TW557467B - Structure and fabrication of light-emitting device having partially coated light-emissive particles - Google Patents

Description

557467 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明係有關適用於諸如平板陰極射線管（“CRT”)顯示器 5 之平板顯示器之發光元件之結構及製造。 t先前 發明背景 平板顯示器C RT顯示器典型上係由發射電子元件及相 對置放之發光元件所組成。發射電子元件（或陰極)含有發射 10越過相對較寬區域之電子之發射電子元素。發光元件内之 陽極使電子吸引至分佈於發光元件内之相對應區域上之發 光區域。陽極可位於發光區域之上或之下。於任一情況中， 發光區域於受電子撞擊時發光以於顯示器之觀看表面上產 生影像。 15 第1圖表示諸如美國專利第5,859,502或6,049，165號 案所述者之傳統平板CRT顯示器之部份之側截面圖。第j 圖之顯示器係由發射電子元件20及發光元件22所形成。 發射電子元件20含有背板24及覆於其上之發射電子區域 26。藉由區域26發射之電子於電子集中系統28之控制下 20 行至發光元件22。項目30表示電子之行程。 發光元件22含有面板32,其係經由外壁（未示出）結合 至發射電子元件20，形成被維持於高度真空之密封包體 (enclosure)。發光區域34覆蓋於個別相對於發射電子區域 26之面板32上。當藉由區域26發射之電子撞擊發光區域 6 34時’藉由區域34發射之光於發光元件22之外表面（第！ 圖之較低表面)上產生顯示器影像。促進對比之黑色基質36 側面地圍繞發光區域34。 土貝 發光讀22亦含有光反射層38，其係置放於發光區 域34及黑色基質36上。當受電子撞擊時，區域％發射出 所：方向之光線。因此，某些如此發射出之光線返回至顯 不益内部。層38使某些向後之光線向前折射以增加影像強 度。此外，層38作為齡n之陽㈣使電子吸引至發光元 由區域26發射之電子於撞擊發光區域％前通過光反 射層38。如此為之時，電子損失一些能量。自層％之光反 射生質造成之影像強度增減少部份補償藉φ此電子能量 抽失造成之影像強度減少。期望進—步改良發光元件(其陽 極係覆蓋於元件之發光區域上)之影像強度。 、諸如第1圖者之發光元件内之每一發光區域一般係由 二磷材料形成之發練子所組成。雜子之組份—般包含 諸如硫或/或氧之元素。當發絲子受f子撞擊時，某些硫 或/及氧-般係以氣態形式釋放至顯示器内部。釋出之氣體 可能污染顯示n且使其惡化。 # Petersen等人C‘Peterson”)之美國專利第5,844,361號案 ，重於平板CRT顯示n之發光元㈣之自雜子渗氣之問 題其係藉由以用以降低非所欲滲氣之方式化學處理外粒 面而為之。第2及3圖描述Petersen之方法之二例， 〆、間發光區域係覆蓋於透明基材40上。每-發光區域係由 _粒子42層所組成。 於第2圖之例子中，—塗覆物44係完全圍繞每一鱗粒 子42。塗覆物44可以使其對於滲氣更具熱力學抗性之方式 改變粒子42之表面化學性。另外，塗覆物料可簡單地為 非渗透性之封裝物，其能大量避賴由粒子42產生之任何 污染氣體進入顯示器内部。於任一情況中，塗覆物44係於 粒子42被沈積於基材4〇上之前被提供於粒子42上。顯示 器之陽極仙於複合粒子42/44上提供之⑽扣所形成。 於第3圖之例子中，適當氧化物之塗覆物48係於粒子 42被沈積於基材40上之後於粒子42上提供。每一塗覆物 保形地(conformally)覆蓋一粒子42之外表面之上部份。 塗覆物48(典型上係由矽烷、二矽氧烷或四乙基_原矽酸鹽 之化學蒸氣沈積而形式)係比粒子42對於滲氣更具熱力學 抗性。Petersen指示第3圖之例子中之顯示器之陽極可以相 似於鋁層46之導性層形成。 於第2圖之範例中，於粒子42被沈積於基材40上之前提 供磷粒子42完全塗覆物44引起塗覆物44可能於粒子42沈積 期間受損之顧慮。再者，完全塗覆物44可能藉由吸收典型 上用於界定發光區域之輻射而不利地影響發光區域之形 成。Petersen以第3圖之例子避免此困難，其間於粒子42被 沈積於基材40後，部份塗覆物48被沈積於粒子42上。但是， Petersen僅揭示塗覆物48可由氧化物組成。Petersen並未論 及改良影像強度。 【發明内容】 557467 發明概要 本發明提供一種發光元件，其中以數個發光粒子形成 之赉光區域係覆蓋於板材之透光材料上。本發明之發光元 件係適用於平板顯示器，特別是平板CRT顯示器，其中發 5射電子元件係相對於發光元件而置放。發射電子元件發射 電子，其撞擊發光區域，造成發光。 本發明發光元件之發光區域内之發光粒子被供以施行 各種功能之塗覆物。於某些情況中，此粒子塗覆物能促進 一般以前進方向行進之光線之強度，特別是當發光元件含 10有位於塗覆物上之光反射層時。另外或額外地，當一發光 區域被開啟(發光)且另一被關閉（未發光）時，粒子塗覆物會 造成此二發光區域間之光學對比被促進。塗覆物會吸收污 染氣體。塗覆物亦典型上降低因電子撞擊發光粒子而造成 之受損作用。 15 依欲藉由粒子塗覆材料而施行之作用而定，每一發光 粒子可具有二或更多之本發明塗覆物。無論如何，每一塗 覆物僅覆蓋底層粒子之外表面之一部份，其方式係與其間 粒子最接近板材處間隔開。藉由以此方式建構此塗覆物， 此塗覆物可於粒子已被提供於板材上之後被提供於粒子 20 上，藉此，避免當粒子被提供於板材上之前發光粒子被供 以塗覆物時引起之困難。 發光粒子一般係以實質上所有方向發射光線。部份之 發射光線一般係向前行進（包含部份偏斜）至板材且經其通 過。部份之發射光線一般係向後行進（同樣係包含部份偏斜） 9 而遠離板材。 於本發明之第一方面，每一發光粒子係以光反射塗覆 物覆蓋，其係以如上所指方式置放以保形地覆蓋粒子外表 面之一部份。因此，粒子塗覆物使粒子發射之一些起始係 向後之光線向前折射。雖然一般位於光反射塗覆物上之粒 子上之光反射層一般係施行與光反射粒子相同之功能，光 反射塗覆物及光反射層之結合造成比僅以光反射層達成者 更多之光線被向前導引。因此，使用光反射塗覆物能使前 進方向之光線強度被增加。 塗覆物典型上係藉由自一或多種之鈹、硼、鎂、鋁、 鉻、猛、鐵、鈷、鎳、銅、鎵、鉬、鈀、銀、銦、鉑、銘 及鉛金屬（包含一或多種此等金屬之合金）形成而呈光反 射。硼、鋁、鎵、銦及鉈（此等皆落於周期表第IIIB(13)族 内）係吸引人地作為光反射塗覆物，因為此五種金屬無一係 電子供體。銀及銅係吸引人地，因其係適於使發光粒子個 別發射藍光及綠光之金屬硫化物磷中之替代物種。 於本發明之第二方面，每一發光粒子係以先前方式以 用以吸著（吸附或吸收）污染氣體之吸氣塗覆物部份覆蓋。若 發光粒子因被電子或/及其它帶電荷之粒子撞擊而產生污 染氣體，吸氣塗覆物可於產生之氣體自粒子移開前及於別 處造成損害前吸著產生之氣體。當光反射層覆蓋於吸氣塗 覆物上時，光反射層一般係被穿孔。於遠離發光區域之位 置產生之污染氣體可因而通過光反射層，且藉由吸氣塗覆 物吸著。 吸氣塗覆物典型上係以金屬鎂、 鋼、翻、把、銀、翻及鉛（包含-或多種此等金屬之合金） 之-或多種形成。此十二種金屬皆特 或額外地，吸氣塗覆物可以金屬鈦另外 1錯、鈮、鋇、钽、 鹤及处（包含此等額外人種金屬之合金)之_或多種㈣。當 吸氣塗覆物以前述二十種金屬之—或多種形成時，吸氣塗 覆物亦可如上所述為光反射以促進前進方向之光強度。再 者’吸氣塗覆物可另外或額外地以鎮、絡、短、始二錄及 錯(其每-者係特別適於吸著硫)之一或多種之氧化物形成。 於本發明第三方面，每-發光粒子之外表面之部份係 以多個促進強度之塗覆物保形地覆蓋。覆蓋每—粒子之促 進強度之塗覆物之數量便利地於此被指定為複整數瓜。覆 蓋每一粒子之m個塗覆物係相似地被指定為第—塗覆物至 第m個塗覆物’其間第-塗覆物係最接近之塗覆物，即， 直接覆蓋於粒子上之塗覆物。每一第i個塗覆物覆蓋每一 第（1-1)個塗覆物，其中i係從2至m變化之整數。因此， 第1Ώ個塗覆物係最遠（即，最遙遠)之塗覆物。光反射層一 般係覆蓋於促進強度之塗覆物上。 母第一塗覆物係具比底層粒子更低之平均折射率。 每一第i個塗覆物（其中1再次係由二至㈤變化)係具比第（i_〇 個塗覆物更低之折射率。換言之，平均折射率係自每一粒 子至其最近塗覆物，然後自其最近塗覆物至最遠塗覆物逐 漸減低。 於具有不同折射率之一對透光介質間之界面上入射之 光線係㈣於此界面折射，且部份經由界面透射。需留意， t從每粒子至其最近塗覆物然後從其最近塗覆物至其 最遠塗覆物之平均折射率之逐漸減低之益處可藉由考量i 介質之情_ W，其間於第—介f内行進之光線於第一 介質與具較低折射率之第二介質間之界面處被部份折射及 部份透射’㈣，於第二介質内行進之部份透射之光線於 第二介質與具更低折射率之第三介f間之界面被部份折射 及部份透射。 一透光介質間之界面處之光反射強度係以，忽視光吸 收，於二介質情況中經由二界面透射之總分率係大於經由 二具有最高及最低折射率之介質間之界面透射之光分率之 方式隨其折射率改變。換言之，使具有中間折射率之透光 介質置放於二其它透光介質間能使比若具有最高及最低折 射率之介質直接彼此接合時發生者更多之光自具有最高折 射率之介質透射至具有最低折射率之介質。 由於前述界面光學，配置覆蓋於每一粒子上之m個塗 覆物以具有上述之位置及折射率之特徵，能使比缺乏此等 塗覆物之脫離粒子者更多之向後及部份偏斜之光線脫離每 一粒子及其塗覆物。部份之向後行進（包含部份偏斜)之脫離 此等粒子之光線係以一般被向前折射至粒子側之方式撞擊 光反射層。因此，發射光線之強度於向前方向被促進。 於本發明之第四方面’每一發光粒子之部份外表面係 以具比粒子更低之平均折射率之促進強度之塗覆物保形地 覆蓋。對比促進層（其自相對於發光區域且經由板材觀看時 557467 係呈現暗色）覆蓋於強度促進塗覆物上。對比促進層典楚上 被分成數個對比促進塗覆物，每一塗覆物係保形地覆蓋於 強度促進塗覆物之相對應之一者上。再次地，光反射層一 · 般係覆蓋於此等塗覆物上。 ， 5 對比促進層吸收射到發光元件正面上且通過板材、發 光粒子及強度促進塗覆物之周圍光線。因此，對比促進層 改良發光區域被開啟時與其被關掉時之間之光學對比。因 此，當其一被開啟且另一被關掉時之此二發光區域間之光 學對比之改良被達成。 · 10 於本發明之此方面之強度促進塗覆物一般作用係與本 發明之先前方面相同，能使比若無強度促進塗覆物時脫離 粒子者更多之向後行進之光線脫離發光粒子及塗覆物。雖 然對比促進層一般係吸收部份之向後行進之光線，光反射 層使比缺乏強度促進塗覆物時發生者更多之向後行進之光 15 線折射向前。藉由數個發光區域產生之影像之整體可見度 被改良。

20 於本發明第五方面，每一發光粒子再次以具比粒子更 低之平均折射率之保形之強度促進塗覆物部份覆蓋。光反 射塗覆物相似地覆蓋每一強度促進塗覆物。強度促進塗覆 物再次能使比缺乏此專塗覆物能脫離此等粒子者更多之向 後光線脫離發光粒子及強度促進塗覆物。光反射塗覆物使 此增加含量之向後光線之一部份折射向前。如於此情況典 型者，當光反射層覆蓋於光反射塗覆物上時，光反射塗覆 物及光反射層之組合能使比僅以光反射層可達成者更多之 13 向後光線被折射向前。向前方向之光強度被改良。 於本發明之第六方面，每一發光粒子之部份外表面係 以無任何介於其間之強度促進塗覆物之對比促進塗覆物保 形地覆蓋。當自相對於發光區域且經由板材觀看時，對比 促進塗覆物呈現暗色。每一對比促進塗覆物典型上係由多 個彼此間隔開之部份所組成。相似於上述之對比促進層， 對比促進塗覆物改良發光區域被開啟時與其被關掉時之間 之光學對比。因此，當其一被開啟及另一被關掉期間之此 一發光區域之光學對比被改良。 於本發明之前述六方面，粒子塗覆物係位於發光粒子 層與伴隨之電子發射元件之間。雖然塗覆物僅部份覆蓋粒 子之外表面’電子發射元件發射之電子之主要部份係於抵 達粒子之底層發光材料前撞擊塗覆物。粒子塗覆物一般係 由當受電子撞擊時不會顯著揮發之材料所組成。因此，粒 子塗覆物本身一般不會呈現顯著之污染問題。 同時，粒子塗覆物降低於電子撞擊粒子時產生之受損 結果(諸如，粒子腐蝕及非所欲之滲氣）。性能及壽命皆被改 良事實上，當塗覆物含有一或多種之如上對本發明第一 方面之光反射塗覆物所指定之金屬時，先前之優點可被達 成即使塗覆物不足以（例如，太薄）提供顯著之光反射。 依據本發明之發光元件之製備需要於板材之透光材料 提仏發光粒子層以形成發光區域。塗覆物係於其後提供 於粒子上，以提供一或多種上述功能。當光反射層被包含 於發光元件内時，光反射層係於塗覆物上形成。 557467 簡言之’依據本發明建構及製備之發光元件具有改良 性能及增加之壽命。本發明發光元件可於大規模生產環境 輕易製備。藉由於粒子已於板材上提供後提供粒子本發明 塗覆物’本舍明避免當預先塗覆之粒子被沈積於板材上時 5發生之顧慮（諸如，損及粒子塗覆物）。因此，本發明提供超 越習知技藝之重大進步。 圖式簡單說明 第1圖係傳統平板CRT顯示器之部份活性區域之截 面側視圖。 10 第2及3圖係傳統平板CRT顯示器之發光元件之二 具體例之部份活性區域之截面側視圖。 第4圖係具有依據本發明建構之發光元件之平板 CRT顯示器之部份活性區域之截面側視圖。 第5圖係第4圖之平板CRT顯示器（特別是發光元件） 15 之部份活性區域之截面平面圖。第4圖之截面係沿第5圖 之4-4面取得。第5圖之截面係沿第4圖之5-5面取得。 弟6a-6e圖係表示製備依據本發明之第4及5圖之發 光元件之步驟之截面側視圖。 第7圖係具有依據本發明建構之發光元件之另一平 20 板CRT顯示器之部份活性區域之截面側視圖。 第8圖係第7圖之發光元件之實行之部份活性部之截 面側視圖。 第9a-9e圖係表示自第6b圖之階段起始之製備依據 本發明之第7圖之一般發光元件之步驟之戴面側視圖。 15 557467 第lOa-lOj圖係表示製備依據本發明之第8圖之實行 之步驟之戴面側視圖。 第11圖係具有依據本發明建構之發光元件之另一平 板CRT顯示器之部份活性區域之截面側視圖。 5 第12圖係第11圖之發光元件之實行之部份活性部份 之裁面側視圖。 第13a-13e圖係表示自第6b圖之階段起始之製備依 據本發明之第11圖之一般發光元件之步驟之截面側視圖。 第14a-14e圖係表示自第i〇f圖之階段起始之製備依 1〇據本發明之第12圖之實行之步驟之截面側視圖。 第15圖係依據本發明建構且可取代第u圖發光元件 之發光元件之活性部之截面側視圖。 第16圖係依據本發明建構且可取代第12圖之實行之 發光元件之活性部之截面側視圖。 第Π圖係依據本發明建構之另一發光元件之活性部 之截面側視圖。 第18圖係第17圖之發光元件之實行之活性部之截面 侧視圖。 _同樣參考符號於圖示及較佳具體例之描述中被用以表 2〇不相同（或非常相似）之項目。 C實施方式;j 車父佳實施例之詳細說明 考量 具有依據本發明建構之發光元件之平板⑶丁顯示器之 16 557467 機造於下被描述。每一平 平板電視或個人心《 , ή㈣型上係適於 電恥、膝上型電腦、工作站或手持梦 如，=數位輔助器)之平板影像監視器。h持裝置(遠 但可:Π之平板crt顯示器典型上係彩色顯示器， 例如，黑綠或黑白之顯示器。每一發光_ =對:之相對置放之發射電子區域形成單色顯示器二 ίο 15

個次像素=1㈣之次像素。彩色像素典型上係由三 ,、、成 係紅色，另一係綠色，且第三係藍色。 於下列描述，，，電絕緣，，或,，介電辭—般係^於具 有大於1010歐姆-公分之電阻之材料。因此，，，非電絕緣，，一 辭係指具林多於1G1。歐姆_公分之電阻之材料。非電絕緣 材料被分成(a)導電材料，其電阻係少於1歐姆·公分，及(b) 電阻材料，其電阻係於1歐姆-公分至101G歐姆_公分之範 圍。此等分類係於不多於10伏特/从m之電場決定。

