JPS60202184A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
表示装置及びその製造方法Info
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- JPS60202184A JPS60202184A JP5624084A JP5624084A JPS60202184A JP S60202184 A JPS60202184 A JP S60202184A JP 5624084 A JP5624084 A JP 5624084A JP 5624084 A JP5624084 A JP 5624084A JP S60202184 A JPS60202184 A JP S60202184A
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- Japan
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- azide
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- phosphor layer
- sulfide
- sulfide phosphor
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、たとえば蛍光表示管やＣＲＴ々どの硫化物
蛍光体を用いた表示装置及びその製造方法に関する。
蛍光体を用いた表示装置及びその製造方法に関する。
従来、たとえば、表示装置として蛍光表示管を例に説明
すると、陰極から放出された電子を、制御％、極により
加速制御して陽極部の蛍光体層に射突させて発光表示を
行なう蛍光表示管は、２色以上の表示機能をコン・ぐク
トにまとめた多色表示用やマルチあるいはフルカラーグ
ラフィック用などに採用されはじめている。
すると、陰極から放出された電子を、制御％、極により
加速制御して陽極部の蛍光体層に射突させて発光表示を
行なう蛍光表示管は、２色以上の表示機能をコン・ぐク
トにまとめた多色表示用やマルチあるいはフルカラーグ
ラフィック用などに採用されはじめている。
ところで、このような種類の蛍光表示管は、蛍光体とし
て従来硫化物蛍光体、たとえば（ＺｎＣｄ ）Ｓ ：Ａ
ｙｃ赤、橙、黄緑 ）、ＺｎＳ ： Ａｕ、ＡＡ（黄緑
）、ＺｎＳ：Ｃｕ、ＡＡ （緑）、ＺｎＳ ： ＣＺｎ
〕（青）、ＺｎＳ ： Ａｌｔ’ （青）、（ＺｎＣｄ
） Ｓ ：Ａｕ 、 Ａｔ（黄、橙）、などのＳ元素を
含んでいる蛍光体を用いている。このような硫化物蛍光
体を用いた蛍光表示管の陽極に陰極からの電子を射突さ
せて陽極電流を流すと、硫化物蛍光体からＨ２Ｏ，０２
およびＳ 、 ＳＯ２、Ｓｏ 、 Ｈ２Ｓなどの硫化物
系のガス等が放出され、これによって酸化物陰極が毒化
されて、陰極の電子放出特性、いわゆるエミッション特
性が著しく劣化してし捷い、エミッション特性が初期の
粉あるいはそれ以下におちて蛍光体の輝度を急激に低下
させるいわゆる寿命が短く々るという問題点を有してい
た。
て従来硫化物蛍光体、たとえば（ＺｎＣｄ ）Ｓ ：Ａ
ｙｃ赤、橙、黄緑 ）、ＺｎＳ ： Ａｕ、ＡＡ（黄緑
）、ＺｎＳ：Ｃｕ、ＡＡ （緑）、ＺｎＳ ： ＣＺｎ
〕（青）、ＺｎＳ ： Ａｌｔ’ （青）、（ＺｎＣｄ
） Ｓ ：Ａｕ 、 Ａｔ（黄、橙）、などのＳ元素を
含んでいる蛍光体を用いている。このような硫化物蛍光
体を用いた蛍光表示管の陽極に陰極からの電子を射突さ
せて陽極電流を流すと、硫化物蛍光体からＨ２Ｏ，０２
およびＳ 、 ＳＯ２、Ｓｏ 、 Ｈ２Ｓなどの硫化物
系のガス等が放出され、これによって酸化物陰極が毒化
されて、陰極の電子放出特性、いわゆるエミッション特
性が著しく劣化してし捷い、エミッション特性が初期の
粉あるいはそれ以下におちて蛍光体の輝度を急激に低下
させるいわゆる寿命が短く々るという問題点を有してい
