TW544792B - Organic semiconductor device and process of manufacturing the same - Google Patents

Organic semiconductor device and process of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
TW544792B
TW544792B TW091111190A TW91111190A TW544792B TW 544792 B TW544792 B TW 544792B TW 091111190 A TW091111190 A TW 091111190A TW 91111190 A TW91111190 A TW 91111190A TW 544792 B TW544792 B TW 544792B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
organic semiconductor
electrode
film
insulating film
semiconductor device
Prior art date
Application number
TW091111190A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuyuki Arai
Noriko Shibata
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Application granted granted Critical
Publication of TW544792B publication Critical patent/TW544792B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/472—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only inorganic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76895—Local interconnects; Local pads, as exemplified by patent document EP0896365
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom

Description

544792 A7 ___ B7 五、發明説明（）1 發明背景 發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種包含採用有機半導體膜的薄膜電晶 體（TFT)的有機半導體裝置及其製程。在本說明書中 ’有機半導體裝置表示基本上能利用有機半導體材料的特 性工作的裝置，即它是指在同一基底上提供含有T F T的 主動矩陣型半導體裝置。具體地，使用在一對電極間具有 包含有機化合物的膜（此後稱爲“有機化合物層”）的發 光元件、藉由在其上施加電場能夠獲得熒光或磷光的裝置 (此後稱爲“發光裝置”），電光裝置如液晶顯示裝置， 以電光裝置作爲其一部分安裝的電器也都包括在本發明範 圍內。 相關技術說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在儲存一半導體元件的各種半導體裝置，如電視影像 接收裝置、個人電腦和行動電話中，一個作爲用戶識別資 訊裝置的用於顯示符號和影像的顯示器是必不可少的。尤 其，最近，以利用液晶的電光特性的以液晶顯示裝置爲代 表的平板型顯示器（平板顯示器）已被積極應用。 作爲平板顯示器的一種形式，已知一種藉由爲每個圖 素提供一個T F T並連續寫入一個資料訊號來顯示影像的 主動矩陣的驅動方法。T F T作爲用於實現主動矩陣驅動 方法的必要元件。 雖然這種T F T迄今主要利用無機半導體材料’如非 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公着） 4 544792 A7 B7 五、發明説明（）2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 晶矽和結晶矽來生産，由於在使用該種材料形成T F T的 情況下，半導體層等的製程中的處理溫度超過3 5 〇 °C， 所涉及的一個問題在於許多有用的基底物質在其他情況下 不能使用。 相反的，一種使用有機半導體材料生産T F T的方法 已被提出。在本說明書中，顯示電阻率約爲1 0 — 2〜 1 〇 1 6 Ω c m的類似半導體電性能的有機化合物被稱爲有 機半導體材料，而利用有機半導體材料形成的膜稱爲有機 半導體膜。另外，利用有機半導體材料生産的T F T稱爲 有機T F T。 由於可藉由有機半導體材料的澱積法、旋塗法等形成 有機T F T，故能夠在低溫下成膜。在有機半導體材料中 ，根據爲能夠溶於有機溶劑而合成的可溶有機半導體材料 ，可以採用藉由將溶液在基底上展開並乾燥的塗層方法如 澆注和旋塗的成膜方法，由此可望簡化製程。此外，它的 優秀之處在於除乾燥操作外不需要後處理就能夠立即形成 半導體膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而，在形成多個藉由可溶有機半導體材料形成的有 機丁 F T的情況下，定圖案操作很困難，因此該方法受到 限制。 發明槪要 因此，本發明的一個目的在於，藉由提供一種與印刷 方法和噴墨方法相比較形成較精細結構的方法’提供一種 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544792 A7 B7 五、發明説明（）3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 更複雜的主動矩陣型有機半導體裝置，在利用這樣一種可 溶性有機半導體材料形成有機T F T的情況下’印刷方法 和噴墨方法曾被用作將液體材料形成圖案的方法。此外’ 另一目的在於提供一種具有有機半導體裝置的電器。 爲了解決上述問題，本發明的結構包含：與絕緣表面 接觸形成的第一電極，與第一電極接觸形成的第一絕緣膜 ，與第一絕緣膜接觸形成的第二絕緣膜，該第一絕緣膜在 第一電極上有一開口部分，在此開口部分中與第一絕緣膜 和第二絕緣膜接觸形成的一個有機半導體薄膜，與有機半 導體膜接觸但二者彼此不接觸的第二電極和第三電極。 在開口部分和第二絕緣膜上形成在開口部分內形成的 有機半導體膜，然後去除形成在第二絕緣膜上的除開口部 分以外部分中的有機半導體膜，這樣它就具有和第二絕緣 膜相同的表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，由於有機半導體膜在開口部分內形成，該開口 部分藉由完全去除安排在用作閘極電極的第一電極上的第 二絕緣膜而獲得，有機半導體膜與第一絕緣膜接觸形成， 而且具有一種結構，該結構在藉由第一絕緣膜與第一電極 疊加的位置處形成。 此處，藉由形成含有4 5〜6 0度錐度角的開口部分 邊緣，使有機半導體材料的膜形成簡單易行。 此外，第二電極和第三電極分別作爲有機T F T中的 源極電極和汲極電極，它們由同種材料形成，彼此不接觸 。關於本發明中源極電極和汲極電極的材料，由於大多數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544792 A7 ______B7_ 五、發明説明（）4 半導體材料是用於傳送當成載子的電洞的P型半導體，爲 獲得與半導體層的歐姆接觸，較佳的使用工作函數大的金 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 屬。 特別較佳的選擇能利用現有的光微顯影法形成電極的 金屬，如金、鉑、鉻、鈀、鋁、銦、鉬和鎳，及這些金屬 形成的合金等。 另外，作爲本發明使用的有機半導體材料，較佳的是 具有共軛雙鍵骨架的7Γ電子共軛系統聚合物材料。特別是 可使用可溶性聚合物材料，如聚噻吩、聚（3 -烷基噻吩 )以及聚噻吩衍生物。 此外，作爲可在本發明中使用的有機半導體材料，可 使用能夠藉由在可溶性母體成膜後處理形成有機半導體膜 的材料。作爲這種可藉由母體獲得的有機半導體材料，如 聚亞噻吩基亞乙烯基、聚（2，5 -亞噻吩亞乙烯基）、 聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚丙炔亞乙烯基等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本發明中，這些可溶性有機半導體材料及母體統稱 爲可溶性有機半導體材料。然而，在本發明中，不僅上述 提到的材料，而且也能使用已知的有機半導體材料。 在將母體轉化爲有機半導體時，不僅要進行熱處理而 且要添加反應催化劑如氯化氫。在需要這種處理的情況下 ’會涉及到電極腐蝕等問題，然而，根據本發明說明的有 機T F T的結構，不必擔心該問題。 此外，作爲溶解這些可溶性有機半導體材料的代表性 溶劑，可使用如：甲苯，二甲苯，氯苯，二氯苯，茴香醚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ 544792 A7 B7 五、發明説明（)5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，三氯甲烷，二氯甲烷，r -丁基內酯，丁基溶纖劑，環 己烷，NMP (N —甲基一 2 -吡咯烷酮），環己酮，2 —丁酮，二氧己環，二甲替甲醯胺（DMF) ，THF( 四氫呋喃）等。 進一步，爲實現這種構造的本發明的製程包含以下步 驟：在絕緣表面上形成第一電極，在第一電極上形成第一 絕緣膜，在第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，在第二絕緣膜 藉由第一絕緣膜疊加在第一電極上的位置形成開口部分， 在開口部分和第二絕緣膜上形成一個有機半導體薄膜，抛 光該有機半導體薄膜直到第二絕緣膜暴露出來，在有機半 導體膜上形成導電膜後，藉由形成導電膜圖案來形成彼此 不接觸的第二電極和第三電極。
按照上述提到的製程，能夠生産本發明的有機T F T 〇 本發明中在利用可溶性有機半導體材料形成有機半導 體膜的情況下，較佳的使用旋塗方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外在本發明中，作爲去除在開口部分以外的部分中 形成的有機半導體膜的方法，可有抛光法如機械法、化學 法以及C Μ P (機械化學拋光法）。此外，在本發明中， 也可使用用灰磨光法。 在本發明中使用C Μ Ρ法的情況下，作爲抛光劑（液 )，可以使用那些包含磨粒如氧化鋁（A 1 2〇3 )、二氧 化矽（S i ◦ 2粉體）和氧化鈽（c e ◦ 2 )的抛光劑。此 外，作爲分散這些磨粒的溶液，可使用酸性或鹼性溶液如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544792 A7 _ B7 __ 五、發明説明（6) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 硫酸、硝酸以及胺溶液，但也可使用純水。另外必要時可 使用表面活化劑。在本發明的C Μ P方法中，有機半導體 膜被抛光直到暴露出第二絕緣膜的表面。 圖式簡單說明 圖1是說明本發明有機T F Τ結構的示意圖。 圖2 Α到2 Ε是說明本發明有機T F Τ製程的示意圖 〇 圖3是說明發光裝置圖素部分結構的示意圖。 圖4 A到4 D爲說明一種發光裝置製程的示意圖。 圖5 A到5 C爲說明一種發光裝置製程的示意圖。 圖6 A到6 B是發光裝置圖素部分的俯視圖和電路示 意圖。 圖7是說明液晶顯示裝置圖素部分結構的示意圖。 圖8 A到8 D是說明液晶顯示裝置製程的示意圖 圖9 A和9 B是液晶顯示裝置圖素部分的俯視圖和電 路不意圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 Ο A和1 〇 B是說明發光裝置密封結構的的視圖 〇 圖1 1 A到1 1 Η是示出電器實例的視圖。 元件對照表 1〇2··第一電極 101:基底 一 1 0 3 :第一絕緣膜 1 〇 4 :阻止掩膜 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) '^ " 544792 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（7) 1〇5 :第二絕緣膜 1〇7 :通道區 1 0 9 :汲極電極 3〇2 :閫極電極 3 0 4 :第一中間層絕緣膜 3〇6 :源極電極
3〇8 :電流控制T F T 3 1 0 :第三中間層絕緣膜 312:陽極 3 1 4 :有機化合物層 3 1 6 :發光元件
6 0 6 :電流控制T F T 6 0 5 :汲極接線 6〇4 :通道區 6 1 6 :電流供應線 1001 :源極訊號線驅動電路 1 003 :閘極訊號線驅動電路 1〇〇5 :密封劑 1 〇 0 9 : F P C 1〇1 1 :電流控制T F 丁 1 Ο 1 3 :築堤 1 Ο 1 5 :陰極 1 0 0 7 :間隔 7 0 2 :闊極電極 1 0 6 :有機半導體膜 1 0 8 :源極電極 3 Ο 1 :基底 3 0 3 :閘極絕緣膜 3〇5 :通道區 3 0 7 :汲極電極 3〇9 :第二中間層絕緣膜 3 1 1 :接線 3 1 3 :絕緣層 315:陰極
6 0 2 :開關 T F T 615:源極訊號線 6 0 7 :閘極電極 6 0 3 :閘極訊號線 617:汲極接線 1 0 0 2 :圖素部份 1 0〇4 :蓋材料 1〇〇8 :接線 101〇：基底 1〇12:陽極 1 Ο 1 4 :有機化合物層 1 Ο 1 6 :發光元件 7〇1 ·’基底 703:第一電容電極 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - 544792 A7 B7 五、發明説明（8) 7 0 4 :閘極絕緣膜 7 0 5 :第一中間層絕緣膜 7 0 6 :通道區 7 0 7 :源極電極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 0 8 :汲極電極 7 0 9 :第二電容電極 7 1 0 ··圖素T F T 7 1 1 :鈍化膜 7 1 2 :第二中間層絕緣膜 7 1 3 :接線 7 1 4 : 圖 素 電 極 7 1 5 : 電 容 部 份 9 〇 1 ； 源 極 訊 號 線 9 〇 2 閘 極 訊 號 線 7 1 6 ； 相 對 基 底 7 1 7 ： 相 對 電 極 7 1 8 定 向 膜 7 1 9 ； 液 晶 材料 2 0 〇 1 殼 2 〇 〇 2 支 持 台 9 0 〇 3 ： 顯 示 部份 2 〇 〇 4 ： 揚 聲 器 部 份 2 〇 〇 5 視 頻 輸 入 部份 2 1 〇 1 ； 本 體 2 1 〇 2 顯 示 部 份 2 1 〇 3 影 像 接 收 部 2 1 〇 4 : 操 作 鍵 2 1 〇 5 • 外 部 連 接 ί阜 2 1 〇 6 * 快 門 2 2 〇 1 ； 本 體 2 2 〇 2 殼 2 2 〇 3 ： 顯 示 部 份 2 2 〇 4 • 鍵 盤 2 2 〇 5 • 外 部 連 接 璋 2 2 〇 6 指 標 滑 鼠 2 3 〇 1 本 體 2 3 〇 2 ； 顯 示 部 份 2 3 〇 3 開 關 2 3 〇 4 操 作 鍵 2 3 〇 5 紅外 線 埠 2 4 0 1 ： 本 體 2 4 〇 2 ； 殼 2 4 〇 3 顯 示 部 份 A 2 4 〇 4 顯 示 部 份 Β 2405 記 錄 媒 體 讀 取 部份 2 4 〇 6 • 操 作 鍵 2 4 〇 7 揚 聲 器 部 份 2 5 〇 1 本 體 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -11 - 544792 A7 B7 五、發明説明（9) 2 5〇2 :顯示部份 2 6〇 2 0 5 〇7 2 7 0 2 2 7 0 4 2 7 0 6 2 7 0 8 本體 殼 遙控接收部份 電池 操作鍵 殼 聲音輸入部份 操作鍵 天線 2 5 0 3 2 6 0 2 2 6 0 4 2 6 0 6 2 6 0 8 2 7 0 1 2 7 0 3 2 7 0 5 2 7 0 7 :臂部份 :顯示部份 :外部連接埠 :影像接收部份 :聲音輸入部份 :本體 :顯示部份 :聲音輸出部份 :外部連接埠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較佳實施例說明 參考圖2，基於圖1所示結構的有機T F T製程，將 詳細說明本發明的一個實施例。由於圖1和圖2所使用的 參考數字相同，它們可在需要時被提及。 在圖2 A，藉由將形成於基底1 〇 1上的導電膜形成 圖案來形成第一電極1 0 1。作爲基底1 〇 1 ，可使用玻 璃基底，石英基底，陶瓷基底等。此外，也可使用在表面 上形成絕緣膜的矽基底，金屬基底或不銹鋼基底。此外， 對該實施例的處理溫度有耐熱性的塑膠基底也可使用。 此外，第一電極由導電材料構成，該材料包含一個或 多個選自由W、Μ 〇、T i和T a構成的組的元素。第一 電極1 0 2作爲有機T F T的閘極電極。 在第一電極1 0 2形成之後，形成第一絕緣膜1 〇 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544792 A7 _ 五、發明説明（作 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 。作爲第一絕緣膜1 〇 3 ，使用二氧化矽膜、矽氧氮膜， 或包含矽的絕緣膜，膜是由電漿c v D方法或濺射方法形 成，厚度爲5〇〜150nm。 其次’在第一絕緣膜1 0 3上形成一個絕緣膜。作爲 此處所用的絕緣材料，可使用包含矽的無機材料如二氧化 砂、氮化政、砂氧氮以及它們結合形成的疊層膜，以及有 機材料如丙烯酸樹脂，聚醯亞胺，聚醯胺，聚醯亞胺醯胺 和B C B (苯並環丁烯）。 在使用無機材料的情況下，薄膜由電漿C V D法、濺 射法或澱積法形成。在使用有機材料的情況下，藉由旋塗 法、印刷法或噴墨法形成薄膜，膜厚約1 〇〜5 0 0 n m ο 藉由在形成絕緣膜並用光微顯影法鈾刻後，形成一個 具有所期望圖案的光阻止掩模1 〇 4，如圖2 Β所示，可 在第一電極1 〇 2上形成有開口部分的第二絕緣膜1 0 5 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，在第一電極1 0 2和第二絕緣膜1 0 5上形成 一個有機半導體膜。此時，較佳的形成有機半導體膜 1 〇 6 ，其膜厚大於第二絕緣膜1 〇 5的厚度，如圖2 C 所示。 其次，去除在第二絕緣膜1 0 5上形成的有機半導體 膜1 0 6。作爲部分去除有機半導體膜1 0 6的方法’不 僅可用拋光法（化學法、機械法、C Μ Ρ法），也可用用 灰磨光法。該實施例中，採用C Μ Ρ法進行去除。 -- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 544792 A7 B7 五、發明説明（邛 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 作爲C Μ P法中使用的抛光劑（液），可以使用藉由 將氧化鋁（A 1 2〇3 )或二氧化矽（s i〇2粉體）磨粒 分散於添有表面活化劑（Triton X )的硝酸或胺溶液中得到 抛光劑。此時，從抛光墊施加3 0 0 g / c m 2的壓力進行 抛光操作。抛光時的壓力可在1 0 0〜5 0 0 g / c m 2範 圍內選擇。 關於用C Μ P法去除有機半導體膜，實行去除操作直 到第二絕緣膜1 0 5的表面暴露出來，以便只剩下在第一 電極上的開口部分中形成的有機半導體膜。 因此，在位於與第二絕緣膜1 0 5接觸位置的第一電 極上形成由有機半導體膜構成的通道區1 0 7，如圖2 D 所示。 此外如圖2 Ε所示，利用澱積法在第二絕緣膜1 0 5 和通道區1 0 7上形成第二導電膜。藉由採用光微顯影法 形成第二導電膜圖案，形成源極電極1 0 8和汲極電極 109。形成的第二導電膜厚度爲10〜200nm。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 源極電極1 0 8和汲極電極1 0 9的尺寸爲（5 0 0 X 3 0 // m 2 )。在這種情況下，通道寬度W爲500//m 。源極電極/汲極電極間的間隙即通道長度L爲3 0 // m 〇 如上面所提及的，如圖1所示可以形成具有單獨提供 通道區1 0 7的結構的有機τ F T。因此，能夠使用儘管 有高的載子移動程度但幾乎不能形成圖案的聚合物材料形 成精細結構圖案。結果，由於有機半導體T F T的尺寸（ -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544792 A7 _______B7 五、發明説明（作 特別是通道寬度）可做的更小，整合度得以提高。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實例 實例1 本實例中，說明使用實施例中所述的有機T F T的主 動矩陣驅動法的發光裝置。圖3顯示發光裝置圖素部分的 結構。此外，將參考圖4和5說明發光裝置的製程。 圖3中，在藉由閘極絕緣膜3 0 3提供在基底3 0 1 上的閘極電極302上，形成通道區305 ，並且與通道 區3 0 5接觸形成源極電極3 0 6和汲極電極3 0 7。通 道區3 0 5在第一中間層絕緣膜3 0 4中提供的開口部分 中形成。另外，在本實例中，有機T F T被稱爲電流控芾ij T F T 3 0 8。由於在實施例中已說明有機T F T迄今的 製程，此處不再詳述。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 源極電極3 0 6和汲極電極3 0 7形成後，形成第二 中間層絕緣膜3 0 9。第二中間層絕緣膜3 0 9由有機樹 脂材料製成，如聚醯亞胺，丙烯酸樹脂和聚醯亞胺醯胺。 藉由使用旋轉器塗敷這些材料，加熱及烘烤，或使其聚合 ，可使其表面平坦化。另外，由於有機樹脂材料通常具有 低介電常數，可使寄生容量減少。 其次，爲阻止從發光元件上的第二中間層絕緣膜 3 0 9放氣的副作用，在第二中間層絕緣膜3 0 9上形成 第三中間層絕緣膜3 1 0。第三中間層絕緣膜3 1 0包含 一層無機絕緣膜。其代表性實例包括一層二氧化矽膜、一 ----- 15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ297公釐） 544792 A7 B7 五、發明説明（作 層矽氧氮膜、一層氮化矽膜，或這些膜結合形成的疊層膜 。它們是利用電漿c VD法，在2 0〜2 0 0 P a反應壓 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 力，30 ◦〜400 °C基底溫度，高頻（13 . 56 MHz)和0.1〜1.〇W/cm2電功率密度下，藉由 放電形成的。或者可藉由對中間層絕緣膜表面施行電槳處 理形成硬化膜的方法提供，硬化膜包含一個或多個選自由 氫、氮、鹵化物碳、氟化氫和稀有氣體組成之群之一。 此後，藉由形成具有所期望圖案的光阻止掩模及形成 到達電流控制T F T 3 0 8的汲極電極3 0 7的接觸孔， 來形成導線3 1 1。關於此處所用電極材料，薄膜可藉由 真空澱積法中的濺射法使用A 1 、T i或合金材料形成用 作導電金屬膜，並形成所期望的形狀。 其次，形成用作發光元件陽極的導電膜。作爲陽極材 料，使用透明導電膜。作爲透明導電膜，可使用氧化銦和 氧化錫的化合物（稱爲I T〇）、氧化銦和氧化鋅的化合 物、氧化錫、氧化鋅等。此時較佳的導電膜厚度0 . 1〜 1 V m 〇 羥濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其後’如圖4 D所不’藉由触刻透明導電膜形成陽極 3 12。 然後，如圖5 A所示，在整個表面上形成包含聚醯亞 胺，丙烯酸樹脂和聚醯亞胺醯胺的有機樹脂膜。關於這些 材料，可採用藉由加熱硬化的熱固性材料，或藉由紫外線 照射硬化的光敏材料。在使用熱固性材料的情況下，藉由 形成光阻止掩模和乾鈾刻形成在陽極3 1 2上有開□部分 -1R - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544792 A7 B7 五、發明説明（印 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的絕緣層3 1 3。在使用光敏材料的情況下，藉由使用光 掩模進行曝光和顯影處理在陽極3 1 2上形成有一開口部 分的絕緣膜。在本說明書中，它被稱爲築堤3 1 3。在任 一情況下’形成築堤3 1 3是爲了用其錐型邊緣覆蓋陽極 3 1 2的端部。藉由提供錐形邊緣，可改善隨後形成的有 機化合物層的覆蓋性能。 下一步’在陽極3 1 2上形成有機化合物層3 1 4。 有機化合物層3 1 4可藉由除發光層外層疊多個層如電洞 注入層、電洞傳送層、電洞抑制層、電子傳送層、電子注 入層和緩衝層形成。另外有機化合物層3 1 4形成厚度約 爲10〜150nm (圖5B)。爲形成有機化合物層， 在使用基於低分子的材料情況下，較佳的澱積法，在使用 基於聚合物的材料的情況下，可使用旋塗法、印刷法、噴 墨法等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實例中，藉由澱積法在陽極3 1 2上形成有機化 合物層3 1 4。有機化合物層3 1 4由顯示包括紅 '綠和 藍的三種光發射的有機化合物製成。此處，只顯示出其中 一種化合物的形成過程。另外，形成三種有機化合物層的 有機化合物的組合將在下面詳細說明。 本實例中發射紅光的有機化合物層可由電子傳送有機 化合物、阻擋有機化合物、發光有機化合物、基質材料、 電洞傳送有機化合物和電洞注入有機化合物製成。 特別地，作爲電子傳送有機化合物的三（8 -經基 啉基）鋁（此後稱爲A 1 q 3 )形成爲膜厚2 5 n m。作s 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544792 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（作 阻擋有機化合物的城式亞銅試劑（basocuproin )(此後稱 爲 BCP)形成爲膜厚 8nm。2，3 ，7，8，12， 13 ，17 ，18 —八乙基—21H，23H —卟啉鉑（ 此後稱爲P t〇EP)作爲發光有機化合物與4，4’ — 二嗦唑一聯苯（此後稱爲C B P )共澱積形成膜厚2 5〜 40nm 的基質。4 ，4’ 一雙〔N— (1—萘基）—N -苯基一氨基〕一聯苯（此後稱爲α - N P D )作爲電洞傳 送有機化合物形成爲膜厚4 0 n m。銅酞菁（此後稱爲 C u - P c )作爲電洞注入有機化合物形成爲膜厚1 5 n m。由此可形成一個紅色發光有機化合物層。 雖然此處說明了使用不同功能的6種有機化合物形成 發紅光的有機化合物層的情況，但本發明不限於此，已知 的材料也可被用作顯示發射紅光的有機化合物。 本實例中，一種發綠光的有機化合物層可由電子傳送 有機化合物、阻擋有機化合物、發光有機化合物、基質材 料、電洞傳送有機化合物和電洞注入有機化合物形成。 特別地，作爲電子傳送有機化合物的A 1 q 3形成爲 4〇n m厚的膜。作爲阻擋有機化合物的b C P形成膜厚 1 0 n m的膜。用作電洞傳送基質材料的c B P與三（2 一苯基吡啶）銥（I r ( p p y ) 3 )共澱積形成5〜4 〇 n m厚的膜。作爲電洞傳送有機化合物的^ 一 n p D形成 1 〇 n m厚的膜。作爲電洞注入有機化合物的μ τ D A T A形 成膜厚2 0 n m的膜。作爲電洞注入有機化合物的c u 一 P c形成膜厚1 〇 n m的膜。由此可形成發綠光的有機化 ________ 1 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) < Li n ΙΓ £·
、1T 544792 A7 B7 五、發明説明（作 合物層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖然此處說明了使用不同功能的7種有機化合物形成 發綠光的有機化合物層的情況，但本發明不限於此，並且 已知的材料也可被用作顯示發射綠光的有機化合物。 本實例中，一種發藍光的有機化合物層可由電子傳送 有機化合物、阻擋有機化合物、發光有機化合物和電洞注 入有機化合物形成。 特別地，作爲電子傳送有機化合物的A 1 Q 3形成爲 4 0 n m厚的膜。作爲阻擋有機化合物的B C P形成爲膜 厚1 0 n m的膜。作爲發光有機化合物的α - N P D形成 爲4 0 n m厚的膜。作爲電洞注入有機化合物的C u -P c形成爲膜厚2 0 n m的膜。由此可形成發藍光的有機 化合物層。 雖然此處說明了使用不同功能的4種有機化合物形成 發綠光的有機化合物層的情況，但本發明不限於此，並且 已知的材料也可被用作顯示發射藍光的有機化合物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由在陽極3 1 2上形成上述有機化合物，可在圖素 邰分中形成顯示發射紅光、發射綠光和發射藍光的有機化 合物層。 此外’作爲形成有機化合物層的有機化合物，可使用 基於聚合物的材料。作爲代表性基於聚合物的材料，可提 出的有：基於聚對亞苯基亞乙烯基（P P V )的材料，基 於聚乙烯唠唑材料（P V K )的材料，基於聚氟烯的材料 等。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2l〇X297公釐） ·:·19 -____ 544792 A7 B7 五、發明説明（7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁，} 例如’對於發射紅光的有機化合物層，可使用氰基聚 亞苯基亞乙烯基，對於發射綠光的有機化合物層，可使用 聚亞苯基亞乙烯基，對於發射藍光的有機化合物，可使用 聚亞苯基亞乙烯基或聚烷基苯撐。 其次，藉由澱積法（見圖5 C )，在有機化合物層 3 1 4上形成陰極3 1 5。作爲陰極3 1 5的材料，除 MgAg合金和A 1 L i合金外，也可使用由屬於元素周 期表中I族或Π族的元素藉由共澱積法形成的薄膜。陰極 3 1 5的膜厚較佳的約爲8 0 - 2 0 0 n m。 由此，可形成如圖3所示的一個具有有機T F T，以 及一個包含本發明的陽極3 1 2 '有機化合物層3 1 4和 陰極3 1 5的發光元件3 1 6的元件基底。 實例2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖6 A是更詳細的俯視結構，而圖6 B是利用本發明 提供的實例1中說明的發光裝置的圖素部分的電路示意圖 。由於圖6 A和圖6 B中使用相同的參考數字，可認爲它 們是彼此一致的。 本實例中，如區域6 0 2所示的T F T被稱爲開關 T F T ’而如區域6 0 6所示的T F T被稱爲電流控制 TFT。二者都包含一個本發明的有機TFT。開關 TFT 6 0 2的源極與源極訊號線6 1 5連接，而汲極 與汲極導線6 0 5相連接。此外，汲極導線6 0 5與電流 控制T F T 6 0 6的閘極電極6 0 7電連接。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210乂297公釐） -？0 - 544792 A7 B7 五、發明説明（作 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外’開關T F T 6 0 2的通道區6 0 4與源極和汲 極接觸形成，並且它與和閘極訊號線6 0 3電連接的閘極 電極相疊加。 另外’電流控制T F T 6 0 6的源極與電源線 6 1 6電連接，而汲極與汲極導線6 1 7電連接。此外， 汲極導線6 1 7與由虛線所表示的陽極（圖素電極） 6 1 8電連接。 本實例的構造可結合實例1的構造自由實施。 實例3 本實例中，將參考圖1 〇說明一種作爲發光裝置的實 例1中所示的元件基底的完成方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 Ο A是一個發光裝置的俯視圖，而圖1 〇 b是圖 1〇A的沿A - A ’線橫截面視圖。虛線表示的數字 1〇0 1是一個源極訊號線驅動電路，1 〇 〇 2爲圖素部 分及1 0 0 3閘極訊號線驅動電路。另外，1 〇 〇 4爲蓋 材料，1 0 0 5爲密封劑，由密封劑1 0 0 5包圍的內部 形成一空間。 數字1 0 0 8是用於傳輸輸入到源極訊號線驅動電路 1〇0 1和閘極訊號線驅動電路1 0 0 3的訊號和用於接 收來自F P C (柔性印刷電路）1 〇 〇 9的視頻訊號或時 鐘訊號的導線，用作外部輸入終端。雖然此處只示出 F P C，但F P C可以附帶一個印刷線路板（P W B )。 本說明書中的發光裝置不僅包括發光裝置的主體’也包括 _ ___-91 - _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544792 A7 B7_ 五、發明説明（ 處於其上附帶F P C或P W B的狀態的主體。 其次參考圖1 Ο B說明的橫截面結構。在基底 1 0 1 0上形成圖素部分1 〇 〇 2和作爲驅動電路的源極 訊號線驅動電路1 0 0 1。圖素部分1 〇 〇 2包括多個圖 素，圖素包括電流控制τ F T 1 Ο 1 1和電連接於其汲極 的陽極1〇1 2 。 此外，在陽極1 Ο 1 2的兩端形成築堤1 〇 1 3。在 築堤1 Ο 1 3和陽極1 Ο 1 2上形成有機化合物層 1〇1 4 ，並且在築堤1 〇 1 3和有機化合物層1 〇 1 4 上形成發光元件1 Ο 1 6的陰極1 Ο 1 5。 陰極1 Ο 1 5也用作通常爲所有圖素提供的導線，它 藉由導線1 0〇8電連接於F P C 1 〇 0 9。 此外，藉由密封劑1 0 0 5附加蓋材料1 〇 〇 4。可 提供一個包含樹脂膜的襯墊以確保蓋材料1 〇 〇 4與發光 兀件間的距離。洽封劑1 0 0 5內的空間1 q q 了用丨青性 氣體如氮氣塡充。作爲密封劑1 0 0 5 ，較佳_可*彳吏_ Ϊ袁 氧基樹脂。另外’密封劑1 0 0 5較佳的是透水分和透氧 皆盡可能少的材料。在空間1 0 0 7中可包含具有吸濕效 應的物質或具有防氧化效應的物質。 再者’本實例中’作爲包括蓋材料1 〇 〇 4的材料， 除玻璃基底和石英基底外’還可使用由；p R p (玻璃纖維 強化塑膠），P V F (聚氣乙燒）’聚酯薄膜，聚酯，丙 烯酸樹脂等製成的塑膠基底。 此外’在使用密封劑1 0 0 5結合蓋材料i 〇 〇 4後 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .麵
544792 A7 ______B7_ 五、發明説明（印 ’也可能用密封劑密封以便覆蓋側表面（被暴露的表面） 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由如上所述將發光元件密封於空間1 〇 〇 7內，發 光元件可與外界完全隔絕，就可以阻止導致有機化合物層 退化的物質，如水分和氧，從外部的侵入。因此，可獲得 高可靠性的發光元件。 本實例的構造可結合實例1的實例2的構造自由實行 〇 實例4 本實例中，說明使用在本發明實施例中說明的有機 T F T的主動矩陣驅動法的液晶顯示裝置。適用於液晶顯 示裝置的圖素結構的實例如圖7所示，而且將參考圖8橫 截面圖說明製程。另外，參考俯視圖9說明本實例的液晶 顯示裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖7中，經過閘極絕緣膜7 0 4在形成於基底7 〇 1 上的閘極電極7 0 2和第一電容電極7 〇 3上形成第一中 間層絕緣膜7 0 5。第一中間層絕緣膜7 〇 5在閘極電極 7 0 2上有一開口部分，在此開口部分中形成通道區 7 0 6。進一步，與第一中間層絕緣膜7 0 5和通道區 7 0 6接觸形成源極電極7 0 7和汲極電極7 〇 8 °本實 例中，源極電極7 0 7和汲極電極7 0 8被形成’同時形 成了第二電容電極7 0 9。本實施例中，形成於圖素部分 中的有機TFT被稱爲圖素TFT7 1 0 ° ___z - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544792 A7 ^___B7 五、發明説明（2)1 源極電極7 0 7和汲極電極7 0 8形成之後，包含氮 化矽膜的鈍化膜7 1 1 ，以及包含有機樹脂材料的第二中 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 間層絕緣膜7 1 2被形成，樹脂材料選自由丙烯酸樹脂， 聚醯亞胺，聚醯胺以及聚醯亞胺醯胺組成之群之一。然後 ’藉由提供孔來形成導線7 1 3和圖素電極7 1 4。 雖然此處只顯不圖素部分，但形成了形成在同一基底 上的驅動電路和具有有機T F T的圖素部分。在驅動電路 中，根據有機T F T，可形成移位暫存器電路、緩衝電路 、位準移位電路、閂鎖電路等。 在圖素部分中，與圖素TFT 7 1 0連接的電容部 分包含第一電容電極7 0 3、第一中間層絕緣膜7 0 5和 第二電容電極7 0 9。第一電容電極7 0 3與閘極線電連 接以提供電容部分7 1 5及第二電容電極7 0 9。 圖9是這種狀態下圖素部分的俯視圖，其中線A -A’對應於圖8C。圖素TFT710的源極電極707 與源極訊號線9 0 1連接，而閘極電極7 0 2與閘極訊號 線9〇2連接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 形成至圖8 C所示步驟後，如圖8 D所示，在相對基 底7 1 6上形成相對電極7 1 7。在其上形成定向膜 7 1 8並對其實行摩擦處理。相對電極7 1 7由I TO製 成。另外，雖然未示出，在形成定向膜7 1 8之前’藉由 將有機樹脂膜如丙烯酸樹脂膜形成圖案，可在所期望的位 置形成一個圓柱狀襯墊來保持基底距離。此外，球形襯墊 而非圓柱狀襯墊可分散在基底整個表面上。 _______-94- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544792 A7 _____ B7 五、發明説明（夺 然後’將相對基底7 1 6固定在基底上。此後，在基 底之間注射液晶材料7 1 9，並將其用密封劑（未示出） 完全密封。作爲液晶材料，可使用已知的液晶材料。由此 ’可完成如圖7所示的藉由主動矩陣驅動方法的顯示裝置 〇 實例5 本發明的半導體裝置能用於各種電子裝置。 使用本發明的這些電子裝置包括：視頻相機、數位靜 止相機、風鏡式顯示器（頭戴顯示器）、導航系統、聲音 •播放裝置（汽車聲頻裝置和音頻接收機）、膝上型電腦、 遊戲機、攜帶型資訊終端（移動電腦、行動電話、攜帶型 遊戲機、電子書等）' 包括一種記錄媒體的影像再生裝置 (更爲特別地，一種能再生一種記錄媒體如數位萬能磁片 (D V D )等，並包含一個用於顯示再生影像的顯示器的 裝置）等。圖1 1 A到圖1 1 Η分別示出這些電子裝置的 各種特例。 圖1 1 Α說明一種有機發光顯示裝置，該裝置包括殻 2001、支持台2002、顯示部分2003、揚聲器 部分2 0 0 4、視頻輸入端2 0 0 5等。本發明可應用於 顯示部分2 0 0 3。顯示裝置包含用於顯示資訊的所有顯 示裝置，如個人電腦、電視廣播接收機和廣告顯示器。 圖1 1 B說明一種數位靜止相機’它包括本體 2 1〇1 、顯示部分2 1 〇 2、影像接收部分2 1 0 3、 ______ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0><297公釐） ----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
X 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544792 A7 B7_ 五、發明説明（ 操作鍵2 1 0 4、外部連接埠2 1 〇 5、快門2 1 0 6等 。本發明可用作顯示部分2 1 0 2和其他電路。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 1 C說明一種膝上型電腦’它包括本體2 2 0 1 、殼2 2 0 2、顯示部分2 2〇3、鍵盤2 2 0 4、外部 連接埠2 2 0 5、指標滑鼠2 2 0 6等。本發明可用作顯 示部分2 2 0 3和其他電路。 圖1 1 D說明一種移動電腦’它包括本體2 3 0 1、 顯示部分2 3 0 2、開關2 3 0 3、操作鍵2 3 0 4、紅 外線埠2 3 0 5等。本發明可用作顯示部分2 3 0 2和其 他電路。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 1 E說明一種包含記錄媒體的影像再生裝置（更 特別地，一種D V D再生裝置）’它包括本體2 4 0 1、 殼2 4 0 2、顯示部分A 2 4 0 3、另一顯示部分 B2404、記錄媒體（DVD等）讀出部分2405、 操作鍵2 4 0 6、揚聲器部分2 4 0 7等。顯示部分 A 2 4 0 3主要用於顯示影像資訊，而顯示部分 B 2 4 0 4主要用於顯示字元資訊。本發明可被用作這些 顯示部分A2403、B2404以及其他電路。包含記 錄媒體的影像再生裝置還包括遊戲機等。 圖1 1 F圖解示出一種風鏡式顯示器（頭戴式顯示器 )，它包括本體2 5 0 1、顯示部分2 5 0 2、臂部分 2 5 〇 3。本發明可被用作顯示部分2 5 0 2和其他電路 〇 圖1 1 G說明一種視頻相機，它包括本體2 6 0 1、 __ _- 9R -____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544792 Μ Β7 五、發明説明（淨 顯示邰分2 6 0 2、殼2 6 〇 3、外部連接埠2 6 0 4、 遙控接收部分2 6 0 5、影像接收部分2 6 〇 6、電池 2 6〇7、聲音輸入部分2 6 08、操作鍵2 6 0 9等。 本發明可被用作顯示部分2 6 〇 2和其他電路。 圖1 1 Η說明一種行動電話，它包括本體2 7 0 1、 殼27 0 2、顯示部分2703、聲音輸入部分2704 '聲音輸出部分2 7 0 5、操作鍵2 7 0 6、外部連接埠 2 7 0 7、天線2 7 0 8等。本發明可用作顯示部件 2 7 0 3和其他電路。 此外，使用是本發明的有機半導體裝置之一的液晶顯 示裝置的前向型投影機和後向型投影機也可包含在本發明 的電子裝置中。將來當能夠得到從有機發光材料發出的更 亮的亮度時，本發明將可應用於前向型和後向型投影機， 其中，包含輸出影像資訊的光藉由透鏡等被放大放映。 本發明的應用範圍相當寬廣，使得本發明可被用於不 同種類的電子裝置中。另外，本實施例可藉由與實施例1 〜4的結構自由組合實施。 因爲藉由實施本發明可形成一種使用有機半導體材料 的有機T F Τ，藉由低溫處理製造能夠使用於製造的材料 選擇範圍加寬。此外，由於能夠使可溶性有機半導體材料 形成圖案，有機T F Τ的尺寸可做得更小。由此，與常規 使用噴墨法或印刷法的情形相比’可形成一種高度複雜的 有機半導體裝置。 ________- 97 -__
張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公H (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 一裝- -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Claims (1)

  1. 544792 A8 Β8 C8 D8 _ _ 六、申請專利範圍 1 1 · 一種使用有機薄膜電晶體的有機半導體裝置，包 含： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 與絕緣表面接觸形成的第一電極， 與第一電極接觸形成的第一絕緣膜， 與第一絕緣膜接觸形成的第二絕緣膜’在其疊加於第 一電極上的位置處有一開口部分， 在開口部分中形成的有機半導體膜’以及 與有機半導體膜接觸形成的第二電極和第三電極， 其中有機半導體膜和第二絕緣膜形成同一表面。- 2 ·如申請專利範圍第1項之有機半導體裝置，其中 有機半導體膜由可溶性有機半導體材料製成。 3 _如申請專利範圍第1項之有機半導體裝置，其中 有機半導體膜的厚度大於第二絕緣膜的厚度。 4 .如申請專利範圍第1項之有機半導體裝置，其中 第二電極和第三電極由工作函數大的同種金屬製成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 ·如申請專利範圍第4項之有機半導體裝置，其中 第二電極和第三電極包含一種金屬，該金屬選自由金、鉑 、鉻、钯、錦、銦、鉬和鎳組成的群之一。 6 .如申請專利範圍第1項之有機半導體裝置，其中 有機半導體裝置安裝在選自由顯示裝置、數位靜止相機、 膝上型個人電腦、移動電腦、包含記錄媒體的攜帶型影像 再生裝置、風鏡式顯示器、視頻相機和行動電話組成之群 之一中。 7 . —種使用有機薄膜電晶體的有機半導體裝置，包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544792 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 含： 與絕緣表面接觸形成的第一電極， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 與第一電極接觸形成的第一絕緣膜 與第一絕緣膜接觸形成的第二絕緣膜，在其疊加於第 一電極上的位置處有一開口部分， 在開口部分中形成的有機半導體膜，以及 與有機半導體膜接觸形成的第二電極和第三電極， 其中第二電極和'第三電極彼此不接觸地形成。 8 ·如申請專利範圍第7項之有機半導體裝置，·其中 的有機半導體膜由可溶性有機半導體材料製成。 9 ·如申請專利範圍第7項之有機半導體裝置，其中 有機半導體膜的膜厚大於第二絕緣膜的膜厚。 1 0 .如申請專利範圍第7項之有機半導體裝置，其 中第二電極和第三電極由工作函數大的同種金屬製成。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之有機半導體裝置， 其中第二電極和第三電極包含一種金屬，該金屬選自由金 、鈾、鉻、鈀、鋁、銦、鉬和鎳組成之群之一。