電泳沈積及介電泳沈積有時被一起分類集合成，，電泳 沈積’’。”電泳/介電泳沈積”在此被用以強調此等沈積係藉由 電泳及介電泳之一或二者而發生。 外表面被以本發明之塗覆物之一者部份保形地覆蓋之 發光鱗粒子有時在此被稱為塗覆之麟粒子或簡單地稱 20 為，，塗覆，，之粒子。於具此塗覆破粒子之發光區域，外表面 無處以一或多種本發明塗覆物保形地覆蓋之任何發光鱗粒 子有時在此被稱為”未塗覆”之墙粒子或簡單地稱為’’未塗 覆”粒子。 如下所述，本發明發光元件内之每一發光區域含有數 17 個發光雜子。粒子塗覆__地覆蓋每-發光區域内 之某些她子之每-者之部份外表面。一或多種之其它粒 子塗覆：可被置放於每一塗覆粒子上之前述粒子塗覆物 上覆蓋於每-發光區域内之碟粒子上且對覆蓋於發光區 域内之子上之任何其它粒子塗覆物大半具有相同垂直 關係之粒子塗覆物形成該發光區域之一群粒子塗覆物。 每-發光區域内之此一群粒子塗覆物之粒子塗覆物可 夕樣地彼此相互連接，其係依諸如該發光區域内之發光粒 子彼此間之工間關係及此等粒子塗覆物如何形成等因素而 疋換5之，每一發光區域之一群粒子塗覆物内之一或多 者之粒子塗覆物可與該粒子塗覆物群内之一或多者之其它 粒子塗覆物接觸。然後，每—發絲域之—群粒子塗覆物 内之粒子塗覆物形成粒子塗覆物層，其可為連續（即，單一） 片之粒子塗覆物材料或可由數個間隔開之粒子塗覆物材料 部份所組成。於任一情況，間隙一般係存在於磷粒子間之 空間上之粒子塗覆物層内，且可存在於其它位置，其係依 每一發光區域内之磷粒子彼此之空間關係而定。 於某些情况中’每一發光區域之一群粒子塗覆物之每 一粒子塗覆物可與該群粒子塗覆物内之粒子塗覆物彼此間 隔開。無論如何，本發明發光元件之一者内之每一發光區 域之一群粒子塗覆物之每一粒子塗覆物係與該發光元件内 之每一其它發光區域之相對應群之粒子塗覆物内之每一粒 子塗覆物間隔開。 iL反射或/及吸氣 557467 第4及5圖個別例示具有發射電子元件5〇及用以促進 影像強度之依據本發明建構之相對置放之發光元件52之平 板CRT顯示器之部份活性區域之側視截面圖及平面截面 ， 圖。元件50及52係經由外壁（未示出）連接在一起而形成保 · 5持於高度真空（典型上係不多於1〇-6托耳之内壓）之密封包 體。第5圖之平面截面圖係沿經密封包體側向延伸之面以 發光元件52之方向取得。因此，第5圖主要係呈現元件％ 之部份活性部之平面圖。 除兀件50及52外，第4及5圖之平板顯示器一般包 · 10含一群内部撐體(稱為間隔物），其係避免外力（諸如，約j 大氣壓之典型外部對内部之壓力差）使顯示器崩裂。此等間 隔物亦使元件50及52保持均一之間隔。間隔物典型上係 一般以平壁狀形成，但可具有其它形狀，諸如，柱狀。第5 圖之項目54指示典型間隔器壁之位置。 15 發射電子元件（或背板結構50)係以一般呈平狀之電絕 緣背板56及-群置放於背板56之内表面上之層狀物及區 域所形成。此等層狀物/區域包含呈二維陣列之側向分離之 鲁 發射電子區域58之橫排及縱列。每一發射電子區域％係 由或夕個發射電子元素（未特別示出）所組成，其係發射被 20指向發光元件52之電子。此層狀物/區域亦包含電子集中 · 系統60，其係垂直延伸超過發射電子區域，且使區域56 · 發射之電子集中於發光元件52之相對應目標區域上。項目 62表示此等電子之一之行程。 發射電子元件50典型上係依據場發射操作。於此情況 19 中，每一發射電子區域58係回應適當電動勢而發射電子。 適於實行元件50之場發射之發射電子結構之例子係描述於 美國專利第6,〇49，165號案。然而，元件50可依據另一技 術(諸如，熱發射)發射電子。 發光元件（或面板結構)52係以一般呈平狀之電絕緣面 板64及一群位於面板64之内表面上之層狀物及區域所形 成。面板64 —般係至少於可見光欲通過面板64以於顯示 器正面之面板64之外表面（第4圖之下表面）上產生影像處 呈透明（即，透射可見光）。面板64典型上係由玻璃所組成。 覆蓋於面板64上之層狀物/區域包含二維陣列之發光區域 66、具圖案之阻光區域68及光反射層70之橫排及縱列。 發光區域66及阻光區域68係直接位於面板64上。發 光區域66係置放於個別相對於發射電子區域58之位置之 經阻光區域68延伸之開口内。面板64至少於發光區域的 下係可透射可見光。於顯示器之彩色實行，當以自區域58 發射之電子撞擊時，橫排内之三個連績區域66發射三種不 同顏色（一般係紅色、藍色及綠色）。光反射層7〇位於發光 區域66及阻光區域68之上。 阻光區域68 —般係不能透射可見光。更特別地，區域 68主要係吸收射到顯示器正面之面板64之外表面上、，通 過面板64然後射到區域68上之可見光。經由面板64且由 顯示器正面觀看，區域68係呈暗色，主要係黑色。因此， 區域68—般於此被稱為，，黑色基質”。再者，當受自發射電 子區域58發射之電子撞擊時，黑色基f 68主要係不能發 557467 射光線。前述特性能使基質68促進影像對比。 黑色基封68係由一或多個層狀物或區域所組成，每 者係可為電絕緣，電阻性，或電導性。僅基質讣之部份严 ， 度可由吸收可見光之暗色材料組成。基質68之厚度之暗$ 5部份可臨近面板64或與其呈垂直分隔。 於第4及5圖之例示顯示器中’黑色基質58係比發光 區域66更厚(或更高）’且較佳係包含電絕緣材料，其係接 觸光反射層70。如下所進一步描述，藉由發射電子元件％ 内之區域58發射之電子通過層狀物7G，且撞 10 66 ’使其發射出所有方向之光線。一些撞擊區域％之電^ 係反向散射離開區域66，而非造成區域66發射光線。零色 基質68收集-些被反向散射之電子，因而避免被收集之電 子撞擊區域66之非意欲者’及避免影像惡化^藉由使基質 68垂直延伸超過區域66，基# 68收集反向散射之電= 15 能力被促進。 另外，黑色基質68可比發光區域66更薄（更矮）。於 此情況’黑色基材68較佳係包含電導性材料，其係接觸光 ^ 反射層70。 光反射層70(本身或當基f 68由電導性材料組成時與 2〇黑色基質68結合卜般係作為平板顯示器之陽極。藉此， 層7〇含有電非絕緣材料，一般係電導性材料。選定之陽極 電動勢(典型上係500·10,000伏特附近)於顯示器操作㈣ ‘ 從適當之電壓源(未示出）應用至層7〇之電非絕緣材料。如 下所進-步討論’層7〇藉由使—些由區域66發射之向後 21 557467 光線向前折射而促進顯示器影像之光線強度。雖然於第4 圖中層70係以敷層例示，層7〇典型上係藉由實質上任意 位置置放之顯微孔洞而被穿孔。層70典型上係由鋁或鋁合 . 金所組成，其具有30-150 nm(典型上係70 nm)之厚度。 - 5 回到發光區域66，每一區域％係由多個發光之磷粒 子72所組成，其一般係呈任意分佈於面板64上。發光區 域66之平均厚度典型上係大於單層（儘可能緊密地堆放在 一起之一粒子厚度之層狀物），例如，15個單層，且最高 達3個單層或更多，但可少於一單層。磷粒子72於形狀上 春 10約略呈球狀，於直徑上彼此可有些微變化。於此使用時， 粒子72之直徑係佔據與粒子72相同體積之完美球體之直 徑。粒子72之平均直徑係⑻β m，典型上係& m。於5 //m之典型平均直徑，平均粒子直徑之四分偏差係數典型 上係 0.2-0.3。 15 雜子72可以各種不討式構成。較佳地，粒子72 係金屬硫化物磷，包含金屬氧硫化物磷。於第4及5圖之 平板顯示ϋ之彩色實行中，發射紅光之每—粒子72典型上 _ 係YASiEu磷，其中於鏡'氧硫化物宿主結晶内之鏡於某些 位置係以銪取代。發射藍光之每一粒子72典型上係 2〇 ZnS: Ag，A1磷’其中鋅硫化物宿主結晶内之鋅於某些位置係 以銀及紹取代。發射綠光之每—粒子72典型上係· 填，其中辞硫化物宿主結晶内之辞於某些位置係以鋼及銘 取代。另外，粒子72可為金屬氧化物磷或硫代沒食子鹽酸 勰磷。 22 557467 某些嶙粒子72之每一者 以與其_子72係最接近吨6=以依據本發明係 物74保形地覆蓋处仏開之光反射塗覆 5 區域66頂部之:等:T72係至少由位— _是==組成。 域66之厚度及塗覆::立子”係依諸如單層内之區 U域Γ 何未塗覆粒子72最可能係位於沿 於單層之如之厚度健近或少 10

所有粒子72 —般係具有塗覆物74。 k射塗覆物74可部份保形地覆蓋Μ雜子72之 外表面之不同部份。依塗覆物74如何被形成而定，每一塗 覆物74典型上係保形地覆蓋底層粒子72之至少部份之上 半部(相對於顯示器正面之面板Μ之外表面之後半部）。於 15 第4圖之例子中，塗覆物74主要係保形地覆蓋位於沿發光 區或6U之粒子之上半部，但未顯著地延伸於位於區 域66内之任何處之粒子之下半部上。然而，塗覆物^可 20 些微保形地延伸於某些粒子72(例如，位於沿區域的之頂 部之粒子72)之下半部上，但塗覆物74不會向下延伸於任 何粒子72上以達區域66之底部。即，於第4圖之例子中，

塗覆物74不會向Τ延伸於粒子72上以接觸面板64。塗覆 物74亦可覆蓋少於位於沿區域66頂部之粒子72之上半 部，但此等塗覆物覆蓋比缺乏塗覆物74時可藉由光反射層 7〇接觸者更多之位於沿區域66頂部之粒子72之上半部。 便利地，塗覆物74係以連續及未穿孔例示。依其厚度 23 557467 而定，塗覆物74可被穿孔。再者，塗覆物74可為不連續， 即，被分成數個彼此間隔開之區段。 光反射層70覆蓋於光反射塗覆物74上，且血型上接 觸一些或所有之塗覆物74。於層7〇接觸塗覆物7/之位置， 5層70 -般係與其外表面呈保形。但是，塗覆㈣一般係 充分地延伸於塗覆粒子72而至面板64，而層70平均上係 僅與每-塗覆物74之部份外表面呈保形。更特別地，每一 塗覆物74 -般係接觸比缺乏塗覆物74時層％可接觸者更 多之底層塗覆粒子74之外表面。因此，於每—發光區域^ 1〇上，層7〇 一般係平的，即，約略(或粗略)呈平的至接近完 美之平坦。 依光反射塗覆物74如何形成而定，形成塗覆物74之 材料層（未示出）可位於光反射層7〇下之黑色基質砧頂部 上。此額外之光反射層典型上並非不利的，且有時可能有 Μ利。例如’此額外之光反射層典型上由鄰近層％之金屬所 組成。因此’此額外光反射層可與層7〇合作而作為顯示器 之陽極。即使此額外光反射層不接觸層70，此額外光反射 層仍可於當磷粒子72於顯示器操作期間受電子撞擊時被用 於自磷粒子72移除電荷。 20

光反射粒子塗覆物材料片（未示出）有時可位於每一潑 光區域66之雜子72間之空間内之面板64之上表面上£ 内面板表面上之此光反射塗覆物材料片之存在-般不是有 利的，且可能不利。如T將進—步描述，塗覆物74之形成 因而典型上偏大量避纽每—區域“之粒子Μ間之空 24 間内之内面板表面上形成此光反射塗覆物材料片之方式進 行。 磷粒子72發射出所有方向之光。部伤之發射光線係以 向前方向之某一速率（第4圖之向下方甸）發射，且通過面板 64。碟發射光線之剩餘者之一部份係向後行進，即，以向 後方向之某一速率（第4圖之向上方向），以便被折射而離開 先反射塗覆物74。粒子72 —般係透明的’即，一般係可透 射可見光。折射離開塗覆物74之磷發射光之一部份係通過 极子72，然後通過面板64,藉此，增加向前方向之光強度。 因此’光反射塗覆物74產生顯示器觀看表面上呈現之影像 之強度增加。 光反射層70係以相似於光反射塗覆物74之方式作 用。即’層70使藉由磷粒子72發射之一些向後光線向前 折射。因塗覆物74係於層70之前，許多藉由粒子72發射 之起先向後之光線藉由塗覆物74向前折射，且因而未到達 層70。但是，一些磷發射之光通過塗覆物74且直接或於一 或多個中間折射後射於層7〇上。然後，層％使光線向前 折射，而使其部份通過面板64。因此，層7〇增加向前方向 光線強度，以進一步增加影像強度。層7〇與塗覆物74 之、、Ό a提供比僅以塗覆物74或僅以層％發生者更多之向 前光線強度之增加。 光反射塗覆物74 一般係由金屬組成。塗覆物74之候 選金屬係鈹m、鉻、银、鐵、m嫁、 顧、絶、銀、銦、H它及船。塗覆物74可含有二或更多 557467 種此等金屬’或可由—或更多種此等金屬與-或更多種之 其它材料之合金所組成m、銦及料其皆位於周 期表之第IIIB(13)族)係吸引人地用於塗覆物74，因為此五 種金屬無-係電子供體。因此，其每—者係高度不可能= 成假設此五種金屬之任_者之肝泳移錄子72内時二 粒子72發射錯誤顏色之光線。 牛 10 15 20 以實行光反射塗覆物74之金屬或其它材料之選书 典型上係依雜子72之組份而^，因而係依藉由粒子7: 發射之光線型式而ι特別地，（部份)覆蓋發射—種型式^ 光線之粒子72之塗覆物％可由不同於(部份)覆蓋發射二一 型式之光線之粒子72之塗覆物74之材料所組成。 例如’於本發明平板顯示器之彩色實行中，銀及迎 族金屬m銦韻係制適於覆蓋發射藍 子72之該等塗覆物74，特贱當發射藍光之粒子72係由 ZnS:Ag，Al麟組成時。鋼及此五種第聰族金属係特_ :=;光之粒子72之此等塗覆物74’特別是當發射 ;==::S:CU，A1磷組成時。於其間塗覆㈣ 固別覆盖發射藍光之zns:Ag，A1粒子72及發射綠光之 :CU,A1粒子72之實行中，銀及_姻物74之有利材 料’因為銀及鋼個別係此等發射藍光及發射綠光之 之取代物種。因此’個職料ZnS:Ag，Ai粒子W及 祕Cu，A1粒子72内之任何銀及鋼料係高度不可能 此專發射藍缺發⑽光之粒子72發射錯誤顏色。 光反射塗覆物74之厚度係依各種不同因素而定。藉由

26 557467 發射電子元件50之區域58發射之電子於撞擊磷粒子72造 成光線發射前通過光反射層70及塗覆物74。電子通過層 70及塗覆物74導致電子能量之損失及因而造成由粒子72 ' 發射之光線之強度損失。增加塗覆物74之厚度一般係增加 · 5電子能量損失及因而之光線強度損失之量。另一方面，塗 覆物74若太薄係不能提供適當之光反射能力。當塗覆物74 由紹組成時，塗覆物74之平均厚度一般係50-200 nm，典 型上係100 nm。 當藉由高能量電荷粒子（特別是藉由發射電子區域58 · 10發射之電子)撞擊時，磷粒子72會產生污染氣體。例如， 粒子72於其部份或所有係金屬硫化物磷時會滲出硫氣體， 或當其部份或所有係金屬氧化物填時會滲出氧氣。當部份 或所有粒子72係金屬氧硫化物磷時，其會滲出硫及氧氣 體。參出之流氣體可為原子/分子之硫型式或/及含硫化合物 15之型式。硫即使於標準標準(〇。〇及壓力（1大氣壓）時係固 體’其於馬度真空（典型上係1〇-6托耳或更少之壓力）時係以 氣存在於第4及5圖之顯示器之内部。除非此等污染t φ 體被避免離開粒子72之附近，污染氣體會進入顯示器内部 且造成損害。 2〇 如下將進一步描述，光反射塗覆物74提供保護屏蔽， . 八降低田〜粒子72受高能量電子或/及其它高能量電荷粒 · 子撞擊。時對此等粒子發生之某些損害作用（諸如 ，滲氣及腐 蚀)之嚴重性。此等優點可部份或大致上完全地達成，即使 塗覆物74可此太_而不能提供適當之光反射。額外信賴置 27 557467 於使磷發射之向後光線向前折射之光反射層7〇。 依據本發明，塗覆物74可由於粒子72上提供至低於 適當光反射所需之厚之一或多種下列金屬組成：鈹、硼、 - 鎂、鋁、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、鋼、鎵、鍅、鈮、 · 5 _ '把' I ' ' n叙n _ '銘、錯及敲，包含此 二十六種金屬之一或多種之合金。另外或額外地，塗覆物 74可由鎂、鉻 '錳、鈷、鎳及鉛之一或多種之氧化物組成。 當塗覆物74以此六種金屬氧化物之一或多種實行，塗覆物 74—般提供保護屏蔽作用，即使其未提供適當光反射。 春 1〇 #光反射塗覆物74由某些前述三十二種金屬及金屬 氧化物組成時，其係作為吸氣塗覆物。此目的之吸氣候選 物包含金屬鎂、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鍅、 銳”、銀、鋇、组、鶴、麵、斜及处，包含一或多 種此等金屬之合金。然後，塗覆物74可吸收污染氣體，包 ^含碟粒子72受電子撞擊而釋出之氣體及其它存在於平板顯 示器内部之氣體。鎮、鉻、锰、鐵、姑、錄、m 銀、始及錯係特別適於吸收硫，特別是當粒子72係金屬硫 < 化物碌(再次包含金屬氧硫化物碟）時釋放之硫。於一具體例 中，塗覆物74主要係由鈀或/及鉻所組成。 2〇 另外或額外地，塗覆物74可以鎂、鉻、鐘、姑、鎳及 錯之-或多種之氧化物實行，轉至提供吸氣作用 。此六 種金屬氧化物之每一者係特別適於吸收硫。於一具體例 中，塗覆物74主要係由氧化鎂組成。 當塗覆物74含有用以吸收污染氣體之前述二十六種 28 557467 金屬及金屬氧化物之二或更多種時，此二或更多種之吸氣 材料一般係以相對較均一之方法一起混合形成合金，其間 所有吸氣材料係分佈於每一塗覆物74上。於多材料合金之 實行中，合金較佳係由鎂、鉻、錳、鈷、鎳及鉛之二或更 5 多種之氧化物所組成。以此六種金屬氧化物之二或更多種 之合金實行塗覆物74對於某些組合可提供比典型上以相對 應組份金屬氧化物之每一者可個別達成者更佳之吸氣（特 別是硫吸氣）。另外，於塗覆物74之此等多材料實行中之 合金係由金屬錢、鉻、锰、鈷、銅、在巴、鎳、銀及船之二 10 或更多種所組成，以達成比典型上以相對應組份金屬之每 一者可個別達成者更佳之吸氣。 光反射塗覆物74之吸收由磷粒子72釋出之污染氣體 (例如，硫或/及氧)之能力係特別有利，因為吸氣作用典型 上係於極接近滲氣產生處發生。因此，極大分率之污染氣 15 體（其可脫離粒子72之附近)係藉由塗覆物74吸收，因而避 免造成平板顯示器之其它處受損。於此實行之塗覆物74之 吸氣能力補增塗覆物74加諸於粒子72上以降低顯示器惡 化之滲氣屏蔽功效。 如上所述，光反射層70典型上被穿孔。層70内之穿 20 孔能使源自於顯示器内部之氣體通過層70，且藉由光反射 塗覆物74吸收。 當施行吸氣作用時，塗覆物74無需呈光反射性。依用 以形成塗覆物74之吸氣材料而定，塗覆物74之平均厚度 典型上對於塗覆物74需至少某一最小值以提供適當之吸 29 氣°然而’塗_74抖可為足夠厚以適當地吸收污染氣 體，但太薄無法提供適當之光反射。 重要地，於第4及5圖，塗覆物74係置放於發光元件 52内之活性部。高吸氣表面積可因而被達成，而且未顯著 地增加整體之側向元件面積。此外，吸氣材料係以高度均 句方式分佈於活性元件部上。諸如非所欲之活性部壓力梯 度之困難（其會自發光TG件之活性部内之不均勻吸氣而產 生）可於元件52内避免。 塗覆物74之吸氣材料—般解聽。污染氣體係沿塗 覆物74表面或於其附近聚集，造成其吸氣能力隨時間消逝 而減低。藉由依據”活化”方法而適當處理吸氣材料，沿塗 覆物74表面或於其附近累積之氣體被驅使於其内部。此能 使吸氣材料恢復許多其吸氣能力，最高達吸氣材料之内部 氣體保留能力被達成之點。吸氣材料典型上可被活化多次。 塗覆物74 —般係於使發光元件52及發射電子元件5〇 密封在一起組成平板CRT顯示器前被產生。於典型之製備 順序中，完成之發光元件52係於顯示器密封操作前被曝置 於空氣。因為光反射層70係多孔狀，塗覆物74係於顯示 器密封前被曝置於空氣。污染氣體藉此沿著塗覆物74之部 份有效吸氣表面累積。因此，塗覆物74之吸氣材料典型上 需於顯示器密封操作期間或其後被活化，而元件50及52 間之包體係於高度真空。 塗覆物74之吸氣材料之活化可以各種方式為之。吸氣 材料可藉由使其溫度上升至充分高之值(典型上係-则 557467 c)且持續足夠長之時間而活化。一般，用卩活化吸氣材料 斤品之時間里係隨增力口之活化溫度而減少。藉由於超過3⑻ C(典型上係350。〇之溫度及高度真空環境密封第*及5圖 之顯示器，活化作用可於密封操作期間自動完成。當鄰近 5塗覆物74之組件含有電阻性材料，電壓有時被施用於此阻 性材料’以使其溫度升高至足以活化吸氣材料。 依整體平板顯示器之結構而定，電磁波能量可被局部 導引向塗覆物74以活化吸氣材料。例如，吸氣材料有時可 以被導向之能量束(例如，激光束）活化。於某些情況，活化 10作用可藉由使無線電頻率之能量（諸如，微波能量）導引至吸 氣材料而完成。發射電子元件50内之區域48發射之電子 通過，且藉此撞擊塗覆物74。此等電子係相對較高能量， 且於某些情況，可活化吸氣材料。 各種方法可被用以製備第4及5圖之發光元件52。第 15 6a-6e圖（統稱’’第6圖’’)例示用以製備依據本發明之元件52 之一般方法。參考第6a圖，第6圖方法之起始點係面板64。 黑色基材68係如第6b圖所示於面板64上形成。基材 68可依據各種技術形成。當基材係單一層時，黑色基材材 料之敷層可沈積於面板64上。諸如蒸發、喷濺、熱喷灑、 20化學蒸氣沈積(“CVD”)及電泳/介電沈積等技術可被用以沈 積此敷層。含有黑色基材材料之液體組成物或游漿之塗覆 物可被沈積於面板64上並乾燥。燒結或烘烤可依需要實 施。使用適當之罩(諸如，阻光罩），基材68可藉由移除發 光區域66位置處之敷層之部份而產生。 31 557467 若黑色基質68含有聚合物材料，可光化聚合之材料層 可沈積於面板64上。此層之各部份可藉由使其曝置於適當 之光化輻射（例如，紫外線(“UV”)線）以誘發聚合反應而沈 - 積。未被固化之可聚合材料被移除。若聚合材料用以提供 · 5層68其黑色特徵’局溫分解步驟被施行以使固化材料變黑。 另外，黑色基質68可藉由沈積/提升(lift_〇ff)技術形 成。另外，黑色基質可經由遮蔽罩沈積。當基質68由二或 更多層組成時，前述技術之重複或/及結合可被使用以產生 基質68。基質68亦可被預先形成，然後使用適當黏著劑置 鲁 10 於面板64上。 由鱗粒子72層組成之發光區域66現提供於經黑色基 質68之開口内。區域66之形成可以各種方式為之。 對於彩色顯示器’光化黏著劑齡聚及能發射此三顏色 (紅、藍及綠）之唯一一種光線之磷粒子可被引入黑色基質 15 68之開口内。光化黏著劑典型上係可光化交聯之聚合物型 式。每二個黑色基質開口之一被曝置於光化輕射(諸如，紫 外線)以使被曝光之黏著劑固化。為使發光區域66對黑1 · 基質68之失準達最小，曝光步驟典型上係經由面板64之 外表面（第6c圖之下表面)且使用遮罩覆蓋其黏著劑材料不 20欲被光化曝光之開口而施行。任何未被曝光之齡衆材料係 - 以適當顯色劑移除。此程序以光化黏著劑齡聚及能發射其 · 它二種顏色之光線之磷粒子重複兩次。 其次’點著劑材料藉由使此結構適當加熱而大量移 除。黏著劑材料揮發產生第6c圖之結構。黏著劑材料之移 32 557467 除典型上係於空氣中依據達300-480°C (典型上係380-390 °C)之最大溫度之熱分佈為之。藉由使用前述方法使磷粒子 72引入黑色基質68之開口内，粒子72充分地黏著於面板 64 ° 5 另外，粒子72可選擇性地沈積於基質68之開口内。 當顯示器係彩色顯示器時，發射每一不同顏色之光線之磷 粒子之沈積可以置於此結構上之適當遮罩為之。三個此遮 罩被用於紅色、藍色及綠色。每一遮罩避免發射特定顏色 光線之磷粒子累積於欲用於發射其它二種顏色光線之磷粒 10 子之黑色基質開口内。 光反射塗覆物74現藉由於磷粒子72上提供所欲之光 反射塗覆物材料而形成。參見第6d圖。塗覆物74之形成 一般係於高度真空之環境中藉由物理沈積技術(諸如，喷濺 或蒸發)施行。於高度真空條件下之熱喷灑亦可被用以產生 15塗覆物74。於熱喷灑中，熱源使粒子塗覆物材料轉化成熔 融或半熔融粒子之噴灑物，其被沈積於粒子72上。熱喷灑 技術包含電聚噴灑及線弧(wire-arc)喷灑（二者皆利用電熱 源），及火焰噴灑，高速氧燃料喷灑，及爆炸搶噴灑(其等皆 利用化學熱源）。於熱喷灑操作完成後，燒結或棋烤可被施 20行以使塗覆材料之沈積粒子轉化成單一結構。 噴濺、蒸發或熱喷灑較佳係以呈角度之方式為之，以 避免光反射粒子塗覆物材料片沈積於每-發光區域66之構 粒^ 72間之空間内之面板64上。特別地，嘴機、蒸發或 熱喷灑係於與_般垂直於面板64而延伸之線呈非零之傾斜 33 557467 角α實施。第6d圖之項目p指示此一線。 /粒子(每"者係由—或多個塗覆物材料之原子所組成） 係沿平均上與主要衝擊轴(其與線p呈傾斜角㈡約略平行 即時延伸之路徑衝擊於部份製備之發光元件上。α角之值 . 5被選擇足夠大(其係依發光區域％之厚度而定)使粒子^ 作為屏蚊’以實質上避免塗覆物材料累積於面板料之上(内） 表面上。α角一般係5·45。，典型上係15_2〇。。 光反射粒子塗覆物材料係自置放於高度真空環境之沈 積源供應。當然，部份製備之發光元件亦被置放於高度真 鲁 10空之環境。沈積源及部份製備之元件可彼此相對地調動。 當呈角度之噴濺、蒸發或熱喷被用以產生光反射塗 覆物74時’部份製備之發光元件及沈積源典型上係繞著一 般係與面板64垂直之線(或軸，諸如，、線ρ)彼此相對地旋 轉，以便達成繞著該線之相對較均勻之塗覆物厚度。旋轉 15可以大約固定之轉速或以變速為之。無論如何，旋轉一般 係施行至少-完整旋轉。另外，呈角度之沈積可施行一組 重大時間’每-者期間，發光元件及沈積源係位於彼幼 # 對呈主要固定之旋轉位置。 喷濺、蒸發或熱魏-般係與面板64呈垂直而施行。 2〇光反射’塗覆物74亦可藉由諸如電泳/介電泳沈積及cvd之 技術產生。於此等沈積程序之每一者期間，數種手段之任 -者被㈣㈣免光反射粒子塗覆物㈣片累積於面板64 · 之上表面上。於沈_粒子72之後，但於沈積塗覆物％ 之前’提升材料層可被沈積於黑色基質開口内及面板64之 34 10 於所有前述用以產生光反射塗覆物74之技術期間，光 身Uk覆物材料層（未示出）一般係於黑色基質砧之上 表面上形成，且於呈角度之沈積(諸如，呈角度之喷濺、呈 角度m或呈肖度之熱噴灑)之情況巾係至少於基質⑽ 之側j上形成。右要的話，各種技術可被使用以避免於基 貝68上形成此一光反射層。例如，提升層可於形成塗覆物 74刖沈積於基質68上。此提升層可藉由呈角度之技術(諸 如’呈角度之蒸發、呈角度之喷濺或呈角度之熱喷灑)沈 15 積’以累積於基質68之上表面上及部份係於其側壁下，而 無顯著地累積於磷粒子72上。於塗覆物74形成期間，光 20 於使粒子72弓丨人黑色基f開口内之後被沈積， :ΙΓ簡單地為用於沈積粒子7_ 明如何塗覆物材料片係於塗覆物74形成期間累積 'θ上而非直接累積於面板64上。此提升層其後被 移除以移除(提升)此等塗覆物材料片。

反射塗覆物材料層累積於提升層上，但未累積於基質Μ 上。此提升層其後被移除以移除覆蓋之光反射層。另外， 塗覆物74可經由具有覆蓋基質68之阻絕材料之遮罩(例 如，遮蔽罩）之開口沈積於粒子72上。 如上所述，光反射塗覆物74有時亦可作為用以吸收污 染氣體(特別是硫)之吸氣物。如上相同指示，塗覆物74有 時可作為吸氣物，即使其不足以（例如，太薄)提供適當之光 反射。如上進一步述及者，塗覆物74有時係厚到足以提供 35 557467 磷粒子72粒子屏蔽，但不能太厚以提供適當之光反射。於 塗覆物74之此等所㈣化中，上職術可麵㈣成塗覆 物74 〇 光反射層70係於黑色基質68及塗覆物”(典型上係光 · 5反射)上形成，如第&圖所指示。於形成層7〇中，可被輕 易轉化成氣體之-般呈固體材料之中間層（未示出）係於每 -黑色基質開口形成，以便剛好覆蓋，或幾近覆蓋，該開 口内之光反射塗覆物7 4及鱗粒子7 2。黑色基質開口内之中 間層可藉由使漆沈積於此等開口内及使漆乾燥而產生。^ φ Η) 了便利’形成中間層之固體材料—般於下述被稱為，，乾燥 漆，，或簡單稱為，，漆，，’即使非漆之材料可被用以形成此中間 層。 漆之沈積可以敷層方式為之，如此黑色基質開口内之 中間漆層以覆蓋於黑色基質68上（即，直接置放於基質68 Μ上或/及於置放於基f 68頂部上之任何材料(諸如，上述之 光反射塗覆物材料層）上）之乾燥漆(未示出）相互連接。另 外，各種手段可被用以避免漆累積於基質68頂部上，或累 · 積於置放於基質68頂部上之任何材料(諸如，光反射塗覆 物材料層）h例如，漆可經由遮罩(諸如，位於基質仰上 !〇之具有阻絕區域之遮蔽罩，包含上述置放於基質68頂部i , 之任何材料)之開口沈積。另-例子，光化漆層可沿第& 圖之結構之上表面提供，包含沿著位於基f68頂部上之任 何材料。然後’光化漆層係使用適當遮罩選擇性地曝置於 適當之光化輻射(例如’紫外線）。於某些情況，光化輻射可 36 557467 使用基@ 68作為遮罩自其下表面下射於面板64上。無論 如何’依光化材料是負色調或正色調而定，被曝光或未被 曝光之光化漆被移除以於黑色基質開口產生中間層。 於中間漆層於經黑色基質68之開口内形成後，光反射 5材料(典型上係！呂或銘合金)被沈積於此結構之頂部上以形 成光反射層70。然後，中間漆層藉由使此結構適當加熱轉 化成氣體。氣體經由層70内之穿孔脫離以產生第6e圖之 、’°構相似於#除㈣劑之加熱操作，漆之移除典型上係 於空氣中錄據達到3.4帆（典型上係38G.39G°C)之最 ⑺大溫度之熱分佈為之。第6e圖之結構係第4及 元件52。 u η & 15 20

