TW541586B - Substrate table, production method therefor and plasma treating device - Google Patents

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TW541586B
TW541586B TW091111146A TW91111146A TW541586B TW 541586 B TW541586 B TW 541586B TW 091111146 A TW091111146 A TW 091111146A TW 91111146 A TW91111146 A TW 91111146A TW 541586 B TW541586 B TW 541586B
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ceramic
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Shinji Muto
Chihiro Taguchi
Nobuyuki Okayama
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Tokyo Electron Ltd
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Description

541586 A7 B7 五、發明説明（1 ) 【發明領域】 本發明是關於在電漿處理裝置的反應室內載置半導體 晶圓等的基板之基板座的改良，詳細是關於在基板座藉由 陶瓷噴鍍法形成靜電吸盤的技術，以及該靜電吸盤的封孔 技術。 【發明背景】 【習知技藝之說明】 電漿（Plasma)處理裝置是將半導體晶圓等的基板載置 於配置於製程反應室（Process chamber)內的稱爲晶座（ Susceptor)的基板座（Table)上，在此狀態下由導入反應 室內的製程氣體生成電漿，利用此電漿對基板實施成膜等 的處理。這種電漿處理裝置例如有揭示於受讓人與本案相 同的美國專利第6 3 7 2 0 8 4B 1以及美國專利第 6355902B1等，這些揭示內容其目的爲顯示電漿 處理裝置的全體構成以及作用的一例，藉由參照上述文獻 號碼連結到本說明書。 這種電漿處理裝置所使用的晶座例如如圖8 ( a )所 示，具備本體1、配置於此本體1上的靜電吸盤（Chuck) 2以及包圍此靜電吸盤2，配置於本體1的外周緣部上的 聚焦環（Focus ring ) 3。晶座是利用靜電吸盤2吸附固定 基板（例如晶圓）W。製程反應室內被令成預定的真空度 ，藉由經由整合器4 A連接於本體1的高頻電源4，以施 加預定的高頻功率。在與上部電極（未圖示）之間所產生 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 541586 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的製程氣體的電漿是藉由聚焦環3聚焦於晶圓W °在本體 1的內部形成有冷煤通路1 A，藉由循環於冷煤通路1 A 的冷煤使本體1冷卻，進而使在電漿處理中升溫的晶圓W 冷卻，保持於一定的處理溫度。在本體1的內部形成有熱 傳導性氣體（例如H e氣）的氣體通路1 B，氣體通路 1 B在本體1頂面的複數位置開口。在靜電吸盤2形成有 對應氣體通路1 B的貫通孔2A。He氣是經由氣體通路 1 B以及靜電吸盤2的貫通孔2 A供給到靜電吸盤2與晶 圓W之間，當作靜電吸盤2與晶圓W間的間隙中的熱傳導 媒體而作用。據此，使由晶圓W朝靜電吸盤2再者本體1 的熱流動被促進，晶圓W被有效地冷卻。靜電吸盤2是燒 結氧化鋁（Alumina )等的陶瓷形成板狀。靜電吸盤2內包 有連接於直流電源5的電極板2 B。靜電吸盤2藉由自直 流電源5施加高電壓而產生的靜電力，吸附晶圓W。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因很難藉由陶瓷燒結製作大面積的薄板，故很難製作 適合大口徑的晶圓W尺寸的靜電吸盤2。因此，最近使用 陶瓷噴鍍（Ceramic spraying)技術製作靜電吸盤部（例如 參照日本國專利第2 9 7 1 3 6 9號）。藉由陶瓷噴鍍所 得到的靜電吸盤因起因於陶瓷粒子間的氣孔而具有吸水性 ，故使用矽樹脂（Silicone resin)進行封孔處理。封孔處理 是藉由使將甲基甲矽烷基三異氰酸酯 （ Methylsilyl triisocyanate)溶解到乙酸乙酯（Ethyl acetate) 的矽樹脂原料液浸漬於靜電吸盤的陶瓷噴鍍層，然後藉由 在大氣中以7 0 °C加熱8小時而進行。甲基甲矽烷基三異 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -5- 541586 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______ B7_五、發明説明（3 ) 氰酸酯聚合、硬化變成矽樹脂。上述的浸漬處理以及硬化 處理重複複數次，以完成封孔處理。 但是，若使用藉由矽樹脂進行封孔處理的陶瓷噴鍍製 的靜電吸盤，在咼真空區域（例如1 〇 〇 m T 〇 r r )施 加高頻功率進行晶圓W的電漿處理的話，如圖7的（2 ) 所示，斷定隨著高頻功率的施加時間變長，電漿處理中的 晶圓表面溫度慢慢地下降的現象。 【發明槪要】 本發明是用以解決上述課題所進行的創作，其目的是 提供可以穩定的溫度處理基板的基板座及其製造方法。 本發明者檢討關於處理中晶圓的溫度下降的原因的結 果，獲至以下的結論。在使矽樹脂原料液浸漬於陶瓷噴鍍 層後，使其聚合、硬化的話，由於矽樹脂使氧化鋁粒子表 面被塗佈（Coating )，形成有矽樹脂層。此時稀釋用的有 機溶媒的乙酸乙酯由陶瓷噴鍍層內蒸發。於是如圖8的（ b )槪念地顯示，在氧化鋁粒子間氣孔2 C當作蒸發痕而 殘留。而且，如圖9 ( a )所示，在靜電吸盤2的吸附面 也形成有由矽樹脂造成的膜2 D。在處理晶圓W後自晶座 除去時，靜電吸盤表面的矽樹脂膜2 D的一部分2 E如圖 9 ( b )所示，有引起附著於晶圓W而剝落的現象。此時 ，在靜電吸盤2的吸附面出現氧化鋁粒子間的氣孔2 C。 獲至出現於表面的氣孔2 C爲原因，經時地被處理體的表 面溫度降低的結論。此外，圖9 ( a ) 、（ b )是模式地 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 、tr 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） -6- 541586 A7 B7 五、發明説明（4 ) 以黑點表示矽樹脂，模式地表示以矽樹脂塗佈陶瓷粒子的 狀態。 本發明乃根據上述見識所進行的創作，本發明是提供 一種基板座，包含： 座本體；以及 形成於該座本體上，內部由包含電極層的陶瓷噴鍍層 所構成的靜電吸盤層，其中 該陶瓷噴鍍層被甲基丙烯酸樹脂封孔。 甲基丙烯酸樹脂因在硬化時不形成氣孔，故可排除對 起因於包含在靜電吸盤的氣孔的基板溫度控制的不良影響 〇 較佳爲該甲基丙烯酸樹脂是藉由使以甲基丙烯酸甲酯 爲主成分的樹脂原料液硬化而形成。 該陶瓷噴鍍層可由氧化鋁、氮化鋁、氮化矽以及氧化 鈦的至少一個構成。 依照本發明的基板座可適合地利用於各種類的電漿處 理裝置。 本發明更提供一種基板座的製造方法。此方法包含： 準備座本體之製程； 在該座本體上形成由包含電極層於其內部的陶瓷層所 構成的靜電吸盤層之製程，包含藉由噴鍍陶瓷材料形成該 陶瓷層的步驟之靜電吸盤層形成製程；以及 藉由甲基丙烯酸樹脂封閉存在於該陶瓷層的氣孔之製 程。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -7 - 541586 A7 B7 五、發明說明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 最好該封孔製程包含將以甲基丙烯酸甲酯爲主成分的 樹脂原料液浸漬於該陶瓷層的步驟，與使該樹脂原料液硬 化的步驟。 而且，最好在藉由噴鍍形成該陶瓷層的步驟中，在座 本體被加熱的狀態下進行噴鍍。 當該座本體形成有用以對基板供給氣體的氣體通路時 ,在藉由噴鍍形成該陶瓷層的步驟中，一邊由該氣體通路 噴出加壓氣體，一邊進行噴鍍較佳。據此，在噴鍍後不進 行機械加工等，可在陶瓷噴鍍層形成連通於該座本體的氣 體通路之氣體通路。 【圖式之簡單說明】 圖1是顯示依照本發明的基板座的一實施形態的圖， (a )爲其剖面圖，（b )是槪念地顯示（a )的靜電吸 盤層的剖面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2是顯不圖1所不的基板座的製程的圖，顯示在本 體的頂面形成構成靜電吸盤層的氧化鋁噴鍍層的狀態的剖 面圖。 圖3是顯示圖1所示的基板座的製程的圖，顯示形成 構成靜電吸盤層的電極層的狀態的剖面圖。 圖4是顯示圖1所示的基板座的製程的圖，顯示形成 靜電吸盤層的狀態的剖面圖。 圖5是顯示圖1所示的基板座的製程的圖，顯示在本 體的外周面形成氧化鋁噴鍍層的狀態的剖面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） -8 - 541586 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7_____五、發明説明（6 ) 圖6是顯示圖1所示的基板座的製程的圖，顯示硏磨 處理氧化鋁噴鍍層後的狀態的剖面圖。 圖7是顯示使用圖1所示的基板座與習知的基板座， 對晶圓實施電漿的情形的高頻功率的施加時間與晶圓溫度 的關係的圖。 圖8是顯示習知的基板座的一例的圖1的相當圖，（ a )爲其剖面圖，（b )是槪念地顯不（a )的靜電吸盤 層的氧化鋁噴鍍層的剖面圖。 圖9是槪念地顯示圖8所示的靜電吸盤層的氧化銘噴 鍍層的一部分的剖面圖，（a )爲其剖面圖，（b )是；顯 不（a )的靜電吸盤層的氧化銘噴鍍層的表面的一部分被 剝下的樣子的剖面圖。 【符號說明】 W ： 晶圓 1 : 本體 1 A、1 1 A : 冷煤通路 1 B、1 1 B : 氣體通路 2 : 靜電吸盤 2 A、1 2 C : 貫通孔 2 B : 電極板 2 C ： 氣孔 3、1 3 : 聚焦環 4 : 高頻電源 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ --- -9- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝· 、11 線· 541586 A7 B7 - — ' · 五、發明説明（7 ) 4 A、1 5 A : 整合器 5 : 直流電源 10: 晶座 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11: 本體 11B： 氣體通路 12: 靜電吸盤層 1 2 A : 氧化鋁噴鍍層 1 2 B ： 電極層 1 2 D ： 甲基丙烯酸樹脂 14: 氧化鋁噴鍍層 15: 高頻電源 16: 直流電源 【較佳實施例之詳細說明】 晶座1 0即基板座如圖1 ( a )所示具備頂面的外周 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 緣部比中央部還低而形成的鋁製的本體1 1，與在本體 1 1的頂面藉由噴鍍形成的靜電吸盤層1 2，與包圍靜電 吸盤層1 2的聚焦環1 3。本體1 1的外周面是被藉由氧 化鋁噴鍍而形成的氧化鋁噴鍍層1 4覆蓋。構成靜電吸盤 層1 2的氧化鋁噴鍍層是與氧化鋁噴鍍層1 4 一體形成。 靜電吸盤層1 2具有由氧化鋁噴鍍層1 2 A與配設於 氧化鋁噴鍍層1 2 A內部的鎢構成的電極層1 2 B。靜電 吸盤層1 2全體的厚度爲600//m。電極層1 2B是藉 由鎢噴鍍而形成，厚度爲5 0 // m。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 29*7公釐） -10- 541586 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，構成噴鍍層1 2 A、1 4的陶瓷材料並非限定 於氧化鋁。陶瓷材料可單獨使用氧化鋁、氮化鋁、氮化矽 以及氧化鈦等的任一種，或混合兩種以上而使用。氧化鋁 噴鍍層1 2 A如後述藉由甲基丙烯酸樹脂封孔處理。 在本體1 1的內部形成有冷煤通路1 1 A以及氣體通 路1 1 B。靜電吸盤層1 2形成有對應氣體通路1 1 B的 貫通孔1 2 C。在晶圓W與靜電吸盤層1 2之間由貫通孔 1 2 C供給有H e氣等的熱傳導性氣體。因藉由熱傳導性 氣體提高晶圓W與靜電吸盤層1 2之間的熱傳導性，故可 藉由本體1 1有效地冷卻晶圓W。在本體1 1與習知一樣 經由整合器1 5 A連接有高頻電源1 5，靜電吸盤層1 2 的電極層1 2 B連接有直流電源1 6。 其次，參照圖2〜圖6說明晶座1 0的製造方法。 首先，準備形成有冷煤通路1 A以及氣體通路1 B的 本體1 1。 本體1 1頂面的低外周緣部被遮蔽（Masking )。在加 熱本體1 1到1 5 0 °C的狀態下，供給錶壓（Gauge 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Pressure) 9 8KP a的壓縮空氣到本體1 1的氣體通路 1 1 B，自氣體通路1 1 B的開口使壓縮空氣噴出。在此 狀態下對本體1 1噴鍍氧化鋁，如圖2所示形成4 5 0 的氧化鋁噴鍍層1 2 A。藉由使壓縮空氣噴出，與噴 鍍同時可在氧化鋁噴鍍層1 2 A形成對應氣體通路1 1 b 的貫通孔1 2 C。然後，氧化鋁噴鍍層1 2 A被硏磨到厚 度3〇〇//m爲止。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -11 - 541586 A7 B7 五、發明説明（9 ) 接著形成電極層1 2 B。氧化鋁噴鍍層1 2 A表面之 中遮蔽形成電極層1 2 B部分以外。然後在常溫下一邊供 給壓縮空氣到氣體通路1 1 B，一邊將鎢噴鍍到氧化鋁噴 鍍層12A上，如圖3所示形成5 0//m的電極層12B 。在電極層1 2 B貫通孔1 2 C是與噴鍍同時形成。然後 使用6 0號的硏磨劑對貫通孔1 2 C的週邊進行噴砂（ Blast)處理，使貫通孔1 2 C不產生氣孔堵塞。 其次加熱本體1 1到1 5 0 t。在此狀態下一邊使壓 縮空氣自體通路1 1 B的開口噴出，一邊噴鍍氧化鋁，在 電極層1 2 B上更如圖4所示形成4 0 0 //m的氧化鋁噴 鍍層1 2 A。在氧化鋁噴鍍層1 2A貫通孔1 2 C是與噴 鍍同時形成。 藉由以上的噴鍍製程在如圖4所示的氧化鋁噴鍍層 12A內形成有隔著電極層12B的靜電吸盤層12,與 本體1 1 一體化。 其次，進行氧化鋁噴鍍層1 2 A的封孔處理。首先使 用滾子（Roller )將以液體的甲基丙烯酸甲酯爲主成分的甲 基丙烯酸樹脂原料液塗佈於靜電吸盤層1 2。據此，甲基 丙烯酸樹脂原料液浸透於靜電吸盤層1 2的氧化鋁噴鍍層 1 2 A的氣孔內。 然後，在真空容器內投入附有靜電吸盤層1 2的本體 1 1，在0 · 1 T 〇 r r的真空下進行脫氣處理。在進行 真空脫氣間於氧化鋁噴鍍層1 2 A內，中介包含於甲基丙 烯酸樹脂原料液的聚合催化劑，進行共聚合以形成有甲基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 批本-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 541586 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 丙烯酸樹脂。據此，氧化鋁噴鍍層1 2 A內的氣孔如圖1 (b )所示，被甲基丙烯酸樹脂1 2 D塡充。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於上述甲基丙烯酸樹脂原料液不包含揮發成分，故 如圖1 ( b )槪念性地顯示，可藉由甲基丙烯酸樹脂（斜 線部分）1 2 D完全地塡充氧化鋁粒子間的氣孔。因此， 如藉由矽樹脂進行封孔處理的情形，不會形成起因於有機 溶媒的蒸發的氣孔。 此外，甲基丙烯酸樹脂原料液的硬化取代上述脫氣處 理方法，藉由以6 0〜7 0 °C的溫度加熱5〜8小時燒成 本體11而進行也可以。 此外，在上述實施形態中雖然僅在電極層1 2 B的上 側的氧化鋁噴鍍層1 2 A進行封孔處理，惟在形成電極層 1 2 B前在下側的氧化鋁噴鍍層1 2 A進行封孔處理也可 以。據此，可以高的機率防止在靜電吸盤層1 2內形成有 氣孔。 藉由甲基丙烯酸樹脂的封孔處理後，遮蔽靜電吸盤層 1 2的外周緣部以外，並且除去本體1 1頂面的外周緣部 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的遮蔽材，在常溫下於本體1 1的外周面噴鍍氧化鋁，如 圖5所示形成7 5 0 // m的氧化鋁噴鍍層1 4。據此，如 圖5所示氧化鋁噴鍍層1 2 A與氧化鋁噴鍍層1 4 一體化 〇 其次，在靜電吸盤層1 2外周面的氧化鋁噴鍍層 1 4 A塗佈上述甲基丙烯酸樹脂原料液使其浸漬，在其他 的氧化鋁噴鍍層1 4 B塗佈例如矽樹脂原料液使其浸清。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 541586 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7五、發明説明（1Ί ) 而且，使這些樹脂原料液硬化。此外，在其他氧化鋁噴鍍 層1 4 B使上述甲基丙烯酸樹脂原料液浸漬也可以。 然後，在自靜電吸盤層1 2表面除去遮蔽後，使用硏 磨機（Grinder )硏磨處理靜電吸盤層1 2以及氧化鋁噴鍍 層1 4，如圖6所示平滑地精加工表面，並且本體1 1的 周面也平滑地進行精加工。此時，令靜電吸盤層1 2表面 即晶圓的接觸面爲平面度Ra=0.2〜0·3而進行精 加工。令在電極層1 2 B上側的氧化鋁噴鍍層1 2 A的厚 度爲2 5 0 // m以下較佳。 其次，在以上述順序得到的晶座1 0中，爲了確認藉 由甲基丙烯酸樹脂1 2 D的氧化鋁噴鍍層1 2 A的氣孔的 塡充情況，進行紅色滲透探傷（Red check )。 此外，紅色滲透探傷是指染色浸透探傷法的一種，藉 由塗佈紅色染料，在擦拭表面的染料後噴射白色顯影液而 進行。若在檢查對象物表面有缺陷（此情形不被封孔的氣 孔）的話，殘留於該缺陷內部的紅色染料浮到染料乾燥的 白色顯影液層上，據此，可以目視確認缺陷。 檢查是使用甲基丙烯酸樹脂原料液對被進行三次封孔 處理者進行。在對靜電吸盤層1 2表面進行紅色滲透探傷 後，未封孔的氣孔不被確認。再者，由表面刮落靜電吸盤 層1 2到7 5 // m的深度，對其表面進行紅色滲透探傷後 ，未封孔的氣孔不被確認。再者，階段性地刮落1 0 0 /zm、150//m、2〇0//m、250/zm,在各階段 中進行紅色滲透探傷後，未封孔的氣孔不被確認。得知靜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 541586 A7 ___B7 五、發明説明（12 ) 電吸盤層1 2至少到2 5 0 // m的深度氣孔確實地被甲基 丙烯酸樹脂1 2 D進行封孔處理。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，比較例是準備以矽樹脂進行5次、1 0次、 1 5次、2 0次的封孔處理的靜電吸盤層，分別進行紅色 滲透探傷。其結果在封孔處理次數越多著色越薄的任何靜 電吸盤層著色也被斷定。 再者，切斷封孔處理後的各靜電吸盤層，由該剖面調 查紅色染料的浸透情況的結果，與表面的著色情況一樣封 孔處理次數越多，剖面的著色越薄。 因此，得知當以矽樹脂進行封孔處理時，靜電吸盤層 內殘留有氣孔。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，使用以上述製法製造的晶座1 0對晶圓W實施 電漿處理，求出高頻功率的施加時間與晶圓W的表面溫度 。其結果如圖7的（1 )所示，得知即使高頻功率的施加 時間長，晶圓W的表面溫度爲一定而不降低。即若藉由甲 基丙烯酸樹脂對靜電吸盤層1 2進行封孔的話，如習知因 在氧化鋁粒子間氣孔不殘留，故在高真空區域下的電漿處 理中可防止經時的晶圓溫度的降低。 特別是即使是切換控制晶圓W的溫度由1 0 0 °c到 1 2 0 t的製程，切換設定熱傳導性氣體的供給壓力由 1 0〜4 〇Τ 〇 r r到5〜1 〇To r r的低壓力的情形 ，因低壓的熱傳導性氣體不浸透到氧化鋁噴鍍層1 2 A的 氧化鋁粒子間，熱傳導性氣體不浪費可充分地到達晶圓W 的背面，故可高精度地控制晶圓W的溫度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 541586 A7 ___B7 五、發明説明（13 ) 如果依照本實施形態，即使在高真空區域下長時間進 行晶圓W的處理，晶圓W的表面溫度也不下降，可以預定 的溫度進行穩定電漿處理。 而且，習知由於氧化鋁基材與陶瓷噴鍍膜的熱膨脹係 數的不同，有構成靜電吸盤層的陶瓷噴鍍膜破裂之虞，故 晶座對於使用溫度有限制。但是，上述實施形態在加熱本 體1 1使鋁基材熱膨脹的狀態下對陶瓷進行噴鍍。因此， 可降低晶座生溫時的氧化鋁基材與氧化鋁噴鍍層1 2 A之 間的熱應力，可提高晶座1 〇的耐熱溫度。 由本發明提供的晶座1 〇即基板座可廣泛地使用於平 行平板電黎處理裝置、E C R ( Electron Cyclotron Resonance，電子環繞共振式）電漿處理裝置等的各種電漿 處理裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16-

Claims (1)

  1. 541586 ABCD 六、申請專利範圍彳 1 · 一種基板座，其特徵包含： 座本體；以及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成於該座本體上，內部由包含電極層的陶瓷噴鍍層 所構成的靜電吸盤層，其中 該陶瓷噴鍍層被甲基丙烯酸樹脂封孔。 2 .如申請專利範圍第1項所述之基板座，其中該甲 基丙烯酸樹脂是使以曱基丙烯酸甲酯爲主成分的樹脂原料 液硬化的樹脂。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之基板座，其中該陶 瓷噴鍍層是由氧化鋁、氮化鋁、氮化矽以及氧化鈦的至少 一個構成。 4·一種電漿處理裝置，其特徵爲具備申請專利範圍 第1項所述之基板座。 5 · —種基板座的製造方法，包含： 準備座本體之製程； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在該座本體上形成由包含電極層於其內部的陶瓷層所 構成的靜電吸盤層之製程，包含藉由噴鍍陶瓷材料形成該 陶瓷層的步驟之靜電吸盤層形成製程；以及 藉由甲基丙烯酸樹脂封閉存在於該陶瓷層的氣孔之製 6 ·如申請專利範圍第5項所述之基板座的製造方法 ，其中該封孔製程包含將以甲基丙烯酸甲酯爲主成分的樹 脂原料液浸漬於該陶瓷層的步驟，與使該樹脂原料液硬化 的步驟。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 541586 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍2 7 ·如申請專利範圍第5項所述之基板座的製造方法 ，其中在藉由噴鍍形成該陶瓷層的步驟中，在座本體被力口 熱的狀態下進行噴鍍。 8 _如申請專利範圍第5項所述之基板座的製造方法 ，其中該座本體形成有用以對基板供給氣體的氣體通路， 在藉由噴鍍形成該陶瓷層的步驟中，一邊由該氣體通 路噴出加壓氣體，一邊進行噴鍍，據此，在陶瓷噴鍍層形 成有連通於該座本體的氣體通路之氣體通路。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18-
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