JP4413825B2 - 潜像計算方法、マスクパターン作成方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
潜像計算方法、マスクパターン作成方法および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4413825B2 JP4413825B2 JP2005204146A JP2005204146A JP4413825B2 JP 4413825 B2 JP4413825 B2 JP 4413825B2 JP 2005204146 A JP2005204146 A JP 2005204146A JP 2005204146 A JP2005204146 A JP 2005204146A JP 4413825 B2 JP4413825 B2 JP 4413825B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- latent image
- procedure
- mask
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
基板に形成されるパターンの設計データと、エネルギー線の透過により前記パターンの潜像を前記基板に形成する際に用いるマスクパターンを作成するためのマスクデータと、を取り込む手順と、
前記パターンの潜像を前記エネルギー線の強度計算により求める手順と、
前記基板表面の領域において予測対象のパターンとその周辺領域のパターンとの間の疎密の度合いに応じて、前記潜像を構成する前記エネルギー線の強度分布曲線である潜像曲線と前記予測対象パターンのエッジの位置を特定するための基準強度線との前記エネルギー線の強度方向での相対的位置関係を少なくとも前記予測対象パターンに対応する部分で局所的に変更する手順と、
変更後の相対的位置関係における前記潜像曲線の前記予測対象パターンに対応する部分と前記基準強度線との交点間の距離を算出して前記予測対象パターンの予測線幅と規定する手順と、
を備える潜像計算方法が提供される。
基板に形成されるパターンの設計データと、エネルギー線の透過により前記パターンの潜像を前記基板に形成する際に用いられその線幅が規定されたマスクパターンを作成するためのマスクデータと、を取り込む手順と、
前記基板表面の領域において補正対象のパターンとその周辺領域のパターンとの間の疎密の度合いを前記設計データに基づいて算出する手順と、
前記パターンの潜像を前記エネルギー線の強度計算により求める手順と、
算出された前記疎密の度合いに応じて、前記潜像を構成する前記エネルギー線の強度分布曲線である潜像曲線と前記補正対象パターンのエッジの位置を特定するための基準強度線との前記エネルギー線の強度方向での相対的位置関係を少なくとも前記補正対象パターンに対応する部分で局所的に変更する手順と、
変更後の相対的位置関係における前記潜像曲線の前記補正対象パターンに対応する部分と前記基準強度線との交点間の距離を算出して前記補正対象パターンの予測線幅と規定する手順と、
前記マスクデータから実際に作成したマスクを用いて前記基板上に前記パターンを作成して前記補正対象パターンの実際の線幅を測定する手順と、
前記算出された予測線幅と前記測定された実際の線幅との差分を算出する手順と、
予め定めた閾値と前記差分とを比較し、前記差分が前記閾値を上回る場合に前記マスクパターンの線幅を新たに規定する手順と、
マスクパターンの潜像を求める手順からマスクパターンの線幅を新たに規定する手順までを前記差分が前記閾値以下になるまで反復する手順と、
を備えるマスクパターンの作成方法が提供される。
上述したマスクパターンの作成方法を用いてマスクを作成する手順と、
作成された前記マスクを用いて露光および現像を行ない基板にパターンを形成する手順と、
を備える、半導体装置の製造方法が提供される。
図1は本発明にかかるリソグラフィシミュレーション方法の実施の一形態の概略手順を示すフローチャートである。また、図2は、図1に示す手順の説明図である。図2(a)は本実施形態のリソグラフィシミュレーション方法を説明し、同図(b)はマスクパターンのデータから実際に作成したマスクMを用いて露光および現像を行ない、ウェーハWF上にパターンを形成する様子を示す。なお、従来の技術によるリソグラフィシミュレーション方法の説明図を比較例として図2(c)に示した。
上述した実施形態のリソグラフィシミュレーション方法によれば、対象パターンの線幅を高い精度でかつ高速で予測できるので、この予測結果をマスクデータにフィードバックすることにより、化学増幅型レジストの酸の拡散、レジストの溶解速度特性およびフレアの影響による寸法変動量を予め取り込んだマスクパターンを作成することが可能である。以下、上記実施形態を用いたマスクパターン作成方法の実施の一形態について説明する。
上述したリソグラフィシミュレーション方法およびマスクパターン作成方法のそれぞれにおける一連の手順は、プログラムに組み込んでコンピュータに読込ませて実行させても良い。これにより、本発明にかかるリソグラフィシミュレーション方法およびマスクパターン作成方法における各一連の手順を汎用のコンピュータを用いて実現することができる。また、上述したリソグラフィシミュレーション方法およびマスクパターン作成方法の各一連の手順をコンピュータに実行させるプログラムとしてフレキシブルディスクやCD−ROM等の記録媒体に収納し、コンピュータに読込ませて実行させても良い。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の携帯可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でも良い。また、上述したリソグラフィシミュレーション方法およびマスクパターン作成方法のそれぞれの一連の手順を組込んだプログラムをインターネット等の通信回線(無線通信を含む)を介して頒布しても良い。さらに、上述したリソグラフィシミュレーション方法およびマスクパターン作成方法の各一連の手順を組込んだプログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、または記録媒体に収納して頒布しても良い。
上記実施形態で説明したリソグラフィシミュレーション方法またはマスクパターン作成方法を用いてマスクを作成し、作成されたマスクを用いて、レジストが上面に形成された基板にマスクパターンを露光し、潜像が形成されたレジストを現像して上記基板にパターンを形成すれば、リソグラフィプロセス上の寸法変動を半導体装置の製造プロセスに高精度かつ高速で取り込むことが可能になる。この結果、例えば新たな製造装置等を用いる必要なく、半導体装置の製造におけるスループットおよび歩留まりを高めることができる。
基板に形成されるパターンの設計データと、エネルギー線の透過により前記パターンの潜像を前記基板に形成する際に用いるマスクパターンを作成するためのマスクデータと、を取り込む手順と、
前記パターンの潜像を前記エネルギー線の強度計算により求める手順と、
前記基板表面の領域において予測対象のパターンとその周辺領域のパターンとの間の疎密の度合いに応じて、前記潜像を構成する前記エネルギー線の強度分布曲線である潜像曲線と前記予測対象パターンのエッジの位置を特定するための基準強度線との前記エネルギー線の強度方向での相対的位置関係を少なくとも前記予測対象パターンに対応する部分で局所的に変更する手順と、
変更後の相対的位置関係における前記潜像曲線の前記予測対象パターンに対応する部分と前記基準強度線との交点間の距離を算出して前記予測対象パターンの予測線幅と規定する手順と、
を備えるリソグラフィシミュレーション方法をコンピュータに実行させるプログラム。
基板に形成されるパターンの設計データと、エネルギー線の透過により前記パターンの潜像を前記基板に形成する際に用いられその線幅が規定されたマスクパターンを作成するためのマスクデータと、を取り込む手順と、
前記基板表面の領域において補正対象のパターンとその周辺領域のパターンとの間の疎密の度合いを前記設計データに基づいて算出する手順と、
前記パターンの潜像を前記エネルギー線の強度計算により求める手順と、
算出された前記疎密の度合いに応じて、前記潜像を構成する前記エネルギー線の強度分布曲線である潜像曲線と前記補正対象パターンのエッジの位置を特定するための基準強度線との前記エネルギー線の強度方向での相対的位置関係を少なくとも前記補正対象パターンに対応する部分で局所的に変更する手順と、
変更後の相対的位置関係における前記潜像曲線の前記補正対象パターンに対応する部分と前記基準強度線との交点間の距離を算出して前記補正対象パターンの予測線幅と規定する手順と、
前記マスクを用いて前記基板上に前記パターンを作成して前記補正対象パターンの実際の線幅を測定する手順と、
前記算出された予測線幅と前記測定された実際の線幅との差分を算出する手順と、
予め定めた閾値と前記差分とを比較し、前記差分が前記閾値を上回る場合に前記マスクパターンの線幅を新たに規定する手順と、
マスクパターンの潜像を求める手順からマスクパターンの線幅を新たに規定する手順までを前記差分が前記閾値以下になるまで反復する手順と、
を備えるマスクパターンの作成方法をコンピュータに実行させるプログラム。
基板に形成されるパターンの設計データと、エネルギー線の透過により前記パターンの潜像を前記基板に形成する際に用いられその線幅が規定されたマスクパターンを作成するためのマスクデータと、を取り込む手順と、
前記基板表面の領域において補正対象のパターンとその周辺領域のパターンとの間の疎密の度合いを前記設計データに基づいて算出する手順と、
前記パターンの潜像を前記エネルギー線の強度計算により求める手順と、
算出された前記疎密の度合いに応じて、前記潜像を構成する前記エネルギー線の強度分布曲線である潜像曲線と前記補正対象パターンのエッジの位置を特定するための基準強度線との前記エネルギー線の強度方向での相対的位置関係を少なくとも前記補正対象パターンに対応する部分で局所的に変更する手順と、
変更後の相対的位置関係における前記潜像曲線の前記補正対象パターンに対応する部分と前記基準強度線との交点間の距離を算出して前記補正対象パターンの予測線幅と規定する手順と、
前記マスクを用いて前記基板上に前記パターンを作成して前記補正対象パターンの実際の線幅を測定する手順と、
前記算出された予測線幅と前記測定された実際の線幅との差分を算出する手順と、
予め定めた閾値と前記差分とを比較し、前記差分が前記閾値を上回る場合に前記マスクパターンの線幅を新たに規定する手順と、
マスクパターンの潜像を求める手順からマスクパターンの線幅を新たに規定する手順までを前記差分が前記閾値以下になるまで反復する手順と、
を備えるマスクパターンの作成方法を用いた半導体装置の製造方法。
CDsim:予測線幅
Esh:露光量シフト量
ILref:基準強度線
Li0:光学像(潜像)曲線
Lim:変調潜像曲線
Pad:予測対象パターンに隣接するパターン
Pco:予測対象パターン
M:マスク
S:予測対象パターンに隣接するパターンと予測対象パターンとのスペース幅
W:予測対象パターンの幅
ΔW:予測線幅と実験値との差分
WF:ウェーハ
Claims (5)
- 基板に形成されるパターンの設計データと、エネルギー線の透過により前記パターンの潜像を前記基板に形成する際に用いるマスクパターンを作成するためのマスクデータと、を取り込む手順と、
前記パターンの潜像を前記エネルギー線の強度計算により求める手順と、
前記基板表面の領域において予測対象のパターンとその周辺領域のパターンとの間の疎密の度合いに応じて、前記潜像を構成する前記エネルギー線の強度分布曲線である潜像曲線と前記予測対象パターンのエッジの位置を特定するための基準強度線との前記エネルギー線の強度方向での相対的位置関係を少なくとも前記予測対象パターンに対応する部分で局所的に変更する手順と、
変更後の相対的位置関係における前記潜像曲線の前記予測対象パターンに対応する部分と前記基準強度線との交点間の距離を算出して前記予測対象パターンの予測線幅と規定する手順と、
を備える潜像計算方法。 - 前記疎密の度合いは、前記予測対象パターンの幅およびこれに隣り合って前記周辺領域に配置される隣接パターンと前記予測対象パターンとのスペース幅の少なくとも一方により規定されることを特徴とする請求項1に記載の潜像計算方法。
- 前記潜像は、前記エネルギー線の前記基板への照射量から独立した測定指標から特定されるσ値を有する単一のガウス関数と、任意の重み係数を用いて前記σ値を有するガウス関数が線形に加算されて形成される複数のガウス関数とのいずれかによる畳み込み積分により得られた変調潜像であることを特徴とする請求項1または2に記載の潜像計算方法。
- 基板に形成されるパターンの設計データと、エネルギー線の透過により前記パターンの潜像を前記基板に形成する際に用いられその線幅が規定されたマスクパターンを作成するためのマスクデータと、を取り込む手順と、
前記基板表面の領域において補正対象のパターンとその周辺領域のパターンとの間の疎密の度合いを前記設計データに基づいて算出する手順と、
前記パターンの潜像を前記エネルギー線の強度計算により求める手順と、
算出された前記疎密の度合いに応じて、前記潜像を構成する前記エネルギー線の強度分布曲線である潜像曲線と前記補正対象パターンのエッジの位置を特定するための基準強度線との前記エネルギー線の強度方向での相対的位置関係を少なくとも前記補正対象パターンに対応する部分で局所的に変更する手順と、
変更後の相対的位置関係における前記潜像曲線の前記補正対象パターンに対応する部分と前記基準強度線との交点間の距離を算出して前記補正対象パターンの予測線幅と規定する手順と、
前記マスクデータから実際に作成したマスクを用いて前記基板上に前記パターンを作成して前記補正対象パターンの実際の線幅を測定する手順と、
前記算出された予測線幅と前記測定された実際の線幅との差分を算出する手順と、
予め定めた閾値と前記差分とを比較し、前記差分が前記閾値を上回る場合に前記マスクパターンの線幅を新たに規定する手順と、
マスクパターンの潜像を求める手順からマスクパターンの線幅を新たに規定する手順までを前記差分が前記閾値以下になるまで反復する手順と、
を備えるマスクパターンの作成方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の潜像計算方法または請求項4に記載のマスクパターンの作成方法を用いてマスクを作成する手順と、
作成された前記マスクを用いて露光および現像を行ない基板にパターンを形成する手順と、
を備える、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005204146A JP4413825B2 (ja) | 2005-07-13 | 2005-07-13 | 潜像計算方法、マスクパターン作成方法および半導体装置の製造方法 |
KR1020060065315A KR100733550B1 (ko) | 2005-07-13 | 2006-07-12 | 리소그래피 시뮬레이션 방법, 마스크 패턴 작성 방법,반도체 장치의 제조 방법, 및 기록 매체 |
US11/485,554 US7426712B2 (en) | 2005-07-13 | 2006-07-13 | Lithography simulation method and recording medium |
US12/222,479 US7793252B2 (en) | 2005-07-13 | 2008-08-11 | Mask pattern preparation method, semiconductor device manufacturing method and recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005204146A JP4413825B2 (ja) | 2005-07-13 | 2005-07-13 | 潜像計算方法、マスクパターン作成方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007025034A JP2007025034A (ja) | 2007-02-01 |
JP4413825B2 true JP4413825B2 (ja) | 2010-02-10 |
Family
ID=37678666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005204146A Expired - Fee Related JP4413825B2 (ja) | 2005-07-13 | 2005-07-13 | 潜像計算方法、マスクパターン作成方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7426712B2 (ja) |
JP (1) | JP4413825B2 (ja) |
KR (1) | KR100733550B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101831926B1 (ko) * | 2007-01-18 | 2018-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 스캐너 기반의 광 근접 보정 시스템 및 이용 방법 |
JP5038743B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | リソグラフィシミュレーション方法及びプログラム |
JP4484909B2 (ja) | 2007-07-24 | 2010-06-16 | キヤノン株式会社 | 原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法および原版データ作成プログラム |
JP4843580B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2011-12-21 | 株式会社東芝 | 光学像強度分布のシミュレーション方法、シミュレーションプログラム及びパターンデータ作成方法 |
NL1036189A1 (nl) | 2007-12-05 | 2009-06-08 | Brion Tech Inc | Methods and System for Lithography Process Window Simulation. |
JP5224853B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | パターン予測方法、パターン補正方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
JP4568341B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2010-10-27 | 株式会社東芝 | シミュレーションモデル作成方法、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
US8281263B2 (en) * | 2009-12-17 | 2012-10-02 | International Business Machines Corporation | Propagating design tolerances to shape tolerances for lithography |
KR101711376B1 (ko) * | 2010-05-03 | 2017-03-02 | 주식회사 이오테크닉스 | 디지털 3차원 리소그래피 방법 및 장치 |
JP5539148B2 (ja) * | 2010-10-19 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | レジストパターンの算出方法及び算出プログラム |
US10430543B2 (en) * | 2014-10-04 | 2019-10-01 | Synopsys, Inc. | Matrix reduction for lithography simulation |
CN104634262B (zh) * | 2015-03-02 | 2017-11-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 基板检测装置和基板检测方法 |
US10048594B2 (en) * | 2016-02-19 | 2018-08-14 | Tokyo Electron Limited | Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) model calibration |
US10436374B2 (en) * | 2017-10-09 | 2019-10-08 | Lmk Technologies, Llc | Grooved sealing member for sealing pipes and other underground structures and method of using |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5563012A (en) * | 1994-06-30 | 1996-10-08 | International Business Machines Corporation | Multi mask method for selective mask feature enhancement |
JP3364385B2 (ja) | 1996-08-22 | 2003-01-08 | 株式会社東芝 | 形状シミュレーション方法 |
JP2002148779A (ja) | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Toshiba Corp | マスクパターン補正方法、フォトマスク及びマスクパターン補正方法プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP3456983B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2003-10-14 | 松下電器産業株式会社 | リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JP2004084791A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Koyo Seiko Co Ltd | 転がり摺動部材及び転がり軸受 |
US7057709B2 (en) * | 2003-12-04 | 2006-06-06 | International Business Machines Corporation | Printing a mask with maximum possible process window through adjustment of the source distribution |
-
2005
- 2005-07-13 JP JP2005204146A patent/JP4413825B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-12 KR KR1020060065315A patent/KR100733550B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-07-13 US US11/485,554 patent/US7426712B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-11 US US12/222,479 patent/US7793252B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100733550B1 (ko) | 2007-06-28 |
JP2007025034A (ja) | 2007-02-01 |
US20090019418A1 (en) | 2009-01-15 |
US7793252B2 (en) | 2010-09-07 |
US20070019058A1 (en) | 2007-01-25 |
US7426712B2 (en) | 2008-09-16 |
KR20070008439A (ko) | 2007-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4413825B2 (ja) | 潜像計算方法、マスクパターン作成方法および半導体装置の製造方法 | |
TWI466171B (zh) | 選擇圖案子集的方法、執行該方法之電腦程式產品及執行光源遮罩最佳化之方法 | |
JP5052620B2 (ja) | 製造可能性プロセスのための閉ループを設計するための方法、およびコンピュータ・プログラム | |
US7716628B2 (en) | System, method and program for generating mask data, exposure mask and semiconductor device in consideration of optical proximity effects | |
JP4690946B2 (ja) | シミュレーションモデルの作成方法、プログラム及び半導体装置の製造方法 | |
US9672300B2 (en) | Pattern generation method | |
JP4852083B2 (ja) | パタンデータの作成方法およびパタンデータ作成プログラム | |
TWI615670B (zh) | 微影光罩、用於對其進行相位調諧及製造其之電腦實行方法、以及微影系統 | |
CN104238261A (zh) | 掩模图案生成方法、记录介质和信息处理装置 | |
JP2007033919A (ja) | 半導体装置の設計データ処理方法、そのプログラム、及び半導体装置の製造方法 | |
CN110262191A (zh) | 一种计算光刻建模方法及装置 | |
JP2011002722A (ja) | フレア補正方法およびフレア補正プログラム | |
JP4138318B2 (ja) | リソグラフィプロセスマージン評価装置、リソグラフィプロセスマージン評価方法およびリソグラフィプロセスマージン評価プログラム | |
US10732499B2 (en) | Method and system for cross-tile OPC consistency | |
US7966580B2 (en) | Process-model generation method, computer program product, and pattern correction method | |
US20090030636A1 (en) | Method and System for Performing Optical Proximity Correction with Process Variations Considerations | |
TW200820033A (en) | Method and apparatus for designing an integrated circuit | |
JP2009169259A (ja) | パターン作成方法および半導体装置の製造方法 | |
US8146022B2 (en) | Mask pattern data generation method, mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and pattern data generation program | |
JP2007079517A (ja) | パターン作成方法、パターン作成プログラム及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007317921A (ja) | リソグラフィ・シミュレーション方法及びプログラム | |
US11727552B2 (en) | Method of verifying optical proximity effect correction | |
JP5980065B2 (ja) | マスクデータの作成方法、プログラム、情報処理装置、マスク製造方法、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2011228586A (ja) | 評価マップの作成方法、システム、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
TW202230205A (zh) | 用於圖案區域之基於特徵的單元擷取 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091023 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091118 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |