JP2017118062A - パターン形成方法 - Google Patents

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雅伸 馬場
Masanobu Baba
雅伸 馬場
達朗 篠崎
Tatsuro Shinozaki
達朗 篠崎
太志 石倉
Taishi Ishikura
太志 石倉
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Abstract

【課題】テンプレートとウェハとの間の位置合わせ精度を向上させることができるパターン形成方法を提供すること。【解決手段】実施形態によれば、パターン形成方法が提供される。前記パターン形成方法は、補助パターン形成ステップと、インプリントステップと、を含んでいる。前記補助パターン形成ステップでは、基板上で中央領域よりも高さが低い外周領域の少なくとも一部に対して、所定の高さを有した補助パターンが形成される。前記インプリントステップでは、前記中央領域の一部と前記外周領域の一部とを含むショット領域に、テンプレートを用いてインプリント処理が実行される。【選択図】図2

Description

本発明の実施形態は、パターン形成方法に関する。

インプリント工程では、テンプレートがウェハ上のレジストに押し当てられる。このようなインプリント工程では、ウェハ上の素子パターン形成領域(中央部)と外周領域との段差が原因で、テンプレートとウェハとの間の位置合わせ精度が悪化する。そして、位置合わせ精度が悪化すると、形成された素子が動作しない。このため、テンプレートとウェハとの間の位置合わせ精度を向上させることが望まれている。

特開2015−79915号公報

本発明が解決しようとする課題は、テンプレートとウェハとの間の位置合わせ精度を向上させることができるパターン形成方法を提供することである。

実施形態によれば、パターン形成方法が提供される。前記パターン形成方法は、補助パターン形成ステップと、インプリントステップと、を含んでいる。前記補助パターン形成ステップでは、基板上で中央領域よりも高さが低い外周領域の少なくとも一部に対して、所定の高さを有した補助パターンが形成される。前記インプリントステップでは、前記中央領域の一部と前記外周領域の一部とを含むショット領域に、テンプレートを用いてインプリント処理が実行される。

図1は、第1の実施形態に係る補助パターンの構成を示す図である。 図2は、第1の実施形態に係るインプリント処理を説明するための図である。 図3は、ウェハに設定されるショットを示す上面図である。 図4は、不完全ショットおよび無効ショットを示す上面図である。 図5は、第2の実施形態に係る補助パターンの構成を示す図である。 図6は、第2の実施形態に係るノズルからの薬液吐出の始点および終点を説明するための図である。 図7は、第4の実施形態に係る補助パターンの構成例(1)を示す図である。 図8は、第4の実施形態に係る補助パターンの構成例(2)を示す図である。 図9は、形状が調整された柱状補助パターンを示す図である。 図10は、第5の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(1)を説明するための図である。 図11は、第5の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(2)を説明するための図である。 図12は、第6の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(1)を説明するための図である。 図13は、第6の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(2)を説明するための図である。 図14は、第7の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(1)を説明するための図である。 図15は、第7の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(2)を説明するための図である。

以下に添付図面を参照して、実施形態に係るパターン形成方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。

(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る補助パターンの構成を示す図である。図1の(a)は、パターンの被転写基板であるウェハWAの断面図を示している。また、図1の(b)は、ウェハWAの上面図を示している。

ウェハWAは、円状の中央領域が素子形成領域11であり、円環状の外周領域15が素子パターンの形成されない領域(完全なチップの取れない領域)である。ウェハWAでは、素子形成領域11よりも外周領域15の高さが低くなっている。本実施形態では、外周領域15の一部に所定高さの補助パターン10Aが形成される。具体的には、外周領域15のうちの内側領域に補助パターン10Aが形成される。外周領域15のうち、補助パターン10Aが形成されない領域が、外端領域12である。したがって、補助パターン10Aが形成される領域は、素子形成領域11と外端領域12とに挟まれた領域である。

補助パターン10Aは、円環状の上面形状を有したパターンである。ウェハWAでは、補助パターン10Aの上面と、素子形成領域11の上面とが略同じ高さになるよう、補助パターン10Aが形成される。補助パターン10Aの外周側の円弧および内周側の円弧は、ウェハWAの外周円弧と同心円の円弧である。

素子形成領域11と、外周領域15とでは、製造工程中の成膜やエッチングなどが原因で数十から数百nmの多重の段差が発生する。ウェハWAでは、一般的に工程が後になるほど(工程が進むほど)、ウェハ段差の合計高さおよび段差の数が増大する。例えば、素子形成領域11に対する外周領域15の凹みは、内周側ほど少なく、外周側ほど大きい。

本実施形態では、以下の説明において、特に断りがない場合には、外周領域15の最も内側の高さと、素子形成領域11の平均的な高さとの差を、ウェハ段差の代表例として説明する。ただし、外周領域15に対するウェハ段差が数nmなどのように非常に小さい場合には、ウェハ段差が所定値よりも大きな領域をウェハ段差の対象としてもよい。このように、ウェハ段差は、外周領域15のうちの何れかの領域の高さと、素子形成領域11の平均的な高さとの差である。

本実施形態では、インプリント装置が、補助パターン10Aの形成されたウェハWAに対してNIL(Nano Imprint Lithography)などのインプリントリソグラフィーを行う。インプリント装置は、インプリントリソグラフィーの際に、テンプレートT1をウェハWA上のレジストに接触させる処理(インプリント)を行う。なお、以下の説明では、インプリントで用いられるレジストを、フォトレジストと区別するためにNILレジストという。インプリント装置のテンプレートT1とウェハWAとのパターン位置合わせは、間にNILレジスト36が介在した状態でテンプレートT1上およびウェハWA上の位置合わせマークを検出し、ずれ量に合わせてテンプレートT1とウェハWAの相対移動、テンプレートT1and/orウェハWAの変形の一つ以上の操作を実施する。テンプレートT1とウェハWAが意図しない接触をしている場合、前記相対移動が阻害される場合がある。

インプリントが行われる際には、素子形成領域11上と、補助パターン10A上とにNILレジストが配置される。したがって、ウェハWAの外周領域15近傍のショット(外周部ショット)にインプリントが行われる際には、補助パターン10A上のNILレジストにもテンプレートT1が押し当てられる。この結果、外周部ショットにインプリントが行われる際にテンプレートT1が歪曲することを防止できる。したがって、テンプレートT1が外周領域15に接触することを防止できる。

本実施形態のパターン形成方法は、例えば、素子形成領域11からの凹み(ウェハ段差の高さ)が数十nmから数百nmであり、かつウェハ段差の幅が百μm以上であるウェハWAに適用される。なお、本実施形態のパターン形成方法が適用されるウェハ段差は、適用されるウェハWA、使用されるテンプレートT1の材質、一度の押印で形成されるインプリントパターン領域の大きさなどによって変化する。また、上述したウェハ段差の高さや幅は一例であり、何れのサイズのウェハ段差に本実施形態のパターン形成方法が適用されてもよい。なお、以下の説明では、作図の簡便の為に、ウェハWAの構造を示す断面図(径方向断面の模式図)において、ウェハ段差を、垂直に形成された多重ステップとして図示する場合がある。

図2は、第1の実施形態に係るインプリント処理を説明するための図である。ウェハWA上に補助パターン10Aが形成された後、素子形成領域11の上面および補助パターン10Aの上面にNILレジスト36が滴下される。この後、石英基板等を掘り込んで作ったテンプレートT1がNILレジスト36に押し当てられる。このとき、テンプレートT1は、NILレジスト36を介して素子形成領域11および補助パターン10Aを押す。テンプレートT1をNILレジスト36に接触させると、毛細管現象によりテンプレートT1のテンプレートT1パターン内にNILレジスト36が流入する。

予め設定しておいた時間だけ、NILレジスト36をテンプレートT1に充填させた後、透明なテンプレートT1上からUV光が照射される。これにより、NILレジスト36が硬化する。テンプレートT1が、硬化したNILレジスト36から離型されることにより、テンプレートパターンを反転させたレジストパターンがウェハWA上に形成される。

ここで、ウェハWAに設定されるショットの配置位置について説明する。図3は、ウェハに設定されるショットを示す上面図である。ウェハWA上にマス目で示される矩形状の領域がショットである。ショットは、フォトリソグラフィーの露光単位またはインプリントリソグラフィーの押当て単位である。

ウェハWAに配置されるショットには、完全ショット21と、不完全ショット22と、無効ショット23と、がある。完全ショット21は、外周領域15に全く重ならないショットである。

不完全ショット22および無効ショット23は、ウェハ外周部のマス目が外周領域15に重なるショットである。具体的には、不完全ショット22は、ショットの一部が外周領域15に含まれ、且つ有効なチップが少なくとも1つ含まれているショットである。無効ショット23は、ショットの一部が外周領域15に含まれ、且つ有効なチップが1つも取れないショットである。

ショット内には、複数チップが配置されることが一般的であるので、不完全ショット22へは、工程毎に適切な範囲においてパターンが形成される場合がある。素子の構造や製造工程(レイヤ)によっては、不完全ショット22内の外周領域15の高さに以下の2つの場合がある。
(1)不完全ショット22内の外周領域15の高さが、チップが形成されない領域(チップ無し領域24)とほぼ等しい場合
(2)不完全ショット22内の外周領域15の高さが、完全ショット21の高さとチップ無し領域24の高さとの間に位置する場合

本実施形態では、不完全ショット22内の外周領域15の高さが、チップ無し領域24とほぼ等しい場合である(1)について説明する。なお、不完全ショット22内の外周領域15の高さは、上記(2)の場合であってもよい。

ここで、不完全ショット22および無効ショット23の具体例について説明する。図4は、不完全ショットおよび無効ショットを示す上面図である。図4の(a)は、不完全ショット22の一例を示し、図4の(b)は、無効ショット23の一例を示している。ここでは、1ショットが6チップで構成される場合の不完全ショット22および無効ショット23について説明する。

不完全ショット22は、少なくとも1チップが素子形成領域11内に入っている。図4の(a)では、不完全ショット22のうちの最も内側のショット25Aが素子形成領域11内に入っている場合を示している。

また、無効ショット23は、1つのチップも素子形成領域11内に入っていない。図4の(b)では、無効ショット23のうちの最も内側のショット25Bも素子形成領域11内に入っていない場合を示している。

インプリントで形成されるパターンの形成材料(NILレジスト)とウェハWAとの間には必要に応じて、各種の塗布膜が形成されていてもよい。例えば、ウェハWA上には、SOC(Spun On Carbon)と略称される塗布型有機膜、SOG(Spun On Glass)と略称される塗布型シリコン酸化物径樹脂、NILレジストと直下の膜との密着性を高める密着膜(Adhesion layer)などが形成されてもよい。

NILレジストは、ラジカル反応により重合する(メタ)アクリル系モノマーの有機材料に限られるものでない。NILレジストは、反応機構の側面からは、カチオン反応系の材料であってもよい。NILレジストは、材料組成の側面からは、シリコン含有材料、金属含有材料であってもよい。また、ウェハWAへは、NILレジストの材料に合わせて、SOG膜などが形成されなくてもよいし、或いはエッチングマスクや加工後除去に適切な他の材料が形成されてもよい。また、ウェハWAへは、加工マスクまたは加工ストッパ膜などのために、本実施形態で説明する構成に、他の膜が追加されてもよい。

なお、本実施形態では、光リソグラフィー用レジスト(フォトレジスト)は、照射光に対するパターン溶解部分の違いから、単純にポジレジストまたはネガレジストと記載するが、レジストのレジンの種類や反応機構、現像液の種類を規定するものではない。

本実施形態では、補助パターン10Aが、有機膜であり、かつ外周領域15内の段差領域に対して円環状に形成される場合について説明する。例えば、ウェハ段差の高さが、高さH1であるとする。この場合、ウェハWA上には、高さ(厚さ)H1のネガレジストが形成される。

ネガレジストの露光には、基板一括露光装置またはWEE(Wafer Edge Exposure)装置が用いられる。基板一括露光装置は、ウェハWAの所定領域を一括露光する装置である。WEE装置は、ウェハWAを回転させながら所定範囲を露光する装置である。基板一括露光装置またはWEE(Wafer Edge Exposure)装置は、ウェハWAに対し、外周領域15上の円環状領域(補助パターン領域)を選択的に露光する。この後、未露光領域に対して適切な加熱処理および現像処理が行われる。

この結果、ウェハWAの補助パターン領域に所定高さの円環状のネガレジストパターンからなる補助パターン10Aが形成される。ネガレジストパターンは、密着膜、NILレジストに対する不溶性が必要である。ネガレジストパターンへは、必要に応じて高温ベーク、UV(ultraviolet)光照射、EB(Electron Beam)照射、またはこれらの組合せなどの耐溶剤処理が実行される。NILレジストの塗布膜厚は、補助パターン10Aが形成される途中の現像工程や耐溶剤処理などによる膜厚変化を考慮して決定することが望ましい。

ネガレジストで補助パターン10Aが形成された後、補助パターン10A上に、密着膜が形成される。そして、ウェハWA上の素子形成領域11と、補助パターン10Aの配置されている領域のうちの所定範囲と、にNILレジストが配置される。この後、テンプレートT1がNILレジストに接触させられる。換言すると、テンプレートT1のNILレジストへの押印が実行される。なお、テンプレートT1をNILレジストに押し当ててもよいし、ウェハWA上のNILレジストをテンプレートT1に押し当ててもよい。

押印中のウェハWAとテンプレートT1との相対移動により、ウェハWAに対するテンプレートT1パターンの位置合わせが実行される。NILレジストの硬化に適切な条件でUV光が照射された後、テンプレートT1の離型が行なわれる。これにより、ウェハWA上にNILレジストパターンが形成される。

不完全ショット22に対しては、所望のパターン形成領域に対してのみNILレジストを供給しておくことが望ましい。換言すると、不完全ショット22に対しては、パターンを形成したい領域に対してのみNILレジストを配置しておくことが望ましい。補助パターン10A上へのNILレジストの配置範囲は、テンプレートT1とウェハWAとの間の位置合わせ精度の観点、および後続加工プロセスなどに基づいて、適切な範囲が選定される。

本実施形態では、外周領域15に補助パターン10Aが形成されている。このため、不完全ショット22の押印時において、素子形成領域11の外周部でNILレジストがウェハ段差の下側に流れることを防止できる。これにより、ウェハ段差(素子形成領域11と外周領域15との境界)におけるRLT(Residual Layer Thickness)の減少を防止できるので、NILレジストの流動性の低下を防止できる。また、テンプレートT1の外周領域15側への傾斜を防止できるので、テンプレートT1とウェハWAとが接触することを防止できる。したがって、テンプレートT1とウェハWAとの間の相対移動の抵抗増加を防止できる。この結果、パターン位置合わせ精度の悪化を防止できる。

外周領域15への露光時には、素子形成領域11と外周領域15との境界近傍に、ネガレジストの角(つの)構造である凸部が形成される場合がある。このため、ネガレジストの溶解性、露光位置精度、ウェハ段差の再現精度などを考慮して、角構造が形成されないように、素子形成領域11よりも外側に、補助パターン10Aの内側領域を定めることが望ましい。

補助パターン10A用のネガレジスト膜の塗布の際には、補助パターン10Aを形成する範囲よりも外側の外端領域12は、レジストエッジカットなどでネガレジストを除去することが適切な場合がある。これにより、補助パターン10Aよりも外側の外端領域12において、テンプレートT1と、外周領域15の内側から第二段差以降の領域(外端領域12)と、の接触を防止することが可能となる。

なお、NILレジストのウェハWAへの加工転写のために、ウェハWAとNILレジスト直下の密着膜との間に、塗布膜を形成してもよい。この場合、例えば、以下の例1〜例3などの構成が用いられる。
(例1)外周領域15の最表層(最上面)がポリシリコンなどのシリコン系膜である。また、塗布膜が、下からSOC膜、SOG膜、密着膜の順番で積層された積層膜である。そして、密着膜の上層側が有機系であるNILレジストである。
(例2)外周領域15の最表層がシリコン酸化膜である。また、塗布膜が、下からSOC膜、SOG膜、密着膜の順番で積層された積層膜である。そして、密着膜の上層側が、有機系であるNILレジスト膜である。
(例3)外周領域15の最表層がSiN膜である。また、塗布膜が、下からSOC膜、密着膜の順番で積層された積層膜である。そして、密着膜の上層側が、有機系であるNILレジスト膜である。この例3の場合、NILレジストのパターン形成後に、シリコン含有パターン反転塗布膜を形成し、パターン反転プロセスを用いてもよい。前記シリコン含有パターン反転塗布膜の形成後、NILレジストパターン上部が露出するまでシリコン含有パターン反転塗布膜をエッチバックし、次いで残ったシリコン含有パターン反転塗布膜を加工マスクとして、NILレジスト、SOC膜を加工することで、NILレジストパターンと反転したSOCパターンを形成する。

本実施形態では、一括露光装置を用いて補助パターン10Aを形成したが、ショット単位の露光を行う露光装置を用いて補助パターン10Aを形成してもよい。ネガレジストを用いて補助パターン10Aを形成する場合、不完全ショット22に対しては、補助パターン10Aの形成される領域が矩形状の領域に分割される。そして、各矩形状の領域が露光され、その他の領域は露光されない。

また、ポジレジストを用いて補助パターン10Aを形成する場合、不完全ショット22に対しては、補助パターン10A以外の領域(素子形成領域11)が矩形状の領域に分割される。そして、各矩形状の領域が露光され、補助パターン10Aは露光されない。

一方、一括露光装置を用いて補助パターン10Aを形成する場合、不完全ショット22内の領域を分割する必要がないので、効率良く補助パターン10Aを形成することが可能となる。

一般にポジレジストは、ネガレジストと比較して溶剤耐性が劣っている。このため、ポジレジストが用いられる場合には、NILレジストや、加工転写に必要な適切な塗布型加工マスクに対しての溶剤耐性を得るために適切な処理が行われる。ポジレジストが用いられる場合には、例えば、高温加熱、UV光照射、EB照射、イオン照射、プラズマ処理およびこれらの組合せの処理が、工程毎に選択されて実行される。

ところで、メタアクリル系またはアクリル系のNILレジストが使用される場合、Heや窒素などの不活性ガスなどによって低酸素雰囲気への置換が必要となる場合がある。本実施形態では、補助パターン10Aが素子形成領域11におけるNILレジストの配置領域よりも外側に存在する。このため、(メタ)アクリル系のNILレジストを使用した場合であっても、ウェハWAの外周の雰囲気からNILレジストに酸素が混入することを防止できる。したがって、低酸素雰囲気への置換を行うことなく、ウェハWA外周におけるNILレジストの未硬化が抑制される。これにより、NILレジストの未硬化のために、ウェハ段差近傍でNILレジストパターン形成領域を限定する必要がなくなる。この結果、ウェハWAから有効チップを取れる領域を増やすことが可能となる。

本実施形態では、NILレジストとして、UV硬化性の(メタ)アクリルモノマー系材料を用いる場合について説明した。また、インプリント装置として、UV硬化性の(メタ)アクリルモノマー系材料を用いた(UV)光インプリント装置を用いる場合について説明した。押印開始後にテンプレートT1とウェハWAとの相対移動を行うインプリントであれば、不完全ショット22におけるテンプレートT1とウェハWAとの接触、或いはRLTの過少による位置合わせ精度の悪化を抑制することができる。したがって、NILレジスト材料の種類、インプリント装置は、上述したものに限らない。また、NILレジストの効果挙動は、UV光照射に限るものではない。

インプリント工程での補助パターン10Aの形成は、例えばウェハプロセスのレイヤ毎に行われる。これにより、半導体装置(半導体集積回路)が製造される。具体的には、ウェハWA上に被加工膜が形成された後、外周領域15に補助パターン10Aが形成される。そして、素子形成領域11および補助パターン10AにNILレジスト36が滴下されたうえでインプリントが実行される。このインプリントによって形成されたNILレジストパターンをマスクとして被加工膜がエッチングされる。これにより、NILレジストパターンに対応する実パターンがウェハWA上に形成される。半導体装置を製造する際には、補助パターン10Aの形成処理、インプリント処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。

このように第1の実施形態では、ウェハWA上で素子形成領域11よりも高さが低い外周領域15の少なくとも一部に対して、所定の高さを有した補助パターン10Aが形成される。そして、素子形成領域11の一部と外周領域15の一部とを含むショット領域に、テンプレートT1を用いてインプリント処理が実行される。これにより、ウェハWAとテンプレートT1との接触を防止すること、或いは接触面積を低減させることができる。したがって、テンプレートT1とウェハWAとの間の位置合わせ精度を向上させることが可能となる。また、外周領域15において、テンプレートT1とウェハWAとの衝突を防止できるので、テンプレートT1の破損を防止することが可能となる。

(第2の実施形態)
つぎに、図5を用いて第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、ウェハWAへの塗布処理によって補助パターンが形成される。図5は、第2の実施形態に係る補助パターンの構成を示す図である。図5の(a)は、第2の実施形態に係るウェハWAの断面図を示している。また、図5の(b)は、第2の実施形態に係るウェハWAの上面図を示している。図5の各構成要素のうち図1に示す第1の実施形態のウェハWAと同一機能を達成する構成要素については同一符号を付しており、重複する説明は省略する。

本実施形態では、外周領域15の全体に補助パターン10Bが形成される。したがって、本実施形態では、ウェハWAに外端領域12が存在しない。また、本実施形態での補助パターン領域は、外周領域15と同じ領域である。補助パターン10Bは、円環状の上面形状を有したパターンである。補助パターン10Bの内周側の円弧は、ウェハWAの外周円弧と同心円の円弧である。ウェハWAでは、補助パターン10Bの上面と、素子形成領域11の上面とが略同じ高さになるよう、補助パターン10Bが形成される。

補助パターン10Bは、塗布装置などを用いて形成される。塗布装置の吐出ノズルは、外周領域15に対して所定の薬液を連続的に吐出する。この時、塗布装置は、吐出ノズルに対して相対的にウェハWAを回転させる。これにより、外周領域15に対して、薬液が塗布される。この結果、ウェハWAの外周領域15上には、円環状の補助パターン10Bが形成される。

薬液は、例えば、ネガレジストやポジレジストである。ポジレジストが用いられる場合には、NILレジストや、加工転写に必要な適切な塗布型加工マスクに対しての溶剤耐性を得るために適切な処理が行われる。ポジレジストが用いられる場合には、例えば、高温加熱、UV光照射、EB照射、およびこれらの組合せの処理が、工程毎に選択されて実行される。

補助パターン10Bは、必要に応じて乾燥処理および溶剤耐性付与処理などが行われる。補助パターン10Bは、乾燥工程および溶剤耐性付与工程によって、パターン高さが変化する場合がある。このため、溶剤耐性付与後にウェハWA上の素子形成領域11と補助パターン10Bとの間の段差に応じて、薬液の塗布工程条件が調整されてもよい。塗布工程条件の調整パラメータの主要素としては、薬液の種類(溶剤種、固形分量、添加物の種類)、塗布時のウェハ回転数あるいはノズル回転数、薬液吐出レートなどがある。

一筆書きで薬液を塗布する場合、吐出の始点および終点においては、補助パターン10Bの形成幅や高さが変化する。このため、パターン形成対象としない領域を、ウェハWA上の塗布の始点および終点とすることが望ましい。

図6は、吐出の始点および終点を説明するための図である。図6に示すように、ウェハWA上の領域のうち、1チップも取れないような狭小領域27は、ショットが配置されない。この狭小領域27が、パターン形成対象とならない領域であり、ウェハWA上の塗布の始点および終点に設定される。例えば、有効素子が取れないほど小さな領域であるためにN1L工程においてパターン形成対象とされない領域が、狭小領域27に設定される。

一筆書きで薬液を塗布する際には、ポンプによるストレートノズルが用いられてもよいし、吐出量を安定化するために静電ノズルが用いられてもよい。また、インクジェット法によって吐出された液滴を他の液滴に接触させて、円環状の補助パターン10Bが形成されてもよい。本実施形態で用いられる薬液としては、ノボラック系レジスト、SOC膜などがある。

このように第2の実施形態によれば、パターン露光工程や現像工程を用いることなく、塗布工程のみで補助パターン10Bを形成できるので、製造工程や製造エネルギーなどの各種コストや環境負荷を抑えることができる。

(第3の実施形態)
つぎに、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態では、所望値よりも厚く形成された領域がエッチングなどによって除去されることによって補助パターンが形成される。

第2の実施形態で説明した方法で補助パターン10Bが形成された場合、補助パターン10Bの形状に変動が生じる可能性がある。例えば、補助パターン10Bが形成される際の制御ゆらぎ、外周領域15の形状のウェハWA間の差、回転塗布時のウェハ回転方向での速度差などが発生する場合がある。この場合、不完全ショット22の高さ、素子形成領域11と補助パターン10Bとの間の距離、補助パターン10Bの高さなどに変動を生じることがある。

補助パターン10Bを形成する際には、ウェハWAに薬液が塗布される。このとき、本実施形態では、意図的に素子形成領域11に薬液が乗り上げられるよう、薬液が塗布される。この後、所定厚さのパターンがエッチング除去される。このとき、エッチング除去されるパターン(除去パターン)は、薬液で形成されたパターン(薬液パターン)のうち素子形成領域11に乗り上げられたパターンである。薬液パターンのうち、除去パターン以外のパターンが補助パターン10Bとなる。

具体的には、薬液塗布工程、薬液乾燥工程の後に、エッチング処理が行なわれ、素子形成領域11と同等の高さまで薬液パターンの一部がエッチング除去される。エッチング方法としては、ウェットエッチングが用いられることが望ましい。有機材料からなる補助パターン10Bのウェットエッチング薬液としては、SH(硫酸/過酸化水素)処理、DHF(希フッ酸)処理などの酸水溶液が用いられてもよいし、有機溶剤やアルカリ水溶液などが用いられてもよい。各種ウェットエッチングの後には、純水などの適切な洗浄工程が行われる。

補助パターン10Bのパターン材料(薬液)に対して耐溶剤処理を施す場合には、耐溶剤処理の前にウェットエッチングを施すことが望ましい。特に、ノボラック系レジストを用いる場合には、溶剤揮発を主目的とするPost Apply Bake工程後に、コリンないしはTMAH(Tetramethylammonium hydroxide)水溶液などのアルカリ水溶液を用いることが可能である。また、エッチング精度を高めるために、各種酸水溶液やアルカリ水溶液では濃度を低くし、適切な範囲でエッチングレートを低くすることが望ましい。これにより、安定した高さの補助パターン10Bを得ることが可能となる。

なお、エッチング方法としては、ドライエッチングが用いられてもよい。ドライエッチングとしては、酸素系ガスによる方法がある。ドライエッチングが用いられる場合には、ドライエッチング後に異物除去のための洗浄工程が行われてもよい。

このように第3の実施形態によれば、薬液パターンのうち素子形成領域11に乗り上げられたパターンが除去されるので、安定した高さの補助パターン10Bを得ることが可能となる。

(第4の実施形態)
つぎに、図7〜図9を用いて第4の実施形態について説明する。第4の実施形態では、補助パターンが複数の孤立した形状で構成される。

図7は、第4の実施形態に係る補助パターンの構成例(1)を示す図である。図7の(a)は、第3の実施形態に係るウェハWAの断面図を示している。また、図7の(b)は、第3の実施形態に係るウェハWAの上面図を示している。図7の各構成要素のうち図1に示す第1の実施形態のウェハWAと同一機能を達成する構成要素については同一符号を付しており、重複する説明は省略する。

本実施形態では、外周領域15の一部に複数パターンで構成された補助パターン10Cが形成される。補助パターン10Cは、図1で示した補助パターン10Aと同様の補助パターン領域に形成される。

補助パターン10Cが形成される際には、ウェハWAにレジスト膜が形成される。次いで、ウェハWA上のうち補助パターン10Cを形成する領域に選択露光が行われる。その後、ウェハWAが現像されて、補助パターン10Cが形成される。この場合において、使用するレジスト材料に応じて、第1〜第3の実施形態のように、必要に応じて耐溶剤処理が実行される。

本実施形態の露光領域は、第1の実施形態のように連続した1つの円環状領域でなく、独立した複数の領域である。ウェハWAは、例えば、複数の同心円状の円環状領域が露光される。これにより、補助パターン10Aの形成される補助パターン領域と同じ領域に、補助パターン10Cとしての複数の円環状パターンが形成される。補助パターン10Cのうちの各円環状パターンは、外周側の円弧および内周側の円弧が、ウェハWAの外周円弧と同心円の円弧である。

不完全ショット22への押印時には、補助パターン10Cの少なくとも一部は、NILレジストを介してテンプレートT1が押印される。また、補助パターン10CにNILレジストが供給されない場合には、テンプレートT1がウェハWAに直接接触する。

インプリント装置などの種々の装置内では、搬送ダストが大きい場合や、あるいはインプリント前工程の真空成膜時のダストなどが大きい場合がある。このような場合、押印で接触した部位においてテンプレートT1上のパターンが破壊するリスクがある。この観点から、補助パターン10Cのように、補助パターンが複数に分割され、テンプレートT1と補助パターン10Cとの間の接触面積が減らされることによって、テンプレートT1の破壊リスクを低減させることが可能となる。

テンプレートT1の材質は、インプリント形成パターンのパターン忠実性が求められることから、ガラス、石英、金属などの弾性は有するが変形量が小さい物質である。このため、テンプレートT1が不完全ショット22のウェハWAの外周領域15においてウェハWA側に傾斜または曲がる場合がある。この場合、ウェハWAとテンプレートT1とは全面が均等に接触するのではなく、特定部位(例えば、補助パターン10Cの形成される領域)で強く接触し、ウェハWAの外周側ほどテンプレートT1が逆方向(テンプレートT1が反る方向)に変形する。この結果、テンプレートT1は、ウェハWAに対して弱い接触となるか、または若干浮くものと考えられる。このような場合、接触部位のうち強く接触する部位、すなわちテンプレートT1がウェハWA側に入り込む方向に変形する領域にはダミーパターン(補助パターン10C)がないことで、接触によるテンプレートT1移動時の抵抗が減少すると考えられえる。

本実施形態では、補助パターン10Cが複数の孤立した形状で構成されているので、接触によるテンプレートT1の移動時の抵抗が減少する。この結果、テンプレートT1の位置合わせ精度が向上する。

ここで、分割構造から成る補助パターンの例について説明する。分割構造の補助パターンの第一の例は、補助パターン10Cである。上述したように、補助パターン10Cは、同心円状の円環状パターンで構成される多重円環構造である。

補助パターン10Cが形成される際には、ウェハWA上にポジレジストが塗布される。そして、ポジレジストに対して、パターン形成領域と、多重円環構造間の抜き領域とへの露光が行われる。補助パターン10Cは、例えば、一括露光装置を用いて形成される。一括露光装置が用いられることによって、ウェハWAは、効率良く露光される。

ネガレジストを使用する場合には、補助パターン10Cである多重円環構造の残し部のみが露光されればよい。この場合、一括露光装置が用いられてもよいし、WEE装置の機構に遮光マスクを設けることでも補助パターン10Cを効率よく形成できる。

分割構造の補助パターンの第二の例は、後述する補助パターン10Dである。補助パターン10Dは、複数の柱状補助パターンを備えている。補助パターン10Dは、補助パターン10Aが形成される領域と同じ補助パターン領域内に形成される。

それぞれの不完全ショット22に形成される柱状補助パターンを、不完全ショット22毎に重ね合わせると、柱状補助パターンが配置されたショットパターンとなる。本実施形態では、このショットパターンを用いて補助パターン10Dが形成される。

図8は、第4の実施形態に係る補助パターンの構成例(2)を示す図である。図8の(a)は、柱状補助パターンが配置されるショットパターン26の上面図を示している。また、図8の(b)は、補助パターン10Dが配置されたウェハWAの一部を上面図として示している。ショットパターン26は、例えば、フォトマスクのマスクパターンである。

図8の(a)に示すように、ショットパターン26では、ショット内に複数の柱状補助パターン18が配置されている。柱状補助パターン18は、スクライブラインに配置されていてもよいし、チップ領域に配置されていてもよい。

ウェハWA上の柱状補助パターン19は、X方向およびY方向の二次元周期構造を有する複数のグリッド(ショット)内に形成されるものである。そして、ショットパターン26内の柱状補助パターン18は、各不完全ショット22内に配置される柱状補助パターン18の位置をショット毎に重ね合わせたものである。別言すれば、全ての不完全ショット22中の柱状補助パターン18の位置を1つのショット内に重ね合わせたものが、ショットパターン26である。なお、ショットが多チップ取りであり、かつショット間とショット内のダイシングライン幅(スクライブライン幅)が同じであり、チップ配置がウェハWA面内で一定周期である場合には、二次元周期構造はチップ配置周期であってもよい。

図8の(b)に示すように、本実施形態では、外周領域15の一部に補助パターン10Dが形成される。具体的には、外周領域15のうちの内側領域(補助パターン領域16)に補助パターン10Dが形成される。外周領域15のうち、補助パターン10Dが形成されない領域が、外端領域12である。したがって、素子形成領域11と外端領域12とに挟まれた領域が補助パターン10Dの形成される補助パターン領域(円環状領域)16である。補助パターン10Dが形成される円環状領域は、補助パターン10Aが形成される円環状領域と同様の領域である。

補助パターン10Dが形成される補助パターン領域16には、複数の柱状補助パターン19が配置されている。ショットパターン26内の柱状補助パターン19と、不完全ショット22内で補助パターン10Dの形成される補助パターン領域16(円環状領域)との重なり部分が、柱状補助パターン19が形成される位置となる。柱状補助パターン19は、一括露光装置によるウェハWAへの一括露光で形成することが効率的である。

本実施形態の柱状補助パターン19は、インプリント工程の際のテンプレートT1破損による欠陥が、後続の加工工程および形成される素子の機能に不具合を生じさせない領域に形成されることが望ましい。例えば、インプリント工程における大規模な残しパターンの一部であり、かつインプリント工程以降の工程でも残し部のままであって素子機能に関係しない領域が、柱状補助パターン19の形成に望ましい領域の例(配置例1)である。

また、インプリント工程では大規模な残しパターンの一部であり、かつ後続加工工程において柱状補助パターン19が一括で除去される領域が、柱状補助パターン19の形成に望ましい領域の例(配置例2)である。

本実施形態では、例えば、上述したような配置例1,2の位置に柱状補助パターン19が配置される。これにより、インプリント工程でテンプレートT1とウェハWAとの接触によってテンプレートT1損傷が発生しても、後続ショットへのNILレジストパターンの異常変化が、素子性能に影響を与えない。また、補助パターン10D上に配置されたNILレジストの未硬化が発生して後続ショットへ付着した場合であっても、後続ショットへのNILレジストパターンの異常変化が、素子性能に影響を与えない。

なお、補助パターン10Dの形成される円環状領域の境界近傍では、柱状補助パターン19の形状が調整されてもよい。図9は、形状が調整された柱状補助パターンを示す図である。図9の(a)では、補助パターン10Dの形成される補助パターン領域16の第1例を示し、図9の(b)では、補助パターン10Dの形成される補助パターン領域16の第2例を示している。

補助パターン領域16A内に配置される柱状補助パターン19のうち、補助パターン領域の外側にはみ出すものがある。例えば、図9の(a)に示すように、柱状補助パターン19の一部が補助パターン領域16からはみ出して素子形成領域11に重なる場合がある。このような柱状補助パターン19に対しては、補助パターン領域16に重なる部分だけを形成対象とし、素子形成領域11に重なる部分を形成対象から除外してもよい。換言すると、柱状補助パターン19のうち、補助パターン領域16に重なる部分だけが柱状補助パターン19の一部として残されてもよい。

また、図9の(b)に示すように、柱状補助パターン19の一部が補助パターン領域16からはみ出して外端領域12に重なる場合がある。このような柱状補助パターン19に対しては、補助パターン領域16に重なる部分だけを形成対象とし、外端領域12に重なる部分を形成対象から除外してもよい。換言すると、柱状補助パターン19のうち、補助パターン領域16に重なる部分だけが柱状補助パターン19の一部として残されてもよい。

このように第4の実施形態によれば、補助パターン10C,10Dが複数の孤立した形状で構成されているので、テンプレートT1と補助パターン10C,10Dとの間の接触面積を低減することができる。したがって、インプリントの際にダストなどが発生した場合であっても、テンプレートT1が破壊する可能性を低減させることが可能となる。

(第5の実施形態)
つぎに、図10および図11を用いて第5の実施形態について説明する。第5の実施形態では、インプリント後に加工される被加工膜(NILレジストをマスクとして加工される膜)で補助パターンを形成する。

図10は、第5の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(1)を説明するための図である。また、図11は、第5の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(2)を説明するための図である。図10および図11では、インプリント工程におけるウェハWAなどの断面図を示している。なお、図10および図11では、ウェハWA上の第1のアモルファスシリコン膜(以下、aSiという)(ここではaSi31)よりも下層側の膜の図示を省略している。また、図10および図11では、素子形成領域11と外周領域15との間の段差を模式的に示している。

図10の(a)に示すように、ウェハWA上にaSi31が配置された時点で、ウェハWAの外周部には、高さH1の段差(初期段差)が発生している。この段差が、素子形成領域11と外周領域15との間の段差である。

つぎに、図10の(b)に示すように、aSi31上には、テトラエトキシシランから形成されるシリコン酸化膜(以下、TEOSという)(ここではTEOS32A)が配置される。このTEOS32Aは、所望の膜厚よりも高さH1程度厚く成膜される。この時点におけるウェハWAの外周部の段差は、高さH1程度である。

図10の(c)に示すように、TEOS32Aが形成されたウェハWAの補助パターン領域16に対して、加工マスク(レジストパターン)30Aが形成される。加工マスク30Aが形成される際には、例えば、レジスト膜の塗布処理、露光処理、現像処理などを含むフォトリソグラフィーの各種手法が用いられる。この場合の露光処理においては、補助パターンを効率良く形成するために、一括露光装置による露光処理が望ましい。

補助パターン領域16の加工マスク30Aの形成には、第1、第3および第4の実施形態で説明した、有機膜による補助パターン形成方法が適用されてもよい。なお、本実施形態では、第4の実施形態と同様に、補助パターンが独立した複数パターンから構成される場合について説明する。

加工マスク30Aが形成された後、図10の(d)に示すように、加工マスク30AがTEOS32Aに転写される。転写方法としては、Dryエッチング処理および洗浄処理、乃至はWetエッチング処理および洗浄処理を用いることが可能である。これにより、TEOS32AがTEOS32Bとなる。この結果、ウェハWAの補助パターン領域16上に所定高さの補助パターン10Eが形成される。ここでの補助パターン10Eは、TEOS32Bの一部である。補助パターン10Eは、上面が円環状のパターンであってもよいし、柱状のパターンであってもよい。

この後、図10の(e)に示すように、加工マスク30AがウェハWA上から除去される。これにより、ウェハWA上でTEOS32Bの全面が露出する。そして、図10の(f)に示すように、TEOS32B上に、第2のaSi(ここではaSi33A)が配置される。

さらに、図11の(a)に示すように、aSi33A上にSOC膜であるSOC34、SOG膜であるSOG35、密着膜(図示せず)が形成される。SOC34は、aSi33A上の略全面に配置される。SOG35の形成範囲は、素子形成領域11と同じ範囲である。

密着膜が形成された後、NILパターンが形成される。具体的には、図11の(b)に示すように、補助パターン10Bと素子形成領域11とにNILレジスト36が滴下される。補助パターン10Bに対しては、補助パターン10Bの所定領域に、選択的にNILレジスト36が滴下される。このとき、補助パターン10Bの所定領域へはRLT相当の膜厚でNILレジスト36が滴下される。

補助パターン10B上でNILレジスト36が滴下される位置は、例えば、デバイス動作に不要な領域である。例えば、NILレジスト36が滴下される位置は、テンプレートT1が押印された際にテンプレートT1パターンがNILレジスト36に接触しない位置である。これにより、補助パターン10BにNILレジスト36が残った場合であっても、デバイス動作に影響を与えることがない。なお、TEOS32Bよりも下側の層でマークなどが形成済みの領域であっても、マークが使用済みのものであれば、NILレジスト36の滴下位置に設定されてもよい。

NILレジスト36が滴下された後、テンプレートT1がNILレジスト36に接触させられる。この場合において、ウェハWAには、補助パターン10Eが形成されているので、テンプレートT1がウェハWAの外周領域15でウェハWAと接触することを防止できる。この結果、ウェハWAとテンプレートT1との位置合わせ位置精度が向上し、所望の素子性能を得ることが可能となる。

テンプレートT1がNILレジスト36に押し当てられて、テンプレートT1パターン内にNILレジスト36が充填されるとNILレジスト36が硬化させられる。このように、補助パターン10E上にNILレジスト36が配置される場合には、NILレジスト36が硬化させられる。一方、テンプレートT1とウェハWAとの接触面積を減らすだけでよい場合には、補助パターン10E上へのNILレジスト36の配置を行わなくてもよい。この場合、補助パターン10Eが形成される位置は、テンプレートT1が押印された際にテンプレートT1パターンが補助パターン10Eに接触しない位置としておく。これにより、テンプレートT1と補助パターン10Eとが接触した場合であっても、デバイス動作に影響を与えることがない。

NILレジスト36が硬化させられた後、テンプレートT1がNILレジスト36から離型される。この後、補助パターン領域16上のNILレジスト36と密着膜とが除去される。そして、素子形成領域11上のNILレジスト36(レジストパターン凸部)を加工マスクとして、SOG35がDryエッチング加工される。このときのDryエッチング条件(エッチングガス)は、ハロゲン化炭素、ハロゲン化水素、ハロゲン化炭化水素、水素などの混合ガスの中から適切な条件が選択される。SOG加工段階において、SOG35が存在しない領域(外周領域15など)、特に補助パターン領域16は、SOC34の膜厚が素子形成領域11よりも低減する。

ウェハWA上では、SOG35がDryエッチング加工されることによって、SOGパターンが形成される。このSOGパターンを加工マスクとして、SOC34が加工されることにより、SOCパターンが形成される。SOC34の加工には、主に酸素系のガス系が用いられる。

さらに、SOCパターンを加工マスクとして、aSi33Aが加工される。aSi33Aが加工される際には、その下層のTEOS32Bに対して加工耐性が高いDryエッチング条件が用いられる。また、aSi33Aの加工処理後に酸素系ガスによって、SOC34が除去される。このとき、適切な除去条件が用いられることで、この段階において、補助パターン領域16のaSi33Aを除去することが可能となる。これにより、図11の(c)に示すように、TEOS32B上には、素子形成領域11のaSi(aSi加工パターン33B)のみが残される。aSi加工パターン33Bは、素子形成領域11上のNILレジスト36と同様の位置に形成される。

この後、aSi加工パターン33Bを加工マスクとして、TEOS32Bが加工される。これにより、図11の(d)に示すように、TEOS32BがTEOS加工パターン32Cとなる。TEOS加工パターン32Cは、aSi加工パターン33Bと同様の位置に形成される。TEOS加工パターン32Cが形成される際には、適切な加工条件が選択されることで、TEOS加工パターン32Cの形成段階で補助パターン10Eを除去することが可能となる。なお、補助パターン10Eは、この後の工程で除去されてもよい。

ところで、初期段差の高さH1が所定値よりも高い場合には、補助パターン10EがTEOS加工パターン32Cの形成段階で残る場合がある。この場合の解決方法の一例について説明する。

具体的には、TEOS32Aの代わりに、第1のTEOSと第2のTEOSとが用いられる。第1のTEOSは、初期設定された所望の膜厚を有し、第2のTEOSは、高さH1の膜厚を有している。これにより、第1のTEOSと第2のTEOSとを積層した膜は、TEOS32Aと同様の膜厚を有している。また、第2のTEOSには、第1のTEOSよりも加工時の加工耐性が相対的に弱い膜が用いられる。

第2のTEOSを成膜する際には、第1のTEOSを製膜する際よりも成膜温度が下げられる。これにより、第2のTEOSは、第1のTEOSよりもSi−H結合やSiのダングリングボンドが増加する。この結果、補助パターン10EとしてのTEOS加工パターン32Cの上部が除去されやすくなり、所定工程における補助パターン10Eの除去が容易となる。

なお、本実施形態の膜種、膜種の組合せ、加工条件は一例であり、作製する素子の構造およびレイヤに応じて適切な変更が可能である。例えば、第2のアモルファスシリコン膜であるaSi33Aは、ポリシリコン膜、W(タングステン)などの金属膜、SiN膜などであってもよい。また、TEOS32Aは、BSG膜などの他の酸化膜であってもよい。また、エッチング条件も同様に、必ずしもDryエッチングに限定されるものではない。また、Dryエッチング後には、適宜洗浄工程、Wetエッチングなどが加えられてもよい。

このように第5の実施形態によれば、ウェハWAに形成済みの膜を用いて補助パターン10Eを形成することが可能となる。そして、補助パターン10Eを用いることによって、テンプレートT1とウェハWAとの間の位置合わせ精度を向上させることが可能となる。

(第6の実施形態)
つぎに、図12および図13を用いて第6の実施形態について説明する。第6の実施形態では、第5の実施形態で説明した処理に加えて、第2のaSiの成膜工程後に、第2のTEOSである犠牲TEOSが成膜される。そして、犠牲TEOSへCMPが行われ、その後、犠牲TEOSの除去処理が行われる。本実施形態では、補助パターン形成の際の露光処理において素子形成領域11側へ位置ずれが発生した場合の処理について説明する。

図12は、第6の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(1)を説明するための図である。また、図13は、第6の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(2)を説明するための図である。なお、図12および図13の各処理のうち図10および図11で説明した処理と同様の処理については、重複する説明は省略する。

図12および図13では、インプリント工程におけるウェハWAなどの断面図を示している。なお、図12および図13では、ウェハWA上の第1のアモルファスシリコン膜(aSi31)よりも下層側の膜の図示を省略している。また、図12および図13では、素子形成領域11と外周領域15との間の段差を模式的に示している。

図10の(a)で説明したように、ウェハWA上にaSi31が配置された時点で、ウェハWAの外周部に高さH1の初期段差が発生する場合がある。この場合、aSi31上には、TEOS32Axが配置される。TEOS32Axは、図10の(b)に示したTEOS32Aと同様の膜である。

この後、図12の(a)に示すように、TEOS32Axが形成されたウェハWAの補助パターン領域16に対して、加工マスク(レジストパターン)30Bxが形成される。加工マスク30Bxは、図10の(b)に示した加工マスク30Aと同様のパターンであるが、加工マスク30Bxには、位置ずれが発生している。具体的には、加工マスク30Bxは、素子形成領域11側に形成位置がずれている。

この状態で加工マスク30BxがTEOS32Axに転写されると、図12の(b)に示すように、補助パターン10Fが形成されるとともに、素子形成領域11に角構造(凸部41)が発生する。補助パターン10Fは、補助パターン10Eと同様のパターンである。凸部41は、素子形成領域11と補助パターン領域16との境界近傍に形成される。

この後、加工マスク30BxがウェハWA上から除去される。これにより、ウェハWA上の全面でTEOS32Bxが露出する。そして、図12の(c)に示すように、TEOS32Bx上に、第3のaSi膜(ここではaSi43Ax)が配置される。

さらに、図12の(d)に示すように、aSi43Ax上に犠牲TEOS50xが積層される。この後、犠牲TEOS50xがCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理され、ウェハWAの最上面が平坦化される。

これにより、図12の(e)に示すように、凸部41を構成するaSi43AxとTEOS32Bxが犠牲TEOS51xと同等の高さに削られる。CMP後は、犠牲TEOS51xの最上面以外に、前記凸部41においてaSi43Bxの最上面と、TEOS32Cxの最上面が露出する。犠牲TEOS50xのCMP量は、aSi43Bxの基板平行部にスクラッチが入らないように設定することが第一の要件である。

この後、ウェハWAが全面エッチングされ、犠牲TEOS51xが除去される。具体的には、犠牲TEOS51xを溶解するが、aSi43Bxを溶解しない、DHFによるウェットエッチングおよび純水等による洗浄処理が望ましい。この結果、図13の(a)に示すように、犠牲TEOS51xが剥離される。また、TEOS32Cxのうち、aSi43Bxの配置されていない凸部41の下部側部分がエッチングされる。

凸部41の外周ではCMP後の犠牲TEOS51xの厚さ相当のaSi43Bxの凸構造が残留する。SOC膜の塗布によって平坦化されることが、犠牲TEOS50xのCMP量を設定する第二の要件である。

そして、図13の(b)に示すように、aSi43Bx上にSOC膜であるSOC44x、SOG膜であるSOG45x、密着膜(図示せず)が形成される。SOC44xは、aSi43Bx上の略全面に配置される。SOG45xの形成範囲は、素子形成領域11と同じ範囲である。

この後、図11の(b)で説明した処理と同様に、補助パターン10Fの上層側と素子形成領域11とにNILレジスト46xが滴下される。そして、図13の(c)に示すように、テンプレートT1がNILレジスト46xに押し当てられて、テンプレートT1パターン内にNILレジスト46xが充填される。この状態で、NILレジスト46xが硬化させられる。そして、テンプレートT1がNILレジスト46xから離型される。

さらに、補助パターン領域16上のNILレジスト46xと密着膜とが除去される。そして、素子形成領域11上のNILレジスト46x(レジストパターン凸部)を加工マスクとして、SOG45xがDryエッチング加工される。これにより、SOGパターンが形成される。このSOGパターンを加工マスクとして、SOC44xが加工される。これにより、SOCパターンが形成される。

また、SOCパターンを加工マスクとして、aSi43Bxが加工される。なお、SOG45x、SOC44x、aSi43Bxは、第5の実施形態で説明したSOG35、SOC34、aSi加工パターン33Bと同様の処理によって形成される。

これにより、図13の(d)に示すように、TEOS32Cx上には、素子形成領域11のaSi(aSi加工パターン43Cx)のみが残される。aSi加工パターン43Cxは、aSi加工パターン33Bと同様のパターンである。

この後、aSi加工パターン43Cxを加工マスクとして、TEOS32Cxが加工される。TEOS32Cxは、第5の実施形態で説明したTEOS32Bと同様の処理によって加工される。これにより、図13の(e)に示すように、TEOS32CxがTEOS加工パターン32Exとなる。TEOS加工パターン32Exは、TEOS加工パターン32Cと同様のパターンである。

なお、本実施形態では、犠牲TEOS50x上からCMPが実行される場合について説明したが、犠牲TEOS50xを配置することなく、aSi43Ax上からCMPが実行されてもよい。

このように第6の実施形態によれば、犠牲TEOS50xを用いてウェハWAの平坦化を行うので、補助パターン10Fを形成する際の露光処理において素子形成領域11側に位置ずれが発生した場合であっても、不要な凹凸パターンが形成されることを防止できる。また、第1、第3または第4の実施形態で説明した補助パターン形成方法が第6の実施形態に適用された場合も、第6の実施形態と同様の効果を奏する。

(第7の実施形態)
つぎに、図14および図15を用いて第7の実施形態について説明する。第7の実施形態では、第6の実施形態で説明した処理と同様の処理が行われる。本実施形態では、補助パターン形成の際の露光処理において補助パターン領域16側に位置ずれが発生した場合について説明する。

図14は、第7の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(1)を説明するための図である。また、図15は、第7の実施形態に係るインプリント工程の処理手順(2)を説明するための図である。なお、図14および図15の各処理のうち図12〜図14で説明した処理と同様の処理については、重複する説明は省略する。

図14および図15では、インプリント工程におけるウェハWAなどの断面図を示している。なお、図14および図15では、ウェハWA上の第1のアモルファスシリコン膜(aSi31)よりも下層側の膜の図示を省略している。また、図14および図15では、素子形成領域11と外周領域15との間の段差を模式的に示している。

図10の(a)で説明したように、ウェハWA上にaSi31が配置された時点で、ウェハWAの外周部に高さH1の初期段差が発生する場合がある。この場合、aSi31上には、TEOS32Ayが配置される。TEOS32Ayは、図10の(b)に示したTEOS32Aと同様の膜である。

この後、図14の(a)に示すように、TEOS32Ayが形成されたウェハWAの補助パターン領域16に対して、加工マスク(レジストパターン)30Byが形成される。加工マスク30Byは、図10の(c)に示した加工マスク30Aと同様のパターンであるが、加工マスク30Byには、位置ずれが発生している。具体的には、加工マスク30Byは、補助パターン領域16側に形成位置がずれている。

この状態で加工マスク30ByがTEOS32Ayに転写されると、図14の(b)に示すように、補助パターン10Gが形成されるとともに、補助パターン領域16にくぼみ構造(凹部42)が発生する。凹部42は、素子形成領域11と補助パターン領域16との境界近傍に形成される。補助パターン10Gは、補助パターン10E,10Fと同様のパターンである。

この後、加工マスク30ByがウェハWA上から除去される。これにより、ウェハWA上でTEOS32Byの全面が露出する。そして、図14の(c)に示すように、TEOS32By上に、第4のアモルファスシリコン膜(以下、aSi43Ayという)が配置される。

さらに、図14の(d)に示すように、aSi43Ay上に犠牲TEOS50yが積層される。この後、犠牲TEOS50yがCMP処理される、ウェハWAの最上面が平坦化される。

これにより、図14の(e)に示すように、ウェハWAの最上面において、平坦化された犠牲TEOS51yの最上面が露出する。犠牲TEOS51xのCMP量は、aSi43Ayの基板平行部にスクラッチが入らないように設定することが要件である。

この後、ウェハWAが全面エッチングされ、犠牲TEOS51yが除去される。具体的には、犠牲TEOS51yを溶解するが、aSi43Ayを溶解しない、DHFによるウェットエッチングおよび純水等による洗浄処理が望ましい。この結果、図15の(a)に示すように、犠牲TEOS51yが剥離される。また、素子形成領域11では、aSi43Ayが残る。これにより、素子形成領域11および補助パターン領域16でaSi43Ayが露出する。

そして、図15の(b)に示すように、aSi43Ay上にSOC44y、SOG45y、密着膜(図示せず)が形成される。SOC44y、SOG45yは、それぞれSOC44x、SOG45xと同様の膜である。

この後、図11の(b)で説明した処理と同様に、補助パターン10Gの上層側と素子形成領域11とにNILレジスト46yが滴下される。そして、図15の(c)に示すように、テンプレートT1がNILレジスト46yに押し当てられて、テンプレートT1パターン内にNILレジスト46yが充填される。この状態で、NILレジスト46yが硬化させられる。そして、テンプレートT1がNILレジスト46yから離型される。

さらに、補助パターン領域16上のNILレジスト46yと密着膜とが除去される。そして、第5の実施形態で説明したSOG35、SOC34、aSi加工パターン33Aと同様の処理によって、SOG45y、SOC44y、aSi43Ayが加工される。

これにより、図15の(d)に示すように、TEOS32By上には、素子形成領域11のaSi(aSi加工パターン43Cy)のみが残される。aSi加工パターン43Cyは、aSi加工パターン33Bと同様のパターンである。

この後、aSi加工パターン43Cyを加工マスクとして、TEOS32Byが加工される。TEOS32Byは、第5の実施形態で説明したTEOS32と同様の処理によって加工される。これにより、図15の(e)に示すように、TEOS32ByがTEOS加工パターン32Cyとなる。TEOS加工パターン32Cyは、TEOS加工パターン32Cと同様のパターンである。なお、凹部42は、第5の実施形態で説明した処理が実行されることによっても除去可能である。

このように第7の実施形態によれば、犠牲TEOS50yを用いてウェハWAの平坦化を行うので、補助パターン10Gを形成する際の露光処理において補助パターン領域16側に位置ずれが発生した場合であっても、不要な凹凸パターンが形成されることを防止できる。また、第1、第3または第4の実施形態で説明した補助パターン形成方法が第7の実施形態に適用された場合も、第7の実施形態と同様の効果を奏する。

インプリント工程では、テンプレートT1のレジストへの押印時に、押印によって湾曲したテンプレートT1が、ウェハの外周領域においてウェハと接触する場合がある。これは、ウェハに対するテンプレートT1の相対移動時の抵抗原因の1つであると考えられる。テンプレートT1とウェハとの間の位置合わせ精度が必要なスペックに未達である場合、製造された素子が所望の動作を実行できない場合がある。また、製造工程において意図しない装置汚染が発生し、製造設備や素子が動作不能となる可能性がある。

第1〜第7の実施形態では、外周領域15に補助パターン10A〜10Gの何れかを形成しているので、テンプレートT1とウェハWAとの間の接触抵抗を減らすことが可能となる。したがって、テンプレートT1とウェハWAとの間の位置合わせ精度を向上させることが可能となる。また、外周領域15において、テンプレートT1とウェハWAとの衝突が発生しなくなるので、テンプレートT1の破損を防止することが可能となる。なお、ウェハWAへは、第1〜第7の実施形態で説明した処理を組合せてインプリントが実行されてもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

10A〜10G…補助パターン、11…素子形成領域、12…外端領域、15…外周領域、16…補助パターン領域、19…柱状補助パターン、22…不完全ショット、26…ショットパターン、25A,25B…ショット、30A,30Bx,30By…加工マスク、32C,32Cy,32Ex…TEOS加工パターン、36,46x,46y…NILレジスト、41…凸部、42…凹部、50x,50y,51x,51y…犠牲TEOS、T1…テンプレート、WA…ウェハ。

Claims (11)

  1. 基板上で中央領域よりも高さが低い外周領域の少なくとも一部に対して、所定の高さを有した補助パターンを形成する補助パターン形成ステップと、
    前記中央領域の一部と前記外周領域の一部とを含むショット領域に、テンプレートを用いてインプリント処理を実行するインプリントステップと、
    を含むことを特徴とするパターン形成方法。
  2. 前記補助パターンは、円環状の上面形状を有していることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
  3. 前記補助パターンは、複数の孤立パターンであることを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。
  4. 前記補助パターンは、フォトリソグラフィー処理を用いて形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
  5. 前記補助パターンは、薬液塗布処理を用いて形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
  6. 前記補助パターンの高さは、前記中央領域と前記外周領域との高さの差と同じであることを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
  7. 前記インプリントステップでは、素子領域および前記補助パターンの上面にインプリントレジストが配置され、前記インプリントレジストに前記テンプレートが接触させられることを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
  8. 前記補助パターンの上面で前記インプリントレジストが配置される位置は、デバイス動作に影響を与えることがない位置であることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。
  9. 前記インプリントステップでは、前記補助パターンの上面にインプリントレジストが配置されず且つ素子領域の上面にインプリントレジストが配置され、前記インプリントレジストに前記テンプレートが接触させられることを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
  10. 前記補助パターンが形成される位置は、デバイス動作に影響を与えることがない位置であることを特徴とする請求項9に記載のパターン形成方法。
  11. 前記補助パターン形成ステップは、
    前記補助パターン上に犠牲膜を配置する配置ステップと、
    前記犠牲膜へのCMPステップと、
    前記犠牲膜の除去ステップと、
    を含むことを特徴とする請求項1〜4,6〜10のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
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KR100819095B1 (ko) * 2006-11-03 2008-04-02 삼성전자주식회사 포토스피너설비의 분사제어장치
JP4935312B2 (ja) 2006-11-15 2012-05-23 凸版印刷株式会社 インプリントモールドおよびインプリントモールド製造方法
JP5121549B2 (ja) * 2008-04-21 2013-01-16 株式会社東芝 ナノインプリント方法
US7833907B2 (en) * 2008-04-23 2010-11-16 International Business Machines Corporation CMP methods avoiding edge erosion and related wafer
JP2011009641A (ja) 2009-06-29 2011-01-13 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及びインプリント用テンプレート
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JP5535164B2 (ja) * 2011-09-22 2014-07-02 株式会社東芝 インプリント方法およびインプリント装置
JP6384023B2 (ja) 2013-04-24 2018-09-05 凸版印刷株式会社 インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法
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