TW539913B - Method of evaluating rule-based OPC and method of evaluating simulation-based OPC model - Google Patents

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Description

539913 A7 B7 五、發明説明（彳） y [發明之技術領域] 本發明係有關依據光近接效果預估圖案之變形，預先修 正光罩圖案之形狀之製造OPC光罩用之規則基礎OPC之評 估方法及模擬基礎OPC模式之評估方法。 [先前技藝] 近年來，半導體高積體化進步，促進閘長的微細化。因 而，自光罩對晶圓轉印光罩圖案時，要求能解像曝光裝置 上使用之光波長以下尺寸的圖案。 為求忠實地解像比光波長短之線寬圖案，採用有考慮因 光近接效果造成晶圓上之圖案變形，預先修正光罩圖案形 狀之技術的光近接效果修正（OPC; Optical Proximity Correction)技術。前述OPC技術亦稱之為製程近接效果修 正（PPC; Process Proximity Effect Correction)技術。 此種OPC技術包含規則基礎OPC。 前述規則基礎OPC執行如下。亦即，以表示設計上許可 之全部圖案的測試圖案製造測試用光罩圖案，以該光罩圖 案在晶圓上轉印圖案並進行蝕刻以製造測試用的晶圓。 依據該測試用晶圓上之圖案形狀的測長資料（測定資 料）、與前述測試用之光罩圖案之設計資料，生成設計規 則，亦即用於決定加在光罩圖案之設計資料上之變動資料 的設計規則，亦即規則基礎OPC。繼續依據規則基礎OPC 修正光罩圖案。該修正係在光罩圖案之布局CAD的階段實 施。此外。將此種實施有光近接效果修正所製出之光罩稱 之為OPC光罩。 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 539913 A7 B7 五、發明説明（2 此外，除前述規則基礎〇pC之外，還有稱之為模擬基礎 OPC的技術。 模擬基礎OPC係依據預先準備之少數測試圖案的測長結 果’生成表現經考慮光近接效果而轉印之製程的模擬基礎 OPC模式（亦稱之為核心或製程模式），藉由前述模擬基礎 OPC模式’模擬計算求出光罩圖案之形狀與藉由該光罩圖 案轉印於晶圓上之圖案形狀的差異，並依據該模擬結果修 正光罩圖案。 [發明所欲解決之問題] 近年來，隨閘圖案之微細化，因應閘圖案與鄰接該圖案 之圖案間之間隔（Space)尺寸之增減，換言之，因應圖案間 之間隔的疏密，圖案線寬受到影響現象的間隔關連性顯 著，造成閘圖案之線寬控制性惡化的問題。 因此，實施上述之規則基礎OPC及模擬基礎OPC模式評 估後，正確分析線寬控制性良好與否極為重要。 先前，為求分析線寬控制性良好與否，係依據規則基礎 OPC或模擬基礎〇pc模式製造評估用光罩，實測依據該評 估用光罩所製出之評估用晶圓上之閘圖案的線寬，求出線 寬之實測資料與間隔尺寸之誤差及變動。 然而，由於前述評估用晶圓上之閘圖案數量龐大，無法 實測閘圖案之全部線寬。因此，係就自閘圖案中選出之位 置的線寬求實測資料。不過，由於判定選出之實測資料作 為如述坪估用晶圓上之閘圖案的代表是否妥當困難，因此 線宽控制性之評估的正確度不足。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 539913 A7
、因此，本發明之目的在提供一種可正確評估線寬控制性 之規則基礎0PC4評估方法及模擬基礎0PC模式之評估方 法。 [解決問題之手段] 本發明之規則基礎OPC的評估方法，A求達成前述目 的，其特徵為包含：光罩圖案修正步騾，其係藉由以規則 基礎OPC修正處理評估用光罩圖案之設計資料以獲得修正 資料；評估用光罩製造步驟，其係依據前述修正資料在評 估用光罩上形成評估用光罩圖案；評估用晶圓製造步驟， 其係依據前述評估用光罩，在評估用晶圓上形成評估用閘 圖案；實測步騾，其係藉由實施形成於前述評估用晶圓上 之前述評估用閘圖案的測長，以取得評估用閘圖案的實測 資料；模擬基礎OPC模式生成步騾，其係依據用於實施製 %修正之測試用光罩之測試圖案的設計步騾，及依據前述 測試用光罩所製出之測試用晶圓之閘圖案的實測資料，生 成實施有製程修正之模擬基礎〇pC模式；模擬步騾，其係 藉由削述模擬基礎OPC模式’對於前述評估用光罩圖案之 设计資料進行模擬’以獲得模擬資料；及評估步騾，其係 藉由比較如述評估用閘圖案之實測資料與前述模擬資料， 以進行前述規則基礎OPC的評估。 因而’係進行依據評估對象之前述規則基礎0PC所製出 之評估用閘圖案的實測資料、與對於前述評估用光罩圖案 之設計資料所獲得之模擬資料的比較。 本發明之模擬基礎OPC模式的評估方法，為東達成前述 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公愛） 裝
玎
539913 A7 B7 五、發明説明（4 ) 目的’其特徵為包含：光罩圖案修正步驟，其係藉由以第 一模擬基礎OPC模式修正處理評估用光罩圖案之設計資料 以獲得修正資料；評估用光罩製❹驟，其係依據前述修 正資料在評估W罩上形成評估^罩隨；評估用晶圓 製造步驟’其係依據前述評估用光罩，在評估用晶圓上形 成評估用閘㈣；實測步騾，其係藉由實施形成於前述評 估用晶圓上之前述評估用閘圖案的測長，以取得評估用閘 圖案的實測資料；模擬基礎0PC模式生成步驟，其係依據 用於只施製程修正之測試用光罩之測試圖案的設計步驟， 及依據前述測試用光罩所製出之測試用晶圓之閘圖案的實 4舆料，生成實施有製程修正之第二模擬基礎〇pc模式； 模擬步驟，其係藉由前述第二模擬基礎帆模#，對於前 述評估用光罩圖案之設計資料進行模擬，以獲得模擬資 及砰估步驟，其係藉由比較前述評估用閘圖案之實測 具料與則述模擬資料，以進行前述第一模擬基礎〇pc模式 的評估。 因而’係進行依據評估對象之前述第一模擬基礎〇pC模 式所製出之坪估用閘圖案的實測資料、與對於前述評估用 光罩圖案之設計資料所獲得之模擬資料的比較。 [發明之實施形態] 以下說明本發明之規則基礎〇pc之評估方法的實施形 態。 圖2係顯示評估對象之規則基礎〇pc的區塊圖。 如圖2所tf ’本實施形態之規則基礎〇pc 1〇係藉由在電 本紙張尺度適州中國國家標準(CNS) A4規格297公愛) 539913
月包上工作之軟體來達成者’並構成對應於光罩圖案之設計 會料’藉由在前述設計資料上加入考慮光近接效果之變動 資料，來輸出修正資料。 該規則基礎OPC 10構成，藉由設定有前述變動資料之最 小單位’亦即修正前述光罩圖案時之最小單位的修正柵， 並依據該修正柵輸出前述修正資料。 圖3係顯示生成評估前述規則基礎〇pC i 〇用模擬資料並 輸出之模擬工具20的區塊圖。 前述模擬工具20係藉由在電腦上工作之軟體來達成者， 並構成包含模擬模式（核心）22，其係表示光罩圖案的轉印 製程。前述模擬模式22係為實施後述之製程修正而生成。 前述模擬工具20如圖3所示，構成輸入有須形成在晶圓 上之所需圖案的設計資料（光罩圖案之設計資料）時，藉由 前述模擬模式22之模擬計算，輸出模擬資料，其係顯示藉 由前述光罩圖案而形成於晶圓上之圖案形狀。 其次，參照圖1具體說明前述規則基礎〇pc之評估程 序。 首先，在前述規則基礎OPC 10上設定前述修正柵（步騾 10)。 其次，藉由在前述規則基礎OPC 1〇上輸入評估用光罩之 光罩圖案的設計資料，獲得前述評估用光罩之光罩圖案的 修正資料（步騾S12)。 繼續，依據前述修正資料製造評估用光罩（步騾SM)， 藉由使用該評估用光罩對晶圓實施曝光及蚀刻，以製造評 • 8 -
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估用晶圓（步騾S 16)。 晶圓之閘圖案的線寬實施測長 繼績’就製出之評估用 (步驟S18)。 另外’形成於前述評估用曰η、 寬 個 估 中 "古用阳®〈閘圖案構成數種不同線 尺寸及鄰接I圖案間的間隔 ^ ㈣凡寸。此外，由於在前述整 评估用晶圓上設有許多（如勝 夕（如數千閘）前述閘圖案，因此評 用日日圓 < 閘圖案之線貧的油f i ’、長，係就自前述數種閘圖案 選出之閘圖案的位置選擇性實旅。 另外，除製造前述評估用θ圓、aL ^ L ^ _ 汴佑用日日®炙外，為求實施前述模擬 基礎OPC模式之製程修正，依據、 • m龈4用光罩 < 測試圖案的 設計資料製造有測試用光罩（步騾S20)。 其次，藉由依據前述測試用光罩對晶圓實施曝光及蚀 刻，製造形成有測試用閘圖案之測試用晶圓（步驟S22)。 其次，實施前述測試用晶圓之閘圖案的測長，以獲得實 測資料（步騾S24)。 此處，前述測試用晶圓之閘圖案之實測資料對前述測試 用光罩之測試圖案之設計資料的變動，係表現因光近接效 果造成的靜態變動成分者。 因此，如圖3所示，藉由輸入前述測試用光罩之測試圖 案的設計資料與前述測試用晶圓之閘圖案的實測資料至模 擬工具20，藉由前述模擬工具2〇生成有模擬基礎〇pc模式 22 ’其係形成有考慮因光近接效果造成之靜態變動成分的 製程修正（步驟26)。 其次，如圖4所示，藉由在前述模擬工具20内輸入有前 -9- 本紙張瓦度適用中國國_準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 539913
述評估用光罩之光罩圖案之全部設計資料，藉由前述模擬 基礎OPC模式22實施模擬計算，輸出有對應於前述整個評 估用晶圓之閘圖案的模擬資料（步騾S28)。 其次，藉由比較前述步騾Sl8所獲得之前述評估用閘圖 案的實測資料、與前述步騾28所獲得之前述模擬資料，來 評估前述規則基礎OPC 10 (步騾S30)。 此外，評估前述步騾S10所設定之前述修正栅（步驟 S32)。 以下’參照圖5、圖6詳細說明前述步騾S3〇，S32。 圖5(A)係顯示將前述修正柵設定為5 nm時之前述評估用 閘圖案之線見的實測資料與間隔關連性的線圖，橫轴表示 閘圖案間之間隔（//m)，縱軸表示與前述線寬之實測資料 之設計資料的誤差CD (nm)。圖中的實線表示各實測資料 的平均值。 ' 如圖5(A)所示，各間隔之實測資料的平均值在± $ 範圍内，可判斷將修正柵設定為5 nm的結果良好。 另外，各間隔之實測資料的變動，由於在閘圖案之線寬 方向之兩側各變動± 5 nm，因此，如在修正栅之兩倍正負 的範圍内’亦即在土 2 X 5 nm= 土 10 nm内即可判斷為良好， 而圖5(A)由於係在土 1〇 nm範圍内，因此可判斷為良好。 其次，有關圖5(A)之實測資料是否妥當，亦即作為前述 評估用晶圓之閘圖案的線寬資料是否妥當，實施與模擬資 料的比較檢討。 圖5(B)係顯示藉由前述步驟S28所獲得之前述評估用晶 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂
線 539913 A7 B7 五、發明説明（8 ) y 圓全部閘圖案之模擬資料的分布圖，其中橫軸為佔整體的 佔有率（％)，縱軸為模擬資料對前述線寬之實測資料之設 計資料的誤差CD (nm)。 如圖5(B)所示，可知幾乎全部之模擬資料均分布於±5 nm的範圍内，藉此可判斷圖5(A)之實測結果為妥當。還可 判斷前述步騾S 18中測長之閘圖案的選擇為妥當。 圖5(C)係以三次元顯示前述步騾S28所獲得之前述評估 用晶圓全部之閘圖案之模擬資料的分布圖，X軸與Y軸顯 示前述評估用晶圓上之二次元座標軸，與此等X軸與Y軸 直交之縱軸（Z軸）表示模擬資料對前述線寬之實測資料之 設計資料的誤差CD (nm)。 亦即，描繪於圖5(C)上之點，係對應於各閘圖案的誤差 CD。 其次，參照圖6(A)至（C)，說明將前述修正栅自5 nm改變 成2.5 nm來設定時，以圖1所示之流程圖相同之程序進行 評估的結果。 圖6(A)至（C)各圖分別相當於圖5(A)至（C)。 從圖6(A)中可知，各間隔之平均值在土 2.5 nm的範圍 内，將修正柵設定在5 nm的結果，可判斷為良好。 此外，各間隔之實測資料的變動大致在土 2x 2.5 nm== 土 5 nm的範圍内，可判斷為良好。 比較圖6(A)與（B)可知，幾乎全部之模擬資料分佈在 土 2.5 nm的範圍内，藉此，可判斷圖6(A)之實測結果為妥 當。還可判斷前述步騾S18中測長之閘圖案的選擇為妥 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 539913 A7
當。 此外，比較圖5(C)與圖6(C)可知，後者之縱軸方向的變 動’亦即模擬資料之誤差CD的變動被抑制。 如以上說明，採用本實施形態之規則基礎〇pc之評估方 法，可依據實測資料與模擬資料正確評估前述規則基礎 OPC的線寬控制性。 此外，改變前述修正栅之設定時，可評估實測資料之變 動是否在妥當的範圍内，藉此可將修正柵予以最佳化。 此外，藉由將圖5(c)、圖6(C)所示之各閘圖案之模擬資 料的變動資訊反饋在^罩圖案之布局設計上，可設計抑制 形成於晶圓上之閘圖案之誤差的光罩圖案。 其次’考慮將修正柵設定成更小值時。 縮小修正柵時，可期待進一步減少實測資料的變動。 但是，此時為求構成前述規則基礎〇pc，須製成形成以 修正柵之單位使閘線寬與間隔尺寸不同之閘圖案的晶圓， 同時須實施形成於該晶圓上之各閘圖案的測長。 般而5，使修正栅尺寸減半時，為求構成規則基礎 0pc，所需之測長位置則為4倍。因此，如將修正栅自2 5 nm、、猫小1/ 5至〇·5 nm時，則測長位置為16倍以上，實施各 閘圖本之測長耗費龐大時間（如約i年），因此不切實際。 因此，促使修正柵微細化的情況下，以使用不需要大量 測長1模擬基礎0PC模式為有利。 本因而’如以下說明，有關模擬基礎OPC模式，可以先前 實施形態相同的程序進行評估。
裴 玎
線 539913 A7 B7 五、發明説明（10 ) 以下說明本發明之模擬基礎OPC模式之評估方法的實施 形態。 圖7係顯示本實施形態之模擬基礎0PC模式之評估程序 的流程圖。另外，圖7中與圖1相同之處理註記相同步驟編 號，以簡化說明。 此外’本實施形態係將評估對象之模擬基礎〇PC模式作 為第一模擬基礎OPC模式，將生成前述評估用晶圓之閘圖 案之模擬資料的模擬基礎OPC模式作為第二模擬基礎〇PC 模式，分別將第一、第二模擬基礎〇PC模式之模擬工具作 為第一、第二模擬工具。 首先，如圖8所示，將前述修正柵設定於第一規則基礎 OPC 30(步騾 S10)。 其次’藉由在前述規則基礎OPC 10内輸入評估用光罩之 光罩圖案的設計資料，獲得前述評估用光罩之光罩圖案的 修正資料（步騾S12A)。 其次，依據前述修正資料製造評估用光罩（步騾S14), 藉由使用該評估用光罩對晶圓實施曝光及蝕刻，製造評估 用晶圓（步騾S 16)，對製出之評估用晶圓之閘圖案的線寬 實施測長（步騾S 18)。 另外，除製造前述評估用晶圓之外，為求實施前述第二 模擬基礎OPC模式之製程修正，依據測試用光罩之測試圖 案的設計資料製造有測試用光罩（步驟S2〇)，製造有測試 用晶圓（步騾S22)，對前述測試用晶圓之閘圖案實施測長 以獲得實測資料（步驟S24)。 -13-
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因此，如圖9所示，藉由輸入前述測試用光罩之測試圖 案的設計資料與前述測試用晶圓之閘圖案的實測資料至前 逑第二模擬工具40，藉由第二模擬工具40生成有第二模擬 基礎OPC模式42,其係形成有考慮因光近接效果造成之靜 態變動成分的製程修正（步騾S26A)。 其次’如圖10所示，藉由在前述第二模擬工具4〇内輸入 有前述評估用光罩之光罩圖案之全部設計資料，藉由前述 第二模擬基礎OPC模式42實施模擬計算，輸出有對應於前 述整個評估用晶圓之閘圖案的模擬資料（步驟S28A)。 其次，藉由比較前述步騾S18A所獲得之前述評估用閘 圖案的實測資料、與前述步驟28A所獲得之前述模擬資 料’來汗估前述第一模擬基礎〇PC模式32(步騾S30A)。 此外，評估前述步騾S10所設定之前述修正柵（步騾 S32A)。 以下，參照圖11詳細說明前述步驟S3〇A，S32A。 圖11 (A)係顯示將如述修正柵·設定為〇 5 nm時之前述評估 用閘圖案之線寬的實測資料與間隔關連性的線圖，橫轴表 示閘圖案間之間隔（# m)，縱軸表示與前述線寬之實測資 料之設計資料的誤差CD (nm)。圖中的實線表示各實測資 料的平均值。 如圖11(A)所示，各間隔之實測資料的平均值在± 2 5 nm 的範圍内，可判斷比顯示修正柵為2.5 nm之實測資料的圖 6(A)，各間隔之實測資料之平均值的範圍進一步被抑制。 其次，有關圖11(A)之判斷結果是否妥當，實施與模擬 -14-
539913 A7 B7 五、發明説明（12 ) y 資料的比較檢討。 圖11(B)係顯示藉由前述步騾S28A所獲得之前述評估用 晶圓全部閘圖案之模擬資料的分布圖，其中橫軸為佔整體 的佔有率（％)，縱軸為模擬資料對前述線寬之實測資料之 設計資料的誤差CD (nm)。 如圖11(B)所示，可知幾乎全部之模擬資料均分布於土 2.5 nm的範圍内，藉此可判斷圖11(A)之實測結果為妥當。 還可判斷前述步騾S18A中測長之閘圖案的選擇為妥當。 圖11(C)係以三次元顯示前述步騾S28A所獲得之前述評 估用晶圓全部之閘圖案之模擬資料的分布圖，X軸與Y軸 顯示前述評估用晶圓上之二次元座標軸，與此等X軸與Y 軸直交之縱軸（Z軸）表示模擬資料對前述線寬之實測資料 之設計資料的誤差CD (nm)。 比較圖6(C)與圖11(C)可知，後者之縱軸方向的變動，亦 即模擬資料之誤差CD的變動被抑制。 如以上說明，採用本實施形態之模擬基礎OPC模式之評 估方法，可依據實測資料與模擬資料正確評估前述模擬基 礎OPC模式的線寬控制性。 此外，改變前述修正柵之設定時，可評估實測資料之變 動是否在妥當的範圍内，藉此可將修正柵予以最佳化。 此外，藉由將圖11(C)所示之各閘圖案之模擬資料的變 動資訊反饋在光罩圖案之布局設計上，可設計抑制形成於 晶圓上之閘圖案之誤差的光罩圖案。 [發明之功效] -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 539913 A7
如以上說明，採用本發明之規則基礎〇pc之評估方法， 可依據實測資料與模擬資料正確評估前述規則基礎〇?(：之 線寬控制性。 此外’採用本發明之模擬基礎〇PC模式之評估方法，可 依據實測資料與模擬資料正確評估前述模擬基礎〇pC模式 之線寬控制性。 [圖式之簡單說明] 圖1係顯示本實施形態之規則基礎〇PCi評估方法的評 估程序流程圖。 圖2係規則基礎OPC的區塊圖。 圖3係顯示生成評估規則基礎〇pc用之模擬資料並輸出 之模擬工具的區塊圖。 圖4係生成模擬基礎0PC模式之模擬工具的區塊圖。 圖5 (A)係顯示將前述修正柵設定成5 nm時之前述評估用 閘圖案之線寬實測資料與間隔關連性的線圖，（B)係顯示 評估用晶圓全部閘圖案之模擬資料的分布圖，（c)係以三 次元顯示評估用晶圓全部之閘圖案之模擬資料的分布圖。 圖6(A)係顯示將前述修正柵設定成2.5 nm時之前述評估 用閘圖案之線寬實測資料與間隔關連性的線圖，係顯 示評估用晶圓全部閘圖案之模擬資料的分布圖，（C)係以 二次元顯示評估用晶圓全部之閘圖案之模擬資料的分布 圖。 圖7係顯示本實施形態之模擬基礎OPC模式之評估程序 的流程圖。 «Ί6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 539913 A7 B7 五、發明説明（14 ) 圖8係第一 OPC模擬工具的區塊圖。 圖9係生成第二模擬基礎OPC模式之第二模擬工具的區 塊圖。 圖10係生成評估第一模擬基礎OPC模式用之模擬資料並 輸出之弟二模擬工具的區塊圖。 圖11(A)係顯示將前述修正柵設定成0.5 nm時之前述評估 用閘圖案之線寬實測資料與間隔關連性的線圖，（B)係顯 示評估用晶圓全部閘圖案之模擬資料的分布圖，（C)係以 三次元顯示評估用晶圓全部之閘圖案之模擬資料的分布 圖。 [元件符號之說明] 10……規則基礎OPC，20……模擬工具，22……模擬基礎 OPC模式，30……第一模擬工具，32……第一模擬基礎OPC 模式，40……第二模擬工具，42……第二模擬基礎OPC模 式。 '17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 一種規則基礎OPC之評估方法，其特徵為包含： 光罩圖案修正步騾，其係藉由以規則基礎0PC修正處 理評估用光罩圖案之設計資料以獲得修正資料； 評估用光罩製造步驟，其係依據前述修正資料，在評 估用光罩上形成評估用光罩圖案； 評估用晶圓製造步騾，其係依據前述評估用光罩，在 評估用晶圓上形成評估用閘圖案； 實測步騾，其係藉由實施形成於前述評估用晶圓上之 前述評估用閘圖案的測長，以取得評估用閘圖案的實洌 資料； n仏 模擬基礎OPC模式生成步驟，其係依據用於實施製程 修正疋測試用光罩之測試圖案的設計步驟，及依據前述 測試用光罩所製出之測試用晶圓之閘圖案的實測資料， 生成經實施製程修正之模擬基礎〇pc模式； 模擬步驟，其係藉由前述模擬基礎〇pc模式，對於前 述評估用光罩圖案之設計資料進行模擬，以獲得模擬資 料；及 八 評估步驟，其係藉由比較前述評估用閘圖案之實測資 料與前述模擬資料，以進行前述規則基礎OPC的評估。 如申請專利範圍第1項之規則基礎OPC之評估方法，其 中相對前述測試用光罩之測試圖案之設計資料，前述測 式用晶圓之閘圖案之實測資料的變動，係表現因光近接 政果造成之靜態變動成分者。 如申请專利範圍第1項之規則基礎OPC之評估方法，其 9 9 3 5 3 A B c D 申請專利範圍 > 中包含修正柵設定步騾，其係設定修正前述光罩圖案時 最小單位之修正栅，前述光罩圖案修正步騾之前述評估 用光罩圖案之設計資料的修正處理，係依據前述修正柵 來實施。 4·如申請專利範圍第2項之規則基礎OPC之評估方法，其 中包含修正柵評估步騾，其係藉由比較前述實測資料與 前述模擬資料，評估前述修正栅設定步騾所設定之修正 柵。 5·如申請專利範圍第1項之規則基礎〇pc之評估方法，其 中前述實測資料與前述模擬資料係顯示線寬尺寸的資 料。 6·如申請專利範圍第1項之規則基礎OPC之評估方法，其 中前述模擬步驟中利用模擬基礎〇PC模式之對於設計資 料的模擬，係對全部之前述設計資料實施。 7. 一種模擬基礎OPC模式之評估方法，其特徵為包含： 光罩圖案修正步騾，其係藉由以第一模擬基礎〇pc模 式修正處理評估用光罩圖案之設計資料以獲得修正資 料； /、 砰估用光罩製造步驟，其係依據前述修正資料在評估 用光罩上形成評估用光罩圖案； 評估用晶圓製造步驟，其係依據前述評估甩光罩，在 評估用晶圓上形成評估用閘圖案； 义實測步驟，其係藉由實施形成於前述評估用晶圓上之 則逑砰估用閘圖案的測長，以取得評估用閘圖案的實測 __ -19- 本紙張尺度时料(CNS) Α4ϋα·χ297公董;----- 539913 A B c D 六、申請專利範圍 y 資料； 模擬基礎OPC模式生成步驟，其係依據用於實施製程 修正之測試用光罩之測試圖案的設計步驟，及依據前述 測試用光罩所製出之測試用晶圓之閘圖案的實測資料， 生成經實施有製程修正之模擬基礎〇pC模式； 模擬步驟，其係藉由前述第二模擬基礎0PC模式，對 於前述評估用光罩圖案之設計資料進行模擬，以獲得模 擬資料；及 評估步驟，其係藉由比較前述評估用閘圖案之實測資 料與前述模擬資料，以進行前述第一模擬基礎〇pc模式 的評估。 8·如申請專利範圍第7項之模擬基礎〇pc模式之評估方 去其中相對如述測試用光罩之測試圖案之設計資料， 前述測試用晶圓之閘圖案之實測資料的變動，係表現因 光近接效果造成之靜態變動成分者。 9.如申請專利範圍第6項之模擬基礎〇pc模式之評估方 法，其中包含修正柵設定步驟，其係設定修正前述光罩 圖案時最小單位之修正；f冊，前述光罩圖冑修正步驟之_ 述評估用光罩圖案之設計資料的修正處理，係依據前述 修正柵來實施。 10·如申請專利範圍第9項之模擬基礎〇pc模式之評估方 法’其中包含修正栅評估步驟，其係藉由比較前述實測 資料與前述模擬資料，評估前述修正柵設定步驟所設定 之修正柵。 -20- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) 公D --------- 539913 8 8 8 8 A B c D 々、申請專利範圍 11. 如申請專利範圍第6項之模擬基礎OPC模式之評估方 法，其中前述實測資料與前述模擬資料係顯示線寬尺寸 的資料。 12. 如申請專利範圍第6項之模擬基礎OPC模式之評估方 法，其中前述模擬步騾中利用第二模擬基礎OPC模式之 對於設計資料的模擬，係對全部之前述設計資料實施。 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）
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