JP2003077896A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JP2003077896A JP2003077896A JP2001264500A JP2001264500A JP2003077896A JP 2003077896 A JP2003077896 A JP 2003077896A JP 2001264500 A JP2001264500 A JP 2001264500A JP 2001264500 A JP2001264500 A JP 2001264500A JP 2003077896 A JP2003077896 A JP 2003077896A
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- sic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理
体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッ
チングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系
低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチ
ングすることができるエッチング方法を提供すること。 【解決手段】 ＳｉＣ膜６１と、その上に形成された有
機Ｓｉ系低誘電率膜６２とを有する構造において、有機
Ｓｉ系低誘電率膜６２をマスクとしてＳｉＣ膜６１をエ
ッチングガスのプラズマによりエッチングするに際し、
エッチングガスとして、ＣＨ２Ｆ２を含有するガスまた
はＣＨ３Ｆを含有するガスを用いる。
体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッ
チングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系
低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチ
ングすることができるエッチング方法を提供すること。 【解決手段】 ＳｉＣ膜６１と、その上に形成された有
機Ｓｉ系低誘電率膜６２とを有する構造において、有機
Ｓｉ系低誘電率膜６２をマスクとしてＳｉＣ膜６１をエ
ッチングガスのプラズマによりエッチングするに際し、
エッチングガスとして、ＣＨ２Ｆ２を含有するガスまた
はＣＨ３Ｆを含有するガスを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳｉＣ部分または
ＳｉＮ部分を有する被処理体、例えば、バリア層として
のＳｉＣ膜またはＳｉＮ膜とその上に形成された層間絶
縁膜とを有する半導体ウエハを処理容器内に収容し、被
処理体のＳｉＣ部分またはＳｉＮ部分をエッチングガス
のプラズマによりエッチングするエッチング方法に関す
る。
ＳｉＮ部分を有する被処理体、例えば、バリア層として
のＳｉＣ膜またはＳｉＮ膜とその上に形成された層間絶
縁膜とを有する半導体ウエハを処理容器内に収容し、被
処理体のＳｉＣ部分またはＳｉＮ部分をエッチングガス
のプラズマによりエッチングするエッチング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの配線工程では、配線層
間には層間絶縁膜が形成されており、配線層を導通させ
るために層間絶縁膜をエッチングする。この場合に、層
間絶縁層の下にはバリア層としてＳｉＣ膜やＳｉＮ膜が
形成される。そして、配線パターンを形成するために、
層間絶縁膜に引き続いてＳｉＣ膜やＳｉＮ膜をエッチン
グする場合には、これらは層間絶縁膜をマスクとしてエ
ッチングされることとなる。
間には層間絶縁膜が形成されており、配線層を導通させ
るために層間絶縁膜をエッチングする。この場合に、層
間絶縁層の下にはバリア層としてＳｉＣ膜やＳｉＮ膜が
形成される。そして、配線パターンを形成するために、
層間絶縁膜に引き続いてＳｉＣ膜やＳｉＮ膜をエッチン
グする場合には、これらは層間絶縁膜をマスクとしてエ
ッチングされることとなる。
【０００３】一方、半導体デバイスにおいては、さらな
る高速化の要求から、層間絶縁膜として低誘電率材料が
用いられつつある。このような低誘電率材料としては有
機Ｓｉ系のものが知られている。
る高速化の要求から、層間絶縁膜として低誘電率材料が
用いられつつある。このような低誘電率材料としては有
機Ｓｉ系のものが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＳｉＣ膜を
エッチングする技術としては、特開昭５７−１２４４３
８号公報にはＣＦ４およびＯ２を用いる技術が開示され
ており、特開昭６２−２１６３３５号公報にはＣＦ４、
ＣＨＦ３およびＯ２を用いる技術が開示されており、特
開平４−２９３２３４号公報にはＣＨＦ３およびＡｒを
用いる技術が開示されているが、これらの技術ではエッ
チングレートがいずれも１０ｎｍ／ｍｉｎ程度であり必
ずしも十分とはいえない。また、これらの技術で有機Ｓ
ｉ系低誘電率膜をマスクとしてＳｉＣ膜をエッチングす
る場合には、エッチングレートが小さいことに加えて上
層の有機Ｓｉ系低誘電率膜に対する選択比が十分ではな
いという問題がある。
エッチングする技術としては、特開昭５７−１２４４３
８号公報にはＣＦ４およびＯ２を用いる技術が開示され
ており、特開昭６２−２１６３３５号公報にはＣＦ４、
ＣＨＦ３およびＯ２を用いる技術が開示されており、特
開平４−２９３２３４号公報にはＣＨＦ３およびＡｒを
用いる技術が開示されているが、これらの技術ではエッ
チングレートがいずれも１０ｎｍ／ｍｉｎ程度であり必
ずしも十分とはいえない。また、これらの技術で有機Ｓ
ｉ系低誘電率膜をマスクとしてＳｉＣ膜をエッチングす
る場合には、エッチングレートが小さいことに加えて上
層の有機Ｓｉ系低誘電率膜に対する選択比が十分ではな
いという問題がある。
【０００５】また、ＳｉＮ膜についても十分なエッチン
グレートを維持しつつ有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエ
ッチング選択比を高くしてエッチングする技術は未だ得
られていない。
グレートを維持しつつ有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエ
ッチング選択比を高くしてエッチングする技術は未だ得
られていない。
【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、十分なエッチングレートで被処理体のＳｉＣ
部分をエッチングすることができるエッチング方法を提
