JP3364385B2 - 形状シミュレーション方法 - Google Patents
形状シミュレーション方法Info
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- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
- G06F30/23—Design optimisation, verification or simulation using finite element methods [FEM] or finite difference methods [FDM]
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、形状シミュレ―シ
ョン技術に係わり、特に半導体素子等をリソグラフィ工
程で製造する際の現像液によるレジストの溶解による形
状変化等を予め予測し最適なレジストパターンを形成す
るための形状シミュレーション方法と、このシミュレー
ション方法を実現するためのプログラムを格納した記憶
媒体に関する。
ョン技術に係わり、特に半導体素子等をリソグラフィ工
程で製造する際の現像液によるレジストの溶解による形
状変化等を予め予測し最適なレジストパターンを形成す
るための形状シミュレーション方法と、このシミュレー
ション方法を実現するためのプログラムを格納した記憶
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子等をリソグラフィ工程で製造
する場合には、レジスト（感光性膜）が塗布されたウェ
ハ上にマスクパターンの像を投影した後、そのウェハを
現像することにより、例えばポジ型レジストであれば露
光量の多い部分のレジストが現像液により溶解し、レジ
ストパターンが形成される。現像後のレジストパターン
は、マスクパターンの像を投影する際のウェハのデフォ
ーカス状態、露光条件（開口絞り，コヒーレンスファク
タ，光源形状，瞳フィルタ等）、現像時間、更にはマス
クパターンそのものによって種々に変形する。従って、
所定の焦点深度を持つように所望パターンを仕上げるた
めの投影光学系の条件及びマスクパターンを実験で求め
るには、膨大な数の露光実験を行わなければならない。
する場合には、レジスト（感光性膜）が塗布されたウェ
ハ上にマスクパターンの像を投影した後、そのウェハを
現像することにより、例えばポジ型レジストであれば露
光量の多い部分のレジストが現像液により溶解し、レジ
ストパターンが形成される。現像後のレジストパターン
は、マスクパターンの像を投影する際のウェハのデフォ
ーカス状態、露光条件（開口絞り，コヒーレンスファク
タ，光源形状，瞳フィルタ等）、現像時間、更にはマス
クパターンそのものによって種々に変形する。従って、
所定の焦点深度を持つように所望パターンを仕上げるた
めの投影光学系の条件及びマスクパターンを実験で求め
るには、膨大な数の露光実験を行わなければならない。
【０００３】そこで、コンピュータによるシミュレ―シ
ョンによって、現像後のレジスト形状が最良の状態とな
る条件を予め求めておくことが望ましい。このように現
像後のレジスト形状を予測する手法は、レジスト形状シ
ミュレ―ションとして知られている。従来のレジスト形
状シミュレ―ションの方法としては、種々の方法が提案
されている。以下に、これらを簡単に説明する。
ョンによって、現像後のレジスト形状が最良の状態とな
る条件を予め求めておくことが望ましい。このように現
像後のレジスト形状を予測する手法は、レジスト形状シ
ミュレ―ションとして知られている。従来のレジスト形
状シミュレ―ションの方法としては、種々の方法が提案
されている。以下に、これらを簡単に説明する。
【０００４】２次元的な形状のみを扱う場合にはレジス
トの形状を微小線分の連なりで、３次元的な形状を扱う
場合にはレジストの形状を微小面素の連なりで表現し、
微小線素又は微小面素の移動する方向は表面に垂直な方
向とするストリング・モデルがある。これに対して、移
動方向を光線の微分方程式と同様な微分方程式を解いて
求める手法はレイ・トレーシング・モデルと呼ばれる。
トの形状を微小線分の連なりで、３次元的な形状を扱う
場合にはレジストの形状を微小面素の連なりで表現し、
微小線素又は微小面素の移動する方向は表面に垂直な方
向とするストリング・モデルがある。これに対して、移
動方向を光線の微分方程式と同様な微分方程式を解いて
求める手法はレイ・トレーシング・モデルと呼ばれる。
【０００５】物体を微小なセルの集合体に分割し、物体
表面におけるセルの消失又は付着により形状変化を表現
する手法であるセル・モデルも知られている。また、特
開平６−１７６９９７号公報に示されているように、物
体形状を分布関数の等値面で表し、形状の時間変化を拡
散方程式に類似した微分方程式を解くことによって求め
る分布関数法もある。
表面におけるセルの消失又は付着により形状変化を表現
する手法であるセル・モデルも知られている。また、特
開平６−１７６９９７号公報に示されているように、物
体形状を分布関数の等値面で表し、形状の時間変化を拡
散方程式に類似した微分方程式を解くことによって求め
る分布関数法もある。
【０００６】また、簡易的な方法であるが、現像のプロ
セスをレジスト表面の最も溶解速度の速い点を始点とし
て、基板に垂直な方向に現像が進み、ある距離進んだ点
から基板に水平な方向に現像が進み、現像方向を切り替
える点を基板に垂直な全ての点で起こるとして、終点の
集合を現像後の形状とする簡易現像モデルも知られてい
る。
セスをレジスト表面の最も溶解速度の速い点を始点とし
て、基板に垂直な方向に現像が進み、ある距離進んだ点
から基板に水平な方向に現像が進み、現像方向を切り替
える点を基板に垂直な全ての点で起こるとして、終点の
集合を現像後の形状とする簡易現像モデルも知られてい
る。
【０００７】しかながら、この種の方法にあっては次の
ような問題があった。即ち、上記のような従来の技術に
おいては、レジストの溶解速度は露光，レジストの感光
特性及びプロセス条件にのみ依存するとしているか、こ
れに加えて、レジストの溶解部での形状にのみ依存する
としている。例えば、孤立パターンと密集パターンとが
混在する場合には、孤立パターンの周辺と周期パターン
の周辺とで、現像液中に溶解したレジストの反応生成物
の濃度、言い換えると現像液中のＯＨ- 濃度が異なる。
このため、孤立パターンの仕上がり寸法と密集パターン
の仕上がり寸法とを同時に正確に予測できないという不
都合があった。
ような問題があった。即ち、上記のような従来の技術に
おいては、レジストの溶解速度は露光，レジストの感光
特性及びプロセス条件にのみ依存するとしているか、こ
れに加えて、レジストの溶解部での形状にのみ依存する
としている。例えば、孤立パターンと密集パターンとが
混在する場合には、孤立パターンの周辺と周期パターン
の周辺とで、現像液中に溶解したレジストの反応生成物
の濃度、言い換えると現像液中のＯＨ- 濃度が異なる。
このため、孤立パターンの仕上がり寸法と密集パターン
の仕上がり寸法とを同時に正確に予測できないという不
都合があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、レジ
ストパターンの形状を予測するために種々のシミュレー
ション方法が提案されているが、いずれの方法において
も、孤立パターンの仕上がり寸法と密集パターンの仕上
がり寸法とを同時に正確に予測することはできないとい
う問題があった。また、上記の問題はレジストパターン
に限らず、被加工膜をエッチング等により加工する場合
にも同様に言えることである。
ストパターンの形状を予測するために種々のシミュレー
ション方法が提案されているが、いずれの方法において
も、孤立パターンの仕上がり寸法と密集パターンの仕上
がり寸法とを同時に正確に予測することはできないとい
う問題があった。また、上記の問題はレジストパターン
に限らず、被加工膜をエッチング等により加工する場合
にも同様に言えることである。
【０００９】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、パターンが孤立してい
るか密集しているかに拘らず、被加工膜の形状を正確に
予測することのできる形状シミュレ―ション方法を提供
することにある。また、本発明の他の目的は、上記のシ
ミュレーション方法をコンピュータ制御によって実現す
るためのプログラムを格納した記憶媒体を提供すること
にある。
ので、その目的とするところは、パターンが孤立してい
るか密集しているかに拘らず、被加工膜の形状を正確に
予測することのできる形状シミュレ―ション方法を提供
することにある。また、本発明の他の目的は、上記のシ
ミュレーション方法をコンピュータ制御によって実現す
るためのプログラムを格納した記憶媒体を提供すること
にある。
【００１０】
（構成）上記課題を解決するために本発明は、次のよう
な構成を採用している。即ち本発明は、基板上の被加工
膜を物理的又は化学的に加工することにより変化する該
被加工膜の形状を予測する形状シミュレーション方法に
おいて、前記被加工膜の所定位置における単位時間当た
りの加工量及びこの加工により該被加工膜が周辺へ飛散
する速度に応じて、該被加工膜の所定位置における加工
速度を変化させることを特徴とする。
な構成を採用している。即ち本発明は、基板上の被加工
膜を物理的又は化学的に加工することにより変化する該
被加工膜の形状を予測する形状シミュレーション方法に
おいて、前記被加工膜の所定位置における単位時間当た
りの加工量及びこの加工により該被加工膜が周辺へ飛散
する速度に応じて、該被加工膜の所定位置における加工
速度を変化させることを特徴とする。
【００１１】また本発明は、基板上の感光性膜を所望パ
ターンに露光した後に現像することにより変化する該感
光性膜の形状を予測する形状シミュレ―ション方法にお
いて、前記感光性膜の所定位置における潜像強度又は感
光剤濃度の空間平均量に応じて、該感光性膜の所定位置
における加工速度を変化させることを特徴とする。さら
に、本発明は、基板上の被加工膜を現像液で溶解するこ
とにより変化する前記被加工膜の形状を予測する形状シ
ミュレーション方法において、前記被加工膜の溶解速度
を基にして、第１の時刻における前記被加工膜の形状を
示すプロファイル関数と第２の時刻における前記プロフ
ァイル関数との差を示すプロファイル関数変化量を算出
する第１のステップと、前記プロファイル関数のうち、
第１の時刻から第２の時刻において所定の範囲だけ変化
しているプロファイル関数の集合を算出する第２のステ
ップと、前記現像液の溶解成分濃度のうち、前記集合に
対応する前記現像液の溶解成分濃度を所定値だけ下げる
第３のステップと、前記第１の時刻における前記現像液
の溶解成分濃度と前記第２の時刻における前記現像液の
前記溶解成分濃度との変化量を算出する第４のステップ
と、前記第１の時刻における前記被加工膜の溶解抑止剤
濃度と前記現像液の溶解成分濃度とに基づいて前記被加
工膜の溶解速度を算出する第５のステップと、前記プロ
ファイル関数、前記溶解成分濃度及び前記第１の時刻を
前記プロファイル関数の変化量、前記溶解成分濃度の変
化量及び前記第１の時刻と前記第２の時刻の変化量だけ
それぞれ変化させる第６のステップと、前記変化させら
れた第１の時刻が前記被加工膜の現像時間に到達してい
るか否かを判定する第７のステップと、前記変化させら
れた第１の時刻が現像時間に到達していると判定された
場合に、前記変化させられたプロファイル関数から前記
被加工膜の形状をシミュレーションする第８のステップ
とを具備することを特徴とする。 さらに、本発明は、基
板上の被加工膜を溶解することにより変化する前記被加
工膜の形状を予測する形状シミュレーション方法におい
て、前記被加工膜の膜厚の膜厚方向の平均化が行なわれ
た前記被加工膜の光学像分布を算出する第１のステップ
と、前記平均化が行われた光学像分布の空間平均を算出
する第２のステッ プと、前記被加工膜の溶解速度を算出
する第３のステップと、前記算出された溶解速度を前記
算出された空間平均を使用して変調する第４のステップ
と、前記変調された溶解速度を使用して前記被加工膜の
形状をシミュレーションする第５のステップとを具備す
ることを特徴とする。さらに、本発明は、所望の形状の
被加工膜を形成するための初期値を決定する形状シミュ
レーション方法において、基板上に形成された前記被加
工膜の光学像を算出するための初期値を設定する第１の
ステップと、前記初期値に基づいて、前記光学像を算出
する第２のステップと、前記被加工膜を溶解する溶解成
分に基づいて、前記被加工膜の溶解速度を変化させる第
３のステップと、前記変化させられた溶解速度を使用し
て前記被加工膜の形状を算出する第４のステップと、前
記算出された被加工膜の形状のうち、複数の箇所におけ
る前記被加工膜の寸法を算出する第５のステップと、前
記算出された被加工膜の寸法と予め設定された寸法との
差が所定の範囲内であるか否かを判定する第６のステッ
プと、前記算出された被加工膜の寸法と予め設定された
寸法との差が所定の範囲内でないと判定された場合に、
前記初期値を変化させて、前記第２のステップ乃至前記
第６のステップを繰り返し実行する第７のステップとを
具備することを特徴とする。
ターンに露光した後に現像することにより変化する該感
光性膜の形状を予測する形状シミュレ―ション方法にお
いて、前記感光性膜の所定位置における潜像強度又は感
光剤濃度の空間平均量に応じて、該感光性膜の所定位置
における加工速度を変化させることを特徴とする。さら
に、本発明は、基板上の被加工膜を現像液で溶解するこ
とにより変化する前記被加工膜の形状を予測する形状シ
ミュレーション方法において、前記被加工膜の溶解速度
を基にして、第１の時刻における前記被加工膜の形状を
示すプロファイル関数と第２の時刻における前記プロフ
ァイル関数との差を示すプロファイル関数変化量を算出
する第１のステップと、前記プロファイル関数のうち、
第１の時刻から第２の時刻において所定の範囲だけ変化
しているプロファイル関数の集合を算出する第２のステ
ップと、前記現像液の溶解成分濃度のうち、前記集合に
対応する前記現像液の溶解成分濃度を所定値だけ下げる
第３のステップと、前記第１の時刻における前記現像液
の溶解成分濃度と前記第２の時刻における前記現像液の
前記溶解成分濃度との変化量を算出する第４のステップ
と、前記第１の時刻における前記被加工膜の溶解抑止剤
濃度と前記現像液の溶解成分濃度とに基づいて前記被加
工膜の溶解速度を算出する第５のステップと、前記プロ
ファイル関数、前記溶解成分濃度及び前記第１の時刻を
前記プロファイル関数の変化量、前記溶解成分濃度の変
化量及び前記第１の時刻と前記第２の時刻の変化量だけ
それぞれ変化させる第６のステップと、前記変化させら
れた第１の時刻が前記被加工膜の現像時間に到達してい
るか否かを判定する第７のステップと、前記変化させら
れた第１の時刻が現像時間に到達していると判定された
場合に、前記変化させられたプロファイル関数から前記
被加工膜の形状をシミュレーションする第８のステップ
とを具備することを特徴とする。 さらに、本発明は、基
板上の被加工膜を溶解することにより変化する前記被加
工膜の形状を予測する形状シミュレーション方法におい
て、前記被加工膜の膜厚の膜厚方向の平均化が行なわれ
た前記被加工膜の光学像分布を算出する第１のステップ
と、前記平均化が行われた光学像分布の空間平均を算出
する第２のステッ プと、前記被加工膜の溶解速度を算出
する第３のステップと、前記算出された溶解速度を前記
算出された空間平均を使用して変調する第４のステップ
と、前記変調された溶解速度を使用して前記被加工膜の
形状をシミュレーションする第５のステップとを具備す
ることを特徴とする。さらに、本発明は、所望の形状の
被加工膜を形成するための初期値を決定する形状シミュ
レーション方法において、基板上に形成された前記被加
工膜の光学像を算出するための初期値を設定する第１の
ステップと、前記初期値に基づいて、前記光学像を算出
する第２のステップと、前記被加工膜を溶解する溶解成
分に基づいて、前記被加工膜の溶解速度を変化させる第
３のステップと、前記変化させられた溶解速度を使用し
て前記被加工膜の形状を算出する第４のステップと、前
記算出された被加工膜の形状のうち、複数の箇所におけ
る前記被加工膜の寸法を算出する第５のステップと、前
記算出された被加工膜の寸法と予め設定された寸法との
差が所定の範囲内であるか否かを判定する第６のステッ
プと、前記算出された被加工膜の寸法と予め設定された
寸法との差が所定の範囲内でないと判定された場合に、
前記初期値を変化させて、前記第２のステップ乃至前記
第６のステップを繰り返し実行する第７のステップとを
具備することを特徴とする。
【００１２】ここで、感光剤濃度とは、光照射による感
光性膜の感光量で光照射量に比例したものであり、より
具体的には光照射による分解・結合反応により組成変形
を起こした割合を意味している。また、本発明の望まし
い実施態様として次のものがあげられる。 (1) 所定のパターンを基板上の感光性膜に露光するため
のマスク設計方法及びマスクにおいて、上記のシミュレ
ーション方法を用いること。 (2) 着目箇所に対して所定のマスク条件及び露光条件を
選択し、本シミュレーション方法により着目箇所の寸法
を求め、この値が許容値内にないときはマスク条件及び
露光条件を再設定して再びシミュレーションを行い、着
目箇所の寸法が許容値内に入るようにマスク条件及び露
光条件を決定すること。 (3) 上記のシミュレーション方法をコンピュータ制御に
よって行うためのプログラムを、磁気ディスク，光ディ
スク，半導体メモリなどの記憶媒体に格納したこと。 （作用）本発明によれば、被加工膜の所定位置における
単位時間当たりの加工量及びこの加工により該被加工膜
が周辺へ飛散する速度に応じて、該被加工膜の所定位置
における加工速度を変化させることにより、パターンが
孤立しているか密集しているかに拘らず、被加工膜の形
状を正確に予測することができる。そして、被加工膜と
してレジスト（感光性膜）を用いた場合、現像後のレジ
ストパターン形状を極めて精度良く計算することが可能
となり、所定のプロセス裕度を持つような所望パターン
を仕上げるための露光条件及びマスクパターンを容易に
求めることが可能となる。
光性膜の感光量で光照射量に比例したものであり、より
具体的には光照射による分解・結合反応により組成変形
を起こした割合を意味している。また、本発明の望まし
い実施態様として次のものがあげられる。 (1) 所定のパターンを基板上の感光性膜に露光するため
のマスク設計方法及びマスクにおいて、上記のシミュレ
ーション方法を用いること。 (2) 着目箇所に対して所定のマスク条件及び露光条件を
選択し、本シミュレーション方法により着目箇所の寸法
を求め、この値が許容値内にないときはマスク条件及び
露光条件を再設定して再びシミュレーションを行い、着
目箇所の寸法が許容値内に入るようにマスク条件及び露
光条件を決定すること。 (3) 上記のシミュレーション方法をコンピュータ制御に
よって行うためのプログラムを、磁気ディスク，光ディ
スク，半導体メモリなどの記憶媒体に格納したこと。 （作用）本発明によれば、被加工膜の所定位置における
単位時間当たりの加工量及びこの加工により該被加工膜
が周辺へ飛散する速度に応じて、該被加工膜の所定位置
における加工速度を変化させることにより、パターンが
孤立しているか密集しているかに拘らず、被加工膜の形
状を正確に予測することができる。そして、被加工膜と
してレジスト（感光性膜）を用いた場合、現像後のレジ
ストパターン形状を極めて精度良く計算することが可能
となり、所定のプロセス裕度を持つような所望パターン
を仕上げるための露光条件及びマスクパターンを容易に
求めることが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を説明する前
に、図１から図３を用いて本発明の原理を説明する。図
１は現像途中でのレジスト断面図であり、密集パターン
１１と孤立パターン１２が混在している。なお、図中の
１０は基板、１３，１４は密集パターン周辺の抜き部
分、１５，１６は孤立パターン周辺の抜き部分、１７は
現像液、１８は溶解したレジスト又は反応生成物、１９
はレジストを示している。
に、図１から図３を用いて本発明の原理を説明する。図
１は現像途中でのレジスト断面図であり、密集パターン
１１と孤立パターン１２が混在している。なお、図中の
１０は基板、１３，１４は密集パターン周辺の抜き部
分、１５，１６は孤立パターン周辺の抜き部分、１７は
現像液、１８は溶解したレジスト又は反応生成物、１９
はレジストを示している。
【００１４】図２に示すように、孤立パターン２２の周
辺部（孤立パターン周辺の抜き部分２５及び２６）では
光強度が大きく、反対に密集パターン２１の周辺部（密
集パターン周辺の抜き部分２３及び２４）では光強度が
小さい。このため、孤立パターン周辺部２５及び２６に
対応する部分での溶解速度は、密集パターン周辺部２３
及び２４での溶解速度よりも速くなる。
辺部（孤立パターン周辺の抜き部分２５及び２６）では
光強度が大きく、反対に密集パターン２１の周辺部（密
集パターン周辺の抜き部分２３及び２４）では光強度が
小さい。このため、孤立パターン周辺部２５及び２６に
対応する部分での溶解速度は、密集パターン周辺部２３
及び２４での溶解速度よりも速くなる。
【００１５】図３には、孤立パターン周辺部２５及び２
６及び密集パターン周辺部２３及び２４に対応する部分
の残膜の現像時間依存性を示す。孤立パターン周辺部で
のレジストの抜け時間ｔi は、密集パターン周辺部での
抜け時間ｔd よりも小さい。従って、孤立パターン周辺
部では、密集パターン周辺部よりも速くレジストが基板
まで抜け、側壁を形成するための時間が長い。レジスト
が基板まで抜けるまでは、現像液へ溶解していくレジス
トの量が多い。溶解したレジストは現像液中を拡散して
いくが、単位時間当たりに溶解する量が多いため溶解部
周辺でのＯＨ-濃度は低下する。従って、ＯＨ- 濃度が
高い場合に比べ溶解速度が遅くなる。
６及び密集パターン周辺部２３及び２４に対応する部分
の残膜の現像時間依存性を示す。孤立パターン周辺部で
のレジストの抜け時間ｔi は、密集パターン周辺部での
抜け時間ｔd よりも小さい。従って、孤立パターン周辺
部では、密集パターン周辺部よりも速くレジストが基板
まで抜け、側壁を形成するための時間が長い。レジスト
が基板まで抜けるまでは、現像液へ溶解していくレジス
トの量が多い。溶解したレジストは現像液中を拡散して
いくが、単位時間当たりに溶解する量が多いため溶解部
周辺でのＯＨ-濃度は低下する。従って、ＯＨ- 濃度が
高い場合に比べ溶解速度が遅くなる。
【００１６】その後、側壁を形成する段階になると、現
像液へ溶解していくレジストの量が少なくなるため溶解
速度は遅くならない。孤立パターンの周辺部での側壁形
成時間（ｔdev-ｔi)が密集パターン周辺部での側壁形成
時間（ｔdev-ｔd)より長いため、孤立パターンでの仕上
がり寸法が、現像過程でＯＨ- 濃度の変化を無視した従
来の方法による計算結果より細くなる。
像液へ溶解していくレジストの量が少なくなるため溶解
速度は遅くならない。孤立パターンの周辺部での側壁形
成時間（ｔdev-ｔi)が密集パターン周辺部での側壁形成
時間（ｔdev-ｔd)より長いため、孤立パターンでの仕上
がり寸法が、現像過程でＯＨ- 濃度の変化を無視した従
来の方法による計算結果より細くなる。
【００１７】以上の物理現象を微分方程式で記述し、こ
れを解くことによってレジストパターン形状が予測され
る。そして本発明では、単位時間当たりの加工される被
加工膜の量及び加工された被加工膜が周辺へ飛散する速
度に応じて、被加工膜の加工速度を変化させることによ
り、任意のパターンピッチに対して、加工後の仕上がり
形状を精度良く予測でき、所望パターンを得るためのマ
スクが容易に設計できる。
れを解くことによってレジストパターン形状が予測され
る。そして本発明では、単位時間当たりの加工される被
加工膜の量及び加工された被加工膜が周辺へ飛散する速
度に応じて、被加工膜の加工速度を変化させることによ
り、任意のパターンピッチに対して、加工後の仕上がり
形状を精度良く予測でき、所望パターンを得るためのマ
スクが容易に設計できる。
【００１８】以下、本発明の詳細を実施形態によって説
明する。 （第１の実施形態）図１を用いて本発明の第１の実施形
態を説明する。図１は現像途中でのレジスト断面図であ
り、先にも説明したように密集パターン１１と孤立パタ
ーン１２が混在している。
明する。 （第１の実施形態）図１を用いて本発明の第１の実施形
態を説明する。図１は現像途中でのレジスト断面図であ
り、先にも説明したように密集パターン１１と孤立パタ
ーン１２が混在している。
【００１９】レジストと現像液との界面の移動速度Ｒ
（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）は、レジスト膜内での溶解抑止剤濃
度Ｍ（ｘ，ｙ，ｚ）と、レジストと現像液との界面付近
での現像液中のＯＨ- 濃度Ｃ（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）とに依
存する。溶解したレジストは現像液中を拡散していく。
その拡散計数をＤとすれば、濃度Ｃ（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）
は次式を満たす。
（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）は、レジスト膜内での溶解抑止剤濃
度Ｍ（ｘ，ｙ，ｚ）と、レジストと現像液との界面付近
での現像液中のＯＨ- 濃度Ｃ（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）とに依
存する。溶解したレジストは現像液中を拡散していく。
その拡散計数をＤとすれば、濃度Ｃ（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）
は次式を満たす。
【００２０】
【数１】
【００２１】また、特開平６−１７６９９７号公報で知
られているように、レジストの有無を表すプロファイル
関数Ｐ（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）は、界面の移動速度を用いて
次式を満足する。
られているように、レジストの有無を表すプロファイル
関数Ｐ（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）は、界面の移動速度を用いて
次式を満足する。
【００２２】
【数２】
ここで、移動速度Ｒ（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）は抑止剤濃度Ｍ
（ｘ，ｙ，ｚ）とＯＨ- の濃度Ｃ（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）の
関数である。即ち、次式のように表せる。
（ｘ，ｙ，ｚ）とＯＨ- の濃度Ｃ（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）の
関数である。即ち、次式のように表せる。
【００２３】
【数３】
【００２４】ここで、抑止剤濃度分布Ｍはレジスト膜内
での光の照射分布Ｅ（ｘ，ｙ，ｚ）の関数として求めら
れる。（１）から（３）までを自己無撞着に解くことに
よって、現像後のレジスト形状が求められる。ここで、
例えば（３）式の具体的表現として、文献（J.P.Huang,
T.K.Kwei and A.Reiser:Macromolecules 1989,22,p.410
6-4112）から、
での光の照射分布Ｅ（ｘ，ｙ，ｚ）の関数として求めら
れる。（１）から（３）までを自己無撞着に解くことに
よって、現像後のレジスト形状が求められる。ここで、
例えば（３）式の具体的表現として、文献（J.P.Huang,
T.K.Kwei and A.Reiser:Macromolecules 1989,22,p.410
6-4112）から、
【００２５】
【数４】
【００２６】となる。ここで、ｎ，ｍは反応次数で、ｋ
は定数である。従って、（１）式〜（４）式を用いて、
孤立パターンと密集パターンとが混在した場合の現像後
の仕上がり寸法を正確に予測することができた。 （第２の実施形態）図１〜図４を用いて、本発明の第２
の実施形態を説明する。第１の実施形態では、２つの微
分方程式を自己無撞着に解くため計算時間がかかる。そ
こで本実施形態では、モデルを単純化することによって
計算時間の短縮を図る。
は定数である。従って、（１）式〜（４）式を用いて、
孤立パターンと密集パターンとが混在した場合の現像後
の仕上がり寸法を正確に予測することができた。 （第２の実施形態）図１〜図４を用いて、本発明の第２
の実施形態を説明する。第１の実施形態では、２つの微
分方程式を自己無撞着に解くため計算時間がかかる。そ
こで本実施形態では、モデルを単純化することによって
計算時間の短縮を図る。
【００２７】前記図３に示すように、密集パターンより
も孤立パターンの方が抜け時間が短いために、側壁を形
成するための時間が長い。抜け時間以降では、現像液へ
溶け出すレジストの量は極端に減少するために周辺のＯ
Ｈ- 濃度は上昇する。このため、溶解速度は速くなる。
このようにして、孤立パターンの方が仕上がり寸法が細
る。この効果を取り込むために次式のような空間平均を
考える。
も孤立パターンの方が抜け時間が短いために、側壁を形
成するための時間が長い。抜け時間以降では、現像液へ
溶け出すレジストの量は極端に減少するために周辺のＯ
Ｈ- 濃度は上昇する。このため、溶解速度は速くなる。
このようにして、孤立パターンの方が仕上がり寸法が細
る。この効果を取り込むために次式のような空間平均を
考える。
【００２８】
【数５】
【００２９】ここで、Ｉ（ｘ，ｙ）は膜厚方向ｚで平均
化したものである。図２に示すように、ポジ型レジスト
の場合、孤立パターンの周辺は光強度が強く、Ｇ（ｘ，
ｙ）は大きい値をとる。一方、密集パターンではＩ
（ｘ，ｙ）はピーク強度も孤立部より小さく、かつ周期
的に零付近まで強度が下がるために、Ｇ（ｘ，ｙ）は孤
立パターンよりも小さくなる。そこで、γを正の定数と
して溶解速度を次式のように変調する。
化したものである。図２に示すように、ポジ型レジスト
の場合、孤立パターンの周辺は光強度が強く、Ｇ（ｘ，
ｙ）は大きい値をとる。一方、密集パターンではＩ
（ｘ，ｙ）はピーク強度も孤立部より小さく、かつ周期
的に零付近まで強度が下がるために、Ｇ（ｘ，ｙ）は孤
立パターンよりも小さくなる。そこで、γを正の定数と
して溶解速度を次式のように変調する。
【００３０】
【数６】
【００３１】ここで、Ｒ（ｘ，ｙ）は露光量と溶解速度
との関係から、レジスト膜内での光強度分布を溶解速度
分布に変換したものである。Ｒ´（ｘ，ｙ）は変調後の
溶解速度である。また、Ｇ0 は定数である。（５）式及
び（６）式から孤立パターンの周辺では溶解速度が速
く、密集パターン周辺では遅くなることが分かる。ネガ
型レジストの場合にはγを負にとれば良い。
との関係から、レジスト膜内での光強度分布を溶解速度
分布に変換したものである。Ｒ´（ｘ，ｙ）は変調後の
溶解速度である。また、Ｇ0 は定数である。（５）式及
び（６）式から孤立パターンの周辺では溶解速度が速
く、密集パターン周辺では遅くなることが分かる。ネガ
型レジストの場合にはγを負にとれば良い。
【００３２】図４に、本実施形態における１次元パター
ンの場合の結果を示す。露光条件はλ＝２４８ｎｍ，Ｎ
Ａ＝０．６，σ＝０．５でハーフトーン位相シフトマス
クを用いた。１次元パターンは０．２μｍのラインでピ
ッチ依存性を計算したものである。また、ｋ＝０．２５
μｍ，γ＝４．０，Ｇ0 ＝０．２６７とした。従来の方
法による結果を重ねて示してある。ピッチが大きくなる
につれて従来法よりも線幅が細くなり、あるピッチ以上
ではその差は飽和しているのが分かる。
ンの場合の結果を示す。露光条件はλ＝２４８ｎｍ，Ｎ
Ａ＝０．６，σ＝０．５でハーフトーン位相シフトマス
クを用いた。１次元パターンは０．２μｍのラインでピ
ッチ依存性を計算したものである。また、ｋ＝０．２５
μｍ，γ＝４．０，Ｇ0 ＝０．２６７とした。従来の方
法による結果を重ねて示してある。ピッチが大きくなる
につれて従来法よりも線幅が細くなり、あるピッチ以上
ではその差は飽和しているのが分かる。
【００３３】図５及び図６を用いて、本実施形態におけ
る２次元パターンの場合について説明する。図５に示す
孤立パターンと周期パターンとが混在するマスクパター
ンで露光した場合のレジストの仕上がり形状を計算す
る。露光条件はλ＝２４８ｎｍ，ＮＡ＝０．５，σ＝
０．５，ε＝０．６７である。レジストにはポジ型を用
いた。第１の実施形態と同様に、光強度分布はレジスト
の膜厚方向で平均化し、分布は２次元面内であるとす
る。（５）式及び（６）式を用いて、溶解速度に変調を
加えて、現像計算した結果を図６に示す。
る２次元パターンの場合について説明する。図５に示す
孤立パターンと周期パターンとが混在するマスクパター
ンで露光した場合のレジストの仕上がり形状を計算す
る。露光条件はλ＝２４８ｎｍ，ＮＡ＝０．５，σ＝
０．５，ε＝０．６７である。レジストにはポジ型を用
いた。第１の実施形態と同様に、光強度分布はレジスト
の膜厚方向で平均化し、分布は２次元面内であるとす
る。（５）式及び（６）式を用いて、溶解速度に変調を
加えて、現像計算した結果を図６に示す。
【００３４】図６には、従来の無変調の結果も重ねて示
してある。孤立部分で寸法が細っているのが分かる。ま
た、周期パターンの端でもショートニングが起きている
のが分かる。 （第３の実施形態）図７を用いて、本発明の第３の実施
形態を説明する。所望のマスクパターンの中で、デバイ
ス形成上制限される箇所を着目箇所とする。この着目箇
所を所望寸法に仕上げるためのマスクバイアス、補助パ
ターン、マスクの種類（クロムマスク，ハーフトーン位
相シフトマスク，レベンソン型位相シフトマスク）等の
マスク条件、さらに開口数ＮＡ、コヒーレンスファクタ
σ、光源形状ε等の露光条件の最適値を求める。
してある。孤立部分で寸法が細っているのが分かる。ま
た、周期パターンの端でもショートニングが起きている
のが分かる。 （第３の実施形態）図７を用いて、本発明の第３の実施
形態を説明する。所望のマスクパターンの中で、デバイ
ス形成上制限される箇所を着目箇所とする。この着目箇
所を所望寸法に仕上げるためのマスクバイアス、補助パ
ターン、マスクの種類（クロムマスク，ハーフトーン位
相シフトマスク，レベンソン型位相シフトマスク）等の
マスク条件、さらに開口数ＮＡ、コヒーレンスファクタ
σ、光源形状ε等の露光条件の最適値を求める。
【００３５】着目箇所（少なくとも２箇所）の所望寸法
をｗ0 （ｗ01，ｗ02）、その許容裕度をδとする。適当
なマスク条件及び露光条件の初期値を設定し（Ｓ１）、
その条件下でのレジスト膜内での光学像分布Ｉ（ｘ，
ｙ，ｚ）を計算し、膜厚方向で平均化する（Ｓ２）。そ
して、全面露光での溶解速度特性Ｒ（Ｅ）から溶解速度
分布Ｒ（ｘ，ｙ）を求め、更にレジストの膜厚方向で平
均化された光学像分布Ｉ（ｘ，ｙ）の空間平均をとり、
この値Ｇ（ｘ，ｙ）に応じて、溶解速度を変調させる
（Ｓ３）。
をｗ0 （ｗ01，ｗ02）、その許容裕度をδとする。適当
なマスク条件及び露光条件の初期値を設定し（Ｓ１）、
その条件下でのレジスト膜内での光学像分布Ｉ（ｘ，
ｙ，ｚ）を計算し、膜厚方向で平均化する（Ｓ２）。そ
して、全面露光での溶解速度特性Ｒ（Ｅ）から溶解速度
分布Ｒ（ｘ，ｙ）を求め、更にレジストの膜厚方向で平
均化された光学像分布Ｉ（ｘ，ｙ）の空間平均をとり、
この値Ｇ（ｘ，ｙ）に応じて、溶解速度を変調させる
（Ｓ３）。
【００３６】次に、変調された溶解速度Ｒ´（ｘ，ｙ）
を用いて、現像後のレジストの形状を計算する（Ｓ
４）。着目箇所の仕上がり寸法ｗを求め（Ｓ５）、所望
寸法と比較を行う（Ｓ６）。所望寸法との差が寸法裕度
以内になれば計算を終了し、そうでなければマスク条件
及び露光条件を変えて（Ｓ７）、上記の計算プロセスを
繰り返し行う。
を用いて、現像後のレジストの形状を計算する（Ｓ
４）。着目箇所の仕上がり寸法ｗを求め（Ｓ５）、所望
寸法と比較を行う（Ｓ６）。所望寸法との差が寸法裕度
以内になれば計算を終了し、そうでなければマスク条件
及び露光条件を変えて（Ｓ７）、上記の計算プロセスを
繰り返し行う。
【００３７】このようにして本実施形態では、所定のレ
ジストパターンを仕上げるためのマスク条件及び露光条
件を正確に求めることができた。そしてこの場合、従来
のように実際の露光を行い、仕上がったレジストパター
ンを電子顕微鏡等で観察し、所定のパターンになるまで
実験を繰り返す必要がないため、所望パターンを得るた
めのマスクを容易に設計することが可能となる。
ジストパターンを仕上げるためのマスク条件及び露光条
件を正確に求めることができた。そしてこの場合、従来
のように実際の露光を行い、仕上がったレジストパター
ンを電子顕微鏡等で観察し、所定のパターンになるまで
実験を繰り返す必要がないため、所望パターンを得るた
めのマスクを容易に設計することが可能となる。
【００３８】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。実施形態では、光リ
ソグラフィにおけるレジストの溶解現象を示したが、本
発明は光リソグラフィに限定されるものではなく、電子
線リソグラフィ又はＸ線リソグラフィ等での、ピーム強
度と溶解速度との関係の知られているレジストの溶解現
象にも適用できる。さらに、レジストの溶解現象に限る
ものではなく、エッチングにより加工される各種薄膜の
形状シミュレーションに適用することが可能である。
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。実施形態では、光リ
ソグラフィにおけるレジストの溶解現象を示したが、本
発明は光リソグラフィに限定されるものではなく、電子
線リソグラフィ又はＸ線リソグラフィ等での、ピーム強
度と溶解速度との関係の知られているレジストの溶解現
象にも適用できる。さらに、レジストの溶解現象に限る
ものではなく、エッチングにより加工される各種薄膜の
形状シミュレーションに適用することが可能である。
【００３９】また、実施形態に記載した手法は、コンピ
ュータに実行させることのできるプログラムとして、磁
気ディスク（フロッピーディスク，ハードディスクな
ど）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤなど）、半導
体メモリなどの記憶媒体に格納して頒布することもでき
る。
ュータに実行させることのできるプログラムとして、磁
気ディスク（フロッピーディスク，ハードディスクな
ど）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤなど）、半導
体メモリなどの記憶媒体に格納して頒布することもでき
る。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、被
加工膜の所定位置における単位時間当たりの加工量及び
この加工により該被加工膜が周辺へ飛散する速度に応じ
て、該被加工膜の所定位置における加工速度を変化させ
ることにより、パターンが孤立しているか密集している
かに拘らず、被加工膜の形状を正確に予測することが可
能となる。特に、レジストに適用した場合、現像後のレ
ジスト形状を正確に予測することができることから、所
定のプロセス裕度をもつような所望パターンを仕上げる
ための露光条件及びマスクパターンを容易に求めること
が可能となる。
加工膜の所定位置における単位時間当たりの加工量及び
この加工により該被加工膜が周辺へ飛散する速度に応じ
て、該被加工膜の所定位置における加工速度を変化させ
ることにより、パターンが孤立しているか密集している
かに拘らず、被加工膜の形状を正確に予測することが可
能となる。特に、レジストに適用した場合、現像後のレ
ジスト形状を正確に予測することができることから、所
定のプロセス裕度をもつような所望パターンを仕上げる
ための露光条件及びマスクパターンを容易に求めること
が可能となる。
【図１】第１及び第２の実施形態を説明するためのもの
で、現像途中のレジスト断面を示す図。
で、現像途中のレジスト断面を示す図。
【図２】第１及び第２の実施形態で用いる光学像を示す
図。
図。
【図３】第１及び第２の実施形態で用いるレジスト残膜
の現像時間依存性を示す図。
の現像時間依存性を示す図。
【図４】第２の実施形態で計算されたレジストの仕上が
り寸法のパターンピッチ依存性を示す図。
り寸法のパターンピッチ依存性を示す図。
【図５】第２の実施形態で用いるマスクパターンを示す
図。
図。
【図６】第２の実施形態で計算されたレジストの仕上が
り形状を示す図。
り形状を示す図。
【図７】第３の実施形態におけるマスク条件及び露光条
件の最適化手順を示す図。
件の最適化手順を示す図。
１０…基板
１１，２１…密集パターン
１２，２２…孤立パターン
１３，１４，２３，２４…密集パターン周辺の抜き部分
１５，１６，２５，２６…孤立パターン周辺の抜き部分
１７…現像液
１８…溶解したレジスト又は反応生成物
１９…レジスト
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−300253（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−44312（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−188859（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−283609（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−37116（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−209723（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−136236（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/26
H01L 21/00
Claims (5)
- 【請求項１】基板上の被加工膜を物理的又は化学的に加
工することにより変化する該被加工膜の形状を予測する
形状シミュレーション方法において、 前記被加工膜の所定位置における単位時間当たりの加工
量及びこの加工によって生成された該被加工膜の反応生
成物の周辺へ飛散する速度に応じて、該被加工膜の所定
位置における加工速度を変化させることを特徴とする形
状シミュレ―ション方法。 - 【請求項２】基板上の感光性膜を所望パターンに露光し
た後に現像することにより変化する該感光性膜の形状を
予測する形状シミュレ―ション方法において、 前記感光性膜の所定位置における潜像強度又は感光剤濃
度の空間平均量に応じて、該感光性膜の所定位置におけ
る加工速度を変化させることを特徴とする形状シミュレ
―ション方法。 - 【請求項３】基板上の被加工膜を物理的又は化学的に加
工することにより変化する該被加工膜の形状をシミュレ
ーションするためのプログラムであって、 前記該被加工膜の所定位置における単位時間当たりの加
工量及びこの加工によって生成された該被加工膜の反応
生成物の周辺に飛散する速度に応じて、該被加工膜の所
定位置における加工速度を変化させるように、コンピュ
ータを制御するためのプログラムを格納したコンピュー
タ読取可能な記憶媒体。 - 【請求項４】所望の形状の被加工膜を形成するための初
期値を決定する形状シミュレーション方法において、 基板上に形成された前記被加工膜の光学像を算出するた
めの初期値を設定する第１のステップと、 前記初期値に基づいて、前記光学像を算出する第２のス
テップと、前記被加工膜の溶解速度を前記光学像の空間平均に応じ
て変化させる第３のステップと 、 前記変化させられた溶解速度を使用して前記被加工膜の
形状を算出する第４のステップと、 前記算出された被加工膜の形状のうち、複数の箇所にお
ける前記被加工膜の寸法を算出する第５のステップと、 前記算出された被加工膜の寸法と予め設定された寸法と
の差が所定の範囲内であるか否かを判定する第６のステ
ップと、 前記算出された被加工膜の寸法と予め設定された寸法と
の差が所定の範囲内でないと判定された場合に、前記初
期値を変化させて、前記第２のステップ乃至前記第６の
ステップを繰り返し実行する第７のステップとを具備す
ることを特徴とする形状シミュレーション方法。 - 【請求項５】コンピュータを動作させるためのコンピュ
ータプログラム製品において、 前記コンピュータプログラム製品は、 コンピュータ読み取り可能な媒体と、 コンピュータプロセッサに基板上に形成された被加工膜
の光学像を算出するための初期値を設定するように指示
する第１のプログラム指示手段と、 前記コンピュータプロセッサに前記初期値に基づいて、
前記光学像を算出するように指示する第２のプログラム
指示手段と、前記コンピュータプロセッサに前記被加工膜の溶解速度
を前記光学像の空間平均に応じて変化させる第３のプロ
グラム指示手段と 、 前記コンピュータプロセッサに前記変化させられた溶解
速度を使用して前記被加工膜の形状を算出するように指
示する第４のプログラム指示手段と、 前記コンピュータプロセッサに前記算出された被加工膜
の形状のうち、複数の箇所における前記被加工膜の寸法
を算出するように指示する第５のプログラム指示手段
と、 前記コンピュータプロセッサに前記算出された被加工膜
の寸法と予め設定された寸法との差が所定の範囲内であ
るか否かを判定するように指示する第６のプログラム指
示手段と、 前記コンピュータプロセッサに前記算出された被加工膜
の寸法と予め設定された寸法との差が所定の範囲内でな
いと判定された場合に、前記初期値を変化させて、前記
第２のステップ乃至前記第６のステップを繰り返し実行
するように指示する第７のプログラム指示手段とを具備
し、前記各プログラム指示手段は、前記媒体に、実行可
能な形式で記録され、かつ前記プロセッサによって実行
のために前記コンピュータにロードすることが可能であ
ることを特徴とするコンピュータプログラム製品。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22135796A JP3364385B2 (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 形状シミュレーション方法 |
| US08/837,890 US5889686A (en) | 1996-08-22 | 1997-04-22 | Profile simulation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22135796A JP3364385B2 (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 形状シミュレーション方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064792A JPH1064792A (ja) | 1998-03-06 |
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Family
ID=16765534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22135796A Expired - Fee Related JP3364385B2 (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 形状シミュレーション方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3364385B2 (ja) |
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| US7055034B1 (en) | 1998-09-25 | 2006-05-30 | Digimarc Corporation | Method and apparatus for robust embedded data |
| US6373071B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-04-16 | Applied Materials, Inc. | Real-time prediction of proximity resist heating and correction of raster scan electron beam lithography |
| AU2002232817A1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-07-01 | Digimarc Corporation | Methods, apparatus and programs for generating and utilizing content signatures |
| US6578190B2 (en) * | 2001-01-11 | 2003-06-10 | International Business Machines Corporation | Process window based optical proximity correction of lithographic images |
| JP2004228228A (ja) | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Toshiba Corp | 形状シミュレーション方法、形状シミュレーションプログラム及びマスクパターン作成方法 |
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| JP4621485B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2011-01-26 | 株式会社東芝 | パタンデータ検証方法、パタンデータ作成方法、露光用マスクの製造方法およびプログラム |
| JP4413825B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2010-02-10 | 株式会社東芝 | 潜像計算方法、マスクパターン作成方法および半導体装置の製造方法 |
| JP5038743B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | リソグラフィシミュレーション方法及びプログラム |
| JP5017147B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
| US8359562B2 (en) * | 2011-01-11 | 2013-01-22 | Infineon Technologies Ag | System and method for semiconductor device fabrication using modeling |
| US10386718B2 (en) * | 2014-07-11 | 2019-08-20 | Synopsys, Inc. | Method for modeling a photoresist profile |
| US10138550B2 (en) * | 2014-09-10 | 2018-11-27 | Toshiba Memory Corporation | Film deposition method and an apparatus |
| US10007191B2 (en) | 2016-07-15 | 2018-06-26 | Kla-Tencor Corporation | Method for computer modeling and simulation of negative-tone-developable photoresists |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3095564B2 (ja) * | 1992-05-29 | 2000-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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| JP3964469B2 (ja) * | 1994-11-08 | 2007-08-22 | 株式会社東芝 | 形状シミュレーション方法 |
-
1996
- 1996-08-22 JP JP22135796A patent/JP3364385B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-22 US US08/837,890 patent/US5889686A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1064792A (ja) | 1998-03-06 |
| US5889686A (en) | 1999-03-30 |
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