た。
そこで、従来では第１図に示すように、蛍光表示管の外
囲器内にたとえば金属Ｂａ のゲッター材料ＣＢを配設
して、外囲器を真空排気したのちケ゛ツター材料を加熱
してケ°ツター膜ＧＥを外囲器内面に蒸着し、外囲器内
の残留ガスを吸着させ真空度を上げると共に、その後蛍
光表示管を発光表示する際に硫化物蛍光体層■から発生
するＨ２Ｏ，０２および硫化物系ガスをケ゛ツター膜Ｇ
Ｅで吸着させるようにしていた。ところが、Ｈ２Ｏ，，
０，および硫化物系ガスは、＠１図の矢印で示すように
構造上、ケ゛ツター膜Ｇ Ｅと制御電極Ｇからの間の空
間に陰極Ｃが存在するため前述と同様に陰極Ｃが毒化さ
れてエミッション特性が著しく劣化してしまう問題があ
る。
囲器内にたとえば金属Ｂａ のゲッター材料ＣＢを配設
して、外囲器を真空排気したのちケ゛ツター材料を加熱
してケ°ツター膜ＧＥを外囲器内面に蒸着し、外囲器内
の残留ガスを吸着させ真空度を上げると共に、その後蛍
光表示管を発光表示する際に硫化物蛍光体層■から発生
するＨ２Ｏ，０２および硫化物系ガスをケ゛ツター膜Ｇ
Ｅで吸着させるようにしていた。ところが、Ｈ２Ｏ，，
０，および硫化物系ガスは、＠１図の矢印で示すように
構造上、ケ゛ツター膜Ｇ Ｅと制御電極Ｇからの間の空
間に陰極Ｃが存在するため前述と同様に陰極Ｃが毒化さ
れてエミッション特性が著しく劣化してしまう問題があ
る。
また、ＣＲＴなど高速の電子を硫化物蛍光体に射突させ
る場合においても上述したのと同様な問題が生じる。
る場合においても上述したのと同様な問題が生じる。
そこで、この発明は上述した問題を解消するためになさ
れたものであり、硫化物蛍光体を用いても陰極がＨ２Ｏ
，０２および硫化物系ガスによって毒化されるおそれが
カく、陰極の長寿命化を図ってエミツンヨン特性を初期
状態に保ち、長時間安定した所定の輝度で発光表示でき
る長寿命の表示装置及びその製造方法を提供することを
目的とする。
れたものであり、硫化物蛍光体を用いても陰極がＨ２Ｏ
，０２および硫化物系ガスによって毒化されるおそれが
カく、陰極の長寿命化を図ってエミツンヨン特性を初期
状態に保ち、長時間安定した所定の輝度で発光表示でき
る長寿命の表示装置及びその製造方法を提供することを
目的とする。
したがってこの目的を達成するために、この発明の表示
装置は、フィラメント状陰極から放出された電子を、硫
化物蛍光体層の被着された陽極部に射突させて発光表示
させる表示装置において、前記硫化物蛍光体層の表面ま
たは硫化物蛍光体層中に、アジ化物を分解させて形成さ
せたケ゛ツター物質を付着配設させたことを特徴とする
。また、この発明の表示装置の製造方法は、配線導体及
び陽極導体を配設した。゛陽極基板に硫化物蛍光体層を
被着させる工程と、前記硫化物蛍光体層にアジ化物を付
着させる工猫と、アジ化物が付着された硫化物蛍光体層
を有する陽極基板と他の電極と外囲器とにより表示装置
組立体を組立て、この表示装置組立体を不活性ガスまた
は真空中で封着させ、真空中で排気させながらアジ化物
を加熱分解させてケ゛ツター物質を形成させるとともに
封止させる工程とからなることを特徴とする。
装置は、フィラメント状陰極から放出された電子を、硫
化物蛍光体層の被着された陽極部に射突させて発光表示
させる表示装置において、前記硫化物蛍光体層の表面ま
たは硫化物蛍光体層中に、アジ化物を分解させて形成さ
せたケ゛ツター物質を付着配設させたことを特徴とする
。また、この発明の表示装置の製造方法は、配線導体及
び陽極導体を配設した。゛陽極基板に硫化物蛍光体層を
被着させる工程と、前記硫化物蛍光体層にアジ化物を付
着させる工猫と、アジ化物が付着された硫化物蛍光体層
を有する陽極基板と他の電極と外囲器とにより表示装置
組立体を組立て、この表示装置組立体を不活性ガスまた
は真空中で封着させ、真空中で排気させながらアジ化物
を加熱分解させてケ゛ツター物質を形成させるとともに
封止させる工程とからなることを特徴とする。