目^平板CRT顯示器之部份活性區域之側截t 顯㈤具有如上述般建構之發射電子科5〇,幻

80。^建構之用以促進影像強度之相對置放之發光以 連接 子Μ %及發光元件⑽係、經由外壁(未示注 托起，以形成保持於高度真空(再次典型地，不多於1〇 之平tr壓力）之密封包體。沿著_密封包體側向延々 之觀看，發光元件8G之活性部具有大致與第5圖如 血型上^相似於第4及5圖之顯示器，第7圖之顯示】 示^含間隔物(如第5圖中以例示之間隔物壁^ 有位於Γ位，元件5 0及8 G之間。第7圖之顯示器㈣ ;顯不益之不同位置之吸氣材料。 發光元件80含有面板64、發光區域66、黑色基質68 37 及光反射層70。依照如下有關區域66之註解，組件64, 66, 68及70係如第4及5圖之發光元件52相同般建構，且作 用亦相同。黑色基質68係以比元件80内之發光區域66更 厚例示，但可比區域66更薄。 如於發光元件52内般，發光元件80之每一發光區域 66係由數個一般係任意分佈於面板64上之發光磷粒子72 所組成。但是，元件80内之區域66之平均厚度係以明顯 比單一層少者例示。即，第7圖之元件80之每一區域66 内之相鄰粒子72 —般係不彼此接觸。因此，每一區域66 内之粒子72未被儘可能緊密地堆放在一起。此一比最大密 度少之堆放即使於粒子72係相同直徑之完美球體時亦會發 生。 若磷粒子72係相同直徑之完美球體形狀且以六角形 配置方式儘可能緊密地堆放至剛好一單一層之厚度，每一 發光區域66内之粒子，由垂直於面板料(之上表面)觀之， 覆蓋由區域66佔據之側向面積之約9〇〇/〇((宂/2 / 3)Xl〇〇%)°於區域66之厚度少於單-層之實行中，由垂直 於面板64觀之’每—區域66内之粒子72可覆蓋該區域之 側向面積之50%或更少。此係等於少於若粒子72之形狀係 =同直徑之完美球體時其於每—區域的内能覆蓋之最大側 向面積之祕。雖然於第7圖中發光元件8〇内之區域的 之厚度係以明顯少於單一層例示，區域％及元件8〇之厚 度可大於早-層，例如’…固單—層，最高達3個單一層 或更多。 557467 依據本發明，發光元件80之某些磷粒子72之每一者 之部份外表面係以第一強度促塗覆物82及第二強度促進物 84覆蓋。特別地，每一第一強度促進塗覆物82係保形地覆 蓋於底層粒子72之部份外表面上，以與其間粒子72係最 5接近面板64處相間隔開。每一第二強度促進塗覆物84係 保形地覆蓋於相伴(ass〇ciated)之第一塗覆物，以覆蓋 於底層粒子72之部份外表面上，且同樣地與其間粒子72 最接近面板64處相間隔開。 如下將進一步解釋，以向前方向離開發光區域66之光 10線之強度及顯示器因此造成之影像強度因強度促進塗覆物 82及84之位置及特性而被促進。但是，塗覆物幻及 未直接促進光線強度本身。因此，當，，強度促進，，一辭於此 被用於作為塗覆物82及84之形容詞及其它(諸如，”強度 促進，，塗覆物）時，其係用以指以此等塗覆物達成之功能， 15但非用以意指此等塗覆物實際上促進光線強度。 第7圖例示其間因發光區域66之厚度以少於單一層描 述每亦粒子72係被塗覆之粒子之情況。於其間區域66 之厚度大於單一層之情況，某些粒子72可為未被塗覆。相 扣似於上述之有關於發光元件52内未被塗覆之任何粒子 72 ’發光疋件80内是否有任何未被塗覆粒子72係依諸如 以單層計之區域66之厚度及強度促進塗覆物82及84如何 形成等因素而定。 依塗覆物82如何形成而定’第-強度促進塗覆物82 可部份保形地覆蓋被塗覆填粒子72之外表面之不同部份。 39 557467 於第7圖之例子，塗覆物82大量覆蓋粒子72之上半部， 4一未於其下半部上顯著延伸。但是，於此例子中，塗覆物 82 了於粒子72之下半部上些微延伸，只要塗覆物不會 白下延伸至接觸面板64。塗覆物82亦可覆蓋少於粒子72 5 之上半部。 於第7圖之例子中，每一第二強度促進塗覆物84覆蓋 大致上所有相伴之第一強度促進塗覆物82。另外，每一第 二塗覆物84可覆蓋部份相伴之第一塗覆物82。第二塗覆物 84典型上不會側向延伸超出第一塗覆物82而接觸磷粒子 10 72。無論如何，第二塗覆物84不會向下延伸而接觸面板64。 光反射層70覆蓋於強度促進塗覆物82及84上，且典 型上保形地接觸一些或所有之第二塗覆物84。相似於層7〇 如何平均上僅與發光元件52之每一光反射塗覆物74之部 份呈保形，發光元件80之塗覆物82及84 一般係充分延伸 15於磷粒子72下而至面板64，使層70平均上僅與每一塗覆 物84之部份上表面呈保形。 依強度塗覆塗覆物82及84如何形成而定，形成第一 塗覆物82之材料片或/及形成第二塗覆物84之材料片可被 置放於每一發光區域66之磷粒子72間之位置内之面板64 20 上。存在時，此等強度促進材料片典型上不具重大危害， 因為向前之光線可輕易通過，而於沿面板64内表面折射之 小量光線無重大改變。 形成第一強度促進塗覆物82之材料層（未示出）可被置 放於黑色基質68上。形成第二強度促進塗覆物84之材料 40 層（未示出）可相似地被置放於基質68上，其可直接於基質 68上，或當第一強度促進材料層存在時位於其上。此等強 度促進材料層之任一或二者之存在典型上不是有害，且有 時可能有利。當基質68含有例如聚合物材料(諸如，聚醯 亞胺)之材料(其於受電子撞擊時發出污染氣體）時，覆蓋於 基質68上之強度促進材料可被作為屏蔽，以降低進入顯示 器内部之此等氣體之量。再者，此強度促進材料實質上係 透明，因此，不會重大地影響藉由基質68施行之吸光作用。 每對相伴之強度促進塗覆物82及84透射大部份之正 交（垂直)入射之藉由底層磷粒子72發射之可見光。於發光 元件80之彩色實行，其間粒子72發光之頻率帶依所產生 係紅光、藍光或綠光而使發光區域66彼此不同，每對相伴 之塗覆物82及84可強烈地吸收某些頻率帶之光線，只要 該對塗覆物82及84使底層粒子發射光線之該頻率帶之光 線強烈透射。為了製造方便，無論底層粒子72發射紅光、 藍光或綠光，第一塗覆物82較佳係由相同材料組成。相同 者被應用於第二塗覆物，但第二塗覆物材料係不同於第一 塗覆物材料。因此，塗覆物82及84 一般使重大部份之正 父入射之可見光透射過大致上整個可見光頻率帶譜，因此 係呈透明。 一介質之折射率η係光線於真空中行進之速率（約 3xl〇8公尺/秒)對光線於該介質内行進之速率之比例。第7 圖之平板顯示器之内部（密封包體）約近乎真空。因此，顯示 器内部之折射率冲係約1。因光線於任何非真空介質内行 557467 進係比於真空内更慢，非真空介質之折射率n係大於 '上〇方^ 元美折射器之光線速率基本上係〇,因完美折射号折射戶 入射光線。光反射層70(其約為完美折射器）因而具有非心 高之折射率，有效地係無限大。 5 磷粒子72之平均折射率％—般係2.0-3.0，典型上係 2.3-2.4。第一強度促進塗覆物82之平均折射率〜係少= Hp(但大於1)。例如，折射率ηι可為丨5-2 2，典型上係 1.7-1.8,其少於％。第二強度促進塗覆物科之平均折射率 h係少於ηι(但同樣係大於υ。例如，折射率化可為 10 HU，典型上係1.3-1.4，其少於ηι。 光反射層70之外表面形成發光元件8〇之内表面，因 此使其受平板顯示器内部之高度真空。如上所述，層7〇 一 般係被穿孔。由於層70之穿孔或/及元件8〇被製備之方 式，每一第二塗覆物84之外表面之至少一部份受顯示器内 15部之高度真空，其間折射率圯約1。因此，每一磷粒子72 及覆蓋於上之強度促進塗覆物82及84提供一種其間平均 折射率起始於粒子72之np(典型上係大於2)然後經覆蓋於 上之塗覆物82及84逐漸下降，而於沿覆蓋其上之第二塗 覆物84之外表面之至少一部份之實質真空中降至約2之結 20 構。 藉由配置平均折射率以從磷粒子72經強度促進塗覆 物82及84至第二塗覆物84外表面之高度真空逐漸降低， 比缺乏塗覆物82及84時向後行進(再次包含部份斜向）脫離 粒子72者更多之藉由粒子72發射之向後行進（包含部份斜 42 557467 .向)之光線脫離粒子72及塗覆物82及 80内之增加含量之向後先線(包含部份斜向〜此’發光元件 以使其被向前騎且通過發統域66 料之先線)係 70。光強度一般係於向前方向被促進，因1到達光反射層 之影像強度。 ’促進顯示器 更特別地，入射於具有不同 界面上之光線係於界面被部+之―私介質間之 透射過此界面。此界面處之光反射Μ 知 ίο Μ之辦—^低谢。折射 折射率差值^間之變化非線性，其間當差值Δη I皮:低 時，強度lRT雜纽差值^更大。特職，界面處^ 折射強度IR-般係約略依彳盾下列形成之^例關係： ： . ：：：：：：：：,.：： ·.. <1 Δη 其中ηΑ及ηΒ個別表示此二介質之折射率，且其中差值“ 15 係 |ha-iib| 〇 另外，對於其間折射率ηΒ少於折射率ηΑ之情況，強 度Ir—般係約略地依循如下之比例關係： C2) • dn 當差值Δη從無限大降至〇時，強度匕從1降至〇。 20 考量假設之三種透光介質（稱為第一、第二及第三介質） 43 介質& 〃間折射率係從第-介質經第二介質至第三 ;丨貝逐漸減少，且苴問 ^ 與其臨近。於第一二質係位於其它二介質之間且 之界面_行進之光線於第—及第二介質間 二=邹:透射。忽視於第二介質内之任何光 八併、 貝内行進之部份透射光線係於第二及第三 一'之界面部份折射及部份透射。此假設情況中之第 第-及第二介質仙別相似於每_雜子π、覆蓋於 上之第-塗覆物82,及相伴之第二塗覆物84。 、 10 15

將此一；I邊之情況與假設之二介質光學情況比例，其 間上述之第(即，具有最高及最低折射率之介 質）係彼此直接臨近。因此，第二介質於此二介質情況中係 不存在。再者，假設於二情況中第一介質内相同量之光線 行至第三介質。由於如關係式1或2所例示之二透光介質 之界面處之光反射強度隨其折射率改變之方式，於三介質 情況中經二界面透射之總光線分率係大於二介質情況之經 由單一界面（第一及第三介質間）透射之光線分率。因此，於 此二其它介質間插入中間折射率之透光介質能使更多之光 從具有最高折射率之介質透射至具有最低折射率之介質。 留意前述，磷粒子72發射光線，其係直接或於一或多 20次中間折射後通過強度促進塗覆物82及84,向後移，包含 部份斜向。每一粒子72、覆蓋之強度促進塗覆物82及84， 及沿第二塗覆物84之與光反射層7〇間隔開之部份之高度 真空形成四介質光學情況，其間粒子72係第一介質，覆蓋 之第一塗覆物82係具較低折射率之第二介質，相伴之第二 44 557467 塗覆物係具更低折射率之第三介質，沿第二塗覆物84之與 光反射層70間隔開之部份之高度真空係具更低折射率之第 四”處。藉由將二介質情況之分析延伸至此四介質情況， 比缺乏塗覆物82及84時於與其間層7〇能接觸粒子72處 、 5相間隔開之位置處能脫離粒子72向後移動（包含部份斜向） 者更多之光線能於與其間塗覆物84接觸層7〇處間隔開之 位置處脫離粒子72及塗覆物82及84向後行進（包含部份 斜向）。 脫離鱗粒子72及強度促進塗覆物η及84 一般向後行 籲 1〇進（包含部份斜向）之磷發射光線之一部份係以藉由層7〇向 前折射至粒子72之侧面之方式(即，於此等位置此等方向） 射於光反射層70上。因為比缺乏塗覆物82及84時能於與 粒子72能接觸層70處相間隔之位置射於層7〇上者更多之 此向後光線於與其間塗覆物84接觸層％處相間隔之位置 15射於層7G上’增加分率之向後光線被向前折射至發光元件 8〇内之粒子之側面。極大部份之被折射之向前行進之光線 係直接或於一或多次中間折射（包含折射離開粒子叫後通 過面板64’以增加向前方向之整體光線強度。藉由以前述 方式建構強度促進賴物82及84及使其配 之光透射及折射率特徵，塗覆物82及84能使影像強二皮 促進。 . 如第7圖之例子所例示，當發光區域66之厚度少於單 層以使磷粒子不會被儘可能地堆放在一起時，更多空間可 被獲得以便用以使磷發射之向後光線被向前折射二:二 45 射層70，然後通過區域66至粒子？2之側面。使藉由單— 粒子72發射之向後光線被向前折射城後通過其區域的 而未再進入區域66内之任何粒子72之效率被增加。雖然 配置粒子輯密度呈少於最大粒子堆放密度造成較少粒子 存在於每—區域66内，且因而使較少之 域一子發射，但到達面板64之碟二= 體含量有時可被增加，特別是當任何粒子72係以吸收重大 含量之其間磷發射光線之頻率帶之光線之磷實行時。 典型上所欲者係強度促進塗覆物82及84之折射率恥 及Μ被選擇以大致上使脫離磷粒子72及塗覆物82及 之向後光線之量達最大。關於此事，使Γρ表示粒子72之折 射率ηρ對第一塗覆物82之折射率ηι之比例ηρ/ηι，使Γ]表 示折射率η〗對第二塗覆物84之折射率η2之比例ηι/η2，且 使表示折射率η2對沿每一粒子84之外表面之至少一部 伤之局度真空内之折射率η!之比例η2/ηι。 使用如上表示之關係1或2描述二具不同折射率之透 光介質間之界面之折射強度IR，忽略強度促進塗覆物82 及84内之任何光吸收，且忽略塗覆物82及84之次要折射， 當比值Γρ、Γ!及h之每一者係具如下所示之Γ〇ρτ值時，最 大量之向後光線脫離粒子72及塗覆物82及84 :

/ 'D

對於方程式3規定之條件，個別折射率η!及w之最佳 值 Ιΐίορτ 及 Π20ΡΤ 係·· 557467 Πι〇：^ - 'Π^ηχ}Χ/2 «5 " ^ ^ ^ζ〇^7 - (iv^}V3 ^ η/^

(S 其中近似值係利用高度真空之折射率η〗係約1之事實。受 制於各種不同因素（包含材料獲得之限制），折射率…及& 較佳被選擇以儘可能接近達其最佳值(諸如以方程式4及5 5 所指定）。 再者，使Δηρ表示磷粒子72之折射率ηρ與第一塗覆 物82之折射率ηι間之差值np-m，使表示折射率〜與 第二塗覆物84之折射率化間之差值nrn2，且使表示 折射率叱與沿每一塗覆物84之外表面之至少一部份之高 10度真空之折射率圯間之差值。當比值rp、r〗及r2係於 以方程式3表示之其最佳值時，折射率差值△%、△⑴及 △ η2係逐漸減少。即，當塗覆物82及84之折射率〜及叱 被選擇以大致上使脫離粒子72及塗覆物82及84之向後光 線之量達最大時，每一粒子72及覆蓋於上之第一塗覆物82 15間之界面間之差值ΔηΡ係差值△%、△111及^112之最大值， 而每一第二塗覆物84與沿塗覆物84之至少一部份之高度 真空間之界面間之差值Δη2係差值^、Δηι及Δη2之最 小值。 強度促進塗覆物82及84可由於塗覆物82及84之厚 2〇度時呈透明之各種魏緣、電雖或/及電導性之材料所組 成。塗覆物82及84之適當透明材料包含電絕緣體氧化銘、 氮化石夕、氧化石夕、氧化錢及氧化錄。此等電絕緣物之二或 47 557467 更多種可被用於塗覆物82及84以個別達成所欲之折射率 ηι及叱值。於典型之實行中，第一塗覆物82由折射率⑴ 係1.8 -1·9之氧化镱所組成。於此實行中之第二塗覆物84 係由折射率叱係1.4-1.5之氧化矽組成。 5 強度促進塗覆物82及84之存在造成發射電子元件5〇 内之區域58所發射之衝擊電子之能量之小量損失。因此， 塗覆物82及84典型上係儘可能薄地製得。當塗覆物幻由 氧化镱組成時，第一塗覆物82之平均厚度一般係1-5〇 nm， 典型上係5 nm。當塗覆物84由氧化矽組成時，第二塗覆 1〇物84之平均厚度一般係1 ·10〇 nm，典型上係1〇 nm。 發光元件80可以各種方式改良。每一磷粒子乃可以 多於二種之具有少於粒子平均折射率及於從粒子72移離時 逐漸減少之平均折射率之強度促進塗覆物部份覆蓋。一 般，依據本發明，每一粒子72之部份外表面可以m個強度 15促進塗覆物覆蓋，其中則系複整數。第7圖係實行其間㈤ 係2之情況。 、 復盈母一磷粒子〜〜m调5$度促進$ 20

;:被稱為第一強度促進塗覆物至第m個強度促進驾 物。每-第—塗覆物(相制於第7 _子+之塗覆物 之一者)係最接近之塗覆物，因此健触 上。每:第-塗覆物保形地覆蓋於底層粒子72之： 、U間粒子72最接近面板64處間隔開。每一 例子+之_心相 P最遠離底層粒子72之強度促 48 557467 、、覆物子母丨係從2變化至m之整數，每一第i個塗覆 物係保形地覆蓋相伴之第(i-Ι)個塗覆物，以便覆蓋底層粒 子72之部份外表面且與其間粒子72最接近面板64處間隔 - ^。光反射層70係以如上對第二塗覆物84所述之方式覆 · 5蓋第m個塗覆物。 覆蓋每一碟粒子72之m個強度促進塗覆物具有如上 ί於強度促進塗覆物82及84所指定之基本光透射特性。 發光70件80之此延伸之每一第一塗覆物係具有比底層粒子 72更低之平均折射率。每一第土個塗覆物係具有比相伴之 φ (1 1)個塗覆物更低之平均折射率。沿每一第㈤個塗覆物之 外表面之至少一部份之高度真空係具有比第㈤個塗覆物更 低之平均折射率。因此，平均折射率係從每一粒子72經覆 盍之m個塗覆物至沿該粒子之第域塗覆物之外表面之至 少一部份之高度真空逐漸減少。 15 藉由磷粒子72發射之向後光線通過覆蓋每一粒子72 上之m個塗覆物且折射離開光反射層7〇。藉由推論上述有 關第7圖之例子所呈現之理由，比若缺乏覆蓋每_粒子^ · 上之m個塗覆物時，於與其間層7〇接觸粒子乃處間隔開 之位置’或若覆蓋每一粒子72之m個塗覆物之僅一部份不 20存在時，於其間層7〇接觸覆蓋於每一粒子72上之少於m · 個之塗覆物之最遠者處間隔開之位置，能到達層7〇者更多 · 之向後之磷發射之光線能於與其間層70接觸第111個塗覆物 處間隔開之位置到達層70。然後，此增加量之向後光線之 一部份以通過粒子72側面及通過面板64之方式向前折射 49 5 離開層72。向前光線之強度及因此之影像強度被促進。 為了決定造成料最大量之向後祕脫_粒子72 犷及覆胁每-粒子72上之m個塗覆物之條件之目的，使 人表不ηρ/ηι比值’使η表示晌出比值，其中土係從^ m-Ι改變之整數，叫係第i個塗覆物之平均折射率，且 =係第m個塗覆物之平均折射率。再者，使〜表示nm/ni 利用上述之關式1或2，忽略覆蓋每一粒子72上之 1 =覆物之任何紐收，且料該則_覆物之次要折 10

時ΓΡ、Γ1、Γ2’ ...rm比值之每一者係如下所示之r〇PT值 …取大量之向後光線脫離粒子72及覆蓋每—粒子72上 之m個塗覆物： 之特殊例子(其中.係2)，方程式6係簡化成方 15 尉於方程式6所指定之條件，折射率

ni之最佳值Πίορτ (7 Λ 其中i於此係從1至m改變，其中概算係利 軒射率叫係…之事實。當瓜係2時’方程式^化I方 Μ 4及5。折射率ni_nm較佳被選擇以儘可能達其最佳 值’諸如，方程式7所指定者。 50 20 557467 此外’使ΔηΡ再次表示折射率差值ηρ-ηι。使Ani表示 折射率差值ηΓηί+1，1從1至m-1改變。使表示折射率 差值nm-n〗。當比值rp及係於方程式7所示之最佳值， 折射率差值Δηρ及逐漸減少以使差值Δηρ 5係係最大值，且差值△^係最小。 第8圖描述依據本發明之發光元件8〇之實行之部份活 性部之側截面圖。除下述外，第8圖之實行之元件8〇含有 &第7圖之it件80内所建構、構造及功能相同之元件64,66, 68, 70, 72, 82及84。因此，於第8圖之元件8〇中，區域 10 66之厚度係以少於單一層例示，但如第7 圖之元件80般可 大於單一層。於第8圖之實行中，面板64典型上係由玻璃 板(未個別顯示)及薄的透明介制（同樣地絲個別顯示， #型上係氧化⑪或氮切，其係位於板材之上表面，以降 低因電子撞擊而自面板64渗出之氧氣)所組成。 15 第8圖之黑色基質68係由具圖案之下黑色層86及具 圖案之上層88組成。經由面板64觀看，直接位於面板64 上之下層86提供基質68其黑色特性。為此目的，層86係 以硬的黑材料(諸如，黑色氧化鉻及鉻之複合物)形成，其具 有1〇0 500 nm之厚度，典型上係300 nm。層86可以黑色 2〇 =物材料層（諸如，黑色化之聚醯胺)及覆蓋其上之由硬材 料（諸如’絡或/及氧化鉻）組成之黏著層（其無需為黑色）取 代。 位於下層86上之上層88提供黑色基質68其高度之主 P刀乂第5圖之間隔物壁54表示之間隔物接觸覆蓋於 51 557467 曰上之材料。層88之厚度係3G-5G nm，#f}上係40 nm。 層88典型上由聚合物材料(諸如，聚醯胺，其典型上未被 黑色化，但可被黑色化）組成。 k擇性之保遵（或隔離)層9〇係位於黑色基質68上， 5且係實貝上向下延伸其所有側壁，面板料及保護層9〇之 …口包覆基質68。當區域58發射之電子撞擊發光元件8〇, 典型上形成基質68之上層88之聚合物材料會發射污染氣

體。保濩層90減緩此等氣體進入顯示器内部。有關保護層 (諸如，層90)之進-步細節係呈現於Η·等人之國際專 ⑺利申請案PCT/US99/11170(1999年5月2〇日申請，現係國 際專利公告第WO 99/63567號案），及Curdn等人之國際專 利申凊案-，委任摘記編號CT-A131 WO，2001年1〇 月24曰申請）。

第8圖例示一例子，其中保護層9〇係延伸於含有發光 15區域％之黑色貝開口底部之面板64上。然後，層9〇由透 射可見光之材料組成。此材料典型上係電絕緣體，諸如， 氧化矽、氮化矽或/及氧化鋁。另外，層90可阻絕（即，吸 收或/及折射）可見光。於此情況，層9〇之部份於黑色義質 開口底部處被移除。 20 於第8圖之例子，形成第一強度促進塗覆物82之材料 片92被描述係被置放於每一發光區域66之罐教子門之* 間下之位置處之黑色質開口底部之保護層90上。形成第 強度促進塗覆物84之材料片94係以被置放於材料片 而相似例示。依塗覆物82及84如何產生而定，钕 弟—強度 52 557467 促進材料片92及/或第二強度促進材料片 光元件80。 94可不存在於發 5 10 選擇性之電雜緣之電荷移除層96係被置放於黑色 以68上之保《I層90上’且向下部份延伸層9〇進入黑色 基質開口’以非常接近每_發光區心之齡子72。於第 8圖之例子，電荷移除層96至少部份向下延伸粒子72之平 均高度。於顯示器操作期間’因電子撞擊而造成之累積於 拉子72上之過量負電荷藉由層％移除。層％ —般係由電 導性材料(諸如，⑹組成，其具有〇.1_2.() _之厚度，典 型上係0.8// m。

第-強度促進材料層98係位於非絕緣層96上。第二 強度促進材料層1〇〇位於第一強度促進枯料層兆上。光反 射層70位於第二強度促進材料層1〇〇上，且以如上所述方 式延伸於第二強度促進塗覆物84上。 於第8圖之例子中，額外層1〇2位於光反射層7〇上， 且凡全延伸發光元件80之活性部。當層7〇由鋁組成時， 1外層102覆蓋於氧化銘之薄的天生層（未個別指示）上，其 係於元件80曝露於空氣時沿層7〇之上表面形成。額外層 ，了替代天生之氧化紹層。相較於天生之氧化紹層，額夕卜 20 1 9 下述之一或多種，較佳係全部··（a)降低之化學反應 眭’（b)降低之每單位面積之次要電子發射，及(c)降低之每 單位面積之電子反向散射。層102典型上係由氧化鉻或/及 路所組成，具有1 -50 nm之厚度，典型上係1〇 ηηι。 連同相較於天生氧化鋁層具有降低之化學反應性，層

53 具有比天生氧化物層更低之氣體附著係數。因此，相較 荖部之内表面以天生氧化銘層形成時能發生者，附 降彻tr件8G之活性部之内表面之污純體之可能性被 降低。對於諸如額外層⑽之層之進—步細節係呈現於 ummmg等人之共同申請之國際專利申請案_，委任 摘記編號CT_F137 WO。 10

'目之實行之發光70件80 一般亦包含薄周圍電極 j,)’其係位於元件8。之活性部外側。此關電極係 緣㈣(特別是電導性㈣，如。，_銘合金) t成。周圍電極接觸紐射層7G及電荷移除層96，以對其 顯不器陽極電動勢及提供接近層70及96以移除電荷。 第8圖之實行可以如上有關第7圖所述方式改良以具 有多於二個位於每—磷粒子72之部份外表面上之強度促進 塗覆物。 15 第知如圖（統稱為，，第9圖，，)例示自第6圖方法中之第 圖P白&起始製傷依據本發明之第7圖之發光元件⑽之—

又方法參見第9a圖’其重複第讣圖。填粒子72被弓丨入 黑色基材68之開口内以形成發光區域％，如第％圖所示。 20 將粒子72引入黑色基質開口内係以與第6圖之方法相同之 方式施行，但於第％圖之例子中，區域66之厚度係以少 於單一層例示。 第強度促進塗覆物82係藉由使所欲之第一強度促 進材料提供於與其間粒子72最接近面板64處間隔開之位 置處之麟粒子72之部份外表面上而形成。參見第％圖。 54 557467 第二強度促進塗覆物84其後係藉由使所欲之第二強度促進 材料以使第二塗覆物84與其間粒子72最接近面板64處間 隔開之方式提供於粒子72之外表面之部份上之第一塗覆物 82上而形成，如第9d圖所指示。 5 受制於因為發光元件52内之光反射塗覆物74之材料 與弟一強度促進材料不同而可能產生之任何差異，第一強 度促進塗覆物82典型上係依據用以產生第6圖方法中之塗 覆物74之任何技術於高度真空環境中形成。此等技術包含 喷濺、蒸發、熱喷灑及電泳/介電泳沈積。相同者應用於沈 1〇積第二強度促進材料以產生第二塗覆物84。塗覆物82及 84亦可藉由CVD或溶膠沈積而形成。 依發光區域66之厚度及強度促進塗覆物82及84如何 形成而疋，第一或/及第二強度促進材料片（未示出）可於沈 積第-或/及第二強度促進材料期間累積於每—發光區域 66之鱗粒子72間之空間内之面板料上。若要的話，第6 圖方法中之任何用以避免光反射材料片於形成光反射塗覆 物7 4期間累積於每—區域6 6之粒子7 2間之㈣内之面板 64上之手段於此可被使用以避免第-或/及第二強度促進 材料片相似地累積於面板64上，或避免第二強度促進材料 20片累積於每一區域66之粒子72間之空間内之第一強度促 進材料片上。 於其間喷錢、蒸發或熱喷麗被用以形成第一塗覆物82 或/及第二塗覆物84之情況中，第一或/及第二強度促進材 料之沈積可以與-般垂直於面板64而延伸之直線呈非零之 55 557467 傾斜角α之呈角度方式施行。第9c及9d圖中之項目p指 示此一直線。傾斜角α之值（一般係5-45◊，典型上係15-20 )係大到足以使形成第二塗覆物84期間之碟粒子72及 覆蓋其上之材料(例如，第一塗覆物82)作為屏蔽，以實質 5 上避免任何第一或/及第二強度促進材料累積於每一發光 區域66之粒子72間之空間内之面板64上。 於形成第一塗覆物82期間，第一強度促進材料層（未 示出）一般係於黑色基質68頂部上形成，且於呈角度沈積 (諸如，呈角度之喷濺、蒸發，或熱喷灑)之情況中，係至少 10 於基質68之側壁上形成。於形成第二塗覆物84期間，第 一強度促進材料層（同樣地未不出）相似地一般係於覆蓋於 基質68頂部上之第一強度促進材料層之部份上形成，且於 呈角度沈積之情況中，係至少於覆蓋基質68側壁之第一強 度促進材料層之部份上形成。若要的話，第6圖方法中之 15用以避免光反射材料層形成光反射塗覆物74期間形成於基 質68上之任何技術一般於此可被使用，以避免任一強度促 進材料層於基質68上形成，或避免第二強度促進材料層於 基質68上形成之第一強度促進材料層上形成。 光反射層70其後係以一般係相同於第6圖方法中使層 20 70形成於基質68及光反射塗覆物74上之方法於黑色基質 68及第二塗覆物84上形成。參見第9e圖。特別地，可輕 易被轉化成氣體之一般呈固體材料之中間層（未示出）係於 黑色基質開口内形成，以剛好覆蓋或幾近覆蓋於此等開口 内之強度促進塗覆物84及82及磷粒子72。中間層可再次 56 557467 藉由使漆沈積於黑色基質開口及使漆乾燥而產生。任何用 於第6圖方法以避免漆沈積於基質68頂部上或位於基質68 頂部上之任何材料上之技術可於此用於相同目的。 藉由使漆沈積完全，光反射層7〇藉由使所欲光反射材 5 料沈積於中間漆層上而產生。此結構被加熱以使中間層轉 化成氣體，其經由層7〇内之穿孔脫離，藉此移除中間層。 第9e圖之結構係第7圖之發光元件80。 對於其間每一填粒子72之部份外表面以被建構成逐 漸減少折射率之m個強度促進塗覆物覆蓋如此每一塗覆物 10 與其間粒子72最接近面板64處間隔開之情況，第9圖之 方法描述涵蓋其間m係2之情況。於其間m大於2之情況， 每一第i個強度促進塗覆物（其間整數i係從3至m改變） 係藉由如上於第9圖方法中之用以沈積第二強度促進材料 以於相伴之第一強度促進塗覆物82上形成每一第二強度促 15 進塗覆物84所述之任何方式而沈積適當之第i個強度促進 村料，而於相伴之第（i-Ι)個強度促進塗覆物上形成。依第i 個強度促進材料之沈積如何施行而定，第i個強度促進材 料片可累積或不累積於每一發光區域66之粒子72間之空 間内之面板64上，或於位於面板64之上表面上之其它強 20 度促進材料上。 i仍係從3至m改變，第i個強度促進材料層一般係於 覆蓋於黑色基質68頂部上之第（i-Ι)個強度促進材料層之一 部份上形成，且於呈角度之沈積之情況，係至少於覆蓋基 質68側壁之第屮丨)個強度促進材料層之部份上形成。覆蓋 57 557467 於基質68上之第i個強度促進材料層因覆蓋於基質68上 之第二強度促進材料層典型上係有利之相同理由而係有利 的。於基質68上或於沈積於基質68上之較早沈積之強度 促進材料上之第i個強度促進材料層之形成可以如上之於 5第6圖方法中之形成光反射塗覆物74期間之避免光反射材 料層於基質68上形成所指定者之任一方式避免。無論如 何’光反射層70係以與第9圖之方法中之層70於基質68 上（包含於任何覆蓋其上之強度促進材料上，及於第二強度 促進塗覆物84上)之相同方式於基質68上（包含覆蓋於基質 10 68上之任何強度促進材料上，及於第m個強度促進塗覆物 上)形成。 第l〇a-10j圖（統稱”第1〇圖，，)描述一種依據本發明之 製備第8圖之發光元件80之實行之方法。第10圖方法之 起始點係面板64。參見第i〇a圖。面板64典型上係藉由提 15供玻璃板上表面（未示出）薄的介電材料透明層（同樣地係未 個別不出）而產生。 黑色基質68之黑色層86係形成於面板64上，如第 l〇b圖所示。層86之形成係藉由先於面板64上提供層86 之所欲硬黑色材料敷層而施行。依敷蓋硬黑色層之組成而 20定，其可，例如，藉由沈積程序或藉由沈積/氧化程序形成。 使用適當之阻光罩（未示出），敷蓋硬黑色層之部份被選擇性 地移除以產生層86。 上述周圍電極(未示出）現於用以作為發光元件80之活 性部之區域外側形成。周圍電極可經由遮蔽罩篩網印刷或

5S 557467 沈積。另外，周圍電極材料讀層可使㈣當遮 阻光罩)於周圍電極材料自活性元件部移除 ::: 構上。 此結 黑色基質68之上層88於下層86上形成以完 5質之形成。參見第科上層⑽之形成係藉由先：: 構之上表面提供適當光化聚合物材料之敷層而進行。〜 型上需要沈積光化聚合物材料及將其適當供烤。聚 料被選擇性地曝光於適當光化輻射(例如，紫外線^其^

被曝光或未被曝光之聚合物材料依聚合物材料是否係正 10調或負色調而移除。剩餘之聚合物材料被供烤及固化 生層88。 度 保護層90，當存在時，係沈積於黑色基質抑上及於 黑色基質開口内，如第10d圖所示。遮蔽罩被用於周圍元 件區域以聽層9G之材料累積於周圍電極上。 15 祕緣之電荷移除層66，當存在時，係個呈角度之

沈積技術(典型上係呈角度之蒸發)被沈積於此結構之頂部 (即，於保護層9G，當其存在)上。參見第IGe圖。呈角度 之喷滅或呈角度之熱喷灑亦可被用以形成電荷移除層％。 呈角度之沈積係以與面板64垂直地適當延伸之線呈適當傾 20斜角施灯。傾斜角係足夠大，而使層96於保護層90之頂 部上形成且向下部份延伸於黑色基質開口内。遮蔽罩被用 以避免層96之電荷移除材料累積於部份製備之發光元件之 周圍區域。 其次，磷粒子72被提供於黑色基質開口（其以保護層 59 90覆蓋），以形成發光區域66，如第l〇f圖所示。區域66 之形成係以如上之第9圖方法所述般進行。黑色基質開口 内之固化黏著劑材料之移除較佳係藉由下述為之：（a)於低 酿(典型上係150。）及低壓（典型上係少於丨托耳），使黏著 讀料接^:電浆，典型上係含氧之電漿，⑻於高度真空使 ^結構於40(M5(TC加熱，典型上係2小日寺，及⑷重複此電 水二驟。粒子72内之有機殘留物於黏著辦除期間被轉化 成氣體，藉此自粒子72移除。 又退耋覆物82係以如上之第9圖方法所述之 2沈積於鱗粒子72上。參見第叫圖。於形成塗覆物82 強度促進材料層98係於黑色基質68上之電荷 移除層96上形成。坌_2全由7〇 每-發光進材料片92可同時累積於 發九&域66之粒子72間％ 層90上。於每一區述Μ / :間内之面板64上之保護 上之第#幻”之粒子72間之空間内之保護層90 Π;Γ材料片92之累積可如上所述般避免。 方式沈積― 度促進材料層98上形m進材料層⑽係於第一強 累積於每-發光區域66之餘=材料片-可同時 度促進材料片92上或面板64間之空_之第一強 之第二強度促進材料片94之 保遵層90h此等位置 光反射層7G係㈣上於第上所《避免。 黑色基質68上產4 a % 圖方法之於塗覆物84及 產生層70之所述方式於第二強度促進塗覆 / 。@上及於第二強度促進材料層100上形成。參見第l〇i =谈，額外層102被沈積於光反射層7〇上，如第1〇j 可，：。額外層102之沈積典型上係藉由噴濺為之，但 5 :或熱喷丨麗為之。第1Gj圖之結構8圖之發 先疋件80之實行。 比促進之爹覆物 10 15 第U圖例示平板CRT顯示器之部份活性區域之側截 面圖’其具有發射電子元件5G(再次係如上所述般建構）， 及相對置放之依據本發明賴之用以促進顯㈣之影像強 度或/及光學對比之發光元件11()。元件5〇及削經由外壁 (未示出）躺在-起，以形成_於高度真以再次地，典 盤上係不多於1〇·6技耳之内壓)之密封包體。沿經此密封包 體側向延伸之面觀看時，發光元件m之活性部具有一大 致與第5圖相同之平面圖。第11圖之顯示器典型上包含位 於元件50及U〇間之間隔物(再次以第5圖之例示間隔物 壁表示广且可具有位於顯示器各不同位置之吸氣材料。 杳光元件110含有組件64, 66，68及7〇，其係與第7 圖之發光元件80相同般建構、組成及仙。㈣，每 20 圖 圖

光區域66因此係以-般任意置放之發光雜子72形成。 雖然區域66之厚度，例如，以第η圖树1G之少於單声 例不’但W 66之厚度亦可技單層，再次地 …固單層且最高達3個單層或更多。黑色基f68再= 比區域66更尽描述，但可比區域66更薄。 依據本發明，發光元件110内之某些碟粒子72之每一 61 者之部份外表面係以強度促進塗覆物112及雜促進塗覆 ^14覆蓋。特別地，每一強度促進塗覆物112係保形地 覆蓋底層粒子72之部份外表面，以與其間粒子72最接近 面板64處相間隔開。每一對比促進塗覆物114保形地覆蓋 ;相伴之強度促進塗覆物112上，以覆蓋底層粒子Μ之部 /卜表面，且同樣地與其間粒子最接近面板64處間隔開。 每一發光區域66之對比促進塗覆物114形成區域66之不 連續對比促進層。 第11圖例示，因發光區域66之厚度係以少於單一層 例示，每一磷粒子72係被塗覆之粒子之情況。如上有關於 第7圖例子中之發光元件80所述，當區域66之厚度大於 單一層時，第11圖之發光元件11〇内之某些粒子72可為 未被塗覆。同樣地，元件110内是否具有任何未被塗覆之 粒子72係依諸如以單層計之區域66厚度及強度促進塗覆 物112及對比促進塗覆物114如何被形成等因素而定。 如下將進一步解釋，面板64之外表面之顯示器觀看區 域上呈現影像之光學對比因對比促進塗覆物114之位置及 特性而被促進。但是，塗覆物114本身未直接促進光學對 比。因此，”對比促進”一辭於此使用作為塗覆物113及任 何其它之諸如”對比促進”塗覆物之形容詞時，其係用以指 示以此塗覆物達成之功能，但非用以意指此塗覆物實際上 促進光學對比。 強度促進塗覆物112係相似於發光元件80之第一強度 促進塗覆物82而置放，且如下進一步描述，提供非常相似 557467 於藉由元件8G之塗覆物82及84提供之強度促進功能。依 塗覆物112如何形成而定，塗覆& 112可部份保形地覆蓋 被塗覆物粒子72之外表面之各部份。雖然於u圖中，發 光元件元件no之強度促進塗覆物112係以大致上覆蓋鱗 5粒子72之上半部，塗覆物U2可延伸於粒子72之下半部， 只要塗覆物112未接觸面板64。如塗覆物82般，塗覆物 112亦可覆蓋少於粒子72之上半部。 對比促進塗覆物114係以相似於發光元件8〇之第二強 度促進塗覆物84之方式置放，但其提供實質上不同之功 10能。於第11圖之例子，每一對比促進塗覆物114大致上覆 蓋所有相伴之強度促進塗覆物112。另外，每一對比促進塗 覆物114可僅覆盍相伴之強度促進塗覆物112之部份。對 比促進塗覆物114甚至可延伸超過強度促進塗覆物112以 接觸磷粒子72，只要對比促進塗覆物114未接觸面板64。 15 第11圖係以連續且未被穿孔例示每一對比促進塗覆 物114。但是，每一塗覆物ι14 一般係由數個彼此隔開之對 比促進部所組成。因此，每一塗覆物114 一般僅覆蓋相伴 之強度促進塗覆物112之部份。 光反射層70覆蓋於強度促進塗覆物ι12及對比促進塗 20覆物114上。層70典型上接觸一些或全部之對比促進塗覆 物114。因每一塗覆物114 一般僅覆蓋相伴之強度促進塗覆 物112之一部份，層70亦典型上接觸一些或全部之塗覆物 112。塗覆物112及114 一般係充分延伸於磷粒子72下而 至面板64，以使層70平均上僅與每一強度促進塗覆物112 63 557467 及相伴之對比促進塗覆物114之複合外表面之一部份呈保 形。由於一般存在於層70之穿孔或/及發光元件11〇如何 被製備，每一塗覆物112或114之至少部份外表面係接受 - 顯示器内部之高度真空。 5 依強度促進塗覆物112如何形成而定，強度促進材料 片（未示出）可被置放於每一發光區域66之磷粒子間之空間 内之面板64上。存在時，因為如上呈現之有關於可存在於 發光元件80内之每一區域66之粒子72間之空間内之面板 64上之強度促進材料片之理由，此等強度促進材料片典型 春 10 上不會具重大危害。 對比促進材料片（未示出）有時可被置放於每一發光區 域66之磷粒子72間之空間内之面板64之上表面上，或於 置放於面板64上表面上之強度促進材料片上。於此等位置 之此對比促進材料片之存在可為有利或不為有利。若此等 15位置之對比促進材料片之存在不利時，對比促進塗覆物114 之形成，如下將進-步探討，可以避免於前述位置處形成 對比促進材料片之方式實施。 鲁 強度促進材料片（未示出）可被置放於黑色基質68上。 對比促進材料層（未示出）可相似地被置放於基質68上，其 2〇係直接置放於基質68上，或若強度促進材料層存在時係i · 放於其上。強度促進材料層或/及對比促進材料層之存在典 型上不是有害，且有時係有利。當基質68含有被電子撞擊 時發出污染氣體之材料時，此等層之任一或二者可作為用 以降低進入顯示器内部之氣體含量之屏蔽。對比促進材料 64 層亦可促進底層基質68之光吸收功能。 強度促進塗覆物112之平均折射率nE係少於np，但大 於1，其中nP再次係磷粒子72之平均折射率。以折射率 ， 邱再次為2.0-3.0(典型上係2·3_2·4)，折射率nE 一般係 14-1.8(典型上係1.5-1.6)，係少於np。因每一塗覆物112 之一或多部份一般係遭受平板顯示器内部之高度真空，每 一粒子72及覆蓋其上之塗覆物112 一般係形成一種其間平 均折射率係自粒子72之nP(典型上係大於2)逐漸下降至覆 蓋其上之塗覆物112之nP然後沿覆蓋其上之塗覆物112之 · 10部份外表面之高度真空下降至約1之結構。 因如上有關於第7圖之發光元件8〇之強度促進塗覆物 82及84所呈現之理由，比缺乏塗覆物112時(但對比促進 塗覆物114仍存在，因此，係直接位於粒子72上）時於與 其間層70能最接近粒子72處間隔開之位置脫離粒子”向 15後移動(再次包含部份偏向）者更多之藉由磷粒子72發射之 向後光線一般係於與其間塗覆物112最接近光反射層7〇處 間隔開之位置脫離粒子72及強度促進塗覆物112向後行進 · (包含部份偏向）。脫離粒子72及塗覆物112之增加量之磷 發射之向後光線之一部份係以藉由層7〇向前折射至粒子 20 72側之方式射到層70上。大部份之向前折射行進之光線係 — 直接或於一或多個中間折射（包含折射離開粒子72)後通過 · 面板64。相較於若無塗覆物112(但對比促進塗覆物114仍 存在）時能發生者，向前之光線強度及因此之影像強度一般 被促進。 65 557467 自顯示器正面（即，自相對於發光區域66)經由面板64 觀看時，對比促進塗覆物114相當暗，較佳係大致上呈黑 色。因此，塗覆物114強力吸收周圍光線，此光線係射於 面板64外表面之顯示器正面上，通過面板64，然後通過碌 5粒子72及強度促進塗覆物112而到達對比促進塗覆物 114。藉由強力吸收周圍光線’塗覆物改良每一發光區域％ 之光學對比。即，於每一區域66被打開時(發射光線)與區 域66被關掉時（未發射光線）之間之光學對比被改良。因 此，於其一被打開且另一被關掉期間，塗覆物114改良此 10二區域66間之光學對比，特別是相鄰區域66。 對比促進塗覆物114亦吸收某些脫離磷粒子72及強度 促進塗覆物112及另外可被向前折射至磷粒子72之側面以 改良前向之光強度之磷發射之向後光線。因此，向前之光 強度非如缺乏對比促進塗覆物114時一樣高。因為塗覆物 15 I14能使顯不器影像之光學對比被改良，塗覆物112及114 之結合能使影像之藉由影像對比及影像強度之複合而決定 之整體可見度被促進。 20 強度促進塗覆物112可由各種於塗覆物112之厚度時 呈透明之電絕緣、電阻性或/以導性之㈣减。如強度 促進塗覆物82及84’作為塗覆物ιΐ2之適當透明材料包含 電絕緣體氧她、氮切、氧切、氧化鎂及氧化纪。二 或更^之此電絕緣體可仙於塗覆物⑴以達颜欲之折 射率nE值。於典型之眚由

、 之貫施中，塗覆物112係由折射率nE 為1.4 - 1.5之氧化矽所組成。 66 557467 對比促進塗覆物114可由各種於塗覆物114之厚度呈 不透明且非常暗（較佳係黑色）之電絕緣、電阻性或/及電導 性材料組成。暗色不透明之金屬氧化物及金屬氮化物係適 於塗覆物114。適當之暗色不透明金屬氧化物包含氧化鉻及 5氧化鈦。留意金屬陶瓷由具被包埋之金屬粒子之陶瓷所組 成，暗色不透明之金屬陶瓷亦適於塗覆物114。 強度促進塗覆物112及對比促進塗覆物114之存在造 成藉由電子發射元件50内之區域58所發射及射於磷粒子 72上之電子能量之小量損失。因此，塗覆物U2及ι14典 10型上係製成儘可能薄。強度促進塗覆物112之平均厚度係 1 - 150 nm，典型上係15 。對比促進塗覆物1H之平均 厚度係1 - 50 nm，典型上係5 nm。 發光元件110可以各種不同方式改良。於每一發光區 域66内覆蓋於磷粒子72上之對比促進塗覆物114可被轉 15 化成該區域66之連續對比促進層。此連續對比促進層可 於，例如，每一區域66之粒子72間之空間上被穿孔或未 被穿孔。連續對比促進層可比個別塗覆物114接觸強度促 進塗覆物112及粒子72更少表面積。 第12圖描述依據本發明之發光元件110之實行之部份 20 活性部之側截面圖。除如下所述外，第12圖之元件10含 有與第11圖之元件11〇般相同地建構、構成及作用之元件 64, 66, 68, 70, 72, 112 及 114。因此，第 12 圖之元件 110 之發光元件66之厚度係以少於單一層例示，但其可大於單 一層。除如下所述外，第12圖之元件11〇亦含有與第8圖 67 557467 之發光兀件80之實行相同地建構、構成及作用之元件祕, 88, 90, 96及102。關於此事，第12圖之元件ιι〇内之黑色 基質68係由下黑色層86及上層88組成。 形成強度促進塗覆物112之材料片116於第12圖之例 5子中係以置放於每一發光區域66之磷粒子72間之空間下 之黑色基質開口底部之保護層9〇上而顯心依強度促進塗 覆物112如何產生而定，強度促進材料片ιι6可能不存在 於第12圖之發光元件no之實行。 強度促進材料層118位於電荷移除層96上。對比促進 10材料層120位於強度促進材料層118上。相似於對比促進 塗覆物114’對比促進材料層120典型上由數個彼此間隔開 之部份組成。光反射層70係如上所述般延伸於對比促進塗 覆物114及強度促進塗覆物112上及對比促進材料層12〇 上。因對比促進材料層12〇未完全覆蓋強度促進材料層 15 118，層70典型上接觸強度促進材料層ι18之部份。 第13a-13e圖（統稱，，第π圖，，)描述自第6b圖階段起始 之依據本發明製備第11圖之發光元件110之^ —般方法。參 見第13a圖’其係重複第6b圖，因此亦係重複第9b圖。 磷粒子72被引入黑色基質開口内以形成發光區域66,如第 2〇 13b圖所述。區域66之形成係以如上對第6圖方法所述之 方式施行，但如第9圖之方法中，於第13b圖之例子中， 區域66之厚度係以少於單一層例示。 強度促進塗覆物112係藉由於與其間粒子72最接近面 板64間隔開之位置處之鱗粒子72之部份外表面上提供所 68 欲之強度促進材料而形成。參見第13C圖。塗覆物112之 形成係依據用以產生第9圖之方法中之第—強度促進塗覆 物82所用之任何技術施行。 5 51度促進材料片（未示出）可於形成強度促進塗覆物 5 112期間累積於每一發光區域6 6之磷粒子7 2間之空間内 面板64上。若要的話，第6圖方法中之任何用以避免^ 射材料片累積於每-區域66之粒子72間之空間内之面板 64上之手段於此可被用以避免強度促進材料片相似地累積 於面板64上。當呈角度之沈積（-般係呈角度之蒸發，但 10另外可為呈角度之喷_呈角度之熱噴灑)㈣以形成塗 覆物112，傾斜角α(—般係5-45。，典型上係15_2〇。）係 足夠大，使粒子72可作為實質上避免任何強度促進材料累 積於每一區域66之粒子72間之空間内之面板64上之屏蔽。 於形成強度促進塗覆物112期間，強度促進材料層（未 15示出）一般係於黑色基質68頂部上形成，且於呈角度沈積 之情況，係至少於基質68之側壁上形成。若要的話，第6 圖方法中之任何用以避免光反射材料層於光反射塗覆物74 开/成期間累積於基質68上之技術一般可於此被用以避免強 度促進材料層於基質68上形成。 20 對比促進塗覆物其後藉由於強度促進塗覆物ι12 上提供所述之對比促進材料而形成，以使對比促進塗覆物 114與其間磷粒子72最接近面板64處間隔開。參見第13c 圖。受制於因發光元件52内之光反射塗覆物74之材料不 同於對比促進材料而產生之任何差異，塗覆物1〗4典型上 69 557467 係依據用於產生第6圖方法中之塗覆物7 4之任何技術於高 度真空環境中形成。 若要的話，對比促進塗覆物114可以使實質上無雜 促進材料累積於每-發光區域66之磷粒子72間之空間内 .

5之面板64上或於位於面板64之上表面上之強度促進材料 片上之方式產生。第6圖方法中之任何用以避免塗覆物74 之光反射材料累積於面板64之上表面上之手段可於此被用 以避免對比促進材料片累積於每一區域66之粒子72間之 空間内之面板64上。 H 1〇 呈角度之沈積（一般係呈角度之噴濺，但另外可為呈角 度之蒸發或呈角度之熱喷灑）可被用以產生對比促進塗覆 物114。呈角度之沈積係以與一般係垂直於面板而延伸 之直線（第13d圖中以線p表示）呈傾斜角α而施行。傾斜角 α(般係5-45。，典型上係15-20。）係足夠大，使磷粒子 2及任何覆蓋其上之材料作為實質上避免任何對比促進材 料累積於面板64之上表面上或於面板64上形成之強度促 進材料片上之屏蔽。 · 於形成對比促進塗覆物114形成期間，對比促進材料 層（未示出）一般係於覆蓋於黑色基質68上之強度促進材料 層上形成。對比促進材料層係於係於位於基質68頂部上之 強度促進材料層之部份上形成，及於呈角度之沈積之情 · ;兄’係於覆蓋基質68側壁之對比促進材料層之部份上形 成。若要的話，任何用以於第6圖方法中之形成光反射塗 覆物74期間避免光反射材料層累積於基質68上之技術可 70 557467 於此被用以避免對比促進材料層於基質68上形成或於形成 於基質68上之強度促進材料層上形成。 光反射層70係以一般與第6圖方法中層70於基質68 及光反射塗覆物74上形成之相同方式於黑色基質68及對 5比促進塗覆物114上形成。參見第Bd圖。特別地，可被 輕易轉化成氣體之一般呈固體之材料（典型上係乾燥漆)之 中間層（未示出）係於黑色基質開口内形成，以便剛好覆蓋， 或幾近覆蓋，此等開口内之塗覆物114及112及磷粒子72。 第6圖方法中使用之用以避免漆累積於基質68頂部上或於 10基質68頂部上之任何材料上之任何技術可於此被用於相同 目的。於沈積層70後，此結構被加熱以藉由使其轉化成氣 體而移除中間層，此氣體係經由層7〇之穿孔脫離。第13d 圖之結構係第11圖之發光元件110。 第14a-14e圖（統稱”第14圖，，)例示依據本發明之自第 15 1〇f'圖階段起始製備第12圖之發光元件110之實行之方 法。參見第14a圖，其係重複第i〇f圖。 強度促進塗覆物112係以如上之第13圖方法所述之方 式沈積於鱗粒子72上。參見第14b圖。於形成塗覆物ιι2 期間，強度促進材料層118係於基質68上之電荷移除層96 20上形成。強度促進材料片116同時累積於每一發光區二％ 之粒子72間之空間内之面板64上之保護層9〇上。強度促 進材料片116累積於先前位置之保護層9()上可以上述方式 避免。 對比促進塗覆物114係以如上之第13圖方法所述之方 71 557467 式沈積於強度促進塗覆物112上。參見第i4e圖。於形成 對比促進塗覆物114期間，對比促特制12G係於強度 促進材料層118上形成。對比促進材料片（未示⑴可同時累 積於強度促進材料片116上，或若無片116時累積於每一 發光兀件66之磷粒子72間之空間内之面板64上之保護層 90上。於此等位置之對比促進材料片之累積可以上述方式 避免。 光反射層70係以如上之第13圖方法中之於塗覆物114 及黑色基質68上產生層70之方式於對比促進塗覆物114 10及對比促進材料層丨2〇上形成。參見第l4d圖。最後，額 外層102以與第1〇圖方法相同之方式沈積於光反射層7〇 上。弟14e圖之形成結構係第12圖之發光元件11〇之實行。 第15圖例示用以促進影像強度或/及光學對比之依據 本發明建構之發光元件128之部份活性部之側截面圖。發 15光元件128基本上係第11圖之發光元件110之延伸，因此 可取代第7圖之平板CRT顯示器内之元件110。除如下所 述外’元件128含有與第7圖之元件110相同般構成、建 構及作用之組件64, 66, 68, 70, 72及114。因此，每一對比 促進塗覆物114 一般係由數個彼此間隔開之部份。 20 代替強度促進塗覆物112，發光元件128含有第一強 度促進塗覆物82及第二強度促進塗覆物84，其係與第7 圖之發光元件80相同地建構及構成。因此，每對相伴之強 度促進塗覆物82及84覆蓋一磷粒子72之部份外表面。對 比促進塗覆物114係以第11圖之發光元件110内將塗覆物 72 557467 114置放於強度促進塗覆物之相同方式個別置放於此間之 第二強度促進塗覆物84上。因此，每一對比促進塗覆物114 僅覆蓋部份之相伴之第二強度促進塗覆物84。平均折射率 因而從每一粒子74經覆蓋其上之強度促進塗覆物82及以 5至沿第二強度促進塗覆物84之部份外表面之高度真空逐漸 減少。 因如上有關於第7圖之發光元件80之強度促進塗覆物 82及84所呈現之原因，比缺乏塗覆物82及84(但對比促 進塗覆物114仍存在，因而直接位於粒子72上）時能於與 10其間粒子72最接近層70處間隔開之位置脫離粒子72而後 移（再次包含部份偏移）者更多之藉由磷粒子72發射之向後 光線於與其間第二塗覆物84最接近光反射層7〇處間隔開 之位置脫離粒子72及塗覆物82及84而向後行進（包含部 份偏移）。增加量之脫離粒子72及塗覆物82及84之磷發 15射之光線之一部份以被向前折射至發光元件128内之粒子 72側面之方式射於層70上。因此，元件128内之向前之光 線強度及影像強度被促進。元件128内之促進比第u圖之 元件110内更大。因為比第11圖之元件11〇内更多之強度 促進塗覆物覆蓋於元件128内之每一粒子72上。 20 相似於發生於第11圖之發光元件110内者，元件128 内之對比促進塗覆物114吸收磷發射之向後光線，其係脫 離碟粒子72及強度促進塗覆物82及84，且其可能被向前 折射以改良向前之光強度。向前之光強度再次地係非如同 缺乏對比促進塗覆物114時一樣高。然而，影像之整體可 73 557467 見度被促進，其係因塗覆物114能使光學對比被改良。 ίο 發光元件128可以各種方式改良。如於發光元件ιι〇, 覆蓋於每-發光區域66内之璘粒子72上之對比促進塗覆 物114可被轉化成連續之對比促進層，其可於每—區域的 之粒子72間之空間上之位置被穿孔絲被穿孔^每一粒子 72可以多於二健度促缝覆物部份覆蓋，以使平均折射 率自粒子72逐誠少。-般，每—粒子7 W外表面 可以m個具有如上之對於第7圖之發光元件80之相對應改 良而描述之性質（包含逐_少之平均折射率）之強度促進 塗覆物覆蓋°第15圖之例子係呈現其間2之情況，多 於二個強度促進塗覆物之置永係於m大於2時被實行。 15

第16圖例不依據本發明之發光元件128之 =則戴面圖。除如下所述外，第_之元件J: Γ68 :，128相同般建構、構成及作用之元件K 件⑶亦含有士笛。除如下所述外，第16圖之元 之元件86 Co之元件8〇相同般建構、構成及作用 ，〇,92,94,96,98,100 及 102。依強度促進塗 覆物82及84杯y 士 -綠译#、 何產生而定，第一強度促進材料片92及第 20 一:進#料片94可不出現於第16圖之元件128内。 ^ ^圖之發光元件128係以與第15圖之元件128 同於第11圖夕· 光元件no,即牛：〇之相同方式而不同於第12圖之發 第16圖之元件128内之強度促進塗覆物 82及84取代楚 罘12圖之元件11〇内之強度促進塗覆物u 因此’苐+ 一 岡之元件110内之強度促進材料層118於第16 74 圖之元件128中以第一強度促進材料層98及覆蓋其上之第 二強度促進材料層100取代。第一強度促進材料層98再次 位於電荷移除層96上，對比促進材制m位於第二強度 促進材料層100上。 5 第15圖之發光元件128依據本發明且依第13圖之一 般方法製備’但強度促進塗覆物82及84取代強度促進塗 覆物112。元件128之塗覆物82及84魏據第9圖方法形 成。第16圖之元件128係、依據本發明且依第14圖方法相 似地製備，但強度促進塗覆物82及84取代強度促進塗覆 10物112 ’第一及第二之強度促進材料層98及100取代強度 促進材料層118,且第一及第二之強度促進材料片92及94 取代強度促進材料片116。強度促進材料層％及⑽，及 強度促進材料片92及94(當存在時)係於形成塗覆物幻及 84期間依據第10圖方法形成。 15度促進及光反射之涂得物^ 第17圖描述依據本發明建構之用以提供促進之影像 強度之發光元件130之部份活性部之側截面圖。元件⑽ 係平板CRT顯不器之一部份，此顯示器包含相對置放之發 射電子元件(典型上係發射電子元件5〇)，其係經由外壁(未 2〇不出）連接至發光元件130而形成維持於高度真空之密封包 再次地，典型上係不多於1〇·6托耳繩。間隔物(如 15圖中以間隔壁54例示)典型上係置放於元件％及⑽ 之間。元件130之活性部具有相致上相同於第5圖之平面 75 557467 發光元件130含有與第η圖之發光元件lio相同般建 構、構成及作用之元件64,66,68及7〇。為了簡單，發光 區域厚度再次於第17圖之元件11G以少於單一層例示。然 而，如第4及5圖之發光元件52，區域66之厚度於第17 5圖之疋件130可大於單一層。黑色基f 68雖然以比區域的 更厚而描述，但其可比區域66更薄。 發光元件130内之某些碟粒子72之每一個之部份外表 面依據本發明係以強度促進塗覆物112及光反射塗覆物74 覆蓋。強度促進塗覆物112係以相同於第u圖之發光元件 10 110之方式置放於元件130内之粒子72上。因此，每一粒 子112在此係以與其間粒子72最接近面板料處間隔開之 方式保形地覆蓋底層粒子72之部份外表面。每—光反射塗 覆物74保形地覆蓋於相伴之強度促進塗覆物112上，以覆 蓋於底層粒子72之部份外表面上且同樣地與其間粒子72 15 最接近面板64處間隔開。 依強度促進塗覆物112如何於發光元件13〇内形成而 定’強度促進材料片（未示出）可被置放於每一發光區域66 之磷粒子72間之空間内之面板64上。當於元件13〇存在 時，因如上呈現之與會於發光元件8〇内之面板64之上表 2〇面上存在之相似強度促進材料片有關之理由，此等強度促 進材料片典型不具重大危害，且可能有利。 強度促進材料層（未示出）可被置放於發光元件13〇内 之黑色基質68上。形成塗覆物74之光反射材料層（未示出） 可相似地被直接置放於基質68上，或被置放於強度促進材 76 557467 料層上（當存在時）。強度促進材料層或/及此額外之光反射 材料層典型上非有害，且可能有利。若基質68於受電子撞 擊時發出污染氣體，此等層之任一或二者可作為降低進入 顯示器内部之此等氣體之量之屏蔽。若此額外之光反射層 由金屬組成’當文電子撞擊時，此額外之光反射層可有助 於使電子電荷自碟粒子72移除。此額外之光反射層亦可光 反射層70合作以作為顯示器之陽極。 光反射層70覆蓋於光反射層74及強度促進塗覆物112 上。如第4及5圖之發光元件52，層7〇於此典型上係接觸 1〇某些或全部之光反射塗覆物74。塗覆物74 —般係充分延伸 於磷粒子72下而至面板64，以使層7〇平均上僅與每一塗 覆物74之部份外表面呈保形。由於一般存在於層7〇内之 穿孔或/及發光元件13〇如何製造，每一塗覆物74之外表 面之至少一部份係遭受顯示器内部之高度真空。 15 除了保形地接觸強度促進塗覆物112外（而非磷粒子 72) ’光反射塗覆物74具有與第4及5圖之發光元件52相 同之基本性質。雖然第17圖以連續且未穿孔顯示，塗覆物 72 —般係被穿孔。每一塗覆物74可被分成數個彼此間隔開 之部份。簡言之，每一塗覆物74 —般僅覆蓋相伴之強度促 2〇 進塗覆物112之一部份。因此，每一強度促進塗覆物ι12 之部份外表面一般係遭受顯示器内部之高度真空。 強度促進塗覆物112具有與此間第7圖之發光元件80 内相同之特性，包含光反射性質。因為每一塗覆物112之 外表面之一或多部份一般係遭受顯示器内部之高度真空， 77 557467 每一磷粒子72及覆蓋之塗覆物112 —般係形成其間平均折 射率從粒子72經覆蓋之塗覆物112至沿塗覆物112至少一 部份之尚度真空而逐漸減少之結構。 相似於第11圖之發光元件110内發生者，比缺乏塗覆 5物112(但光反射塗覆物74仍存在，因此直接位於粒子72 上）時於與其間粒子72最接近層70處間隔開之位置處能脫 離粒子72而向後移動（再次包含部份偏向）更多之藉由發光 元件130内之磷粒子72發射之向後光線於與其間塗覆物 112最接近光反射層7〇間隔開之位置處脫離粒子72及強度 10 促進塗覆物112而向後行進（包含部份偏向）。脫離粒子72 及塗覆物112之增加量之磷發射之向後光線之一部份係以 被向前折射至粒子72側面之方式射於層70上。向前之光 線強度因而可被促進。 磷發射之向後光線之一部份通過強度促塗覆物112， 15 被折射離開光反射塗覆物74，通過磷粒子72，然後通過面 板64。此可進一步增加向前方向之光線強度。塗覆物72 及112可因而產生顯示器影像強度之增加。因此，塗覆物 74及112與層70之結合可提供比僅以層70或僅以塗覆物 74及112而能產生者更大之向前之光線強度及影像強度。 20 如於發光元件52内者，當由金屬鎂、鈦、釩、鉻、錳、 鐵、姑、鎳、銅、錯、銳、鉬、把、銀、鋇、鈕、鎢、鉑、 鉛及钍之一或更多種或此等金屬之一或多種之合金組成 時，光反射塗覆物74係作為吸氣物。同樣地，發光元件13〇 内之塗覆物74可另外或額外地以金屬鎂、鉻、錳、鈷、鎳 78 及起之❹種之氧化物形成。然後，塗覆物74可於氣體 脫離粒子72附近而於其它處造成損害前吸收藉由磷粒子 72釋放之π染氣體(特別是含硫之氣體） 。因為光反射層70 被穿孔，塗覆妨；74介1 復奶4亦可吸收於顯示器内部產生且通過層70 之巧染乳體。於元件13〇之-具體例中，塗覆物74實質上 由鈀或/及鉻組成。 、、發光元件130可以各種不同方式改良。每一強度促進 塗覆物112可以二或更多之從底層麟粒子”移動逐漸減少 之平均折射率之強度促進塗覆物取代。-般，每-粒子72 10之部份外表面可以m個具有如上之對發光元件8〇及⑽ 之改良所述之性質（包含逐漸減少之平均折射率）之強度促 進塗覆物覆蓋。光反射塗覆物74被置放於第m個強度促進 塗覆物上。 第18圖描述依據本發明之發光元件130之實行之部份 15活性部之側截面圖。除如下所述外，第18圖之發光元件13〇 含有與第17 ®之元件130内相同般建構、構成及作用之組 件64, 66, 68, 70, 72, 74及112。除如下所述外，第18圖之 元件130亦含有與第12圖之發光元件11〇内相同般建構、 構成及作用之組件86, 88, 90, 96, 102, 116及118。依強度 20促進塗覆物I12如何產生而定，強度促進材料片116可不 存在於第18圖之元件130。 於第18圖之發光元件130中，形成光反射塗覆物74 之光反射材料層132係位於強度促進材料層118 丄* it 於塗覆物74上之光反射層70亦延伸於光反射材料層 79 第17圖之發光元件130係依據本發明且依第13圖之 一般方法製備，但光反射塗覆物74取代對比促進塗覆物 114。第17圖之元件13〇内之光反射塗覆物％係依據第6 圖之方法形成。第18圖之元件13〇係依據本發明且依第14 圖之方法製備，但光反射層74取代對比促進塗覆物114， 且光反射材料層132取代對比促進材料層12〇。光反射材料 層132係於塗覆物74之光反射材料沈積期間於強度促進材 料層118上形成。 全體考量及一步變化 各有發光元件52, 80, 110, 128及130之平板CRT顯示 器内之不同地覆蓋於磷粒子72上之塗覆物74, 82, 84, 112 及U4係位於每一發光元件52, 80, 110, 128及130之發射 電子το件50與粒子72之間。藉由元件5〇之區域％發射 之電子之主要部份係於到達粒子72前撞擊此等顯示器内之 塗覆物74, 82, 84, 112及114。當藉由元件50發射之電子 撞擊時，塗覆物74, 82, 84, 112及114不會重大地變成揮發 性（氣態）。因此，顯示器之很小量污染因電子直接撞擊塗覆 物 74, 82, 84, 112 及 114 而發生。 因藉由發射電子元件50之區域58發射之電子移向磷 粒子72，粒子塗覆物74, 82, 84, 112或/及114作為粒子72 之屏蔽。此等屏蔽降低於缺乏塗覆物74, 82, 84, 112及il4 時粒子72會進行之腐蝕之量。再者，屏蔽部份包埋粒子 72。重要地，藉由塗覆物74, 82, 84, 112及114提供之部份 557467 包埋係於其間粒子72於藉由元件50發射之電子撞擊時最 可能產生氣體之位置發生。因此，此等塗覆物之屏蔽重大 地抑制藉由粒子72產生之氣體，特別是當高能電子撞擊粒 子72時自離開粒子72附近產生之氣體。如上所述，塗覆 5 物可作為用以吸收污染氣體（特別是含硫之污染氣體）之吸 氣物。因此，塗覆物74, 82, 84, 112及114大量地降低藉由 以粒子72產生之污染氣體造成之受損量。淨結果係大量改 良顯示器性能及壽命。 受制於以上述方式製備發光元件52, 80, 110, 128及 10 130，每一本發明之平板CRT顯示器一般係以下列方式製 備。發射電子元件50係個別自發光元件52, 80, 110, 128及 130製備。内部撐體(諸如，間隔壁)被置於發射電子元件50 上或發光元件52, 80, 110, 128或130上。發射電子元件50 其後經由上述外壁且以使被組合密封之顯示器係於非常低 15 之内壓（典型上不多於10_6托耳）之方式密封至發光元件52, 80, 110, 128 或 130 。 方向性之用辭（諸如，”側面”、”垂直上方”及”下向”) 已被用以描述本發明以建立藉此使讀者能更易瞭解本發明 各不同部份如何裝備在一起之參考框架。於實際實施，平 20 板CRT顯示器之組件可以不同於此間所用之方向性用辭所 意含之位向置放。因方向性用辭被用於方便於便於描述， 本發明包含其間位向不同於此間使用之方向性用辭所嚴格 涵蓋之實行。相似地，”橫排”及”縱列”等辭係彼此任意相 對，且可被轉換。 81 557467 雖然本發明已參考特殊具體例描述，此描述僅為了例 示之目的，而非被作為限制如下界定之本發明範圍而解 釋。第4及5圖之發光元件52可以刪除第18圖之強度促 進塗覆物112及強度促進材料層116之第18圖之發光元件 5 I30所示者實行。再次地，元件52之此一實行中之發光區 域66之厚度可大於或少於單一層。 強度促進塗覆物112可於第n圖（包含第12圖之實行) 之發光元件110中被刪除，以使對比促進塗覆物114直接 位於磷粒子72上。強度促進材料層118則可自第12圖之 10 70件ηο刪除。第11或12圖之元件110之此一改變中之 每-塗覆物114再次典型上係由數個彼此間隔開之部份所 組成。 15 20

當母一發光區域66之厚度大於單一層（例如，15個 -層至最高達3個單-層或更多），對比促進塗覆物叫 時可於第11 S1之發光元件11〇刪除。光反射層7〇則直 位於強度促進塗覆物112上。於第12圖之元件ιι〇之實 中，對比促進材料層120㈣位於強度促進材料片ιΐ6 或，若無片116時位於每一區域66之碌粒子^間之空 内之保護層上’之任何對比促進材料片_起被刪除。元 110之此一變化之實行係以如上所述方式施行，但對比促 材料之沈積自製備方法刪除。當每一區域 田母眭域％之厚度顯著 小於單-層時’科⑽有時亦被改良而刪 覆物114。 場發射包含-般稱為表面導性發射之平面現象。各種 82 557467 改良及應用因而可由熟習此項技藝者在未偏離如所附申請 專利範圍中界定之本發明之範圍及精神下為之。 I：圖式簡單說明】 第1圖係傳統平板CRT顯示器之部份活性區域之截 5 面側視圖。 第2及3圖係傳統平板CRT顯示器之發光元件之二 具體例之部份活性區域之截面側視圖。 第4圖係具有依據本發明建構之發光元件之平板 CRT顯示器之部份活性區域之截面側視圖。 10 第5圖係第4圖之平板CRT顯示器（特別是發光元件) 之部份活性區域之截面平面圖。第4圖之截面係沿第5圖 之4-4面取得。第5圖之截面係沿第4圖之5-5面取得。 第6a-6e圖係表示製備依據本發明之第4及5圖之發 光元件之步驟之截面側視圖。 15 第7圖係具有依據本發明建構之發光元件之另一平 板CRT顯示器之部份活性區域之截面側視圖。 第8圖係第7圖之發光元件之實行之部份活性部之截 面側視圖。 第9a-9e圖係表示自第6b圖之階段起始之製備依據 20 本發明之第7圖之一般發光元件之步驟之截面側視圖。 第10a-10j圖係表示製備依據本發明之第8圖之實行 之步驟之截面側視圖。 第11圖係具有依據本發明建構之發光元件之另一平 板CRT顯示器之部份活性區域之截面側視圖。 83 557467 第12圖係第11圖之發光元件之實行之部份活性部份 之截面側視圖。 第13a-13e圖係表示自第6b圖之階段起始之製備依 據本發明之第11圖之一般發光元件之步驟之截面側視圖。 5 帛14a-14e目係表示自帛l〇f圖之階段起始之製備依 據本發明之第12圖之實行之步驟之截面側視圖。 第15圖係依據本發日月建構且可取代第u圖發光元件 之發光元件之活性部之截面側視圖。 第16圖係依據本發明建構且可取J戈第12圖之實行之 10發光元件之活性部之截面側視圖。 第17圖係依據本發明建構之另一發光元件之活性部 之戴面側視圖。 第18圖係第17圖之發光元件之實行之活性部之截面 側視圖。 15 _同樣參考符號於圖示及較佳具體例之描述中被用以表 示相同（或非常相似）之項目。 【圖式之主要元件代表符號表】 20發射電子元件 22發光元件 24背板 26發射電子區域 28電子集中系統 30電子行程 32面板 34發光區域 36黑色基質 38光反射層 40透明基材 42磷粒子 44塗覆物 46鋁層 84 557467 48氧化物塗覆物 50發射電子元件 52發光元件 54間隔器壁 56電絕緣背板 58發射電子區域 60電子集中系統 62電子行程 64電絕緣面板 66發光區域 68具圖案之阻光區域 70光反射層 72磷粒子 74光反射塗覆物 80發光元件 82第一強度促塗覆物 84第二強度促進物 86下黑色層 88具圖案之上層 90保護層 92形成第一強度促進塗覆物之材料片 94形成第二強度促進塗覆物之材料片 %電非絕緣之電荷移除層 98第一強度促進材料層 1〇〇第二強度促進材料層 102額外層 110發光元件 112強度促進塗覆物 113塗覆物 114對比促進塗覆物 116形成強度促進塗覆物材料片 118強度促進材料層 120對比促進材料層 128發光元件 130發光元件 132光反射材料層

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Claims (1)

1. 557467 拾、申請專利範圍： 1. 一種發光元件，包含： 板材， 發光區域，其覆蓋於該板材之透光材料上，且包含數個 5 發光粒子，每一粒子具有外表面；及 一組光反射塗覆物，每一者一般係保形地覆蓋於該等發 光粒子之相對應不同一個之部份外表面上，以與其間該 發光粒子最接近該板材處間隔開。 2. 如申請專利範圍第1項之發光元件，進一步包含光反射 10 層，其係覆蓋於該發光區域上之該光反射塗覆物上，該 光射層於覆蓋該發光區域處係呈平的。 3. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中該光反射塗覆 物主要由金屬組成。 4. 如申請專利範圍第3項之發光元件，其中該光反射塗覆 15 物之該金屬包含鈹、棚、錢、銘、絡、猛、鐵、始、鎳、 銅、鎵、翻、纪、銀、銦、始、I它及鉛之至少一種。 5. 如申請專利範圍第4項之發光元件，其中該發光粒子包 含金屬硫化物磷。 6. 如申請專利範圍第3項之發光元件，其中該光反射塗覆 20 物之該金屬包含至少一第IIIB(13)族金屬。 7. —種發光元件，包含： 板材， 發光區域，其覆蓋於該板材之透光材料上，且包含數個 發光粒子，每一粒子具有外表面；及 86 557467 一組塗覆物，其包含至少一第IIIB(13)族金屬，每一塗覆 物一般係保形地覆蓋於該等發光粒子之相對應不同一個 之部份外表面上，以與其間該發光粒子最接近該板材處 間隔開。 5 8·如申請專利範圍第7項之發光元件，進一步包含光反射 層，其係覆蓋於該發光區域上之該塗覆物上，該光射層 於覆蓋該發光區域處係呈平的。 9.如申請專利範圍第7項之發光元件，其中該發光粒子包 含金屬硫化物磷。 ίο 1〇· —種發光元件，包含： 板材， 發光區域，其覆蓋於該板材之透光材料上，且包含數個 發射藍光之發光粒子，每一發光粒子具有外表面；及 一組塗覆物，其包含硼、鋁、鎵、銀、銦及鉈之至少一 15 種，母一塗覆物一般係保形地覆蓋於該等發光粒子之相 對應不同一個之部份外表面上，以與其間該發光粒子最 接近該板材處間隔開。 11·如申請專利範圍第10項之發光元件，其中該發光粒子 包含具銀取代之金屬硫化物磷。 20 12· 一種發光元件，包含·· 板材； 發光區域，其覆蓋於該板材之透光材料上，且包含數個 發射綠光之發光粒子，每一發光粒子具有外表面；及 組塗覆物，其包含侧、|g、銅、鎵、銦及及銘之至少 87 一種，每一塗覆物一般係保形地覆蓋於該等發光粒子之 相對應不同一個之部份外表面上，以與其間該發光粒子 最接近該板材處間隔開。 13·如申請專利範圍第12項之發光元件，其中該發光粒子 包含具鋼取代之金屬硫化物磷。 14· 一種發光元件，包含： 板材， 發光區域，其覆蓋於該板材之透光材料上，且包含數個 發光粒子，每一粒子具有外表面；及 一組塗覆物’其包含鈹、硼、鎮、銘、鈦、飢、鉻、鐘、 鐵、鈷、鎳、鋼、鎵、鍅、鈮、鉬、鈀、銀、銦、鋇、 钽、鎢、鉑、鉈、鉛、钍及鎂、鉻、錳、鈷、鎳及鉛之 至少一種之氧化物之至少一種，每一塗覆物一般係保形 地覆蓋於該等發光粒子之相對應不同一個之部份外表面 上’以與其間該發光粒子最接近該板材處間隔開。 15·如申請專利範圍第14項之發光元件，進一步包含光反 射層’其係覆蓋於該發光區域上之該塗覆物上，該光射 層於覆盖該發光區域處一般係呈平的。 16·如申請專利範圍第14項之發光元件，其中該發光粒子 包含金屬硫化物磷。 17· —種發光元件，包含： 板材； 發光區域’其覆蓋於該板材之透光材料上，且包含數個 發光粒子，每一粒子具有外表面；及 557467 一組吸氣塗覆物，每一者一般係保形地覆蓋於該等發光 粒子之相對應一個之部份外表面上，以與其間該發光粒 子最接近該板材處間隔開。 18. 如申請專利範圍第17項之發光元件，進一步包含光反 5 射層，其係覆蓋於該發光區域上之該吸氣塗覆物上，該 光射層於覆蓋該發光區域處一般係呈平的。 19. 如申請專利範圍第17項之發光元件，進一步包含光反 射層，其係覆蓋於該發光區域上之該吸氣塗覆物上，該 光射層於覆蓋該發光區域處係被穿孔。 10 20.如申請專利範圍第17項之發光元件，其中該吸氣塗覆 物係呈光反射性。 21. 如申請專利範圍第17項之發光元件，其中該吸氣塗覆 物包含錢、鈦、叙、鉻、猛、鐵、始、鎳、銅、錯、銳、 錮、ίε、銀、頷、组、鶴、始、船、钍及鎮、鉻、猛、 15 姑、鎳及錯之至少一種之氧化物之至少一種。 22. 如申請專利範圍第17項之發光元件，其中該吸氣塗覆 物吸收硫。 23. —種發光元件，包含： 板材， 20 發光區域，其覆蓋於該板材之透光材料上，且包含數個 發光粒子，每一粒子具有外表面；及 數個強度促進塗覆物，其係配置成m組，個別包含一組 第一強度促進塗覆物至一組第m強度促進塗覆物，其中 m係複數整數，每一第一塗覆物一般係保形地覆蓋於發 89 光粒子之相對應不同一個之部份外表面上，以便與其間 該發光粒子最接近該板材處間隔開，每一第i塗覆物一 般係保形地覆蓋第（i-Ι)塗覆物之相對應不同一個上，以 便覆蓋該相對應發光粒子之部份外表面上，藉此，與其 間該發光粒子覆蓋該板材處間隔開，i係從2至m改變 之整數，每一第一塗覆物係具有比相對應發光粒子更低 之平均折射率，每一第i塗覆物係具有比相對應第（i-1) 塗覆物更低之平均折射率。 24.如申請專利範圍第23項之發光元件，進一步包含光反 射層’其係覆蓋於該發光區域上之該強度促進塗覆物上。 25·如申請專利範圍第23項之發光元件，其中該強度促進 塗覆物包含電絕緣材料。 26·如申請專利範圍第23項之發光元件，進一步包含對比 促進層，其覆蓋於該強度促進塗覆物上，當自相對於該 發光區域且經由該板材觀看時，該對比促進層係呈現暗 色。 27. 如申睛專利範圍第26項之發光元件，其中當自相對於 該發光區域且經由該板材觀看時，該對比促進層主要係 呈現黑色。 28. 如申請專利範圍第26項之發光元件，其中該對比促進 層包含一組對比促進塗覆物，每一者一般係保形地覆蓋 於該第m強度促進塗覆物之相對應不同一個上。 29·如申請專利範圍第28項之發光元件，其中每一對比促 進塗覆物係由數個彼此間隔開之部份組成。 557467 3〇·如申請專利範圍第26項之發光元件，進一步包含光反 射層，其係覆蓋於該發光區域上之該對比促進層上。 31·如申請專利範圍第23項之發光元件，其中瓜係2。 · 32·如申請專利範圍第23狀發光元件，其巾❿係大於 5 33. —種發光元件，包含： 板材； 發光區域，其覆蓋於該板材之透光材料上，且包含數個 發光粒子，每一粒子具有外表面；及 -組強度促進塗覆物，每-塗覆物一般係保形地覆蓋於 鲁 10 該等發光粒子之相對應不同一個之部份外表面上， 與其間該發光粒子最接近該板材處間隔開，每一強度促 進塗覆物具有比相對應發光粒子更低之平均折射率，·及 對比促進層，其覆蓋於該強度促進塗覆物上，當從相對 於該發光區域且經該板材觀看時，該對比促進層係呈暗 15 色。 34·如申請專利範圍第33項之發光元件，其中當從相對於 該發光區域且經由該板材觀看時，該對比促進層主要係 鲁 呈黑色。 35·如申請專利範圍第33項之發光元件，其中該對比促進 2〇 層包含一組對比促進塗覆物，每一塗覆物一般係保形地 _ 覆盍於该4強度促進塗覆物之相對應不同一個上，以便 覆蓋於相對應發光粒子之部份外表面上，且與其間該發 光粒子最接近該板材處間隔開。 36·如申請專利範圍第35項之發光元件，其中每一對比促 91 557467 進塗覆物由數個彼此間隔開之部 A如申請專利範圍第則之發光元件成進—步包含光反 射層’其覆蓋於該發光區域上之該對比促進層上。 38. 如申請專利範圍第33項之發光元件，其中㈣度促進 5 塗覆物包含電絕緣材料。 39. 如申請專利範圍第33項之發光元件，進—步包含： 阻光區域，其覆蓋於該板材上^具有—其_發光區域 係至少被部份置放其内之開π，#從相對於該阻光區域 且經由該板材觀看時，該阻光區域呈現暗色； 10 電非絕緣層，其覆蓋於該阻光區域上，該非絕緣層具有 位於該發光區域上之開口；及 強度促進材料層，其覆蓋於該非絕緣層上。 40. 如申請專利範圍第39項之發光元件，其中該非絕緣層 係足夠接近該發光區域，以自該發光區域移除電荷。 15 41·如申請專利範圍第39項之發光元件，進一步包含光反 射層，其覆蓋於該發光區域上之該強度促進塗覆物上， 該光反射層亦覆蓋於該強度促進材料層上。 42.如申請專利範圍第41項之發光元件，進一步包含額外 之對比促進材料層，其覆蓋於該強度促進材料層上，該 20 光反射層進一步覆蓋於該對比促進層及該額外對比促進 材料層上。 43· —種發光元件，包含： 板材； 發光區域，其覆蓋於該板材之透光材料上，且包含數個 92 557467 發光粒子，每一粒子具有外表面；及 5 10 —組強度促進塗覆物，每-塗覆物—般係保形地覆蓋於 邊梅粒子之相對應不同一個之部份外表面上，以便 與其間該發光粒子最接近該板㈣_開，每—強度促 進塗覆物具有比相對應發絲子更低之平均折射率. —組光反射塗覆物，每-塗覆物—般係保形地覆蓋於該 專強度促進塗覆物之相對應不同—個上以覆蓋於該相對

   應發光粒子之部份外表面上及與其_發綠子最接近 該板材處間隔開。 4(如申請專職圍第43項之發光元件，進—步包含光反 射層’其覆蓋於$發光區域上之該強度促進及光反射塗 覆物上，該光反射層於其覆蓋於該發光區域處一般係呈 平的。 45. —種發光元件，包含： 15 板材；

   叙光區域，其覆蓋於該板材之透光材料上，且包含數個 發光粒子，每一粒子具有外表面；及 一組對比促進塗覆物，每一塗覆物一般係保形地覆蓋於 该專發光粒子之相對應不同一個之部份外表面上，以便 20 與其間該發光粒子最接近該板材處間隔開，當從相對於 該發光區域且經由該板材觀看時，該對比促進塗覆物係 呈現暗色。 46·如申請專利範圍第45項之發光元件，其中當從相對於 該發光區域且經由該板材觀看時，該對比促進塗覆物係 93 557467 主要呈現黑色。 47·如申睛專利範圍第45項之發光元件，每一對比促進塗 覆物係由數個彼此間隔開之部份組成。 48.如申睛專利範圍第45項之發光元件，進一步包含光反 5 射層，其覆蓋於該發光區域上之該對比促進塗覆物上。 49·如申請專利範圍第丨_48項之任一項之發光元件，進一 步包含發射電子元件，其包含用以發射電子之發射電子 區域，該電子通過該等塗覆物且造成該等發光粒子發光。 50·如申請專利範圍第49項之發光元件，其中該等塗覆物 1〇 降低當藉由該發射電子區域所發射之電子射於該發光粒 子上時對該發光粒子造成之損害。 51· —種用於製造發光元件之方法，包含： 於板材之透光材料上提供數個發光粒子，以形成發光區 域；及 15 其後於該等發光粒子上提供光反射材料以形成一組光 反射塗覆物，以便每一光反射塗覆物一般係保形地覆蓋 於该4發光粒子之相對應不同一個之部份外表面上，且 係與其間該發光粒子最接近該板材處間隔開。 52·如申請專利範圍第51項之方法，其中提供該光反射材 〇 料之動作包含於大致呈真空之環境中物理性沈積該光反 射材料。 53·如申請專利範圍第51項之方法，其中提供該光反射材 料之動作包含於與一般垂直於該板材而延伸之線呈非零 之傾斜角沈積該光反射材料，以便大致上無該光反射材 94 557467 料累積於該粒子間之空間内之該板材上。 54· —種用於製造發光元件之方法，包含·· 於板材之透光材料上提供數個發光粒子，以形成發光區 域；及 ’ 5 其後於該等發光粒子上提供至少一 IIIB(13)族金屬以形 成一組塗覆物，以便每一塗覆物一般係保形地覆蓋於該 4發光粒子之相對應不同一個之部份外表面上，且與其 間該發光粒子最接近該板材處間隔開。 55. —種用於製造發光元件之方法，包含： 鲁 10 於板材之透光材料上提供數個發光粒子，以形成發光區 域；及 其後於該等發光粒子上提供吸氣材料以形成一組吸氣塗 覆物，以便每一吸氣塗覆物一般係保形地覆蓋於該等發 光粒子之相對應不同一個之部份外表面上，且與其間該 15 發光粒子最接近該板材處間隔開。 56. 如申請專利範圍第55項之方法，其中該吸氣塗覆物係 呈光反射性。 · 57·如申晴專利範圍第55項之方法’其中提供該吸氣層之 動作包3於與一般垂直於該板材而延伸之線呈非零之傾 2〇 斜角沈積該吸氣材料，以便大致上無該吸氣材料累積於 該粒子間之空間内之該板材上。 _ 58· —種用於製造發光元件之方法，包含： 於板材之透光材料上提供數個發光粒子，以形成發光區 域；及 95 557467 其後於4等發光粒子上提供鈹、、鎮、銘、欽、飢、 絡、锰、鐵、始、鎳、鋼、鎵、m把、銀、 姻、鋇、趣、鶴、始、鉈、錯、姜土及錯、絡、鐘、始、 錄及錯之至少-種之氧化物之至少一種，以形成一組、塗 ’ 5 冑物’以便每一塗覆物一般係保形地覆蓋於該等發光粒 子之相對應不同一個之部份外表面上，且與其間該發光 粒子最接近該板材處間隔開。 59. —種用於製造發光元件之方法，包含： 於板材之透光材料上提供數個發光粒子，以形成發光^ φ !〇 域；及 其後於該等發光粒子上提供強度促進材料以形成數個強 度促進塗覆物，其係配置成，且個別包含一組第一 強度促進塗覆物至一組第111強度促進塗覆物，其中瓜係 複數整數’每-第-塗覆物一般係保形地覆蓋於該等發 15 光粒子之相對應不同一個之部份外表面上，以便與其間 該發光粒子最接近該板材處間隔開，每一第丨塗覆物一 般係保形地覆蓋第（i-Ι)塗覆物之相對應不同一個上，以 鲁 便覆蓋該相對應發光粒子之部份外表面上，藉此，與其 間該發光粒子覆蓋該板材處間隔開，i係從2至m改變 0 之整數，每一第一塗覆物係具有比相對應發光粒子更低 、 之平均折射率，每一第i塗覆物係具有比相對應第（i_i) · 塗覆物更低之平均折射率。 60. 如申請專利範圍第59項之方法，進一步包含於該發光 區域上之該強度促進塗覆物上提供光反射層。 96 557467 5 10 15 61·如申請專利範圍第59項之方法，進一步包含於該強度 促進塗覆物上提供對比促進材料，以形成對比促進層， 其從相對於該發光區域且經由該板材觀看時係呈現暗 色0 62.如申請專利範圍第61項之方法，其中該對比促進層包 含一組對比促進塗覆物，每一塗覆物一般係保形地覆蓋 於第m強度促進塗覆物之相對應不同一個上。 •如申請專利範圍第62項之方法，其中提供該對比促進 材料之動作需要於第m強度促進塗覆物上之彼此間隔開 之數個位置處之每—第m強度促進塗覆物上提供該對比 促進材料。 品申凊專利範圍第61項之方法，進一步包含於該發光 A域上之该強度促進塗覆物及該對比促進層上提供光反 射層。

   •:申請專利範圍第59項之方法，其中提供該強度 料之動作包含於該等發光粒子上提供介電材料以 %至少該強度促進塗覆物。 66·=申請專利範圍第51_65項之任—項之方法，進一

   2〇 間層’其係、覆蓋或幾近覆蓋該等塗覆物及該等發 於該中間層上提供光反射層；及 大夏地移除該中間層。 ·—種用於製造發光元件之方法，包含： 97 於板材之透光材料上提供數個發光粒子，以形成發光區 域； 於該等發光粒子上提供強度促進材料以形成_組強度促 進塗覆物，以使每一強度促進塗覆物一般係保形地覆蓋 於該等發練子之相對應不同—個之部份外表面上以與 其間發光粒子最接近該板材處間隔開，且使每一強度促 進塗覆物具有比該相對應發光粒子更低之折射率，·及 於該強度促進塗覆物上提供對比促進材料以形成對比促 進層其從相對於該發光區域且經由該板材觀看時係呈 現暗色。 68·如申請專利範圍第67項之方法，其中當從相對於該發 光區域且經由該板材觀看時，該對比促進層主要係呈現 黑色。 69.如申請專利範圍帛67㉟之方法，進一步包含於該發光 區域上之該強度促進塗覆物及該對比促進層上提供光反 射層。 7〇·如申4專利範圍第67-69項之任一項之方法，其中該對 比促進層包含一組對比促進塗覆物，每一塗覆物係保形 地覆蓋於強度促進塗覆物之相對應不同一個上，以便覆 盍於相對應發絲子之部份絲s上且與該發光粒子最 接近該板材處間隔開。 71·如申4專職II第70項之紐，其巾提供該對比促進 材料之動作需要於該強度促進塗覆物上數個彼此間隔開 之位置處之每-強度促進塗覆物上提供該對比促進材 557467 料。 72·如申請專利範圍第7〇項之方法，其中提供該光反射層 之動作包含： 提供中間層’其係覆蓋或幾近覆蓋該對比促進及強度促 進之塗覆物及該等發光粒子； 於該中間層上提供該光反射層；及 大量地移除該中間層。 73·如申請專利範圍第67-69項之方法，其中· 該方法包含於提供該發光粒子層之動作前，（a)於該板材 上提供阻光材料以形成阻光區域，其從相對於該阻光區 域且經由該板材觀看時係呈現暗色，且其具有一開口， 般其間該發光區域係覆蓋於該板材上，及(b)於該阻光 區域上提供電非絕緣材料，以形成電非絕緣層，其具有 一開口，一般其間該發光區域係覆蓋於該板材上；且 提供該強度促進材料之動作包含於該非絕緣層上提供 強度促進材料以形成額外之強度促進材料層。 74·如申請專利範圍第73項之方法，其中： 該阻光區域係比該發光區域更進—步延伸離開該板 材；且 提供該非絕緣材料之動作包含以與一般垂直於該板材 而延伸之線呈非零之傾斜角使該非絕緣材料沈積於該 阻光區域上，以使該非絕緣材料僅部份向下累積於該阻 光區域之開口内。 75·如申請專利範圍第73項之方法，進一步包含於該強度 99 557467 彳嫩彻㈣供光反射層。 β甲。月專利乾圍第73項之方法，其中·· ί::=:進材科之動作包含於該額外強度促進材 層:且供對比促進材料以形成額外之對比促進材料 77· 一種祕製造發光元件之方法，包含·· ίο

   =板材之透储料上提供數個發絲子，以形成發光區 域， 於該等發綠子上提供強度促進材料以形成—組強度促 進塗覆物卩使每-強度促進塗覆物—般係保形地覆蓋 於該等發光粒子之相對應不同—個之部份外表面上以與 其間發光粒子最接近該板材處間隔開，且使每一強度促 15 進塗覆物具有比該相對應發光粒子更低之折射率；及

   於該強度促it塗覆物上提供光反射材料以形成一組光反 射塗覆物，以使每一光反射塗覆物一般係保形地覆蓋於 該等強度促進塗覆物之相對應不同一個上，以便覆蓋於 該相對應發光粒子之部份外表面上且與其間發光粒子最 2〇 接近纟亥板材處間隔開。 78. 如申請專利範圍第77項之方法，進一步包含於該強度 促進及光反射塗覆物上提供光反射層。 79. —種用於製造發光元件之方法，包含： 於板材之透光材料上提供數個發光粒子，以形成發光區 100 557467 域； 於該等發光粒子上提供對比促進材料以形成一組對比促 進塗覆物，以使每一對比促進塗覆物一般係保形地覆蓋 於該等發光粒子之相對應不同一個之部份外表面上以與 其間發光粒子最接近該板材處間隔開，且使對比促進塗 覆物於從相對於該發光區域且經由該板材觀看時係呈現 暗色。 80.如申請專利範圍第79項之方法，進一步包含於該發光 區域上之該對比促進塗覆物上提供光反射層。 101