JP2004177961A - マスキング・プロセス・シミュレータの自動較正方法及びシステム - Google Patents
マスキング・プロセス・シミュレータの自動較正方法及びシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004177961A JP2004177961A JP2003395886A JP2003395886A JP2004177961A JP 2004177961 A JP2004177961 A JP 2004177961A JP 2003395886 A JP2003395886 A JP 2003395886A JP 2003395886 A JP2003395886 A JP 2003395886A JP 2004177961 A JP2004177961 A JP 2004177961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- distance
- pattern
- alim
- calibration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 233
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 claims description 19
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 9
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 241000270295 Serpentes Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008713 feedback mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000010327 methods by industry Methods 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010845 search algorithm Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 マスキング・プロセス(52)によって生じる較正パターンの概略を与えるアリム・イメージとウエハ上の較正パターンのデジタル・イメージの検出された(56)エッジとをオーバレイ(66)し、アリム・イメージにおけるパターンの輪郭と検出されたエッジとの間の距離を測定する(70)。数学的アルゴリズムを用いて、シミュレータに入力されたプロセス・パラメータの値を反復的に変更し、アリム・イメージにおけるパターンの輪郭と検出されたエッジとの間の距離を最小化するプロセス・パラメータ値を得る(72)。
【選択図】 図2
Description
Claims (30)
- マスキング・プロセス・シミュレータを自動的に較正するコンピュータ実装された方法であって、
(a)較正マスクとプロセス・パラメータとを用いてマスキング・プロセスを実行し、ウエハ上に較正パターンを作成するステップと、
(b)前記較正パターンのデジタル・イメージを作成するステップと、
(c)パターン認識を用いて前記デジタル・イメージから前記パターンのエッジを検出するステップと、
(d)前記較正マスクと前記プロセス・パラメータとを定義するデータをプロセス・シミュレータに入力し、前記マスキング・プロセスによって生じうる較正パターンの概略を与えるアリム・イメージを生じさせるステップと、
(e)前記アリム・イメージと前記デジタル・イメージの検出されたエッジとをオーバレイするステップと、
(f)前記アリム・イメージにおけるパターンの輪郭と前記検出されたエッジとの間の距離を測定するステップと、
(g)前記アリム・イメージにおけるパターンの輪郭と前記検出されたエッジとの間の最小距離を生じさせるプロセス・パラメータの組が見つかるまで、1又は複数の数学的アルゴリズムを用いて前記シミュレーションに入力されたプロセス・パラメータの値を反復的に変化させ、よって、前記プロセス・シミュレータを効果的に較正し前記マスキング・プロセスのプロセス変動を補償するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、ステップ(b)は、走査式電子顕微鏡(SEM)を用いて前記較正パターンのSEMイメージを作成するステップを更に含むことを特徴とする方法。
- 請求項1記載の方法において、ステップ(g)は、前記プロセス・パラメータの部分集合の値を変化させるステップを更に含むことを特徴とする方法。
- 請求項3記載の方法において、前記プロセス・パラメータの部分集合は、焦点、拡散、シグマイン、シグマアウト、極位置の角度、数値アパーチャ、極のシグマ、スフェリカル、coma_x、coma_y及び強度輪郭を含むことを特徴とする方法。
- 請求項3記載の方法において、ステップ(g)は、サーチを終了させるのに用いられる最小距離スレショルドと前記プロセス・パラメータに対する可能性のある最小値及び最大値とをオペレータから受け取るステップを更に含むことを特徴とする方法。
- 請求項5記載の方法において、ステップ(g)は、
(i)第1のアルゴリズムを用いて、前記プロセス・パラメータの関数に対する大局的な最小値が見つかるまで前記パラメータの値を反復的に変化させるステップと、
(ii)前記大局的な最小値を生じさせたパラメータの計算値の第1の組を第2のアルゴリズムに入力するステップであって、前記第2のアルゴリズムは、前記第1の組のパラメータ値によって定義される関数から開始し、パラメータ値の第2の組を生じさせる局所的な最小値が前記関数の中で見つかるまで前記パラメータの値を反復的に変化させる、ステップと、
を更に含むことを特徴とする方法。 - 請求項6記載の方法において、前記第1のアルゴリズムは確率的アルゴリズムであることを特徴とする方法。
- 請求項6記載の方法において、ステップ(g)は、パラメータの計算値の前記第2の組を前記プロセス・シミュレータに反復的に入力して距離測定のための新たなアリム・イメージを生成するステップを更に含むことを特徴とする方法。
- 請求項3記載の方法において、ステップ(c)は、前記SEMイメージの中のいくつのピクセルが前記マスク・デザインの測度の1単位と等しいのかを判断するために前記SEMイメージを前記マスク・デザイン・データと相関させるステップを様々なに含むことを特徴とする方法。
- 請求項3記載の方法において、ステップ(f)は、二乗平均平方根(RMS)アルゴリズムを含む距離計量を用いて距離を決定するステップを更に含むことを特徴とする方法。