以下、図示の実施列によりこの発明を説明する。
詔２図は、この発明の蛍光表示管の一実施例を示してお
シ、第３図は、第２図１−１線における断面図である。
シ、第３図は、第２図１−１線における断面図である。
図中１は、蛍光表示管の外囲器であり、内部が高真空状
態に保たれた外囲器１は、絶縁性材料たとえばガラスか
らなる陽極基板２と、側面板３，３，４．４の枠体を介
して陽極基板２に対向された絶、禄性の透光材料たとえ
ばガラスよυカる前面板５が、封着材６ａ 、６ｂによ
り密封封着された構成である。陽極基板２を通して陽極
部７の発光表示を観察する場合は、陽極基板２も透光性
材料が必要である。
態に保たれた外囲器１は、絶縁性材料たとえばガラスか
らなる陽極基板２と、側面板３，３，４．４の枠体を介
して陽極基板２に対向された絶、禄性の透光材料たとえ
ばガラスよυカる前面板５が、封着材６ａ 、６ｂによ
り密封封着された構成である。陽極基板２を通して陽極
部７の発光表示を観察する場合は、陽極基板２も透光性
材料が必要である。
前記陽極基板２の内面上には、所望の表示７Ｎｏターン
に陽極部７が分割配設されており、各陽極部７は、図示
しない配線導体を介して外部リード８ａに接続された陽
極導体８と、この陽極導体８上に被着形成された硫化物
蛍光体層９より々る。この硫化物蛍光体層９は、たとえ
ばＺｎＳ：ＡＰ（青）、ＺｎＳ ： Ｃｕ、Ａｔ（緑）
、（ＺｎＣｄ）Ｓ ： ＡＰ、Ｃｔ（緑〜赤）、ＺｎＳ
： ＣＺｎ） （青）、（ＺｎＣｄ）Ｓ：Ａｕ、Ａｔ
（黄緑〜赤）、ＺｎＳ ：Ａｕ、Ａｔ（黄緑） １．Ｚ
ｎＳ ：ＩＶＩｎ （黄橙）、Ｙ２Ｏ２Ｓ ：Ｅｕ（赤
）、（ＺｎＣｄ ） Ｓ ： Ｃｕ 、Ａ７ （緑）、
（ＹＬａ ）２０２ Ｓ ： Ｔｂ （緑）、（Ｃａ、
５ｒ）Ｓ ：Ｅｕ 、 （Ｓｍ） （赤）などの硫化物
および酸硫化物母体よりなる硫化物蛍光体の中から適宜
選択して形成されている。
に陽極部７が分割配設されており、各陽極部７は、図示
しない配線導体を介して外部リード８ａに接続された陽
極導体８と、この陽極導体８上に被着形成された硫化物
蛍光体層９より々る。この硫化物蛍光体層９は、たとえ
ばＺｎＳ：ＡＰ（青）、ＺｎＳ ： Ｃｕ、Ａｔ（緑）
、（ＺｎＣｄ）Ｓ ： ＡＰ、Ｃｔ（緑〜赤）、ＺｎＳ
： ＣＺｎ） （青）、（ＺｎＣｄ）Ｓ：Ａｕ、Ａｔ
（黄緑〜赤）、ＺｎＳ ：Ａｕ、Ａｔ（黄緑） １．Ｚ
ｎＳ ：ＩＶＩｎ （黄橙）、Ｙ２Ｏ２Ｓ ：Ｅｕ（赤
）、（ＺｎＣｄ ） Ｓ ： Ｃｕ 、Ａ７ （緑）、
（ＹＬａ ）２０２ Ｓ ： Ｔｂ （緑）、（Ｃａ、
５ｒ）Ｓ ：Ｅｕ 、 （Ｓｍ） （赤）などの硫化物
および酸硫化物母体よりなる硫化物蛍光体の中から適宜
選択して形成されている。
上記硫化物蛍光体層９の表面には、第３図とに示すよう
にアジ化物分解させて形成させたケ゛ツター物質１０が
付着配設されている。前記ゲッター物質１０は、たとえ
ば、アジ化バリウム（Ｂ ａ （Ｎ３）２ ）を熱分解
してＢａ ゲッターを硫化物蛍光体層に付着させる。こ
のアジ化バリウムは、硫化物蛍光体層９の蛍光体量に対
して重量比で０．０１％〜５０チ混合付着されていて、
この混合付着量の下限は、硫化物蛍光体層９から点灯時
に発生する硫化物系ガスを吸着することができる限界量
であり、また上限は硫化物蛍光体層９の輝度低下の影響
を許容することができる限界量になる。
にアジ化物分解させて形成させたケ゛ツター物質１０が
付着配設されている。前記ゲッター物質１０は、たとえ
ば、アジ化バリウム（Ｂ ａ （Ｎ３）２ ）を熱分解
してＢａ ゲッターを硫化物蛍光体層に付着させる。こ
のアジ化バリウムは、硫化物蛍光体層９の蛍光体量に対
して重量比で０．０１％〜５０チ混合付着されていて、
この混合付着量の下限は、硫化物蛍光体層９から点灯時
に発生する硫化物系ガスを吸着することができる限界量
であり、また上限は硫化物蛍光体層９の輝度低下の影響
を許容することができる限界量になる。
上記アジ化物１０の付着は、第４図に示すように、アジ
化バリウムを硫化物蛍光体の粒子９ａに重量比で０．０
１〜５０％混合し、２１９°Ｃ以下で分解するビークル
でイースト化して印刷法などによって陽極基板２の陽極
導体８上に付着させてアジ化物１０は硫化物蛍光体層９
中にまで均等に混ぜ、２１９℃以下で焼成結合されてい
る。
化バリウムを硫化物蛍光体の粒子９ａに重量比で０．０
１〜５０％混合し、２１９°Ｃ以下で分解するビークル
でイースト化して印刷法などによって陽極基板２の陽極
導体８上に付着させてアジ化物１０は硫化物蛍光体層９
中にまで均等に混ぜ、２１９℃以下で焼成結合されてい
る。
前記陽極部７の上方には、たとえばメツシュ状あるい１
は細線状の（実施例ではメツシュ状）制御電極１１が対
面して配設されている。この制御電極１１上には、陰極
支持体１２．１２を介してフィラメント状の酸化物陰極
１３が張架配設されている。そして、外囲器１の隅部に
は、前記前面板５に対向してケ゛ツター材料１４が設け
られておシ、このケ゛ツター材料１４はたとえば金属バ
リウムあるいはその合金からな９、封着封止後の加熱分
解によシ前面板５の内面にケ゛ツタ膜１５を真空蒸着す
るものである。
は細線状の（実施例ではメツシュ状）制御電極１１が対
面して配設されている。この制御電極１１上には、陰極
支持体１２．１２を介してフィラメント状の酸化物陰極
１３が張架配設されている。そして、外囲器１の隅部に
は、前記前面板５に対向してケ゛ツター材料１４が設け
られておシ、このケ゛ツター材料１４はたとえば金属バ
リウムあるいはその合金からな９、封着封止後の加熱分
解によシ前面板５の内面にケ゛ツタ膜１５を真空蒸着す
るものである。
しかして、組立てられた外囲器１は不活性ガスたとえば
Ａｒ ｌＮ２ガス中で封着し、即座に真空排気させなが
ら２１９℃以上で加熱する際、硫化物蛍光体層９に付着
しているアシ化物１ｏは下式のように加熱分解してバリ
ウムゲッター物質１ｏが形成される。
Ａｒ ｌＮ２ガス中で封着し、即座に真空排気させなが
ら２１９℃以上で加熱する際、硫化物蛍光体層９に付着
しているアシ化物１ｏは下式のように加熱分解してバリ
ウムゲッター物質１ｏが形成される。
Ｂａ （Ｎ３ ）２→Ｂａ ＋ ３ Ｎ２↑したがって
、硫化物蛍光体層９がら発生するＮ２０ 、０２および
硫化物系ガスが、バリウムゲッター物質によシ酸化物盾
極１３に達する前に蛍光体層９の位置で不可逆的に吸着
することができ、酸化物陰極１３が毒化されることがな
く、初期のエミッション特性を維持して長時間安定して
所定の輝度で発光表示ができる。なお、分解時に発生す
るＮ２ガスは真空排気時に取シ除かれ、しかもＮ２ガス
自体は酸化物陰極１３には伺ら悪影響を与えない。また
、ケ゛ツター材料１４は、真空排気中加熱されてゲッタ
膜１５を形成して、外囲器１内の典留ガスを１１４版聞
呂１内の吉灼度雀μｍイこれて、蛍光表示管はエーヅン
グ工程を経て完成される。なお、フィラメント状の陰極
の炭酸塩を酸化物に変化させる工程は、前記真空排気の
過程の中で行われる。
、硫化物蛍光体層９がら発生するＮ２０ 、０２および
硫化物系ガスが、バリウムゲッター物質によシ酸化物盾
極１３に達する前に蛍光体層９の位置で不可逆的に吸着
することができ、酸化物陰極１３が毒化されることがな
く、初期のエミッション特性を維持して長時間安定して
所定の輝度で発光表示ができる。なお、分解時に発生す
るＮ２ガスは真空排気時に取シ除かれ、しかもＮ２ガス
自体は酸化物陰極１３には伺ら悪影響を与えない。また
、ケ゛ツター材料１４は、真空排気中加熱されてゲッタ
膜１５を形成して、外囲器１内の典留ガスを１１４版聞
呂１内の吉灼度雀μｍイこれて、蛍光表示管はエーヅン
グ工程を経て完成される。なお、フィラメント状の陰極
の炭酸塩を酸化物に変化させる工程は、前記真空排気の
過程の中で行われる。
ところで、上述した実施例では、硫化物蛍光体層９中に
アジ化物１０ａを均等に混合させているが、他の実施例
として、第５図に示すように硫化物蛍光体層１０９の表
面に付着してもよい。すなわち、陽極導体８上に従来法
で硫化物蛍光体層１０９を被着形成した後、アジ化バリ
ウム１１０の粉末を有機物バインダ（２１９℃以下で分
解するか蒸発する物質）入りの溶剤にけんだくさせて、
スプレー法、塗布、浸漬、電着法などにより硫化物蛍光
体層１０９の表面に付着させる。そして、 （２１９°
Ｃ以下で不活性ガス生首たけ真空中で焼成しアジ化バリ
ウムの分解を防いで焼成固着させる。
アジ化物１０ａを均等に混合させているが、他の実施例
として、第５図に示すように硫化物蛍光体層１０９の表
面に付着してもよい。すなわち、陽極導体８上に従来法
で硫化物蛍光体層１０９を被着形成した後、アジ化バリ
ウム１１０の粉末を有機物バインダ（２１９℃以下で分
解するか蒸発する物質）入りの溶剤にけんだくさせて、
スプレー法、塗布、浸漬、電着法などにより硫化物蛍光
体層１０９の表面に付着させる。そして、 （２１９°
Ｃ以下で不活性ガス生首たけ真空中で焼成しアジ化バリ
ウムの分解を防いで焼成固着させる。
また、アジ化物１０，１１０は、アジ化バリウムに限る
ことなく、アジ化リジウム、アジ化カリウム、アジ化カ
リウム、アジ化セシウム、アジ化ストロンチウムなども
効果がある。ただし、ケ゛ツター効果（吸着性）、分解
温度と封着温度と排気温度の整合、硫化物蛍光体への影
響を考慮するとアジ化バリウムが最もケ゛ツター物質を
形成するのに有効である。
ことなく、アジ化リジウム、アジ化カリウム、アジ化カ
リウム、アジ化セシウム、アジ化ストロンチウムなども
効果がある。ただし、ケ゛ツター効果（吸着性）、分解
温度と封着温度と排気温度の整合、硫化物蛍光体への影
響を考慮するとアジ化バリウムが最もケ゛ツター物質を
形成するのに有効である。
次に、この発明の製造方法について説明する。
第６図は、製造工程の流れ図であシ、この流れ図に沿っ
て第３図を参照しながら方法を説明する。
て第３図を参照しながら方法を説明する。
上述した第１あるいは第２の実施例で示したように、陽
極基板２上の周囲にガラスの粉末にビークルを混ぜたガ
ラス封着材を印刷法などで配設したのち配線導体及び陽
極導体８を配設し、この陽極導体８上に硫化物蛍光体層
９を被着させたのち、アジ化物１０ａまたとえばアジ化
バリウムを帆０１〜５０チ付着させる。この際、前述の
第１の実施例のように、印刷法などによりアジ化物１０
を硫化物蛍光体層９に均等に混合（第４図参照）し、２
１９℃以下で不活性ガス中で焼成する場合と、第２の実
施例のようにスプレー法などによりアジ化物１１０を硫
化物蛍光体層１０９の表面に付着（第５図参照）し、２
１９℃以下で不活性ガス中または真空中で焼成する場合
がある。
極基板２上の周囲にガラスの粉末にビークルを混ぜたガ
ラス封着材を印刷法などで配設したのち配線導体及び陽
極導体８を配設し、この陽極導体８上に硫化物蛍光体層
９を被着させたのち、アジ化物１０ａまたとえばアジ化
バリウムを帆０１〜５０チ付着させる。この際、前述の
第１の実施例のように、印刷法などによりアジ化物１０
を硫化物蛍光体層９に均等に混合（第４図参照）し、２
１９℃以下で不活性ガス中で焼成する場合と、第２の実
施例のようにスプレー法などによりアジ化物１１０を硫
化物蛍光体層１０９の表面に付着（第５図参照）し、２
１９℃以下で不活性ガス中または真空中で焼成する場合
がある。
次に、前面板５の周囲にガラスの粉末にビークルを混ぜ
たガラス封着材６ａを７−ル印刷法で形成する。次に、
側面板３，３，４．４を前記前面板５のガラス封着材６
ｂ中に溶着立設して前面容器を形成すると共に側面板３
，３，４．４の上面にガラスの封着材６ｂを塗布し大気
中または真空中で４５０°Ｃ〜５５０°Ｃで予備焼成し
てビークル中や封着材６ｂ中の脱ガス化を図る。
たガラス封着材６ａを７−ル印刷法で形成する。次に、
側面板３，３，４．４を前記前面板５のガラス封着材６
