TW539913B - Method of evaluating rule-based OPC and method of evaluating simulation-based OPC model - Google Patents

Method of evaluating rule-based OPC and method of evaluating simulation-based OPC model Download PDF

Info

Publication number
TW539913B
TW539913B TW091108701A TW91108701A TW539913B TW 539913 B TW539913 B TW 539913B TW 091108701 A TW091108701 A TW 091108701A TW 91108701 A TW91108701 A TW 91108701A TW 539913 B TW539913 B TW 539913B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
evaluation
simulation
aforementioned
data
correction
Prior art date
Application number
TW091108701A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidetoshi Ohnuma
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW539913B publication Critical patent/TW539913B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

539913 A7 B7 五、發明説明（彳） y [發明之技術領域] 本發明係有關依據光近接效果預估圖案之變形，預先修 正光罩圖案之形狀之製造OPC光罩用之規則基礎OPC之評 估方法及模擬基礎OPC模式之評估方法。 [先前技藝] 近年來，半導體高積體化進步，促進閘長的微細化。因 而，自光罩對晶圓轉印光罩圖案時，要求能解像曝光裝置 上使用之光波長以下尺寸的圖案。 為求忠實地解像比光波長短之線寬圖案，採用有考慮因 光近接效果造成晶圓上之圖案變形，預先修正光罩圖案形 狀之技術的光近接效果修正（OPC; Optical Proximity Correction)技術。前述OPC技術亦稱之為製程近接效果修 正（PPC; Process Proximity Effect Correction)技術。 此種OPC技術包含規則基礎OPC。 前述規則基礎OPC執行如下。亦即，以表示設計上許可 之全部圖案的測試圖案製造測試用光罩圖案，以該光罩圖 案在晶圓上轉印圖案並進行蝕刻以製造測試用的晶圓。 依據該測試用晶圓上之圖案形狀的測長資料（測定資 料）、與前述測試用之光罩圖案之設計資料，生成設計規 則，亦即用於決定加在光罩圖案之設計資料上之變動資料 的設計規則，亦即規則基礎OPC。繼續依據規則基礎OPC 修正光罩圖案。該修正係在光罩圖案之布局CAD的階段實 施。此外。將此種實施有光近接效果修正所製出之光罩稱 之為OPC光罩。 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 539913 A7 B7 五、發明説明（2 此外，除前述規則基礎〇pC之外，還有稱之為模擬基礎 OPC的技術。 模擬基礎OPC係依據預先準備之少數測試圖案的測長結 果’生成表現經考慮光近接效果而轉印之製程的模擬基礎 OPC模式（亦稱之為核心或製程模式），藉由前述模擬基礎 OPC模式’模擬計算求出光罩圖案之形狀與藉由該光罩圖 案轉印於晶圓上之圖案形狀的差異，並依據該模擬結果修 正光罩圖案。 [發明所欲解決之問題] 近年來，隨閘圖案之微細化，因應閘圖案與鄰接該圖案 之圖案間之間隔（Space)尺寸之增減，換言之，因應圖案間 之間隔的疏密，圖案線寬受到影響現象的間隔關連性顯 著，造成閘圖案之線寬控制性惡化的問題。 因此，實施上述之規則基礎OPC及模擬基礎OPC模式評 估後，正確分析線寬控制性良好與否極為重要。 先前，為求分析線寬控制性良好與否，係依據規則基礎 OPC或模擬基礎〇pc模式製造評估用光罩，實測依據該評 估用光罩所製出之評估用晶圓上之閘圖案的線寬，求出線 寬之實測資料與間隔尺寸之誤差及變動。 然而，由於前述評估用晶圓上之閘圖案數量龐大，無法 實測閘圖案之全部線寬。因此，係就自閘圖案中選出之位 置的線寬求實測資料。不過，由於判定選出之實測資料作 為如述坪估用晶圓上之閘圖案的代表是否妥當困難，因此 線宽控制性之評估的正確度不足。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 539913 A7
、因此，本發明之目的在提供一種可正確評估線寬控制性 之規則基礎0PC4評估方法及模擬基礎0PC模式之評估方 法。 [解決問題之手段] 本發明之規則基礎OPC的評估方法，A求達成前述目 的，其特徵為包含：光罩圖案修正步騾，其係藉由以規則 基礎OPC修正處理評估用光罩圖案之設計資料以獲得修正 資料；評估用光罩製造步驟，其係依據前述修正資料在評 估用光罩上形成評估用光罩圖案；評估用晶圓製造步驟， 其係依據前述評估用光罩，在評估用晶圓上形成評估用閘 圖案；實測步騾，其係藉由實施形成於前述評估用晶圓上 之前述評估用閘圖案的測長，以取得評估用閘圖案的實測 資料；模擬基礎OPC模式生成步騾，其係依據用於實施製 %修正之測試用光罩之測試圖案的設計步騾，及依據前述 測試用光罩所製出之測試用晶圓之閘圖案的實測資料，生 成實施有製程修正之模擬基礎〇pC模式；模擬步騾，其係 藉由削述模擬基礎OPC模式’對於前述評估用光罩圖案之 设计資料進行模擬’以獲得模擬資料；及評估步騾，其係 藉由比較如述評估用閘圖案之實測資料與前述模擬資料， 以進行前述規則基礎OPC的評估。 因而’係進行依據評估對象之前述規則基礎0PC所製出 之評估用閘圖案的實測資料、與對於前述評估用光罩圖案 之設計資料所獲得之模擬資料的比較。 本發明之模擬基礎OPC模式的評估方法，為東達成前述 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公愛） 裝
玎
539913 A7 B7 五、發明説明（4 ) 目的’其特徵為包含：光罩圖案修正步驟，其係藉由以第 一模擬基礎OPC模式修正處理評估用光罩圖案之設計資料 以獲得修正資料；評估用光罩製❹驟，其係依據前述修 正資料在評估W罩上形成評估^罩隨；評估用晶圓 製造步驟’其係依據前述評估用光罩，在評估用晶圓上形 成評估用閘㈣；實測步騾，其係藉由實施形成於前述評 估用晶圓上之前述評估用閘圖案的測長，以取得評估用閘 圖案的實測資料；模擬基礎0PC模式生成步驟，其係依據 用於只施製程修正之測試用光罩之測試圖案的設計步驟， 及依據前述測試用光罩所製出之測試用晶圓之閘圖案的實 4舆料，生成實施有製程修正之第二模擬基礎〇pc模式； 模擬步驟，其係藉由前述第二模擬基礎帆模#，對於前 述評估用光罩圖案之設計資料進行模擬，以獲得模擬資 及砰估步驟，其係藉由比較前述評估用閘圖案之實測 具料與則述模擬資料，以進行前述第一模擬基礎〇pc模式 的評估。 因而’係進行依據評估對象之前述第一模擬基礎〇pC模 式所製出之坪估用閘圖案的實測資料、與對於前述評估用 光罩圖案之設計資料所獲得之模擬資料的比較。 [發明之實施形態] 以下說明本發明之規則基礎〇pc之評估方法的實施形 態。 圖2係顯示評估對象之規則基礎〇pc的區塊圖。 如圖2所tf ’本實施形態之規則基礎〇pc 1〇係藉由在電 本紙張尺度適州中國國家標準(CNS) A4規格297公愛) 539913
月包上工作之軟體來達成者’並構成對應於光罩圖案之設計 會料’藉由在前述設計資料上加入考慮光近接效果之變動 資料，來輸出修正資料。 該規則基礎OPC 10構成，藉由設定有前述變動資料之最 小單位’亦即修正前述光罩圖案時之最小單位的修正柵， 並依據該修正柵輸出前述修正資料。 圖3係顯示生成評估前述規則基礎〇pC i 〇用模擬資料並 輸出之模擬工具20的區塊圖。 前述模擬工具20係藉由在電腦上工作之軟體來達成者， 並構成包含模擬模式（核心）22，其係表示光罩圖案的轉印 製程。前述模擬模式22係為實施後述之製程修正而生成。 前述模擬工具20如圖3所示，構成輸入有須形成在晶圓 上之所需圖案的設計資料（光罩圖案之設計資料）時，藉由 前述模擬模式22之模擬計算，輸出模擬資料，其係顯示藉 由前述光罩圖案而形成於晶圓上之圖案形狀。 其次，參照圖1具體說明前述規則基礎〇pc之評估程 序。 首先，在前述規則基礎OPC 10上設定前述修正柵（步騾 10)。 其次，藉由在前述規則基礎OPC 1〇上輸入評估用光罩之 光罩圖案的設計資料，獲得前述評估用光罩之光罩圖案的 修正資料（步騾S12)。 繼續，依據前述修正資料製造評估用光罩（步騾SM)， 藉由使用該評估用光罩對晶圓實施曝光及蚀刻，以製造評 • 8 -
539913 A7
估用晶圓（步騾S 16)。 晶圓之閘圖案的線寬實施測長 繼績’就製出之評估用 (步驟S18)。 另外’形成於前述評估用曰η、 寬 個 估 中 "古用阳®〈閘圖案構成數種不同線 尺寸及鄰接I圖案間的間隔 ^ ㈣凡寸。此外，由於在前述整 评估用晶圓上設有許多（如勝 夕（如數千閘）前述閘圖案，因此評 用日日圓 < 閘圖案之線貧的油f i ’、長，係就自前述數種閘圖案 選出之閘圖案的位置選擇性實旅。 另外，除製造前述評估用θ圓、aL ^ L ^ _ 汴佑用日日®炙外，為求實施前述模擬 基礎OPC模式之製程修正，依據、 • m龈4用光罩 < 測試圖案的 設計資料製造有測試用光罩（步騾S20)。 其次，藉由依據前述測試用光罩對晶圓實施曝光及蚀 刻，製造形成有測試用閘圖案之測試用晶圓（步驟S22)。 其次，實施前述測試用晶圓之閘圖案的測長，以獲得實 測資料（步騾S24)。 此處，前述測試用晶圓之閘圖案之實測資料對前述測試 用光罩之測試圖案之設計資料的變動，係表現因光近接效 果造成的靜態變動成分者。 因此，如圖3所示，藉由輸入前述測試用光罩之測試圖 案的設計資料與前述測試用晶圓之閘圖案的實測資料至模 擬工具20，藉由前述模擬工具2〇生成有模擬基礎〇pc模式 22 ’其係形成有考慮因光近接效果造成之靜態變動成分的 製程修正（步驟26)。 其次，如圖4所示，藉由在前述模擬工具20内輸入有前 -9- 本紙張瓦度適用中國國_準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 539913
述評估用光罩之光罩圖案之全部設計資料，藉由前述模擬 基礎OPC模式22實施模擬計算，輸出有對應於前述整個評 估用晶圓之閘圖案的模擬資料（步騾S28)。 其次，藉由比較前述步騾Sl8所獲得之前述評估用閘圖 案的實測資料、與前述步騾28所獲得之前述模擬資料，來 評估前述規則基礎OPC 10 (步騾S30)。 此外，評估前述步騾S10所設定之前述修正栅（步驟 S32)。 以下’參照圖5、圖6詳細說明前述步騾S3〇，S32。 圖5(A)係顯示將前述修正柵設定為5 nm時之前述評估用 閘圖案之線見的實測資料與間隔關連性的線圖，橫轴表示 閘圖案間之間隔（//m)，縱軸表示與前述線寬之實測資料 之設計資料的誤差CD (nm)。圖中的實線表示各實測資料 的平均值。 ' 如圖5(A)所示，各間隔之實測資料的平均值在± $ 範圍内，可判斷將修正柵設定為5 nm的結果良好。 另外，各間隔之實測資料的變動，由於在閘圖案之線寬 方向之兩側各變動± 5 nm，因此，如在修正栅之兩倍正負 的範圍内’亦即在土 2 X 5 nm= 土 10 nm内即可判斷為良好， 而圖5(A)由於係在土 1〇 nm範圍内，因此可判斷為良好。 其次，有關圖5(A)之實測資料是否妥當，亦即作為前述 評估用晶圓之閘圖案的線寬資料是否妥當，實施與模擬資 料的比較檢討。 圖5(B)係顯示藉由前述步驟S28所獲得之前述評估用晶 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂
線 539913 A7 B7 五、發明説明（8 ) y 圓全部閘圖案之模擬資料的分布圖，其中橫軸為佔整體的 佔有率（％)，縱軸為模擬資料對前述線寬之實測資料之設 計資料的誤差CD (nm)。 如圖5(B)所示，可知幾乎全部之模擬資料均分布於±5 nm的範圍内，藉此可判斷圖5(A)之實測結果為妥當。還可 判斷前述步騾S 18中測長之閘圖案的選擇為妥當。 圖5(C)係以三次元顯示前述步騾S28所獲得之前述評估 用晶圓全部之閘圖案之模擬資料的分布圖，X軸與Y軸顯 示前述評估用晶圓上之二次元座標軸，與此等X軸與Y軸 直交之縱軸（Z軸）表示模擬資料對前述線寬之實測資料之 設計資料的誤差CD (nm)。 亦即，描繪於圖5(C)上之點，係對應於各閘圖案的誤差 CD。 其次，參照圖6(A)至（C)，說明將前述修正栅自5 nm改變 成2.5 nm來設定時，以圖1所示之流程圖相同之程序進行 評估的結果。 圖6(A)至（C)各圖分別相當於圖5(A)至（C)。 從圖6(A)中可知，各間隔之平均值在土 2.5 nm的範圍 内，將修正柵設定在5 nm的結果，可判斷為良好。 此外，各間隔之實測資料的變動大致在土 2x 2.5 nm== 土 5 nm的範圍内，可判斷為良好。 比較圖6(A)與（B)可知，幾乎全部之模擬資料分佈在 土 2.5 nm的範圍内，藉此，可判斷圖6(A)之實測結果為妥 當。還可判斷前述步騾S18中測長之閘圖案的選擇為妥 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 539913 A7
當。 此外，比較圖5(C)與圖6(C)可知，後者之縱軸方向的變 動’亦即模擬資料之誤差CD的變動被抑制。 如以上說明，採用本實施形態之規則基礎〇pc之評估方 法，可依據實測資料與模擬資料正確評估前述規則基礎 OPC的線寬控制性。 此外，改變前述修正栅之設定時，可評估實測資料之變 動是否在妥當的範圍内，藉此可將修正柵予以最佳化。 此外，藉由將圖5(c)、圖6(C)所示之各閘圖案之模擬資 料的變動資訊反饋在^罩圖案之布局設計上，可設計抑制 形成於晶圓上之閘圖案之誤差的光罩圖案。 其次’考慮將修正柵設定成更小值時。 縮小修正柵時，可期待進一步減少實測資料的變動。 但是，此時為求構成前述規則基礎〇pc，須製成形成以 修正柵之單位使閘線寬與間隔尺寸不同之閘圖案的晶圓， 同時須實施形成於該晶圓上之各閘圖案的測長。 般而5，使修正栅尺寸減半時，為求構成規則基礎 0pc，所需之測長位置則為4倍。因此，如將修正栅自2 5 nm、、猫小1/ 5至〇·5 nm時，則測長位置為16倍以上，實施各 閘圖本之測長耗費龐大時間（如約i年），因此不切實際。 因此，促使修正柵微細化的情況下，以使用不需要大量 測長1模擬基礎0PC模式為有利。 本因而’如以下說明，有關模擬基礎OPC模式，可以先前 實施形態相同的程序進行評估。
裴 玎
線 539913 A7 B7 五、發明説明（10 ) 以下說明本發明之模擬基礎OPC模式之評估方法的實施 形態。 圖7係顯示本實施形態之模擬基礎0PC模式之評估程序 的流程圖。另外，圖7中與圖1相同之處理註記相同步驟編 號，以簡化說明。 此外’本實施形態係將評估對象之模擬基礎〇PC模式作 為第一模擬基礎OPC模式，將生成前述評估用晶圓之閘圖 案之模擬資料的模擬基礎OPC模式作為第二模擬基礎〇PC 模式，分別將第一、第二模擬基礎〇PC模式之模擬工具作 為第一、第二模擬工具。 首先，如圖8所示，將前述修正柵設定於第一規則基礎 OPC 30(步騾 S10)。 其次’藉由在前述規則基礎OPC 10内輸入評估用光罩之 光罩圖案的設計資料，獲得前述評估用光罩之光罩圖案的 修正資料（步騾S12A)。 其次，依據前述修正資料製造評估用光罩（步騾S14), 藉由使用該評估用光罩對晶圓實施曝光及蝕刻，製造評估 用晶圓（步騾S 16)，對製出之評估用晶圓之閘圖案的線寬 實施測長（步騾S 18)。 另外，除製造前述評估用晶圓之外，為求實施前述第二 模擬基礎OPC模式之製程修正，依據測試用光罩之測試圖 案的設計資料製造有測試用光罩（步驟S2〇)，製造有測試 用晶圓（步騾S22)，對前述測試用晶圓之閘圖案實施測長 以獲得實測資料（步驟S24)。 -13-
539913
因此，如圖9所示，藉由輸入前述測試用光罩之測試圖 案的設計資料與前述測試用晶圓之閘圖案的實測資料至前 逑第二模擬工具40，藉由第二模擬工具40生成有第二模擬 基礎OPC模式42,其係形成有考慮因光近接效果造成之靜 態變動成分的製程修正（步騾S26A)。 其次’如圖10所示，藉由在前述第二模擬工具4〇内輸入 有前述評估用光罩之光罩圖案之全部設計資料，藉由前述 第二模擬基礎OPC模式42實施模擬計算，輸出有對應於前 述整個評估用晶圓之閘圖案的模擬資料（步驟S28A)。 其次，藉由比較前述步騾S18A所獲得之前述評估用閘 圖案的實測資料、與前述步驟28A所獲得之前述模擬資 料’來汗估前述第一模擬基礎〇PC模式32(步騾S30A)。 此外，評估前述步騾S10所設定之前述修正柵（步騾 S32A)。 以下，參照圖11詳細說明前述步驟S3〇A，S32A。 圖11 (A)係顯示將如述修正柵·設定為〇 5 nm時之前述評估 用閘圖案之線寬的實測資料與間隔關連性的線圖，橫轴表 示閘圖案間之間隔（# m)，縱軸表示與前述線寬之實測資 料之設計資料的誤差CD (nm)。圖中的實線表示各實測資 料的平均值。 如圖11(A)所示，各間隔之實測資料的平均值在± 2 5 nm 的範圍内，可判斷比顯示修正柵為2.5 nm之實測資料的圖 6(A)，各間隔之實測資料之平均值的範圍進一步被抑制。 其次，有關圖11(A)之判斷結果是否妥當，實施與模擬 -14-
539913 A7 B7 五、發明説明（12 ) y 資料的比較檢討。 圖11(B)係顯示藉由前述步騾S28A所獲得之前述評估用 晶圓全部閘圖案之模擬資料的分布圖，其中橫軸為佔整體 的佔有率（％)，縱軸為模擬資料對前述線寬之實測資料之 設計資料的誤差CD (nm)。 如圖11(B)所示，可知幾乎全部之模擬資料均分布於土 2.5 nm的範圍内，藉此可判斷圖11(A)之實測結果為妥當。 還可判斷前述步騾S18A中測長之閘圖案的選擇為妥當。 圖11(C)係以三次元顯示前述步騾S28A所獲得之前述評 估用晶圓全部之閘圖案之模擬資料的分布圖，X軸與Y軸 顯示前述評估用晶圓上之二次元座標軸，與此等X軸與Y 軸直交之縱軸（Z軸）表示模擬資料對前述線寬之實測資料 之設計資料的誤差CD (nm)。 比較圖6(C)與圖11(C)可知，後者之縱軸方向的變動，亦 即模擬資料之誤差CD的變動被抑制。 如以上說明，採用本實施形態之模擬基礎OPC模式之評 估方法，可依據實測資料與模擬資料正確評估前述模擬基 礎OPC模式的線寬控制性。 此外，改變前述修正柵之設定時，可評估實測資料之變 動是否在妥當的範圍内，藉此可將修正柵予以最佳化。 此外，藉由將圖11(C)所示之各閘圖案之模擬資料的變 動資訊反饋在光罩圖案之布局設計上，可設計抑制形成於 晶圓上之閘圖案之誤差的光罩圖案。 [發明之功效] -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 539913 A7
如以上說明，採用本發明之規則基礎〇pc之評估方法， 可依據實測資料與模擬資料正確評估前述規則基礎〇?(：之 線寬控制性。 此外’採用本發明之模擬基礎〇PC模式之評估方法，可 依據實測資料與模擬資料正確評估前述模擬基礎〇pC模式 之線寬控制性。 [圖式之簡單說明] 圖1係顯示本實施形態之規則基礎〇PCi評估方法的評 估程序流程圖。 圖2係規則基礎OPC的區塊圖。 圖3係顯示生成評估規則基礎〇pc用之模擬資料並輸出 之模擬工具的區塊圖。 圖4係生成模擬基礎0PC模式之模擬工具的區塊圖。 圖5 (A)係顯示將前述修正柵設定成5 nm時之前述評估用 閘圖案之線寬實測資料與間隔關連性的線圖，（B)係顯示 評估用晶圓全部閘圖案之模擬資料的分布圖，（c)係以三 次元顯示評估用晶圓全部之閘圖案之模擬資料的分布圖。 圖6(A)係顯示將前述修正柵設定成2.5 nm時之前述評估 用閘圖案之線寬實測資料與間隔關連性的線圖，係顯 示評估用晶圓全部閘圖案之模擬資料的分布圖，（C)係以 二次元顯示評估用晶圓全部之閘圖案之模擬資料的分布 圖。 圖7係顯示本實施形態之模擬基礎OPC模式之評估程序 的流程圖。 «Ί6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 539913 A7 B7 五、發明説明（14 ) 圖8係第一 OPC模擬工具的區塊圖。 圖9係生成第二模擬基礎OPC模式之第二模擬工具的區 塊圖。 圖10係生成評估第一模擬基礎OPC模式用之模擬資料並 輸出之弟二模擬工具的區塊圖。 圖11(A)係顯示將前述修正柵設定成0.5 nm時之前述評估 用閘圖案之線寬實測資料與間隔關連性的線圖，（B)係顯 示評估用晶圓全部閘圖案之模擬資料的分布圖，（C)係以 三次元顯示評估用晶圓全部之閘圖案之模擬資料的分布 圖。 [元件符號之說明] 10……規則基礎OPC，20……模擬工具，22……模擬基礎 OPC模式，30……第一模擬工具，32……第一模擬基礎OPC 模式，40……第二模擬工具，42……第二模擬基礎OPC模 式。 '17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 一種規則基礎OPC之評估方法，其特徵為包含： 光罩圖案修正步騾，其係藉由以規則基礎0PC修正處 理評估用光罩圖案之設計資料以獲得修正資料； 評估用光罩製造步驟，其係依據前述修正資料，在評 估用光罩上形成評估用光罩圖案； 評估用晶圓製造步騾，其係依據前述評估用光罩，在 評估用晶圓上形成評估用閘圖案； 實測步騾，其係藉由實施形成於前述評估用晶圓上之 前述評估用閘圖案的測長，以取得評估用閘圖案的實洌 資料； n仏 模擬基礎OPC模式生成步驟，其係依據用於實施製程 修正疋測試用光罩之測試圖案的設計步驟，及依據前述 測試用光罩所製出之測試用晶圓之閘圖案的實測資料， 生成經實施製程修正之模擬基礎〇pc模式； 模擬步驟，其係藉由前述模擬基礎〇pc模式，對於前 述評估用光罩圖案之設計資料進行模擬，以獲得模擬資 料；及 八 評估步驟，其係藉由比較前述評估用閘圖案之實測資 料與前述模擬資料，以進行前述規則基礎OPC的評估。 如申請專利範圍第1項之規則基礎OPC之評估方法，其 中相對前述測試用光罩之測試圖案之設計資料，前述測 式用晶圓之閘圖案之實測資料的變動，係表現因光近接 政果造成之靜態變動成分者。 如申请專利範圍第1項之規則基礎OPC之評估方法，其 9 9 3 5 3 A B c D 申請專利範圍 > 中包含修正柵設定步騾，其係設定修正前述光罩圖案時 最小單位之修正栅，前述光罩圖案修正步騾之前述評估 用光罩圖案之設計資料的修正處理，係依據前述修正柵 來實施。 4·如申請專利範圍第2項之規則基礎OPC之評估方法，其 中包含修正柵評估步騾，其係藉由比較前述實測資料與 前述模擬資料，評估前述修正栅設定步騾所設定之修正 柵。 5·如申請專利範圍第1項之規則基礎〇pc之評估方法，其 中前述實測資料與前述模擬資料係顯示線寬尺寸的資 料。 6·如申請專利範圍第1項之規則基礎OPC之評估方法，其 中前述模擬步驟中利用模擬基礎〇PC模式之對於設計資 料的模擬，係對全部之前述設計資料實施。 7. 一種模擬基礎OPC模式之評估方法，其特徵為包含： 光罩圖案修正步騾，其係藉由以第一模擬基礎〇pc模 式修正處理評估用光罩圖案之設計資料以獲得修正資 料； /、 砰估用光罩製造步驟，其係依據前述修正資料在評估 用光罩上形成評估用光罩圖案； 評估用晶圓製造步驟，其係依據前述評估甩光罩，在 評估用晶圓上形成評估用閘圖案； 义實測步驟，其係藉由實施形成於前述評估用晶圓上之 則逑砰估用閘圖案的測長，以取得評估用閘圖案的實測 __ -19- 本紙張尺度时料(CNS) Α4ϋα·χ297公董;----- 539913 A B c D 六、申請專利範圍 y 資料； 模擬基礎OPC模式生成步驟，其係依據用於實施製程 修正之測試用光罩之測試圖案的設計步驟，及依據前述 測試用光罩所製出之測試用晶圓之閘圖案的實測資料， 生成經實施有製程修正之模擬基礎〇pC模式； 模擬步驟，其係藉由前述第二模擬基礎0PC模式，對 於前述評估用光罩圖案之設計資料進行模擬，以獲得模 擬資料；及 評估步驟，其係藉由比較前述評估用閘圖案之實測資 料與前述模擬資料，以進行前述第一模擬基礎〇pc模式 的評估。 8·如申請專利範圍第7項之模擬基礎〇pc模式之評估方 去其中相對如述測試用光罩之測試圖案之設計資料， 前述測試用晶圓之閘圖案之實測資料的變動，係表現因 光近接效果造成之靜態變動成分者。 9.如申請專利範圍第6項之模擬基礎〇pc模式之評估方 法，其中包含修正柵設定步驟，其係設定修正前述光罩 圖案時最小單位之修正；f冊，前述光罩圖冑修正步驟之_ 述評估用光罩圖案之設計資料的修正處理，係依據前述 修正柵來實施。 10·如申請專利範圍第9項之模擬基礎〇pc模式之評估方 法’其中包含修正栅評估步驟，其係藉由比較前述實測 資料與前述模擬資料，評估前述修正柵設定步驟所設定 之修正柵。 -20- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) 公D --------- 539913 8 8 8 8 A B c D 々、申請專利範圍 11. 如申請專利範圍第6項之模擬基礎OPC模式之評估方 法，其中前述實測資料與前述模擬資料係顯示線寬尺寸 的資料。 12. 如申請專利範圍第6項之模擬基礎OPC模式之評估方 法，其中前述模擬步騾中利用第二模擬基礎OPC模式之 對於設計資料的模擬，係對全部之前述設計資料實施。 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）
TW091108701A 2001-05-10 2002-04-26 Method of evaluating rule-based OPC and method of evaluating simulation-based OPC model TW539913B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001139719A JP3909654B2 (ja) 2001-05-10 2001-05-10 ルールベースｏｐｃの評価方法およびシミュレーションベースｏｐｃモデルの評価方法並びにマスクの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW539913B true TW539913B (en) 2003-07-01

Family

ID=18986448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091108701A TW539913B (en) 2001-05-10 2002-04-26 Method of evaluating rule-based OPC and method of evaluating simulation-based OPC model

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6928636B2 (zh)
JP (1) JP3909654B2 (zh)
KR (1) KR100872731B1 (zh)
TW (1) TW539913B (zh)
WO (1) WO2002093259A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7594216B2 (en) 2003-09-04 2009-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and system for forming a mask pattern, method of manufacturing a semiconductor device, system forming a mask pattern on data, cell library and method of forming a photomask
CN104183513A (zh) * 2013-05-21 2014-12-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的检测方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3856197B2 (ja) * 2001-04-13 2006-12-13 ソニー株式会社 Ｏｐマスクの製作方法
JP3909654B2 (ja) 2001-05-10 2007-04-25 ソニー株式会社 ルールベースｏｐｃの評価方法およびシミュレーションベースｏｐｃモデルの評価方法並びにマスクの製造方法
US20030192015A1 (en) * 2002-04-04 2003-10-09 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus to facilitate test pattern design for model calibration and proximity correction
US6934928B2 (en) * 2002-08-27 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for designing a pattern on a semiconductor surface
US6898779B2 (en) * 2002-08-28 2005-05-24 Micron Technology, Inc. Pattern generation on a semiconductor surface
JP4192618B2 (ja) * 2003-02-17 2008-12-10 ソニー株式会社 マスクの補正方法
JP4068531B2 (ja) * 2003-08-20 2008-03-26 株式会社東芝 Ｏｐｃを用いたパターン寸法の補正方法及び検証方法、マスクの作成方法及び半導体装置の製造方法、並びに該補正方法を実行するシステム及びプログラム
JP2005099765A (ja) * 2003-08-28 2005-04-14 Toshiba Corp プロセス近接効果の予測モデルの作成方法、工程の管理方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法およびプログラム
JP4818281B2 (ja) * 2003-08-28 2011-11-16 株式会社東芝 工程の管理方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法およびプログラム
JP2005189362A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Toppan Printing Co Ltd フォトマスク設計処理システム
US7065738B1 (en) * 2004-05-04 2006-06-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method of verifying an optical proximity correction (OPC) model
US7500218B2 (en) 2004-08-17 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same
US7627837B2 (en) * 2004-10-15 2009-12-01 Takumi Technology Corp. Model-based pattern characterization to generate rules for rule-model-based hybrid optical proximity correction
US7713667B2 (en) 2004-11-30 2010-05-11 Asml Holding N.V. System and method for generating pattern data used to control a pattern generator
KR100636677B1 (ko) 2005-04-04 2006-10-23 주식회사 하이닉스반도체 이방성 및 비대칭 조명을 이용한 노광공정에서의레이아웃체크방법
CN104882442B (zh) * 2005-04-26 2018-09-11 瑞萨电子株式会社 半导体装置及其制造方法和半导体制造用掩模、光接近处理方法
JP4828870B2 (ja) 2005-06-09 2011-11-30 株式会社東芝 評価パタンの作成方法およびプログラム
KR100820561B1 (ko) * 2005-11-30 2008-04-07 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법
KR100702794B1 (ko) 2005-12-14 2007-04-03 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｏｐｃ 검증을 통한 마스크 레이아웃 보정 방법
KR100662961B1 (ko) 2005-12-17 2006-12-28 동부일렉트로닉스 주식회사 광근접보정 모델링 데이타 추출을 위한 테스트 패턴제작방법
KR101168331B1 (ko) * 2006-04-25 2012-07-24 에스케이하이닉스 주식회사 광 근접 보정 검증 방법
JP2008033277A (ja) 2006-06-29 2008-02-14 Sharp Corp 設計データ又はマスクデータの補正方法および補正システム、設計データ又はマスクデータの検証方法および検証システム、半導体集積回路の歩留まり予測方法、デザインルールの改善方法、マスクの製造方法、並びに、半導体集積回路の製造方法
KR100735535B1 (ko) * 2006-07-10 2007-07-04 삼성전자주식회사 마스크 제작 방법
KR100818999B1 (ko) * 2006-10-09 2008-04-02 삼성전자주식회사 마스크 제작 방법
US7650587B2 (en) * 2006-11-30 2010-01-19 International Business Machines Corporation Local coloring for hierarchical OPC
JP5224687B2 (ja) * 2006-12-22 2013-07-03 キヤノン株式会社 露光条件算出プログラム及び露光条件算出方法
US20080168419A1 (en) * 2007-01-04 2008-07-10 International Business Machines Corporation Optical proximity correction improvement by fracturing after pre-optical proximity correction
KR100826655B1 (ko) * 2007-05-21 2008-05-06 주식회사 하이닉스반도체 광 근접 효과 보정 방법
KR100877105B1 (ko) 2007-06-27 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 패턴 검증 방법
KR20090032293A (ko) 2007-09-27 2009-04-01 삼성전자주식회사 모델 베이스 광 근접 효과 보정을 이용한 마스크 제조방법및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US8059884B2 (en) * 2007-11-08 2011-11-15 International Business Machines Corporation Method and system for obtaining bounds on process parameters for OPC-verification
US8010915B2 (en) * 2008-07-10 2011-08-30 GlobalFoundries, Inc. Grid-based fragmentation for optical proximity correction in photolithography mask applications
US7894927B2 (en) * 2008-08-06 2011-02-22 Tokyo Electron Limited Using Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) models for metal-gate structures
KR20220078124A (ko) 2020-12-03 2022-06-10 삼성전자주식회사 Opc 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
CN117434785B (zh) * 2023-12-21 2024-03-01 华芯程(杭州)科技有限公司 一种掩膜图案校正方法、装置、电子设备和可读存储介质

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0619115A (ja) * 1992-06-30 1994-01-28 Nec Corp 投影露光装置用マスク
JP3934719B2 (ja) 1995-12-22 2007-06-20 株式会社東芝 光近接効果補正方法
US5862058A (en) 1996-05-16 1999-01-19 International Business Machines Corporation Optical proximity correction method and system
JPH10239826A (ja) * 1997-02-25 1998-09-11 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設計方法
JP3954216B2 (ja) 1997-09-30 2007-08-08 株式会社東芝 マスクデータ設計方法
US6243855B1 (en) 1997-09-30 2001-06-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask data design method
JPH11184064A (ja) 1997-12-18 1999-07-09 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体
JPH11218899A (ja) * 1998-01-29 1999-08-10 Sony Corp マスクパターンの補正方法およびその装置
JPH11218900A (ja) * 1998-01-29 1999-08-10 Sony Corp マスクパターンの補正方法およびその装置
US6128067A (en) 1998-04-28 2000-10-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Correcting method and correcting system for mask pattern
JP3396629B2 (ja) 1998-07-29 2003-04-14 松下電器産業株式会社 マスクパターン補正方法
JP3482172B2 (ja) 1999-03-04 2003-12-22 松下電器産業株式会社 Ｌｓｉ用パターンのレイアウト作成方法及びｌｓｉ用パターンの形成方法
KR20000060456A (ko) * 1999-03-16 2000-10-16 윤종용 리소그래피 공정으로부터 야기되는 불량 발생 지점 예측 방법
JP2000292903A (ja) * 1999-04-12 2000-10-20 Hitachi Ltd マスクパターンの設計方法および被露光基板の設計方法
JP3333176B2 (ja) * 1999-06-03 2002-10-07 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 近接補正方法、装置及び記録媒体
JP3461305B2 (ja) * 1999-06-30 2003-10-27 株式会社東芝 マスク描画データ作成方法、作成装置および記録媒体
JP2001014376A (ja) * 1999-07-02 2001-01-19 Mitsubishi Electric Corp デザインルール生成システムおよびそのプログラムを記録した記録媒体
JP2001066759A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Toppan Printing Co Ltd Ｏｐｃマスク欠陥修正方法及び欠陥修正装置
US6562638B1 (en) * 1999-12-30 2003-05-13 Cypress Semiconductor Corp. Integrated scheme for predicting yield of semiconductor (MOS) devices from designed layout
JP2002174890A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路の製造方法
JP3909654B2 (ja) 2001-05-10 2007-04-25 ソニー株式会社 ルールベースｏｐｃの評価方法およびシミュレーションベースｏｐｃモデルの評価方法並びにマスクの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7594216B2 (en) 2003-09-04 2009-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and system for forming a mask pattern, method of manufacturing a semiconductor device, system forming a mask pattern on data, cell library and method of forming a photomask
CN104183513A (zh) * 2013-05-21 2014-12-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的检测方法
CN104183513B (zh) * 2013-05-21 2018-05-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030014427A (ko) 2003-02-17
WO2002093259A1 (fr) 2002-11-21
JP3909654B2 (ja) 2007-04-25
US20030149955A1 (en) 2003-08-07
US6928636B2 (en) 2005-08-09
KR100872731B1 (ko) 2008-12-08
JP2002333700A (ja) 2002-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW539913B (en) Method of evaluating rule-based OPC and method of evaluating simulation-based OPC model
TWI524374B (zh) 模型化臨界尺寸掃描電子顯微鏡抽取的方法
KR101671322B1 (ko) 가변 성형 빔 리소그래피를 이용하여 레티클을 설계 및 제조하기 위한 방법
US8913120B2 (en) Method for emulation of a photolithographic process and mask inspection microscope for performing the method
JP4413825B2 (ja) 潜像計算方法、マスクパターン作成方法および半導体装置の製造方法
JP2004177961A (ja) マスキング・プロセス・シミュレータの自動較正方法及びシステム
US20030177467A1 (en) Opc mask manufacturing method, opc mask, and chip
JP2021508078A (ja) 計算メトロロジに基づく補正および制御
CN110262191B (zh) 一种计算光刻建模方法及装置
WO2008151185A1 (en) Methods for performing model-based lithography guided layout design
US20040073885A1 (en) Mask pattern correction apparatus, mask pattern correction method, mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
JP4138318B2 (ja) リソグラフィプロセスマージン評価装置、リソグラフィプロセスマージン評価方法およびリソグラフィプロセスマージン評価プログラム
KR20130008662A (ko) 포토마스크 레이아웃 형성 방법
US20080304029A1 (en) Method and System for Adjusting an Optical Model
CN106873315B (zh) 一种通孔层opc建模方法
US7207030B2 (en) Method for improving a simulation model of photolithographic projection
JP2014123737A (ja) 電子ビーム・リソグラフィによってプレートまたはマスク上に印刷されるパターンを推定する方法、および対応する印刷装置
TWI236702B (en) Semiconductor device fabrication using a photomask designed using modeling and empirical testing
US7544447B2 (en) Method of forming a mask pattern for a semiconductor device
KR20180108565A (ko) 매칭 절차에 의해 ic 제조 공정에 적용될 선량 보정을 결정하는 방법
TWI454939B (zh) 光阻圖案計算方法及計算程式儲存媒體
JP2004061720A (ja) プロセスモデルの作成方法及びその作成装置
JP2007317921A (ja) リソグラフィ・シミュレーション方法及びプログラム
CN117950280B (zh) 建立光学邻近效应修正模型的方法、电子设备和存储介质
KR20080102648A (ko) 광근접효과 보정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees