KR20070041989A - 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법 - Google Patents

전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070041989A
KR20070041989A KR1020050097705A KR20050097705A KR20070041989A KR 20070041989 A KR20070041989 A KR 20070041989A KR 1020050097705 A KR1020050097705 A KR 1020050097705A KR 20050097705 A KR20050097705 A KR 20050097705A KR 20070041989 A KR20070041989 A KR 20070041989A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
electron emission
layer
metal film
metal
Prior art date
Application number
KR1020050097705A
Other languages
English (en)
Inventor
전상호
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050097705A priority Critical patent/KR20070041989A/ko
Priority to US11/546,780 priority patent/US7868533B2/en
Publication of KR20070041989A publication Critical patent/KR20070041989A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/08—Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
    • H01J29/085—Anode plates, e.g. for screens of flat panel displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 전자 방출 표시 디바이스는, 제1 기판, 제1 기판에 형성되어 전자를 방출하는 전자 방출 유닛, 제1 기판의 어느 일면에 대향 배치되는 제2 기판 및 제2 기판에 형성되어 전자 방출 유닛에서 방출되는 전자에 의해 가시광을 방출하는 발광 유닛을 포함하고, 발광 유닛은 제2 기판에 형성되는 형광층 및 형광층의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 애노드 전극은 제1 금속막과 제1 금속막의 일면에 적어도 1 이상의 금속층으로 형성되는 제2 금속막을 포함한다.
전자방출표시디바이스, 애노드전극, 형광층, 흑색층, 금속막, 캐소드전극

Description

전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법 {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.
도 4a 내지 4e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 애노드 전극의 구조 및 제조 공정을 개선하여 발광 효율을 향상시키는 전자 방출 표시 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자 방출 표시 디바이스는 복수의 전자 방출 소자를 구비하는 전자 방출 디 바이스에서 방출되는 전자를 이용하는 자발광형 디스플레이 장치이다.
이러한 전자 방출 표시 디바이스에 사용되는 전자 방출 소자는 일반적으로 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.
여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(field emitter array; FEA)형, 표면 전도 에미션(surface conduction emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(metal-insulator-metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(metal-insulator-semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.
상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 디바이스는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 구비하며, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때, 금속이나 반도체로부터 공급되는 전자가 터널링(tunneling) 현상에 의하여 절연층을 통과하여 상부 금속에 도달하고, 도달한 전자 중 상부 금속의 일함수(work function) 이상의 에너지를 가지는 전자가 상부 전극으로부터 방출된다.
SCE형 전자 방출 소자는 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
그리고 FEA형 전자 방출 소자는 일함수(work function)가 낮거나 종횡비(aspect ratio)가 큰 물질을 전자원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계에 의해 쉽 게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로서, 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 전자 방출부를 형성하거나, 카본 나노튜브(carbon nanotube)와 흑연 및 다이아몬드상 카본과 같은 카본계 물질로 전자 방출부를 형성한 예가 개발되고 있다.
전자 방출 표시 디바이스들은 전자 방출 소자의 종류에 따라 세부적인 구조가 상이하지만, 기본적으로 제1 기판과 제2 기판 및 두 기판의 가장자리를 접합시켜 밀폐된 내부 공간을 형성하는 밀봉 부재를 포함한다. 이 내부 공간은 전자들의 방출과 이동이 원활하게 이루어지도록 진공 상태로 유지되어 제1 기판과 제2 기판 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.
또한, 전자 방출 표시 디바이스는 제1 기판의 일면에 전자 방출부와 화소별 전자 방출을 제어하는 구동 전극들을 구비하고, 제2 기판의 일면에 형광층과 더불어 제1 기판 측에서 방출된 전자들이 형광층을 향해 양호하게 가속되도록 하는 애노드 전극을 구비한다. 이로써 전자 방출 소자는 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 가시광을 냄으로써 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.
전술한 전자 방출 표시 디바이스에 있어서, 알루미늄과 같은 금속막으로 형성되는 애노드 전극이 공지되어 있다. 이 애노드 전극은 형광층과 흑색층의 표면에 위치하며, 형광층에서 방사된 가시광 중 제1 기판을 향해 방사된 가시광을 제2 기판 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.
이와 같은 애노드 전극은 형광층 위에 먼저 중간막이라 불리는 유기물층을 도포하고 그 위에 스퍼터링 또는 증기증착방법으로 애도드 전극 형성을 위한 금속막을 적층하며, 중간막을 소성하는 공정을 통해 형성된다.
