TW533475B - Developer/rinse formulation to prevent image collapse in resist - Google Patents

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TW533475B
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Wayne M Moreau
Christopher F Robinson
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Description

533475 A7 B7 五、發明説明（） 1明領域： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明一般地涉及電子元件例如積體電路半導鹘的 製備，尤其是涉及一種防止積體電路製備的光刻步騾^ = 蝕劑圖案的毁壞的方法，其中，抗蝕劑圖案被形成於晶T 表面上，用於後續刻蝕去除或添加材料的步驟中。 I明背景： 例如薄膜積體電路的電子元件襯底與例如晶片的半 導體器件上的電路製作要求使用微刻處理以確定電路圖 案。光刻處理確定用於後來的刻姓去除或材料添加的襯底 區域且集成的趨向是繼續減小包括電路線寬的特徵尺 寸。 光刻是基於對光的構圖曝光與後來的晶片表面上的 光敏的光致抗姓劑的顯影產生一個三維的立體圖象。微刻 用於印製半導體工業中的超小圖案但形成抗蝕劑圖像的 基本步驟與常規的光刻技術基本相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 概括地說，把對輻射敏感的光致抗蝕劑塗敷在例如晶 片的襯底上然後常通過掩摸使圖案曝光從而轉移至光致 抗蝕劑上。取決於使用的光致抗蝕劑的類型，曝光將提高 或降低曝光區域對於稱為顯影劑的合適溶劑的溶解度。正 性光致抗蝕劑在曝光區域内將變得更易溶解而負性光致 抗蝕劑在曝光區域内將變得更難溶解。在曝光之後，襯底 區域被顯影劑溶解而不再被構圖的光致抗蝕劑薄膜覆蓋 因而接著可通過刻蝕或通過澱積材料在開口的轉圖區域 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) 533475 A7 __ B7 五、發明説明（） 内形成電路圖案。 微刻的光致抗蝕劑處理中涉及的基本步驟包括首先 /月潔襯底與為了枯結光致抗蚀劑的襯底預處理。然後通常 通過在晶片表面上旋轉塗覆抗蝕劑從而用光致抗蝕劑覆 蓋晶片襯底。旋轉塗覆程式一般有三個步驟，其中為在晶 片表面上散佈光致抗蝕劑，把晶片加速至最終旋轉速度， 然後在恒定轉速下旋轉以散佈並烘乾抗蝕劑膜。在旋轉步 驟之後，得到一個典型約為0.1至10//111厚的較均勻對稱 的流體型面的塗層。旋轉塗覆一般在3000至7000rpm的 速度下進行20至60秒，使在直徑150mm的晶片上均勻 地產生達到± 100A的塗層。在旋轉塗覆之後，一般溫和 地烘焙晶片以去除抗蝕劑中的溶劑。 然後曝光光致抗蚀劑以形成抗敍劑中要求的圖案。然 後一般使用後烘焙接，著用顯影劑顯影抗蝕劑以去除不希 望有的抗蝕劑部分以形成要求的抗蝕劑圖案。顯影可通過 把晶片浸入顯影劑或把顯影劑溶液噴射到抗蝕劑表面上 來完成。也可使用一種攪拌技術其中在晶片表面上攪拌或 滴曝光顯影劑溶液然後旋轉晶片（與塗覆抗蝕劑材料相 同）同時散佈顯影劑於晶片表面。上述顯影技術被描述於 chen等的美國專利Νο·61 59662中，在此引用該專利作為 參考。 停止顯影處理，然後用清洗劑清洗襯底表面上的顯影 劑，而一般也採用上述的浸入、嘴射或攪拌方法進行。 典型地進行一個後顯影烘培步驟以去除剩餘的溶 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 533475 A7
五、發明説明（） 劑，改善粘結並增強抗蝕劑的刻蝕抗力。然後可根據要求 的結果通過刻姓或添加材料處理晶片。 餐： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 不幸的疋，卩返著工業要求越來越小的細節尺寸，由抗 蝕劑確定的線寬同樣要求越來越小。然而，抗蝕劑圖案的 高度不能明顯降低，因為圖案必須有一定的高度或厚度以 便保持起作用。k触劑的高度對由抗蚀劑確定的標準線寬 的比率稱為高寬比，而當形成具有高的高寬比的巾面圖案 時，由於抗蚀劑圖案有下落或毀壞的趨向因而發生一個嚴 重的問題。
Tanka 等在 japan j Appl phys 32 卷（1993 )第 6059-6064 頁中的一扃標題為 “Mechanism of Resist Paltern Collapse During Development Process” 的論文中 討論了細小抗姓劑圖案毁壞問題。在一種毁壞方式中，圖 案的頂部互相接觸而圖案毀壞導致抗蝕劑圖案的彎曲、斷 裂、撕破或剝落，從而導致構圖晶片不適於進一步處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 尤其是當晶片上的特徵變得更小·例如高寬比大於3左 右與線寬小於1 5〇nm時，圖像毁壞是一個嚴重的問題。如 本領域内技術人員的瞭解，隨著高寬比增大與線寬減小， 此問題變為更加明顯，而在高寬比為6與線寬為1 OOnm 的線路中毁壞問題十分嚴重。 工業界曾試圖以許多解決辦法來解決毁壞問題。在上 述的Tanaka論文中，斷定抗蝕劑·毀壞的原因是清洗劑的 表面張力作用，並提出了低表面張力清洗劑例如體積混合 百为比率為50 : 50的叔丁醇與水的混合物。在2000年3 __ 7 本紙張尺度適用巾國g|本標準(CNS)A4規格(21()>〈297公 533475 A7 B7 五、發明説明（） .....·——：：· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 月 /4 月版的 J.Vac.Sci.Technol.B18(12)中報導的 Namatsu 等的標題為“ SupercriTical Resist Dryer”的論文中，提 出了使用超臨界抗蝕劑乾燥器以防止圖像毀壞。Tanaka 等的美國專利 No.4784937描述了使用一種用於含有例 如四甲基氫氧化銨的有機域與一個負離子或無離子的含 氟表面活化劑的正性光致抗蝕劑的含水顯影溶液以改善 光致抗触劑層的曝光區域與非曝光區域之間的溶解度選 擇性。Suzuki的美國專利ν〇· 5474877描述了一種使用接 近於其沸點的清洗劑以減小清洗劑的表面張力使防止光 致抗蝕劑圖案毀壞的顯影光致抗蝕劑圖案的方法。在此引 用上述論文與專利作為參考。 訂 發明目的及概诚 考慮到現有技術的問題與不足，因此本發 +霄明的—個目 的是提供一種在例如半導體晶片的電子 光致抗蝕劑圖案，以防止已顯影的光致抗 〜 方法。 4圖案毁壞的 本發明的另一個目的是提供一種在例如
—體印}JL 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的電子元件襯底上顯影光致抗蝕劑圖案，以防止 阳巧 光致抗蝕劑，圖案毁壞的裝置。 •、員心的 本發明的又一個目的是提供使用本 卞知明的方法 置顯影的包括半導體晶片的電子元件襯底。 / ，装 本發明的再一個目的是提供應用本發明的方、 置顯⑦彡的電子元件襯底而製作的例如丰壤 ^ 等把晶片的電予 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) 初475 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 發明説明（） 元件。 經說明，本發明s ^ ^ 另有的一些其他目的與優點將變得明 顯，而一部分將變得明白易懂。 本發明中得到的^ i ^ 勺對本領域内的技術人員將變為明白 易懂的上述與其他目％ ^ 的和優點，罘一方面，一種在例如半 導體晶片的電子元杜、^^ 件硯展上顯影光致抗蝕劑圖案以防止 已顯影的圖案毁壞的古 α k » 永日^万法，至少包括下列步驟： 在^子元件襯底上塗覆一層光致抗触劑膜； 使光致抗银劑曝光於預定的圖案； 對曝光的光致抗蝕劑膜供給顯影劑合成物以顯影光 致抗蝕劑圖案，此顯影劑合成物含有一種其含量足以防止 圖案毁壞的負離子表面活化劑； 顯影光致抗蝕劑膜以形成預定的光致抗蝕劑圖案並 保持襯底是濕的； 在濕的顯影襯底上供給清洗水溶液，此清洗水溶液包 括去離子水與一個其含量足以防止圖案毁壞的負離子表 面活化劑； 清洗經顯影的襯底；及 乾燥經顯影的襯底以形成其上面有預定的光致抗蝕 劑圖案的電子元件襯底。 本發明的另一方面，提供一種在例如半導體晶片上的 電子元件襯底顯影光致抗蝕齋！圖案以防止顯影圖案毀壞 的裝置，至少包括： 用於在電子元件襯底上塗覆一層光致抗蝕劑膜的塗 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210Χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 533475 A7
五、發明説明（） 覆裝置； 用於使光致抗蝕劑曝光於預定圖案的曝光裝置； ——......... (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 用於在曝光的光致抗蚀劑膜上供給顯影劑合成物的 供給裝置，此顯影劑合成物含有一個其含量足以防止圖案 毁壞的負離子表面活化劑； 用於顯影光致抗㈣膜來形成預定的光致抗餘劑圖 案並保持襯底是濕的顯影裝置； 用於在濕的顯影襯底上供給清洗劑合成物的供給裝 置，此清洗劑合成物包括水與一個其含量足以防止圖案毁 壞的負離子表面活化劑； 用於清洗經顯影的電子元件襯底的清洗裝置；以及 用於乾燥經顯影的襯底來形成其上面有預定的光致 抗蝕劑圖案的電子元件襯底的乾燥裝置。 本發明的再一方面，使用本發明的方法與裝置以顯影 電子元件襯底上的光致抗蝕劑圖案來防止顯影襯底的圖 案毀壞。 說明： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明適用於顯影各種電子元件襯底例如印刷電路 板、積體電路、微機電器件與磁片元件上的光致抗蝕劑圖 案’尤其適用於顯影小特徵尺寸，其特點為線寬小於 1 5〇nm且高寬比大於3左右的半導體晶片上的光致抗蝕劑 圖案。為方便起見，下列描述將針對在半導體晶片上使用 正性光致抗蝕劑，而本領域内的技術人員將懂得本發明的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公董) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 533475 A7 _ B7 五、發明説明（） 方法與裝置可用於其他類型的忠敦抗蝕劑與其他類型的 電子元件襯底。也可使用負性型光致抗蝕劑。 本發明可概括地陳述為包括一種顯影半導體晶片上 的光致抗蝕劑圖案的方法與裝置，其中二者都順序地使用 顯W劑合成物與清洗劑合成物且都含有負離子活化劑。發 現了在顯影劑合成物與清洗劑合成物中都使用負離子表 面活化劑使經顯影的晶片襯底中的圖像毀壞問題減至最 小與/或被防止。 本發明的方法與裝置可用於任何光致抗蝕劑且，如上 面指出，下面的描述針對正性光致抗蝕劑例如美國專利 No.6043003中描述的KRS(KeU1抗蝕劑系統）。同樣，可 使用使光致抗蝕劑曝光於預定圖案的任何方法例如紫外 線、電子束、X射線與離子束。 在半導體晶片上已形成光致抗蝕劑膜之後，最好溫和 地烘培此膜以去除溶劑，且此工序典型地在一塊熱板上在 約為90至150°C溫度下延續30至12〇秒完成。取決於使 用的光致抗蚀劑可採用任何合適的時間、溫度與烘焙裴 置。 然後曝光光致抗蝕劑，而這可使用本領域内任何標準 的或常規的技術例如投射或直接寫入進行。在曝光之後最 好在70至150°C下烘焙經曝光的光致抗蝕劑膜延續i至2 分鐘以加強潛象。 顯影半導體晶片上的光致抗蝕劑圖像的方法基本上 有四種，包括靜態顯影、浸入顯影、喷射顯影與攪拌顯影。 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公爱) ' " 1— ------ ----- (請先閲t謂背面之注意事項再填寫本頁j -訂_ 533475 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明説明（） 在每種方法中，必須按照本領域的技術人員將瞭解的要求 仔細控制顯影的時間與溫度。上述的美國專利Νο·61 59662 討論此顯影處理。 靜態方法對經曝光的晶片表面加上顯影劑，並在足以 顯影圖案的時間之後對晶片表面加上清洗劑合成物。在清 洗之後乾燥晶片。 浸入處理基本上包括將經曝光的半導體晶片浸入顯 〜劑合成物的槽内延續一定的時間周期然後從槽中取出 晶片。在從顯影劑槽中取出晶片之後，將它浸入清洗劑合 成物的槽内。可採用同一個槽用於顯影浸入與清洗浸入的 置換清洗方法。代替浸入經顯影的晶片，可通過噴射清洗 此浸入的晶片。 在噴射顯影方法中，用顯影劑合成物喷射曝光晶片延 續一定的時間周期以顯影圖案一般約為卜2分鐘，然後用 清洗劑合成物嘴射經顯影的晶片以洗去晶片表面上的顯 影劑。典型地噴射清洗劑合成物延續卜2分鐘然後使用常 規技術例如空氣乾燥法進行乾燥。 在一個優選實施例中，由於它的已被證明的有效性， 使用檟:拌顯影處理，在此處理中在經曝光的半導體晶片上 攪拌顯影劑合成物而晶片處於靜止，然後在例如1 〇〇rpm 下慢慢旋轉晶片使顯影劑合成物遍佈 晶片表面β然後使顯 衫劑留在晶片表面上延續足夠的顯影時間’例如1 - 2分 鐘’來顯影圖案。然後一般地在仍是满的晶片表面上攪拌 清洗劑合成物而晶片處於靜止，並類似於顯影處理旋轉晶 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ..........，丨丨-鲁.........訂........丨線·* (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 533475 A7
五、發明説明（） 片、⑺洗曰曰片。在清洗工序之後，典型地通過旋轉乾燥法 乾燥經清洗的晶片。 關於顯影劑合成物，具備如下文中規定的附帶條件一 ”、、員〜Μ 口成物含有負離子表面活化劑一的任何合適的商 口口〜〜剑合成物均可用于本發明。顯影劑合成物典型地為 鹼性而可含有氫氧化鉀、氫氧化鈉、矽酸鈉及諸如此類作 為基本成为’但最好基本成分是無金屬離子的例如四甲基 氫氧化銨的鹼性有機化合物。 本發明的方法中使用的顯影劑合成物的主要成分是 如上述美國專利Ν〇 4784937中所述的無金屬離子的鹼性 有機化合物’也可以是這類顯影液中常規使用的任何已知 化合物。這樣的鹼性有機化合物的例子是脂肪族與芳香族 胺化合物例如亞烴基雙胺，例如1，3二胺基丙烷與芳香 胺’例如4，4 二胺基二苯基胺，以及二（二烴基氨基） 亞胺’具有由3至5個碳原子和從氮、氧與硫原子中選擇 的1個或2個異種原子組成的環結構的雜環域，例如，吡 咯、吡咯烷、吡咯烷酮、吡啶、嗎福啉、毗嗪、呱嗪啶、 惡峻與噻唑、低芳香季銨基及其它。 上述材料中特別優選的是其中燒基組為C 1 - C 4或替 代的C 1-C4的四烷基氫氧化銨。例子是四甲基氫氧化銨 (ΤΜΑΗ )與三甲基2-羥乙基氫氧化銨即膽鹼。其他氫氧 化銨包括四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧 化銨、甲基三乙基氫氧化銨、三甲基乙基氫氧化銨、二甲 基二乙基氫氧化按、三乙基（2 -經乙基）氫氧化按、二甲 13 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .¾. -訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 533475 五 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 發明説明（） 基二（2-魏乙基）氫氧化銨、二乙基二（2也基）氯氧 ，錄、曱基二（乙基）氫氧化錄、乙基三（2_龜乙基） 氫氧化銨與四（2-經乙基）滸结& Λ、 丞）虱虱化銨。以上列舉的無金屬 離子的有機域可根據需要單獨使用或作為兩種或多種的 組合使用。 本發明的顯影液典型地通過把上述化合物溶解在去 離予水中製成ΡΗ值在約U.〇至135範圍内的溶液。 常規的顯影劑合成物中使用的供選的添加劑也可用 于本發明的®影劑合成&，這些添加劑包括穩定劑與溶解 劑及-糾，後者用於清除光致抗触劑剩⑯，不然在顯影 後可能留在曝光區域内。這些供選的添加劑可根據需要單 獨地或作為兩種或多種的组合添加到本發明的顯影液 内。 在本發明的顯影劑合成物與清洗水合成物中都使用 負離子表面活化劑是本發明的一個重要特徵。 負離子表面活化劑的特徵在於有一個大的溶於油的 非極性的碳氫化合物端與一個溶于水的極性端。例如，對 於月桂基灰鉍鈉’ CnH^CH2組是非極性端而〇s〇-3Na+是 極性端。 負離子類洗滌劑包括普通的鹼金屬肥皂例如含有約8 至約24個碳原子且最好為約1 〇至約2〇個碳原子的較高 的脂肪酸的鈉、抑、按與烷基銨鹽。 這類洗滌劑還包括溶于水的鹽，尤其是分子結構中有 一個含有約8至約2 2個碳原子與一個磺酸或硫酸或硫酸 14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) I 1 .... .......I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 533475 A7 B7 五、發明説明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 酉曰έ此團的心基官能團的有機硫反應物的非金屬銨鹽。 (術語烷基包括較高的醯基官能團的烷基部分。）構成本 發明的優選4條劑合成物—部分的這組合成洗滌刻是炫 基、酸銨尤其是通過硫酸處理的較高的醇（C8_Ci9碳原 子）知到的那些；其中燒基組含有成直鍵或支鍵結構的約 9至約15個碳原子的烷基苯磺酸銨。 本發明中還使用負離子磷酸鹽表面活化劑。這些是表 面活化材料’其中’連接疏水的各分子部分的負離子增溶 組疋磷的含氧酸。較常用的增溶組是-S04H、-so3h與-C〇2H使用紇基磷酸酯例如（R_0 ) 2p〇2H與ROp〇3H2， 分子式中R代表一個含有約8至約3〇個碳原子的烷基 鏈。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一種優選的負離子表面活化劑是由概括分子式 RfCOOM或Rf SQM代表的含氟的表面活化劑，式中心 與Rf每個代表有2至20個碳原子的單價碳氫化合物組， 其中至少一部分氫原子以氟原子置換，而M代表一個氫 原子Η、銨NH4或四價銨Nr4，每個R與其他無關，是一 個氫原子或一個有1至3個碳原子的烷基組。更具體地 說’上述類型的有表面活化劑作用的含氟羧基酸與磺酸與 包括分子式CnF2n+1CO〇H的鹽的直鏈或支鏈的全氟羧基 酸、分子式CnF2n+1S〇3H的含氟鏈烷磺酸、分子式 CnF2n+1CmH2mCO〇H的部分氟化羧基酸、分子式CnF2n+lc = CHCmUOOH的部分氟化不飽和羧基酸、分子式 CnF2n + 1CmH2mS〇3H 的部分氟化鏈燒續酸與分子式 15 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210父297公|) 533475 A7 B7 五、發明説明（）
CnF2n + 1CH = CHCmH2mS03H的部分氟化鏈烷磺酸，以及由 它們產生的銨鹽與四烷基銨鹽，其中分子式中η與m每個 分別是1至10與1至15的正整數。 屬於這些類別的特定化合物包括全氟羧基酸 C7F15COOH、全氟辛烷磺酸c8f17so3h、全氟癸酸銨 c9f19coonh4、四甲基全氟辛酸銨 C7F15COON ( CH3) 4、 C5Fm ( ch2 ) 3COOH、cf3 ( cf2 ) 3cf ( cf3 ) ( ch2 ) 1〇COONH4、cf3 ( cf2) 6CH = CH ( CH2) 2COONH4 以及諸 如此類，但不限於這些。這些化合物可根據需要單獨使用 或兩種或多種組合使用。 此顯影劑合成物典型地將含有其含量約為10至40g/1 的域以提供約為12至13的PH值。一般使用0·2 IN或 0.26N溶液。一種負離子表面活化劑存在于顯影劑合成物 内’其含量足以提供本發明的方法與裝置中使用的合成物 所要求的抗毁壞性能，通常約為1〇〇至10000ppm或以上， 為500至5000ppm更好。 此顯影劑合成物可在高達3 5 0。(：或更高的各種溫度下 使用，一般在約19至25t下使用，在21°C下使用更好。 清洗劑合成物最好包括去離子水與上述負離子表面 活化劑，後者的含量約為100至l〇〇〇〇ppm或以上，為5〇〇 至5000ppm更妤，以提供本發明的方法與裝置所要求的抗 毁壞性能。 此清洗劑合成物可在高達35。(：或更高的各種溫度下 使用，一般在約19至25°C下使用，在2TC下更好。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .¾. -、v" 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16
533475 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 發明説明（） 範例 一個半導體晶片使用攪拌法通過旋轉塗覆塗上一層 KRS正性抗蝕劑。曝光此塗覆抗蝕劑的晶片以提供線寬與 間距約為1 OOnm和高寬比約為6的圖案。通過在晶片表面 上攪拌0.263N的TMAH與1%重量百分比的FC-93 ( 25% 活性）的除離子水溶液顯影經曝光的晶片而晶片處於靜止 狀態。FC-93是由3M化學製品公司出售的一種全氟燒基 磺酸銨表面活化劑。在顯影之後且當晶片還是濕的時，用 包括除離子水與重量百分比為1%的FC-93負離子表面活 化劑的清洗劑合成物清洗還是濕的晶片。清洗劑合成物施 加於靜止狀態下的晶片並通過旋轉以清洗晶片然後空氣 乾燥晶片。結果顯示抗蝕劑圖案不毁壞且滿足商業觀點的 要求。一個控制樣品（顯影劑與清洗劑中不添加表面活化 劑）在高寬比為3 · 5時毁壞。 使用FC-143重復上述例子，pc-143是一種包括全氟
燒基叛基銨表面活化劑的負離子表面活化劑且同樣由3M 化學製品公司出售。顯影的抗蝕劑圖案不毁壞且商業上合 格。 使用重量含量約為〇·5〇/〇的月桂基硫酸銨作為負離子 表面活化劑重復上述例子。在此情況下，得到高寬比為4 的上限。 儘管連同一個專門的優選實施例詳盡地描述了本發 明，很明顯，鑒於前面的描述，對於本領域内的技術人員 來說’许多替代、修改與變化將變為明白易懂。因此預期 17 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇χ297&^) ......l··:…峡： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 533475 A7 B7 五、發明説明（） 化 變與改 修 。 、 内代之替神些精這與 何圍任範括施 包實將的 圍明範發請本 申在利作 專看的們加它附把 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 如475
    申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 個碳 丨：種：影電子元件襯底上的光致 "圖案·毁壞的方法，該方法至少包括下列步驟：1 在：予兀件襯底上塗覆一層光致抗蝕劑膜； 使光致抗蝕劑膜曝光於預定的圖案； 對曝光的光致抗㈣膜供給顯㈣合成物以顯影光 致抗触劑的圖案，此顯影劑合成物含有—種其含量足以 防止圖案毁壞的負離子表面活化劑； 顯影光致抗餘劑膜以形成預倉, 仇挪剑朕以々风了，、疋的光致抗蝕劑圖案並 保持襯底是濕的； 在濕的顯影襯底上供給清洗水溶液，此清洗水溶液包 括去離子水與一種其含量足以防止圖案毁壞的負離子表 面活化劑； 清洗經顯影的襯底；以及 乾燥經顯影的襯底以形成其上面有預定的光致抗蝕劑圖 案的電子元件襯底。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該負離子表面 活化劑是由概括分子式RfCOOM或Rf，s〇3M代表的含氣 的表面活化劑，式中Rf與Rf各代表有2至20個碳原子 的單價碳氫化合物組，其中至少一部分氫原子以氣原子 置換，而Μ代表一個氫原子Η、銨NH4或四價銨NR , 與其他無關的每個R是一個氣原予或一個有1至 原子的烷基組。 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 —.—----------------訂 i n n n n n 1- I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 533475 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 3·如申請專利範圍第i項所述之方法，其中使用使用攪拌 方法施加顯影劑合成物與青洗Μ 4·如申請專利範圍第1項所述之方法’其中使用噴射方法 施加顯影劑合成物與清洗劑。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電子元件是 一半導體晶片。 6 · 一種顯影電子元件襯底上的光致抗蝕劑圖案以防止圖 案毀壞的裝置，該裝置至少包括： 用於在電子元件襯底上塗覆一層光致抗蝕劑膜的塗 覆裝置； 用於使用光致抗蝕劑曝光於預定圖案的曝光裝置； 用於在經曝光的光致抗蝕劑膜上供給顯影劑合成物 的供給裝置，此顯影劑合成物包括其含量足以防止圖案 毀壞的負離子表面活化劑； 用於顯影光致抗蝕劑膜以形成預定的光敏抗刨劑圖 案並保持襯底是濕的顯影裝置； 用於在濕的顯影襯底上供給清洗劑合成物的供給裝 置，此清洗劑合成物包括水與其含量足以防止圖案毁壞 的負離子表面活化劑； 用於m洗經顯影的電子元件襯底的清洗裝置；與 用於乾燥經顯影的襯底以形成其上面有預定的光致 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2ΐ_ί 297公釐） 8 8 8 8 ABCD 53341— i年；j 六、申請專利範圍 抗蝕劑圖案的電子元件襯底的乾燥裝置。 7·如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中顯影劑合成 物中的負離子表面活化劑是由概括分子式 RfCOOM與 Rf’S03M代表的含氟的表面活化劑，式中Rf與Rf’每個代 表有2至2 0個碳原子的單價碳氫化合物組，其中至少 一部分氫原子以氟原子置換，而Μ代表一個氫原子Η、 銨ΝΗ4或四價銨NR4，每個R與其他無關是一個氫原子 或一個有1至3個碳原子的烷基組。 8 ·如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中用於供給顯 影劑合成物與清洗劑合成物的供給裝置是一攪拌器。 9 ·如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中用於供給顯 影劑合成物與清洗劑合成物的供給裝置是一喷射裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本寅) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 21 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)
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