JP2002318455A - 安定化方法 - Google Patents
安定化方法Info
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- JP2002318455A JP2002318455A JP2001124173A JP2001124173A JP2002318455A JP 2002318455 A JP2002318455 A JP 2002318455A JP 2001124173 A JP2001124173 A JP 2001124173A JP 2001124173 A JP2001124173 A JP 2001124173A JP 2002318455 A JP2002318455 A JP 2002318455A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 過酸化水素と塩基性のアミン類を併用できる
安定化方法を提供するとともに、優れたレジスト剥離
性、及び優れたチタン酸化物剥離性を示すレジスト剥離
剤を提供する。 【解決手段】 過酸化水素とアミン類とのアルカリ性混
合物にサリチル酸を添加することにより安定化された混
合物を、レジスト及び／又はチタン酸化物の剥離剤とし
て使用する。
安定化方法を提供するとともに、優れたレジスト剥離
性、及び優れたチタン酸化物剥離性を示すレジスト剥離
剤を提供する。 【解決手段】 過酸化水素とアミン類とのアルカリ性混
合物にサリチル酸を添加することにより安定化された混
合物を、レジスト及び／又はチタン酸化物の剥離剤とし
て使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は過酸化水素と塩基性
のアミンとの混合物の安定化方法に関する。過酸化水素
及び塩基性のアミンは、半導体集積回路、プリント配線
基板、液晶の製造工程において、それぞれチタン酸化物
及びフォトレジスト層の剥離剤に使用される。
のアミンとの混合物の安定化方法に関する。過酸化水素
及び塩基性のアミンは、半導体集積回路、プリント配線
基板、液晶の製造工程において、それぞれチタン酸化物
及びフォトレジスト層の剥離剤に使用される。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路や液晶パネルの半導体素
子回路は、例えば、以下のように製造される。すなわ
ち、シリコン、ガラス等の基板上に金属膜や絶縁膜をＣ
ＶＤやスパッタ等の方法で積層させ、この基板上にフォ
トレジストを塗布してレジスト層を設け、このレジスト
層を選択的に露光、現像処理をしてレジストパターンを
形成し、これをマスクとして金属膜をエッチングして微
細配線を形成した後、フォトレジストを基体上から剥離
するか、又はエッチング後の不要なフォトレジストを、
プラズマアッシングにより除去し、更に残ったレジスト
残渣を剥離する方法にて製造される。
子回路は、例えば、以下のように製造される。すなわ
ち、シリコン、ガラス等の基板上に金属膜や絶縁膜をＣ
ＶＤやスパッタ等の方法で積層させ、この基板上にフォ
トレジストを塗布してレジスト層を設け、このレジスト
層を選択的に露光、現像処理をしてレジストパターンを
形成し、これをマスクとして金属膜をエッチングして微
細配線を形成した後、フォトレジストを基体上から剥離
するか、又はエッチング後の不要なフォトレジストを、
プラズマアッシングにより除去し、更に残ったレジスト
残渣を剥離する方法にて製造される。
【０００３】フォトレジストを基体上から剥離するか、
又はプラズマアッシング後のレジスト残渣を基体上から
剥離するため、レジスト剥離剤として、特開昭６２−４
９３５５号公報に開示されているような塩基性のアミン
類が使用されている。
又はプラズマアッシング後のレジスト残渣を基体上から
剥離するため、レジスト剥離剤として、特開昭６２−４
９３５５号公報に開示されているような塩基性のアミン
類が使用されている。
【０００４】ところが最新のサブミクロン処理技術で
は、ＴｉＮ，ＴｉＳｉ等を含む金属材料が使用されるた
め、これらの金属材料を使用した場合、処理中にチタン
酸化物等の安定な副産物が生じる。チタン酸化物は、酸
性下、過酸化水素で溶解することが一般に知られている
が、酸性下では、塩基性で溶解するレジストの剥離が難
しくなる。
は、ＴｉＮ，ＴｉＳｉ等を含む金属材料が使用されるた
め、これらの金属材料を使用した場合、処理中にチタン
酸化物等の安定な副産物が生じる。チタン酸化物は、酸
性下、過酸化水素で溶解することが一般に知られている
が、酸性下では、塩基性で溶解するレジストの剥離が難
しくなる。
【０００５】このため、過酸化水素と塩基性のアミン類
を併用できるレジスト及び／又はチタン酸化物の剥離方
法の開発が望まれている。
を併用できるレジスト及び／又はチタン酸化物の剥離方
法の開発が望まれている。
【０００６】過酸化水素はアミンと容易に反応すること
が知られている。過酸化水素により、一級アミンはヒド
ロキシルアミンを経由してニトロ化合物まで酸化され、
二級アミンはヒドロキシルアミンまで酸化される。ま
た、三級アミンはアミンオキシドまで酸化され、塩基性
が消失する。このように過酸化水素とアミンが容易に反
応し、アミンの性能が変化してしまうために、過酸化水
素と塩基性のアミンを併用して、レジストの剥離とチタ
ン酸化物の剥離を同時に行うことは極めて困難であっ
た。
が知られている。過酸化水素により、一級アミンはヒド
ロキシルアミンを経由してニトロ化合物まで酸化され、
二級アミンはヒドロキシルアミンまで酸化される。ま
た、三級アミンはアミンオキシドまで酸化され、塩基性
が消失する。このように過酸化水素とアミンが容易に反
応し、アミンの性能が変化してしまうために、過酸化水
素と塩基性のアミンを併用して、レジストの剥離とチタ
ン酸化物の剥離を同時に行うことは極めて困難であっ
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、レジ
スト、チタン酸化物を剥離するために、過酸化水素と塩
基性のアミンを併用することが望まれていたにもかかわ
らず、過酸化水素とアミンが容易に反応してしまうた
め、併用することができなかった。
スト、チタン酸化物を剥離するために、過酸化水素と塩
基性のアミンを併用することが望まれていたにもかかわ
らず、過酸化水素とアミンが容易に反応してしまうた
め、併用することができなかった。
【０００８】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、過酸化水素と塩基性のアミンを併
用できる安定化方法を提供するとともに、優れたレジス
ト剥離性、及び優れたチタン酸化物剥離性を示すレジス
ト剥離剤を提供することにある。
であり、その目的は、過酸化水素と塩基性のアミンを併
用できる安定化方法を提供するとともに、優れたレジス
ト剥離性、及び優れたチタン酸化物剥離性を示すレジス
ト剥離剤を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、過酸化水
素と塩基性のアミン類の安定性について鋭意検討した結
果、過酸化水素と塩基性のアミン類とのアルカリ性混合
物にサリチル酸を添加することにより、混合物が安定に
存在し得ることを見出し、本発明を完成させるに至っ
た。
素と塩基性のアミン類の安定性について鋭意検討した結
果、過酸化水素と塩基性のアミン類とのアルカリ性混合
物にサリチル酸を添加することにより、混合物が安定に
存在し得ることを見出し、本発明を完成させるに至っ
た。
【００１０】すなわち本発明は、過酸化水素とアミン類
とのアルカリ性混合物にサリチル酸を添加することを特
徴とする過酸化水素とアミン類との混合物の安定化方法
である。
とのアルカリ性混合物にサリチル酸を添加することを特
徴とする過酸化水素とアミン類との混合物の安定化方法
である。
【００１１】以下に本発明をさらに詳細に説明する。
【００１２】本発明の方法において、過酸化水素とアミ
ン類とのアルカリ性混合物はサリチル酸により安定化さ
れる。
ン類とのアルカリ性混合物はサリチル酸により安定化さ
れる。
【００１３】本発明の方法において、過酸化水素として
は、無水物、水溶液のみならず、尿素や第四級アンモニ
ウム塩等の過酸化水素化物をも含む。ただし、一般的に
は水溶液が使用される。本発明の方法において、過酸化
水素以外の成分も存在するため、過酸化水素水の中の過
酸化水素の濃度を限定することは困難であるが、あえて
例示すると、低濃度ではレジスト剥離剤等に使用した
際、性能が十分発揮されるまで水を除去するのに多大な
時間と労力を要することや、高濃度では混合した際に発
熱が生じ、取扱いが困難になること等を考慮すれば、
０．１〜８０％の過酸化水素水を使用するのが好まし
い。
は、無水物、水溶液のみならず、尿素や第四級アンモニ
ウム塩等の過酸化水素化物をも含む。ただし、一般的に
は水溶液が使用される。本発明の方法において、過酸化
水素以外の成分も存在するため、過酸化水素水の中の過
酸化水素の濃度を限定することは困難であるが、あえて
例示すると、低濃度ではレジスト剥離剤等に使用した
際、性能が十分発揮されるまで水を除去するのに多大な
時間と労力を要することや、高濃度では混合した際に発
熱が生じ、取扱いが困難になること等を考慮すれば、
０．１〜８０％の過酸化水素水を使用するのが好まし
い。
【００１４】本発明の方法において、アミン類とは一級
アミン、二級アミン、三級アミン、又は第四級アンモニ
ウムを示す。アミン類であれば、特に限定するものでは
なく、アミノ基以外の官能基、例えば、水酸基、エーテ
ル基、カルボキシル基、エステル基、アミド基等を含ん
でいても良い。本発明の方法において、好ましいアミン
類を例示すると、メチルアミン、エチルアミン、プロピ
ルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、
ベンジルアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン等の
一級アミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロ
ピルアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、ピペラジ
ン、ピペリジン、ピロリジン、モルホリン、Ｎ−メチル
モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等の二級ア
ミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロ
ピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルステアリルアミン等のトリアルキルアミン
類、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロパンジアミ
ン、ビス（ジメチルアミノエチル）エーテル、Ｎ，Ｎ’
−ジメチルピペラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルア
ミノエチルピペラジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−ペ
ンタメチルジエチレントリアミン、トリエチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヘキサメチレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペ
ラジン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリ
ン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラ
ジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、ピリジ
ン、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラジン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ’−
（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノエトキシエタノール等の三級アミン、テトラメ
チルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ
プロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ト
リエチルメチルアンモニウム、メチルトリプロピルアン
モニウム、ドデシルトリメチルアンモニウム、デシルト
リメチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウ
ム等のテトラアルキルアンモニウム、コリン等のトリア
ルキルヒドロキシアルキルアンモニウム等が挙げられ
る。第四級アンモニウムのアニオン種としては、例え
ば、水酸化物、炭酸、カルボン酸、水酸基含有芳香族化
合物等が挙げられる。
アミン、二級アミン、三級アミン、又は第四級アンモニ
ウムを示す。アミン類であれば、特に限定するものでは
なく、アミノ基以外の官能基、例えば、水酸基、エーテ
ル基、カルボキシル基、エステル基、アミド基等を含ん
でいても良い。本発明の方法において、好ましいアミン
類を例示すると、メチルアミン、エチルアミン、プロピ
ルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、
ベンジルアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン等の
一級アミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロ
ピルアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、ピペラジ
ン、ピペリジン、ピロリジン、モルホリン、Ｎ−メチル
モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等の二級ア
ミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロ
ピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルステアリルアミン等のトリアルキルアミン
類、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロパンジアミ
ン、ビス（ジメチルアミノエチル）エーテル、Ｎ，Ｎ’
−ジメチルピペラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルア
ミノエチルピペラジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−ペ
ンタメチルジエチレントリアミン、トリエチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヘキサメチレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペ
ラジン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリ
ン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラ
ジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、ピリジ
ン、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラジン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ’−
（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノエトキシエタノール等の三級アミン、テトラメ
チルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ
プロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ト
リエチルメチルアンモニウム、メチルトリプロピルアン
モニウム、ドデシルトリメチルアンモニウム、デシルト
リメチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウ
ム等のテトラアルキルアンモニウム、コリン等のトリア
ルキルヒドロキシアルキルアンモニウム等が挙げられ
る。第四級アンモニウムのアニオン種としては、例え
ば、水酸化物、炭酸、カルボン酸、水酸基含有芳香族化
合物等が挙げられる。
【００１５】本発明の方法において、アミン類として、
第四級アンモニウムを用いる場合は、過酸化水素と第四
級アンモニウムとのアルカリ性混合物ばかりでなく、第
四級アンモニウムに過酸化水素が付加した過酸化水素化
物もサリチル酸で安定化される。
第四級アンモニウムを用いる場合は、過酸化水素と第四
級アンモニウムとのアルカリ性混合物ばかりでなく、第
四級アンモニウムに過酸化水素が付加した過酸化水素化
物もサリチル酸で安定化される。
【００１６】本発明の方法において、過酸化水素とアミ
ン類とのアルカリ性混合物に、更に、水や水溶性有機溶
媒を添加することができる。本発明の方法において、好
ましい水溶性有機溶媒を例示すると、ジメチルスルホキ
シド等のスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチル
スルホン等のスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミ
ド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−
ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒド
ロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類、１，３
−ジメジル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノ
ン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ト
リエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロ
ピレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリ
コール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブ
チルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエー
テル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノブチルエーテル等のグリコー
ルエーテル類等が挙げられる。これら水溶性有機溶媒は
単独で使用しても良いし、二種類以上を混合して使用し
ても良い。
ン類とのアルカリ性混合物に、更に、水や水溶性有機溶
媒を添加することができる。本発明の方法において、好
ましい水溶性有機溶媒を例示すると、ジメチルスルホキ
シド等のスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチル
スルホン等のスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミ
ド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−
ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒド
ロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類、１，３
−ジメジル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノ
ン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ト
リエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロ
ピレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリ
コール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブ
チルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエー
テル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノブチルエーテル等のグリコー
ルエーテル類等が挙げられる。これら水溶性有機溶媒は
単独で使用しても良いし、二種類以上を混合して使用し
ても良い。
【００１７】本発明の方法において、過酸化水素と塩基
性のアミン類とのアルカリ性混合物中の各成分の比率
は、使用する化合物や使用目的が異なると変化するた
め、限定することは困難であるが、あえて例示すると、
レジスト剥離剤として使用する場合には、通常、過酸化
水素が０．１〜３０重量％、アミン類が０．１〜７０重
量％である。この範囲をはずれても使用できないことは
ないが、レジストの剥離性が低下する場合がある。
性のアミン類とのアルカリ性混合物中の各成分の比率
は、使用する化合物や使用目的が異なると変化するた
め、限定することは困難であるが、あえて例示すると、
レジスト剥離剤として使用する場合には、通常、過酸化
水素が０．１〜３０重量％、アミン類が０．１〜７０重
量％である。この範囲をはずれても使用できないことは
ないが、レジストの剥離性が低下する場合がある。
【００１８】本発明の方法において、サリチル酸の添加
量はアミン類に対して、等モル以下とすることが好まし
い。サリチル酸をアミンより多く添加すると、アミンが
全量中和されてしまい、混合物の塩基性が維持できなく
なる。またサリチル酸の添加量がアミンに対して１モル
％未満であると、サリチル酸の効果が小さく、アミンと
過酸化水素の反応を抑止できなくなる。
量はアミン類に対して、等モル以下とすることが好まし
い。サリチル酸をアミンより多く添加すると、アミンが
全量中和されてしまい、混合物の塩基性が維持できなく
なる。またサリチル酸の添加量がアミンに対して１モル
％未満であると、サリチル酸の効果が小さく、アミンと
過酸化水素の反応を抑止できなくなる。
【００１９】このように、本発明の方法においては、過
酸化水素とアミン類とのアルカリ性混合物にサリチル酸
を添加した混合物は、アルカリ性を示すことが肝要であ
る。酸性下では、塩基性で溶解するレジストの剥離が困
難になる場合がある。
酸化水素とアミン類とのアルカリ性混合物にサリチル酸
を添加した混合物は、アルカリ性を示すことが肝要であ
る。酸性下では、塩基性で溶解するレジストの剥離が困
難になる場合がある。
【００２０】本発明の方法により安定化された混合物
は、レジスト剥離剤及び／又はチタン酸化物の剥離剤と
して好適に用いられる。
は、レジスト剥離剤及び／又はチタン酸化物の剥離剤と
して好適に用いられる。
【００２１】本発明のレジスト剥離剤は、半導体材料に
対する腐食性が小さいが、更に腐食性を抑制するため腐
食抑制剤を添加しても良い。腐食抑制剤としては一般的
なものが使用でき、特に限定されない。腐食抑制剤を例
示すると、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、２−エチルヘキ
サン酸、アジピン酸、セバシン酸、アゼライン酸、ピメ
リン酸、スベリン酸、シュウ酸、マロン酸、グリコール
酸、クエン酸、安息香酸、フタル酸、ニトリロトリ酢
酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五
酢酸等のカルボン酸、フェノール、レゾルシノール、ピ
ロカテコール、ピロガロール等の芳香族ヒドロキシ化合
物、ピロール、イミダゾール、トリアゾール、テトラゾ
ール、ベンゾトリアゾール等のアゾール、グルコース、
シュクロース、フルクトース、マルトース等の糖類、チ
オ尿素、チオール等の硫黄化合物等が挙げられる。
対する腐食性が小さいが、更に腐食性を抑制するため腐
食抑制剤を添加しても良い。腐食抑制剤としては一般的
なものが使用でき、特に限定されない。腐食抑制剤を例
示すると、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、２−エチルヘキ
サン酸、アジピン酸、セバシン酸、アゼライン酸、ピメ
リン酸、スベリン酸、シュウ酸、マロン酸、グリコール
酸、クエン酸、安息香酸、フタル酸、ニトリロトリ酢
酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五
酢酸等のカルボン酸、フェノール、レゾルシノール、ピ
ロカテコール、ピロガロール等の芳香族ヒドロキシ化合
物、ピロール、イミダゾール、トリアゾール、テトラゾ
ール、ベンゾトリアゾール等のアゾール、グルコース、
シュクロース、フルクトース、マルトース等の糖類、チ
オ尿素、チオール等の硫黄化合物等が挙げられる。
【００２２】本発明のレジスト剥離剤は、レジストを剥
離する際に前記各成分を混合して使用しても良いし、予
め前記各成分を混合しておいてから使用しても良い。
離する際に前記各成分を混合して使用しても良いし、予
め前記各成分を混合しておいてから使用しても良い。
【００２３】本発明のレジスト剥離剤は、ポジ型、ネガ
型を含めて、アルカリ水溶液で現像できるレジストの剥
離に利用できる。
型を含めて、アルカリ水溶液で現像できるレジストの剥
離に利用できる。
【００２４】本発明のレジスト剥離剤は、無機質基体上
に塗布されたフォトレジスト膜、無機質基体上に塗布さ
れたフォトレジスト膜をドライエッチングした後に残存
するフォトレジスト層、又はドライエッチング後にアッ
シングを行い残存するフォトレジスト残渣物等を剥離す
るのに好適に用いられる。その際には、加熱、超音波等
によりレジストの剥離を促進しても良い。
に塗布されたフォトレジスト膜、無機質基体上に塗布さ
れたフォトレジスト膜をドライエッチングした後に残存
するフォトレジスト層、又はドライエッチング後にアッ
シングを行い残存するフォトレジスト残渣物等を剥離す
るのに好適に用いられる。その際には、加熱、超音波等
によりレジストの剥離を促進しても良い。
【００２５】本発明のチタン酸化物の剥離剤は、チタン
酸化物の剥離に利用できる。レジストを剥離するのと同
時にチタン酸化物を剥離しても良いし、別々に剥離して
も良い。
酸化物の剥離に利用できる。レジストを剥離するのと同
時にチタン酸化物を剥離しても良いし、別々に剥離して
も良い。
【００２６】本発明のレジスト剥離剤、チタン酸化物の
剥離剤の使用方法としては、浸漬法が一般的であるが、
その他の方法を使用しても一向に差し支えない。
剥離剤の使用方法としては、浸漬法が一般的であるが、
その他の方法を使用しても一向に差し支えない。
【００２７】
【実施例】本発明を以下の実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２８】実施例１（過酸化水素と第四級アンモニウ
ムとのアルカリ性混合物） １５％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液３
５．５ｇにサリチル酸４．１ｇを添加した。これに３５
％過酸化水素水を２．９ｇ添加し、室温で撹拌した。過
酸化水素水添加直後の過酸化水素濃度は２．４％であ
り、５００時間後の過酸化水素水濃度も２．４％であっ
た。
ムとのアルカリ性混合物） １５％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液３
５．５ｇにサリチル酸４．１ｇを添加した。これに３５
％過酸化水素水を２．９ｇ添加し、室温で撹拌した。過
酸化水素水添加直後の過酸化水素濃度は２．４％であ
り、５００時間後の過酸化水素水濃度も２．４％であっ
た。
【００２９】比較例１ サリチル酸を添加しない以外は、実施例１と同じ方法で
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドと過酸化水素を
混合した。過酸化水素水添加直後の過酸化水素濃度は
２．７％であり、５００時間後の過酸化水素水濃度は
１．９％であった。
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドと過酸化水素を
混合した。過酸化水素水添加直後の過酸化水素濃度は
２．７％であり、５００時間後の過酸化水素水濃度は
１．９％であった。
【００３０】実施例２（過酸化水素と三級アミンとのア
ルカリ性混合物） Ｎ，Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン３ｇ（３３．７
ｍｍｏｌ）を水３ｇに溶解し、これにサリチル酸２．３
ｇ（１６．７ｍｍｏｌ）を加えた。これに３５％過酸化
水素水３．５ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）を加えた。室温で
５時間撹拌した後、反応液を分析するとアルカリ性を維
持していた。
ルカリ性混合物） Ｎ，Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン３ｇ（３３．７
ｍｍｏｌ）を水３ｇに溶解し、これにサリチル酸２．３
ｇ（１６．７ｍｍｏｌ）を加えた。これに３５％過酸化
水素水３．５ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）を加えた。室温で
５時間撹拌した後、反応液を分析するとアルカリ性を維
持していた。
【００３１】比較例２ サリチル酸を添加しない以外は、実施例２と同じ方法で
Ｎ，Ｎ−ジメチルモノエタノールアミンと過酸化水素を
混合した。過酸化水素を加えた直後から、混合液が激し
く発熱した。室温で５時間撹拌した後、反応液を分析す
ると中性になっていた。
Ｎ，Ｎ−ジメチルモノエタノールアミンと過酸化水素を
混合した。過酸化水素を加えた直後から、混合液が激し
く発熱した。室温で５時間撹拌した後、反応液を分析す
ると中性になっていた。
【００３２】実施例３（過酸化水素と二級アミンとのア
ルカリ性混合物） ピペラジン２．９ｇ（３３．７ｍｍｏｌ）を水３ｇに溶
解し、これにサリチル酸４．６ｇ（３３．７ｍｍｏｌ）
を加えた。これに３５％過酸化水素水７．０ｇ（７２．
０ｍｍｏｌ）を加えた。室温で５時間撹拌した後、反応
液を分析すると添加したピペラジンの３３％が残存して
いた。
ルカリ性混合物） ピペラジン２．９ｇ（３３．７ｍｍｏｌ）を水３ｇに溶
解し、これにサリチル酸４．６ｇ（３３．７ｍｍｏｌ）
を加えた。これに３５％過酸化水素水７．０ｇ（７２．
０ｍｍｏｌ）を加えた。室温で５時間撹拌した後、反応
液を分析すると添加したピペラジンの３３％が残存して
いた。
【００３３】比較例３ サリチル酸を添加しない以外は、実施例３と同じ方法で
ピペラジンと過酸化水素を混合した。過酸化水素を加え
た直後から、混合液が激しく発熱した。室温で５時間撹
拌した後、反応液を分析するとピペラジンは残存してい
なかった。
ピペラジンと過酸化水素を混合した。過酸化水素を加え
た直後から、混合液が激しく発熱した。室温で５時間撹
拌した後、反応液を分析するとピペラジンは残存してい
なかった。
【００３４】実施例４（過酸化水素と一級アミンとのア
ルカリ性混合物） エチレンジアミン２．０ｇ（３３．７ｍｍｏｌ）を水３
ｇに溶解し、これにサリチル酸４．６ｇ（３３．７ｍｍ
ｏｌ）を加えた。これに３５％過酸化水素水７．０ｇ
（７２．０ｍｍｏｌ）を加えた。室温で５時間撹拌した
後、反応液を分析すると添加したエチレンジアミンの１
０％が残存していた。
ルカリ性混合物） エチレンジアミン２．０ｇ（３３．７ｍｍｏｌ）を水３
ｇに溶解し、これにサリチル酸４．６ｇ（３３．７ｍｍ
ｏｌ）を加えた。これに３５％過酸化水素水７．０ｇ
（７２．０ｍｍｏｌ）を加えた。室温で５時間撹拌した
後、反応液を分析すると添加したエチレンジアミンの１
０％が残存していた。
【００３５】比較例４ サリチル酸を添加しない以外は、実施例４と同じ方法で
エチレンジアミンと過酸化水素を混合した。過酸化水素
を加えた直後から、混合液が激しく発熱した。室温で５
時間撹拌した後、反応液を分析するとエチレンジアミン
は残存していなかった。
エチレンジアミンと過酸化水素を混合した。過酸化水素
を加えた直後から、混合液が激しく発熱した。室温で５
時間撹拌した後、反応液を分析するとエチレンジアミン
は残存していなかった。
【００３６】実施例５ シリコンウェハ上に、市販のポジ型フォトレジストを２
μｍの厚みで塗布し、プリベークした。次いで、マスク
パターンを介して露光し、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシドで現像した。エッチングを行った後、プラズ
マアッシング処理を行った。このシリコンウェハを表１
に示す剥離液に８０℃、３０分浸漬し、その後水洗い
し、乾燥した。表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジ
スト変質膜の剥離性、及びチタン酸化物の剥離性を調べ
た。
μｍの厚みで塗布し、プリベークした。次いで、マスク
パターンを介して露光し、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシドで現像した。エッチングを行った後、プラズ
マアッシング処理を行った。このシリコンウェハを表１
に示す剥離液に８０℃、３０分浸漬し、その後水洗い
し、乾燥した。表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジ
スト変質膜の剥離性、及びチタン酸化物の剥離性を調べ
た。
【００３７】また金属の腐食性については、各金属の試
験片を実施例１で混合した液に８０℃、３０分浸漬し、
その重量変化、表面観察から評価した。その結果、レジ
ストの変質膜、チタン酸化物とも良好に剥離できた。
験片を実施例１で混合した液に８０℃、３０分浸漬し、
その重量変化、表面観察から評価した。その結果、レジ
ストの変質膜、チタン酸化物とも良好に剥離できた。
【００３８】
【発明の効果】本発明は過酸化水素を塩基性のアミンと
を併用できる安定化方法を提供するものである。本発明
の方法により安定化された混合物は、レジスト及びチタ
ン酸化物を同時に剥離できるため、工業的に極めて有用
である。
を併用できる安定化方法を提供するものである。本発明
の方法により安定化された混合物は、レジスト及びチタ
ン酸化物を同時に剥離できるため、工業的に極めて有用
である。
Claims (7)
- 【請求項１】 過酸化水素とアミン類とのアルカリ性混
合物にサリチル酸を添加することを特徴とする過酸化水
素とアミン類との混合物の安定化方法。 - 【請求項２】 アミン類が、一級アミン、二級アミン、
三級アミン及び第四級アンモニウムからなる群より選ば
れる１種又は２種以上であることを特徴とする請求項１
に記載の安定化方法。 - 【請求項３】 第四級アンモニウムが、第四級アンモニ
ウムヒドロキシド、第四級アンモニウム炭酸塩、第四級
アンモニウムカルボン酸塩、及び芳香族水酸基含有化合
物の第四級アンモニウム塩からなる群より選ばれる１種
又は２種以上であることを特徴とする請求項２に記載の
安定化方法。 - 【請求項４】 第四級アンモニウムが、テトラアルキル
アンモニウム及び／又はトリアルキルヒドロキシアルキ
ルアンモニウムであることを特徴とする請求項２に記載
の安定化方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の方法で安定化された混合物からなるレジスト剥離剤。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の方法で安定化された混合物からなるチタン酸化物の剥
離剤。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の方法で安定化された混合物によりレジスト及びチタン
酸化物を同時に剥離することを特徴とする剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001124173A JP2002318455A (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | 安定化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001124173A JP2002318455A (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | 安定化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002318455A true JP2002318455A (ja) | 2002-10-31 |
Family
ID=18973603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001124173A Pending JP2002318455A (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | 安定化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002318455A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012022178A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| JP2012032757A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-02-16 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| JP2012118368A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0274506A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-03-14 | Henkel Corp | 安定化した過酸化水素組成物 |
| JPH08253880A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Nippon Peroxide Co Ltd | 鉄−ニッケル合金の化学的溶解処理液 |
| WO1999018180A1 (en) * | 1997-10-03 | 1999-04-15 | The Procter & Gamble Company | Peroxygen bleach-containing compositions comprising a particular chelating agent system |
| JPH11508930A (ja) * | 1995-06-30 | 1999-08-03 | ザ、プロクター、エンド、ギャンブル、カンパニー | 改善された布帛／色安全性を与えるポリアミン安定剤を有する過酸素漂白剤含有プレスポッティング組成物 |
| WO1999060448A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-11-25 | Mallinckrodt Inc. | Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
| WO2002033033A1 (en) * | 2000-10-16 | 2002-04-25 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
-
2001
- 2001-04-23 JP JP2001124173A patent/JP2002318455A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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| JP2012032757A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-02-16 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| JP2012022178A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| JP2012118368A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
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