- 請求項10記載の方法において、前記距離計量は、前記アリム・イメージにおける対応するエッジのそれぞれの対の少なくとも部分集合とSEMイメージとの間の距離を測定し、測定された距離に重み付けされた平均を適用して1つの距離値を生じさせることを特徴とする方法。
- 請求項11記載の方法において、前記重み付けされた平均はSEMエッジとアリム・イメージとの間の距離のN乗の平均のN乗根と等しいことを特徴とする方法。
- 請求項3記載の方法において、前記アリム・イメージは空中イメージ又は潜在イメージを含むことを特徴とする方法。
- 請求項1記載の方法において、それぞれの反復に対するパラメータ値を結果的に得られる距離値と共にプロットするそれぞれのプロセス・パラメータに対する個別的なグラフと、それぞれの反復の大局的な距離結果をプロットする大局的なグラフとを表示するユーザ・インターフェースを表示するステップを更に含むことを特徴とする方法。
- 請求項1記載の方法において、ステップ(a)は、フォトレジストをシミュレートするレジスト・パラメータとステッパ・マシンの光学装置及び特性をシミュレートする光学パラメータとの両方を含む大局的プロセス・パラメータを入力するステップを更に含むことを特徴とする方法。
- プロセス・シミュレータ・システムであって、
ネットワークに結合されたサーバと、
前記サーバ上で動作する較正プログラムと、
前記サーバ上で動作するプロセス・シミュレータと、
前記ネットワークを介して前記サーバに結合された少なくとも1つのクライアント・コンピュータであって、オペレータが前記較正プログラムにアクセスすることができ、いったん呼び出されると、前記較正プログラムは、
(a)較正マスクとプロセス・パラメータとを用いたマスキング・プロセスの間に生じたウエハ上の較正パターンのデジタル・イメージを受け取り、
(b)パターン認識を用いて前記デジタル・イメージから前記パターンのエッジを検出し、
(c)前記較正マスクと前記プロセス・パラメータとを定義するデータをこのプロセス・シミュレータに入力し、前記マスキング・プロセスによって生じうる較正パターンの概略を与えるアリム・イメージを生じさせ、
(d)前記アリム・イメージと前記デジタル・イメージの検出されたエッジとをオーバレイし、
(e)前記アリム・イメージにおけるパターンの輪郭と前記検出されたエッジとの間の距離を測定し、
(f)前記アリム・イメージにおけるパターンの輪郭と前記検出されたエッジとの間の最小距離を生じさせるプロセス・パラメータの組が見つかるまで、1又は複数の数学的アルゴリズムを用いて前記シミュレータに入力されたプロセス・パラメータの値を反復的に変化させ、よって、前記プロセス・シミュレータを効果的に較正し前記マスキング・プロセスのプロセス変動を補償することを特徴とするシステム。 - 請求項16記載のシステムにおいて、走査式電子顕微鏡(SEM)を用いて前記較正パターンのSEMイメージを作成することを特徴とするシステム。
- 請求項17記載のシステムにおいて、前記数学的アルゴリズムは、前記プロセス・パラメータの部分集合の値を反復的に変化させることを特徴とするシステム。
- 請求項18記載のシステムにおいて、前記プロセス・パラメータの部分集合は、焦点、拡散、シグマイン、シグマアウト、極位置の角度、数値アパーチャ、極のシグマ、スフェリカル、coma_x、coma_y及び強度輪郭を含むことを特徴とするシステム。
- 請求項18記載のシステムにおいて、前記較正プログラムは、前記数学的アルゴリズムによるサーチを終了させるのに用いられる最小距離スレショルドと前記プロセス・パラメータに対する可能性のある最小値及び最大値とをオペレータから受け取ることを特徴とするシステム。
- 請求項20記載のシステムにおいて、前記数学的アルゴリズムは、
(i)第1のアルゴリズムを用いて、前記プロセス・パラメータの関数に対する大局的な最小値が見つかるまで前記パラメータ値を反復的に変化させる第1のアルゴリズムと、
(ii)前記大局的な最小値を生じさせたパラメータの計算値の第1の組を受け取り、前記第1の組のパラメータ値によって定義される関数から開始し、パラメータ値の第2の組を生じさせる局所的な最小値が前記関数の中で見つかるまで前記パラメータの値を反復的に変化させる第2のアルゴリズムと、
を含むことを特徴とするシステム。 - 請求項21記載のシステムにおいて、前記第1のアルゴリズムは確率的アルゴリズムであることを特徴とするシステム。
- 請求項21記載のシステムにおいて、前記較正プログラムは、パラメータの計算値の前記第2の組を前記プロセス・シミュレータに反復的に入力して距離測定のための新たなアリム・イメージを生成することを特徴とするシステム。
- 請求項17記載のシステムにおいて、前記SEMイメージの中のいくつのピクセルが前記マスク・デザインの測度の1単位と等しいのかを判断するために、前記SEMイメージは、前記マスク・デザイン・データと相関されることを特徴とするシステム。
- 請求項17記載のシステムにおいて、二乗平均平方根(RMS)アルゴリズムを含む距離計量を用いて前記距離が決定されることを特徴とするシステム。
- 請求項25記載のシステムにおいて、前記距離計量は、前記アリム・イメージにおける対応するエッジのそれぞれの対の少なくとも部分集合とSEMイメージとの間の距離を測定し、測定された距離に重み付けされた平均を適用して1つの距離値を生じさせることを特徴とするシステム。
- 請求項26記載のシステムにおいて、前記重み付けされた平均はSEMエッジとアリム・イメージとの間の距離のN乗の平均のN乗根と等しいことを特徴とするシステム。
- 請求項17記載のシステムにおいて、前記アリム・イメージは空中イメージ又は潜在イメージを含むことを特徴とするシステム。
- 請求項16記載のシステムにおいて、前記較正プログラムは、それぞれの反復に対するパラメータ値を結果的に得られる距離値と共にプロットするそれぞれのプロセス・パラメータに対する個別的なグラフと、それぞれの反復の大局的な距離結果をプロットする大局的なグラフとを表示するユーザ・インターフェースを表示することを特徴とするシステム。
- 請求項16記載のシステムにおいて、前記プロセス・パラメータは、前記プロセス・シミュレータに、フォトレジストをシミュレートするレジスト・パラメータとステッパ・マシンの光学装置及び特性をシミュレートする光学パラメータとの両方を含む大局的プロセス・パラメータを入力することを特徴とするシステム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/305,673 US6768958B2 (en) | 2002-11-26 | 2002-11-26 | Automatic calibration of a masking process simulator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004177961A true JP2004177961A (ja) | 2004-06-24 |
