JP2008527629A - ゲッター材料を状態調節する方法 - Google Patents
ゲッター材料を状態調節する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008527629A JP2008527629A JP2007549476A JP2007549476A JP2008527629A JP 2008527629 A JP2008527629 A JP 2008527629A JP 2007549476 A JP2007549476 A JP 2007549476A JP 2007549476 A JP2007549476 A JP 2007549476A JP 2008527629 A JP2008527629 A JP 2008527629A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- getter material
- layer
- substrate
- microwave radiation
- electronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 126
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 claims description 31
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 claims description 26
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims description 14
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 B 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=N1 FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052625 palygorskite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- OXPDQFOKSZYEMJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyrimidine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC=N1 OXPDQFOKSZYEMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 2
- HZVVJJIYJKGMFL-UHFFFAOYSA-N almasilate Chemical compound O.[Mg+2].[Al+3].[Al+3].O[Si](O)=O.O[Si](O)=O HZVVJJIYJKGMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 229960000892 attapulgite Drugs 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 2
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000003826 tablet Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 2-[1-[2-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 4-[(diphenylhydrazinylidene)methyl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SFBHJDZYFDQEEY-UHFFFAOYSA-N 9-cyclobutylcarbazole Chemical compound C1CCC1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 SFBHJDZYFDQEEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004113 Sepiolite Substances 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JYIBXUUINYLWLR-UHFFFAOYSA-N aluminum;calcium;potassium;silicon;sodium;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Na].[Al].[Si].[K].[Ca] JYIBXUUINYLWLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010427 ball clay Substances 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UNYSKUBLZGJSLV-UHFFFAOYSA-L calcium;1,3,5,2,4,6$l^{2}-trioxadisilaluminane 2,4-dioxide;dihydroxide;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[OH-].[OH-].[Ca+2].O=[Si]1O[Al]O[Si](=O)O1.O=[Si]1O[Al]O[Si](=O)O1 UNYSKUBLZGJSLV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052676 chabazite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910001919 chlorite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052619 chlorite group Inorganic materials 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001603 clinoptilolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007891 compressed tablet Substances 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 229910052675 erionite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012013 faujasite Substances 0.000 description 1
- 229910001657 ferrierite group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910052900 illite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052622 kaolinite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052680 mordenite Inorganic materials 0.000 description 1
- JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N n-[(e)-benzylideneamino]aniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N\N=C\C1=CC=CC=C1 JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N 0.000 description 1
- VGIBGUSAECPPNB-UHFFFAOYSA-L nonaaluminum;magnesium;tripotassium;1,3-dioxido-2,4,5-trioxa-1,3-disilabicyclo[1.1.1]pentane;iron(2+);oxygen(2-);fluoride;hydroxide Chemical compound [OH-].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[F-].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[K+].[K+].[K+].[Fe+2].O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2 VGIBGUSAECPPNB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N pecazine Chemical compound C1N(C)CCCC1CN1C2=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C21 CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052624 sepiolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019355 sepiolite Nutrition 0.000 description 1
- 229910052604 silicate mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/26—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances, e.g. getters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/02—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material
- B01J20/10—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material comprising silica or silicate
- B01J20/16—Alumino-silicates
- B01J20/18—Synthetic zeolitic molecular sieves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/30—Processes for preparing, regenerating, or reactivating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
Abstract
ゲッター材料をマイクロ波放射線にかける工程を含む、ゲッター材料を状態調節するための方法が提供される。電子デバイスは状態調節されたゲッター材料を使用し、かかる電子デバイスを製造する方法もまた提供される。
Description
本開示は一般に、ゲッター材料、例えば、有機電子デバイスに見出されるゲッター材料を状態調節する方法、および該材料を製造するための材料および方法に関する。
(関連出願の相互参照)
本願は、2004年12月30日に出願された米国仮特許出願60/640,569号(その開示内容全体を参照によって本明細書に援用するものとする)の利益を主張するものである。
本願は、2004年12月30日に出願された米国仮特許出願60/640,569号(その開示内容全体を参照によって本明細書に援用するものとする)の利益を主張するものである。
有機電子デバイスは、活性層を含む製品のカテゴリーを定義する。酸素および湿気などの環境的要因から有機電子デバイスを保護することによって、活性層の結合性の維持を助け、それによって電子デバイスの貯蔵寿命の維持を助ける。従って、有機電子デバイスはしばしば、吸着性および吸収性材料などの「ゲッター」材料を含有する。ゲッター材料を、有機電子デバイスを含有する筺体内に置いて汚染ガスに最も弱い材料、例えば、活性層を保護することができる。
有機電子デバイスの製造は、ゲッターの使用に特定のプロセス制限条件を与える。例えば、いくつかのゲッターは一般に、典型的に約650℃までの温度の、活性化のための熱を必要とする。対照的に、有機電子デバイス内の活性有機材料は典型的に、約300℃よりもずっと高い温度に耐えられない。従って、活性化は、対流炉の内部で高い温度(すなわち、約400℃)に加熱することによって(「熱スイング吸着」)またはパージガスおよび/または真空を用いてゼオライトを非常に「乾燥した」環境に置いて水分子をストリッピングすることによって達成された(「圧力スイング」プロセス)。長いプロセス時間および高価な加熱/真空装置のためにこれらはいずれの場合も高い製造コストが伴う。
従って、かかるデバイスの製造の単純化および促進が必要とされている。さらにゲッター材料を活性化するための改良されたプロセスが必要とされる。
ゲッター材料をマイクロ波放射線にかける工程を含む、ゲッター材料を状態調節するための方法が提供される。電子デバイスは、状態調節されたゲッター材料を使用し、かかる電子デバイスを製造する方法もまた提供される。
前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は例示目的および説明目的にすぎず、本発明を限定するものではなく、添付された特許請求の範囲において規定される。
実施態様は、本明細書において示される概念の理解を助けるために添付した図において示される。
図は例として示され、本発明を限定することを意図するものではない。当業者は、図中の物体が簡潔に分かりやすくするために示され、必ずしも縮尺通りに描かれていないことを理解する。例えば、図中の物体のいくつかの寸法が、他の物体に対して誇張して大きくされて本発明の実施態様をよく理解するのを助ける場合がある。
本発明の方法は、ゲッター材料をマイクロ波放射線に暴露することによってゲッター材料を活性化する工程を含む。1つの実施態様において、ゲッター材料、例えば、ゼオライト材料の成分に結合した水をマイクロ波放射線で活性化するのが迅速であり、安価な装置を使用し、性能を損なわずに製造コストを低くすることにつながる。さらに、ゲッター材料を上に配置することができる基板、例えば、蓋は一般に、マイクロ波放射線の存在下でゲッター材料よりも冷たいままにすることができる。
速度および容易さに加えて、この方法は、マイクロ波エネルギーがゲッター材料中で、例えば、ゼオライト母材中で水に直接に結合すると考えられるので望ましい。これは、ゲッター材料が上首尾な再生のためにこのような高い温度に達する必要がないことを意味する。従って、マイクロ波脱水は、熱的(熱)または圧力の変化よりも効率的である。
いくつかの実施態様において、ゲッター材料は300℃以下の温度に暴露される。ゲッター材料は、乾燥能力を有する任意の材料、例えば、吸収性、吸着性である材料であってもよく、または両方の組合せが望ましい。1つの実施態様において、ゲッター材料は、分子ふるい、例えば、ゼオライトを含む。ゲッター材料は、対流炉内で状態調節することに比べた時に必要とされるよりも短時間、マイクロ波放射線にかけられる。例えば、場合により、ゲッター材料は5分間以下、マイクロ波放射線で加熱される。そして、別の実施態様において、加熱は3分間以下である。
別の実施態様において、マイクロ波放射線を用いてゲッター材料を加熱する工程と、前記ゲッター材料を電子デバイス内に封入する工程とを含む、電子デバイスを製造する方法が提供される。加熱工程の間の温度は、例えば、300℃以下であってもよい。1つの実施態様において、ゲッター材料は5分間以下、加熱される。別の実施態様において、ゲッター材料は3分間以下、加熱される。
他の方法は、ゲッター材料を封入する前にゲッター材料を冷却する工程をさらに含むことができる。
特定の実施態様において、方法は、ゲッター材料を基板上に層にする工程をさらに含む。ゲッター材料を例えば薄いフィルムとして堆積することができる。1つの実施態様において、ゲッター材料の厚さは100μm以下である。別の実施態様において、厚さは1μm以下である。1つの実施態様において、電子デバイスは基板と、アノード層と、カソード層と、活性層とを含む。
他の方法は、ゲッター材料の層を含む基板を提供する工程と、アノード層と、カソード層と、活性層とを提供する工程と、前記基板と前記ゲッター材料とをマイクロ波放射線に暴露する工程とを含む、電子デバイスを組み立てる工程を含む。1つの実施態様において、加熱工程は、300℃以下の温度において行われる。1つの実施態様において、基板およびゲッター材料は5分以下、マイクロ波放射線に暴露される。別の実施態様において、基板およびゲッター材料は3分以下、マイクロ波放射線に暴露される。
他の方法は、ゲッター材料を基板上に堆積する工程をさらに含む。1つの実施態様において、ゲッター材料の厚さは100μm以下である。別の実施態様において、厚さは1μm以下である。
例示的な電子デバイスは、基板と、活性層と、ゲッター材料とを含む。ゲッター材料は、マイクロ波放射線によって300℃以下の温度に暴露されている。1つの例において、ゲッター材料は基板上に堆積される。1つの実施態様において、ゲッター材料は、ゲッター材料の0.1重量%以下の水を含む。また、ゲッター材料を、電子デバイス内に封入する前に冷却することが望ましい場合がある。
(ゲッター材料)
1つの実施態様において、ゲッター材料は分子ふるいを含む。別の実施態様において、粒子の大部分が2〜6ミクロンの範囲のサイズを有する。
1つの実施態様において、ゲッター材料は分子ふるいを含む。別の実施態様において、粒子の大部分が2〜6ミクロンの範囲のサイズを有する。
1つの実施態様において、分子ふるいは、天然または合成のどちらかのゼオライトを含む。公知のゼオライトには、チャバザイト(ゼオライトDとも称される)、クリノプチロライト、エリオナイト、ホージャサイト(ゼオライトXおよびゼオライトYとも称される)、フェリエライト、モルデナイト、ゼオライトA、およびゼオライトPなどがある。上に示されたゼオライト、ならびに他のゼオライトの詳細な説明が、(非特許文献1)(参照によって本明細書に援用するものとする)において見出される。例えば、タイプ3A、4Aおよび13Xゼオライトはすべて、水分子を吸着する能力を有し、本発明の湿気ゲッターを製造するための吸着性分子ふるいとして今のところ好ましい。このようなゼオライトは、Na2O、Al2O3およびSiO2を含む。
特定の吸着ゲッターは、気体H2およびO2など、湿気の他の気体汚染物質を吸着することができる。汚染ガス、ならびに湿気を吸着させうるゼオライト技術に基づく市販の固体ゲッター錠剤の例は、サイネティックス(Synetix)の(特許文献1)に記載されている。
表面に固定されたゲッター材料の層を製造するための水性分散体中の無機結合剤として適している粘土の非限定的な例には、アタパルジャイト、カオリン、セピオライト、パリゴルスカイト、カオリナイト、プラスチックボール粘土、アタパルジャイトまたはカオリンタイプの粘土、ベントナイト、モンモリロナイト、イライト、クロライト、ベントナイトタイプの粘土(それらのいくつかもまた、湿気を吸収する)、およびそれらの混合物などがある。アルミノケイ酸マグネシウム粘土は今のところ好ましい。
湿気ゲッターを商品名TRI−SORB(登録商標)(ニューメキシコ州、ベレンのサブ・ケミー(Sud−Chemie,Belen,NM))として市販されているウエハの粒子から形成することができる。TRI−SORB(登録商標)は、アルミノケイ酸マグネシウム粘土の結合剤母材中のA4ゼオライトの予備か焼粒子を含む圧縮錠剤として入手可能である。TRI−SORB(登録商標)中のA4ゼオライトは、対イオンとしてナトリウムとほぼ等しい量のアルミニウムおよびケイ素の酸化物からなる。錠剤を微粉砕して粘土の母材中にゼオライトを含む微細粒子を形成する。
本発明の方法において使用可能な無機結合剤のさらに別の例はガラスフリットである。本発明の方法において無機結合剤中に含有するために適しているガラスフリットの非限定的な例には、PbO、Al2O3、SiO2、B2O3、ZnO、Bi2O3、Na2O、Li2O、P2O5、NaFおよびCdO、およびMO(Oは酸素であり、MはBa、Sr、PB、Ca、Zn、Cu、Mg、およびそれらの混合物から選択される)の少なくとも1つを含むガラスフリットが挙げられる。例えば、無機結合剤は、10〜90重量%のPbO、0〜20重量%のAl2O3、0〜40重量%のSiO2、0〜15重量%のB2O3、0〜15重量%のZnO、0〜85重量%のBi2O3、0〜10重量%のNa2O、0〜5重量%のLi2O、0〜45重量%のP2O5、>0〜20重量%のNaF、および0〜10重量%のCdOを含むガラスフリットであるかまたはそれを含んでもよい。別の例において、無機結合剤は、0〜15重量%のPbO、0〜5重量%のAl2O3、0〜20重量%のSiO2、0〜15重量%のB2O3、0〜15重量%のZnO、65〜85重量%のBi2O3、0〜10重量%のNa2O、0〜5重量%のLi2O、0〜29重量%のP2O5、0〜20重量%のNaF、および0〜1.0重量%のCdOを含むガラスフリットであってもよい。ガラスフリットをボールミルで微粉砕して粉末サイズの粒子(例えば、2〜6ミクロン)を得ることができる。
(デバイス)
図3に関して、電子デバイス200は、蓋220とディスプレイ基板105とを含む。同じくゲッター材料として知られるゲッター材料210を電子デバイス200に蓋220上に配置することができる。ゲッター材料は、任意の所望の厚さであってもよく、従って、蓋220と基板105との間の全距離に及ぶかまたは及ばなくてもよい。外周シールエポキシ230は、蓋220をディスプレイ基板100に付着する。ゲッター材料を蓋上に堆積またはパターン化することは、例えば、薄いフィルムまたは他の望ましい方法として行うことができる。
図3に関して、電子デバイス200は、蓋220とディスプレイ基板105とを含む。同じくゲッター材料として知られるゲッター材料210を電子デバイス200に蓋220上に配置することができる。ゲッター材料は、任意の所望の厚さであってもよく、従って、蓋220と基板105との間の全距離に及ぶかまたは及ばなくてもよい。外周シールエポキシ230は、蓋220をディスプレイ基板100に付着する。ゲッター材料を蓋上に堆積またはパターン化することは、例えば、薄いフィルムまたは他の望ましい方法として行うことができる。
図1を参照すると、例示的な有機電子デバイス100が示される。デバイス100は基板105を含む。基板105は、硬質または可撓性であってもよく、例えば、ガラス、セラミック、金属、またはプラスチックであってもよい。電圧が印加されるとき、放射された光は基板105を通して可視的である。
第1の電気的接触層110は基板105上に堆積される。例示目的のために、層110はアノード層である。アノード層はラインとして堆積されてもよい。アノードは、例えば、金属、混合金属、合金、金属酸化物または混合金属酸化物を含有するかまたは含む材料から製造されてもよい。アノードは、導電性ポリマー、ポリマーブレンドまたはポリマー混合物を含んでもよい。適した金属には、第11族の金属、第4族、第5族、および第6族の金属、および第8族、第10族の遷移金属などがある。アノードが光透過性でなければならない場合、インジウム−スズ−酸化物などの第12族、第13族および第14族の金属の混合金属酸化物が一般に使用される。また、アノードは、有機材料、特に、(非特許文献2)に記載されているような例示的な材料を含めて、ポリアニリンなどの導電性ポリマーを含んでもよい。アノードおよびカソードの少なくとも1つが、発生された光を観察することができるように少なくとも部分的に透明であるべきである。
正孔輸送材料などの任意のバッファ層120がアノード層110の上に堆積されてもよく、これは、「正孔注入接触層」と称される場合がある。層120として使用するために適した正孔輸送材料の例は、例えば、(非特許文献3)に要約されている。正孔輸送「小」分子ならびにオリゴマーおよびポリマーの両方を用いてもよい。正孔輸送分子には、N,N’ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、1,1ビス[(ジ−4−トリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン(TAPC)、N,N’ビス(4−メチルフェニル)−N,N’−ビス(4−エチルフェニル)−(1,1’−(3,3’−ジメチル)ビフェニル]−4,4’−ジアミン(ETPD)、テトラキス(3−メチルフェニル)−N,N,N’,N’−2,5−フェニレンジアミン(PDA)、a−フェニル4−N,N−ジフェニルアミノスチレン(TPS)、p(ジエチルアミノ)ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン(DEH)、トリフェニルアミン(TPA)、ビス[4(N,N−ジエチルアミノ)−2−メチルフェニル](4−メチルフェニル)メタン(MPMP)、1フェニル−3−[p−(ジエチルアミノ)スチリル]−5−[p−(ジエチルアミノ)フェニル]ピラゾリン(PPRまたはDEASP)、1,2トランス−ビス(9H−カルバゾル−9−イル)シクロブタン(DCZB)、N,N,N’,N’テトラキス(4−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TTB)、および銅フタロシアニンなどのポルフィリン化合物などがあるがそれらに限定されない。有用な正孔輸送ポリマーには、ポリビニルカルバゾール、(フェニルメチル)ポリシラン、およびポリアニリンなどがあるがそれらに限定されない。導電性ポリマーは1つのクラスとして有用である。また、ポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマーに上述のような正孔輸送部分をドープすることによって正孔輸送ポリマーを得ることが可能である。
有機層130は、存在するときバッファ層120の上に、または第1の電気的接触層110の上に堆積されてもよい。いくつかの実施態様において、有機層130は、様々な成分を含む多数の不連続な層であってもよい。デバイスの用途に応じて、有機層130は、(発光ダイオードまたは発光電気化学電池におけるような)印加電圧によって活性化される発光層、または(光検出器におけるような)輻射エネルギーに応答し、印加バイアス電圧を用いてまたは用いずに信号を発生する材料の層であってもよい。
デバイス内の他の層は、このような層によって果たされる機能を考慮した時にこのような層において有用であることが知られている任意の材料から製造されてもよい。
いずれの有機エレクトロルミネセント(「EL」)材料が光活性材料として(例えば、層130において)用いられてもよい。このような材料には、螢光染料,小分子有機螢光性化合物、螢光性および燐光性金属錯体、共役ポリマー、およびそれらの混合物などがあるがそれらに限定されない。螢光染料の例には、ピレン、ペリレン、ルブレン、それらの誘導体、およびそれらの混合物などがあるがそれらに限定されない。金属錯体の例には、金属キレート化オキシノイド化合物、例えばトリス(8−ヒドロキシキノラト)アルミニウム(Alq3)、シクロ金属化イリジウムおよび白金エレクトロルミネセント化合物、例えばペトロフ(Petrov)らの(特許文献2)に開示されているようなイリジウムとフェニルピリジン、フェニルキノリン、またはフェニルピリミジン配位子との錯体、および例えば、米国特許公報(特許文献3)、(特許文献4)、(特許文献5)、および(特許文献6)に記載された有機金属錯体、およびそれらの混合物などがあるがそれらに限定されない。電荷輸送ホスト材料と金属錯体とを含むエレクトロルミネセント発光層は、トンプソン(Thompson)らの米国特許公報(特許文献7)、およびバロウズ(Burrows)およびトンプソンの(特許文献8)および(特許文献9)に記載されている。共役ポリマーの例には、ポリ(フェニレンビニレン)、ポリフルオレン、ポリ(スピロビフルオレン)、ポリチオフェン、ポリ(p−フェニレン)、それらのコポリマー、およびそれらの混合物などがあるがそれらに限定されない。
本発明のデバイスの1つの実施態様において、光活性材料は有機金属錯体であってもよい。別の実施態様において、光活性材料はイリジウムまたは白金のシクロ金属化錯体である。他の有用な光活性材料も同様に使用してもよい。イリジウムとフェニルピリジン、フェニルキノリン、またはフェニルピリミジン配位子との錯体は、ペトロフ(Petrov)らの(特許文献2)においてエレクトロルミネセント化合物として開示されている。他の有機金属錯体は、例えば、米国特許公報(特許文献3)、(特許文献4)、(特許文献5)、および(特許文献6)に開示されている。イリジウムの金属錯体をドープされたポリビニルカルバゾール(PVK)の活性層を有するエレクトロルミネセントデバイスは、バロウズおよびトンプソンによって(特許文献8)および(特許文献9)に記載されている。電荷輸送ホスト材料と燐光白金錯体とを含むエレクトロルミネセント発光層は、トンプソンらによって(特許文献7)、(非特許文献4)、および(非特許文献5)に記載されている。
第2の電気的接触層160は、有機層130上に堆積される。例示目的のために、層160はカソード層である。
カソード層は、ラインとしてまたはフィルムとして堆積されてもよい。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有するいずれの金属または非金属であってもよい。カソードのための例示的な材料には、アルカリ金属、特にリチウム、第2族の(アルカリ土類)金属の他、希土類元素およびランタニド、およびアクチニドなどを含めて、第12族の金属などが挙げられる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウムおよびマグネシウム、ならびに組合せなどの材料を用いることができる。LiFおよびLi2Oなどのリチウム含有化合物および他の化合物もまた、システムの作動電圧を低くするために有機層とカソードとの間に堆積されてもよい。
電子輸送層140または電子注入層150は場合により、「電子注入接触層」と称されることもあるカソードに隣接して配置される。
封入層170は、水および酸素などの望ましくない成分がデバイス100に入るのを防ぐために接触層160の上に堆積される。このような成分は、有機層130に有害な影響を与えることがある。1つの実施態様において、封入層170はバリア層またはフィルムである。
示されないが、デバイス100は、付加的な層を含んでもよいことが理解される。例えば、正電荷輸送および/または層のバンドギャップ整合を容易にするために、または保護層として機能するためにアノード110と正孔輸送層120との間に層(図示せず)があってもよい。本技術分野においてあるいは他の方法で公知である他の層を用いてもよい。さらに、上述の層のいずれかが、2つ以上の副層を含んでもよく、または層状構造を形成してもよい。あるいは、アノード層110、正孔輸送層120、電子輸送層140および150、カソード層160、および他の層のいくつかまたは全てを処理して、特に表面処理して、デバイスの電荷キャリア輸送効率または他の物理的性質を増加させてもよい。構成層の各々についての材料の選択は好ましくは、高いデバイス効率を有するデバイスを提供する目標とデバイスの動作寿命の問題、製造時間および複雑さの要因および当業者によって理解される他の問題とのバランスをとることによって決定される。最適な成分、成分の構成、および組成のアイデンティティを決定することは当業者には通常であることは理解されよう。
1つの実施態様において、異なった層は、以下の範囲の厚さを有する。アノード110、500〜5000Å、1つの実施態様において1000〜2000Å、正孔輸送層120、50〜2000Å、1つの実施態様において200〜1000Å、光活性層130、10〜2000Å、1つの実施態様において100〜1000Å、層140および150、50〜2000Å、1つの実施態様において100〜1000Å、カソード160、200〜10000Å、1つの実施態様において300〜5000Å。デバイス内の電子・正孔再結合領域の位置、従ってデバイスの発光スペクトルは、各層の相対的厚さによって影響されうる。従って電子輸送層の厚さは、電子・正孔再結合領域が発光層内にあるように選択されるべきである。層厚さの所望の比は、使用された材料の正確な性質に依存する。
作動時に、適切な電源(示されない)からの電圧がデバイス100に印加される。従って、電流はデバイス100の層にわたって通過する。電子が有機ポリマー層に入り、フォトンを放出する。アクティブマトリクスOLEDディスプレイと呼ばれるいくつかのOLEDにおいて、光活性有機フィルムの単一堆積物は、電流の通過によって独立に励起されてもよく、発光の単一ピクセルにつながる。パッシブマトリクスOLEDディスプレイと呼ばれるいくつかのOLEDにおいて、光活性有機フィルムの堆積は、電気的接触層の横列および縦列によって励起されてもよい。
デバイスは、様々な技術を用いて作製可能である。これらには、非限定的な実例として、蒸着技術および液相成長などがある。また、デバイスは、別個の物品に部分組み立てされてもよく、次いで組合せられてデバイスを形成することができる。
一般的な説明において上に説明された作業の全てが必要とされるわけではなく、特定の作業の一部が必要とされない場合があり、1つまたは複数のさらなる作業が、説明された作業に加えて行われてもよいことに留意されたい。さらに、作業が記載される順序は、必ずしも、それらが行われる順序ではない。
(定義)
「状態調節する」は、湿気および汚染ガスなどであるがそれらに限定されないほとんど全ての揮発物を追い出すために、ゲッター材料などの材料を活性化、再活性化、または再生することを指す。
「状態調節する」は、湿気および汚染ガスなどであるがそれらに限定されないほとんど全ての揮発物を追い出すために、ゲッター材料などの材料を活性化、再活性化、または再生することを指す。
本明細書中で用いられるとき、用語「吸着性(adsorbent)」および「吸着する(adsorbing)」は、ガスまたは蒸気の分子をその表面に濃縮させて吸着性を物理的または化学的に変化させずに除くことができる能力を有する固体材料を指す。
本明細書中で用いられるとき、用語「粘土」は、本質的にアルミニウムからなる、含水ケイ酸塩鉱物の粗い塊からなる、1/256mm(4ミクロン)未満の直径を有する鉱物粒子組成物を意味する。
本明細書中で用いられるとき、用語「ガス」は、不確定に膨張して格納容器を満たす、低密度を特徴とする物質の相を意味する。本明細書中で用いられるとき、「汚染ガス」という語句は、湿気、酸素、水素、炭化水素蒸気の他、大気中にあるかまたは有機電気デバイス内で内部発生されることがあるあらゆる種類のガスを含める。
本明細書中で用いられるとき、用語「ゲッター」または「ゲッタリング」は、電子デバイス内の有機層に障害をもたらす汚染ガスを吸着する物質または吸着する作用を意味する。また、ゲッター材料は、水を吸収する小さい比率の材料を含有してもよい。例えば、本発明の方法によって製造されたゲッター中の無機結合剤として有用である特定の粘土およびガラスフリットは、水を吸収する。1つの実施態様において、ゲッターは分子ふるいを含む。
本明細書中で用いられるとき、用語「密封して(hermetically)」は、空気の逃散または侵入に対するほとんど完全な封止を意味する。
本明細書中で用いられるとき、用語「分子ふるい」は、分子のサイズまたは形状の差に基づいて分子を選択的に吸着または排除する結晶性、多孔性分子構造を意味する。本発明のために適した分子ふるい粒子には、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、硫酸塩、金属ハロゲン化物、および過塩素酸塩およびそれらの混合物などがある。1つの実施態様において、分子ふるいはゼオライトである。
単数形(「a」または「an」)の使用は、本発明の要素および成分を記載するために使用される。これは、単に便宜上のために、および本発明の一般的な意味を提供するために使用される。この説明は、1つまたは少なくとも1つを含めるように読まれるべきであり、また、他の意味であることが明白でない限り、単数は複数を含める。
層または材料を指す時に用語「活性」は、電子的または電気放射性質を示す層または材料を意味することが意図される。活性層の材料は、放射線を放射することができ、または放射線を受容する時に電子・正孔対の濃度の変化を示すことができる。従って、用語「活性材料」は、デバイスの作動を電子的に容易にする材料を指す。活性材料の例には、電荷を伝導、注入、輸送、または阻止する材料があるがそれらに限定されず、そこで電荷は電子または正孔のどちらであってもよい。不活性材料の例には、平坦化材料、絶縁材料、および環境バリア材料などがあるがそれらに限定されない。
本明細書中で用いられるとき、用語「含む(comprises)」、「含む(comprising)」、「含める(includes)」、「含める(including)」、「有する(has)」、「有する(having)」またはそれらの他のいずれかの変型は、非限定的な包含を網羅するものとする。例えば、一連の要素を含む方法(process、method)、物品、または装置はそれらの要素だけに必ずしも限定されず、特に記載されていないかまたはこのような方法、物品、または装置に固有の他の要素を含めてもよい。さらに、特に矛盾する記載がない限り、「または(or)」は包括的な「または」を指し、限定的な「または」を指さない。例えば、条件AまたはBは、以下のいずれか1つによって満たされる。Aが真であり(または存在する)かつBが偽である(または存在しない)、Aが偽であり(または存在しない)かつBが真である(または存在する)、AおよびBの両方が真である(か、または存在する)。
用語「層」は、用語「フィルム」と同義的に用いられ、所望の領域を覆うコーティングを指す。前記領域は、全デバイスまたは実際の視覚ディスプレイなどの特定の機能的領域程度の大きさでもよく、または単一サブピクセル程度の大きさでもよい。フィルムは、蒸着および液相成長など、いずれかの従来の堆積技術によって形成されてもよい。液相成長技術には、連続堆積技術、例えばスピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、吹付けコーティング、および連続ノズルコーティングの他、不連続堆積技術、例えばインクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷などがあるがそれらに限定されない。
用語「有機電子デバイス」は、1つまたは複数の半導体層または材料を含有するデバイスを意味することが意図される。有機電子デバイスには、(1)電気的エネルギーを放射線に変換するデバイス(例えば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、ダイオードレーザー、または照明パネル)、(2)電子プロセスによって信号を検出するデバイス(例えば、光検出器、光導電セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、光電管、赤外線(「IR」)検出器、またはバイオセンサー)、(3)放射線を電気的エネルギーに変換するデバイス(例えば、太陽電池またはソーラーセル)、および(4)1つまたは複数の有機半導体層を含有する1つまたは複数の電子部品を含有するデバイス(例えば、トランジスタまたはダイオード)などがあるがそれらに限定されない。また、デバイスという用語は、メモリー記憶デバイスのためのコーティング材料、帯電防止フィルム、バイオセンサー、エレクトロクロミックデバイス、固体電解質コンデンサの他、再充電可能なバッテリーなどのエネルギー貯蔵デバイス、および電磁シールド用途を含める。
用語「基板」は、硬質または可撓性のどちらであってもよく、ガラス、ポリマー、金属、またはセラミック材料、またはそれらの組合せなどが挙げられるがそれらに限定されない1つまたは複数の材料の1つまたは複数の層を含有してもよい加工物を意味することが意図される。1つの非限定的な例において、基板は蓋である。
特に記載しない限り、本明細書中で用いられるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解される同じ意味を有する。本明細書に記載された方法および材料と同様なまたは同等の方法および材料を本発明の実施態様の実施または試験において用いることができるが、適した方法および材料は以下に記載される。本明細書に記載されたすべての出版物、特許出願、特許、および他の文献は、特定の節が引用されない限り、それらの全体を参照によって援用するものとする。矛盾する場合、定義を含めて本明細書が優先する。さらに、材料、方法、および実施例は例示にすぎず、限定的であることを意図しない。
本明細書に記載されない範囲まで、特定の材料、加工作業、および回路に関する多くの詳細は従来のものであり、有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光電池、および半導体要素技術内のテキストおよび他の情報源に見出すことができる。
本明細書に記載された概念は以下の実施例にさらに記載され、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を限定しない。
(実施例1)
ゼオライト試料は、家庭用マイクロ波炉内で加熱された。図2は、加熱サイクルの間の温度プロフィールを示す。温度の急激な上昇はマイクロ波エネルギーの水吸着のためであった。水が除去されるとき、ゼオライトは水ほど効率的にマイクロ波エネルギーを吸着することができないので、温度が低下する。
ゼオライト試料は、家庭用マイクロ波炉内で加熱された。図2は、加熱サイクルの間の温度プロフィールを示す。温度の急激な上昇はマイクロ波エネルギーの水吸着のためであった。水が除去されるとき、ゼオライトは水ほど効率的にマイクロ波エネルギーを吸着することができないので、温度が低下する。
(実施例2)
ゼオライトの層をその上に有する基板、例えばガラスから製造された蓋が得られる。蓋を大気条件および湿度下で取扱う。
ゼオライトの層をその上に有する基板、例えばガラスから製造された蓋が得られる。蓋を大気条件および湿度下で取扱う。
工業グレードマイクロ波炉を窒素制御環境(例えば、グローブボックス)内に置く。
蓋を工業グレードマイクロ波炉内に置く。次に、蓋上に配置されたゼオライトは特定の時間の間、特定の出力のマイクロ波放射線に暴露することによって状態調節される。ゼオライトの温度は300℃以下であることが予測され、基板の温度はゼオライトよりも冷たいと予測される。
同じおよび異なる厚さおよびタイプのゼオライトを有するいくつかの蓋が、出力および時間の様々な条件下で試験される。
様々な出力および時間でマイクロ波放射線に暴露され、場合により冷却させられた後、蓋上の状態調節されたゼオライトの堆積物は電子デバイス、例えば有機発光デバイスを用いるデバイスに封入され、そこでデバイスは各々、ディスプレイ基板および蓋を含む。次に、デバイスは、85℃および85%の相対湿度または60℃および90%の相対湿度のどちらかの条件下の促進された貯蔵環境に置かれる。ピクセルのサイズの低減によって測定されたときのデバイスの破損までの時間が各デバイスについて測定される。
先述の明細書において、概念を具体的な実施態様を参照して記載した。しかしながら、当業者は、特許請求の範囲に記載したように本発明の範囲から逸脱せずに様々な変更および変形を行うことができることを理解する。したがって、明細書および図は限定される意味においてではなく例示の意味にとられるべきであり、かかる変更の全てを本発明の範囲内に包含するものとする。
多くの態様および実施態様は上に記載されており、例示目的にすぎず、限定されるものではない。本明細書を読むと、当業者は、他の態様および実施態様が本発明の範囲から逸脱せずに可能であることを理解する。
利点、他の有利な点、および問題の解決を、特定の実施態様に対して上に記載した。しかしながら、利点、有利な点、問題の解決、およびいずれかの利点、有利な点または解決をもたらすかもしくはより顕著なものにする場合があるいかなる特徴も、いずれかまたは全ての特許請求の範囲の重要かつ必要とされるかまたは本質的な特徴であると解釈されねばならない。
分かりやすくするために、特定の特徴は、別々の実施態様の文脈において本明細書に記載され、単一の実施態様において組み合わせて提供されてもよいことは理解されるはずである。逆に、簡単にするために、単一の実施態様の文脈で記載されている様々な特徴もまた、別々にまたはいずれかの副次的な組合せで提供されてもよい。
さらに、範囲において記載された値への言及は、その範囲内の各々のおよび全ての値を包含する。
Claims (29)
- ゲッター材料をマイクロ波放射線で加熱する工程を含むことを特徴とする、ゲッター材料を状態調節するための方法。
- 前記ゲッター材料が300℃以下の温度に暴露されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ゲッター材料が分子ふるいを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記分子ふるいがゼオライトを含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記ゲッター材料が、5分以下の間、マイクロ波放射線に暴露されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ゲッター材料が、3分以下の間、マイクロ波放射線に暴露されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- マイクロ波放射線を用いてゲッター材料を加熱する工程と、前記ゲッター材料を電子デバイス内に封入する工程とを含むことを特徴とする、電子デバイスを製造する方法。
- 加熱工程の間の温度が300℃以下であることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記ゲッター材料を封入する前に前記ゲッター材料を冷却する工程をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記ゲッター材料が分子ふるいを含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記分子ふるいがゼオライトを含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記ゲッター材料が、5分以下の間、マイクロ波放射線に暴露されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記ゲッター材料が、3分以下の間、マイクロ波放射線に暴露されることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記ゲッター材料を基板上に層にする工程をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記ゲッター材料の厚さが100μm以下であることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記厚さが1μm以下であることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記電子デバイスが基板と、アノード層と、カソード層と、活性層とを含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
- ゲッター材料の層を含む基板を提供する工程と、アノード層と、カソード層と、活性層とを提供する工程と、前記基板と前記ゲッター材料とをマイクロ波放射線に暴露する工程とを含むことを特徴とする、電子デバイスを組み立てる方法。
- 前記基板および前記ゲッター材料が、5分以下の間、マイクロ波放射線に暴露されることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記基板および前記ゲッター材料が、3分以下の間、マイクロ波放射線に暴露されることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記ゲッター材料を基板上に層にする工程をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記ゲッター材料の厚さが100μm以下であることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記厚さが1μm以下であることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記ゲッター材料を300℃以下の温度に暴露する工程をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 基板と、活性層と、ゲッター材料とを含み、前記ゲッター材料が、マイクロ波放射線によって300℃以下の温度に暴露されることを特徴とする電子デバイス。
- 前記ゲッター材料が分子ふるいを含むことを特徴とする請求項25に記載の電子デバイス。
- 前記ゲッター材料がゼオライトを含むことを特徴とする請求項26に記載の電子デバイス。
- 前記ゲッター材料が前記基板上に堆積されることを特徴とする請求項25に記載の電子デバイス。
- 前記ゲッター材料が、ゲッター材料の0.1重量%以下の水を含むことを特徴とする請求項25に記載の電子デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US64056904P | 2004-12-30 | 2004-12-30 | |
PCT/US2005/046323 WO2006073824A2 (en) | 2004-12-30 | 2005-12-16 | Methods of conditioning getter materials |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008527629A true JP2008527629A (ja) | 2008-07-24 |
Family
ID=36647990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007549476A Pending JP2008527629A (ja) | 2004-12-30 | 2005-12-16 | ゲッター材料を状態調節する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8148885B2 (ja) |
JP (1) | JP2008527629A (ja) |
KR (1) | KR101265353B1 (ja) |
CN (1) | CN101128906B (ja) |
TW (1) | TW200636945A (ja) |
WO (1) | WO2006073824A2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7438829B2 (en) * | 2003-11-13 | 2008-10-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film getter paste compositions for use in moisture control |
US20070013305A1 (en) * | 2005-07-18 | 2007-01-18 | Wang Carl B | Thick film getter paste compositions with pre-hydrated desiccant for use in atmosphere control |
CN104659073B (zh) * | 2015-03-16 | 2018-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装结构及封装方法、显示装置 |
CN112169528B (zh) * | 2020-09-24 | 2022-07-12 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种内加热式吸气剂片及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09210290A (ja) * | 1996-02-02 | 1997-08-12 | Toshiba Corp | 真空断熱材の製造方法および製造装置 |
JP2001500787A (ja) * | 1997-07-15 | 2001-01-23 | ダイムラー クライスラー・アクチェンゲゼルシャフト | 空気から気体状の有機物質を除去するための方法および装置 |
JP2001096120A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 吸着材の加熱装置および加熱方法 |
JP2002203675A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Canon Inc | 有機発光素子の製造方法及び有機発光表示体の製造方法、有機発光素子及び有機発光表示体 |
JP2002263444A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | チッ素酸化物除去方法および装置 |
US20040244673A1 (en) * | 2003-01-31 | 2004-12-09 | Yates Matthew Z. | Microporous crystals and methods of making thereof |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4322394A (en) * | 1977-10-31 | 1982-03-30 | Battelle Memorial Institute | Adsorbent regeneration and gas separation utilizing microwave heating |
US4544378A (en) * | 1982-11-15 | 1985-10-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Nitrogen adsorption process |
US4481018A (en) * | 1982-11-15 | 1984-11-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Polyvalent ion exchanged adsorbent for air separation |
US5152813A (en) * | 1991-12-20 | 1992-10-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Nitrogen adsorption with a Ca and/or Sr exchanged lithium X-zeolite |
US5258058A (en) * | 1992-10-05 | 1993-11-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Nitrogen adsorption with a divalent cation exchanged lithium X-zeolite |
US5354360A (en) * | 1993-01-11 | 1994-10-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Magnesium A-zeolite for nitrogen adsorption |
FR2749004B1 (fr) * | 1996-05-24 | 1998-07-10 | Air Liquide | Procede pour la purification de melanges gazeux a base d'hydrogene utilisant une zeolithe x echangee au lithium |
US6673400B1 (en) * | 1996-10-15 | 2004-01-06 | Texas Instruments Incorporated | Hydrogen gettering system |
US5789859A (en) * | 1996-11-25 | 1998-08-04 | Micron Display Technology, Inc. | Field emission display with non-evaporable getter material |
US5931713A (en) * | 1997-03-19 | 1999-08-03 | Micron Technology, Inc. | Display device with grille having getter material |
US5945780A (en) * | 1997-06-30 | 1999-08-31 | Motorola, Inc. | Node plate for field emission display |
US6303238B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-10-16 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs doped with phosphorescent compounds |
JP3057081B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2000-06-26 | キヤノン株式会社 | 気密容器の製造方法および該気密容器を用いる画像形成装置の製造方法 |
ATE344532T1 (de) | 1999-05-13 | 2006-11-15 | Univ Princeton | Lichtemittierende, organische, auf elektrophosphoreszenz basierende anordnung mit sehr hoher quantenausbeute |
EP2278637B2 (en) | 1999-12-01 | 2021-06-09 | The Trustees of Princeton University | Complexes of form L2MX |
US6821645B2 (en) | 1999-12-27 | 2004-11-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex |
US20020121638A1 (en) | 2000-06-30 | 2002-09-05 | Vladimir Grushin | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
EP1325671B1 (en) | 2000-08-11 | 2012-10-24 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence |
JP4154140B2 (ja) | 2000-09-26 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物 |
JP4154139B2 (ja) | 2000-09-26 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
GB0028395D0 (en) | 2000-11-22 | 2001-01-03 | Ici Plc | Getters |
US6812636B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-11-02 | Candescent Technologies Corporation | Light-emitting device having light-emissive particles partially coated with light-reflective or/and getter material |
US6477222B1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-11-05 | Agilent Technologies, Inc. | Getter for atmospheric gases in optical switch working fluid |
JP4025228B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2007-12-19 | カウンスィル オブ サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ | 空気のサイズ/形態的選択分離用モレキュラーシーブ吸着剤の調製法 |
-
2005
- 2005-12-16 WO PCT/US2005/046323 patent/WO2006073824A2/en active Application Filing
- 2005-12-16 CN CN2005800486220A patent/CN101128906B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-16 KR KR1020077017440A patent/KR101265353B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-16 US US11/721,739 patent/US8148885B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-16 JP JP2007549476A patent/JP2008527629A/ja active Pending
- 2005-12-30 TW TW094147814A patent/TW200636945A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09210290A (ja) * | 1996-02-02 | 1997-08-12 | Toshiba Corp | 真空断熱材の製造方法および製造装置 |
JP2001500787A (ja) * | 1997-07-15 | 2001-01-23 | ダイムラー クライスラー・アクチェンゲゼルシャフト | 空気から気体状の有機物質を除去するための方法および装置 |
JP2001096120A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 吸着材の加熱装置および加熱方法 |
JP2002203675A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Canon Inc | 有機発光素子の製造方法及び有機発光表示体の製造方法、有機発光素子及び有機発光表示体 |
JP2002263444A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | チッ素酸化物除去方法および装置 |
US20040244673A1 (en) * | 2003-01-31 | 2004-12-09 | Yates Matthew Z. | Microporous crystals and methods of making thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200636945A (en) | 2006-10-16 |
CN101128906B (zh) | 2012-09-05 |
WO2006073824A3 (en) | 2007-05-24 |
WO2006073824A2 (en) | 2006-07-13 |
KR101265353B1 (ko) | 2013-05-21 |
US8148885B2 (en) | 2012-04-03 |
CN101128906A (zh) | 2008-02-20 |
US20080272694A1 (en) | 2008-11-06 |
KR20070106700A (ko) | 2007-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102563713B1 (ko) | 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 장치 | |
CN100392888C (zh) | 有机电致发光显示器件 | |
EP3089232B1 (en) | Organic light-emitting element | |
KR101245745B1 (ko) | Oled 디바이스용 제습 밀봉 장치 | |
US20060087230A1 (en) | Desiccant film in top-emitting OLED | |
US20060283546A1 (en) | Method for encapsulating electronic devices and a sealing assembly for the electronic devices | |
US20060284556A1 (en) | Electronic devices and a method for encapsulating electronic devices | |
US20050238803A1 (en) | Method for adhering getter material to a surface for use in electronic devices | |
KR20100106369A (ko) | 안정한 청색 인광성 유기 발광 소자 | |
WO2006052465A2 (en) | Polymeric substrate having a desiccant layer | |
EP1793923A2 (en) | Lewis acid organometallic desiccant | |
CN1671260A (zh) | 白色发光有机电致发光器件及其有机电致发光显示器 | |
US8148885B2 (en) | Methods of conditioning getter materials | |
US8002939B2 (en) | Encapsulation tool and methods | |
US20060060086A1 (en) | Desiccant having a reactive salt | |
KR100816345B1 (ko) | 게터용 흡습제 및 바인더, 이를 포함하는 디스플레이패키징용 게터 및 디스플레이 소자 | |
JP4391773B2 (ja) | 感湿性有機材料の圧縮方法 | |
US8950328B1 (en) | Methods of fabricating organic electronic devices | |
CN114634511B (zh) | 一种有机化合物及其应用 | |
Vyavahare | Fabrication and characterization of organic light emitting diodes for display applications | |
JP2002175881A (ja) | 発光素子 | |
Harikrishna Mohan | A novel hole-confining concept for efficient green organic light emitting diodes | |
Bhandari | Use of Hole and Electron Impeding layers to Improve the Efficiency of Organic Light Emitting Diodes | |
KR101193181B1 (ko) | 발광층 형성용 조성물 및 고효율 유기전계발광소자 | |
Subramanian | Implementation of ‘Hole confinement’for efficient Inverted and un-doped bi-layer Organic Light Emitting Diodes using a buffer layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120312 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121122 |