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 2 ·如申請專利範圍第7項之有機半導體裝置，其 中有機半導體裝置安裝在選自由顯示裝置、數位靜止相機 、膝上型個人電腦、移動電腦、包含記錄媒體的攜帶型影 像再生裝置、風鏡式顯示器、視頻相機和行動電話組成之 群之一。 1 3 . —種使用有機薄膜電晶體的有機半導體裝置， 包含： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 29. 544792 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 3 與絕緣表面接觸形成的第一電極， 與第一電極接觸形成的第一絕緣膜， 與第一絕緣膜接觸形成的第二絕緣膜，在其疊加於第 一電極上的位置處有一開口部分， 在開口部分中形成的有機半導體膜，以及 與有機半導體膜接觸形成的第二電極和第三電極’ 其中第二絕緣膜有一錐形邊緣。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之有機半導體裝置， 其中有機半導體膜由可溶性有機半導體材料製成。 ' 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項之有機半導體裝置， 其中有機半導體膜的膜厚大於第二絕緣膜的膜厚。 1 6 .如申請專利範圍第1 3項之有機半導體裝置， 其中第二電極和第三電極由工作函數大的同種金屬製成。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之有機半導體裝置， 其中第二電極和第三電極包含一種金屬，該金屬選自由金 、鉑、鉻、鈀、鋁、銦、鉬和鎳組成之群之一。 1 8 .如申請專利範圍第1 3項之有機半導體裝置， 其中有機半導體裝置安裝在選自由顯示裝置、數位靜止相 機、膝上型個人電腦、移動電腦、包含記錄媒體的攜帶型 影像再生裝置、風鏡式顯示器、視頻相機和行動電話組成 之群之一。 1 9 . 一種使用有機薄膜電晶體的有機半導體裝置， 包含： 與絕緣表面接觸形成的第一電極， _____；_- -___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、1T 鱗 544792 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 與第一電極接觸形成的第一絕緣膜， 與第一絕緣膜接觸形成的第二絕緣膜，在其疊加於第 一電極上的位置處有一開口部分， 在開口部分中形成的有機半導體膜，以及 與有機半導體膜接觸形成的第二電極和第三電極’ 其中有機半導體膜與第一絕緣膜接觸形成。 2 0 ·如申請專利範圍第1 9項之有機半導體裝置， 其中有機半導體膜由可溶性有機半導體材料製成。 2 1 .如申請專利範圍第1 9項之有機半導體裝置， 其中有機半導體膜的膜厚大於第二絕緣膜的膜厚。 2 2 .如申請專利範圍第1 9項之有機半導體裝置， 其中第二電極和第三電極由工作函數大的同種金屬製成。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之有機半導體裝置， 其中第二電極和第三電極包含一種金屬，該金屬選自由金 、鉑、鉻、鈀、鋁、銦、鉬和鎳組成之群之一。 2 4 .如申請專利範圍第1 9項之有機半導體裝置， 其中有機半導體裝置安裝在選自由顯示裝置、數位靜止相 機、膝上型個人電腦、移動電腦、包含記錄媒體的攜帶型 影像再生裝置、風鏡式顯示器、視頻相機和行動電話組成 之群之一。 25.—種有機半導體裝置之製程，包含： 在絕緣表面上形成第一電極， 在第一電極上形成第一絕緣膜， 在第一絕緣膜上形成第二絕緣膜， ------_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544792 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 在第二絕緣膜藉由第一絕緣膜疊加在第一電極上的位 置形成開口部分， 在開口部分和第二絕緣膜上形成有機半導體膜， 抛光有機半導體膜直到暴露出第二絕緣膜，以及 在有機半導體膜上形成彼此不接觸的第二電極和第三 電極。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項之有機半導體裝置之 製程，其中有機半導體膜由可溶性有機半導體材料製成。 2 7 ·如申請專利範圍第2 5項之有機半導體裝置之 製程，其中有機半導體膜的膜厚大於第二絕緣膜的膜厚。 2 8 ·如申請專利範圍第2 5項之有機半導體裝置之 製程，其中第二電極和第三電極由工作函數大的同種金屬 製成。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之有機半導體裝置之 製程，其中第二電極和第三電極包含一種金屬，該金屬選 自由金、鉑、鉻、鈀、鋁、銦、鉬和鎳組成之群之一。 30·—種有機半導體裝置之製程，包含： 在絕緣表面上形成第一電極， 在第一電極上形成第一絕緣膜， 在第一絕緣膜上形成第二絕緣膜， 在第二絕緣膜藉由第一絕緣膜疊加在第一電極上的位 置形成開口部分， 藉由旋塗法在開口部分和第二絕緣膜上形成有機半導 體膜， ----Ί 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · .^ϋ IT— ij 一 - ϋϋ ϋϋ ϋ— m I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544792 A8 B8 C8 ___ D8 __ 六、申請專利範圍 6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 去除第二絕緣膜上形成的有機半導體膜，以及 在形成於開口部分上的有機半導體膜上形成彼此不接 觸的第二電極和第三電極。 3 1 .如申請專利範圍第3 0項之有機半導體裝置之 製程，其中有機半導體膜由可溶性有機半導體材料製成。 3 2 .如申請專利範圍第3 0項之有機半導體裝置之 製程，其中有機半導體膜的膜厚大於第二絕緣膜的膜厚。 3 3 _如申請專利範圍第3 0項之有機半導體裝置之 製程，其中第二電極和第三電極由工作函數大的同種金屬 製成。 3 4 .如申請專利範圍第3 3項之有機半導體裝置之 製程，其中第二電極和第三電極包含一種金屬，該金屬選 自由金、鉑、鉻、鈀、鋁、銦、鉬和鎳組成之群之一。 35·—種有機半導體裝置之製程，包含： 在絕緣表面上形成第一電極， 在第一電極上形成第一絕緣膜， 在第一絕緣膜上形成第二絕緣膜， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第二絕緣膜藉由第一絕緣膜疊加在第一電極上的位 置形成開口部分， 藉由旋塗法在開口部分和第二絕緣膜上形成有機半導 體膜， 對有機半導體膜實施用灰磨光處理，直到第二絕緣膜 暴露出來，以及 在有機半導體膜上形成彼此不接觸的第二電極和第三 _—---S3-- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544792 A8 B8 C8 D8 __ 六、申請專利範圍 7 電極。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項之有機半導體裝置之 製程，其中有機半導體膜由可溶性有機半導體材料製成。 3 7 ·如申請專利範圍第3 5項之有機半導體裝置之 製程，其中有機半導體膜的膜厚大於第二絕緣膜的膜厚。 3 8 .如申請專利範圍第3 5項之有機半導體裝置之 製程，其中第二電極和第三電極由工作函數大的同種金屬 製成。 3 9 .如申請專利範圍第3 8項之有機半導體裝置之 製程，其中第二電極和第三電極包含一種金屬’該金屬選 自由金、鉑、鉻、鈀、鋁、銦、鉬和鎳組成之群之一。 40·—種有機半導體裝置之製程，包含： 在絕緣表面上形成第一電極， 在第一電極上形成第一絕緣膜， 在第一絕緣膜上形成第二絕緣膜， 在第二絕緣膜藉由第一絕緣膜疊加在第一電極上的位 置形成開口部分， 藉由旋塗法在開口部分和第二絕緣膜上形成有機半導 體膜， 藉由機械化學抛光法拋光有機半導體膜直到第二絕緣 膜暴露出來，以及 在有機半導體膜上形成第二電極和第三電極。 4 1 .如申請專利範圍第4 0項之有機半導體裝置之 製程，其中有機半導體膜由可溶性有機半導體材料製成。 _____^34---- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ILTI ϋ··· —ν·. _ 、言
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544792 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 8 4 2 .如申請專利範圍第4 〇項之有機半導體裝置之 製程’其中有機半導體膜的膜厚大於第二絕緣膜的膜厚。 4 3 ·如申請專利範圍第4 〇項之有機半導體裝置之 製程’其中第二電極和第三電極由工作函數大的同種金屬 製成。 4 4 .如申請專利範圍第4 3項之有機半導體裝置之 製程’其中第二電極和第三電極包含一種金屬，該金屬選 自由金、鉛、鉻、鈀、鋁、銦、鉬和鎳組成之群之一。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?!
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 __i· % 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
TW091111190A 2001-06-01 2002-05-27 Organic semiconductor device and process of manufacturing the same TW544792B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001165986A JP4841751B2 (ja) 2001-06-01 2001-06-01 有機半導体装置及びその作製方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW544792B true TW544792B (en) 2003-08-01

Family

ID=19008586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091111190A TW544792B (en) 2001-06-01 2002-05-27 Organic semiconductor device and process of manufacturing the same

Country Status (7)

Country Link
US (3) US6635508B2 (zh)
EP (1) EP1263062B1 (zh)
JP (1) JP4841751B2 (zh)
KR (1) KR100917571B1 (zh)
CN (1) CN100399601C (zh)
DE (1) DE60238294D1 (zh)
TW (1) TW544792B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI405262B (zh) * 2007-07-17 2013-08-11 Creator Technology Bv 電子元件及電子元件之製法
TWI470697B (zh) * 2009-04-17 2015-01-21 Sony Corp 薄膜電晶體及其製造方法

Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6740900B2 (en) * 2002-02-27 2004-05-25 Konica Corporation Organic thin-film transistor and manufacturing method for the same
US6885146B2 (en) 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
JP4511108B2 (ja) * 2002-05-31 2010-07-28 オンコリクス インコーポレイテッド ヒトプロラクチン拮抗剤−血管新生阻害剤融合蛋白質
US6821811B2 (en) 2002-08-02 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, and semiconductor device having the organic thin film transistor
JP4434563B2 (ja) * 2002-09-12 2010-03-17 パイオニア株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR100524552B1 (ko) * 2002-09-28 2005-10-28 삼성전자주식회사 유기 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
DE50306538D1 (de) * 2002-11-19 2007-03-29 Polyic Gmbh & Co Kg Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu
US6872588B2 (en) * 2002-11-22 2005-03-29 Palo Alto Research Center Inc. Method of fabrication of electronic devices using microfluidic channels
US6905908B2 (en) * 2002-12-26 2005-06-14 Motorola, Inc. Method of fabricating organic field effect transistors
EP1434281A3 (en) * 2002-12-26 2007-10-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit
KR20050105173A (ko) * 2003-01-17 2005-11-03 다이오드 설류션즈, 아이엔씨. 유기재료를 사용하는 디스플레이
TW200413803A (en) * 2003-01-30 2004-08-01 Ind Tech Res Inst Organic transistor array substrate and its manufacturing method, and LCD including the organic transistor array substrate
CN1282260C (zh) * 2003-01-30 2006-10-25 中国科学院长春应用化学研究所 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法
GB0302485D0 (en) * 2003-02-04 2003-03-05 Plastic Logic Ltd Pixel capacitors
CN100552893C (zh) 2003-03-26 2009-10-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US7297621B2 (en) 2003-04-15 2007-11-20 California Institute Of Technology Flexible carbon-based ohmic contacts for organic transistors
JP2004361937A (ja) * 2003-05-12 2004-12-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置及びその作製方法
US7123332B2 (en) 2003-05-12 2006-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, electronic device having the same, and semiconductor device
US7224118B2 (en) * 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
GB2404082A (en) * 2003-07-12 2005-01-19 Hewlett Packard Development Co Semiconductor device with metallic electrodes and method of forming a device
US6844215B1 (en) * 2003-08-25 2005-01-18 Eastman Kodak Company Method of forming tapered drain-to-anode connectors in a back plane for an active matrix OLED device
KR100973811B1 (ko) * 2003-08-28 2010-08-03 삼성전자주식회사 유기 반도체를 사용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
US6924242B2 (en) * 2003-10-23 2005-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. SiOC properties and its uniformity in bulk for damascene applications
US6921679B2 (en) * 2003-12-19 2005-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated Electronic device and methods for fabricating an electronic device
KR100576719B1 (ko) * 2003-12-24 2006-05-03 한국전자통신연구원 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
US7554121B2 (en) * 2003-12-26 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device
US7659138B2 (en) * 2003-12-26 2010-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an organic semiconductor element
US7179670B2 (en) * 2004-03-05 2007-02-20 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode device without sub-mount
US7223641B2 (en) * 2004-03-26 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, liquid crystal television and EL television
KR101067618B1 (ko) * 2004-06-29 2011-09-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
JP2006038987A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Seiko Epson Corp 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器
US7105375B2 (en) * 2004-07-30 2006-09-12 Xerox Corporation Reverse printing
US9150953B2 (en) * 2004-08-13 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including organic semiconductor
GB2428889B (en) * 2004-08-30 2007-12-12 Lg Philips Lcd Co Ltd Method for fabricating organic thin film transistor and method for fabricating liquid crystal display device using the same
JP4431081B2 (ja) 2004-08-30 2010-03-10 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示素子の製造方法
KR100662787B1 (ko) * 2004-08-30 2007-01-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 박막트랜지스터와 그 제조방법, 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법
CN101174674B (zh) * 2004-09-01 2010-07-14 财团法人工业技术研究院 一种有机薄膜晶体管的多重保护层
KR100691319B1 (ko) * 2004-09-15 2007-03-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
KR101090250B1 (ko) * 2004-10-15 2011-12-06 삼성전자주식회사 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
US8077152B2 (en) * 2004-10-15 2011-12-13 University Of Iowa Research Foundation Magneto resistive elements and methods for manufacture and use of same
US7563638B2 (en) * 2004-10-29 2009-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2006054686A1 (ja) * 2004-11-18 2006-05-26 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタ
US20060113524A1 (en) * 2004-12-01 2006-06-01 Colin Bill Polymer-based transistor devices, methods, and systems
KR100736360B1 (ko) 2004-12-03 2007-07-06 재단법인서울대학교산학협력재단 이중 유기 박막층을 갖는 트랜지스터의 제조방법
KR100626050B1 (ko) 2004-12-23 2006-09-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터 어레이,상기 유기 박막 트랜지스터 또는 상기 유기 박막트랜지스터 어레이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및상기 유기 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
JP2006190757A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体層の形成方法および有機薄膜トランジスタの製造方法
US7595502B2 (en) 2005-03-04 2009-09-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, and display device employing the same
KR101133767B1 (ko) * 2005-03-09 2012-04-09 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP2006269599A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Sony Corp パターン形成方法、有機電界効果型トランジスタの製造方法、及び、フレキシブルプリント回路板の製造方法
JP4989907B2 (ja) 2005-03-24 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
JP4667096B2 (ja) * 2005-03-25 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
CN100386886C (zh) * 2005-04-08 2008-05-07 中国科学院长春应用化学研究所 一种图案化有源层的有源矩阵液晶显示装置的制备方法
US8049208B2 (en) * 2005-04-22 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device having composite electrode
KR101144474B1 (ko) * 2005-06-29 2012-05-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR100668064B1 (ko) * 2005-08-09 2007-01-11 위니아만도 주식회사 이온수기 및 이온수기 제어방법
US20070040165A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Klaus Dimmler Method of fabricating organic FETs
JP5148086B2 (ja) 2005-08-18 2013-02-20 三星電子株式会社 有機薄膜トランジスタ表示板
TWI295088B (en) * 2005-09-12 2008-03-21 Ind Tech Res Inst Organic thin film transistor with contact hole and method for fabricating the same
KR100739291B1 (ko) * 2005-09-20 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
KR101197053B1 (ko) 2005-09-30 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP4860980B2 (ja) * 2005-10-20 2012-01-25 ローム株式会社 モータ駆動回路およびそれを用いたディスク装置
KR101221950B1 (ko) * 2005-11-11 2013-01-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 반도체물질을 이용한 액정표시장치용 어레이 기판 및그 제조 방법
KR100732827B1 (ko) * 2005-11-30 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR20070063300A (ko) * 2005-12-14 2007-06-19 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US8212238B2 (en) * 2005-12-27 2012-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7800101B2 (en) 2006-01-05 2010-09-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor having openings formed therein
KR101251997B1 (ko) * 2006-01-05 2013-04-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US8138075B1 (en) 2006-02-06 2012-03-20 Eberlein Dietmar C Systems and methods for the manufacture of flat panel devices
KR101186740B1 (ko) 2006-02-17 2012-09-28 삼성전자주식회사 뱅크형성 방법 및 이에 의해 형성된 뱅크를 함유하는 유기박막 트랜지스터
TWI336953B (en) * 2006-03-29 2011-02-01 Pioneer Corp Organic electroluminescent display panel and manufacturing method thereof
KR101249097B1 (ko) * 2006-05-04 2013-03-29 삼성전자주식회사 유기절연막 조성물, 유기절연막의 형성방법 및 이에 의해형성된 유기절연막을 함유하는 유기박막 트랜지스터
KR101244898B1 (ko) * 2006-06-28 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101265217B1 (ko) 2006-07-20 2013-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막트랜지스터 기판 및 그 제조방법
KR101328628B1 (ko) 2006-07-28 2013-11-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP5181441B2 (ja) * 2006-08-04 2013-04-10 株式会社リコー 有機トランジスタ及びその製造方法
JP5181586B2 (ja) * 2006-09-26 2013-04-10 大日本印刷株式会社 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ
DE102006047388A1 (de) * 2006-10-06 2008-04-17 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffekttransistor sowie elektrische Schaltung
KR101279927B1 (ko) * 2006-10-16 2013-07-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
US9741901B2 (en) 2006-11-07 2017-08-22 Cbrite Inc. Two-terminal electronic devices and their methods of fabrication
US7898042B2 (en) 2006-11-07 2011-03-01 Cbrite Inc. Two-terminal switching devices and their methods of fabrication
CN101627476B (zh) * 2006-11-07 2013-03-27 希百特股份有限公司 金属-绝缘体-金属(mim)装置及其制备方法
US8148720B2 (en) * 2006-11-24 2012-04-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor
US8207525B2 (en) * 2006-12-04 2012-06-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin film transistor and organic thin film light emitting transistor
EP1930963B1 (en) * 2006-12-07 2016-03-02 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconducting device and semiconducting device
JP5264089B2 (ja) * 2006-12-07 2013-08-14 三星ディスプレイ株式會社 半導体要素、これを備えた有機発光ディスプレイ装置及び該半導体要素の製造方法
JP2008235780A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Toshiba Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
GB2450675A (en) * 2007-04-04 2009-01-07 Cambridge Display Tech Ltd Active matrix organic displays
GB2448174B (en) * 2007-04-04 2009-12-09 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistors
US20090014716A1 (en) * 2007-07-11 2009-01-15 Takumi Yamaga Organic thin-film transistor and method of manufacturing the same
CN101772842B (zh) * 2007-08-07 2011-08-17 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法以及图像显示装置
EP2178110A4 (en) * 2007-08-07 2012-08-29 Panasonic Corp SEMICONDUCTOR COMPONENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND PICTURE DISPLAY
US20090155963A1 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 Hawkins Gilbert A Forming thin film transistors using ablative films
JP4586863B2 (ja) * 2008-02-25 2010-11-24 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置及び電子機器
JP4618337B2 (ja) * 2008-06-17 2011-01-26 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2010016280A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Konica Minolta Holdings Inc 有機ｔｆｔの製造方法、及び有機ｔｆｔ
KR101663840B1 (ko) * 2010-03-01 2016-10-07 가부시키가이샤 제이올레드 유기 ｅｌ 장치 및 그 제조 방법
JP5655421B2 (ja) * 2010-08-06 2015-01-21 ソニー株式会社 半導体装置、表示装置、および電子機器
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
TWI423492B (zh) * 2010-12-03 2014-01-11 Univ Nat Taiwan Science Tech 有機薄膜電晶體及其製造方法
JP5681809B2 (ja) * 2011-10-20 2015-03-11 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法
KR20140058789A (ko) * 2012-11-06 2014-05-15 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
CN106531746A (zh) * 2016-11-30 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板及显示装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4404731A (en) * 1981-10-01 1983-09-20 Xerox Corporation Method of forming a thin film transistor
US6720576B1 (en) * 1992-09-11 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method and photoelectric conversion device
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH06333952A (ja) * 1993-05-21 1994-12-02 Kyocera Corp 薄膜トランジスタ
JPH07106584A (ja) * 1993-09-29 1995-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示用ｔｆｔアレイ基板の製造方法
JP3246189B2 (ja) * 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
JP2900229B2 (ja) * 1994-12-27 1999-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置
JPH09139508A (ja) * 1995-11-10 1997-05-27 Toyota Motor Corp 薄膜トランジスタの製造方法
US6326640B1 (en) * 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
JP4204649B2 (ja) 1996-02-05 2009-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN1148600C (zh) * 1996-11-26 2004-05-05 三星电子株式会社 薄膜晶体管基片及其制造方法
US5998803A (en) * 1997-05-29 1999-12-07 The Trustees Of Princeton University Organic light emitting device containing a hole injection enhancement layer
JP3361029B2 (ja) * 1997-03-19 2003-01-07 株式会社東芝 表示装置
US5946551A (en) * 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US6013538A (en) * 1997-11-24 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Method of fabricating and patterning OLEDs
NO306529B1 (no) * 1998-01-16 1999-11-15 Opticom As Transistor
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
CN1312958A (zh) * 1998-06-19 2001-09-12 薄膜电子有限公司 集成无机/有机互补薄膜晶体管电路及其制造方法
US6207472B1 (en) * 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
JP2000269504A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
US6475836B1 (en) * 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6842657B1 (en) * 1999-04-09 2005-01-11 E Ink Corporation Reactive formation of dielectric layers and protection of organic layers in organic semiconductor device fabrication
US6489872B1 (en) * 1999-05-06 2002-12-03 New Mexico Resonance Unilateral magnet having a remote uniform field region for nuclear magnetic resonance
US6335539B1 (en) * 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
JP2001244467A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Hitachi Ltd コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
GB0013473D0 (en) 2000-06-03 2000-07-26 Univ Liverpool A method of electronic component fabrication and an electronic component
AU2001275542A1 (en) * 2000-06-16 2001-12-24 The Penn State Research Foundation Aqueous-based photolithography on organic materials
JP3925080B2 (ja) * 2000-12-01 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 電子ブック、それに用いる電子ペーパの製造方法
US7439096B2 (en) * 2001-02-21 2008-10-21 Lucent Technologies Inc. Semiconductor device encapsulation
US6452207B1 (en) * 2001-03-30 2002-09-17 Lucent Technologies Inc. Organic semiconductor devices
US7026643B2 (en) * 2001-05-04 2006-04-11 International Business Machines Corporation Organic n-channel semiconductor device of N,N' 3,4,9,10 perylene tetracarboxylic diimide
US6885146B2 (en) 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI405262B (zh) * 2007-07-17 2013-08-11 Creator Technology Bv 電子元件及電子元件之製法
US8686530B2 (en) 2007-07-17 2014-04-01 Creator Technology B.V. Electronic component and a method of manufacturing an electronic component
TWI470697B (zh) * 2009-04-17 2015-01-21 Sony Corp 薄膜電晶體及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4841751B2 (ja) 2011-12-21
US6635508B2 (en) 2003-10-21
CN100399601C (zh) 2008-07-02
US7015502B2 (en) 2006-03-21
US7554113B2 (en) 2009-06-30
US20060131573A1 (en) 2006-06-22
EP1263062A2 (en) 2002-12-04
EP1263062B1 (en) 2010-11-17
KR100917571B1 (ko) 2009-09-15
CN1398007A (zh) 2003-02-19
DE60238294D1 (de) 2010-12-30
JP2002359374A (ja) 2002-12-13
US20040075093A1 (en) 2004-04-22
KR20020092242A (ko) 2002-12-11
US20020179901A1 (en) 2002-12-05
EP1263062A3 (en) 2005-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW544792B (en) Organic semiconductor device and process of manufacturing the same
JP6613007B2 (ja) 表示装置
TW507258B (en) Display device and method for fabricating the same
TWI338366B (en) Display device and manufacturing method thereof
TW552824B (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
TW201133640A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10586815B2 (en) Display device having different types of transistors
TWI262613B (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
TW577179B (en) Switching element, display device, light emitting device using the switching element, and semiconductor device
JP2001319789A (ja) 発光装置およびその作製方法
US11417687B2 (en) Display device
WO2023089443A1 (ja) 表示装置、及び表示装置の作製方法
JP2002244590A (ja) 発光装置及びその作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees