TW554258B - Resist stripper - Google Patents

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TW554258B
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Yasushi Hara
Masahiro Aoki
Hiroaki Hayashi
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Tosoh Corp
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Description

554258 A7 B7 五、發明説明（i) 技術領域 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關半導體積體電路、印刷電路板、液晶等 之製程中用以剝離光阻劑層及鈦氧化物之剝離劑。 先行技術 半導體積體電路係以於基體上塗佈光阻劑，曝光、顯 像後鈾刻形成電路後，從基體上剝離光阻劑，或形成電路 後蝕刻法除光阻劑後，剝離殘留光阻劑殘渣之方法製造。 爲從基體上剝離光阻劑，或從基體上剝離光阻劑殘渣，以 往有種種光阻劑用剝離劑之提議。 例如，日本專利特開昭6 2 - 4 9 3 5 5號公報揭示 ’使用烷醇胺類之光阻劑用剝離液組成物。而用烷醇胺之 剝離液組成物，無法充分剝離經乾式蝕刻、打磨、離子植 入等處理變質爲無機性質之光阻劑殘渣。又，最近之次微 米製程中有含T i N、T i S i等金屬材料之使用，而使 用這些金屬材料時，處理中產生鈦氧化物等安定副產物。 鈦氧化物無法以慣用之烷醇胺剝離。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因而，近來有剝離性更佳之含羥基胺之光阻劑用剝離 液組成物之提議。例如，特開平4 一 2 8 9 8 6 6號公報 提議含羥基胺及烷醇胺之光阻劑用剝離液組成物，特開平 6-2 6 6 1 1 9號公報提議含羥基胺、烷醇胺、醇之光 阻劑用剝離劑液組成物。該含羥基胺之光阻劑用剝離組成 物雖具優良之對鈦氧化物之剝離性，但因係不安定之化合 物，有分解、爆炸之危險。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 554258 A7 B7 五、發明説明（2 ) 如上之鹼性胺系光阻劑剝離劑以外，亦有組合過氧化 氫及酸之光阻劑用剝離劑之提案（例如特開昭6 4 -1 5 7 4 0號公報）。鈦氧化物在酸性下可溶於過氧化氫 ，此雖係已知，但於鹼性，易剝離之鹼顯像型光阻劑之剝 離，過氧化氫及酸之組合尙不可謂最適。 發明所欲解決之課題 如上述，習知光阻劑用剝離劑，其剝離性尤以鈦氧化 物之剝離性不足，並有分解、爆炸之危險。因此，本發明 之目的在提供不含爆炸危險性高之羥基胺，具優良光阻劑 剝離性，鈦氧化物剝離性之光阻劑用剝離劑。 解決課題之手段 本發明人等對光阻劑用剝離劑精心硏究，結果發現過 氧化氫及四級銨鹽所成之光阻劑用剝離劑，係光阻劑剝離 性及氧化鈦剝離性優之光阻劑用剝離劑，終於完成本發明 〇 亦即，本發明係其特徵爲過氧化物及四級鏡鹽所成之 光阻劑用剝離劑。 以下詳細說明本發明。 本發明中，剝離係指將光阻劑塗布於基板上後施以曝 光、顯像、蝕刻等處理形成電路，去除殘留之光阻劑或光 阻劑殘渣。易言之，將光阻劑曝光，可溶於液體之光阻劑 之去除即爲顯像，顯像之殘留部份，或蝕刻、打磨等處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 554258 A7 B7 五、發明説明（3) 後’去除難溶於液體之部份即爲剝離。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之光阻劑用剝離劑係用於光阻劑或其殘渣之剝 離。亦即，將光阻劑塗布於基板上後，施以曝光、顯像、 蝕刻等處理形成電路後，以本發明之剝離劑剝離。或電路 形成後，打磨去除光阻劑後，殘留之光阻劑殘渣以本發明 之剝離劑剝離。 本發明之光阻劑用剝離劑，剝離光阻劑並且亦剝離形 成電路時之副產物鈦氧化物。鈦氧化物係以4價之鈦氧化 物尤爲安定，難溶於水。鈦氧化物有4價、3價、2價等 種種價數者，最難溶者即4價之鈦氧化物（二氧化鈦）。 另一方面，最易溶者爲T i 2 +，已知可於酸性範圍還原固 態之鈦氧化物輕易溶解。但本發明之光阻劑用剝離劑，在 可剝離光阻劑之鹼性範圍即可還原、溶解包含最難溶之二 氧化鈦之種種鈦氧化物，加以剝離。 本發明之光阻劑用剝離劑，其必要成分有過氧化物及 四級鏡鹽。 本發明之光阻劑用剝離劑，其過氧化物係用作還原劑 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〇 本發明之光阻劑用剝離劑，其過氧化物係選自過氧化 物、過硫酸鹽、過硼酸鹽、過碳酸鹽、有機過酸及有機氫 過氧化物所成群之至少一種。其中過氧化氫最爲廉價，工 業上最佳。 過氧化氫除無水、水流液外，可用尿素、四級銨鹽等 之氫過氧化物（如結晶水之水，於尿素、四級銨鹽以過氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） -6 - 554258 A7 _B7__ 五、發明説明（4 ) 化氫配位者）。 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 過硫酸鹽、過硼酸鹽、過碳酸鹽等無機過酸鹽以用氨 、胺之鹽、或四級鏡鹽爲佳。此外之鹽’如鈉鹽、鉀鹽等 固然亦可使用，但須去除金屬離子，工業上不利。 有機過酸若混合四級銨鹽而安定則化合物無特殊限制 ，有例如過甲酸、過醋酸、過氧化苯甲醯、間氯過苯甲酸 等。 有機氫過氧化物係一般式R -〇〇H (R表院基、方 基等）之化合物，有例如丁基過氧化氫、異丙苯過氧化氫 等。 本發明之光阻劑用剝離劑之四級銨鹽，可用任一具鹼 性者。四級銨鹽之例有氫氧化四級銨，四級銨碳酸鹽，四 級銨羧酸鹽，及四級銨過羧酸鹽。這些均係鹼性，可單獨 使用，或混合使用。這些四級銨鹽中，以氫氧化物、羧酸 鹽爲佳。羧酸可用脂族羧酸、芳族羧酸之任一，而芳族羧 酸安定性高，工業上較佳。芳族羧酸有例如苯甲酸、水楊 酸、酞酸。脂族羧酸有例如醋酸、乳酸、己二酸、丙酸。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用於本發明光阻劑用剝離劑之四級銨鹽，其陽離子部 份，即四級銨，有四甲銨、四乙銨、四正丁銨、三乙基甲 銨、十二基三甲銨等四烷基銨，苯甲基三甲銨等苯甲基三 烷基銨，三甲基- 2 -羥基乙銨（膽鹼）等烷基羥基烷基 銨。 本發明之光阻劑用剝離劑，除過氧化物及四級銨鹽以 外，可添加選自胺類、水溶性有機溶劑及水所成群之至少 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7- 554258 A7 B7 五、發明説明（5) 一種。可添加於光阻劑用剝離劑之胺類，可係一般用作光 阻劑用剝離劑之胺類。具體而言，有單乙醇胺、二乙醇胺 、三乙醇胺、2 — (2 —胺基乙氧基）乙醇、N — (2 — 胺基乙基）乙醇胺、N，N —二甲基乙醇胺、N，N —二 乙基乙醇胺、N，N -二丁基乙醇胺、N —甲基乙醇胺、 N —乙基乙醇胺、N — 丁基乙醇胺、N —甲基二乙醇胺、 N -乙基二乙醇胺、單異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇 胺、N -（ 2 -羥基乙基）哌嗪、N — ( 2 —羥基乙基） 嗎啉等烷醇胺類，乙二胺、二乙三胺、三乙四胺、四乙五 胺、五乙六胺、哌嗪、N -（ 2 -胺基乙基）哌嗪、三乙 二胺等乙烯胺類，N，N，N / ，N / —四甲基乙二胺、 N，N，N — ，N" ’N" —五甲基二乙三胺、N —甲基 哌嗪、N，N，N / -三甲基胺基乙基哌嗪等N —烷基乙 烯胺類，乙烯胺以外之丙二胺、丁二胺、六亞甲基二胺等 二胺類、咪唑、1 一甲基咪唑、2 —甲基咪唑、1 ，2 -二甲基咪唑、1 ，2 ，4 ，5 —四甲基咪唑、2 —乙基一 4 -甲基咪唑等咪唑類，嗎啉、環己胺、2 -乙基己胺、 苯甲胺、苯胺等單胺類，三乙胺、三丙胺、三丁胺等烷胺 類。又，雖因腐蝕、危險性等而不佳，亦可添加羥基胺類 。這些胺類可單獨使用，亦可二種以上混合使用。 用於本發明之水溶性有機溶劑，可係一般用作光阻劑 用剝離劑者。其例有二甲亞碩等亞硕類，二甲硕、二乙硕 等硕類，N，N -二甲基甲醯胺、N，N —二乙基甲醯胺 、N，N —二甲基乙醯胺、N，N —二乙基乙醯胺等醯胺 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1T ^1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8- 554258 A7 _ B7 五、發明説明（6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 類，N -甲基—2 —吡咯烷酮、N —乙基一 2 -吡咯烷酮 、N—丙基一 2 -吡咯烷酮、N -乙基一 2 -吡略烷酮、 N〜丙基一 2 —吡咯烷酮、N -羥乙基一 2 —吡咯烷酮等 內醯胺類，1 ，3 -二甲基—2 -咪唑烷酮等之咪唑烷酮 類，乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇、 三丙二醇等二醇類，乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二 醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇 單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、 二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丁醚等二 醇醚類。這些水溶性有機溶劑可單獨使用，亦可二種以上 混合使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之光阻劑用剝離劑，可添加一般用防蝕劑。防 蝕劑有甲酸、醋酸、丙酸、辛酸、己二酸、庚二酸、癸二 酸、辛二酸、壬二酸、苯甲酸、水楊酸、酞酸等羧酸，氮 三醋酸、乙二胺四醋酸、二乙三胺五醋酸等胺基多羧酸， 酚、甲酚、焦兒茶酚、焦掊酚等之芳族含羥基化合物，吡 咯、咪唑、三唑、四唑等吡咯，葡萄糖、蔗糖、果糖等糖 類。 本發明之光阻劑用剝離劑中，過氧化物、四級銨鹽、 水、胺類、水溶性有機溶劑之比率因隨所用各化合物而變 化難以限定，但過氧化物係在0 · 1至3 0重量％ ’四級銨 鹽1至5 0重量％，水1至9 0重量％，胺類1至5 0重量 %，水溶性有機溶劑1至5 0重量％。較佳者爲’過氧化物 0 · 5至2 5重量％，四級銨鹽5至5 0重量％ ’水1至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 554258 A7 ___B7______ 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 0重量％，胺類1至4 0重量％，水溶性有機溶劑1至 5 0重量％。更佳者爲，過氧化物1至2 5重量％ ’四級銨 鹽5至4 0重量％，水1至9 0重量％，胺類1至3 0重量 %，水溶性有機溶劑1至5 0重量％。偏離該範圍雖無不可 但光阻劑之剝離性、安定性差。 本發明之光阻劑用剝離劑，亦可於剝離光阻劑之際添 加各成分使用，亦可預先混合各成分使用。 用於本發明光阻劑用剝離劑之四級銨鹽及過氧化物’ 可單以混合物形態存在，亦可於有如四級銨鹽之氫過氧化 物，過氧化物配位於四級銨鹽之形態存在。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如結晶水之水，過氧化氫於四級銨鹽配位之氫過氧化 物係安定之化合物，晶狀，可於空氣中，室溫分離。製造 四級銨鹽之方法，因可利用一般氫過氧化物之製造方法而 無特殊阳制，有例如，於四級銨鹽之水溶液添加當量以上 之過氧化氫後，將過剩之過氧化氫加熱分解之方法，同樣 於四級銨鹽之水溶液添加當量以上之過氧化氫後，將過剩 之過氧化氫以加入酵素、金屬鹽、金屬等分解之方法，於 四級銨鹽逐步少量添加當量以下之過氧化氫之方法等，製 程中使用水以外溶劑亦無何妨。過氧化氫配位於四級銨鹽 成爲氫過氧化物時，過氧化氫可簡單地氧化與胺類等有機 物混合亦不反應，安定而易於取用。亦即，過氧化物配位 於四級銨鹽時，於本發明之光阻劑剝離液添加其它物質時 ，過氧化物與添加物之反應，四級銨鹽與添加物之反應可 予抑制，可添加物質之容許範圍變大。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -10- 554258 A7 B7 五、發明説明（8 ) 本發明之光阻劑用剝離劑可用於鹼水溶液顯像之光阻 劑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之光阻劑用剝離劑係用於，塗布在無機質基體 上之光阻劑膜，或塗布於無機基體上之光阻膜鈾刻後殘留 之光阻劑層，或乾式蝕刻後經打磨殘留之光阻劑殘渣等之 剝離，或鈦氧化物等副產物之剝離。此際亦可藉加熱、超 音波等促進剝離。 本發明之光阻劑用剝離劑之使用方法一般係浸泡法， 但其它方法亦可使用。 實施例 本發明藉以下實施例更詳細說明，惟本發明不限於此 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例1至實施例2 7，比較例1至比較例8 於矽晶圓上塗布市售正型光阻劑成厚2微米，作預烘 烤。其次經光罩曝光，以氫氧化四甲銨顯像。蝕刻後，作 電漿打磨處理。該矽晶圓於表1之剝離液在8 0 °C浸泡 3 0分鐘後水洗、乾燥。以掃猫式電子顯微鏡觀察表面， 探討光阻劑變質膜之剝離性，及鈦氧化物之剝離性。 至於金屬腐蝕性則係將各金屬（銅、鋁）試片浸泡於 5〇°C之表2光阻劑用剝離劑3 0分鐘，由重量變化、表 面觀察作評估。 而實施例之剝離液係於3 0 °C之四級銨水溶液添加過 氧化物，去除過剩之水後，添加胺類、水溶性有機溶劑而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -11 - 554258 A7 _____ B7 五、發明説明（9 ) 調製。過氧化氫則用3 5 %水溶液，添加於8 0 °C之四級 銨鹽水溶液。表1、表2各組成中其餘係水。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) <光阻劑剝離性及鈦氧化物剝離性> 光阻劑變質膜之剝離性及鈦氧化物之剝離性係如下評估。 〇：剝離性良好 △:有部份殘留物 X :大部份殘留 <金屬腐蝕性> 對銅、鋁之腐蝕性係如下評估（但，羥基胺因與銅接觸即 分解，無法試驗）。 〇：無腐蝕 A :有部份腐蝕 X :強烈腐蝕 而表1、表2爲簡潔記載，使用以下代號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 TMAH :氫氧化四甲銨 TEAH:氫氧化四乙銨 TPAH:氫氧化四正丙銨 TMHEAH :氫氧化三甲基—2 —羥基乙銨 T M A C :碳酸四甲銨 T P A C :碳酸四正丙銨 TMHEAC :碳酸三甲基一 2 —羥基乙銨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -12- 554258 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（10) BTMAC :碳酸苯甲基三甲銨 丁 M A A :醋酸四甲銨 T M A A P :過醋酸四甲銨 T M A S :水楊酸四甲銨 TMAB:苯甲酸四甲銨 T M A L :乳酸四甲銨 TPAP :丙酸四正丙銨 BTMAA :己二酸苯甲基三甲銨 Μ E A :單乙醇胺 Η A :羥基胺 TETA :三乙四胺 Η P〇：過氧化氫 A P S :過硫酸銨 A P B :過硼酸銨 A P C :過碳酸銨 BPO:過氧化苯甲醯 丁 Β Η P〇：三級丁基過氧化氫 Ν Μ P : Ν -甲基一 2 -吡咯烷酮 DMS〇：二甲亞砸 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂 ^1. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 554258
A 五、發明説明（u)表1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 組成(括弧內係重量％0 剝離性 四級銨鹽 過氧化物 其他 光阻劑 鈦氧化物 實施例1 TMAH(16) HP ◦⑹ 〇 〇 實施例2 TMAH(14) HPO(5) TETA(ll) 〇 〇 實施例3 TNAH(14) HPO(5) DMSO(ll) 〇 〇 實施例4 TEAH(30) HPO(15) 〇 〇 實施例5 TEAH(16) HPO(IO) TETA ⑷ DMSO(IO) 〇 〇 實施例6 TPAH(7) HPO(3) Δ 〇 實施例7 TMHEAH(20) HPO(5) 〇 〇 實施例8 TMAH(10) APS(5) 〇 Δ 實施例9 TMAH ⑻ APB⑵ 〇 Δ 實施例10 TEAH(12) APC(3) DMS〇(5) 〇 Δ 實施例11 TEAH(7) BPO(5) TETA(5) 〇 Δ 實施例12 TPAH(15) TBHPO(5) TETA(5) 〇 Δ 比較例1 TMAH(16) Δ X 比較例2 HPCX6) X Δ 比較例3 APS(5) X X 比較例4 MEA(16)* TETA ⑷ DMSO(IO) Δ X 比較例5 HA(16)* TETA ⑷ DMSO(IO) 〇 〇 *MEA及HA非四級銨鹽，係胺。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -14- 554258 A7 B7 五、發明説明（12) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表2 組成(括弧內係重量％) .剝; 離性 腐蝕性 四級銨鹽 過氧化物 其他 光阻劑 鈦氧化物 Α1 Cu 實施例13 TMAC(16) 腦⑹ 〇 〇 〇 〇 實施例14 TPACC16) HPCX6) 〇 〇 〇 〇 實施例15 BTMAC(16) HPCX6) 〇 〇 〇 〇 實施例16 TMAC(40) HPO(15) 〇 〇 〇 〇 實施例17 TMAC(3) HPO(l) 〇 〇 〇 〇 實施例18 TMAC ⑸ HPO(3) DMSO(IO) 〇 〇 〇 〇 實施例19 TMHEAC(20) HPO(5) NMP(50) 〇 〇 〇 〇 實施例20 TMAA(16) 腦⑹ 〇 〇 〇 〇 實施例21 TMAS(10) HPO(5) 〇 〇 〇 〇 實施例22 TMAB(5) HP(X2) 〇 〇 〇 〇 實施例23 TMAL(16) HPO(15) 〇 〇 〇 〇 實施例24 TPAP(16) HPO(IO) 〇 〇 〇 〇 實施例25 BTMAA(5) HPO(3) DMSOd 〇) 〇 〇 〇 〇 實施例26 TMAAP(20) HPO(5) NMP(50) 〇 〇 〇 〇 實施例27 TMAS(5), TMAH(5) HPO(5) 〇 〇 〇 〇 比較例6 TMAH(16) HPCX6) 〇 〇 X Δ 比較例7 MEA(16)* Δ X 〇 X 比較例8 HA(16)* 〇 〇 Δ *MEA及HA非四級銨鹽，係胺。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂 -^1. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -15- 554258 Α7 Β7 五、發明説明（13) 實施例2 8至3 4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以如同實施例1至2 7之方法，試驗使用四級銨鹽之 S過氧化物之光阻劑用剝離液，其組成及結果示於表3。 而下示氫氧化四甲銨之氫過氧化物之製造例，至於其 它四級銨鹽之氫過氧化物亦以同一方法製造。 製造例··將5 9 0克之1 5 %氫氧化四甲銨（ 0 · 97莫耳）加熱至80 Qc，滴入3 5%雙氧化150 克（1 · 5 4莫耳）。加熱分解過剩之過氧化氫至不再冒 泡’之後於減壓下將水餾除，得氫氧化四甲銨之氫過氧化 物。 氫氧化四甲銨之氫過氧化物之I r (KB r錠劑） 1489， 1404， 947 cm-1 將該氫氧化四甲銨之氫過氧化物溶於水，加入胺、水 溶性有機溶劑，成光阻劑用剝離液。 爲表列之簡潔，使用以下代號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 T M A Η - Η :氫氧化四甲銨之氫過氧化物 ΤΕΑΗ-Η :氫氧化四乙銨之氫過氧化物 ΤΡΑΗ - Η :氫氧化四正丙銨之氫過氧化物 ΤΜΗΕΑΗ-Η:氫氧化三甲基一2-羥基乙銨之氫過 氧化物 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨〇><297公釐） -16- 554258
7 B 五、發明説明（14) 表3 實 施 例 組成（括弧內係重量％) 光 阻 劑 鈦氧化 物剝離 性 28 TMAH-H(22) 水（78) 〇 〇 29 TMAH-H(19) 水（70) TETA(ll) 〇 〇 30 TMAH-H(19) 水（70) DMSO(ll) 〇 〇 31 TEAH-H(45) 水（55) 〇 〇 32 TEAH-H(26) 水（60) TETA(4) DMSO(IO) 〇 〇 33 TPAH-H(IO) 水（90) Δ 〇 34 TMHEAH-H(25) 水（75) 〇 〇 J—丨：--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 發明之效果 本發明之光阻劑用剝離劑不含不安定而危險性高之羥 基胺，可用作光阻劑剝離性、鈦氧化物剝離性優之光阻劑 用剝離劑。 -^1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17-

Claims (1)

  1. 554258
    告本
    A8 B8 C8 D8 第90129563號專利申請案 中文申請專利範圍修/正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國 1 . 一種光阻劑用剝離劑，其特'徵•爲：由也^化物及 四級銨鹽所成其中過氧化物係選自過氧化氫、過硫酸鹽、 過硼酸鹽、過碳酸鹽、有機過酸及有機氫過氧化物所成群 之至少1種，而四級銨鹽係選自氫氧化四級銨、四級銨碳 酸鹽、四級銨羧酸鹽、及四級銨過羧酸鹽所成群之至少1 種。 2 .如申請專利範圍第1項之光阻劑用剝離劑，其中 四級銨羧酸鹽之羧酸係芳族羧酸。 3 ·如申請專利範圍第2項之光阻劑用剝離劑，其中 芳族羧酸係選自苯甲酸、水楊酸、及酞酸所成群之至少1 種。 4 ·如申請專利範圍第1項之光阻劑用剝離劑，其中 四級銨鹽之四級銨係選自四甲銨、苯甲基三烷基銨、及烷 基羥基烷基銨所成群之至少1種。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 ·如申請專利範圍第1項之光阻劑用剝離劑，其中 過氧化物及四級銨鹽係四級銨鹽之過氧化氫化物。 6 ·如申請專利範圍第1項之光阻劑用剝離劑，其中 於過氧化物及四級銨鹽添加選自胺類、水溶性有機溶劑、 及水所成群之至少一種。 7 ·如申請專利範圍第6項之光阻劑用剝離劑，其中 水溶性有機溶劑係選自亞硕類、硕類、醯胺類、內醯胺類 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 554258 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 、咪唑烷酮類、二醇類及二醇醚類所成群之至少1種。 8 .如申請專利範圍第1項之光阻劑用剝離劑，其係 剝離鈦氧化物。 9 .如申請專利範圍第1項之光阻劑用剝離劑，其係 於光阻劑顯像、形成電路後剝離殘留光阻劑或光阻劑殘渣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2-
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