JPH05326392A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05326392A JPH05326392A JP12206492A JP12206492A JPH05326392A JP H05326392 A JPH05326392 A JP H05326392A JP 12206492 A JP12206492 A JP 12206492A JP 12206492 A JP12206492 A JP 12206492A JP H05326392 A JPH05326392 A JP H05326392A
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言え
ば、レジスト膜のパターンを精度良く形成し、レジスト
パターンの倒れを防止するための現像工程，洗浄工程及
び乾燥工程の改善を目的とする。 【構成】半導体基板上に形成された感光性膜を現像する
工程又は前記感光性膜の現像後に前記半導体基板を洗浄
する工程において、少なくとも、表面張力が純水よりも
小さい現像液を用いて前記感光性膜を現像する工程と、
表面張力の小さい洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄
する工程との何れかを含み構成する。
ば、レジスト膜のパターンを精度良く形成し、レジスト
パターンの倒れを防止するための現像工程，洗浄工程及
び乾燥工程の改善を目的とする。 【構成】半導体基板上に形成された感光性膜を現像する
工程又は前記感光性膜の現像後に前記半導体基板を洗浄
する工程において、少なくとも、表面張力が純水よりも
小さい現像液を用いて前記感光性膜を現像する工程と、
表面張力の小さい洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄
する工程との何れかを含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、更に詳しく言えば、レジスト膜のパターンを精
度良く形成し、レジストパターンの倒れを防止するため
の現像工程，洗浄工程及び乾燥工程の改善に関する。
に関し、更に詳しく言えば、レジスト膜のパターンを精
度良く形成し、レジストパターンの倒れを防止するため
の現像工程，洗浄工程及び乾燥工程の改善に関する。
【０００２】近年、半導体基板上に微細回路パターンを
転写するには、紫外線を光源として、通常数チップの回
路パターンの一部を構成するマスク或いはレチクルを用
いて、大口径ウエハ上にステップ・アンド・リピートの
方式で、繰り返しウエハ上の転写位置を変えながら、マ
スクパターンやレチクルパターンをレンズ等によって縮
小転写する方法が採用されている。
転写するには、紫外線を光源として、通常数チップの回
路パターンの一部を構成するマスク或いはレチクルを用
いて、大口径ウエハ上にステップ・アンド・リピートの
方式で、繰り返しウエハ上の転写位置を変えながら、マ
スクパターンやレチクルパターンをレンズ等によって縮
小転写する方法が採用されている。
【０００３】転写するパターンの微細化傾向に対して、
レンズのＮＡの増大、短波長化及び種々の改良技術開発
によって、その見通しは得られつつある。しかし、ウエ
ハ上にパターンを形成するには、ウエハ上に存在する絶
縁膜や導電膜にパターンを作らなければならない。
レンズのＮＡの増大、短波長化及び種々の改良技術開発
によって、その見通しは得られつつある。しかし、ウエ
ハ上にパターンを形成するには、ウエハ上に存在する絶
縁膜や導電膜にパターンを作らなければならない。
【０００４】
【従来の技術】従来の半導体製造方法について図を参照
しながら説明する。図９，図10は従来例に係る半導体製
造方法の工程説明図（その１，その２）である。
しながら説明する。図９，図10は従来例に係る半導体製
造方法の工程説明図（その１，その２）である。
【０００５】従来例に係る半導体製造方法は、まず、図
９（ａ）に示すように、ノボラック樹脂を主成分とする
レジスト２が所定膜厚（0.50〜2.00μｍ厚み）塗布さ
れ、これに紫外線露光によって回路パターンが転写され
ているウエハ１に、所定の現像液（テトラメチル・アン
モニウム・ハイドロ・オキシド2.38％溶液）をレジスト
２の上方向から滴下ノズル或いはスプレーノズルＮ１に
よって供給し、所定時間（通常0.5 〜2min）現像を行
い、レジストパターン２Ａを形成する。
９（ａ）に示すように、ノボラック樹脂を主成分とする
レジスト２が所定膜厚（0.50〜2.00μｍ厚み）塗布さ
れ、これに紫外線露光によって回路パターンが転写され
ているウエハ１に、所定の現像液（テトラメチル・アン
モニウム・ハイドロ・オキシド2.38％溶液）をレジスト
２の上方向から滴下ノズル或いはスプレーノズルＮ１に
よって供給し、所定時間（通常0.5 〜2min）現像を行
い、レジストパターン２Ａを形成する。
【０００６】次に、図９（ｂ）に示すように、現像液が
ウエハ１上に存在する段階で、リンス液（純水）を滴下
ノズル或いはスプレーノズルＮ２によって供給し、所定
時間（通常0.5 〜2min）リンスを行う。
ウエハ１上に存在する段階で、リンス液（純水）を滴下
ノズル或いはスプレーノズルＮ２によって供給し、所定
時間（通常0.5 〜2min）リンスを行う。
【０００７】次いで、リンス終了後は、図９（ｃ）に示
すように、リンス液がレジスト間に残留しているので、
図10（ｄ）に示すように、ウエハ１を高速に回転し、溜
まっていたリンス液をウエハ円周方向に飛ばし、図10
（ｅ）に示すように、ウエハ１の表面を乾燥させる。以
上のようにしてウエハ１上にレジストパターン２Ａを形
成していた。
すように、リンス液がレジスト間に残留しているので、
図10（ｄ）に示すように、ウエハ１を高速に回転し、溜
まっていたリンス液をウエハ円周方向に飛ばし、図10
（ｅ）に示すように、ウエハ１の表面を乾燥させる。以
上のようにしてウエハ１上にレジストパターン２Ａを形
成していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来の半導体
装置の製造方法によると、現像液或いはリンス液は自然
乾燥によって乾燥されており、また、水を主成分とする
現像液或いはリンス液の表面張力も比較的大きかった。
装置の製造方法によると、現像液或いはリンス液は自然
乾燥によって乾燥されており、また、水を主成分とする
現像液或いはリンス液の表面張力も比較的大きかった。
【０００９】このため、図11（ａ）に示すように、現像
後に形成されたレジストパターン２Ａが乾燥過程で倒れ
るといった問題が生じてきている。ところで、レジスト
パターン２Ａの倒れを詳細に観察すると、最外部のレジ
ストパターンは内側に倒れている（最外部のレジストパ
ターンが外側に倒れることはない）。
後に形成されたレジストパターン２Ａが乾燥過程で倒れ
るといった問題が生じてきている。ところで、レジスト
パターン２Ａの倒れを詳細に観察すると、最外部のレジ
ストパターンは内側に倒れている（最外部のレジストパ
ターンが外側に倒れることはない）。
【００１０】これから推察するに、この倒れは、リンス
液である純水がレジストパターン間に残っている時間が
長いため（リンス液の乾燥は自然乾燥であるため、乾燥
するまで時間がかかる）に、乾燥中に、レジストパター
ン間に残存する液の表面張力によってレジストパターン
