KR20070036923A - 전자 방출 표시 디바이스와 이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 색혼합을 억제함과 동시에 흑색층에 대한 애노드 전극의 접착력을 높이기 위하여 애노드 전극의 형상을 개선한 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판에 마련되는 전자 방출부들과, 제1 기판에 제공되어 전자 방출부들의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들과, 제2 기판의 일면에 서로 이격되어 배치되는 형광층들 및 형광층들을 덮으면서 제2 기판 상에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 애노드 전극이 서로 이웃하게 배치된 두 개 이상의 형광층들을 포괄하며 이 형광층들과 갭을 두고 위치하는 이격부들과, 이격부들 사이에서 상기 제2 기판과 접촉하며 위치하는 접촉부를 포함한다.

애노드전극, 형광층, 흑색층, 전자방출부, 구동전극, 집속전극

Description

전자 방출 표시 디바이스와 이의 제조 방법 {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 발광 유닛의 부분 저면도이다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 발광 유닛의 부분 저면도이다.

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도 6a 내지 6d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 발광 유닛의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략도이다.

본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 색혼합을 억제함과 동시에 흑색층에 대한 애노드 전극의 접착력을 높이기 위하여 애노드 전극의 형상을 개선한 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식으로 분류된다.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.

이러한 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 다른 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.

즉 통상의 전자 방출 표시 디바이스는 일 기판 위에 전자 방출부와 더불어 주사 전극들과 데이터 전극들로 기능하는 복수의 구동 전극들을 구비하고, 다른 일 기판 위에 발광 유닛을 구비한다. 이로써 전자 방출부와 구동 전극들의 작용으로 화소별 전자 방출의 온/오프와 전자 방출량을 제어하고, 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.

상기한 전자 방출 표시 디바이스에서 알루미늄(Al)과 같은 금속막이 애노드 전극으로 사용될 수 있다. 이 금속의 애노드 전극은 형광층과 흑색층을 덮도록 형성되며, 형광층에서 방사된 가시광 중 제1 기판을 향해 방사된 가시광을 제2 기판 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.

그런데 형광층은 대략 수 마이크로미터(㎛) 크기의 형광체 입자들이 적층된 형태로 이루어지고, 애노드 전극은 전자 투과도 등을 고려해 대략 수천 옴스트롱(Å)의 얇은 두께로 형성되어야 하므로, 형광층 표면에 알루미늄을 직접 증착하는 경우에는 알루미늄이 형광층 입자 표면을 균일하게 커버하지 못하고 중간에 끊어짐 현상이 발생하여 애노드 전극을 균일하게 형성하기 어려운 문제가 있다.

따라서 종래에는 이러한 현상을 방지하기 위하여 제2 기판의 형광층과 흑색층위에 표면 평탄화층을 형성하고, 그 위에 알루미늄을 증착하여 애노드 전극을 형성하고 있다. 표면 평탄화층은 소성에 의해 제거되므로, 소성 후의 애노드 전극은 형광층 및 흑색층과 소정의 갭을 사이에 두고 위치하며, 표면 평탄화층 표면에 매끄럽게 증착되어 끊어짐이 감소하고, 반사 효율이 높아진다.

그런데 전술한 표면 평탄화층은 형광층과 흑생층 위 전체에 형성되므로, 애노드 전극은 비발광 영역인 흑색층에 대해서도 갭을 두고 위치한다. 따라서 제1 기판과 제2 기판을 조립하기 전 흑색층에 대응하여 스페이서를 장착할 때 스페이서에 의해 애노드 전극이 쉽게 손상될 수 있다.

또한, 종래의 애노드 전극은 제2 기판 상의 모드 형광층들 위에서 이 형광층들을 덮도록 형성되므로, 서로 다른 색의 형광층들에서 나온 가시광들이 애노드 전 극에 의해 반사되는 과정에서 뒤섞여 색혼합을 일으킬 수 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 스페이서 장착 시 애노드 전극의 손상을 방지하고, 색혼합을 줄여 표시 품질을 높일 수 있는 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법을 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판에 마련되는 전자 방출부들과, 제1 기판에 제공되어 전자 방출부들의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들과, 제2 기판의 일면에 서로 이격되어 배치되는 형광층들 및 형광층들을 덮으면서 제2 기판 상에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 애노드 전극이 서로 이웃하게 배치된 두 개 이상의 형광층들을 포괄하며 이 형광층들과 갭을 두고 위치하는 이격부들과, 이격부들 사이에서 상기 제2 기판과 접촉하며 위치하는 접촉부를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다.

상기 이격부들은 제2 기판의 장축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들을 포괄하며 형성되거나, 제2 기판의 단축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들을 포괄하며 형성될 수 있다. 또한, 이격부들은 제2 기판의 장축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들과 제2 기판의 단축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들을 동시에 포괄하며 형성될 수 있다.

그리고 이격부는 제2 기판의 장축 방향과 단축 방향을 따라 두 개 이상의 형광층들이 배열된 영역보다 큰 폭을 가질 수 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

기판 상에 설정된 비발광 영역에 흑색층을 형성하고, 기판 상에 설정된 발광 영역에 형광층들을 형성하고, 형광층들 중 서로 이웃하게 배열된 2개 이상의 형광층들과 이 형광층들 사이의 흑색층 위로 표면 평탄화층을 형성하고, 기판의 일면 전체에 애노드 전극을 형성하고, 기판을 소성하여 표면 평탄화층을 제거하는 단계를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법을 제공한다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도와 부분 단면도이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 발광 유닛의 부분 저면도이다.

도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10^-6 torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.

상기 제1 기판(2) 중 제2 기판(4)과의 대향면에는 전자 방출부(12)와 구동 전극들(6,10)을 포함하는 전자 방출 디바이스가 제공되고, 제2 기판(4) 중 제1 기판(2)과의 대향면에는 형광층(18)과 애노드 전극(24)을 포함하는 발광 유닛(50)이 제공된다.

먼저, 제1 기판(2) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(6)이 제1 기판의 일방향(도면의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(8)이 형성된다. 제1 절연층(8) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(10)이 캐소드 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

본 실시예에서 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역이 서브픽셀 영역을 이루며, 캐소드 전극(6) 위로 각 서브픽셀 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(12)가 형성되고, 제1 절연층(8)과 게이트 전극(10)에는 각 전자 방출부(12)에 대응하는 개구부(81,101)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(12)가 노출되도록 한다.

전자 방출부(12)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(12)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C_60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있으며, 전자 방출부(12)의 제조법으로는 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.

도면에서는 전자 방출부들(12)이 원형으로 형성되고, 각 서브픽셀 영역에서 캐소드 전극(6)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였다. 그러나 전자 방출부(12)의 평면 형상과 서브픽셀 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.

그리고 게이트 전극(10)과 제1 절연층(8) 위로 제3 전극인 집속 전극(14)이 형성될 수 있다. 집속 전극(14) 하부에는 제2 절연층(16)이 위치하여 게이트 전극(10)과 집속 전극(14)을 절연시키며, 제2 절연층(16)과 집속 전극(14)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(161,141)가 마련된다. 도 1에서는 서브픽셀마다 하나의 개구부(141,161)가 구비되어 집속 전극(14)이 한 서브픽셀에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하는 구성을 도시하였다.

다음으로, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(18), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(18R,18G,18B)이 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(18) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(20)이 형성된다.

형광층(18)은 제1 기판(2)에 설정되는 서브픽셀 영역에 한가지 색의 형광층(18R,18G,18B)이 대응하도록 배치될 수 있다. 일례로 제2 기판(4)의 장축 방향(일례로 도면의 x축 방향)을 따라 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(18R,18G,18B)이 반복하여 배치되고, 단축 방향(도면의 y축 방향)을 따라서는 같은 색의 형광층들(18)이 일렬로 배치될 수 있다.

형광층(18)과 흑색층(20) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(22)이 형성된다. 애노드 전극(22)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(18)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 휘도를 높이는 역할을 한다.

상기에서 형광층(18)과 흑색층(20)을 포괄하여 형광 스크린(24)이라 명칭하면, 본 실시예에서 애노드 전극(22)은 형광 스크린(24)과 소정의 갭을 두고 위치하는 이격부들(26)과, 이격부들(26) 사이에서 형광 스크린(24)과 접촉하며 위치하는 접촉부(28)로 이루어진다. 이격부(26)는 후술하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 과정에서 설명하는 표면 평탄화층에 의해 형광 스크린(24)과 소정의 갭을 두고 위치하게 된다.

그리고 상기 이격부(26)는 형광층들(18) 가운데 제2 기판(4)의 장축 방향을 따라 배열된 2개 이상의 형광층들(18)을 포괄하도록 형성된다. 일례로 도 1 내지 도 3에서는 이격부(26)가 제2 기판(4)의 장축 방향을 따라 배열되어 하나의 픽셀을 구성하는 3개의 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(18R,18G,18B)을 포괄하도록 형성된 구성을 도시하였다.

이때 이격부(26)는 도 3에 도시한 바와 같이 제2 기판(4)의 단축 방향에 따른 폭이 이 방향에 따른 형광층(18)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 제2 기판(4)의 장축 방향에 따른 폭 또한 이 방향을 따라 위치하는 형광층들(18)과 흑색층들(20)의 전체 폭보다 크게 형성될 수 있다. 이러한 이격부(26)의 폭 설정은 이격부(26)의 광반사 영역을 더욱 늘리기 위한 것이다. 한편 이격부들(26) 사이에 위치하는 접촉부(28)는 흑색층(20)과 접촉하므로 제2 기판(4)에 대해 우수한 접착력을 확보할 수 있다.

상기 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 스페이서들(30)이 배치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고, 두 기판의 간격을 일정하게 유지시킨다. 스페 이서들(30)은 형광층(18)을 침범하지 않도록 흑색층(20)에 대응하여 위치한다.

상기 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극(6), 게이트 전극(10), 집속 전극(14) 및 애노드 전극(22)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다. 일례로 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10) 중 어느 하나의 전극이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극으로 기능하고, 다른 하나의 전극이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극으로 기능한다. 그리고 집속 전극(14)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 (-)직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(22)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 (+)직류 전압을 인가받는다.

그러면 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)간 전압 차가 임계치 이상인 서브픽셀들에서 전자 방출부(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극 개구부(141)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되며, 애노드 전극(22)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 형광층(18)에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.

여기서 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스는 애노드 전극(22)의 접촉부(28)가 흑색층(20)의 일부, 특히 스페이서(30)가 위치할 흑색층(20) 부위에서 이 흑색층(20)과 접촉하며 위치함에 따라, 스페이서(30) 장착시 스페이서(30)에 의한 애노드 전극(22)의 손상을 방지할 수 있다. 또한 이격부(26)가 제2 기판(4)의 장축 방향을 따라 2개 이상의 형광층(18)을 덮으면서 형성되므로 이격부(26)의 광반사 영역이 넓어져 화면의 휘도를 높일 수 있으며, 종래의 애노드 전극과 비교하여 색 혼합을 감소시킬 수 있다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 발광 유닛(50')의 부분 저면도이다.

도 4를 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에서는 애노드 전극(22')의 이격부들(26')이 제2 기판(4)의 단축 방향(도면의 y축 방향)을 따라 배열된 2개 이상의 형광층들(18)을 포괄하도록 형성되고, 이격부들(26')사이에 위치하는 접촉부(28')가 흑색층(20)의 일부와 접촉하며 위치한다.

일례로 도 4에서는 이격부(26')가 제2 기판(4)의 단축 방향을 따라 배열된 2개의 형광층(18)을 포괄하도록 형성된 구성을 도시하였다. 이때 이격부(26')는 제2 기판(4)의 장축 방향에 따른 폭이 이 방향에 따른 형광층(18)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 제2 기판(4)의 단축 방향에 따른 폭 또한 이 방향을 따라 위치하는 형광층들(18)과 흑색층(20)의 전체 폭보다 크게 형성될 수 있다.

상기에서 제2 기판(4)의 단축 방향으로는 같은 색의 형광층(18)이 위치하므로, 전술한 애노드 전극(22')을 구비한 본 실시예에서는 색혼합을 원천적으로 차단할 수 있으며, 이격부(26')의 광반사 영역 확장으로 우수한 화면 휘도를 구현할 수 있다.

한편 도시는 생략하였으나 애노드 전극의 이격부는 제2 기판의 장축 방향을 따라 위치하는 2개 이상의 형광층들과 제2 기판의 단축 방향을 따라 위치하는 2개 이상의 형광층들을 모두 포괄하도록 형성될 수 있다.

상기에서는 전자 방출부가 진공 중에서 전계에 의해 전자를 방출하는 물질들 로 이루어진 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 소자를 이용한 표시 디바이스에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이러한 FEA형에 한정되지 않고 다른 타입의 전자 방출 소자를 이용한 표시 디바이스에도 용이하게 적용 가능하다.

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도로서, SCE형 전자 방출 소자를 이용한 표시 디바이스를 도시하였다.

도 5를 참고하면, 제1 기판(2) 위에는 제1 전극(32)과 제2 전극(34)이 이격되어 배치되고, 각각의 제1 전극(32)과 제2 전극(34) 위로 서로 근접하여 위치하는 제1 도전 박막(36)과 제2 도전 박막(38)이 형성된다. 그리도 제1 도전 박막(36)과 제2 도전 박막(38) 사이에 전자 방출부(40)가 형성된다.

상기 제1 전극(32)과 제2 전극(34)은 도전성을 갖는 다양한 재료가 사용 가능하며, 제1 도전 박막(36)과 제2 도전 박막(38)은 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 등의 도전성 재료를 이용한 미립자 박막으로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(40)는 제1 도전 박막(36)과 제2 도전 박막(38) 사이에 제공된 미세 균열로 이루어지거나, 흑연형 탄소 또는 탄소 화합물 등으로 이루어질 수 있다.

전술한 구성에서 제1 전극(32)과 제2 전극(34)에 구동 전압을 인가하면, 제1 도전 박막(36)과 제2 도전 박막(38)을 통해 전자 방출부(40)의 표면과 수평한 방향으로 전류가 흐르면서 표면 전도형 전자 방출이 이루어지고, 방출된 전자들은 애노드 전극(22)에 인가된 고전압에 이끌려 제2 기판(4)을 향하면서 대응하는 형광층(18)에 충돌하여 이를 발광시킨다.

이때 제2 기판(4)에 제공된 형광층(18)과 흑색층(20) 및 애노드 전극(22)의 구성은 전술한 제1 실시예의 구성과 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.

다음으로 도 6a 내지 도 6d를 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법에 대해 설명한다.

먼저 도 6a에 도시한 바와 같이, 제2 기판(4)상의 비발광 영역에 흑색층(20)을 형성한다. 흑색층(20)은 크롬 등의 금속 물질을 증착하거나 흑연과 같은 탄소계 물질을 스크린 인쇄하여 형성할 수 있다. 그리고 흑색층(20) 사이의 발광 영역에 적색과 녹색 및 청색의 형광층(18R,18G,18B)을 형성한다.

이어서 도 6b에 도시한 바와 같이 제2 기판(4)의 장축 방향(도면의 x축 방향)을 따라 2개 이상의 형광층(18)을 덮도록 표면 평탄화층(42)을 형성한다. 도면에서는 일례로 3개의 형광층(18)과 그 사이에 위치하는 흑색층들(20) 위로 표면 평탄화층(42)을 형성한 경우를 도시하였다. 이때 표면 평탄화층(42)의 폭은 전술한 바와 같이 장축 방향을 따라 위치하는 3개의 형광층(18)과 그 사이에 위치하는 흑색층(20) 영역의 전체 폭보다 크게 형성하여 이후 형성될 이격부(26)의 광반사 영역을 넓히도록 한다. 표면 평탄화층(42)은 대략 430℃의 소성 온도에서 분해되는 고분자 물질로 이루어진다.

그리고 도 6c에 도시한 바와 같이 표면 평탄화층(42)이 형성된 제2 기판(4) 전면에 금속 물질, 일례로 알루미늄을 증기증착 또는 스퍼터링하여 애노드 전극(22)을 형성한다. 애노드 전극(22)은 표면 평탄화층(42)과 표면 평탄화층(42)이 형성되지 않은 흑색층(20) 영역의 굴곡을 따라 그 위에 형성된다.

이어서 제2 기판(4)을 소성하여 표면 평탄화층(42)을 제거함으로써 도 6d에 도시한 발광 유닛(50)을 완성한다. 이때, 애노드 전극(22)은 제2 기판(4)의 장축 방향을 따라 배열된 세 개의 형광층들(18R,18G,18B)을 포괄하는 하나의 이격부(26)를 가지며, 애노드 전극(22)에서 이격부(26)를 제외한 나머지 영역은 접촉부(28)가 되어 흑색층(20)과 직접 접촉한다.

마지막으로 제1 기판(2) 위에 전자 방출부(12)와 이를 제어하는 구동 전극들을 형성하고, 스페이서(30)를 배치한 다음, 밀봉부재를 이용하여 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리를 접합시켜 진공 용기를 형성하고, 배기구(도시하지 않음)를 통해 진공 용기 내부를 배기시켜 전자 방출 표시 디바이스를 완성한다.

한편 상기에서 표면 평탄화층(42)을 형성할 때 제2 기판(4)의 단축 방향을 따라 위치하는 2개 이상의 형광층(18)을 포괄하도록 형성할 수 있으며, 이 경우 전술한 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 발광 유닛(50)을 완성할 수 있다. 또한 제2 기판의 장축 방향을 따라 위치하는 2개 이상의 형광층(18)과, 단축 방향을 따라 위치하는 2개 이상의 형광층(18)을 모두 포괄하도록 표면 평탄화층(42)을 형성할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 애노드 전극의 이격부 가 제2 기판의 장축 방향 및/또는 단축 방향을 따라 위치하는 2개 이상의 형광층을 포괄하도록 형성되므로 이격부의 광반사 영역 확장으로 화면의 휘도를 높일 수 있으며, 색혼합을 줄여 표시 품질을 높이는 효과가 있다. 또한 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 애노드 전극의 접촉부가 흑색층의 일부와 접촉하며 위치함에 따라 스페이서 장착시 스페이서에 의한 애노드 전극의 손상을 방지할 수 있다.

Claims (13)

1. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과;

   상기 제1 기판에 마련되는 전자 방출부들과;

   상기 제1 기판에 제공되어 상기 전자 방출부들의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들과;

   상기 제2 기판의 일면에 서로 이격되어 배치되는 형광층들; 및

   상기 형광층들을 덮으면서 상기 제2 기판 상에 형성되는 애노드 전극을 포함하며,

   상기 애노드 전극이 서로 이웃하게 배치된 두 개 이상의 형광층들을 포괄하며 이 형광층들과 갭을 두고 위치하는 이격부들과, 이격부들 사이에서 상기 제2 기판과 접촉하며 위치하는 접촉부를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
2. 제1항에 있어서,

   상기 이격부들이 상기 제2 기판의 장축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들을 포괄하며 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
3. 제1항에 있어서,

   상기 이격부들이 상기 제2 기판의 단축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들을 포괄하며 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
4. 제1항에 있어서,

   상기 이격부들이 상기 제2 기판의 장축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들과 제2 기판의 단축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들을 동시에 포괄하며 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 이격부가 상기 제2 기판의 장축 방향과 단축 방향을 따라 상기 두 개 이상의 형광층들이 배열된 영역보다 큰 폭을 가지는 전자 방출 표시 디바이스.
6. 제1항에 있어서,

   상기 형광층들 사이에 위치하여 그 일부가 상기 애노드 전극의 접촉부와 접촉하는 흑색층을 더욱 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
7. 제6항에 있어서,

   상기 애노드 전극의 접촉부에 대응하여 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 위치하는 스페이서들을 더욱 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
8. 기판 상에 설정된 비발광 영역에 흑색층을 형성하고;

   상기 기판 상에 설정된 발광 영역에 형광층들을 형성하고;

   상기 형광층들 중 서로 이웃하게 배열된 2개 이상의 형광층들과 이 형광층들 사이의 흑색층 위로 표면 평탄화층을 형성하고;

   상기 기판의 일면 전체에 애노드 전극을 형성하고;

   상기 기판을 소성하여 표면 평탄화층을 제거하는 단계

   를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.
9. 제8항에 있어서,

   상기 기판의 장축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들과 이 형광층들 사이의 흑색층 위로 상기 표면 평탄화층을 형성하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.
10. 제8항에 있어서,

    상기 기판의 단축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들과 이 형광층들 사이의 흑색층 위로 상기 표면 평탄화층을 형성하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.
11. 제8항에 있어서,

    상기 기판의 장축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들과 상기 기판의 단축 방향을 따라 배열된 두 개 이상의 형광층들 및 이 형광층들 사이의 흑색층 위로 상기 표면 평탄화층을 형성하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.
12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 표면 평탄화층을 형성할 때 상기 기판의 장축 방향과 단축 방향중 적어도 한 방향을 따라 상기 두 개 이상의 형광층들 및 이 형광층들 사이에 위치하는 흑색층의 전체 폭보다 큰 폭으로 형성하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.
13. 제8항에 있어서,

    상기 애노드 전극을 형성하는 단계가 금속 물질을 증기증착 또는 스퍼터링하는 것으로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.

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