JP7403961B2 - インプリント方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1~図4を用いて、実施形態のインプリント方法および半導体装置の製造方法について説明する。
図1は、実施形態にかかるインプリント装置100の構成例を示す図である。
図2は、実施形態にかかるインプリント装置100によるインプリント処理の手順の一例を示すフロー図である。インプリント処理は半導体装置の製造処理に含まれる。
次に、図3を用いて、インプリント処理におけるレジストRの充填について説明する。図3は、実施形態にかかるインプリント処理においてレジストRが充填される様子を示す図である。
比較例のインプリント処理においては、レジストはウェハ上の被加工膜上に直接、滴下される。しかしながら、このような構成では、未充填領域内の雰囲気がレジスト外に排出されるまで長時間を要する。よって、レジストの充填が完了するまでに時間がかかり、インプリント処理のスループットが低下してしまう場合がある。
次に、実施形態の変形例1のインプリント処理について説明する。変形例1のインプリント処理では、SOC膜CLに親水化処理を施す点が、上述の実施形態とは異なる。
次に、図4を用いて、実施形態の変形例2の半導体装置の製造処理について説明する。変形例2の半導体装置の製造処理では、SOC膜CLをマスクとしても用いている点が、上述の実施形態とは異なる。
次に、実施例のインプリント方法に適用されるSOC膜A~Eについて説明する。
Claims (2)
- 基板上に酸素含有量が10重量%以下であるSOC(Spin On Carbon)
膜を形成するステップと、
前記SOC膜が形成された前記基板上に被転写材料を滴下または塗布するステップと、
表面にパターンが形成されたテンプレートを前記被転写材料に接触させるステップと、
前記テンプレートを介して光照射を行って前記被転写材料を硬化させるステップと、
前記パターンが転写された前記被転写材料から前記テンプレートを離型するステップと
、を含み、
前記SOC膜を形成するステップでは、
前記SOC膜の表面を親水化するステップを含む、
インプリント方法。 - 前記SOC膜の表面を親水化するステップでは、
前記SOC膜の表面に対して、酸素プラズマ処理、オゾン水処理、及び真空雰囲気での
紫外線照射処理の少なくともいずれかを行う、
請求項1に記載のインプリント方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100038649A1 (en) | 2008-08-14 | 2010-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mold, manufacturing method of mold, method for forming patterns using mold, and display substrate and display device manufactured by using method for forming patterns |
US20120037592A1 (en) | 2010-08-16 | 2012-02-16 | Tokyo Electron Limited | Method for high aspect ratio patterning in a spin-on layer |
JP2012252083A (ja) | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Az Electronic Materials Ip Ltd | 微細パターンマスクおよびその製造方法、ならびにそれを用いた微細パターンの形成方法 |
JP2017118062A (ja) | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2018112674A (ja) | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 株式会社ニコン | パターン形成方法 |
JP2018142701A (ja) | 2017-02-24 | 2018-09-13 | キヤノン株式会社 | エッチングマスク構造を形成するための方法およびマルチスタック層 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7939131B2 (en) * | 2004-08-16 | 2011-05-10 | Molecular Imprints, Inc. | Method to provide a layer with uniform etch characteristics |
KR100772639B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2007-11-02 | 한국기계연구원 | 다이아몬드상 카본 박막을 이용한 미세 임프린트리소그래피용 스탬프 및 그 제조방법 |
WO2007116469A1 (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujitsu Limited | パターン転写方法およびパターン転写装置 |
JP2010149482A (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | インプリント用モールドおよびパターン形成方法 |
JP2012009742A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びインプリント材料 |
US20130224503A1 (en) * | 2010-09-21 | 2013-08-29 | Lintec Corporation | Formed body, production method thereof, electronic device member and electronic device |
CN104210046B (zh) * | 2011-06-23 | 2017-05-10 | 旭化成株式会社 | 微细图案形成用积层体 |
JP5860244B2 (ja) * | 2011-08-24 | 2016-02-16 | 大日本印刷株式会社 | レジストパターン形成方法、並びにそれを用いたナノインプリント用モールド、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2013069921A (ja) | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | インプリント方法 |
JP2014040046A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Asahi Glass Co Ltd | 微細パターンを表面に有する成形体および該成形体の製造方法 |
JP6328001B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2018-05-23 | キヤノン株式会社 | インプリント用硬化性組成物、膜、膜の製造方法 |
US9349604B2 (en) * | 2013-10-20 | 2016-05-24 | Tokyo Electron Limited | Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications |
JP6468147B2 (ja) | 2015-02-05 | 2019-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 研磨装置、塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 |
KR102419881B1 (ko) * | 2017-08-10 | 2022-07-12 | 캐논 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법 |
WO2020066442A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用下層膜形成用組成物、下層膜、パターン形成方法および半導体素子の製造方法 |
WO2020184497A1 (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用の下層膜形成用組成物、下層膜形成用組成物の製造方法、キット、パターン製造方法、および半導体素子の製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100038649A1 (en) | 2008-08-14 | 2010-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mold, manufacturing method of mold, method for forming patterns using mold, and display substrate and display device manufactured by using method for forming patterns |
US20120037592A1 (en) | 2010-08-16 | 2012-02-16 | Tokyo Electron Limited | Method for high aspect ratio patterning in a spin-on layer |
JP2012252083A (ja) | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Az Electronic Materials Ip Ltd | 微細パターンマスクおよびその製造方法、ならびにそれを用いた微細パターンの形成方法 |
JP2017118062A (ja) | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2018112674A (ja) | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 株式会社ニコン | パターン形成方法 |
JP2018142701A (ja) | 2017-02-24 | 2018-09-13 | キヤノン株式会社 | エッチングマスク構造を形成するための方法およびマルチスタック層 |
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