供することを目的とする。また、有機Ｓｉ系低誘電率膜
をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングする
場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜
に対するエッチング選択比を高くしてエッチングするこ
とができるエッチング方法を提供することを目的とす
る。さらに、有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処
理体のＳｉＮ部分をエッチングする場合に、エッチング
レートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング
選択比を高くしてエッチングすることができるエッチン
グ方法を提供することを目的とする。
であって、十分なエッチングレートで被処理体のＳｉＣ
部分をエッチングすることができるエッチング方法を提
供することを目的とする。また、有機Ｓｉ系低誘電率膜
をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングする
場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜
に対するエッチング選択比を高くしてエッチングするこ
とができるエッチング方法を提供することを目的とす
る。さらに、有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処
理体のＳｉＮ部分をエッチングする場合に、エッチング
レートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング
選択比を高くしてエッチングすることができるエッチン
グ方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ＳｉＣ膜
等のＳｉＣ部分を含む被処理体を処理容器に収容し、そ
のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチ
ングする際に、高いエッチングレートでＳｉＣ部分をエ
ッチングすることができるエッチングガスについて検討
を重ねた結果、ＣＨ２Ｆ２を含むガス、ＣＨ３Ｆを含む
ガスが有効であることを見出した。また、ＣＨ２Ｆ２を
含むガス、ＣＨ３Ｆを含むガスはＳｉＣの有機Ｓｉ系低
誘電率膜に対するエッチング選択比を高める作用がある
ことを見出した。本発明者等はまた、ＳｉＮ膜等のＳｉ
Ｎ部分を含む被処理体を処理容器に収容し、有機Ｓｉ系
低誘電率膜をマスクとしてＳｉＮ部分をエッチングする
場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜
に対するエッチング選択比を高くすることができるエッ
チングガスについて検討を重ねた結果、ＣＨ２Ｆ２およ
びＯ２を含むガスが有効であることを見出した。
等のＳｉＣ部分を含む被処理体を処理容器に収容し、そ
のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチ
ングする際に、高いエッチングレートでＳｉＣ部分をエ
ッチングすることができるエッチングガスについて検討
を重ねた結果、ＣＨ２Ｆ２を含むガス、ＣＨ３Ｆを含む
ガスが有効であることを見出した。また、ＣＨ２Ｆ２を
含むガス、ＣＨ３Ｆを含むガスはＳｉＣの有機Ｓｉ系低
誘電率膜に対するエッチング選択比を高める作用がある
ことを見出した。本発明者等はまた、ＳｉＮ膜等のＳｉ
Ｎ部分を含む被処理体を処理容器に収容し、有機Ｓｉ系
低誘電率膜をマスクとしてＳｉＮ部分をエッチングする
場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜
に対するエッチング選択比を高くすることができるエッ
チングガスについて検討を重ねた結果、ＣＨ２Ｆ２およ
びＯ２を含むガスが有効であることを見出した。
【０００８】本発明はこのような知見に基づいてなされ
たものであり、本発明の第１の観点によれば、ＳｉＣ部
分を含む被処理体を処理容器内に収容し、被処理体のＳ
ｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチング
するエッチング方法であって、エッチングガスとしてＣ
Ｈ２Ｆ２を含むガスを用いることを特徴とするエッチン
グ方法が提供される。
たものであり、本発明の第１の観点によれば、ＳｉＣ部
分を含む被処理体を処理容器内に収容し、被処理体のＳ
ｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチング
するエッチング方法であって、エッチングガスとしてＣ
Ｈ２Ｆ２を含むガスを用いることを特徴とするエッチン
グ方法が提供される。
【０００９】上記本発明の第１の観点において、前記ガ
スとしてさらにＯ２を含むものを用いることができ、ま
た、さらにＡｒを含むものを用いることができる。
スとしてさらにＯ２を含むものを用いることができ、ま
た、さらにＡｒを含むものを用いることができる。
【００１０】本発明の第２の観点によれば、ＳｉＣ部分
を含む被処理体を処理容器内に収容し、被処理体のＳｉ
Ｃ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングす
るエッチング方法であって、エッチングガスとしてＣＨ
３Ｆを含むガスを用いることを特徴とするエッチング方
法が提供される。
を含む被処理体を処理容器内に収容し、被処理体のＳｉ
Ｃ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングす
るエッチング方法であって、エッチングガスとしてＣＨ
３Ｆを含むガスを用いることを特徴とするエッチング方
法が提供される。
【００１１】上記本発明の第２の観点において、前記ガ
スとしてさらにＯ２を含むものを用いることができる。
また、Ｏ２に代えてまたはＯ２に加えてＣＦ４ガスを含
むものを用いることができる。さらに、これらのいずれ
かにおいてさらにＡｒを含むものを用いることができ
る。
スとしてさらにＯ２を含むものを用いることができる。
また、Ｏ２に代えてまたはＯ２に加えてＣＦ４ガスを含
むものを用いることができる。さらに、これらのいずれ
かにおいてさらにＡｒを含むものを用いることができ
る。
【００１２】上記第１の観点、第２の観点において、被
処理体のＳｉＣ部分を有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクと
してＳｉＣのエッチングを行うことにより、上述のよう
に有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高
くすることができる。
処理体のＳｉＣ部分を有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクと
してＳｉＣのエッチングを行うことにより、上述のよう
に有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高
くすることができる。
【００１３】本発明の第３の観点によれば、ＳｉＮ部分
を含む被処理体を処理容器内に収容し、被処理体のＳｉ
Ｎ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングす
るエッチング方法であって、エッチングガスとしてＣＨ
２Ｆ２およびＯ２を含むガスを用い、前記ＳｉＮ部分を
有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとしてエッチングするこ
とを特徴とするエッチング方法が提供される。
を含む被処理体を処理容器内に収容し、被処理体のＳｉ
Ｎ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングす
るエッチング方法であって、エッチングガスとしてＣＨ
２Ｆ２およびＯ２を含むガスを用い、前記ＳｉＮ部分を
有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとしてエッチングするこ
とを特徴とするエッチング方法が提供される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明を実
施するためのドライエッチング装置を示す概略断面図で
ある。
明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明を実
施するためのドライエッチング装置を示す概略断面図で
ある。
【００１５】このエッチング装置１は、電極板が上下平
行に対向し、一方にプラズマ形成用電源が接続された容
量結合型平行平板エッチング装置として構成されてい
る。
行に対向し、一方にプラズマ形成用電源が接続された容
量結合型平行平板エッチング装置として構成されてい
る。
【００１６】このエッチング処理装置１は、例えば表面
がセラミック溶射処理されたアルミニウムからなる円筒
形状に成形されたチャンバー２を有しており、このチャ
ンバー２は保安接地されている。前記チャンバー２内に
は例えばシリコンからなり、その上に所定の膜が形成さ
れた半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」と記す）Ｗを水
平に載置し、下部電極として機能するサセプタ３が支持
部材４に支持された状態で設けられている。この支持部
材４はセラミックなどの絶縁板５を介して、図示しない
昇降装置の支持台６により支持されており、この昇降機
構によってサセプタ３が昇降可能となっている。支持台
６の下方中央の大気部分は、ベローズ７で覆われてお
り、チャンバー２内と大気部分とが分離されている。
がセラミック溶射処理されたアルミニウムからなる円筒
形状に成形されたチャンバー２を有しており、このチャ
ンバー２は保安接地されている。前記チャンバー２内に
は例えばシリコンからなり、その上に所定の膜が形成さ
れた半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」と記す）Ｗを水
平に載置し、下部電極として機能するサセプタ３が支持
部材４に支持された状態で設けられている。この支持部
材４はセラミックなどの絶縁板５を介して、図示しない
昇降装置の支持台６により支持されており、この昇降機
構によってサセプタ３が昇降可能となっている。支持台
６の下方中央の大気部分は、ベローズ７で覆われてお
り、チャンバー２内と大気部分とが分離されている。
【００１７】前記支持部材４の内部には、冷媒室８が設
けられており、この冷媒室８には、例えばガルデンなど
の冷媒が冷媒導入管８ａを介して導入されて循環し、そ
の冷熱が前記サセプタ３を介して前記ウエハＷに対して
伝熱され、これによりウエハＷの処理面が所望の温度に
制御される。また、被処理体であるウエハＷの裏面に、
伝熱媒体、例えばＨｅガスなどを供給するためのガス通
路９が設けられており、この伝熱媒体を介してサセプタ
３の冷熱がウエハＷに伝達されウエハＷが所定の温度に
維持される。
けられており、この冷媒室８には、例えばガルデンなど
の冷媒が冷媒導入管８ａを介して導入されて循環し、そ
の冷熱が前記サセプタ３を介して前記ウエハＷに対して
伝熱され、これによりウエハＷの処理面が所望の温度に
制御される。また、被処理体であるウエハＷの裏面に、
伝熱媒体、例えばＨｅガスなどを供給するためのガス通
路９が設けられており、この伝熱媒体を介してサセプタ
３の冷熱がウエハＷに伝達されウエハＷが所定の温度に
維持される。
【００１８】前記サセプタ３は、その上中央部が凸状の
円板状に成形され、その上に絶縁材の間に電極１２が介
在されてなる静電チャック１１が設けられており、電極
１２に接続された直流電源１３から直流電圧が印加され
ることにより、例えばクーロン力によってウエハＷを静
電吸着する。前記サセプタ３の上端周縁部には、静電チ
ャック１１上に載置されたウエハＷを囲むように、エッ
チングの均一性を向上させるための環状のフォーカスリ
ング１５が配置されている。
円板状に成形され、その上に絶縁材の間に電極１２が介
在されてなる静電チャック１１が設けられており、電極
１２に接続された直流電源１３から直流電圧が印加され
ることにより、例えばクーロン力によってウエハＷを静
電吸着する。前記サセプタ３の上端周縁部には、静電チ
ャック１１上に載置されたウエハＷを囲むように、エッ
チングの均一性を向上させるための環状のフォーカスリ
ング１５が配置されている。
【００１９】前記サセプタ３の上方には、このサセプタ
３と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘ
ッド２１が設けられている。このシャワーヘッド２１
は、絶縁材２２を介して、チャンバー２の上部に支持さ
れており、サセプタ３との対向面２４には多数の吐出孔
２３を有している。なお、サセプタ３とシャワーヘッド
２１とは、例えば２５〜５５ｍｍ程度離間され、この距
離は前記昇降機構により調節可能である。
３と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘ
ッド２１が設けられている。このシャワーヘッド２１
は、絶縁材２２を介して、チャンバー２の上部に支持さ
れており、サセプタ３との対向面２４には多数の吐出孔
２３を有している。なお、サセプタ３とシャワーヘッド
２１とは、例えば２５〜５５ｍｍ程度離間され、この距
離は前記昇降機構により調節可能である。
【００２０】前記シャワーヘッド２１の中央にはガス導
入口２６が設けられ、さらにこのガス導入口２６には、
ガス供給管２７が接続されており、さらにこのガス供給
管２７には、バルブ２８を介して、エッチングガス供給
源３０が接続されている。そして、エッチングガス供給
源３０から、所定のエッチングガスが供給される。
入口２６が設けられ、さらにこのガス導入口２６には、
ガス供給管２７が接続されており、さらにこのガス供給
管２７には、バルブ２８を介して、エッチングガス供給
源３０が接続されている。そして、エッチングガス供給
源３０から、所定のエッチングガスが供給される。
【００２１】このエッチングガス供給源３０は、ＳｉＣ
膜をエッチングする場合には、ＣＨ ３ＦまたはＣＨ２Ｆ
２ガス源、ＣＦ４ガス源、Ｏ２ガス源、およびＡｒガス
源から、それぞれＣＨ３ＦガスまたはＣＨ２Ｆ２ガス、
ＣＦ４ガス、Ｏ２ガス、およびＡｒガスを供給するよう
な構成にされる。一方、ＳｉＮ膜をエッチングする場合
には、ＣＨ２Ｆ２ガス源、Ｏ２ガス源、およびＡｒガス
源から、それぞれＣＨ ２Ｆ２ガス、Ｏ２ガス、およびＡ
ｒガスを供給するような構成にされる。
膜をエッチングする場合には、ＣＨ ３ＦまたはＣＨ２Ｆ
２ガス源、ＣＦ４ガス源、Ｏ２ガス源、およびＡｒガス
源から、それぞれＣＨ３ＦガスまたはＣＨ２Ｆ２ガス、
ＣＦ４ガス、Ｏ２ガス、およびＡｒガスを供給するよう
な構成にされる。一方、ＳｉＮ膜をエッチングする場合
には、ＣＨ２Ｆ２ガス源、Ｏ２ガス源、およびＡｒガス
源から、それぞれＣＨ ２Ｆ２ガス、Ｏ２ガス、およびＡ
ｒガスを供給するような構成にされる。
【００２２】前記チャンバー２の側壁底部近傍には排気
管３１が接続されており、この排気管３１には排気装置
３５が接続されている。排気装置３５はターボ分子ポン
プなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバ
ー２内を所定の減圧雰囲気、例えば１Ｐａ以下の所定の
圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、
チャンバー２の側壁にはゲートバルブ３２が設けられて
おり、このゲートバルブ３２を開にした状態でウエハＷ
が隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送さ
れるようになっている。
管３１が接続されており、この排気管３１には排気装置
３５が接続されている。排気装置３５はターボ分子ポン
プなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバ
ー２内を所定の減圧雰囲気、例えば１Ｐａ以下の所定の
圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、
チャンバー２の側壁にはゲートバルブ３２が設けられて
おり、このゲートバルブ３２を開にした状態でウエハＷ
が隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送さ
れるようになっている。
【００２３】上部電極として機能するシャワーヘッド２
１には、高周波電源４０が接続されており、その給電線
には整合器４１が介在されている。この高周波電源４０
は、例えば６０ＭＨｚの周波数の高周波を供給する。ま
た、シャワーヘッド２１にはローパスフィルター（ＬＰ
Ｆ）４２が接続されている。
１には、高周波電源４０が接続されており、その給電線
には整合器４１が介在されている。この高周波電源４０
は、例えば６０ＭＨｚの周波数の高周波を供給する。ま
た、シャワーヘッド２１にはローパスフィルター（ＬＰ
Ｆ）４２が接続されている。
【００２４】下部電極として機能するサセプタ３には、
高周波電源５０が接続されており、その給電線には整合
器５１が介在されている。この高周波電源５０は、例え
ば２ＭＨｚの周波数の高周波を供給する。また、このサ
セプタ３にはハイパスフィルター（ＨＰＦ）１６が接続
されている。
高周波電源５０が接続されており、その給電線には整合
器５１が介在されている。この高周波電源５０は、例え
ば２ＭＨｚの周波数の高周波を供給する。また、このサ
セプタ３にはハイパスフィルター（ＨＰＦ）１６が接続
されている。
【００２５】次に、上記エッチング装置を用いてＳｉＣ
膜をエッチングする方法について説明する。ここでは、
図２の（ａ）に示すように、例えばＣｕからなる配線層
６０上にバリア層としてのＳｉＣ膜６１を形成し、その
上に有機Ｓｉ系低誘電率膜からなる層間絶縁膜６２を形
成した構造体において、レジスト層６３をマスクとして
層間絶縁膜６２をエッチングして図２の（ｂ）に示す構
造を作成した後、層間絶縁膜６２をマスクとしてＳｉＣ
膜をエッチングする。
膜をエッチングする方法について説明する。ここでは、
図２の（ａ）に示すように、例えばＣｕからなる配線層
６０上にバリア層としてのＳｉＣ膜６１を形成し、その
上に有機Ｓｉ系低誘電率膜からなる層間絶縁膜６２を形
成した構造体において、レジスト層６３をマスクとして
層間絶縁膜６２をエッチングして図２の（ｂ）に示す構
造を作成した後、層間絶縁膜６２をマスクとしてＳｉＣ
膜をエッチングする。
【００２６】ここで、有機Ｓｉ系低誘電率膜を構成する
材料の典型例としては、以下に示す化学式を有するポリ
オルガノシロキサンを挙げることができる。
材料の典型例としては、以下に示す化学式を有するポリ
オルガノシロキサンを挙げることができる。
【化１】
ただし、化学式中、Ｒは、メチル基、エチル基、プロピ
ル基等のアルキル基、もしくはそれらの誘導体、または
フェニル基等のアリル基、もしくはその誘導体である。
ル基等のアルキル基、もしくはそれらの誘導体、または
フェニル基等のアリル基、もしくはその誘導体である。
【００２７】このエッチングに際しては、上記エッチン
グ装置１のサセプタ３とシャワーヘッド２１とのギャッ
プを例えば８０ｍｍに設定し、ゲートバルブ３２を開放
して、図２の（ｂ）に示すＳｉＣ膜６１上に所定パター
ンにエッチングされた有機Ｓｉ系低誘電率膜（ｌｏｗ−
ｋ膜）からなる層間絶縁膜６２を有するウエハＷをチャ
ンバー２内へ搬入し、サセプタ３上に載置する。そし
て、直流電源１３からウエハＷに直流電圧を印加してウ
エハＷを静電チャック１１によって静電吸着させる。次
いで、ゲートバルブ３２を閉じ、排気装置３５によっ
て、チャンバー２内を所定の真空度まで真空引きする。
グ装置１のサセプタ３とシャワーヘッド２１とのギャッ
プを例えば８０ｍｍに設定し、ゲートバルブ３２を開放
して、図２の（ｂ）に示すＳｉＣ膜６１上に所定パター
ンにエッチングされた有機Ｓｉ系低誘電率膜（ｌｏｗ−
ｋ膜）からなる層間絶縁膜６２を有するウエハＷをチャ
ンバー２内へ搬入し、サセプタ３上に載置する。そし
て、直流電源１３からウエハＷに直流電圧を印加してウ
エハＷを静電チャック１１によって静電吸着させる。次
いで、ゲートバルブ３２を閉じ、排気装置３５によっ
て、チャンバー２内を所定の真空度まで真空引きする。
【００２８】この状態でエッチングガス供給源３０から
所定のエッチングガスをチャンバー２内へ供給する。こ
こではＳｉＣ膜６１をエッチングするために、エッチン
グガス供給源３０は、ＣＨ３ＦまたはＣＨ２Ｆ２ガス
源、ＣＦ４ガス源、Ｏ２ガス源、およびＡｒガス源を有
しており、これらから、それぞれＣＨ３ＦガスまたはＣ
Ｈ２Ｆ２ガス、ＣＦ４ガス、Ｏ２ガス、およびＡｒガス
をチャンバー２内へ供給する。そして、高周波電源４０
からシャワーヘッド２１に所定の周波数の高周波電力を
印加し、これにより、上部電極としてのシャワーヘッド
２１と下部電極としてのサセプタ３との間に高周波電界
を生じさせ、上記ＣＨ３ＦガスまたはＣＨ ２Ｆ２ガス、
ＣＦ４ガス、Ｏ２ガス、およびＡｒガスをプラズマ化
し、図２の（ｃ）に示すように、これらをＳｉＣ膜６１
に作用させてＳｉＣ膜６１のエッチングを進行させる。
このとき、高周波電源５０から下部電極であるサセプタ
３に所定の周波数の高周波電力を印加してプラズマ中の
イオンをサセプタ３側へ引き込むようにする。
所定のエッチングガスをチャンバー２内へ供給する。こ
こではＳｉＣ膜６１をエッチングするために、エッチン
グガス供給源３０は、ＣＨ３ＦまたはＣＨ２Ｆ２ガス
源、ＣＦ４ガス源、Ｏ２ガス源、およびＡｒガス源を有
しており、これらから、それぞれＣＨ３ＦガスまたはＣ
Ｈ２Ｆ２ガス、ＣＦ４ガス、Ｏ２ガス、およびＡｒガス
をチャンバー２内へ供給する。そして、高周波電源４０
からシャワーヘッド２１に所定の周波数の高周波電力を
印加し、これにより、上部電極としてのシャワーヘッド
２１と下部電極としてのサセプタ３との間に高周波電界
を生じさせ、上記ＣＨ３ＦガスまたはＣＨ ２Ｆ２ガス、
ＣＦ４ガス、Ｏ２ガス、およびＡｒガスをプラズマ化
し、図２の（ｃ）に示すように、これらをＳｉＣ膜６１
に作用させてＳｉＣ膜６１のエッチングを進行させる。
このとき、高周波電源５０から下部電極であるサセプタ
３に所定の周波数の高周波電力を印加してプラズマ中の
イオンをサセプタ３側へ引き込むようにする。
【００２９】この際に、ＣＨ３Ｆを用いた場合にはＣＨ
３Ｆ、ＣＦ４、Ｏ２、およびＡｒの相乗効果により高い
エッチングレートが得られるとともに、主にＣＨ３Ｆお
よびＡｒの作用により、ＳｉＣ膜６１のｌｏｗ−ｋ膜６
２に対するエッチング選択比を高いものとすることがで
きる。具体的には、ＳｉＣ膜のエッチングレートを２０
ｎｍ／ｍｉｎ以上、ｌｏｗ−ｋ膜に対するエッチング選
択比を１０以上とすることができる。また、ＣＨ３Ｆの
代わりにＣＨ２Ｆ２を用いた場合には、ＣＨ３Ｆを用い
た場合よりもエッチング選択比は多少劣るが、同様に高
いエッチングレートを得ることができる。これらのガス
の中で、ＣＨ３ＦはＳｉＣ膜を選択的にエッチングして
エッチング選択比を高める効果を有する。ＣＨ２Ｆ２は
ＣＨ３Ｆと同様の作用を及ぼすが、ＣＨ３Ｆよりもエッ
チング選択比を高める効果は多少劣る。また、Ａｒもシ
ョルダー部分のエッチング選択比を高める効果を有す
る。
３Ｆ、ＣＦ４、Ｏ２、およびＡｒの相乗効果により高い
エッチングレートが得られるとともに、主にＣＨ３Ｆお
よびＡｒの作用により、ＳｉＣ膜６１のｌｏｗ−ｋ膜６
２に対するエッチング選択比を高いものとすることがで
きる。具体的には、ＳｉＣ膜のエッチングレートを２０
ｎｍ／ｍｉｎ以上、ｌｏｗ−ｋ膜に対するエッチング選
択比を１０以上とすることができる。また、ＣＨ３Ｆの
代わりにＣＨ２Ｆ２を用いた場合には、ＣＨ３Ｆを用い
た場合よりもエッチング選択比は多少劣るが、同様に高
いエッチングレートを得ることができる。これらのガス
の中で、ＣＨ３ＦはＳｉＣ膜を選択的にエッチングして
エッチング選択比を高める効果を有する。ＣＨ２Ｆ２は
ＣＨ３Ｆと同様の作用を及ぼすが、ＣＨ３Ｆよりもエッ
チング選択比を高める効果は多少劣る。また、Ａｒもシ
ョルダー部分のエッチング選択比を高める効果を有す
る。
【００３０】次に、実際にポリメチルシロキサンを主成
分とするｌｏｗ−ｋ膜をマスクとしてＳｉＣ膜をエッチ
ングした結果について説明する。まず、図１に示した装
置を用い、チャンバー内の圧力を６．６５Ｐａとし、シ
ャワーヘッドにプラズマ形成用の６０ＭＨｚの高周波電
力を供給し、サセプタにイオン引き込み用の２ＭＨｚの
高周波電力を供給し、エッチングガス組成および流量、
ならびに高周波電力を表１のように種々変化させてエッ
チングを行った。なお、サセプタとシャワーヘッドとの
ギャップは３５ｍｍとした。
分とするｌｏｗ−ｋ膜をマスクとしてＳｉＣ膜をエッチ
ングした結果について説明する。まず、図１に示した装
置を用い、チャンバー内の圧力を６．６５Ｐａとし、シ
ャワーヘッドにプラズマ形成用の６０ＭＨｚの高周波電
力を供給し、サセプタにイオン引き込み用の２ＭＨｚの
高周波電力を供給し、エッチングガス組成および流量、
ならびに高周波電力を表１のように種々変化させてエッ
チングを行った。なお、サセプタとシャワーヘッドとの
ギャップは３５ｍｍとした。
【００３１】
【表１】
【００３２】その結果、表１に示すように、エッチング
ガスとしてＣＨ２Ｆ２またはＣＨ３Ｆを含むものを用い
ることにより、エッチングレートが２０ｎｍ／ｍｉｎ以
上となることが確認された。また、これらはいずれもｌ
ｏｗ−ｋ膜に対するエッチング選択比がｌｏｗ−ｋ膜の
ショルダー部分で１０以上であった。
ガスとしてＣＨ２Ｆ２またはＣＨ３Ｆを含むものを用い
ることにより、エッチングレートが２０ｎｍ／ｍｉｎ以
上となることが確認された。また、これらはいずれもｌ
ｏｗ−ｋ膜に対するエッチング選択比がｌｏｗ−ｋ膜の
ショルダー部分で１０以上であった。
【００３３】次いで、エッチング装置として、図１とは
異なり、サセプタのみに高周波電力を供給し、サセプタ
とシャワーヘッドとの間の空間に水平磁界を形成するダ
イポールリングマグネットを具備し、マグネトロンプラ
ズマエッチングを行う装置を用い、チャンバー内の圧力
を９．９８Ｐａとし、サセプタに１３．５６ＭＨｚの高
周波電力を供給し、エッチングガスを表１のＮｏ．５と
同様にＣＨ３ＦおよびＯ２ガスのみとし、これらガスの
流量および高周波電力を表２のように変化させてエッチ
ングを行った。なお、サセプタとシャワーヘッドとのギ
ャップは２７ｍｍとした。
異なり、サセプタのみに高周波電力を供給し、サセプタ
とシャワーヘッドとの間の空間に水平磁界を形成するダ
イポールリングマグネットを具備し、マグネトロンプラ
ズマエッチングを行う装置を用い、チャンバー内の圧力
を９．９８Ｐａとし、サセプタに１３．５６ＭＨｚの高
周波電力を供給し、エッチングガスを表１のＮｏ．５と
同様にＣＨ３ＦおよびＯ２ガスのみとし、これらガスの
流量および高周波電力を表２のように変化させてエッチ
ングを行った。なお、サセプタとシャワーヘッドとのギ
ャップは２７ｍｍとした。
【００３４】
【表２】
【００３５】その結果、表２に示すように、エッチング
レートが１３０ｎｍ／ｍｉｎ以上、エッチング選択比が
１０．７以上という値が得られた。
レートが１３０ｎｍ／ｍｉｎ以上、エッチング選択比が
１０．７以上という値が得られた。
【００３６】次に、上記エッチング装置を用いてＳｉＮ
膜をエッチングする方法について説明する。ここでは、
上記ＳｉＣ膜の代わりにＳｉＮ膜を設けた構造、すなわ
ち図３の（ａ）に示すように、例えばＣｕからなる配線
層６０上にバリア層としてのＳｉＮ膜６４を形成し、そ
の上に有機Ｓｉ系低誘電率膜からなる層間絶縁膜６２を
形成した構造体において、レジスト層６３をマスクとし
て層間絶縁膜６２をエッチングして図３の（ｂ）に示す
構造を作成した後、層間絶縁膜６２をマスクとしてＳｉ
Ｎ膜をエッチングする。
膜をエッチングする方法について説明する。ここでは、
上記ＳｉＣ膜の代わりにＳｉＮ膜を設けた構造、すなわ
ち図３の（ａ）に示すように、例えばＣｕからなる配線
層６０上にバリア層としてのＳｉＮ膜６４を形成し、そ
の上に有機Ｓｉ系低誘電率膜からなる層間絶縁膜６２を
形成した構造体において、レジスト層６３をマスクとし
て層間絶縁膜６２をエッチングして図３の（ｂ）に示す
構造を作成した後、層間絶縁膜６２をマスクとしてＳｉ
Ｎ膜をエッチングする。
【００３７】このエッチングに際しては、上記エッチン
グ装置１のサセプタ３とシャワーヘッド２１とのギャッ
プを例えば８０ｍｍに設定し、ゲートバルブ３２を開放
して、図３の（ｂ）に示すＳｉＮ膜６４上に所定パター
ンにエッチングされた有機Ｓｉ系低誘電率膜（ｌｏｗ−
ｋ膜）からなる層間絶縁膜６２を有するウエハＷをチャ
ンバー２内へ搬入し、サセプタ３上に載置し、静電チャ
ック１１にて静電吸着させた後、ゲートバルブ３２を閉
じ、排気装置３５によって、チャンバー２内を所定の真
空度まで真空引きする。
グ装置１のサセプタ３とシャワーヘッド２１とのギャッ
プを例えば８０ｍｍに設定し、ゲートバルブ３２を開放
して、図３の（ｂ）に示すＳｉＮ膜６４上に所定パター
ンにエッチングされた有機Ｓｉ系低誘電率膜（ｌｏｗ−
ｋ膜）からなる層間絶縁膜６２を有するウエハＷをチャ
ンバー２内へ搬入し、サセプタ３上に載置し、静電チャ
ック１１にて静電吸着させた後、ゲートバルブ３２を閉
じ、排気装置３５によって、チャンバー２内を所定の真
空度まで真空引きする。
【００３８】この状態でエッチングガス供給源３０から
所定のエッチングガスをチャンバー２内へ供給する。こ
こではＳｉＮ膜６４をエッチングするために、エッチン
グガス供給源３０は、ＣＨ２Ｆ２ガス源、Ｏ２ガス源、
およびＡｒガス源を有しており、これらから、それぞれ
ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｏ２ガス、およびＡｒガスをチャンバ
ー２内へ供給する。そして、高周波電源４０からシャワ
ーヘッド２１に所定の周波数の高周波電力を印加し、こ
れにより、上部電極としてのシャワーヘッド２１と下部
電極としてのサセプタ３との間に高周波電界を生じさ
せ、上記ＣＨ２Ｆ ２ガス、Ｏ２ガス、およびＡｒガスを
プラズマ化し、図３の（ｃ）に示すように、これらをＳ
ｉＮ膜６４に作用させてＳｉＮ膜６４のエッチングを進
行させる。このとき、高周波電源５０から下部電極であ
るサセプタ３に所定の周波数の高周波電力を印加してプ
ラズマ中のイオンをサセプタ３側へ引き込むようにす
る。この際に、Ａｒ量に応じてチャンバー２内のガス圧
力を調整してエッチングを行う。
所定のエッチングガスをチャンバー２内へ供給する。こ
こではＳｉＮ膜６４をエッチングするために、エッチン
グガス供給源３０は、ＣＨ２Ｆ２ガス源、Ｏ２ガス源、
およびＡｒガス源を有しており、これらから、それぞれ
ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｏ２ガス、およびＡｒガスをチャンバ
ー２内へ供給する。そして、高周波電源４０からシャワ
ーヘッド２１に所定の周波数の高周波電力を印加し、こ
れにより、上部電極としてのシャワーヘッド２１と下部
電極としてのサセプタ３との間に高周波電界を生じさ
せ、上記ＣＨ２Ｆ ２ガス、Ｏ２ガス、およびＡｒガスを
プラズマ化し、図３の（ｃ）に示すように、これらをＳ
ｉＮ膜６４に作用させてＳｉＮ膜６４のエッチングを進
行させる。このとき、高周波電源５０から下部電極であ
るサセプタ３に所定の周波数の高周波電力を印加してプ
ラズマ中のイオンをサセプタ３側へ引き込むようにす
る。この際に、Ａｒ量に応じてチャンバー２内のガス圧
力を調整してエッチングを行う。
【００３９】このようにエッチングガスとしてＣＨ２Ｆ
２およびＯ２を上記所定比率で導入し、Ａｒ量に応じて
チャンバー２内のガス圧力を調整することにより、エッ
チングレートを高く維持したまま、ＳｉＮ膜のｌｏｗ−
ｋ膜に対するエッチング選択比を上昇させることができ
る。
２およびＯ２を上記所定比率で導入し、Ａｒ量に応じて
チャンバー２内のガス圧力を調整することにより、エッ
チングレートを高く維持したまま、ＳｉＮ膜のｌｏｗ−
ｋ膜に対するエッチング選択比を上昇させることができ
る。
【００４０】具体的には、図４に示すような関係が得ら
れる。図４は、ＣＨ２Ｆ２を０．０１Ｌ／ｍｉｎ、Ｏ２
を０．０１Ｌ／ｍｉｎの流量に固定し、Ａｒ流量をＡｒ
／（ＣＨ２Ｆ２＋Ｏ２）が０〜１５に対応する０〜０．
３Ｌ／ｍｉｎの範囲、チャンバー内ガス圧力を好ましい
範囲である１．３〜１２．０Ｐａの間で変化させてＳｉ
Ｎ膜をエッチングした結果を示す図である。ここでは、
シャワーヘッドに６０ＭＨｚ、１５００Ｗの高周波電力
を印加し、サセプタに２ＭＨｚ、１００Ｗの高周波電力
を印加した。この図に示すように、図４の斜線の領域で
ＳｉＮ膜のエッチングレートが１００ｎｍ／ｍｉｎ以上
でｌｏｗ−ｋ膜に対するエッチング選択比が１０以上と
なった。すなわち、Ａｒ流量が０〜０．３Ｌ／ｍｉｎ、
チャンバー内ガス圧力が１．３〜１２．０Ｐａの範囲に
おいて、Ａｒ流量に応じて適正なガス圧力があることが
わかる。
れる。図４は、ＣＨ２Ｆ２を０．０１Ｌ／ｍｉｎ、Ｏ２
を０．０１Ｌ／ｍｉｎの流量に固定し、Ａｒ流量をＡｒ
／（ＣＨ２Ｆ２＋Ｏ２）が０〜１５に対応する０〜０．
３Ｌ／ｍｉｎの範囲、チャンバー内ガス圧力を好ましい
範囲である１．３〜１２．０Ｐａの間で変化させてＳｉ
Ｎ膜をエッチングした結果を示す図である。ここでは、
シャワーヘッドに６０ＭＨｚ、１５００Ｗの高周波電力
を印加し、サセプタに２ＭＨｚ、１００Ｗの高周波電力
を印加した。この図に示すように、図４の斜線の領域で
ＳｉＮ膜のエッチングレートが１００ｎｍ／ｍｉｎ以上
でｌｏｗ−ｋ膜に対するエッチング選択比が１０以上と
なった。すなわち、Ａｒ流量が０〜０．３Ｌ／ｍｉｎ、
チャンバー内ガス圧力が１．３〜１２．０Ｐａの範囲に
おいて、Ａｒ流量に応じて適正なガス圧力があることが
わかる。
【００４１】また、上部電極であるシャワーヘッド２１
における高周波電圧のピークトゥピーク（peak to pea
k）値Ｖppの値が３００Ｖ以下であることが好ましい。
このようにＶppを規定することによりｌｏｗ−ｋ膜に対
するエッチング選択比３０以上という高い値を得ること
ができる。
における高周波電圧のピークトゥピーク（peak to pea
k）値Ｖppの値が３００Ｖ以下であることが好ましい。
このようにＶppを規定することによりｌｏｗ−ｋ膜に対
するエッチング選択比３０以上という高い値を得ること
ができる。
【００４２】次に、好ましい条件の範囲内で実際にｌｏ
ｗ−ｋ膜をマスクとしてＳｉＮ膜をエッチングした結果
について説明する。ここでは、ｌｏｗ−ｋ膜としてポリ
メチルシロキサンを主成分とするものを用い、エッチン
グガスとして、ＣＨ２Ｆ２を０．０１Ｌ／ｍｉｎ、Ｏ２
を０．０１Ｌ／ｍｉｎ、Ａｒを０．１Ｌ／ｍｉｎの流量
でチャンバー内に導入し、チャンバー内の圧力を６．６
５Ｐａとし、シャワーヘッドにプラズマ形成用の６０Ｍ
Ｈｚ、１５００Ｗの高周波電力を供給し、サセプタにイ
オン引き込み用の２ＭＨｚ、１００Ｗの高周波電力を供
給してエッチングを行った。なお、サセプタとシャワー
ヘッドとのギャップは３５ｍｍとした。その結果、エッ
チングレートは、センターで２３２．５ｎｍ／ｍｉｎ、
エッジで２５０．０ｎｍ／ｍｉｎであり、エッチング選
択比はｌｏｗ−ｋ膜のショルダー部分で１０以上であっ
た。この際のＶppの値は２５２Ｖであった。
ｗ−ｋ膜をマスクとしてＳｉＮ膜をエッチングした結果
について説明する。ここでは、ｌｏｗ−ｋ膜としてポリ
メチルシロキサンを主成分とするものを用い、エッチン
グガスとして、ＣＨ２Ｆ２を０．０１Ｌ／ｍｉｎ、Ｏ２
を０．０１Ｌ／ｍｉｎ、Ａｒを０．１Ｌ／ｍｉｎの流量
でチャンバー内に導入し、チャンバー内の圧力を６．６
５Ｐａとし、シャワーヘッドにプラズマ形成用の６０Ｍ
Ｈｚ、１５００Ｗの高周波電力を供給し、サセプタにイ
オン引き込み用の２ＭＨｚ、１００Ｗの高周波電力を供
給してエッチングを行った。なお、サセプタとシャワー
ヘッドとのギャップは３５ｍｍとした。その結果、エッ
チングレートは、センターで２３２．５ｎｍ／ｍｉｎ、
エッジで２５０．０ｎｍ／ｍｉｎであり、エッチング選
択比はｌｏｗ−ｋ膜のショルダー部分で１０以上であっ
た。この際のＶppの値は２５２Ｖであった。
【００４３】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形が可能である。例えば上記実施の形
態ではＳｉＣ膜のエッチングについて有機Ｓｉ系低誘電
率膜の下層に形成されたもののエッチングについて示し
たが、これに限るものではない。また、有機Ｓｉ系低誘
電率膜としてポリオルガノシロキサンを用いたがこれに
限るものではない。さらに、上記実施形態では、エッチ
ング装置として、チャンバー内に上部電極としてのシャ
ワーヘッドおよび下部電極としてのサセプタを対向する
ように設け、サセプタにウエハを支持させた状態で、エ
ッチングガスを導入しつつ、シャワーヘッドにプラズマ
形成用の高周波電力を印加し、サセプタにイオン引き込
み用の高周波電力を印加する構成のものを用いたが、こ
れに限るものではなく、例えば、上部電極および下部電
極のいずれか一方に高周波電力を印加する構造のもので
あってもよいし、また、磁界を重畳させたマグネトロン
プラズマエッチングを行うものであってもよい。
ることなく種々変形が可能である。例えば上記実施の形
態ではＳｉＣ膜のエッチングについて有機Ｓｉ系低誘電
率膜の下層に形成されたもののエッチングについて示し
たが、これに限るものではない。また、有機Ｓｉ系低誘
電率膜としてポリオルガノシロキサンを用いたがこれに
限るものではない。さらに、上記実施形態では、エッチ
ング装置として、チャンバー内に上部電極としてのシャ
ワーヘッドおよび下部電極としてのサセプタを対向する
ように設け、サセプタにウエハを支持させた状態で、エ
ッチングガスを導入しつつ、シャワーヘッドにプラズマ
形成用の高周波電力を印加し、サセプタにイオン引き込
み用の高周波電力を印加する構成のものを用いたが、こ
れに限るものではなく、例えば、上部電極および下部電
極のいずれか一方に高周波電力を印加する構造のもので
あってもよいし、また、磁界を重畳させたマグネトロン
プラズマエッチングを行うものであってもよい。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＣＨ２Ｆ２を含むガスまたはＣＨ３Ｆを含むガスでＳｉ
Ｃをエッチングすることにより、高いエッチングレート
を得ることができる。また、ＣＨ２Ｆ２を含むガスまた
はＣＨ３Ｆを含むガスで有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスク
としてＳｉＣをエッチングすれば、エッチングレートお
よび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を
高くしてエッチングすることができる。また、ＣＨ２Ｆ
２およびＯ２を含むガスで有機Ｓｉ系低誘電率膜をマス
クとしてＳｉＮをエッチングすることにより、エッチン
グレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチン
グ選択比を高くしてエッチングすることができる。
ＣＨ２Ｆ２を含むガスまたはＣＨ３Ｆを含むガスでＳｉ
Ｃをエッチングすることにより、高いエッチングレート
を得ることができる。また、ＣＨ２Ｆ２を含むガスまた
はＣＨ３Ｆを含むガスで有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスク
としてＳｉＣをエッチングすれば、エッチングレートお
よび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を
高くしてエッチングすることができる。また、ＣＨ２Ｆ
２およびＯ２を含むガスで有機Ｓｉ系低誘電率膜をマス
クとしてＳｉＮをエッチングすることにより、エッチン
グレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチン
グ選択比を高くしてエッチングすることができる。
【図１】本発明のエッチング方法を実施するためのドラ
イエッチング装置の一例を示す概略断面図。
イエッチング装置の一例を示す概略断面図。
【図２】配線層の上にＳｉＣ膜が形成され、さらにその
上に有機Ｓｉ系低誘電率膜が形成された構造体、および
その構造体において有機Ｓｉ系低誘電率膜に引き続いて
ＳｉＣ膜をエッチングする状態を示す断面図。
上に有機Ｓｉ系低誘電率膜が形成された構造体、および
その構造体において有機Ｓｉ系低誘電率膜に引き続いて
ＳｉＣ膜をエッチングする状態を示す断面図。
【図３】配線層の上にＳｉＮ膜が形成され、さらにその
上に有機Ｓｉ系低誘電率膜が形成された構造体、および
その構造体において有機Ｓｉ系低誘電率膜に引き続いて
ＳｉＮ膜をエッチングする状態を示す断面図。
上に有機Ｓｉ系低誘電率膜が形成された構造体、および
その構造体において有機Ｓｉ系低誘電率膜に引き続いて
ＳｉＮ膜をエッチングする状態を示す断面図。
【図４】ＳｉＮ膜のエッチングにおいて、Ａｒ量および
ガス圧力と、ＳｉＮ膜のエッチングレートおよびＳｉＮ
膜の有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比と
の関係を示すグラフ。
ガス圧力と、ＳｉＮ膜のエッチングレートおよびＳｉＮ
膜の有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比と
の関係を示すグラフ。
１；エッチング装置
２；チャンバー
３；サセプタ
２１；シャワーヘッド
３０；エッチングガス供給源
４０，５０；高周波電源
６１；ＳｉＣ膜
６２；層間絶縁膜（有機Ｓｉ系低誘電率膜）
６４；ＳｉＮ膜
Ｗ；半導体ウエハ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F004 AA05 BA07 BB11 BB15 BB18
BB22 BB25 BB29 BC02 BC06
DA00 DA01 DA15 DA23 DA26
DB07 DB19 EA03 EB02
5F033 HH11 QQ09 QQ10 QQ15 QQ28
QQ30 QQ35 RR01 RR06 RR23
TT04 XX03 XX24
Claims (9)
- 【請求項１】 ＳｉＣ部分を含む被処理体を処理容器内
に収容し、被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプ
ラズマによりエッチングするエッチング方法であって、
エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２を含むガスを用いるこ
とを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 前記ガスはさらにＯ２を含むことを特徴
とする請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記ガスはさらにＡｒを含むことを特徴
とする請求項２に記載のエッチング方法。 - 【請求項４】 ＳｉＣ部分を含む被処理体を処理容器内
に収容し、被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプ
ラズマによりエッチングするエッチング方法であって、
エッチングガスとしてＣＨ３Ｆを含むガスを用いること
を特徴とするエッチング方法。 - 【請求項５】 前記ガスはさらにＯ２を含むことを特徴
とする請求項４に記載のエッチング方法。 - 【請求項６】 前記ガスはさらにＣＦ４を含むことを特
徴とする請求項４または請求項５に記載のエッチング方
法。 - 【請求項７】 前記ガスはさらにＡｒを含むことを特徴
とする請求項４から請求項６のいずれか１項に記載のエ
ッチング方法。 - 【請求項８】 有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被
処理体のＳｉＣ部分をエッチングすることを特徴とする
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のエッチン
グ方法。 - 【請求項９】 ＳｉＮ部分を含む被処理体を処理容器内
に収容し、被処理体のＳｉＮ部分をエッチングガスのプ
ラズマによりエッチングするエッチング方法であって、
エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２およびＯ２を含むガス
を用い、前記ＳｉＮ部分を有機Ｓｉ系低誘電率膜をマス
クとしてエッチングすることを特徴とするエッチング方
法。
Priority Applications (8)
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|---|---|---|---|
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| CN2009101386215A CN101593677B (zh) | 2001-08-31 | 2002-06-10 | 被处理体的蚀刻方法 |
| PCT/JP2002/005748 WO2003021652A1 (en) | 2001-08-31 | 2002-06-10 | Method for etching object to be processed |
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| US10/486,363 US7432207B2 (en) | 2001-08-31 | 2002-06-10 | Method for etching object to be processed |
| TW091118087A TW578221B (en) | 2001-08-31 | 2002-08-12 | Method for etching object to be processed |
| US11/620,501 US7507673B2 (en) | 2001-08-31 | 2007-01-05 | Method for etching an object to be processed |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264500A JP2003077896A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | エッチング方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP2003077896A (ja) |
| CN (1) | CN101593677B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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