Family
ID=32298061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003395886A Pending JP2004177961A (ja) | 2002-11-26 | 2003-11-26 | マスキング・プロセス・シミュレータの自動較正方法及びシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6768958B2 (ja) |
EP (1) | EP1424595B1 (ja) |
JP (1) | JP2004177961A (ja) |
DE (1) | DE60326421D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018532139A (ja) * | 2015-08-10 | 2018-11-01 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウエハレベル欠陥の転写性を予測する装置および方法 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10147880B4 (de) * | 2001-09-28 | 2004-05-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Messung einer charakteristischen Dimension wenigstens einer Struktur auf einem scheibenförmigen Objekt in einem Meßgerät |
US6763514B2 (en) * | 2001-12-12 | 2004-07-13 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for controlling rippling during optical proximity correction |
US20040121069A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-06-24 | Ferranti David C. | Repairing defects on photomasks using a charged particle beam and topographical data from a scanning probe microscope |
US6990743B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-01-31 | Micron Technology, Inc. | Process for monitoring measuring device performance |
US6768958B2 (en) * | 2002-11-26 | 2004-07-27 | Lsi Logic Corporation | Automatic calibration of a masking process simulator |
JP4276140B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2009-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡及び寸法校正用試料 |
US20080141364A1 (en) * | 2005-02-02 | 2008-06-12 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Method, Apparatus, Device, System, Program, for Calibrating |
DE102005009536A1 (de) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Maskeninspektion im Rahmen des Maskendesigns und der Maskenherstellung |
US7224437B2 (en) | 2005-05-31 | 2007-05-29 | Invarium, Inc | Method for measuring and verifying stepper illumination |
US7536670B2 (en) | 2005-05-31 | 2009-05-19 | Cadence Design Systems, Inc. | Method for verifying and choosing lithography model |
US7353472B2 (en) * | 2005-08-12 | 2008-04-01 | International Business Machines Corporation | System and method for testing pattern sensitive algorithms for semiconductor design |
US7848561B2 (en) * | 2005-12-30 | 2010-12-07 | Honeywell International Inc. | Determining capability of an on-line sensor |
US7506285B2 (en) | 2006-02-17 | 2009-03-17 | Mohamed Al-Imam | Multi-dimensional analysis for predicting RET model accuracy |
JP2007294739A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Toshiba Corp | パターン形状評価方法、プログラムおよび半導体装置の製造方法 |
US8175737B2 (en) * | 2006-07-19 | 2012-05-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for designing and integrated circuit |
KR100819094B1 (ko) * | 2006-10-26 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 디바이스 제조를 위한 글로벌 매칭 방법 |
JP5408852B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2014-02-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置 |
NL1036189A1 (nl) * | 2007-12-05 | 2009-06-08 | Brion Tech Inc | Methods and System for Lithography Process Window Simulation. |
DE102008015631A1 (de) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung von Masken für die Photolithographie |
DE102008015806B4 (de) * | 2008-03-27 | 2015-07-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Kalibrieren eines Simulations- oder Entwurfsverfahrens, zum Entwerfen oder Herstellen einer Maske oder zum Herstellen eines Bauelements |
US8676818B2 (en) * | 2010-05-03 | 2014-03-18 | International Business Machines Corporation | Dynamic storage and retrieval of process graphs representative of business processes and extraction of formal process models therefrom |
DE102010045135B4 (de) | 2010-09-10 | 2021-03-18 | Carl Zeiss Meditec Ag | Verfahren zur Ermittlung eines Platzierungsfehlers eines Strukturelements auf einer Maske, Verfahren zur Simulation eines Luftbildes aus Struktur-Vorgaben einer Maske und Positionsmessvorrichtung |
CN102122111B (zh) * | 2011-03-20 | 2012-11-14 | 北京理工大学 | 一种基于像素的光学邻近效应校正的优化方法 |
US8810785B2 (en) * | 2011-08-26 | 2014-08-19 | United Microelectronics Corp. | Mask inspecting method |
US8885917B2 (en) * | 2011-12-27 | 2014-11-11 | United Microelectronics Corp. | Mask pattern and correcting method thereof |
JP5758423B2 (ja) | 2013-02-26 | 2015-08-05 | 株式会社東芝 | マスクレイアウトの作成方法 |
CN104281008B (zh) * | 2013-07-02 | 2016-08-31 | 欣兴电子股份有限公司 | 曝光图像补偿方法 |
JP6663672B2 (ja) * | 2015-09-25 | 2020-03-13 | 株式会社Screenホールディングス | データ補正装置、描画装置、配線パターン形成システム、検査装置、データ補正方法および配線基板の製造方法 |
CN110140088B (zh) * | 2016-12-28 | 2021-08-31 | Asml荷兰有限公司 | 量测图像与设计之间的模拟辅助的对准 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078738A (en) * | 1997-05-08 | 2000-06-20 | Lsi Logic Corporation | Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization |
JP2002006475A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-09 | Toshiba Corp | マスクパターン設計方法及びその方法により形成されるマスク |
JP2002175969A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Hitachi Ltd | パターン検証方法及びデータ処理システム |
JP2002174890A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路の製造方法 |
JP2002311561A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-23 | Sony Corp | パターン形成方法、パターン処理装置および露光マスク |
Family Cites Families (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3121328A (en) * | 1960-12-02 | 1964-02-18 | Eugene M Todd | Recording tensiometer |
US3336525A (en) * | 1963-01-08 | 1967-08-15 | Kaman Aircraft Corp | Variable impedance displacement transducer |
DK134455C (da) * | 1969-04-21 | 1978-04-24 | Nils Aage Juul Eilersen | Kapacitetsmålekredsløb. |
US3698249A (en) * | 1970-08-03 | 1972-10-17 | Umc Electronics Co | Fluid pressure monitoring system |
US3668698A (en) * | 1970-12-17 | 1972-06-06 | Northern Electric Co | Capacitive transducer |
US3880008A (en) * | 1973-04-02 | 1975-04-29 | Nils Aage Juul Eilersen | Arrangement for occasionally determining the pressure in a hydraulic or pneumatic system |
US3859575A (en) * | 1974-02-11 | 1975-01-07 | Lee Shih Ying | Variable capacitance sensor |
US4093915A (en) * | 1976-01-12 | 1978-06-06 | Setra Systems, Inc. | Capacitance measuring system |
US4084438A (en) * | 1976-03-29 | 1978-04-18 | Setra Systems, Inc. | Capacitive pressure sensing device |
US4042876A (en) * | 1976-04-29 | 1977-08-16 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Eddy current gauge for monitoring displacement using printed circuit coil |
US4054833A (en) * | 1976-06-11 | 1977-10-18 | Setra Systems, Inc. | Capacitance measuring system |
DK139644B (da) * | 1976-12-30 | 1979-03-19 | Nils Aage Juul Eilersen | Kapacitiv kraftmåler. |
US4229776A (en) * | 1978-11-21 | 1980-10-21 | Vaisala Oy | Capacitive capsule for aneroid pressure gauge |
US4227418A (en) * | 1979-09-24 | 1980-10-14 | Fischer & Porter Company | Capacitive pressure transducer |
US4434451A (en) * | 1979-10-29 | 1984-02-28 | Delatorre Leroy C | Pressure sensors |
US4358814A (en) * | 1980-10-27 | 1982-11-09 | Setra Systems, Inc. | Capacitive pressure sensor |
US4434203A (en) * | 1980-10-27 | 1984-02-28 | Setra Systems, Inc. | Diaphragm |
US4386312A (en) * | 1981-04-24 | 1983-05-31 | Setra Systems, Inc. | Linear capacitive sensor system |
US4433742A (en) * | 1981-05-19 | 1984-02-28 | Setra Systems, Inc. | Linear motion linkage |
US4383586A (en) * | 1981-05-19 | 1983-05-17 | Setra Systems, Inc. | Adjustable linkage |
US4649759A (en) * | 1981-05-19 | 1987-03-17 | Setra Systems, Inc. | Force transducer |
US4513831A (en) * | 1981-05-19 | 1985-04-30 | Setra Systems, Inc. | Weighing system |
US4463614A (en) * | 1981-05-19 | 1984-08-07 | Setra Systems, Inc. | Force transducer |
US4558600A (en) * | 1982-03-18 | 1985-12-17 | Setra Systems, Inc. | Force transducer |
US4382479A (en) * | 1981-05-19 | 1983-05-10 | Setra Systems, Inc. | Weighing system |
US4464725A (en) * | 1981-05-19 | 1984-08-07 | Setra Systems, Inc. | Temperature compensated measuring system |
US4448085A (en) * | 1981-05-19 | 1984-05-15 | Setra Systems, Inc. | Force transducer |
US4899600A (en) * | 1981-05-19 | 1990-02-13 | Setra Systems, Inc. | Compact force transducer with mechanical motion amplification |
US4458293A (en) * | 1981-11-05 | 1984-07-03 | Cherry Electrical Products Corporation | Capacitive keyboard |
US4926489A (en) * | 1983-03-11 | 1990-05-15 | Kla Instruments Corporation | Reticle inspection system |
US4603308A (en) * | 1985-06-24 | 1986-07-29 | Setra Systems, Inc. | Temperature stable oscillator |
US4949054A (en) * | 1988-08-24 | 1990-08-14 | Setra Systems, Inc. | Temperature stable oscillator |
US4846293A (en) * | 1988-10-12 | 1989-07-11 | Setra Systems, Inc. | Humidity control system for a scale |
DE3910297A1 (de) * | 1989-03-30 | 1990-10-04 | Micro Epsilon Messtechnik | Beruehrungslos arbeitendes wegmesssystem |
DK162015C (da) * | 1989-08-10 | 1992-02-17 | Jens Juul Eilersen | Moebel |
US5024099A (en) * | 1989-11-20 | 1991-06-18 | Setra Systems, Inc. | Pressure transducer with flow-through measurement capability |
US5115676A (en) * | 1990-01-10 | 1992-05-26 | Setra Systems, Inc. | Flush-mounted pressure sensor |
US5194819A (en) * | 1990-08-10 | 1993-03-16 | Setra Systems, Inc. | Linearized capacitance sensor system |
US5078220A (en) * | 1990-08-10 | 1992-01-07 | Setra Systems, Inc. | Multiple sensor capacitive measurement system |
US5150275A (en) * | 1991-07-01 | 1992-09-22 | Setra Systems, Inc. | Capacitive pressure sensor |
US5880411A (en) * | 1992-06-08 | 1999-03-09 | Synaptics, Incorporated | Object position detector with edge motion feature and gesture recognition |
US5442962A (en) * | 1993-08-20 | 1995-08-22 | Setra Systems, Inc. | Capacitive pressure sensor having a pedestal supported electrode |
US5553486A (en) * | 1993-10-01 | 1996-09-10 | Hysitron Incorporated | Apparatus for microindentation hardness testing and surface imaging incorporating a multi-plate capacitor system |
US6026677A (en) * | 1993-10-01 | 2000-02-22 | Hysitron, Incorporated | Apparatus for microindentation hardness testing and surface imaging incorporating a multi-plate capacitor system |
US5542300A (en) * | 1994-01-24 | 1996-08-06 | Setra Systems, Inc. | Low cost, center-mounted capacitive pressure sensor |
US20030062889A1 (en) * | 1996-12-12 | 2003-04-03 | Synaptics (Uk) Limited | Position detector |
US5604315A (en) * | 1995-01-12 | 1997-02-18 | Setra Systems, Inc. | Apparatus using a feedback network to measure fluid pressures |
US5705751A (en) * | 1995-06-07 | 1998-01-06 | Setra Systems, Inc. | Magnetic diaphragm pressure transducer with magnetic field shield |
US5705301A (en) * | 1996-02-27 | 1998-01-06 | Lsi Logic Corporation | Performing optical proximity correction with the aid of design rule checkers |
US6757645B2 (en) | 1997-09-17 | 2004-06-29 | Numerical Technologies, Inc. | Visual inspection and verification system |
US6019002A (en) * | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Setra Systems, Inc. | Pressure transducer having a tensioned diaphragm |
US5939639A (en) * | 1997-12-04 | 1999-08-17 | Setra Systems, Inc. | Pressure transducer housing with barometric pressure isolation |
US6026694A (en) * | 1998-03-30 | 2000-02-22 | Serena Industries Incorporated | Linear force sensing device |
EP0967468A1 (en) * | 1998-06-26 | 1999-12-29 | Bossard AG | Capacitive force sensor |
US6316948B1 (en) * | 1998-07-01 | 2001-11-13 | Setra Systems, Inc. | Charge balance network with floating ground capacitive sensing |
US6191722B1 (en) * | 1999-01-14 | 2001-02-20 | Setra Systems, Inc. | Pulse width modulation digital to analog converter |
US6205861B1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-03-27 | Setra Systems, Inc. | Transducer having temperature compensation |
US6180892B1 (en) * | 1999-06-22 | 2001-01-30 | Setra Systems, Inc. | Mixing scale |
US6532834B1 (en) * | 1999-08-06 | 2003-03-18 | Setra Systems, Inc. | Capacitive pressure sensor having encapsulated resonating components |
US6789429B2 (en) * | 1999-08-06 | 2004-09-14 | Setra System, Inc. | Capacitive pressure sensor having encapsulated resonating components |
US6587093B1 (en) * | 1999-11-04 | 2003-07-01 | Synaptics Incorporated | Capacitive mouse |
US6275068B1 (en) * | 1999-12-22 | 2001-08-14 | Lucent Technologies Inc. | Programmable clock delay |
WO2001051993A1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | System, method and photomask for compensating aberrations in a photolithography patterning system |
US6496019B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-12-17 | Setra Systems, Inc. | Temperature compensated pressure sensor network |
EP1381837A1 (en) * | 2001-03-27 | 2004-01-21 | EILERSEN, Nils Aage Juul | Capacitive dynamometer |
US20050024341A1 (en) * | 2001-05-16 | 2005-02-03 | Synaptics, Inc. | Touch screen with user interface enhancement |
US7730401B2 (en) * | 2001-05-16 | 2010-06-01 | Synaptics Incorporated | Touch screen with user interface enhancement |
US6904570B2 (en) * | 2001-06-07 | 2005-06-07 | Synaptics, Inc. | Method and apparatus for controlling a display of data on a display screen |
US7175940B2 (en) * | 2001-10-09 | 2007-02-13 | Asml Masktools B.V. | Method of two dimensional feature model calibration and optimization |
CN1302263C (zh) * | 2001-12-07 | 2007-02-28 | 尼尔斯·艾吉·朱尔·艾勒森 | 密封式载荷传感器 |
GB2403017A (en) * | 2002-03-05 | 2004-12-22 | Synaptics | Position sensor |
US7466307B2 (en) * | 2002-04-11 | 2008-12-16 | Synaptics Incorporated | Closed-loop sensor on a solid-state object position detector |
US7149340B2 (en) * | 2002-09-20 | 2006-12-12 | Lsi Logic Corporation | Mask defect analysis for both horizontal and vertical processing effects |
US6718827B1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-04-13 | Setray Systems, Inc. | Center-mount capacitive sensor with overload protection |
US6768958B2 (en) * | 2002-11-26 | 2004-07-27 | Lsi Logic Corporation | Automatic calibration of a masking process simulator |
US7171047B2 (en) * | 2002-12-20 | 2007-01-30 | Lsi Logic Corporation | Adaptive Sem edge recognition algorithm |
GB0317370D0 (en) * | 2003-07-24 | 2003-08-27 | Synaptics Uk Ltd | Magnetic calibration array |
CN101390034B (zh) * | 2004-01-29 | 2012-03-14 | 辛纳普蒂克斯有限公司 | 采用二维定位设备产生一维信号的方法及装置 |
-
2002
- 2002-11-26 US US10/305,673 patent/US6768958B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-31 DE DE60326421T patent/DE60326421D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-31 EP EP03024839A patent/EP1424595B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-26 JP JP2003395886A patent/JP2004177961A/ja active Pending
-
2004
- 2004-04-20 US US10/829,408 patent/US6868355B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078738A (en) * | 1997-05-08 | 2000-06-20 | Lsi Logic Corporation | Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization |
US6081659A (en) * | 1997-05-08 | 2000-06-27 | Lsi Logic Corporation | Comparing aerial image to actual photoresist pattern for masking process characterization |
JP2002006475A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-09 | Toshiba Corp | マスクパターン設計方法及びその方法により形成されるマスク |
JP2002175969A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Hitachi Ltd | パターン検証方法及びデータ処理システム |
JP2002174890A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路の製造方法 |
JP2002311561A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-23 | Sony Corp | パターン形成方法、パターン処理装置および露光マスク |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018532139A (ja) * | 2015-08-10 | 2018-11-01 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウエハレベル欠陥の転写性を予測する装置および方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1424595A3 (en) | 2004-12-29 |
DE60326421D1 (de) | 2009-04-16 |
EP1424595A2 (en) | 2004-06-02 |
US6768958B2 (en) | 2004-07-27 |
US6868355B2 (en) | 2005-03-15 |
US20040199349A1 (en) | 2004-10-07 |
EP1424595B1 (en) | 2009-03-04 |
US20040102912A1 (en) | 2004-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6768958B2 (en) | Automatic calibration of a masking process simulator | |
KR100596760B1 (ko) | 시각 검사 및 검증 시스템 | |
JP5334956B2 (ja) | 個別マスクエラーモデルを使用するマスク検証を行うシステムおよび方法 | |
TWI780470B (zh) | 用於微影製程效能判定之方法及設備 | |
JP5008681B2 (ja) | リソグラフィシミュレーションのための装置 | |
KR100850189B1 (ko) | 리소그래피에서 복수의 노출 프로세스의 효과를 평가하기 위한 방법 및 이를 기록한 컴퓨터 기록 매체 | |
JP4758358B2 (ja) | レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法 | |
JP5204753B2 (ja) | レチクル・レイアウトに関する計測学的ターゲット構造設計を生成するためのコンピュータ実施方法、キャリア・メディア及びシステム | |
TW538450B (en) | Method and apparatus for the determination of mask rules using scatterometry | |
US6794096B2 (en) | Phase shifting mask topography effect correction based on near-field image properties | |
US20070111112A1 (en) | Systems and methods for fabricating photo masks | |
KR100674964B1 (ko) | 포토마스크 교정 방법 및 시스템 장치 | |
US6782525B2 (en) | Wafer process critical dimension, alignment, and registration analysis simulation tool | |
US7093226B2 (en) | Method and apparatus of wafer print simulation using hybrid model with mask optical images | |
US7207030B2 (en) | Method for improving a simulation model of photolithographic projection | |
JP2009042275A (ja) | プロセスモデル作成方法、プロセスモデル作成プログラム及びパターン補正方法 | |
US20090210838A1 (en) | Interpolation distance for layout desing data correction model | |
JP2004163472A (ja) | フォトマスクの設計方法、フォトマスク、及び半導体装置 | |
KR20210046459A (ko) | 멀티-opc 모델을 이용한 opc 방법, 및 그 opc 방법을 이용한 마스크 제조방법 | |
CN117950280B (zh) | 建立光学邻近效应修正模型的方法、电子设备和存储介质 | |
US10429746B2 (en) | Estimation of data in metrology | |
Neureuther | If it moves, simulate it! | |
KR100989746B1 (ko) | 광학 파라미터와 리스크 함수를 이용한 광학적 근접 보정 검증 방법 | |
KR20080062699A (ko) | 광 근접효과 보정방법 | |
US20120033194A1 (en) | Decision method and storage medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100215 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100514 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110127 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110426 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110502 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110727 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111227 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120305 |