ｂ中に溶着立設して前面容器を形成すると共に側面板３
，３，４．４の上面にガラスの封着材６ｂを塗布し大気
中または真空中で４５０°Ｃ〜５５０°Ｃで予備焼成し
てビークル中や封着材６ｂ中の脱ガス化を図る。
次に、制御電極１１全線状陰極１３とともに陽極基板２
上に装着し、側面板３ 、３．、４ 、４と前面板５か
らなる前面容器の封着材６ｂと陽極基板２の封着材６ｂ
を対面するように外囲器１を組立でる。そして、クリッ
プなどで外囲器１を上下から加圧しながら、ベルジャ中
に入れ不活性ガス中で封着した後、側面板３，３，４．
４と前面板５ ゛の封着材６ｂの隙間から排気管または
排気孔よシ排気し外囲器内を高真空状態にしてからアジ
化物１０ａを２１９℃以上において加熱分解して、バリ
ウムゲッター物質１０を形成させ線状電極の炭酸塩を分
解して酸化物陰極を形成するライティング工程ののち封
止し、別のゲッター膜１５を真空蒸着して真空度を上げ
、さらにエーヅング工程を経て完成される。々お、アジ
化バリウムの分解時に発生するＮ２ ガスは真空排気ま
たはケ゛ツター膜１５により取り除かれる。
上に装着し、側面板３ 、３．、４ 、４と前面板５か
らなる前面容器の封着材６ｂと陽極基板２の封着材６ｂ
を対面するように外囲器１を組立でる。そして、クリッ
プなどで外囲器１を上下から加圧しながら、ベルジャ中
に入れ不活性ガス中で封着した後、側面板３，３，４．
４と前面板５ ゛の封着材６ｂの隙間から排気管または
排気孔よシ排気し外囲器内を高真空状態にしてからアジ
化物１０ａを２１９℃以上において加熱分解して、バリ
ウムゲッター物質１０を形成させ線状電極の炭酸塩を分
解して酸化物陰極を形成するライティング工程ののち封
止し、別のゲッター膜１５を真空蒸着して真空度を上げ
、さらにエーヅング工程を経て完成される。々お、アジ
化バリウムの分解時に発生するＮ２ ガスは真空排気ま
たはケ゛ツター膜１５により取り除かれる。
しかして、本発明の方法によれば、点灯時に硫化物蛍光
体層９から発生するＮ２０．０２および硫化物系ガスを
、酸化物陰極１３に寸で拡散する前にアジ化物１０ａか
ら形成されたバリウムゲッター物質１０により確実に吸
着でき、酸化物陰極１３の毒化を防いでエミッション特
性を初期の特性に保つことができる。
体層９から発生するＮ２０．０２および硫化物系ガスを
、酸化物陰極１３に寸で拡散する前にアジ化物１０ａか
ら形成されたバリウムゲッター物質１０により確実に吸
着でき、酸化物陰極１３の毒化を防いでエミッション特
性を初期の特性に保つことができる。
なお、上述した実施例では、表示装置として蛍光表示管
をと９上げたが、蛍光表示管に限らず、陰極から放出さ
れる電子を陽極部に被着された硫化物蛍光体層に射突さ
せて発光表示させる、たとえばＣＲＴ（陰極線管）など
の表示装置であってもよい。
をと９上げたが、蛍光表示管に限らず、陰極から放出さ
れる電子を陽極部に被着された硫化物蛍光体層に射突さ
せて発光表示させる、たとえばＣＲＴ（陰極線管）など
の表示装置であってもよい。
ここで、従来の蛍光表示管と、この発明の蛍光表示管に
おける酸化物陰極のエミッション特性の経時変化を第７
図に示す。この発明の蛍光表示管のエミッション特性は
、特性曲線ＣＬ、で示すように点灯して５０時間経過し
ても初期のエミッション特性（１００％とする）に対し
て僅かに１０％低下しただけであり、はぼ初期のエミッ
ション特性が確保できるので硫化物蛍光体の輝度の低下
はほとんどない。一方、従来の硫化物系蛍光体を使用し
た蛍光表示管のエミッンヨン特性は、特性曲線ＣＬ２で
示すように点灯して５０時間経過した時点で８０％も低
下してし壕い輝度の低下は著しく蛍光表示管は寿命に達
している。
おける酸化物陰極のエミッション特性の経時変化を第７
図に示す。この発明の蛍光表示管のエミッション特性は
、特性曲線ＣＬ、で示すように点灯して５０時間経過し
ても初期のエミッション特性（１００％とする）に対し
て僅かに１０％低下しただけであり、はぼ初期のエミッ
ション特性が確保できるので硫化物蛍光体の輝度の低下
はほとんどない。一方、従来の硫化物系蛍光体を使用し
た蛍光表示管のエミッンヨン特性は、特性曲線ＣＬ２で
示すように点灯して５０時間経過した時点で８０％も低
下してし壕い輝度の低下は著しく蛍光表示管は寿命に達
している。
以上説明したように、この発明の表示装置及びその製造
方法によれば、硫化物蛍光体層の表面または層中に、ア
ジ化物を分解して形成させたケ゛ツター物質を付着配設
させるので、硫化物蛍光体層から点灯時に発生するＮ２
０ 、０２および硫化物系ガスが酸化物陰極に拡散する
までに吸着することができるので、酸化物陰極が毒化さ
れることなく、陰極のエミッション特性を初期状態に保
ち、長時間安定した所定の輝度で発光表示でき、表示装
置の長寿命化が図れる効果がある。
方法によれば、硫化物蛍光体層の表面または層中に、ア
ジ化物を分解して形成させたケ゛ツター物質を付着配設
させるので、硫化物蛍光体層から点灯時に発生するＮ２
０ 、０２および硫化物系ガスが酸化物陰極に拡散する
までに吸着することができるので、酸化物陰極が毒化さ
れることなく、陰極のエミッション特性を初期状態に保
ち、長時間安定した所定の輝度で発光表示でき、表示装
置の長寿命化が図れる効果がある。
第１図は、従来の蛍光表示管の例を示す要部の断面図、
第２図は、この発明の表示装置としての蛍光表示管の正
面図、第３図は、第２図のＩ−１線における断面図、第
４図は、硫化物蛍光体層にアジ化物が均等に混合された
状態を示す図、第５図は、硫化物蛍光体・層の表面にア
ジ化物が形成された状態を示す図、第６図は、この発明
の製造方法を示す流れ図、第７図は、従来の蛍光表示管
とこの発明の表示装置としての蛍光表示管における各エ
ミツ／ヨン特性の経時変化の比較を示す図である。 １・・・外囲器、２・・・陽極基板、７・・陽極部、９
゜１０９・・・硫化物蛍光体層、ＩＯａ、１１０ａ・・
・アジ化物、１０ 、１１０・ケ゛ツター物質。 第１図 第２図 第３図
第２図は、この発明の表示装置としての蛍光表示管の正
面図、第３図は、第２図のＩ−１線における断面図、第
４図は、硫化物蛍光体層にアジ化物が均等に混合された
状態を示す図、第５図は、硫化物蛍光体・層の表面にア
ジ化物が形成された状態を示す図、第６図は、この発明
の製造方法を示す流れ図、第７図は、従来の蛍光表示管
とこの発明の表示装置としての蛍光表示管における各エ
ミツ／ヨン特性の経時変化の比較を示す図である。 １・・・外囲器、２・・・陽極基板、７・・陽極部、９
゜１０９・・・硫化物蛍光体層、ＩＯａ、１１０ａ・・
・アジ化物、１０ 、１１０・ケ゛ツター物質。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１陰極から放出された電子を、硫化物蛍光体層の被
着された陽極部に射突させて発光表示させる表示装置に
おいて、前記硫化物蛍光体層の表面または硫化物蛍光体
層中に、アジ化物を分解させて形成させたケ゛ツター物
質を刺着配設させたことを特徴とする表示装置。 （２）前記アジ化物は、蛍光体に対し重量比にして０．
０１％〜５０係混合付着させた特許請求の範囲第１項記
載による表示装置。 （３）前記アノ化物は、アジ化バリウムである特許請求
の範囲第１項または第２項記載による表示装置。 （４）配線導体及び陽極導体を配設した陽極基板に硫化
物蛍光体層を被着させる工程と、前記硫化物蛍光体層に
アジ化物を付着させる工程と、アジ化物が付着された硫
化物蛍光体層を有する陽極基板と他の電極と外囲器とに
より表示装置組立体を組立て、この表示装置組立体を不
活性ガス中で封着させ、真空中で排気させながらアジ化
物を加熱分解させてケ゛ツター物質を形成させるととも
に封止させる工程とからなることを特徴とする表示装置
の製造方法。 （５） 前記アジ化物は、アジ化バリウムである特許請
求の範囲第４項記載による表示装置の製造方法。 （６）蛍光体に対し重量比にして０．０１％〜５０襲の
アジ化バリウム′ｆ：硫化物蛍光体層の表面に付着させ
た陽極基板と、陰極と、外囲器とを具備する表示装置組
立体を不活性ガス及び真空中で封着、排気しながらアジ
化バリウムを加熱分解させてバリウムケ゛ツター物質を
硫化物蛍光体層の少なくとも表面に形成させる特許請求
の範囲第４項又は紀５項記載による表示装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5624084A JPS60202184A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5624084A JPS60202184A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202184A true JPS60202184A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13021567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5624084A Pending JPS60202184A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202184A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1425772A2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-06-09 | Candescent Intellectual Property Services, Inc. | Structure and fabrication of light-emitting device having partially coated light-emissive particles |
| EP2269217B1 (en) * | 2008-03-24 | 2015-03-11 | General Electric Company | Getter precursors for hermetically sealed packaging |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP5624084A patent/JPS60202184A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1425772A2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-06-09 | Candescent Intellectual Property Services, Inc. | Structure and fabrication of light-emitting device having partially coated light-emissive particles |
| EP1425772A4 (en) * | 2001-03-30 | 2007-04-04 | Canon Kk | STRUCTURE AND FABRICATION OF AN ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING PARTIALLY COATED ELECTROLUMINESCENT PARTICLES |
| EP2269217B1 (en) * | 2008-03-24 | 2015-03-11 | General Electric Company | Getter precursors for hermetically sealed packaging |
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