直線毎に画素の正極性と負極性とを反転させる
方法である。第３の駆動方法は、図３８（ｃ）に示すよ
うに、ドット反転駆動方法と称されるもので、画素の画
像データを切り換えるときに、１ドット毎に市松模様状
に画素の正極性と負極性とを反転させる方法である。
【０００８】図３９は、従来の液晶表示装置の駆動回路
を示す図、図４０は図３９の端子部Ａ及び端子部Ｂを拡
大して示す図である。マトリクス状に配置された画素１
００の走査線１０８には走査線駆動回路１５１が接続さ
れて走査線信号が入力されるとともに、データ線１２２
にはデータ線駆動回路１５２が接続されてデータ線信号
が入力される。また、共通電極配線１２０には共通電極
配線駆動回路１５３が接続されて共通電位が入力され
る。
【０００９】図４０から明らかなように、端子部Ａにお
いては、データ線１２２に電位を供給するデータ線端子
部１２２ＡがそれぞれＩＴＯ膜１２２ａで覆われてい
る。また、端子部Ｂにおいては、走査線１０８に電位を
供給する走査線端子部１０８ＡがＩＴＯ膜１０８ａで覆
われるとともに、共通電極配線１２０に電位を供給する
共通電極配線端子部１２０ＡがＩＴＯ膜１２０ａで覆わ
れている。
【００１０】しかしながら、上述したような従来の液晶
表示装置では、表示画面上で同極性の画素のみを表示さ
せるような必要が生じた場合には、フリッカが強く発生
して表示画面が見にくくなるという欠点が発生する。例
えば、図４１（ａ）に示したように、正極性の画素の
み、あるいは図４１（ｂ）に示したように、負極性の画
素のみを表示させるように市松模様状に表示させる場合
にはフリッカが強く発生するようになる。この理由は、
従来の液晶表示装置では、前述したように互いに極性の
異なる画素電圧を印加した複数の画素を同時に表示させ
て、見かけ上のフリッカを抑制するようにしているため
である。この理由は、具体的には、データ線１２２と画
素電極１２１との間に接続されているＴＦＴ１２９のオ
ン特性と液晶１０３のデータ電圧保持特性とが、正極性
と負極性とを印加する場合で、それぞれ異なるという事
情に基づいている。すなわち、図３７において、差電圧
Ｖd1、Ｖd2が等しい場合には問題がないが、実際には上
述したような理由により、共通電圧Ｖcの大きさが変化
するので、差電圧Ｖd1、Ｖd2が異なるようになるため、
市松模様状に表示させる場合にはフリッカが強く発生す
るのが避けられない。
【００１１】上述したような、同極性の画素のみを表示
させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制するよ
うにした液晶表示装置が、例えば特開２０００−２３５
３７１号公報に開示されている。図４２（ａ）は、同液
晶表示装置を示す回路構成図、図４２（ｂ）は同液晶表
示装置のレイアウト図である。同液晶表示装置は、図４
２（ａ）、（ｂ）に示すように、走査線２０１ｃと、正
のデータ線２０２ｃ及び副のデータ線２０２ｄと、走査
線２０１ｃと正のデータ線２０２ｃとの交点に接続され
た正のＴＦＴ２０３ｃ及び走査線２０１ｃと副のデータ
線２０２ｄとの交点に接続された副のＴＦＴ２０３ｄ
と、対向電極２１１と正の画素電極２０４ｃ及び副の画
素電極２０４ｄとの間にそれぞれ封入されている液晶２
１０ｃ、２１０ｄと、共通配線２０９と正副の画素電極
２０４ｃ、２０４ｄとの間にそれぞれ形成されている蓄
積容量２０８ｃ、２０８ｄとを備えている。
【００１２】上述の構成によれば、例えば図３８（ａ）
に示すように、画像を構成する１水平線の画素の画像デ
ータを切り換えるときに、単位画素毎に正副の画素電極
２０４ｃ、２０４ｄに印加する画素電圧の正極性と負極
性とを反転させることにより、単位画素毎に略同一輝度
を表示する正極性の画素と負極性の画素とを必ず隣接さ
せることができるので、前述したように表示画面上で同
極性の画素のみを表示させる場合でもフリッカが強く発
生するのを抑制することができるようになる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
液晶表示装置では、表示画面上で同極性の画素のみを表
示させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制する
ことができるものの、単位画素の正副の画素電極にそれ
ぞれ正極性及び負極性の画素電圧を印加する正副の２つ
のデータ線を平面的に形成しているので、単位画素の開
口率が低下する、という問題がある。すなわち、特開２
０００−２３５３７１号公報に記載されている液晶表示
装置は、図４２（ａ）、（ｂ）に示したように、正のＴ
ＦＴ２０３ｃを介して画素電圧を正の画素電極２０４ｃ
に印加する正のデータ線２０２ｃと、副のＴＦＴ２０３
ｄを介して画素電圧を副の画素電極２０４ｄに印加する
副のデータ線２０２ｄとの２つのデータ線を平面的に形
成しているので、単位画素内でデータ線が占有する面積
が２倍になり、この分だけ光が透過する面積を減少させ
ることになるため、開口率を低下させるようになる。
【００１４】特に、ＩＰＳ形の液晶表示装置では、図３
５及び図３６に示したように、遮光性金属から成る共通
電極１０９及び画素電極１２１が平面的に配置される構
成になっているので、もともと開口率が悪くなっている
のに、さらに開口率が低下することは明るいディスプレ
イ装置の実現を困難にする。
【００１５】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、開口率を低下させることなく、表示画面上で同
極性の画素のみを表示させる場合でもフリッカが強く発
生するのを抑制することができるようにした液晶表示装
置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、駆動素子が形成された駆動
素子基板と対向基板との間に液晶が封入され、上記駆動
素子は同一走査線で駆動される第１及び第２の駆動素子
から成り、互いに極性の異なる画素電圧が第１及び第２
のデータ線から上記第１及び第２の駆動素子を介して印
加される第１及び第２の画素電極を有する単位画素から
構成される液晶表示装置に係り、上記第２のデータ線
は、上記第１のデータ線の上層にあって上記第１のデー
タ線と絶縁膜を介して互いに重畳されるように上記駆動
素子基板上に形成されることを特徴としている。
【００１７】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の液晶表示装置に係り、上記絶縁膜は、有機絶縁膜又
は無機絶縁膜あるいは両絶縁膜の積層膜から成ることを
特徴としている。
【００１８】また、請求項３記載の発明は、請求項１又
は２記載の液晶表示装置に係り、上記第１及び第２の画
素電極と、共通電極とが層間絶縁膜を介して相互に絶縁
されるように上記駆動素子基板上に形成されることを特
徴としている。
【００１９】また、請求項４記載の発明は、請求項１、
２又は３記載の液晶表示装置に係り、上記第１及び第２
の画素電極と、上記第１のデータ線とは同一の層間絶縁
膜上に形成されることを特徴としている。
【００２０】また、請求項５記載の発明は、請求項１乃
至４のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記第
１及び第２の画素電極と、上記第２のデータ線とは配向
膜で覆われることを特徴としている。
【００２１】また、請求項６記載の発明は、請求項１乃
至５のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記第
１及び第２のデータ線は、互いに極性の同一の画素電圧
を供給するもの同士が重畳されていることを特徴として
いる。
【００２２】また、請求項７記載の発明は、請求項６記
載の液晶表示装置に係り、上記第１及び第２のデータ線
は、それぞれ異なる単位画素の第１及び第２の画素電極
に上記画素電圧を供給することを特徴としている。
【００２３】また、請求項８記載の発明は、請求項１乃
至７のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記駆
動素子基板に色層が形成されることを特徴としている。
【００２４】また、請求項９記載の発明は、請求項３乃
至８のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記共
通電極は配向膜を介して上記液晶と接していることを特
徴としている。
【００２５】また、請求項１０記載の発明は、請求項９
記載の液晶表示装置に係り、上記第２のデータ線は、上
記第１のデータ線の上層にあって上記第１のデータ線と
上記層間絶縁膜を介して互いに重畳されていることを特
徴としている。
【００２６】また、請求項１１記載の発明は、請求項１
又は２記載の液晶表示装置に係り、上記第１及び第２の
画素電極と共通電極とが、上記第２のデータ線を覆う同
一の層間絶縁膜上に形成されることを特徴としている。
【００２７】また、請求項１２記載の発明は、請求項１
１記載の液晶表示装置に係り、上記共通電極は上記対向
基板上に形成されることを特徴としている。
【００２８】また、請求項１３記載の発明は、請求項１
乃至１２のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上
記単位画素は１Ｈ反転駆動方法、１Ｖ反転駆動方法ある
いはドット反転駆動方法により駆動されることを特徴と
している。
【００２９】また、請求項１４記載の発明は、同一走査
線で駆動される第１及び第２の駆動素子を有し、互いに
極性の異なる画素電圧が第１及び第２のデータ線から上
記第１及び第２の駆動素子を介して印加される第１及び
第２の画素電極を有する単位画素から構成される液晶表
示装置の製造方法に係り、透明基板上に走査線を形成し
た後該走査線を覆うように第１の層間絶縁膜を形成し、
該第１の層間絶縁膜上に半導体層を形成する第１の工程
と、上記半導体層にドレイン電極及びソース電極を形成
して第１及び第２の駆動素子を形成すると同時に、上記
第１の層間絶縁膜上に第１及び第２の画素電極、一方の
上記駆動素子の上記ドレイン電極と接続する第１のデー
タ線を形成する第２の工程と、上記駆動素子を覆うよう
に第２の層間絶縁膜を形成した後該第２の層間絶縁膜に
コンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを介し
て他方の上記駆動素子の上記ドレイン電極と接続する第
２のデータ線を上記第１のデータ線と重畳するように形
成する第３の工程とを含むことを特徴としている。
【００３０】また、請求項１５記載の発明は、請求項１
４記載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記第３の工
程において、上記第２の層間絶縁膜として有機絶縁膜又
は無機絶縁膜あるいは両絶縁膜の積層膜を形成すること
を特徴としている。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は実施例を用いて
具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図３
は図２のＢ−Ｂ矢視断面図、図４は同液晶表示装置から
第２のデータ線を取り除いた構成を示す平面図、図５は
第２のデータ線のパターンを示す平面図、また、図６は
データ線と画素電極との接続関係及び配置関係を概略的
に示す図、図７はデータ線から供給される画素電圧の波
形を示す図である。この例ではＩＰＳ形に適用した例で
説明し、一つの単位画素５のみを示している。この例の
液晶表示装置は、図１〜図５に示すように、ＴＦＴ基板
１と対向基板２との間に液晶３が封入されている。ここ
で、ＴＦＴ基板１は、ガラス等から成る第１の透明基板
６と、第１の透明基板６の裏面に形成された第１の偏光
板７と、第１の透明基板６の表面の一部分に形成された
アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン
（Ｍｏ）等から成りゲートバスラインとなる走査線８
と、第１の透明基板６の表面の他部分に形成されたＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ等から成る共通電極９と、走査線８及び
共通電極９を覆うよう形成された酸化シリコン（ＳｉＯ
X）膜又は窒化シリコン（ＳｉＮX）膜、あるいは両膜の
積層膜等から成りゲート絶縁膜となる第１の層間絶縁膜
１０と、第１の層間絶縁膜１０を介して走査線８の上部
に形成され表面に高濃度ｎ型アモルファスシリコン（ｎ
+型α−Ｓｉ）等から成る第１の一対のオーミック層１
１Ａ、１１Ｂ及び第２の一対のオーミック層１２Ａ、１
２Ｂがそれぞれ形成された（α−Ｓｉ）等から成る第１
の半導体層１３及び第２の半導体層１４と、第１の半導
体層１３の第１の一対のオーミック層１１Ａ、１１Ｂに
それぞれ接続されるように形成されたＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ
等から成る第１のドレイン電極１６及び第１のソース電
極１７と、第２の半導体層１４の第２の一対のオーミッ
ク層１２Ａ、１２Ｂにそれぞれ接続されるように形成さ
れたＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ等から成る第２のドレイン電極１
８及び第２のソース電極１９と、第１のドレイン電極１
６及びソース電極１７と一体に第１の層間絶縁膜１０上
に形成されたＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉ（チタン）等から成る第
１の画素電極２１及び第１のデータ線２２と、第２のド
レイン電極１８及びソース電極１９と一体に第１の層間
絶縁膜１０上に形成されたＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉ等から成る
第２の画素電極２３と、第１のデータ線２２と重畳する
ようにパッシベーション膜２５を介して形成された第２
のデータ線２４と、第１及び第２の半導体層１３、１４
上のパッシベーション膜２５上に形成されたＳｉＯX膜
又はＳｉＮX膜、両膜の積層膜、あるいは有機膜との複
合膜等から成る第２の層間絶縁膜２６と、第１及び第２
の画素電極２１、２３及び第２のデータ線２４を覆うよ
うに形成された第１の配向膜２７とを備えている。
【００３２】一方、対向基板２は、ガラス等から成る第
２の透明基板３１と、第２の透明基板３１の裏面に静電
気防止用の導電層３２を介して形成された第２の偏光板
３３と、第２の透明基板３３の表面に形成されたブラッ
クマトリクス層３４と、ブラックマトリクス層３４を覆
いカラーフィルタとなる色層３５と、ブラックマトリク
ス層３４及び色層３５を覆う平坦化膜３６と、平坦化膜
３６上に形成された第２の配向膜３７とを備えている。
また、符号３９は液晶３のラビング方向を示している。
【００３３】上述したような構成において、走査線８、
第１の半導体層１３、第１のドレイン電極１６及び第１
のソース電極１７により第１のＴＦＴ２９が構成される
とともに、走査線８、第２の半導体層１４、第２のドレ
イン電極１８及び第２のソース電極１９により第２のＴ
ＦＴ３０が構成されて、両ＴＦＴ２９、３０は第１の層
間絶縁膜１０を介して共通の走査線８上に形成されるこ
とにより、同一走査線８で駆動される。第１及び第２の
データ線２２、２４は、互いに相似パターンに形成され
ているが、第１のデータ線２２は近接している第１のＴ
ＦＴ２９の第１のドレイン電極１６に接続されている。
一方、第２のデータ線２４は図５に示したようなパター
ンに形成されて、パッシベーション膜２５及び第２の層
間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホール２８を介し
て、第１のＴＦＴ２９の外側の第２のＴＦＴ３０の第２
のドレイン電極１８に接続されている。このような接続
関係により、第１のデータ線２２から供給される画素電
圧は第１のＴＦＴ２９を介して第１の画素電極２１に印
加される。一方、第２のデータ線２４から供給される画
素電圧は第２のＴＦＴ３０を介して第２の画素電極２３
に印加される。図６は、第１及び第２の画素電極２１、
２３に対する第１及び第２のデータ線２２、２４の接続
関係及び配置関係を概略的に示している。
【００３４】次に、図７の信号電圧波形を参照して、こ
の例の液晶表示装置の駆動方法について説明する。図７
において、符号Ｖe1は第１のデータ線２２から供給され
る第１の画素電圧の波形を、符号Ｖe2は第２のデータ２
４から供給される第２の画素電圧の波形を示している。
また、符号Ｖcは共通電圧を示している。第１の画素電
圧Ｖe1は、共通電圧Ｖcを基準軸として時刻ｔ1で正方向
にＶ1の大きさに、時刻ｔ2で正方向にＶ2の大きさに、
時刻ｔ3で正方向にＶ3の大きさになるように変化してい
る。一方、第２の画素電圧Ｖe2は、第１の画素電圧Ｖe1
とは互いに極性が異なるように、共通電圧Ｖcを基準軸
として時刻ｔ1で負方向に−Ｖ1の大きさに、時刻ｔ2で
負方向に−Ｖ2の大きさに、時刻ｔ3で負方向に−Ｖ3の
大きさになるように変化している。そして、第１のデー
タ線２２から第１の画素電圧Ｖe1を第１のＴＦＴ２９を
介して第１の画素電極２１に印加すると同時に、第２の
データ線２４から第２の画素電圧Ｖe2を第２のＴＦＴ３
０を介して第２の画素電極２３に印加する。これによ
り、第１及び第２の画素電極２１、２３には常に極性が
異なる画素電圧が印加されて、液晶３は画素電圧に応じ
た電荷を保持する。
【００３５】このように、単位画素毎に第１及び第２の
画素電極２１、２３に印加する画素電圧の正極性と負極
性とを反転させることにより、単位画素毎に略同一輝度
を表示する正極性の画素と負極性の画素とを必ず隣接さ
せることができるので、表示画面上で同極性の画素のみ
を表示させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制
することができる。この効果は、前述したいずれの駆動
方法によっても得ることができる。しかも、この例の液
晶表示装置によれば、第１及び第２の画素電圧Ｖe1、Ｖ
e2を供給する第１及び第２のデータ線２２、２４は、パ
ッシベーション膜２５を介して重畳されるように形成さ
れているので、単位画素内でデータ線が占有する面積を
１つのデータ線の場合と幅変化がないように抑えること
ができるため、開口率が低下することはなくなる。特
に、この例のようにＩＰＳ形の液晶表示装置では、第１
及び第２の画素電極２１、２３及び共通電極９がＡｌ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ等の遮光性金属により構成されている
ため、もともと開口率が悪くなっているので、大きな効
果が得られる。
【００３６】ここで、第１の配向膜２７を介して液晶３
と対向している第１及び第２の画素電極２１、２３及び
第２のデータ線２４は、第１の配向膜２７の膜厚が略５
０ｎｍと薄いので、液晶３の影響を受けて溶解すること
がないような安定した金属を選択することが必要にな
る。この点で、前述したようなＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉ等の金
属あるいはこれらの組み合わせはその要求を満足するこ
とができる。また、第１及び第２のデータ線２２、２４
の重畳する面積に比例して、両データ線２２、２４から
供給される画素電圧が歪み易いので、いずれか一方の線
幅を小さくすることが望ましい。また、このためには、
第２のデータ線２４としてこの配線抵抗が第１のデータ
線２２のそれよりも小さくなるような金属を用いること
が望ましい。さらに、そのためには、第１及び第２のデ
ータ線２２、２４間に用いるパッシベーション膜２５と
しては、膜厚を厚く形成し、あるいは誘電率の小さい有
機材料から成る絶縁膜もしくはその積層膜を選択するこ
とが望ましい。このパッシベーション膜２５は、表１、
表２及び表３に示したように、（１）無機膜のみによ
り、（２）無機膜と有機膜との積層により、あるいは
（３）有機膜のみにより構成することができる。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【表２】
【００３９】
【表３】
【００４０】また、この例のＩＰＳ形の液晶表示装置の
ように、第１及び第２の画素電極２１、２３及び共通電
極９によって横方向電界を発生させる場合、この横方向
電界が液晶３に加わり易くするために、図２に示したよ
うに、第１及び第２の画素電極２１、２３の表面にはパ
ッシベーション膜２５を存在させない、あるいは存在さ
せる場合でもその膜厚は薄く形成することが望ましい。
【００４１】このように、この例の液晶表示装置の構成
によれば、第１及び第２のＴＦＴ２９、３０を介して互
いに極性の異なる画素電圧を第１及び第２の画素電極２
１、２３に印加する第１及び第２のデータ線２２、２４
は、パッシベーション膜２５を介して重畳されるように
形成されているので、単位画素内で両データ線２２、２
４が占有する面積を１つのデータ線の場合と幅変化がな
いように抑えることができる。したがって、開口率を低
下させることなく、表示画面上で同極性の画素のみを表
示させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制する
ことができる。
【００４２】◇第２実施例 図８は、この発明の第２実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図、図９は図８のＣ−Ｃ矢視断面図、図１
０は同液晶表示装置から第２のデータ線を取り除いた構
成を示す平面図、図１１は第２のデータ線のパターンを
示す平面図、図１２はデータ線と画素電極との接続関係
及び配置関係を概略的に示す図である。この発明の第２
実施例である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施
例の構成と大きく異なるところは、２つの画素電極に対
する２つのデータ線の接続関係を維持したままで、両デ
ータ線の配置関係を変更するようにした点である。すな
わち、この例の液晶表示装置は、図８〜図１１に示すよ
うに、第１実施例で用いられた第２のデータ線２４とは
異なるパターンに形成された第２のデータ線４４を用い
て、一の単位画素の第１の画素電極２１には第１のＴＦ
Ｔ２９を介してこの単位画素の第１のデータ線２２が接
続されるように構成される一方、第２の画素電極２３に
は第２のＴＦＴ３０を介して隣接する単位画素の第２の
データ線４４が接続されるように構成されている。図１
２は、この例における、第１及び第２の画素電極２１、
２３に対する第１及び第２のデータ線２２、４４の接続
関係及び配置関係を概略的に示している。
【００４３】この例によれば、図１２から明らかなよう
に、一の単位画素の第１の画素電極２１に第１の画素電
圧を印加する第１のデータ線２２と、隣接する単位画素
の第２の画素電極２３に第１の画素電圧と互いに極性の
異なる第２の画素電圧を印加する第２のデータ線４４と
が、パッシベーション膜２５を介して重畳するように配
置されているので、重畳している第１のデータ線２２と
第２のデータ線４４の画素電圧の極性を同一にできる。
この結果、両データ線２２、４４同士が互いの電位へ与
える影響を少なくすることができる。これ以外は、上述
した第１実施例と略同様である。それゆえ、図８〜図１
０において、図１〜図４の構成部分と対応する各部に
は、同一の番号を付してその説明を省略する。
【００４４】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、２つのデータ
線同士が互いの電位へ与える影響を少なくすることがで
きる。
【００４５】◇第３実施例 図１３は、この発明の第３実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図、図１４は図１３のＤ−Ｄ矢視断面
図、図１５は図１３のＥ−Ｅ矢視断面図、また、図１６
〜図２０は同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工
程図、図２１は同液晶表示装置の駆動回路を示す図、図
２２は図２１の端子部Ａ及び端子部Ｂを拡大して示す
図、図２３〜図２５は同液晶表示装置の他の製造方法を
工程順に示す工程図である。この発明の第３実施例であ
る液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構成と
大きく異なるところは、第１及び第２のデータ線を覆う
ように共通電極を配置し、かつ共通電極と画素電極とを
同一層で同一工程で形成するようにした点である。すな
わち、この例の液晶表示装置は、図１３〜図１５に示す
ように、第１及び第２の画素電極２１、２３及び第２の
データ線２４を覆うように第２のパッシベーション膜４
０が形成され、第２のパッシベーション膜４０上には第
２の層間絶縁膜２６及び第３の層間絶縁膜４２が形成さ
れて、第３の層間絶縁膜４２上にはＩＴＯ（Indium-Tin
-Oxide)から成る第１及び第２の画素電極４１、４３及
び共通電極９が形成されている。また、第１の画素電極
４１は、パッシベーション膜２５、第２の層間絶縁膜２
６に形成されたコンタクトホール３８を介して第１のソ
ース電極１７に接続されている。また、第２の画素電極
４３は、パッシベーション膜２５、第２、第３の層間絶
縁膜２６、４２に形成されたコンタクトホールを介して
第２のソース電極１９に接続されている。
【００４６】この例によれば、図１４から明らかなよう
に、第１の画素電極２１、４１及び第２の画素電極２
３、４３及び共通電極９によって横方向電界を発生させ
る場合、第１の配向膜２７を介して液晶３に近い位置に
第１及び第２の画素電極４１、４３及び共通電極９が形
成されているので、横方向電界を液晶３に加わり易くす
ることができ、低駆動電圧化を図ることができる。ま
た、データ線からの漏れ電界を最上層に形成された共通
電極９でシールドすることができるので、ブラックマト
リクス層３４の面積を縮小させることが可能となり、さ
らなる開口率の向上を図ることができる。
【００４７】次に、図１６〜図２０を参照して、この例
の液晶表示装置の製造方法を工程順に説明する。なお、
以下の工程において、Ｍ−Ｍ、Ｎ−Ｎ及びＯ−Ｏはそれ
ぞれ図２２に示した対応部分の断面図を示している。ま
ず、図１６（ａ）に示すように、ガラス等から成る第１
の透明基板６を用いて、スパッタ法により全面にＣｒ膜
を形成した後、ウエットエッチング法によりＣｒ膜を所
望の形状にパターニングして、走査線８及び共通電極９
を形成する。
【００４８】次に、図１６（ｂ）に示すように、ＣＶＤ
法により全面にゲート絶縁膜となるＳｉＯX膜とＳｉＮX
膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜１０を形成す
る。次に、図１６（ｃ）に示すように、Ｐ（Plasma）−
ＣＶＤ法により全面に（α−Ｓｉ）膜１２及び（ｎ+型
α−Ｓｉ）膜１５を順次に形成する。
【００４９】次に、図１６（ｄ）に示すように、ドライ
エッチング法により両膜１２、１５を所望の形状にパタ
ーニングして第２の半導体層１４を形成する。次に、図
１６（ｅ）に示すように、スパッタ法により全面にＣｒ
層を形成した後、ドライエッチング法によりＣｒ層を所
望の形状にパターニングして第２のドレイン電極１８及
びソース電極１９、第１及び第２の画素電極２１、２
３、第１のデータ線２２を形成する。なお、図示におい
て右側の第１のデータ線２２は隣接する単位画素のもの
である。次に、図１６（ｆ）に示すように、ドライエッ
チング法により第１の半導体層１４を選択的にエッチン
グしてチャネル掘り込み２０を形成する。以上により、
第２のＴＦＴ３０が形成される。なお、図示は省略して
いるが、第１の透明基板６上の他の位置には第１のＴＦ
Ｔ２９が形成される。
【００５０】次に、図１７（ｇ）に示すように、ＣＶＤ
法により全面にパッシベーション膜となるＳｉＮX膜４
５を形成する。次に、図１７（ｈ）に示すように、スピ
ンコート法により全面に第２の層間絶縁膜となる感光性
の有機絶縁膜４６を形成する。次に、図１７（ｉ）に示
すように、有機絶縁膜４６を露光、現像処理して、コン
タクトホール２８Ａ、３８Ａを形成する。次に、図１８
（ｊ）に示すように、ドライエッチング法によりＳｉＮ
X膜４５にコンタクトホール２８Ｂ、３８Ｂを形成す
る。以上により、各コンタクトホール２８Ａ、２８Ｂが
つながってコンタクトホール２８が形成される。
【００５１】次に、図１８（ｋ）に示すように、スパッ
タ法により全面にＭｏ膜を形成した後、ウエットエッチ
ング法によりＭｏ膜を所望の形状にパターニングして、
第２のＴＦＴ３０のドレイン電極１８に接続されるよう
に第２のデータ線２４を形成する。次に、図１９（ｌ）
に示すように、スピンコート法により全面に第３の層間
絶縁膜となる感光性の有機絶縁膜４７を形成した後、図
１９（ｍ）に示すように、有機絶縁膜４７を露光、現像
処理してコンタクトホール３８Ｃを形成する。以上によ
り、各コンタクトホール３８Ａ、３８Ｂ、３８Ｃがつな
がってコンタクトホール３８が形成される。また、有機
絶縁膜４６、４７によりそれぞれ第２の層間絶縁膜２６
及び第３の層間絶縁膜４２が形成される。
【００５２】次に、図２０（ｎ）に示すように、スパッ
タ法により全面にＩＴＯ膜を形成した後、ウエットエッ
チング法によりＩＴＯ膜を所望の形状にパターニングし
て、第１及び第２の画素電極４１、４３及び共通電極９
を形成する。以上により、この例の液晶表示装置の主要
部が形成される。以上のような液晶表示装置の製造方法
によれば、周知の導電膜及び絶縁膜を含む薄膜形成手
段、及び周知の薄膜パターニング手段を組み合わせるこ
とで、コストアップを伴うことなく液晶表示装置を容易
に製造することができる。
【００５３】図２１は、この例の液晶表示装置の駆動回
路を示す図、図２２は図２１の端子部Ａ及び端子部Ｂを
拡大して示す図である。マトリクス状に配置された単位
画素５の走査線８には走査線駆動回路５１が接続されて
走査線信号が入力されるとともに、第１及び第２のデー
タ線２２、２４にはデータ線駆動回路５２が接続されて
互いに極性の異なるデータ線信号が入力される。また、
共通電極配線４には共通電極配線駆動回路５３が接続さ
れて共通電位が入力される。
【００５４】図２２から明らかなように、端子部Ａに
は、一の単位画素の第１及び第２のデータ線２２、２４
の第１及び第２のデータ線端子部２２Ａ、２４Ａ及び隣
接する単位画素の第１及び第２のデータ線２２、２４
（図示右側）の第１及び第２のデータ線端子部２２Ａ、
２４Ａが接続されている。そして、第１及び第２のデー
タ線端子部２２Ａ、２４Ａには、それぞれＩＴＯで被覆
された第１及び第２のデータ線端子部２２ａ、２４ａ、
コンタクトホール部を有する第１及び第２のデータ線端
子部２２ｂ、２４ｂが設けられている。
【００５５】また、図２２から明らかなように、端子部
Ｂには、走査線８の走査線端子部８Ａと共通電極配線４
の共通電極配線端子部４Ａとを一対として、二対の構成
が接続されている。そして、走査線端子部８ＡにはＩＴ
Ｏで被覆された走査線端子部８ａ及びコンタクトホール
部を有する走査線端子部８ｂが設けられるとともに、共
通電極配線端子部４ＡにはＩＴＯで被覆された共通電極
配線端子部４ａ及びコンタクトホール部を有する共通電
極配線端子部４ｂが設けられている。
【００５６】次に、図２３〜図２５を参照して、無機膜
と有機膜の積層膜により第２の層間絶縁膜を構成する場
合のこの例の液晶表示装置の製造方法を工程順に説明す
る。なお、以下の工程において、Ｍ−Ｍ、Ｎ−Ｎ及びＯ
−Ｏはそれぞれ図２２に示した対応部分の断面図を示し
ている。まず、図２３（ａ）に示すように、ガラス等か
ら成る第１の透明基板６を用いて、スパッタ法により全
面にＣｒ膜を形成した後、ウエットエッチング法により
Ｃｒ膜を所望の形状にパターニングして、走査線端子部
８Ａ及び共通電極配線端子部４Ａを形成する。
【００５７】次に、図２３（ｂ）に示すように、ＣＶＤ
法により全面にゲート絶縁膜となるＳｉＯX膜とＳｉＮX
膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜１０を形成す
る。次に、図２３（ｃ）に示すように、Ｐ−ＣＶＤ法に
より全面に（α−Ｓｉ）膜１２及び（ｎ+型α−Ｓｉ）
膜１５を順次に形成する。
【００５８】次に、図２３（ｄ）に示すように、ドライ
エッチング法により両膜１２、１５を除去した後、ドラ
イエッチング法によりＣｒ層を所望の形状にパターニン
グして第１のデータ線２２を形成する。次に、図２３
（ｅ）に示すように、ＣＶＤ法により全面にパッシベー
ション膜となるＳｉＮX膜４５を形成する。
【００５９】次に、図２３（ｆ）に示すように、スピン
コート法により全面に第２の層間絶縁膜となる感光性の
有機絶縁膜４６を形成する。次に、図２４（ｇ）に示す
ように、有機絶縁膜４６を露光、現像処理して、コンタ
クトホール５５Ａ、５６Ａ、５７Ａを形成する。次に、
図２４（ｈ）に示すように、ドライエッチング法により
ＳｉＮX膜４５にコンタクトホール５５Ｂ、５６Ｂ、５
７Ｂを形成する。
【００６０】次に、図２５（ｉ）に示すように、スパッ
タ法により全面にＭｏ膜を形成した後、ウエットエッチ
ング法によりＭｏ膜を所望の形状にパターニングして、
第２のＴＦＴ３０のドレイン電極１８に接続されるよう
に第２のデータ線２４を形成する。次に、図２５（ｊ）
に示すように、スピンコート法により全面に第３の層間
絶縁膜となる感光性の有機絶縁膜４７を形成した後、図
２５（ｋ）に示すように、有機絶縁膜４７を露光、現像
処理してコンタクトホール５５Ｃ、５６Ｃ、５７Ｃを形
成する。以上により、各コンタクトホール５５Ａ〜５５
Ｃ、５６Ａ〜５６Ｃ、５７Ａ〜５７Ｃがつながって、コ
ンタクトホール５５、５６、５７が形成される。
【００６１】次に、図２５（ｌ）に示すように、スパッ
タ法により全面にＩＴＯ膜を形成した後、ウエットエッ
チング法によりＩＴＯ膜を所望の形状にパターニングし
て、それぞれＩＴＯで被覆された走査線端子部８ａ、共
通電極配線端子部４ａ、第１のデータ線端子部２２ａ及
び第２のデータ線端子部２４ａを形成する。以上によ
り、この例の液晶表示装置の端子部Ａ、端子部Ｂが形成
される。
【００６２】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、液晶に近い位
置に第１及び第２の画素電極及び共通電極が形成されて
いるので、横方向電界を液晶に加わり易くすることがで
き、低駆動電圧化を図ることができる。加えて、この例
の構成によれば、データ線からの漏れ電界を最上層に形
成された共通電極でシールドすることができるので、ブ
ラックマトリクス層の面積を縮小させることが可能とな
り、さらなる開口率の向上を図ることができる。さら
に、加えて、この例における液晶表示装置の製造方法に
よれば、コストアップを伴うことなく液晶表示装置を容
易に製造することができる。
【００６３】◇第４実施例 図２６は、この発明の第４実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図、図２７は図２６のＦ−Ｆ矢視断面
図、図２８は図２６のＧ−Ｇ矢視断面図である。この発
明の第４実施例である液晶表示装置の構成が、上述した
第１実施例の構成と大きく異なるところは、２つの画素
電極を覆うようにパッシベーション膜を存在させるよう
にした点である。すなわち、この例の液晶表示装置は、
図２７に示すように、第１のデータ線２２の表面だけで
なく第１及び第２の画素電極２１、２３の表面にもパッ
シベーション膜２５が形成されている。
【００６４】この例によれば、第１及び第２の画素電極
２１、２３は第１のデータ線２２と同様に膜厚の厚いパ
ッシベーション膜２５で覆われているので、液晶３の影
響を受けることが少なくなる。したがって、第１及び第
２の画素電極２１、２３の金属としては、前述したよう
なＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉ等の液晶２に対して安定な金属に制
約されずに、液晶３の影響を受け易いと言われているＣ
ｒ等の金属も用いることができる。したがって、画素電
極として用いる金属の選択の範囲を広げることができる
ようになる。
【００６５】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、画素電極とし
て用いる金属の選択の範囲を広げることができる。
【００６６】◇第５実施例 図２９は、この発明の第５実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図、図３０は図２９のＨ−Ｈ矢視断面
図、図３１は図２９のＩ−Ｉ矢視断面図である。この発
明の第５実施例である液晶表示装置の構成が、上述した
第１実施例の構成と大きく異なるところは、ＴＦＴ基板
に色層を形成するようにした点である。すなわち、この
例の液晶表示装置は、図３０に示すように、ＴＦＴ基板
１上の第１及び第２の画素電極２１、２３、第１のデー
タ線２２を覆っているパッシベーション膜２５上の略中
央部には青色層３５Ｂが、この青色層３５Ｂの両側位置
にはそれぞれ緑色層３５Ｇ、赤色層３５Ｒが形成され
て、各色層の境界部にはブラックマトリクス層３４が形
成されている。ブラックマトリクス層３４及び各色層３
５Ｇ、３５Ｂ、３５Ｒを覆うように平坦化膜３６が形成
されて、平坦化膜３６上には第１のデータ線２２と重畳
するように第２のデータ線２４が形成されている。
【００６７】この例によれば、色層及びブラックマトリ
クス層を形成したＴＦＴ基板１に平坦化膜３６を介して
第１及び第２のデータ線２２、２４を重畳させるように
したので、色層及びブラックマトリクス層を対向基板２
側に形成されている構成に比較して、両基板１、２間に
液晶３を封入して液晶表示装置を製造する場合に、両基
板１、２のずれを考慮した重ね合わせマージンをとる必
要がなくなるので、より開口率を高めることが可能とな
る。
【００６８】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、より開口率を
高めることが可能となる。
【００６９】◇第６実施例 図３２は、この発明の第６実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図、図３３は図３２のＪ−Ｊ矢視断面
図、図３４は図３２のＫ−Ｋ矢視断面図である。この発
明の第６実施例である液晶表示装置の構成が、上述した
第１実施例の構成と大きく異なるところは、ＴＮ形の液
晶表示装置に適用するようにした点である。すなわち、
この例の液晶表示装置は、図３２〜図３４に示すよう
に、ＴＦＴ基板１上の第１の層間絶縁膜１０上に形成さ
れた第１のデータ線２２は第１のＴＦＴ２９を介して第
１の画素電極２１に接続されるとともに、パッシベーシ
ョン２５を介して第１のデータ線２２と重畳するように
形成された第２のデータ線２４は第２のＴＦＴ３０を介
して第２の画素電極２３に接続されている。また、第２
のデータ線２４を覆うように第１の配向膜２７が形成さ
れている。
【００７０】一方、対向基板２上の平坦化膜３６上には
ＩＴＯから成る共通電極９が形成され、共通電極９を覆
うように第２の配向膜３７が形成されている。これ以外
は、上述した第１実施例と略同様である。それゆえ、図
３２〜図３４において、図１〜図４の構成部分と対応す
る各部には、同一の番号を付してその説明を省略する。
【００７１】この例によれば、ＩＰＳ形に比較して開口
率に優れているＴＮ形の液晶表示装置に適用して、ＴＦ
Ｔ基板１上でパッシベーション膜２５を介して第１及び
第２のデータ線２２、２４を重畳させるようにしたの
で、開口率をより向上させることができるようになる。
【００７２】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、ＴＮ形の液晶
表示装置に適用したので開口率をより向上させることが
できる。
【００７３】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、実施例
では表示すべき単位画素を選択するための駆動素子とし
てはＴＦＴを用いる例で説明したが、駆動素子はＴＦＴ
に限ることなくＭＩＭ（Metal Insulator Metal）型素
子、ダイオード型素子、バリスタ型素子等の二端子素子
を用いてもよい。また、実施例では駆動素子基板として
はガラス等の透明基板を用いる透明型の液晶表示装置の
例で説明したが、駆動素子基板は透明基板に限ることな
く多結晶シリコン等の不透明基板を用いてもよい。この
場合には、液晶表示装置は反射型となり、画素電極が反
射板を兼ねた反射電極として動作することになる。ま
た、第１及び第２のデータ線間に形成するパッシベーシ
ョン膜の絶縁膜材料、膜厚等の条件は一例を示したもの
であり、目的、要件と等に応じて変更が可能である。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の液晶表
示装置の構成によれば、第１及び第２のＴＦＴを介して
互いに極性の異なる画素電圧を第１及び第２の画素電極
に印加する第１及び第２のデータ線は、絶縁膜を介して
重畳されるように形成されているので、単位画素内でデ
ータ線が占有する面積を１つのデータ線の場合と幅変化
がないように抑えることができる。また、この発明の液
晶表示装置の製造方法の構成によれば、周知の薄膜形成
手段、及び周知の薄膜パターニング手段を組み合わせる
ことで、コストアップを伴うことなく液晶表示装置を容
易に製造することができる。したがって、開口率を低下
させることなく、表示画面上で同極性の画素のみを表示
させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図４】同液晶表示装置から第２のデータ線を取り除い
た構成を示す平面図である。
【図５】同液晶表示装置の第２のデータ線のパターンを
示す平面図である。
【図６】同液晶表示装置のデータ線と画素電極との接続
関係及び配置関係を概略的に示す図である。
【図７】同液晶表示装置のデータ線から供給される画素
電圧の波形を示す図である。
【図８】この発明の第２実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図１０】同液晶表示装置から第２のデータ線を取り除
いた構成を示す平面図である。
【図１１】同液晶表示装置の第２のデータ線のパターン
を示す平面図である。
【図１２】同液晶表示装置のデータ線と画素電極との接
続関係及び配置関係を概略的に示す図である。
【図１３】この発明の第３実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図である。
【図１４】図１３のＤ−Ｄ矢視断面図である。
【図１５】図１３のＥ−Ｅ矢視断面図である。
【図１６】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工
程図である。
【図１７】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工
程図である。
【図１８】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工
程図である。
【図１９】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工
程図である。
【図２０】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工
程図である。
【図２１】同液晶表示装置の駆動回路を示す図である。
【図２２】同駆動回路の端子部Ａ及び端子部Ｂを拡大し
て示す図である。
【図２３】同液晶表示装置の他の製造方法を工程順に示
す工程図である。
【図２４】同液晶表示装置の他の製造方法を工程順に示
す工程図である。
【図２５】同液晶表示装置の他の製造方法を工程順に示
す工程図である。
【図２６】この発明の第４実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図である。
【図２７】図２６のＦ−Ｆ矢視断面図である。
【図２８】図２６のＧ−Ｇ矢視断面図である。
【図２９】この発明の第５実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図である。
【図３０】図２９のＨ−Ｈ矢視断面図である。
【図３１】図２６のＩ−Ｉ矢視断面図である。
【図３２】この発明の第６実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図である。
【図３３】図３２のＪ−Ｊ矢視断面図である。
【図３４】図３２のＫ−Ｋ矢視断面図である。
【図３５】従来の液晶表示装置の構成を示す平面図であ
る。
【図３６】図３５のＬ−Ｌ矢視断面図である。
【図３７】液晶表示装置の駆動に用いる信号波形を示す
図である。
【図３８】液晶表示装置の駆動方法を説明する図であ
る。
【図３９】従来の液晶表示装置の駆動回路を示す図であ
る。
【図４０】同駆動回路の端子部Ａ及び端子部Ｂを拡大し
て示す図である。
【図４１】従来の液晶表示装置の欠点を説明する図であ
る。
【図４２】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
１ ＴＦＴ基板 ２ 対向基板 ３ 液晶 ４ 共通電極配線 ４Ａ 共通電極配線端子部 ４ａ ＩＴＯで被覆された共通電極配線端子部 ４ｂ コンタクトホール部を有する共通電極配線端
子部 ５ 単位画素 ６、３１ 透明基板 ７、３３ 偏光板 ８ 走査線（ゲートバスライン） ８Ａ 走査線端子部 ８ａ ＩＴＯで被覆された走査線端子部 ８ｂ コンタクトホール部を有する走査線端子部 ９ 共通電極 １０、２６、４２ 層間絶縁膜 １２ （α−Ｓｉ）膜 １１Ａ、１１Ｂ 第１の一対のオーミック層 １２Ａ、１２Ｂ 第２の一対のオーミック層 １３、１４ 半導体層 １５ （ｎ+型α−Ｓｉ）膜 １６、１８ ドレイン電極 １７、１９ ソース電極 ２０ チャネル掘り込み ２１、２３、４１、４３ 画素電極 ２２、２４、４４ データ線 ２２Ａ 第１のデータ線端子部 ２２ａ ＩＴＯで被覆された第１のデータ線端子部 ２２ｂ コンタクトホール部を有する第１のデータ
線端子部 ２４Ａ 第２のデータ線端子部 ２４ａ ＩＴＯで被覆された第２のデータ線端子部 ２４ｂ コンタクトホール部を有する第２のデータ
線端子部 ２５、４０ パッシベーション膜 ２７、３７ 配向膜 ２８、２８Ａ、２８Ｂ、３８、３８Ａ〜３８Ｃ、５５、
５５Ａ〜５５Ｃ、５６Ａ〜５６Ｃ、５７Ａ〜５７Ｃ
コンタクトホール ２９、３０ ＴＦＴ（駆動素子） ３２ 導電層 ３４ ブラックマトリクス層 ３５ 色層 ３６ 平坦化膜 ３９ ラビング方向 ４５ ＳｉＮX膜 ４６ 有機絶縁膜 ４７ 有機絶縁膜 ５１ 走査線駆動回路 ５２ データ線駆動回路 ５３ 共通電極配線駆動回路
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/139 Ｇ０２Ｆ 1/139 ５Ｆ１１０ Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ 21/336 ６１９Ａ Ｆターム(参考） 2H088 GA02 HA02 HA08 HA12 JA04 MA07 MA20 2H090 HA02 HA06 HB02X HB03X HB04X HB06X HB07X HB08X HB12X HB13X KA04 LA01 LA04 LA15 2H091 FA04Y GA07 GA13 HA06 LA15 LA30 2H092 GA14 GA25 JA26 JB56 KB25 MA37 NA07 NA25 PA06 PA08 QA06 2H093 NA16 NA21 NA31 NA43 ND10 NE03 NF04 5F110 CC07 DD02 EE03 EE04 EE44 FF02 FF03 FF09 FF29 GG02 GG15 GG45 HK03 HK04 HK09 HK16 HK33 HK35 HL03 HL04 HL07 HL23 NN24 NN27 NN35 NN36

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 駆動素子が形成された駆動素子基板と対
    向基板との間に液晶が封入され、前記駆動素子は同一走
    査線で駆動される第１及び第２の駆動素子から成り、互
    いに極性の異なる画素電圧が第１及び第２のデータ線か
    ら前記第１及び第２の駆動素子を介して印加される第１
    及び第２の画素電極を有する単位画素から構成される液
    晶表示装置であって、 前記第２のデータ線は、前記第１のデータ線の上層にあ
    って前記第１のデータ線と絶縁膜を介して互いに重畳さ
    れるように前記駆動素子基板上に形成されることを特徴
    とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記絶縁膜は、有機絶縁膜又は無機絶縁
    膜あるいは両絶縁膜の積層膜から成ることを特徴とする
    請求項１記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記第１及び第２の画素電極と、共通電
    極とが層間絶縁膜を介して相互に絶縁されるように前記
    駆動素子基板上に形成されることを特徴とする請求項１
    又は２記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記第１及び第２の画素電極と、前記第
    １のデータ線とは同一の層間絶縁膜上に形成されること
    を特徴とする請求項１、２又は３記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記第１及び第２の画素電極と、前記第
    ２のデータ線とは配向膜で覆われることを特徴とする請
    求項１乃至４のいずれか１に記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記第１及び第２のデータ線は、互いに
    極性の同一の画素電圧を供給するもの同士が重畳されて
    いることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１に記
    載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 前記第１及び第２のデータ線は、それぞ
    れ異なる単位画素の第１及び第２の画素電極に前記画素
    電圧を供給することを特徴とする請求項６記載の液晶表
    示装置。
  8. 【請求項８】 前記駆動素子基板に色層が形成されるこ
    とを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１に記載の液
    晶表示装置。
  9. 【請求項９】 前記共通電極は配向膜を介して前記液晶
    と接していることを特徴とする請求項３乃至８のいずれ
    か１に記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記第２のデータ線は、前記第１のデ
    ータ線の上層にあって前記第１のデータ線と前記層間絶
    縁膜を介して互いに重畳されていることを特徴とする請
    求項９記載の液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 前記第１及び第２の画素電極と共通電
    極とが、前記第２のデータ線を覆う同一の層間絶縁膜上
    に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の液
    晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 前記共通電極は前記対向基板上に形成
    されることを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装
    置。
  13. 【請求項１３】 前記単位画素は１Ｈ反転駆動方法、１
    Ｖ反転駆動方法あるいはドット反転駆動方法により駆動
    されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１
    に記載の液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】 同一走査線で駆動される第１及び第２
    の駆動素子を有し、互いに極性の異なる画素電圧が第１
    及び第２のデータ線から前記第１及び第２の駆動素子を
    介して印加される第１及び第２の画素電極を有する単位
    画素から構成される液晶表示装置の製造方法であって、 透明基板上に走査線を形成した後該走査線を覆うように
    第１の層間絶縁膜を形成し、該第１の層間絶縁膜上に半
    導体層を形成する第１の工程と、 前記半導体層にドレイン電極及びソース電極を形成して
    第１及び第２の駆動素子を形成すると同時に、前記第１
    の層間絶縁膜上に第１及び第２の画素電極、一方の前記
    駆動素子の前記ドレイン電極と接続する第１のデータ線
    を形成する第２の工程と、 前記駆動素子を覆うように第２の層間絶縁膜を形成した
    後該第２の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、該
    コンタクトホールを介して他方の前記駆動素子の前記ド
    レイン電極と接続する第２のデータ線を前記第１のデー
    タ線と重畳するように形成する第３の工程とを含むこと
    を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記第３の工程において、前記第２の
    層間絶縁膜として有機絶縁膜又は無機絶縁膜あるいは両
    絶縁膜の積層膜を形成することを特徴とする請求項１４
    記載の液晶表示装置の製造方法。
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