が液の残留する側に引っ張られることによって生じる現
象であると考えられる。
液である純水がレジストパターン間に残っている時間が
長いため（リンス液の乾燥は自然乾燥であるため、乾燥
するまで時間がかかる）に、乾燥中に、レジストパター
ン間に残存する液の表面張力によってレジストパターン
が液の残留する側に引っ張られることによって生じる現
象であると考えられる。
【００１１】このような、隣接するレジストパターン間
に残存する液が原因となる表面張力は、レジストパター
ンの形状、残留する液の種類などに依存し、レジストパ
ターンのアスペクト比（レジストパターンの厚み／幅）
に依存しない。
に残存する液が原因となる表面張力は、レジストパター
ンの形状、残留する液の種類などに依存し、レジストパ
ターンのアスペクト比（レジストパターンの厚み／幅）
に依存しない。
【００１２】こうして、微細化によるアスペクト比の増
大に伴って、レジストパターンの水平方向への変形量は
大きくなり、レジストパターンの最上部で一度隣接する
レジストパターンに接触すると、そのまま復元しない。
大に伴って、レジストパターンの水平方向への変形量は
大きくなり、レジストパターンの最上部で一度隣接する
レジストパターンに接触すると、そのまま復元しない。
【００１３】なお、一般的なレジストパターンの最上部
の水平方向への変形量は、梁の曲げ理論より、次式で計
算できる。 ｙmax ＝（Ｗ×L4）／（８×Ｅ×Ｉ） ここで、ｙmax は最大の変形量であり（このとき、表面
張力Ｗの向きは水平方向であって、図11（ｂ）に示す角
θは９０°である）、Ｗは表面張力である。また、Ｅは
レジストのヤング率であり、Ｉはレジストパターンの断
面二次モーメントである（図11（ｂ）参照）。この式に
適当な値を代入すると、レジストパターンの水平方向へ
の変形量が算出される。
の水平方向への変形量は、梁の曲げ理論より、次式で計
算できる。 ｙmax ＝（Ｗ×L4）／（８×Ｅ×Ｉ） ここで、ｙmax は最大の変形量であり（このとき、表面
張力Ｗの向きは水平方向であって、図11（ｂ）に示す角
θは９０°である）、Ｗは表面張力である。また、Ｅは
レジストのヤング率であり、Ｉはレジストパターンの断
面二次モーメントである（図11（ｂ）参照）。この式に
適当な値を代入すると、レジストパターンの水平方向へ
の変形量が算出される。
【００１４】例えば、０．２μｍライン・アンド・スペ
ースパターンの水平方向への最大変形量は、以下の値、
すなわち、Ｗ＝１atm ≒１×108 dyn/cm2 ,L＝1.0 μｍ
( ＝1.0 ×10-4cm) , Ｅ＝6.5 ×1010dyn/cm2 , Ｉ＝6.
7 ×10-16cm4を用いると、 ｙmax ＝4.5 ×10-5cm＝０．４５μｍ と概算できる。このように、当該変形量は、無視できな
いほどの量となっており、レジストパターンの倒れに大
きく関係することが分かる。
ースパターンの水平方向への最大変形量は、以下の値、
すなわち、Ｗ＝１atm ≒１×108 dyn/cm2 ,L＝1.0 μｍ
( ＝1.0 ×10-4cm) , Ｅ＝6.5 ×1010dyn/cm2 , Ｉ＝6.
7 ×10-16cm4を用いると、 ｙmax ＝4.5 ×10-5cm＝０．４５μｍ と概算できる。このように、当該変形量は、無視できな
いほどの量となっており、レジストパターンの倒れに大
きく関係することが分かる。
【００１５】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、隣接するレジストパターンの間に
残留する現像液や、リンス液によって生じる表面張力が
原因と考えられるレジストパターンの倒れを極力抑止す
ることが可能になる半導体装置の製造方法の提供を目的
とする。
作されたものであり、隣接するレジストパターンの間に
残留する現像液や、リンス液によって生じる表面張力が
原因と考えられるレジストパターンの倒れを極力抑止す
ることが可能になる半導体装置の製造方法の提供を目的
とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の半導
体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された感光性
膜を現像する工程又は前記感光性膜の現像後に前記半導
体基板を洗浄する工程において、少なくとも、表面張力
が純水よりも小さい現像液を用いて前記感光性膜を現像
する工程と、表面張力の小さい洗浄液を用いて前記半導
体基板を洗浄する工程との何れかを含むことを特徴とす
る。
体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された感光性
膜を現像する工程又は前記感光性膜の現像後に前記半導
体基板を洗浄する工程において、少なくとも、表面張力
が純水よりも小さい現像液を用いて前記感光性膜を現像
する工程と、表面張力の小さい洗浄液を用いて前記半導
体基板を洗浄する工程との何れかを含むことを特徴とす
る。
【００１７】なお、本発明の第１の半導体装置の製造方
法において、前記現像液や洗浄液は、界面活性剤を含む
液であることを特徴とする。また、本発明の第１の半導
体装置の製造方法において、前記現像液や洗浄液は、有
機溶剤を含む液であることを特徴とする。
法において、前記現像液や洗浄液は、界面活性剤を含む
液であることを特徴とする。また、本発明の第１の半導
体装置の製造方法において、前記現像液や洗浄液は、有
機溶剤を含む液であることを特徴とする。
【００１８】さらに、本発明の第１の半導体装置の製造
方法において、前記洗浄液は、アルコールであることを
特徴とする。また、本発明の第１の半導体装置の製造方
法において、前記洗浄液の温度を高くして半導体基板を
洗浄することを特徴とする。
方法において、前記洗浄液は、アルコールであることを
特徴とする。また、本発明の第１の半導体装置の製造方
法において、前記洗浄液の温度を高くして半導体基板を
洗浄することを特徴とする。
【００１９】さらに、本発明の第１の半導体装置の製造
方法において、通常の洗浄液を用いて半導体基板を洗浄
した後に、表面張力が純水よりも小さい洗浄液を用いて
前記半導体基板を洗浄する工程を含むことを特徴とす
る。
方法において、通常の洗浄液を用いて半導体基板を洗浄
した後に、表面張力が純水よりも小さい洗浄液を用いて
前記半導体基板を洗浄する工程を含むことを特徴とす
る。
【００２０】また、本発明に係る第２の半導体装置の製
造方法は、半導体基板上に形成された感光性膜の現像後
に該半導体基板を洗浄した後に、該半導体基板を乾燥す
る工程は、前記半導体基板上に残存する現像液もしくは
洗浄液を高速度に乾燥する工程であることを特徴とす
る。
造方法は、半導体基板上に形成された感光性膜の現像後
に該半導体基板を洗浄した後に、該半導体基板を乾燥す
る工程は、前記半導体基板上に残存する現像液もしくは
洗浄液を高速度に乾燥する工程であることを特徴とす
る。
【００２１】なお、本発明に係る第２の半導体装置の製
造方法において、前記現像液もしくは洗浄液を高速度に
乾燥する工程は少なくとも真空中で乾燥する工程である
ことを特徴とする。
造方法において、前記現像液もしくは洗浄液を高速度に
乾燥する工程は少なくとも真空中で乾燥する工程である
ことを特徴とする。
【００２２】また、本発明に係る第２の半導体装置の製
造方法において、前記現像液もしくは洗浄液を高速度に
乾燥する工程は少なくとも前記半導体基板を加熱して乾
燥する工程であることを特徴とする。
造方法において、前記現像液もしくは洗浄液を高速度に
乾燥する工程は少なくとも前記半導体基板を加熱して乾
燥する工程であることを特徴とする。
【００２３】さらに、本発明に係る第２の半導体装置の
製造方法において、前記現像液もしくは洗浄液を高速度
に乾燥する工程は少なくとも高周波電力を加えて乾燥す
る工程であることを特徴とし、上記目的を達成する。
製造方法において、前記現像液もしくは洗浄液を高速度
に乾燥する工程は少なくとも高周波電力を加えて乾燥す
る工程であることを特徴とし、上記目的を達成する。
【００２４】
【作 用】本発明に係る第１の半導体装置の製造方法に
よれば、半導体基板上に形成された感光性膜を現像する
工程又は感光性膜の現像後に半導体基板を洗浄する工程
において、少なくとも、表面張力の小さい現像液を用い
て感光性膜を現像する工程と、表面張力の小さい洗浄液
を用いて半導体基板を洗浄する工程との何れかを含んで
いる。
よれば、半導体基板上に形成された感光性膜を現像する
工程又は感光性膜の現像後に半導体基板を洗浄する工程
において、少なくとも、表面張力の小さい現像液を用い
て感光性膜を現像する工程と、表面張力の小さい洗浄液
を用いて半導体基板を洗浄する工程との何れかを含んで
いる。
【００２５】なお、表面張力の小さい液として、界面活
性剤を含む液や、有機溶剤を含む液や、アルコールなど
を用いている。このため、感光性膜のパターン間に残存
する現像液または洗浄液によって生じる表面張力が小さ
いので、それによって生じる感光性膜のパターンの倒れ
などを抑止出来る。
性剤を含む液や、有機溶剤を含む液や、アルコールなど
を用いている。このため、感光性膜のパターン間に残存
する現像液または洗浄液によって生じる表面張力が小さ
いので、それによって生じる感光性膜のパターンの倒れ
などを抑止出来る。
【００２６】また、本発明に係る第１の半導体装置の製
造方法において、洗浄液の温度を高くして半導体基板を
洗浄している。このため、表面張力の低い現像液もしく
は洗浄液において、液の温度が高ければ一般にその表面
張力は小さくなるので、さらに表面張力が小さくなる。
造方法において、洗浄液の温度を高くして半導体基板を
洗浄している。このため、表面張力の低い現像液もしく
は洗浄液において、液の温度が高ければ一般にその表面
張力は小さくなるので、さらに表面張力が小さくなる。
【００２７】これにより、表面張力が原因となる感光性
膜のパターンの倒れの防止がさらに確実になる。さら
に、本発明の第１の半導体装置の製造方法において、通
常の洗浄液を用いて半導体基板を洗浄した後に、表面張
力の小さい洗浄液を用いて半導体基板を洗浄する工程を
含んでいる。
膜のパターンの倒れの防止がさらに確実になる。さら
に、本発明の第１の半導体装置の製造方法において、通
常の洗浄液を用いて半導体基板を洗浄した後に、表面張
力の小さい洗浄液を用いて半導体基板を洗浄する工程を
含んでいる。
【００２８】このため、通常の洗浄液によって半導体基
板を洗浄した後に、表面張力の低い洗浄液による洗浄を
行うことにより、２度洗浄するので現像液の除去がより
確実となる。加えて表面張力の小さい洗浄液による洗浄
をするため、感光性膜のパターン間に残存する液によっ
て生じる表面張力が小さくなる。これにより、表面張力
による感光性膜のパターンの倒れが極力抑止される。
板を洗浄した後に、表面張力の低い洗浄液による洗浄を
行うことにより、２度洗浄するので現像液の除去がより
確実となる。加えて表面張力の小さい洗浄液による洗浄
をするため、感光性膜のパターン間に残存する液によっ
て生じる表面張力が小さくなる。これにより、表面張力
による感光性膜のパターンの倒れが極力抑止される。
【００２９】また、本発明に係る第２の半導体装置の製
造方法によれば、半導体基板上に形成された感光性膜の
現像後に半導体基板を洗浄する工程の後に、半導体基板
を乾燥する工程において、半導体基板上に残存する現像
液もしくは洗浄液を高速度に乾燥する工程を含んでい
る。
造方法によれば、半導体基板上に形成された感光性膜の
現像後に半導体基板を洗浄する工程の後に、半導体基板
を乾燥する工程において、半導体基板上に残存する現像
液もしくは洗浄液を高速度に乾燥する工程を含んでい
る。
【００３０】なお、本発明に係る第２の半導体装置の製
造方法において、現像液もしくは洗浄液を高速度に乾燥
する工程は少なくとも真空中で乾燥する工程や、半導体
基板を加熱して乾燥する工程や、高周波電力を加えて乾
燥する工程を含んでいる。
造方法において、現像液もしくは洗浄液を高速度に乾燥
する工程は少なくとも真空中で乾燥する工程や、半導体
基板を加熱して乾燥する工程や、高周波電力を加えて乾
燥する工程を含んでいる。
【００３１】このため、高速度に半導体基板が乾燥さ
れ、表面張力の原因となる現像液や洗浄液が短時間に除
去されるので、これらの液の表面張力が原因となる感光
性膜のパターンの倒れを極力抑止することが可能にな
る。
れ、表面張力の原因となる現像液や洗浄液が短時間に除
去されるので、これらの液の表面張力が原因となる感光
性膜のパターンの倒れを極力抑止することが可能にな
る。
【００３２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図１〜図８を
参照しながら説明する。図１〜図８は本発明の各実施例
に係る半導体装置の製造方法の説明図である。
参照しながら説明する。図１〜図８は本発明の各実施例
に係る半導体装置の製造方法の説明図である。
【００３３】（１）第１の実施例 以下で、本発明の第１の実施例に係る半導体装置の製造
方法について図１，図２を参照しながら説明する。図
１，図２は、本発明の第１〜第４の実施例に係る半導体
装置の製造方法の工程図（その１，その２）である。
方法について図１，図２を参照しながら説明する。図
１，図２は、本発明の第１〜第４の実施例に係る半導体
装置の製造方法の工程図（その１，その２）である。
【００３４】本発明の第１の実施例に係る半導体装置の
製造方法によれば、まずノボラック樹脂を主成分とした
レジスト膜12が、所定膜厚（0.50〜2.00μｍ厚み）塗布
されたウエハ11上に、紫外線露光をして回路パターンを
レジスト膜12に転写する。
製造方法によれば、まずノボラック樹脂を主成分とした
レジスト膜12が、所定膜厚（0.50〜2.00μｍ厚み）塗布
されたウエハ11上に、紫外線露光をして回路パターンを
レジスト膜12に転写する。
【００３５】次に、図１（ａ）に示すように、まず所定
の現像液（テトラメチル・アンモニウム・ハイドロ・オ
キシド2.38％溶液）をレジスト12の上方向からスプレー
ノズルＮ10によって供給し、所定時間（通常0.5 〜2mi
n）現像を行い、レジストパターン12Ａを形成する。
の現像液（テトラメチル・アンモニウム・ハイドロ・オ
キシド2.38％溶液）をレジスト12の上方向からスプレー
ノズルＮ10によって供給し、所定時間（通常0.5 〜2mi
n）現像を行い、レジストパターン12Ａを形成する。
【００３６】なお、レジスト膜12は感光性膜の一例であ
り、ウエハは半導体基板の一例である。また、リンス液
は洗浄液の一例である。次いで、現像液がウエハ11上に
存在する段階で、界面活性剤を含むリンス液（純水＋非
イオン性フロロカーボン系界面活性剤０．１％溶液）を
スプレーノズルＮ11によって供給し、所定時間（通常0.
5 〜2min）リンスを行う（図１（ｂ）参照）。
り、ウエハは半導体基板の一例である。また、リンス液
は洗浄液の一例である。次いで、現像液がウエハ11上に
存在する段階で、界面活性剤を含むリンス液（純水＋非
イオン性フロロカーボン系界面活性剤０．１％溶液）を
スプレーノズルＮ11によって供給し、所定時間（通常0.
5 〜2min）リンスを行う（図１（ｂ）参照）。
【００３７】リンス終了後、レジストパターン12Ａの間
には現像液やリンス液が残存している（図１（ｃ）参
照）。これを除去するため、ウエハ11を高速に回転し、
溜まっていたリンス液をウエハ円周方向に飛ばし（図２
（ｄ）参照）、ウエハ11表面を自然乾燥させる。この結
果、図２（ｅ）に示すように、レジストパターンの倒れ
がないウエハ11が形成された。
には現像液やリンス液が残存している（図１（ｃ）参
照）。これを除去するため、ウエハ11を高速に回転し、
溜まっていたリンス液をウエハ円周方向に飛ばし（図２
（ｄ）参照）、ウエハ11表面を自然乾燥させる。この結
果、図２（ｅ）に示すように、レジストパターンの倒れ
がないウエハ11が形成された。
【００３８】以上のようにして、本発明の第１の実施例
に係る半導体装置の製造方法によれば、界面活性剤を含
むリンス液を用いてウエハ11をリンスしている。このた
め、界面活性剤を含むリンス液は表面張力が純水のそれ
に比して小さい（非イオン性フロロカーボン系界面活性
剤の表面張力が約25dyn/cm, 純水の表面張力が約72.8dy
n/cm）ので、レジストパターン12Ａ間に残存する液の表
面張力が原因となるレジストパターン12Ａの倒れを極力
抑止することが可能になる。
に係る半導体装置の製造方法によれば、界面活性剤を含
むリンス液を用いてウエハ11をリンスしている。このた
め、界面活性剤を含むリンス液は表面張力が純水のそれ
に比して小さい（非イオン性フロロカーボン系界面活性
剤の表面張力が約25dyn/cm, 純水の表面張力が約72.8dy
n/cm）ので、レジストパターン12Ａ間に残存する液の表
面張力が原因となるレジストパターン12Ａの倒れを極力
抑止することが可能になる。
【００３９】なお、本実施例においては界面活性剤を含
むリンス液を用いてリンスしたが、界面活性剤を含む現
像液を用いて現像したのちに通常のリンス液を用いてリ
ンスしたり、あるいは界面活性剤を含む現像液を用いて
現像したのちに界面活性剤を含むリンス液を用いてリン
スしても、同様の効果が得られる。 （２）第２の実施例 以下で、本発明の第２の実施例に係る半導体装置の製造
方法について図１，図２を参照しながら説明する。な
お、以下の第２〜第４の実施例において、第１の実施例
と共通する点については、説明を省略する。
むリンス液を用いてリンスしたが、界面活性剤を含む現
像液を用いて現像したのちに通常のリンス液を用いてリ
ンスしたり、あるいは界面活性剤を含む現像液を用いて
現像したのちに界面活性剤を含むリンス液を用いてリン
スしても、同様の効果が得られる。 （２）第２の実施例 以下で、本発明の第２の実施例に係る半導体装置の製造
方法について図１，図２を参照しながら説明する。な
お、以下の第２〜第４の実施例において、第１の実施例
と共通する点については、説明を省略する。
【００４０】本発明の第２の実施例に係る半導体装置の
製造方法によれば、第１の実施例の方法によってレジス
トパターン12Ａが現像によって形成されたのちにウエハ
11をリンスする工程において（図１（ｂ）参照）、有機
溶剤を含むリンス液を用いてリンスしている。
製造方法によれば、第１の実施例の方法によってレジス
トパターン12Ａが現像によって形成されたのちにウエハ
11をリンスする工程において（図１（ｂ）参照）、有機
溶剤を含むリンス液を用いてリンスしている。
【００４１】この際、有機溶剤として使用しているのは
オクタノールであって、詳しく言えば、現像液がウエハ
11上に存在する段階で、（純水＋オクタノール１０％溶
液）をスプレーノズルＮ11によって供給し、所定時間
（通常0.5 〜2min）リンスを行っている。あとは第１の
実施例と同様の工程を経て、ウエハ11を乾燥させる。こ
の結果、図２（ｅ）に示すように、レジストパターンの
倒れがないウエハ11が形成される。
オクタノールであって、詳しく言えば、現像液がウエハ
11上に存在する段階で、（純水＋オクタノール１０％溶
液）をスプレーノズルＮ11によって供給し、所定時間
（通常0.5 〜2min）リンスを行っている。あとは第１の
実施例と同様の工程を経て、ウエハ11を乾燥させる。こ
の結果、図２（ｅ）に示すように、レジストパターンの
倒れがないウエハ11が形成される。
【００４２】以上のようにして、本発明の第２の実施例
に係る半導体装置の製造方法によれば、有機溶剤（オク
タノール）を含むリンス液を用いてウエハ11を洗浄して
いる。
に係る半導体装置の製造方法によれば、有機溶剤（オク
タノール）を含むリンス液を用いてウエハ11を洗浄して
いる。
【００４３】このため、オクタノールを含むリンス液は
表面張力が純水のそれに比して小さい（オクタノール10
0 ％の場合の表面張力が約25〜26dyn/cm, 純水の表面張
力が約72.8dyn/cm）ので、第１の実施例と同様にして、
レジストパターン12Ａ間に残存する液の表面張力が原因
となるレジストパターン12Ａの倒れを極力抑止すること
が可能になる。
表面張力が純水のそれに比して小さい（オクタノール10
0 ％の場合の表面張力が約25〜26dyn/cm, 純水の表面張
力が約72.8dyn/cm）ので、第１の実施例と同様にして、