그런데 중간막을 소성하는 과정에서 금속 박막으로 형성되는 애노드 전극에 고온이 가해지게 되고, 이에 따라 애노드 전극이 손상되어 미세한 균열이 발생한다.
이러한 애노드 전극의 균열은 가시광의 반사 효율을 떨어뜨리게 되어 전자 방출 표시 디바이스의 휘도와 색재현성을 저하시키고, 애노드 전극의 신뢰성에도 상당한 문제를 일으켜 형광체의 수명을 감소시키고, 전기적인 쇼크에 의해 애노드 전극의 손상을 일으키게 되는 문제가 있다.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 중간막 소성 공정에 의한 애노드 전극의 손상을 억제하여 아크 방전과 표시 품질 저하를 방지할 수 있는 전자 방출 표시 디바이스 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 전자 방출 표시 디바이스는,
제1 기판, 제1 기판에 형성되어 전자를 방출하는 전자 방출 유닛, 제1 기판의 어느 일면에 대향 배치되는 제2 기판 및 제2 기판에 형성되어 전자 방출 유닛에서 방출되는 전자에 의해 가시광을 방출하는 발광 유닛을 포함하고, 발광 유닛은 제2 기판에 형성되는 형광층 및 형광층의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 애노드 전극은 제1 금속막과 제1 금속막의 일면에 적어도 1 이상의 금속층으로 형성되는 제2 금속막을 포함한다.
또한, 애노드 전극과 형광층 사이에 형성되는 소정의 갭을 포함할 수 있다.
또한, 제1 금속막과 제2 금속막은 알루미늄을 포함하는 금속으로 형성될 수 있다.
또한, 형광층은 서로 임의의 간격을 두고 형성되고, 형광층 사이에는 흑색층이 형성될 수 있다.
이 경우, 제2 기판을 향한 형광층들의 일면에 위치하는 투명 애노드 전극을 더욱 포함할 수 있다.
또한, 애노드 전극은 1000Å 내지 1500Å의 두께를 가질 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 전자 방출 표시 디바이스를 제조하는 방법은 제2 기판 상에 형광층을 형성하는 단계, 형광층 위에 중간막을 형성하는 단계, 중간막 위에 제1 금속막을 형성하는 단계, 중간막을 소성하는 단계 및 제1 금속막 위에 적어도 1 이상의 금속층으로 형성되는 제2 금속막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 제2 기판 상에 서로 임의의 간격 갖는 흑색층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 형광층은 흑색층 사이에 형성될 수 있다.
이때, 중간막은 고분자 유기물질로 형성될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1과 도 2는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 의 부분 분해 사시도와 부분 단면도이다.
도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스(100)는 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(10)과 제2 기판(12)을 포함한다. 제1 기판(10)과 제2 기판(12)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.
제1 기판(10)의 제2 기판(12)측 대향면에는 전자 방출을 위한 전자 방출 유닛(110)이 제공되고, 제2 기판(12) 중 제1 기판(10)과의 대향면에는 전자에 의해 가시광을 방출하여 임의의 발광 또는 표시를 행하기 위한 발광 유닛(120)이 제공된다.
먼저, 전자 방출 유닛(110)의 구성을 설명하면, 제1 기판(10)에는 제1 전극인 캐소드 전극(14)이 제1 기판의 일방향(도 1의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 제1 기판(10) 전체에는 캐소드 전극(14)을 덮는 제1 절연층(16)이 형성된다.
제1 절연층(16) 위에는 제2 전극인 게이트 전극(18)이 캐소드 전극(14)과 직교하는 방향(도 1의 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.
본 실시예에서 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극(14) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(20)가 형성되고, 제1 절연층(16)과 게이트 전극(18)에는 각 전자 방출부(20)에 대 응하는 개구부(16a, 18a)가 형성되어 제1 기판(10) 상에 전자 방출부(20)가 노출되도록 한다.
전자 방출부(20)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(20)는 일례로 탄소나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있다.
다른 한편으로 전자 방출부(20)는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.
도면에서는 전자 방출부들(20)이 원통형으로 형성되고, 각 화소 영역에서 캐소드 전극(14)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였다. 그러나 전자 방출부(20)의 형상과 화소 영역 당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
그리고 제1 절연층(16)과 게이트 전극(18) 위로는 제2 절연층(22)과 제3 전극인 집속 전극(24)이 형성된다. 제2 절연층(22)은 게이트 전극(18)과 집속 전극(24)을 절연시키며, 제2 절연층(22)과 집속 전극(24)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(22a, 24a)가 마련된다.
일례로, 이 개구부(22a, 24a)는 화소 영역마다 하나가 구비되어 집속 전극(24)이 한 화소 영역에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하도록 한다.
다음으로 발광 유닛(120)의 구성을 설명하면, 제1 기판(10)과 대향하는 제2 기판(12)의 일면에는 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(26R, 26G, 26B)이 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(26) 사이에는 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(28)이 형성된다.
형광층(26)은 제1 기판(10)에 설정되는 화소 영역에 한 가지 색의 형광층(26R, 26G, 26B)이 대응하도록 형성될 수 있다.
형광층(26)과 흑색층(28) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(30)이 형성된다. 애노드 전극(30)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(26)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(10)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(12) 측으로 반사시켜 휘도를 높이는 역할을 한다.
이때, 애노드 전극(30)은 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 금속막(30a)과 적어도 1 이상의 금속층으로 형성되는 제2 금속막(30b)이 적층된 구조로 형성된다. 도 2에는 일례로 제2 금속막(30b)이 하나의 금속층으로 이루어지는 구성을 도시하였으나, 제2 금속막(30b)은 2 또는 3개의 금속층으로 형성될 수 있다. 이러한 제2 금속막(30b)은, 제조 공정상 제1 금속막(30a)에 형성되는 미세 균열을 상쇄하게 된다. 따라서 애노드 전극(30)은 전체적으로 균일하면서도 견고한 구조를 갖게 된다.
또한, 형광층(26)과 제1 금속막(30a)의 사이에는 제조 공정시 유기 중간막의 소성 과정을 통하여 발생하는 소정의 갭(31)이 존재하게 된다.
이 경우, 애노드 전극(30)은 1000Å 내지 1500Å의 두께로 형성되며, 제1 금속막(30a)과 제2 금속막(30b)은 서로 비슷한 두께로 형성된다. 따라서 일례로 애 노드 전극(30)이 1000Å의 두께를 갖는 경우, 제1 금속막(30a)과 제2 금속막(30b)는 각각 500Å의 두께로 형성될 수 있다.
이러한 애노드 전극(30)은 도전성이 있고 광택이 있는 금속 예컨대, 알루미늄을 포함하는 금속으로 형성될 수 있다.
한편, 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 사이에는 스페이서(32)가 배치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고, 두 기판의 간격을 일정하게 유지시킨다. 스페이서(32)는 형광층(26)을 침범하지 않도록 흑색층(28)에 대응하여 위치한다.
전술한 구성의 전자 방출 표시 디바이스(100)는 외부로부터 캐소드 전극(14), 게이트 전극(18), 집속 전극(24) 및 애노드 전극(30)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다.
일례로 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18) 중 어느 하나의 전극이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극으로 기능하고, 다른 하나의 전극이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극으로 기능한다. 그리고 집속 전극(24)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 (-)직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(30)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 (+)직류 전압을 인가받는다.
이에 따라, 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18)간 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(20) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극 개구부(24a)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되며, 애노드 전극(30)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 형광층(26)에 충돌함 으로써 이를 발광시킨다.
도 3을 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스(200)는 전술한 제1 실시예의 구성을 기본으로 하면서 제2 애노드 전극(34)이 더욱 형성된 구성을 제공한다.
제2 애노드 전극(34)은 금속막이 아닌 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어지며, 제2 기판(12)을 향한 형광층(26)과 흑색층(28)의 일면에 위치한다.
이때, 제2 애노드 전극(34)은 금속막으로 이루어진 제1 애노드 전극(30)과 전기적으로 연결되어 형광층(26)을 고전위 상태로 유지시키며, 제1 애노드 전극(30)과 함께 애노드 전극으로 기능한다.
본 실시예에서도 제2 금속막(30b)은 1 이상의 금속층으로 형성되어 제조 공정상 제1 금속막(30a)에 형성되는 미세 균열을 상쇄하게 된다.
다음으로는 도 4a 내지 도 4e를 참고하여 전술한 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법에 대해 설명한다.
먼저 도 4a에 도시한 바와 같이, 제2 기판(12)상의 비발광 영역에 일정한 간격을 두고 흑색층(28)을 형성한다. 흑색층(28)은 크롬 산화막과 같은 박막 또는 흑연과 같은 탄소계열 성분의 후막으로 이루어질 수 있다. 그리고 흑색층(28) 사이의 발광 영역에 적색과 녹색 및 청색의 형광층(26R, 26G, 26B)을 형성한다.
이어서 도 4b에 도시한 바와 같이, 제2 기판(12) 위에 표면 중간막(36)을 형성한다. 이때, 중간막(36)은 형광층(26) 위에만 선택적으로 형성될 수 있다. 이 는 추후 형성되는 애노드 전극이 흑색층(28)과 직접 접촉하여 제2 기판(12)에 대한 애노드 전극의 부착력을 높이기 위함이다.
다음으로, 도 4c에 도시한 바와 같이, 흑색층(28) 및 중간막(36) 위에 금속 물질, 일례로 알루미늄을 증기증착 또는 스퍼터링하여 제1 금속막(30a)을 형성한다.
이어서 도 4d에 도시한 바와 같이, 제2 기판(12)을 소성하여 중간막(36)을 제거한다. 이때, 형광층(26) 위의 제1 금속막(30a)은 제거된 중간막(36)에 의해 형광층(26)과 소정의 갭(31)을 두고 위치하고, 흑색층(28) 위의 제1 금속막(30a)은 흑색층(28)과 직접 접촉하며 형성된다.
이와 같이, 중간막(36)이 제거됨에 따라 제1 금속막(30a)과 형광층(26) 사이에 형성되는 갭(31)에 의하여 형광층(26)에서 발광하여 애노드 전극(30)에서 반사되는 효율이 증대될 수 있다.
다음으로, 제1 금속막(30a) 위에 금속물질, 일례로 알루미늄을 증기증착 또는 스퍼터링하여 제2 금속막(30b)을 형성하여, 애노드 전극(30)을 완성한다. 이와 같이, 제1 금속막(30a)과 제2 금속막(30b)을 별도로 증착하여 애노드 전극(30)을 완성하는 것은 중간막을 소성하는 과정에서 박막의 애노드 전극이 열에 의한 손상을 받아 미세한 균열이 발생할 수 있어 제1 금속막(30a)에 제2 금속막(30b)을 추가로 형성함으로써 이를 보완하기 위함이다.
이와 같은 공정을 통해 제1 금속막(30a)을 형성하고, 중간막을 소성하는 과정에서 제1 금속막(30a)에 미세 균열이 발생하더라도 제2 금속막(30b)를 제1 금속 막(30a)의 균열 부위에 형성함으로써 애노드 전극(30)은 미세 균열이 없는 구조로 형성될 수 있다.
또한, 도시하지 않았으나 애노드 전극(30)을 더욱 견고한 구조로 형성하기 위해 제2 금속막(30b) 위로 1 또는 2 이상의 금속막을 더 형성할 수 있다.
이어서 도시하지 않았으나 제1 기판 위에 전자 방출부와 이를 제어하는 구동 전극들을 형성하고, 스페이서를 배치한 다음, 밀봉부재를 이용하여 제1 기판과 제2 기판의 가장자리를 접합시켜 진공 용기를 형성하고, 배기구를 통해 진공 용기 내부를 배기시켜 전자 방출 표시 디바이스를 완성한다.
이와 같은 과정을 거쳐 도 1 및 도 2에 도시한 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 디바이스가 완성된다.
상기에서는 전자 방출부가 진공 중에서 전계에 의해 전자를 방출하는 물질들로 이루어진 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이러한 FEA형에 한정되지 않고 전자 방출부와 애노드 전극 및 형광층을 구비하는 다른 타입의 전자 방출 표시 디바이스에도 용이하게 적용 가능하다.
또한, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 견고한 애노드 전극의 구조를 가지게 되어 휘도와 색재현성이 향상되고, 전기적 충격에도 손상되지 않는 효과를 갖는다.

Claims (10)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판에 형성되어 전자를 방출하는 전자 방출 유닛;
    상기 제1 기판의 어느 일면에 대향 배치되는 제2 기판; 및
    상기 제2 기판에 형성되어 상기 전자 방출 유닛에서 방출되는 전자에 의해 가시광을 방출하는 발광 유닛
    을 포함하고,
    상기 발광 유닛은
    상기 제2 기판에 형성되는 형광층; 및
    상기 형광층의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며,
    상기 애노드 전극은 제1 금속막과 상기 제1 금속막의 일면에 적어도 1 이상의 금속층으로 형성되는 제2 금속막을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 애노드 전극과 상기 형광층 사이에 형성되는 소정의 갭을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 금속막과 제2 금속막은 알루미늄을 포함하는 금속으로 형성되는 전 자 방출 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 형광층은 서로 임의의 간격을 두고 형성되고,
    상기 형광층 사이에는 흑색층이 형성되는 전자 방출 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 기판을 향한 상기 형광층들의 일면에 위치하는 투명 애노드 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 애노드 전극은 1000Å 내지 1500Å의 두께를 갖는 전자 방출 표시 장치.
  7. 전자 방출 유닛이 형성된 제1 기판과 발광 유닛이 형성된 제2 기판을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스를 제조하는 방법에 있어서,
    상기 제2 기판 상에 형광층을 형성하는 단계;
    상기 형광층 위에 중간막을 형성하는 단계;
    상기 중간막 위에 제1 금속막을 형성하는 단계;
    상기 중간막을 소성하는 단계; 및
    상기 제1 금속막 위에 적어도 1 이상의 금속층으로 형성되는 제2 금속막을 형성하는 단계
    를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제2 기판 상에 서로 임의의 간격 갖는 흑색층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 형광층은 상기 흑색층 사이에 형성되는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 금속막과 제2 금속막은 알루미늄을 포함하는 금속으로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 중간막은 고분자 유기물질로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.
KR1020050097705A 2005-10-17 2005-10-17 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법 KR20070041989A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050097705A KR20070041989A (ko) 2005-10-17 2005-10-17 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법
US11/546,780 US7868533B2 (en) 2005-10-17 2006-10-11 Electron emission display and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050097705A KR20070041989A (ko) 2005-10-17 2005-10-17 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070041989A true KR20070041989A (ko) 2007-04-20

Family

ID=37947539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050097705A KR20070041989A (ko) 2005-10-17 2005-10-17 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7868533B2 (ko)
KR (1) KR20070041989A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080043540A (ko) * 2006-11-14 2008-05-19 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디바이스, 발광 장치 및 표시 장치
CN101192490B (zh) * 2006-11-24 2010-09-29 清华大学 表面传导电子发射元件以及应用表面传导电子发射元件的电子源
TWI448196B (zh) * 2010-12-16 2014-08-01 Tatung Co 場發射平面照明燈

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812636B2 (en) * 2001-03-30 2004-11-02 Candescent Technologies Corporation Light-emitting device having light-emissive particles partially coated with light-reflective or/and getter material
KR20050051817A (ko) * 2003-11-28 2005-06-02 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시장치와 이의 제조 방법
JP2005235655A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7868533B2 (en) 2011-01-11
US20070085462A1 (en) 2007-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20070041989A (ko) 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법
KR20060124332A (ko) 전자 방출 소자
KR20070036923A (ko) 전자 방출 표시 디바이스와 이의 제조 방법
JP2006286605A (ja) 電子放出ディバイスおよび電子放出表示ディバイス
KR20070056680A (ko) 전자 방출 표시 디바이스
EP1780753B1 (en) Electron emission display
KR101135469B1 (ko) 전자 방출 표시 디바이스
US20070247056A1 (en) Electron emission display
KR20070019836A (ko) 전자 방출 소자
KR101072998B1 (ko) 전자 방출 표시 디바이스
KR20070046660A (ko) 진공 용기 및 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스
KR20070045708A (ko) 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법
KR20070042649A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
KR20070044175A (ko) 전자 방출 소자 및 이를 구비한 전자 방출 디바이스
KR20070083113A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
KR20070111860A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
KR20070111859A (ko) 전자 방출 디바이스
KR20070082147A (ko) 진공 용기와 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스
KR20070036924A (ko) 전자 방출 표시장치와 이의 제조 방법
KR20070083123A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
KR20070046655A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
KR20070036926A (ko) 전자 방출 디바이스
KR20070036928A (ko) 전자 방출 디바이스와 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
KR20070083122A (ko) 전자 방출 표시 디바이스
KR20070046659A (ko) 전자 방출 표시 디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid