JP2002141000A

JP2002141000A - メタルバック付き蛍光体層とその形成方法および画像表示装置

Info

Publication number: JP2002141000A
Application number: JP2000333365A
Authority: JP
Inventors: Hajime Tanaka; 肇田中; Tomoko Nakazawa; 知子中澤; Takeo Ito; 武夫伊藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-10-31
Filing date: 2000-10-31
Publication date: 2002-05-17
Also published as: US6833663B2; KR20030042040A; WO2002037522A1; CN1471722A; CN1241230C; US20040121183A1; EP1336981A1; KR100510225B1; TW527625B

Abstract

(57)【要約】【課題】ＦＥＤにおいて、メタルバック付き蛍光体層
の発光輝度劣化（膜やけ）を抑制し、輝度特性を改善す
る。【解決手段】メタルバック付き蛍光体層において、蛍
光体層に対するメタルバック膜の密着度を、両層が接触
している面積の割合で３０％以上とする。さらに、メタ
ルバック膜の膜厚を５〜１００nmで光透過率を１０％以
下にすることで、反射性が良好で高輝度の表示を得るこ
とができる。このようなメタルバック付き蛍光体層は、
透光性基板の内面に形成された蛍光体層の上に、転写フ
ィルムを用いて金属膜を転写することにより形成するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、メタルバック付き
蛍光体層とその形成方法、およびメタルバック付き蛍光
体層を備えた画像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、陰極線管（ＣＲＴ）やフィー
ルドエミッション方式の画像表示装置（ＦＥＤ）などの
フェースプレートでは、透光性パネルの内面に形成され
た蛍光体層の上（内面）に、アルミニウム（Ａｌ）など
のメタルバック膜が真空蒸着などの方法で形成されてい
る。メタルバック膜は、電子源から放出された電子によ
って蛍光体から発せられた光のうちで、電子源側に進む
光をパネル側へ反射して輝度を高めたり、蛍光体層の電
位を安定させる役割を果たす。また、真空外囲器内に残
留するガスが電離して生じるイオンにより、蛍光体層が
損傷するのを防ぐ機能も有している。

【０００３】一般にＦＥＤでは、電子線の加速電圧が５
００Ｖ〜１０ｋＶとＣＲＴに比較して低く、電流値を大
きくして蛍光体を発光させている。そのため、蛍光体の
発光輝度が電子線の照射により大幅に低下する、膜やけ
と呼ばれる現象が生じていた。

【０００４】このような発光輝度の劣化の原因の一つ
は、電子線の照射により生じた電荷が蛍光体層に蓄積す
るためであると考えられる。従来から、図８に示すよう
に、アルミニウムのメタルバック膜を蛍光体層に形成す
ることにより、メタルバック膜がない場合の１．５〜２
倍程度に輝度を向上させることができることが知られて
いる。また、この輝度劣化の抑制効果はアルミニウム膜
の厚さによってほとんど変わらないとされている。な
お、図８における電子線照射条件は、アノード電圧６ｋ
Ｖ、カソード電流１５０μＡ／ｃｍ^２で蛍光膜に対して
スポット固定連続照射であり、真空度１０^−５Ｐａで輝
度を測定したものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来か
らのメタルバック膜では、発光輝度の劣化（蛍光体膜や
け）を抑制する効果が十分でなく、またメタルバック膜
により電子線の一部が吸収されることによる輝度低下が
生じるため、高輝度が長く持続する蛍光面を実現するこ
とができなかった。

【０００６】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであり、蛍光体の発光輝度劣化（膜や
け）が大幅に抑制されたメタルバック付き蛍光体層とそ
の形成方法、および輝度劣化の改善されたメタルバック
付き蛍光体層を備え高輝度の表示が可能な画像表示装置
を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のメタルバック付
き蛍光体層は、請求項１に記載するように、透光性基板
の内面に形成された蛍光体層と、該蛍光体層の上に形成
されたメタルバック膜とを有するメタルバック付き蛍光
体層において、前記蛍光体層に対する前記メタルバック
膜の密着度が、両層が接触している面積の割合で３０％
以上であることを特徴とする。

【０００８】本発明のメタルバック付き蛍光体層におい
ては、請求項２に記載するように、メタルバック膜の厚
さが５〜１００nmであり、かつ該メタルバック膜の光透
過率が１０％以下であることが望ましい。また、請求項
３に記載するように、メタルバック膜の少なくとも一方
の主面に、無機微粒子を含む介在層を有することが望ま
しい。

【０００９】また、本発明のメタルバック付き蛍光体層
の形成方法は、請求項４に記載するように、透光性基板
の内面に蛍光体層を形成する工程と、ベースフィルムと
その上に積層された離型剤層および金属膜を少なくとも
有する転写フィルムを、その金属膜が前記蛍光体層に接
着剤層を介して接するように配置し、押圧・接着して前
記金属膜を転写した後、前記ベースフィルムを剥ぎ取る
メタルバック膜形成工程と、前記蛍光体層上に前記メタ
ルバック膜が形成された基板を加熱処理する工程とを備
え、前記蛍光体層と前記メタルバック膜との密着度が、
両層が接触している面積の割合で３０％以上となるよう
に、前記金属膜を転写することを特徴とする。

【００１０】本発明のメタルバック付き蛍光体層の形成
方法においては、請求項５に記載するように、メタルバ
ック膜形成工程で、蛍光体層上に転写フィルムを配置す
る前に、該蛍光体層上に無機微粒子を含む介在層を形成
する工程を有することができる。また、請求項６に記載
するように、基板の加熱処理工程の後に、蛍光体層上に
形成されたメタルバック膜の上に、さらに無機微粒子を
含む介在層を形成する工程を有することができる。

【００１１】さらに、本発明の画像表示装置は、請求項
７に記載するように、フェースプレート上に、請求項１
記載のメタルバック付き蛍光体層を有することを特徴と
する。また、この画像表示装置においては、請求項８に
記載するように、フェースプレートと対向配置されたリ
アプレートを備え、前記リアプレート上に多数の電子放
出素子を有するように構成することができる。

【００１２】本発明は、メタルバック付き蛍光体層の密
着度と蛍光体の発光輝度の劣化（膜やけ）並びにメタル
バック膜の光透過率（反射性）との関連について、詳細
な実験を実施した結果、達成されたものである。以下
に、実験の詳細を示す。

【００１３】まず、密着度と輝度劣化との関係を、以下
に示すようにして調べた。すなわち、公知の方法で作製
した蛍光面上に、蛍光体層との密着状態の異なる３種類
のアウミニウムメタルバック膜Ａ，Ｂ，Ｃを、転写方式
によりそれぞれ形成した。得られたメタルバック付き蛍
光体層は、それぞれ図１（ａ）〜（ｃ）に斜視的に示す
メタルバック膜の表面、および図２（ａ）〜（ｃ）に拡
大して示す断面を有する。メタルバック膜の表面状態を
示すＳＥＭ写真を基にして、メタルバック膜が蛍光体層
に接触している面積の全表面積に対する割合を密着度と
すると、図１（ａ）および図２（ａ）に示すメタルバッ
ク膜Ａの密着度は７０〜１００％、図１（ｂ）および図
２（ｂ）に示すメタルバック膜Ｂの密着度は３０〜６９
％、図１（ｃ）および図２（ｃ）に示すメタルバック膜
Ｃの密着度は３０％未満と算定される。なお、これらの
図において、符号１はガラスパネルのような透光性基
板、２は蛍光体粒子、３はアルミニウムメタルバック膜
をそれぞれ示している。

【００１４】次に、これらのメタルバック付き蛍光体層
と、メタルバック膜がなくガラスパネルと蛍光体層との
間に導通のためのＩＴＯ膜が形成された蛍光面の輝度劣
化特性を調べた。輝度劣化特性の測定では、加速電圧１
０ｋＶ、電流密度０．２５μＡ／ｍｍ^２、全面ラスター
信号によりセンター輝度を測定し、電子線照射時間と照
射後の輝度維持率（相対輝度）との関係を求めた。測定
結果を図３に示す。なお、メタルバック膜がない蛍光面
についての測定結果を、Ｄで示す。

【００１５】このグラフから、同一の蛍光体およびメタ
ルバック膜を使用した場合でも、メタルバック膜と蛍光
体層との密着度を高めることにより、輝度劣化を大幅に
改善することができることがわかる。この理由は、蛍光
体層とメタルバック膜との密着度が高いほど、電子線照
射により蛍光体層に生じた電荷がメタルバック膜を経由
して外部に逃げやすく、蛍光体層に蓄積しにくいためと
考えられる。

【００１６】次に、メタルバック付き蛍光体層の密着度
とメタルバック膜の光透過率（反射性）との関係を、メ
タルバック膜の形成方法との関連で調べた。

【００１７】転写方式、ラッカー方式、エマルジョン方
式の３つの方法により、密着度が７０〜１００％のメタ
ルバック膜Ａ、密着度が３０〜６９％のメタルバック膜
Ｂ、密着度が３０％未満のメタルバック膜Ｃをそれぞれ
作製した。次いで、こうして３つの方式により蛍光体層
上にそれぞれ作製されたメタルバック膜について、光透
過率をそれぞれ測定した。測定結果を、表１および図４
にそれぞれ示す。なお、表１のメタルバック膜の光透過
率の評価においては、光透過率が１０％以下を◎、１１
〜３０％を○、３１〜４０％を△、４０％以上を×でそ
れぞれ表した。

【００１８】

【表１】

【００１９】ここで、前記各方式において、密着度の高
いメタルバック付き蛍光体層を形成するには、以下に示
す方法を採ることができる。

【００２０】すなわち、転写方式によるメタルバック膜
の形成では、ベースフィルムの膜厚を調整する等の方法
で転写フィルムの可とう性を高めることにより、蛍光体
層との密着度を向上させることができる。また、転写の
際に使用する加熱圧着用のゴムローラーのゴム硬度、加
熱温度や押圧力などをコントロールすることにより、メ
タルバック膜と蛍光体層との密着度を調整することがで
きる。加熱圧着用ゴムローラーのゴム硬度を通常より下
げることで、ゴムローラーを転写フィルムのベースフィ
ルム面により密接させ、メタルバック膜と蛍光体層との
密着度を高めることができる。さらに、ゴムローラーの
加熱温度および／または押圧力を上げることで、ゴムロ
ーラーを転写フィルムのベースフィルム面により密接さ
せ、密着度を上げることができる。

【００２１】ラッカー法によるメタルバック膜の形成で
は、蛍光体層上に形成する水層を薄く（リウェット量を
少なく）して、その上に形成されるニトロセルロースな
どのラッカー剤が、蛍光体層の隙間に侵入し易くするこ
とにより、メタルバック膜と蛍光体層との密着度を高め
ることができる。また、ラッカー膜の厚さを薄くするこ
とにより、メタルバック膜の密着度を高めることも可能
である。

【００２２】エマルジョン法によるメタルバック付き蛍
光体層の形成では、エマルジョン塗布時の蛍光体層の温
度を低くすることで、あるいは加熱条件をマイルドにす
ることにより、エマルジョン膜の厚さを薄くし、蛍光体
層とメタルバック膜との密着度を高めることができる。

【００２３】表１および図４から、以下に示すことがわ
かる。すなわち、転写方式によるメタルバック膜の形成
では、メタルバック膜と蛍光体層との密着度を高めて
も、メタルバック膜の光透過率の増大が生じにくく、反
射性が低下しにくい。ピンホールによる蛍光体の剥き出
しを防止し、また反射性の低下による輝度の低下を抑え
るには、メタルバック膜の光透過率を４０％以下、より
好ましくは１０％以下に抑えることが必要である。そし
て、転写方式によるメタルバック膜の形成では、密着度
を３０％以上に高めた場合でも、光透過率が１０％以下
と極めて低い、すなわち反射性が高いメタルバック膜を
得ることができる。

【００２４】これに対して、ラッカー法またはエマルジ
ョン法によるメタルバック膜の形成では、メタルバック
膜と蛍光体層との密着度が高くなると、メタルバック膜
のピンホールが急激に増加していき、反射性の低下とそ
れに起因する輝度低下が生じる。また、メタルバック膜
の膜厚を上げることでピンホールを減らすことができる
が、その場合は密着度が低下して輝度劣化が生じる。し
たがって、ラッカー法またはエマルジョン法では、密着
度が３０〜７０％であり比較的良好な反射性を有するメ
タルバック膜を形成することができるが、密着度が７０
％以上と極めて高く、かつ光透過率が１０％以下と極め
て低く反射性の高いメタルバック膜を得ることが難しい
ことがわかる。

【００２５】さらに、本発明においては、以下に示す実
験を行い、メタルバック膜のアンダーコート層およびオ
ーバーコート層の有無と蛍光体の輝度劣化との関係を調
べた。

【００２６】すなわち、転写フィルムを用いたアルミニ
ウムメタルバック膜の形成工程で、転写フィルムを配置
する前に、青色蛍光体（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）単色ベタ
膜の蛍光体層上に、コロイダルシリカ液を塗布するなど
の方法でシリカから成るアンダーコート層を形成する
か、あるいは加熱処理（ベーク）を行った後のメタルバ
ック膜の上に、同様にしてシリカから成るオーバーコー
ト層を形成し、表２に示す構成を有するメタルバック付
き蛍光体層Ｅ〜Ｈをそれぞれ形成した。

【００２７】次に、これらのメタルバック付き蛍光体層
の輝度劣化特性について、加速電圧１０ｋＶ、電流密度
０．２５μＡ／ｍｍ^２、全面ラスター信号によりセンタ
ー輝度を測定した。そして、電子線照射時間と照射後の
輝度維持率（相対輝度）との関係を求めた。測定結果
を、表２および図５にそれぞれ示す。

【００２８】

【表２】

【００２９】これらの測定結果から、メタルバック膜と
蛍光体層との間にアンダーコート層を設けるか、あるい
はメタルバック膜の上にオーバーコート層を設けること
により、輝度劣化特性を改善することができ、両方の層
を設けることで輝度劣化を著しく抑制することができる
ことがわかる。その理由は、アンダーコート層について
は、蛍光体層とメタルバック膜との間に形成されたアン
ダーコート層が介在となって、蛍光体粒子間の隙間を埋
めるため、メタルバック膜と蛍光体層との間の密着度が
上がり、その結果輝度劣化が抑制されるものと考えられ
る。また、オーバーコート層については、メタルバック
膜上に形成されたオーバーコート層が介在して、メタル
バック膜を蛍光体層に押し付けるため、密着度が向上し
輝度劣化が改善されるものと考えられる。

【００３０】アンダーコート層およびオーバーコート層
の介在層を構成する材料としては、例えばリン酸アルミ
ニウム、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等の無機微粒
子を挙げることができる。これらの介在層は、コロイダ
ルシリカ、水ガラス、リン酸系接着剤、カップリング剤
などを塗布するなどの方法で形成することができる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図６は、本発明のメタルバック付き蛍光体
層の実施の形態を示す断面図である。このメタルバック
付き蛍光体層はＦＥＤの一部をなすものであり、メタル
バック付き蛍光体層を有するフェースプレートと、基板
上に電界放出型あるいは表面伝導型の電子放出素子が多
数配置されたリアプレートとが所定の間隔をおいて対向
配置され、内部を真空に封止されて画像表示装置が構成
されている。

【００３２】図において、符号１１はガラス基板を示
し、このガラス基板１１の内面に蛍光体粒子１２ａから
成る層（蛍光体層）１２が形成され、その上にアルミニ
ウム（Ａｌ）等のメタルバック膜１３が形成されてい
る。このメタルバック膜１３の蛍光体層１２に対する密
着度は、メタルバック膜１３が蛍光体層１２に接触して
いる面積の全表面積に対する割合で算定して、３０％以
上より好ましくは７０％以上となっている。また、メタ
ルバック膜１３は５〜１００nmの厚さを有し、かつ光の
透過率が１０％以下となっている。

【００３３】このような実施の形態のメタルバック付き
蛍光体層は、メタルバック膜１３と蛍光体層１２との密
着度が極めて高くなっているので、電子線照射により蛍
光体層１２に生じた電荷がメタルバック膜１３を経て外
部に逃げやすく、蛍光体層１２に蓄積しにくいため、蛍
光体の発光輝度の劣化（膜やけ）が生じにくい。また、
メタルバック膜１３の光透過率が１０％以下と低く、反
射性が高いので、高輝度を達成することができる。

【００３４】このメタルバック付き蛍光体層は、転写フ
ィルムを用いる転写方式で形成することができる。すな
わち、ガラス基板上に常法により形成された蛍光体層上
に、ベースフィルムの上に、離型剤層、金属膜および接
着剤層が順に積層して形成された転写フィルムを、接着
剤層が蛍光体層に接するように配置する。そして、加熱
圧着用のゴムローラーを用いて押圧処理を行う。押圧部
を構成するゴムの硬度は２０〜１００度とし、ローラー
を４０〜２５０℃に加熱し１〜１００ｋｇ／ｃｍ²程度
の押圧力に調整して処理を行う。次いで、ベースフィル
ムを剥がし取った後、金属膜などの転着された蛍光面を
４５０℃程度の温度に加熱焼成し（ベーク処理）、残留
する有機分を除去する。以上の工程を経て、蛍光体層と
の密着度の高いメタルバック層が完成する。

【００３５】次に、本発明をＦＥＤに適用した具体的実
施例について説明する。

【００３６】実施例１まず、ガラス基板上に、赤色蛍光体（Ｙ₂ Ｏ₃ Ｓ系；平
均粒径約４μｍ）、緑色蛍光体（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ；
平均粒径約４μｍ）、青色蛍光体（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａ
ｌ；平均粒径約４μｍ）を、それぞれスラリー法により
塗布・乾燥し、フォトリソ法を用いてパターニングを行
い、蛍光体層を形成した。その上に、水ガラスの１％溶
液を塗布し乾燥して、プリコート層を形成した。

【００３７】次に、ベースフィルム（例えば厚さ２０μ
mのポリエステル樹脂フィルム）上に、離型剤層、アル
ミニウム膜（膜厚５０nm）および接着剤層を順に積層し
て形成した転写フィルムを、前述の蛍光体層の上に配置
し、ゴムローラー（ゴム硬度７０度、表面温度２００
℃）を用いて、押圧力５００ｋｇ／ｃｍ²で加熱転写を
行った。次いで、ベースフィルムを剥離した後、４５０
℃の温度で加熱焼成し有機分を除去した。こうして、ガ
ラス基板の内面にメタルバック付き蛍光体層が形成され
たフェースプレートを完成した。得られたメタルバック
膜の膜厚は７０nmであり、メタルバック膜と蛍光体層と
の密着度をＳＥＭ写真により算定すると、約７０％であ
った。

【００３８】次に、基板上に表面伝導型電子放出素子を
マトリクス状に多数形成した電子発生源を、リアプレー
トに固定した後、このリアプレートを前記フェースプレ
ートに、支持枠を介してフリットガラスにより封着し
た。その後、排気、封止等必要な処理を施し、図７に示
す構造を有する１０型カラ−ＦＥＤを完成した。なお、
図中符号１４は高圧端子、１５はリアプレート、１６は
基板、１７は表面伝導型電子放出素子、１８は支持枠、
１９はフェースプレート、２０はメタルバック付き蛍光
体層をそれぞれ示す。

【００３９】実施例２蛍光体層上にプリコート層を形成せず、直接メタルバッ
ク膜の転写を行った以外は実施例１と同様にして、メタ
ルバック付き蛍光体層を形成し、ＦＥＤ表示装置を完成
した。メタルバック膜の膜厚は７０nmであり、メタルバ
ック膜と蛍光体層との密着度は約４０％であった。

【００４０】次に、実施例１および２で得られたＦＥＤ
について、蛍光体の輝度劣化特性を、加速電圧１０ｋ
Ｖ、電流密度０．２５μＡ／ｍｍ^２でラスター法により
測定した。１０時間照射後の輝度維持率（相対輝度）
は、実施例１では９５％以上であり、輝度劣化が著しく
抑制されることがわかった。また、実施例２では、青色
蛍光体層で約７８％の輝度維持率を示し、十分な輝度劣
化改善効果が得られた。さらに、いずれの実施例でも、
メタルバック膜の光透過率は５％程度であり、ピンホー
ルが少なく反射性が良好であることが確かめられた。

【００４１】実施例３実施例１と同様に形成した蛍光体層の上に、ラッカー法
によりメタルバック膜（アルミニウム膜）を形成した。
メタルバック膜が蛍光体層の粒子間に進入し易いよう
に、ラッカー膜の厚さを通常の１／２（約０．５μm）
とし、その上に膜厚１００nmのアルミニウム膜を真空蒸
着により形成した。得られたメタルバック膜の蛍光体層
との密着度は７０％であった。

【００４２】次に、こうして内面にメタルバック付き蛍
光体層が形成されたフェースプレートを用いて、ＦＥＤ
を完成した。そして、このＦＥＤについて、蛍光体の輝
度劣化特性を、加速電圧１０ｋＶ、電流密度０．２５μ
Ａ／ｍｍ^２でラスター法により測定したところ、１０時
間照射後の輝度維持率（相対輝度）は８５％であり、十
分な輝度劣化の改善効果が見られた。しかし、メタルバ
ック膜の光透過率は約４５％と高く、反射性の低下によ
る輝度低下が見られた。

【００４３】さらに、比較例１として、ラッカー膜の厚
さを従来通り１μmとして、その上に膜厚１００nmのア
ルミニウム膜を蒸着により形成した後、実施例３と同様
にしてＦＥＤを作製した。得られたＦＥＤにおいて、メ
タルバック膜の蛍光体層との密着度は約２０％であっ
た。そして、１０時間照射後の輝度維持率は６０％であ
り、輝度劣化の改善効果が十分ではなかった。また、メ
タルバック膜の光透過率も約３０％と比較的高く、反射
性が十分であるとは言えなかった。

【００４４】実施例４〜６厚さが５μm、１０μm、３０μm、５０μmのポリエステ
ル樹脂フィルムをベースフィルムとしてそれぞれ作成さ
れた転写フィルムを使用し、実施例２と同様にして蛍光
体層上に膜厚７０nmのアルミニウム膜を転写・形成し
た。加熱圧着用ゴムローラーの加熱温度は２００℃とし
た。

【００４５】次に、こうして内面にメタルバック付き蛍
光体層が形成されたフェースプレートを用いて、ＦＥＤ
を完成した。そして、メタルバック膜と蛍光体層との密
着度を算定した。また、これらのＦＥＤについて、蛍光
体の輝度劣化特性を、加速電圧１０ｋＶ、電流密度０．
２５μＡ／ｍｍ^２でラスター法により測定した。これら
の測定結果を表３に示す。

【００４６】

【表３】

【００４７】表３から、実施例４〜６のＦＥＤは、メタ
ルバック膜と蛍光体層との密着度が３０％以上と高くな
っているので、電子線照射による蛍光体の輝度劣化が生
じにくく、十分に高い輝度維持率を有することがわか
る。これに対して、比較例２で得られたＦＥＤは、メタ
ルバック膜と蛍光体層との密着度が２０％と低くなって
いるので、電子線照射により蛍光体の輝度劣化が生じや
すく、輝度維持率が低くなっている。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のメタルバ
ック付き蛍光体層においては、メタルバック膜と蛍光体
層との密着度を高めることにより、蛍光体の発光輝度の
劣化を大幅に抑制することができる。そして、密着度の
高いメタルバック付き蛍光体層の形成では、転写方式を
採ることにより、光透過率が極めて低いすなわち反射性
が高いメタルバック膜を得ることができ、高輝度で高品
位の表示が可能な画像表示装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実験において、得られたメタルバック
膜の表面状態を概略的に示す斜視図。

【図２】本発明の実験において、得られたメタルバック
付き蛍光体層の拡大断面図。

【図３】メタルバック付き蛍光体層について、電子線照
射時間と照射後の輝度維持率（相対輝度）との関係を示
すグラフ。

【図４】各方式で蛍光体層上にそれぞれ作製されたメタ
ルバック膜について、密着度と光透過率との関係を示す
グラフ。

【図５】メタルバック膜にアンダーコート層および／ま
たはオーバーコート層を設けたメタルバック付き蛍光体
層について、輝度劣化特性を表わすグラフ。

【図６】本発明のメタルバック付き蛍光体層の実施の形
態を示す拡大断面図。

【図７】本発明の実施例で作製されたメタルバック付き
蛍光体層を備えたカラ−ＦＥＤの構造を概略的に示す斜
視図。

【図８】アルミニウムメタルバック膜の有る場合と無い
場合の輝度劣化特性の違いを表わすグラフ。

【符号の説明】

１、１１………ガラス基板、２、１２ａ………蛍光体粒
子、１２………蛍光体層、３、１３………メタルバック
膜、１５………リアプレート、１７………表面伝導型電
子放出素子、１９………フェースプレート、２０………
メタルバック付き蛍光体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者伊藤武夫埼玉県深谷市幡羅町１丁目９番２号株式会社東芝深谷工場内Ｆターム(参考） 5C028 CC01 CC07 5C036 EE01 EE14 EE19 EF01 EF06 EF09 EG36 EH08 EH26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性基板の内面に形成された蛍光体層
と、該蛍光体層の上に形成されたメタルバック膜とを有
するメタルバック付き蛍光体層において、前記蛍光体層に対する前記メタルバック膜の密着度が、
両層が接触している面積の割合で３０％以上であること
を特徴とするメタルバック付き蛍光体層。
【請求項２】前記メタルバック膜の厚さが５〜１００
nmであり、かつ該メタルバック膜の光透過率が１０％以
下であることを特徴とする請求項1記載のメタルバック
付き蛍光体層。
【請求項３】前記メタルバック膜の少なくとも一方の
主面に、無機微粒子を含む介在層を有することを特徴と
する請求項1または２記載のメタルバック付き蛍光体
層。
【請求項４】透光性基板の内面に蛍光体層を形成する
工程と、ベースフィルムとその上に積層された離型剤層および金
属膜を少なくとも有する転写フィルムを、その金属膜が
前記蛍光体層に接着剤層を介して接するように配置し、
押圧・接着して前記金属膜を転写した後、前記ベースフ
ィルムを剥ぎ取るメタルバック膜形成工程と、前記蛍光体層上に前記メタルバック膜が形成された基板
を加熱処理する工程とを備え、前記蛍光体層と前記メタルバック膜との密着度が、両層
が接触している面積の割合で３０％以上となるように、
前記金属膜を転写することを特徴とするメタルバック付
き蛍光体層の形成方法。
【請求項５】前記メタルバック膜形成工程で、前記蛍
光体層上に前記転写フィルムを配置する前に、該蛍光体
層上に無機微粒子を含む介在層を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項４記載のメタルバック付き蛍光
体層の形成方法。
【請求項６】前記基板の加熱処理工程の後に、前記蛍
光体層上に形成された前記メタルバック膜の上に、さら
に無機微粒子を含む介在層を形成する工程を有すること
を特徴とする請求項４または５記載のメタルバック付き
蛍光体層の形成方法。
【請求項７】フェースプレート上に、請求項１記載の
メタルバック付き蛍光体層を有することを特徴とする画
像表示装置。
【請求項８】前記フェースプレートと対向配置された
リアプレートを備え、前記リアプレート上に多数の電子
放出素子を有することを特徴とする請求項７記載の画像
表示装置。