レジストパターン12Ａ間に残存する液の表面張力が原因
となるレジストパターン12Ａの倒れを極力抑止すること
が可能になる。
【００４４】なお、本実施例においてはオクタノールを
含むリンス液を用いてリンスしたが、オクタノールを含
む現像液を用いて現像したのちに通常のリンス液を用い
てリンスしたり、あるいはオクタノールを含む現像液を
用いて現像したのちにオクタノールを含むリンス液を用
いてリンスしても、同様の効果が得られる。
含むリンス液を用いてリンスしたが、オクタノールを含
む現像液を用いて現像したのちに通常のリンス液を用い
てリンスしたり、あるいはオクタノールを含む現像液を
用いて現像したのちにオクタノールを含むリンス液を用
いてリンスしても、同様の効果が得られる。
【００４５】また、オクタノール以外の有機溶剤（例え
ばグリセリン、エチレングリコールなど）を用いても同
様の効果がある。 （３）第３の実施例 以下で、本発明の第３の実施例に係る半導体装置の製造
方法について図１，図２を参照しながら説明する。
ばグリセリン、エチレングリコールなど）を用いても同
様の効果がある。 （３）第３の実施例 以下で、本発明の第３の実施例に係る半導体装置の製造
方法について図１，図２を参照しながら説明する。
【００４６】本発明の第３の実施例に係る半導体装置の
製造方法によれば、第１の実施例の方法によってレジス
トパターン12Ａが現像によって形成されたのちにウエハ
11をリンスする工程において（図１（ｂ）参照）、アル
コールを含むリンス液を用いてリンスしている。
製造方法によれば、第１の実施例の方法によってレジス
トパターン12Ａが現像によって形成されたのちにウエハ
11をリンスする工程において（図１（ｂ）参照）、アル
コールを含むリンス液を用いてリンスしている。
【００４７】この際、使用しているアルコールはエタノ
ールであって、詳しく言えば、現像液がウエハ11上に存
在する段階で、（純水＋エタノール１０％溶液）をスプ
レーノズルＮ11によって供給し、所定時間（通常0.5 〜
2min）リンスを行っている。あとは第１の実施例と同様
の工程を経て、ウエハ11を乾燥させる。この結果、図２
（ｅ）に示すように、レジストパターンの倒れがないウ
エハ11が形成される。
ールであって、詳しく言えば、現像液がウエハ11上に存
在する段階で、（純水＋エタノール１０％溶液）をスプ
レーノズルＮ11によって供給し、所定時間（通常0.5 〜
2min）リンスを行っている。あとは第１の実施例と同様
の工程を経て、ウエハ11を乾燥させる。この結果、図２
（ｅ）に示すように、レジストパターンの倒れがないウ
エハ11が形成される。
【００４８】以上のようにして、本発明の第２の実施例
に係る半導体装置の製造方法によれば、エタノールを含
むリンス液を用いてウエハを洗浄している。このため、
エタノールを含むリンス液は表面張力が純水のそれに比
して小さい（エタノール100 ％の場合の表面張力が約22
dyn/cm, 純水の表面張力が約72.8dyn/cm）ので、第１の
実施例と同様にして、レジストパターン12Ａ間に残存す
る液の表面張力が原因となるレジストパターン12Ａの倒
れを極力抑止することが可能になる。
に係る半導体装置の製造方法によれば、エタノールを含
むリンス液を用いてウエハを洗浄している。このため、
エタノールを含むリンス液は表面張力が純水のそれに比
して小さい（エタノール100 ％の場合の表面張力が約22
dyn/cm, 純水の表面張力が約72.8dyn/cm）ので、第１の
実施例と同様にして、レジストパターン12Ａ間に残存す
る液の表面張力が原因となるレジストパターン12Ａの倒
れを極力抑止することが可能になる。
【００４９】なお、本実施例においてはエタノールを含
むリンス液を用いてリンスしたが、エタノールを含む現
像液を用いて現像したのちに通常のリンス液を用いてリ
ンスしたり、あるいはエタノールを含む現像液を用いて
現像したのちにエタノールを含むリンス液を用いてリン
スしても、同様の効果が得られる。
むリンス液を用いてリンスしたが、エタノールを含む現
像液を用いて現像したのちに通常のリンス液を用いてリ
ンスしたり、あるいはエタノールを含む現像液を用いて
現像したのちにエタノールを含むリンス液を用いてリン
スしても、同様の効果が得られる。
【００５０】（４）第４の実施例 以下で、本発明の第４の実施例に係る半導体装置の製造
方法について図１，図２を参照しながら説明する。
方法について図１，図２を参照しながら説明する。
【００５１】本発明の第４の実施例に係る半導体装置の
製造方法によれば、リンス液の温度を高くしている。す
なわち、第１の実施例の方法によってレジストパターン
12Ａが現像によって形成されたのちにウエハ11をリンス
する工程において（図１（ｂ）参照）、現像液がウエハ
11上に存在する段階で、（純水＋エタノール20％溶液）
をスプレーノズルＮ11によって供給し、リンスする際
に、リンス液の温度を50℃程度にして所定時間（通常0.
5 〜2min）リンスしている。あとは第１の実施例と同様
の工程を経て、ウエハ11を乾燥させる。この結果、図２
（ｅ）に示すようなレジストパターンの倒れがないウエ
ハ11が形成される。
製造方法によれば、リンス液の温度を高くしている。す
なわち、第１の実施例の方法によってレジストパターン
12Ａが現像によって形成されたのちにウエハ11をリンス
する工程において（図１（ｂ）参照）、現像液がウエハ
11上に存在する段階で、（純水＋エタノール20％溶液）
をスプレーノズルＮ11によって供給し、リンスする際
に、リンス液の温度を50℃程度にして所定時間（通常0.
5 〜2min）リンスしている。あとは第１の実施例と同様
の工程を経て、ウエハ11を乾燥させる。この結果、図２
（ｅ）に示すようなレジストパターンの倒れがないウエ
ハ11が形成される。
【００５２】以上のようにして、第４の実施例に係る半
導体装置の製造方法によれば、リンス液の温度を高くし
てリンスしている。このため、表面張力の低いリンス液
（この場合は純水＋エタノール20％溶液）において、リ
ンス液の温度が高ければ一般にその表面張力は小さくな
るので、レジストパターン12Ａ間に残留する液による表
面張力がさらに小さくなる。
導体装置の製造方法によれば、リンス液の温度を高くし
てリンスしている。このため、表面張力の低いリンス液
（この場合は純水＋エタノール20％溶液）において、リ
ンス液の温度が高ければ一般にその表面張力は小さくな
るので、レジストパターン12Ａ間に残留する液による表
面張力がさらに小さくなる。
【００５３】これにより、レジストパターン12Ａ間に残
留する液による表面張力が原因となるレジストパターン
12Ａの倒れの防止がさらに確実になる。なお、本実施例
においてはリンス液としてエタノールを含んだ水溶液を
用いているが、界面活性剤や有機溶剤を含むリンス液に
おいても同様の効果がある。
留する液による表面張力が原因となるレジストパターン
12Ａの倒れの防止がさらに確実になる。なお、本実施例
においてはリンス液としてエタノールを含んだ水溶液を
用いているが、界面活性剤や有機溶剤を含むリンス液に
おいても同様の効果がある。
【００５４】（５）第５の実施例 以下で、本発明の第５の実施例に係る半導体装置の製造
方法について図３，図４を参照しながら説明する。図
３，図４は、本発明の第５の実施例に係る半導体装置の
製造方法の工程図（その１，その２）である。
方法について図３，図４を参照しながら説明する。図
３，図４は、本発明の第５の実施例に係る半導体装置の
製造方法の工程図（その１，その２）である。
【００５５】本発明の第５の実施例に係る半導体装置の
製造方法によれば、まずノボラック樹脂を主成分とした
レジスト膜12が、所定膜厚（0.50〜2.00μｍ厚み）塗布
されたウエハ11上に、紫外線露光をして回路パターンを
レジスト膜12に転写する。
製造方法によれば、まずノボラック樹脂を主成分とした
レジスト膜12が、所定膜厚（0.50〜2.00μｍ厚み）塗布
されたウエハ11上に、紫外線露光をして回路パターンを
レジスト膜12に転写する。
【００５６】次に、図３（ａ）に示すように、まず所定
の現像液（テトラメチル・アンモニウム・ハイドロ・オ
キシド2.38％溶液）をレジスト12の上方向からスプレー
ノズルＮ12によって供給し、所定時間（通常0.5 〜2mi
n）現像を行い、レジストパターン12Ａを形成する。
の現像液（テトラメチル・アンモニウム・ハイドロ・オ
キシド2.38％溶液）をレジスト12の上方向からスプレー
ノズルＮ12によって供給し、所定時間（通常0.5 〜2mi
n）現像を行い、レジストパターン12Ａを形成する。
【００５７】次いで、現像液がウエハ11上に存在する段
階で、第１のリンス液（純水）をスプレーノズルＮ13に
よって供給し、所定時間（通常0.5 〜2min）リンスを行
う（図３（ｂ）参照）。
階で、第１のリンス液（純水）をスプレーノズルＮ13に
よって供給し、所定時間（通常0.5 〜2min）リンスを行
う（図３（ｂ）参照）。
【００５８】その後、現像液や第１のリンス液がウエハ
11上に存在する段階で、界面活性剤を含むリンス液（純
水＋非イオン性フロロカーボン系界面活性剤0.1 ％溶
液）をスプレーノズルＮ14によって供給し、所定時間
（通常0.5 〜2min）リンスを行う（図３（ｃ）参照）。
11上に存在する段階で、界面活性剤を含むリンス液（純
水＋非イオン性フロロカーボン系界面活性剤0.1 ％溶
液）をスプレーノズルＮ14によって供給し、所定時間
（通常0.5 〜2min）リンスを行う（図３（ｃ）参照）。
【００５９】リンス終了後、レジストパターン12Ａの間
には微量の現像液や多量のリンス液が残存している（図
４（ｄ）参照）。これを除去するため、ウエハ11を高速
に回転し、残存していた液をウエハ円周方向に飛ばし
（図４（ｅ）参照）、ウエハ11を乾燥させる。この結
果、図４（ｆ）に示すように、レジストパターンの倒れ
がないウエハ11が形成される。
には微量の現像液や多量のリンス液が残存している（図
４（ｄ）参照）。これを除去するため、ウエハ11を高速
に回転し、残存していた液をウエハ円周方向に飛ばし
（図４（ｅ）参照）、ウエハ11を乾燥させる。この結
果、図４（ｆ）に示すように、レジストパターンの倒れ
がないウエハ11が形成される。
【００６０】以上のようにして、本発明の第５の実施例
に係る半導体装置の製造方法によれば、通常用いられる
第１のリンス液を用いて半導体基板をリンスする工程
と、表面張力の小さい第２のリンス液を用いて半導体基
板をリンスする工程を含むことを特徴とする。
に係る半導体装置の製造方法によれば、通常用いられる
第１のリンス液を用いて半導体基板をリンスする工程
と、表面張力の小さい第２のリンス液を用いて半導体基
板をリンスする工程を含むことを特徴とする。
【００６１】このため、通常の方法によって半導体基板
をリンスした直後に、表面張力の低い第２のリンス液に
よるリンスを行うことにより、２度リンスするので現像
液の除去がより確実となり、表面張力の小さい第２のリ
ンス液を用いたリンスによって、レジストパターン12Ａ
間に残存する液によって生じる表面張力が小さくなる。
をリンスした直後に、表面張力の低い第２のリンス液に
よるリンスを行うことにより、２度リンスするので現像
液の除去がより確実となり、表面張力の小さい第２のリ
ンス液を用いたリンスによって、レジストパターン12Ａ
間に残存する液によって生じる表面張力が小さくなる。
【００６２】これにより、第１〜第４の実施例と同様
に、表面張力によるレジストパターン12Ａの倒れが極力
抑止される。 （６）第６の実施例 以下で、本発明の第６の実施例に係る半導体装置の製造
方法について図５，図６を参照しながら説明する。図
５，図６は本発明の第６の実施例に係る半導体装置の製
造方法の工程図（その１，その２）である。
に、表面張力によるレジストパターン12Ａの倒れが極力
抑止される。 （６）第６の実施例 以下で、本発明の第６の実施例に係る半導体装置の製造
方法について図５，図６を参照しながら説明する。図
５，図６は本発明の第６の実施例に係る半導体装置の製
造方法の工程図（その１，その２）である。
【００６３】以下に示す第６，第７の実施例に係る半導
体装置の製造方法は、第１〜第５の実施例の方法と異な
り、表面張力の小さい現像液や、リンス液を用いずに、
レジストパターン間に残存する液を高速度に乾燥する方
法である。
体装置の製造方法は、第１〜第５の実施例の方法と異な
り、表面張力の小さい現像液や、リンス液を用いずに、
レジストパターン間に残存する液を高速度に乾燥する方
法である。
【００６４】すなわち、まずノボラック樹脂を主成分と
したレジスト膜12が、所定膜厚（0.50〜2.00μｍ厚み）
塗布されたウエハ11上に、紫外線露光をして回路パター
ンをレジスト膜12に転写する。
したレジスト膜12が、所定膜厚（0.50〜2.00μｍ厚み）
塗布されたウエハ11上に、紫外線露光をして回路パター
ンをレジスト膜12に転写する。
【００６５】次に、図５（ａ）に示すように、まず所定
の現像液（テトラメチル・アンモニウム・ハイドロ・オ
キシド2.38％溶液）をレジスト膜12の上方向からスプレ
ーノズルＮ15によって供給し、所定時間（通常0.5 〜2m
in）現像を行い、レジストパターン12Ａを形成する。
の現像液（テトラメチル・アンモニウム・ハイドロ・オ
キシド2.38％溶液）をレジスト膜12の上方向からスプレ
ーノズルＮ15によって供給し、所定時間（通常0.5 〜2m
in）現像を行い、レジストパターン12Ａを形成する。
【００６６】次に、図５（ｂ）に示すように、現像液が
ウエハ11上に存在する段階で、通常のリンス液（純水）
をスプレーノズルＮ16によって供給し、所定時間（通常
0.5〜2min）リンスを行う。
ウエハ11上に存在する段階で、通常のリンス液（純水）
をスプレーノズルＮ16によって供給し、所定時間（通常
0.5〜2min）リンスを行う。
【００６７】次いで、リンス液がウエハ11上に残存した
状態で（図５（ｃ）参照）、図６（ｄ）に示すような反
応室内に該ウエハ11を入れる。図６（ｄ）に示すよう
に、反応室には、ウエハを載置して高周波電源25に接続
されたカソード電極21と、接地されたアノード電極22と
が設けられている。これら２つの電極21,22 によって強
力な電界が発生され、それによって高速度にウエハ11が
乾燥される。
状態で（図５（ｃ）参照）、図６（ｄ）に示すような反
応室内に該ウエハ11を入れる。図６（ｄ）に示すよう
に、反応室には、ウエハを載置して高周波電源25に接続
されたカソード電極21と、接地されたアノード電極22と
が設けられている。これら２つの電極21,22 によって強
力な電界が発生され、それによって高速度にウエハ11が
乾燥される。
【００６８】加えて、該反応室には吸気口23と排気口24
とが設けられており、吸気口23からは高周波電力による
高速度乾燥を助けるアルゴンガスが、反応室内に流入す
るようになっており、使用済みのガスは排気口24から排
気される。
とが設けられており、吸気口23からは高周波電力による
高速度乾燥を助けるアルゴンガスが、反応室内に流入す
るようになっており、使用済みのガスは排気口24から排
気される。
【００６９】この反応室内にウエハ11を載置し、反応室
内の気圧を0.1 〜0.5 Torrにし、反応室内の温度を200
〜300 ℃にし、１分乾燥させる。こうして、高速度にウ
エハ11が乾燥され、図６（ｅ）に示すようなレジストパ
ターンの倒れがないウエハ11が形成される。
内の気圧を0.1 〜0.5 Torrにし、反応室内の温度を200
〜300 ℃にし、１分乾燥させる。こうして、高速度にウ
エハ11が乾燥され、図６（ｅ）に示すようなレジストパ
ターンの倒れがないウエハ11が形成される。
【００７０】以上のようにして、本発明の第６の実施例
に係る半導体装置の製造方法によれば、高周波電力を加
えてウエハ11の乾燥を行っている。このため、高周波電
力によってウエハ11の温度が上昇するので、高速度にウ
エハ11が乾燥され、表面張力の原因となる現像液や洗浄
液が短時間に除去されるので、これらの液の表面張力が
原因となるレジストパターン12Ａの倒れを極力抑止する
ことが可能になる。
に係る半導体装置の製造方法によれば、高周波電力を加
えてウエハ11の乾燥を行っている。このため、高周波電
力によってウエハ11の温度が上昇するので、高速度にウ
エハ11が乾燥され、表面張力の原因となる現像液や洗浄
液が短時間に除去されるので、これらの液の表面張力が
原因となるレジストパターン12Ａの倒れを極力抑止する
ことが可能になる。
【００７１】（７）第７の実施例 以下で、本発明の第７の実施例に係る半導体装置の製造
方法について図７，図８を参照しながら説明する。図
７，図８は本発明の第７の実施例に係る半導体装置の製
造方法の工程図である。
方法について図７，図８を参照しながら説明する。図
７，図８は本発明の第７の実施例に係る半導体装置の製
造方法の工程図である。
【００７２】本実施例も、第６の実施例と同様にして、
高速度にウエハを乾燥する方法であるので、第６の実施
例と共通する点については説明を省略する。図７（ｃ）
に示すような、レジスト膜12を現像した後にリンスする
工程まで第６の実施例と全く同様の方法であるので、説
明を省略する。
高速度にウエハを乾燥する方法であるので、第６の実施
例と共通する点については説明を省略する。図７（ｃ）
に示すような、レジスト膜12を現像した後にリンスする
工程まで第６の実施例と全く同様の方法であるので、説
明を省略する。
【００７３】その後、図８（ｄ）に示すように、ヒータ
ー31が付属するサセプター32と、真空ポンプ33とを具備
する反応室内にウエハ11を載置する。この反応室におい
ては、ヒーター31によってサセプター32が加熱され、そ
の上に載置されたウエハ11も加熱される。さらに、真空
ポンプ33によって反応室内が真空になるので、真空乾燥
がなされる。なお、このときの基板温度は110 ℃であ
り、乾燥に要する時間は１分、反応室内の気圧は0.1 〜
0.5 Torrである。
ー31が付属するサセプター32と、真空ポンプ33とを具備
する反応室内にウエハ11を載置する。この反応室におい
ては、ヒーター31によってサセプター32が加熱され、そ
の上に載置されたウエハ11も加熱される。さらに、真空
ポンプ33によって反応室内が真空になるので、真空乾燥
がなされる。なお、このときの基板温度は110 ℃であ
り、乾燥に要する時間は１分、反応室内の気圧は0.1 〜
0.5 Torrである。
【００７４】但し、ここでレジストのＴｇ（変性温度）
以下に加熱温度を保つ事が必要である。こうして、高速
度にウエハ11が乾燥され、図８（ｅ）に示すようなレジ
ストパターンの倒れがないウエハ11が形成される。
以下に加熱温度を保つ事が必要である。こうして、高速
度にウエハ11が乾燥され、図８（ｅ）に示すようなレジ
ストパターンの倒れがないウエハ11が形成される。
【００７５】以上のようにして、本発明の第７の実施例
に係る半導体装置の製造方法によれば、ウエハ11を加熱
し、さらに真空中で乾燥を行っている。このため、基板
温度が上昇し、乾燥しやすい。さらに、真空中で乾燥を
行っているので、液が蒸発する際に雰囲気中の分子によ
る影響を受けることが少ないのでさらに乾燥しやすく、
レジストパターン12Ａ間に現像液やリンス液が残存する
時間が極端に短い。
に係る半導体装置の製造方法によれば、ウエハ11を加熱
し、さらに真空中で乾燥を行っている。このため、基板
温度が上昇し、乾燥しやすい。さらに、真空中で乾燥を
行っているので、液が蒸発する際に雰囲気中の分子によ
る影響を受けることが少ないのでさらに乾燥しやすく、
レジストパターン12Ａ間に現像液やリンス液が残存する
時間が極端に短い。
【００７６】これにより、表面張力の原因となる現像液
や洗浄液が短時間に除去されるので、これらの液の表面
張力が原因となるレジストパターン12Ａの倒れを極力抑
止することが可能になる。
や洗浄液が短時間に除去されるので、これらの液の表面
張力が原因となるレジストパターン12Ａの倒れを極力抑
止することが可能になる。
【００７７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る第１
の半導体装置の製造方法によれば、少なくとも、表面張
力の小さい現像液を用いて感光性膜を現像する工程と、
表面張力の小さい洗浄液を用いて半導体基板を洗浄する
工程との何れかを含んでいる。
の半導体装置の製造方法によれば、少なくとも、表面張
力の小さい現像液を用いて感光性膜を現像する工程と、
表面張力の小さい洗浄液を用いて半導体基板を洗浄する
工程との何れかを含んでいる。
【００７８】このため、感光性膜のパターン間に残存す
る現像液または洗浄液によって生じる表面張力が小さい
ので、それによって生じる感光性膜のパターンの倒れな
どを抑止出来る。
る現像液または洗浄液によって生じる表面張力が小さい
ので、それによって生じる感光性膜のパターンの倒れな
どを抑止出来る。
【００７９】また、本発明に係る第１の半導体装置の製
造方法において、洗浄液の温度を高くして半導体基板を
洗浄している。このため、表面張力の低い現像液もしく
は洗浄液の表面張力がさらに小さくなり、表面張力が原
因となる感光性膜のパターンの倒れの防止がさらに確実
になる。
造方法において、洗浄液の温度を高くして半導体基板を
洗浄している。このため、表面張力の低い現像液もしく
は洗浄液の表面張力がさらに小さくなり、表面張力が原
因となる感光性膜のパターンの倒れの防止がさらに確実
になる。
【００８０】さらに、本発明の第１の半導体装置の製造
方法において、通常の洗浄液を用いて半導体基板を洗浄
した後に、表面張力の小さい洗浄液を用いて半導体基板
を洗浄する工程を含んでいる。
方法において、通常の洗浄液を用いて半導体基板を洗浄
した後に、表面張力の小さい洗浄液を用いて半導体基板
を洗浄する工程を含んでいる。
【００８１】このため、２度洗浄するので現像液の除去
がより確実となり、感光性膜のパターン間に残存する液
によって生じる表面張力が小さくなるので、表面張力に
よる感光性膜のパターンの倒れが極力抑止される。
がより確実となり、感光性膜のパターン間に残存する液
によって生じる表面張力が小さくなるので、表面張力に
よる感光性膜のパターンの倒れが極力抑止される。
【００８２】また、本発明に係る第２の半導体装置の製
造方法によれば、半導体基板を乾燥する工程において、
半導体基板上に残存する現像液もしくは洗浄液を高速度
に乾燥する工程を含んでいる。
造方法によれば、半導体基板を乾燥する工程において、
半導体基板上に残存する現像液もしくは洗浄液を高速度
に乾燥する工程を含んでいる。
【００８３】このため、高速度に半導体基板が乾燥さ
れ、表面張力の原因となる現像液や洗浄液が短時間に除
去されるので、これらの液の表面張力が原因となる感光
性膜のパターンの倒れを極力抑止することが可能にな
る。
れ、表面張力の原因となる現像液や洗浄液が短時間に除
去されるので、これらの液の表面張力が原因となる感光
性膜のパターンの倒れを極力抑止することが可能にな
る。
【図１】本発明の第１〜第４の実施例に係る半導体装置
の製造方法の工程図（その１）である。
の製造方法の工程図（その１）である。
【図２】本発明の第１〜第４の実施例に係る半導体装置
の製造方法の工程図（その２）である。
の製造方法の工程図（その２）である。
【図３】本発明の第５の実施例に係る半導体装置の製造
方法の工程図（その１）である。
方法の工程図（その１）である。
【図４】本発明の第５の実施例に係る半導体装置の製造
方法の工程図（その２）である。
方法の工程図（その２）である。
【図５】本発明の第６の実施例に係る半導体装置の製造
方法の工程図（その１）である。
方法の工程図（その１）である。
【図６】本発明の第６の実施例に係る半導体装置の製造
方法の工程図（その２）である。
方法の工程図（その２）である。
【図７】本発明の第７の実施例に係る半導体装置の製造
方法の工程図（その１）である。
方法の工程図（その１）である。
【図８】本発明の第７の実施例に係る半導体装置の製造
方法の工程図（その２）である。
方法の工程図（その２）である。
【図９】従来例に係る半導体装置の製造方法の工程図
（その１）である。
（その１）である。
【図10】従来例に係る半導体装置の製造方法の工程図
（その２）である。
（その２）である。
【図11】従来例の問題点の説明図である。
11…ウエハ（半導体基板）、 12…レジスト膜（感光性膜）、 12Ａ…レジストパターン、 21…カソード電極、 22…アノード電極、 23…吸気口、 24…排気口、 25…高周波電力、 31…ヒーター、 32…サセプター、 33…真空ポンプ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 Ｈ 8728−4Ｍ
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された感光性膜を現
像する工程又は前記感光性膜の現像後に前記半導体基板
を洗浄する工程において、 少なくとも、表面張力が純水よりも小さい現像液を用い
て前記感光性膜を現像する工程か、表面張力が純水より
小さい洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄する工程か
の何れかを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 前記現像液や洗浄液は、界面活性剤を含
む液であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 前記現像液や洗浄液は、有機溶剤を含む
液であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】 前記洗浄液は、アルコールであることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記洗浄液の温度を高くして半導体基板
を洗浄することを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項６】 通常の洗浄液を用いて半導体基板を洗浄
した後に、表面張力が純水よりも小さい洗浄液を用いて
前記半導体基板を洗浄する工程を含むことを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 半導体基板上に形成された感光性膜の現
像後に該半導体基板を洗浄した後に、該半導体基板を乾
燥する工程は、前記半導体基板上に残存する現像液もし
くは洗浄液を高速度に乾燥する工程であることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の、前記現像液もしくは洗
浄液を高速度に乾燥する工程は少なくとも真空中で乾燥
する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項９】 請求項７記載の、前記現像液もしくは洗
浄液を高速度に乾燥する工程は少なくとも前記半導体基
板を加熱して乾燥する工程であることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項10】 請求項７記載の、前記現像液もしくは洗
浄液を高速度に乾燥する工程は少なくとも高周波電力を
加えて乾燥する工程であることを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12206492A JPH05326392A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12206492A JPH05326392A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326392A true JPH05326392A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14826738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12206492A Pending JPH05326392A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326392A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20240116386A (ko) | 2023-01-20 | 2024-07-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치 |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP12206492A patent/JPH05326392A/ja active Pending
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