TW533412B - Reset apparatus, semiconductor IC apparatus, and semiconductor memory apparatus - Google Patents

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533412 A7 B7 五、發明説明（1 ) 1.發明範圍： 本發明關於一重設構件（或裝置），用於檢測例如一電源 電壓的上升，以便開始輸出一重設信號且接著釋放該重設 信號，及一半導體積體電路裝置（或構件）及一半導體記憶 裝置（或構件）包括該重設裝置。 2 .相關技藝説明 一般用於重設一系統初始化的技術包括，例如，（i)所謂 硬體重設，由此該系統容許專門用於重設且和系統操作同 步的終端所初始化，（i i)電源起動重設，由此一初始化系 統的重設信號當該電源開啓時自動產生，及（i i i)軟體重 設，由此該系統經表示一外部裝置輸入指令所產生的一重 設信號所初始化。現在將敘述在一般重設裝置所使用中的 電源重設。 該重設裝置包括一電源電壓檢測電路，利用一些方法來 檢測一電源電壓，爲了決定是否該電源爲開啓，及一重設 信號輸出電路，用於起動輸出一重設信號，且接著基於該 電源電壓的檢測，釋放該重設信號。 圖4表示此一般重設裝置電路結構的簡單範例。參考圖 4，一重設裝置100包括含一電容C(電介質電容器）及一串 聯電阻R的電源電壓檢測電路101，及含一第一級反相器 102及一串聯的第二反相器103的重設信號輸出電路104。 該反相器102及103各包括一p-通道金屬氧化物半導體電晶 體（此後，稱之爲” p -通道電晶體）及一 η -通道金屬氧化物半 導體電晶體（此後，稱之爲”η-通道電晶體）。 -4 · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 裝 玎

533412 A7 B7 五、發明説明（2 ) 由於上述結構，當該電源電壓上升時，該電源電壓檢測 電路101的電容器C係透過電阻R以一預定時間常數RC充 電。由充電電流在電阻R所產生的電壓係供給至該第一級 反相器102，該反相器包括該p -通道電晶體及η -通道電晶 體，且通過一節點Ν 105。在此點，該電容器C不會迅速地 充電壓。該節點105係出於一邏輯”低”狀態，及由該重設 信號輸出電路104所輸出的重設狀態也爲一動作邏輯”低” 狀態。 接著，當該節點Ν 105的電位如電容器C逐漸充電而增加 及超過一閘極臨界電壓時，該閘極臨界電壓主要地由第一 級反相器102之ρ-通道電晶體與η -通道電晶體的臨界電壓 及驅動能力所決定，該第一級反相器102轉換至一邏輯”低 ”狀態。該邏輯”低”輸出傳送至該第二級反相器103，及轉 換至一邏輯”高”狀態。藉此，釋放由該重設信號輸出電路 104所輸出的重設信號。適當地選擇電容器C及電阻器R的 時間常數値RC(CxR)，使得該電源電壓以一非常高地位準 用於系統所需十分長的重設時間。該重設時間係由當該重 設信號的輸出開始直到該重設信號釋放時的一時間週期。 然而，當該電源開啓且當電源電壓上升非常緩慢，使得 該電容器C僅在對應該時間常數RC的期間終了完全地充 電，其將有不希望的可能爲該節點N 105的節點不會達到該 反相器102的閘極臨界電壓，最後，由該重設信號輸出電 路104的重設電壓可釋放。 爲了避免此一不便，使用一如圖5所示的重設信號裝置 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 玎 ⑩線 533412 A7 B7 五、發明説明（3 ) 200，其包括一電源電壓檢測電路專門用於當該電源電壓 緩慢地上升時的情形，及另一電源電壓檢測電路用來當該 電源電壓迅速地上升的情形。參考圖5，該重設裝置200包 括一當該電源電壓緩慢地上升時操作的電源電壓檢測電路 201、一當該電源電壓迅速地上升時操作的電源電壓檢測 電路202，及一根據由該電源電壓檢測電路201及202所輸 入信號，用於開始輸出一重設信號及釋放該重設信號的重 設信號輸出電路203。

該電源電壓檢測電路201具有下列結構。電阻器R 1及R2 串聯連接於一電源供應器及該接地間。一部點N 1係該電阻 器R 1及R2間的區分點（換言之，一連接點）而該節點連接 至一電容器C1(電介質電容器）的二端及連接至一 η-通道電 晶體Μ 1的閘極。該電容器C 1的另一端係連接至該電源供 應器。該η -通道電晶體Μ 1的源極爲接地，及該η -通道電 晶體Μ 1的汲極係由一升壓電阻器R3連接至該電源供應 器。一節點Ν 2係該η -通道電晶體Μ 1及升壓電阻R 3間的連 接點，而該節點連接至包含一 ρ -通道電晶體Μ 2及一 η -通 道電晶體M3之反相器210的輸入端。 該電源電壓檢測電路202具有該下列結構。一 ρ -通道電晶 體Μ4、一電阻R4、及一 η -通道電晶體Μ5及另一 η -通道電 晶體Μ 6，其各具有一閘極連接至以此順序_聯的電源供應 器。一節點Ν 3係該η -通道電晶體Μ 5及電阻R4間的連接 & 點，而該節點連接至一電容器C2(電介質電容器）及連接至 包括一 ρ -通道電晶體M7及一 η -通道電晶體M8之乓相器 -6-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 533412 A7 B7 五、發明説明（4 ) 220的輸入端。由於回授的結果，一重設信號輸入至該p -通 道電晶體Μ 4的閘極。 該重設信號輸出電路203包括一負奉電路，該電路包括一 反及電路NAND 1，其用於接收來自各電源電壓檢測電路 201及202的輸出；及一反相器230，其用於接收來自該反 及電路NAND1輸出，及開始輸出一重設信號或釋放該重設 信號。該反相器230包括一 p-通道電晶體M9及一 η-通道電 晶體Μ 10。 該η-通道電晶體Μ8及Ml 0各具有一低臨界電壓，且其特 別地如圖5所示。 藉此，當該電源電壓緩慢地上升時將敘述該重設裝置200 的操作。 立即在該電源開啓後，由於經電阻R 3升壓的結果，該節 點N 2的電位處於一邏輯”高”。因此，來自該反相器2 10的 輸出（換言之，來自該電源電壓檢測電路201的輸出）係處於 一邏輯”低”狀態。因此，不論是否來自該電源電壓檢測電 路202的輸入係處於一邏輯”高”狀態或一邏輯”低”狀態， 來自該反及電路NAND1的輸出係處於一邏輯”高”狀態。因 此，該重設信號由該反相器230輸出（換言之，來自該重設 信號輸出電路203的輸出），而該重設信號係處於一動作的 邏輯”低”狀態（換言之，輸出一重設信號的狀態）。 假如該電源電壓緩慢地上升，即使當一足夠量的電流不 流入該電容器C 1，一低於分配至該串聯電阻R1及R2之電 源電壓的電位經該節點N 1輸入至該η -通道電晶體Μ 1的閘 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 533412 A7 B7 五、發明説明（5 ) 極。當該節點N 1的電位超過該η-通道電晶體Μ 1的臨界電 壓時，驅動該η -通道電晶體Μ 1。因此，該節點Ν 2立刻由 在該電源開啓後所得之邏輯”高”狀態傳輸至一邏輯’’低”狀 態。因此，來自該反相器210的輸出邏輯性地轉換至一邏輯 ”高”狀態。接著，一邏輯”高”輸出係由該電源電壓檢測電 路201傳送至該反及電路NAND1。 在該電源電壓檢測電路202中，因爲該電源電壓上升十分 地緩慢以充電該電容器C 2，且經由連接至電源供應器閘極 所驅動的η -通道電晶體Μ5及Μ6，該節點Ν3配置成爲一邏 輯’’低”狀態。因爲該節點Ν 3係處於一邏輯”低”狀態，來自 該電源電壓檢測電路202的輸出，由於該反相器220所轉換 的結果而成爲一”高’’狀態。因此，一邏輯”低”輸出由 NAND電路NAND1送至反相器230。一由該重設信號輸出 電路203輸出的重設信號，由在該電源起動後立即得到的 動作邏輯”低”狀態，轉換成爲一邏輯”高”狀態且因此釋放 之。 如上述來自該重設信號輸出電路203的重設信號係處於該 邏輯”高”狀態。來自該電源電壓檢測電路201的輸出比來 自該電源電壓檢測電路202的輸出更爲有效。來自該重設 信號輸出電路203的重設信號，和來自該電源電壓檢測電 路201 (處於一邏輯高狀態）的輸出同樣有效，該電路係輸出 爲一重設電路而不具其改變的邏輯狀態且接著釋放。 接下來，將敘述當該電源電壓迅速地上升時該重裝置2〇〇 的操作。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 裝 訂

533412 A7 B7 五、發明説明（6 ) 在該電源電壓檢測電路201中，因爲該電源電壓迅速地上 升時，該節點N 1的電位經該電容C 1提升至該電源電壓。 最後，驅動該η -通道電晶體Μ 1及藉此該節點N 2配置成爲 與該電源電壓實質地同步的邏輯”低”狀態。因此，來自該 反相器210的輸出係處於一邏輯”高”狀態。藉此，一動作” 低”輸出不會由該電源電壓檢測電路201送出。

在該電源電壓檢測電路202中，該節點Ν 3的電位係經該 電容器C 2提升至該電源電壓，以便驅動該η-通道電晶體 Μ8。即使該η -通道電晶體Μ5及Μ6串聯至該接地，該節 點Ν 3的電位由於該η -通道電晶體Μ 5及Μ 6的高電阻而輕易 地提升。因爲該η -通道電晶體Μ8具有一低臨界電壓，該 η -通道電晶體Μ 8的驅動提供一迅速的反應。大致地與該電 源電壓上升同時，該反相器220配置成爲一邏輯”低”狀態及 輸入至該反及電路NAND 1。因此，不論是否輸入至該反及 電路NAND1係處於一邏輯”低”狀態或處於一”高”狀態，來 自該反及電路NAND1的輸出係處於一邏輯”高”狀態。因 此，一重設信號係處於一動作邏輯”低’’狀態。在該電源電 壓迅速地上升的情形中，來自該電源電壓檢測電路2 0 2的 輸出比來自電源電壓檢測電路20 1的輸出更爲有效。 此後，該電容器C 2經由該電源電恩上升所驅動的η -通道 電晶體Μ 5及Μ 6所放電，藉此該節點Ν 3轉換至一邏輯”低” 狀態。因此，來自該電源電壓檢測電路202的輸出係配置 成爲一邏輯”高”狀態。結果，一由該重設信號輸出電路 2〇3(負或電路）輸出的重設信號，係由該動作”低”狀態轉換 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 533412 A7 B7 五、發明説明（7 ) 至一邏輯”高”狀態且藉此釋放。 當該重設信號處於該動作邏輯”低”狀態時，該邏輯”低’’ 狀態回授至ρ -通道電晶體Μ 4的閘極，以便驅動p -通道電 晶體Μ4。一電流經電阻R4流至該η -通道電晶體Μ5及Μ6 且動作，以便禁止在該電容器C 2所累積電荷的放電。在此 方式中，能得到一足夠時間區間，直到該重設信號釋放爲 止。 當該電容器C 2的放電完成時，該節點Ν 3係配置成爲一 邏輯”低”狀態，其配置來自該電源電壓檢測電路202的輸 出成爲一邏輯”高”狀態。藉此，該重設信號配置成爲一邏 輯”高’’狀態，其釋放該Ρ -通道電晶體Μ4。因此，由電源 供應器經Ρ-通道電晶體Μ4、電晶體R4、η-通道電晶體Μ5 及η-通道電晶體Μ6至接地的串聯路徑被破壞，其後切斷所 流經的直流電流。 如圖5所示的重設裝置200具有下列問題。 (1)因爲該電阻器R 1及R2的串聯電路連接於電源電壓檢 測電路201中該電源供應器及接地間，一串聯路徑即使在 該電源電壓上升後得到、。最後，即使在該電源電壓上升 後，該電流仍流動於該電阻器R 1及R2的串聯電路中，該 電阻不必要地增加功率消耗。 (2 )其需要依據是否該電源電壓上升的緩慢或迅速而切換 電源電壓檢測電路201及202。該切換操作依賴電容器C 1及 C2的電容，電阻器R1至R4之電阻及電晶體Ml至Μ10的特 性，使作爲該電源電壓檢測電路201及202的參數。在考量 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 玎

533412 A7 B7 五、發明説明（8 ) 電容散布、電阻及特性下，其難以控制該參數以便穩定地 實行該切換操作。 (3 )今天，其強烈地需要減少該功率消耗，如同所設計裝 置增加的數量，以便由所提供電池的驅動。其已變得很明 顯該系統必須操作於一低的電源電壓，以有效地達成節約 能源。在該環境下，一電源重設電路即使在一低電壓實行 穩定的重設操作將被需求。

發明概論 如發明的重設裝置檢測一電源電壓的上升，以開始輸出 一重設信號及接著釋放該重設信號。該重設裝置包含一電 壓檢測電路，用於檢測該電源電壓。該電壓檢測電路包括 一鐵電電容元件，用於檢測該電源電壓的上升。 在本發明實施例中，該重設裝置進一步包括一利用該鐵 電電容元件的極化特性用來產生一重設信號的重設輸出部 件，及一用於釋放該重設信號的重設信號釋放區段。 在本發明實施例中，該裝置進一步包括一初始極化狀態 設定部件'，其用於決定該鐵電電容元件的極化狀態。

在本發明實施例中，該重設裝置進一步包括一極化狀態 初始化區段，其在該重設信號釋放後，用於轉回該鐵電電 容元件的極化狀態至一初始極化狀態。 在本發明實施例中，該極化狀態初始化區段包括一脈波 產生電路，其具有一輸入端連接至該電壓檢測電路之一第 一反相器的一輸入端；該極化狀態初始化區段，其由一其 輸出端產生一極化狀態初始化脈波，使傳送至該鐵電電容 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 533412 A7 B7 五、發明説明（9 ) 元件的一 第二端。 在本發 明實施例中 該重設信號釋 放區段包括一第 二反 相器、一 第二傳送電 晶 體、一延遲電 路，及一重設信 號釋 放電晶體 。在一升壓 阻及一重設信 號驅動電阻間的 連接 點係連接 至該第二反 相 !§的輸入端。 該弟二反相器的輸入 端連接至 該第二傳送 晶體的一控制 端。該第二反相 器的 一輸出端 連接至該弟二傳送電晶體之二驅動端的其 中之 一。該第 二傳送電晶 體 的另一驅動端 經該延遲電路連接至 一第一反 相器的輸入 端 。該第一反相 器的輸入端連接 至該 重設信號 釋放電晶體 的 一控制端。該 重設信號釋放電 晶體 之二驅動 端之一者連接 至該重設信號 驅動電晶體的一 控制 端。該重 設信號釋放 電 晶體的另一驅1 端爲接地。 在本發 明實施例中 該重設信號輸 出部件包括一驅 動電 晶體及一 升壓電阻器 的 重設信號。該 鐵電電容元件的 一第 二端，經 一第一傳送 電 晶體，連接至 該重設信號驅動 電晶 體的控制 端，該第一 傳送電晶體具有 一控制端，其連接至 一第一反 相器之一輸 出 端。該重設信 號驅動電晶體之 二驅 動端之一 者連接至該 升 壓電晶體的一 第一端’該電晶 體具 有一連接 至一電源供 應 器的弟二端。 該重設信號驅動 電晶 體的另一 驅動端爲接地 0 在本發 明的實施例 中 ，該重設信號 釋放區段包括一 第二 反相器、 一第二傳送 電 晶體、一延遲 電路，及一重設釋放 電晶體。 在該升壓電 阻 器及該重設信 號驅動電晶體間 的連 接點連接 至該第二反相 器的一輸入端 。該第二反相器 的輸 -12- 裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x 297公釐) 玎

533412 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 入端連接至該第二傳送電晶體之二驅動端之一者。該第二 反相器的輸出端連接至該第二傳送電晶體之二驅動端之一 者。該第二傳送電晶體的另一驅動端經該延遲電路連接至 該第一電晶體的一輸入端。該第一反相器的輸入端連接至 該重設信號釋放電晶體的一控制端。該重設信號釋放電晶 體之二驅動端之一者連接至該重設信號驅動電晶體的控制 端。該重設信號釋放電晶體的另一驅動端爲接地。

在本發明實施例中，該重設裝置進一步包括一極化狀態 初始化區段，其在該重設信號釋放後，用於轉回一該鐵電 電容元件的極化狀態至一初始極化狀態。 在本發明實施例中，該極化狀態初始化區段包括一脈波 產生電路，其具有一輸入端連接至該電壓檢測電路之一第 一反相器的一輸入端，該極化狀態初始化區段由其輸出端 產生一極化狀態初始化脈波，且傳送至該鐵電電容元件的 一第二端。

在本發明實施例中，該極化狀態初始化區段具有一結 構，其中一降壓電晶體連接至該鐵電電容元件的一第一 端，及一升壓電晶體連接至該鐵電電容元件的一第二端。 在本發明實施例中，該重設裝置包括一初始極化狀態設 定區段，其用於決定該鐵電電容元件的一極化狀態。 在本發明實施例中，該重設裝置進一步包括一極化狀態 初始化區段，其在該重設信號釋放後，用於轉回該鐵電電 容元件的極化狀態至一初始極化狀態。 在本發明實施例中，該極化狀態初始化區段包括一脈波 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 533412 A7 B7 五、發明説明（11 ) 產生電路，其具有一輸入端連接至該電壓檢測電路之一第 一反相器的一輸入端；該極化狀態初始化區段，其由一其 輸出端產生一極化狀態初始化脈波，使傳送至該鐵電電容 元件的一第二端。 在本發明實施例中，該極化狀態初始化區段具有一結 構，其中一降壓電晶體連接至該鐵電電容元件的一第一 端，及一升壓電晶體連接至該鐵電電容元件的一第二端。

在本發明實施例中，該電壓電路經由一極化反相檢測該 電源電壓的上升，使得該重設信號由該極化反相造成的鐵 電電容元件的電位轉換所產生。 在本發明實施例中，該電壓檢測電路包括一第一反相 器。該第一反相器的一輸入端經一電介質電容元件及一降 壓電阻器來接地。該第一反相器的一輸出端連接至該鐵電 電容元件的一第·一端。

在本發明實施例中，該電壓檢測電路包括一第一反相 器。該第一反相器的一輸入端經一電介質電容元件及一降 壓電阻器來接地。該第一反相器的一輸出端連接至該鐵電 電容元件的一第一端。 如本發明另一内容，一半導體積體電路裝置包括該上述 利用一半導體材料製成的重設裝置。 如本發明又一内容，一半導體記憶體裝置包括該上述半 導體積體電路裝置。 如本發明，在該電壓檢測電路所提供的鐵電電容元件， 由於其磁滯特性而保持一剩餘極化，因此不會依賴與一電 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 533412 A7 B7 五、發明説明（12 )

介質電容器不同的時間充電或放電。因此，於該電路操作 期間之電流消耗及在一般技藝中所須亊聯路徑能消除。最 後，消除固定電流消耗，且導致降低的功率消耗。經選擇 一用於該鐵電電容元件的適當鐵電材料及該鐵電電容元件 的適當厚度，能消除該極化反相電壓。因此，即使在一低 電壓保証一穩定的操作。產生於該極化材料的極化係由其 所施加的電場感應而自然產生，因此不會伴隨射出或釋出 電荷至或自與該電介質電容器不同的外部裝置。因此，該 極化反相得以迅速地實行。該極化反相僅由一電場，換言 之，由一外部裝置所供給的電壓所控制。因此，該極化反 相不會依賴該電塵的上升時間，及——h分容易控制的電壓 檢測電路能得以實現。結果，將實現提供一穩定操作的重 設電路。 如本發明，一重設信號能開始輸出，且接著相當容易地 利用該鐵電電容元件的極化特性所釋放。 如本發明，該鐵電電容器的初始極化狀態能輕易地，及 任意地由該初始極化狀態設定部件所決定。

如本發明，該電源電壓上升且釋放該重設信號，該鐵電 電容元件的極化狀態能輕易地及自動地經該極化狀態初始 化區段轉回至該初始極化狀態。 如本發明，該鐵電電容元件的極化係基於該電源電壓的 上升而轉換。利用在此點產生的電荷，一重設信號能迅速 地及輕易地產生。 如本發明’該電壓檢測電路能具有一利用該鐵電電容元 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（13 ) 件的簡單結構。 如本發明，能實現一重設信號輸出部件，其具有簡單及 能適合利用該鐵電電容元件的電壓檢測電路的結構。 如本發明，在開始該重設信號的輸出以一簡單結構實現 後，一重設信號釋放區段用於釋放該重設信號。 如本發明，一初始極化狀態設定部件能以一簡單結構實 現0 如本發明，一極化狀態極化區段能以一簡單結構實現。 如本發明的一重設構件（或裝置）能輕易地採用於一半導 體積體電路裝置。 一半導體積體電路（或構件）採用如本發明的一重設構件 (或裝置）能輕易地採用於一半導體記憶體裝置（或構件）。 如此，在此所敘述的本發明使提供一重設裝置能操作的 優點成爲可能，而不須依賴實行一穩定切換操作的參數來 控制，且減少功率消耗，及即使在低電壓保証穩定的操 作；及一半導體積體電路裝置及一半導體記憶體裝置包括 此一重設構件。 本發明這些及其它優點，當參閱及瞭解該下列詳細敘述 參考該附圖，而爲習於此技者所明白。 圖式簡單説明 圖1係一圖示如本發明範例之一電源起動重設構件結構範 例的電路圖； 圖2係一圖示圖1所示鐵電電容器F C磁滯特性的圖型； 圖3 A表示圖1所示該鐵電電容器F C的初始極化狀態； -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（14 ) 圖3 B表示圖1所示該鐵電電容器F C的極化反相狀態； 圖4係一圖示一般電源起動重設構件結構的電路圖；及 圖5係一圖示另——般電源起動重設構件結構的電路圖。 較佳實施例的敘述 在下文中，本發明將利用圖示範例與相關附圖來説明。 在下列範例中，本發明施加至一電源起動重設構件。 圖1係一圖示如本發明範例之一電源起動重設構件結構範 例的電路圖。參考圖1，該電源起動重設構件1包括一電源 電壓檢測電路2，利用一鐵電電容器F C作爲一鐵電電容元 件的極化反相，用於檢測一電源電壓的上升，·一極化狀態 設定電路3 (初始極化狀態設定區段），用於決定該鐵電電容 器F C的極化狀態；一重設信號輸出電路4，用於檢測該電 源電壓的上升，以便產生一重設信號；一重設信號釋放區 段5，用於釋放該重設信號，及一極化狀態初始化電路6， 在該重設信號釋放後，用於轉回該鐵電電容器F C至一初始 極化狀態。 該電源電壓檢測電路2具有該下列結構。當該電源開啓及 一電介質電容器C 22(電介質電容元件）接地時，一降壓電 阻器R2 1之二端之一者用於降低一節點N20至一邏輯”低” 狀態。該降壓電阻器R21及該電介質電容器C 22的其它端連 接至包括一 P -通道電晶體Tr23及一 η -通道電晶體Tr24的一 第一反相器110。在該反相器110輸出的一節點Ν26連接至 該鐵電電容器FC二端之一者，及在該鐵電電容器FC二端 之另一端的節點Ν2 7連接至用於導通信號傳送的一第一傳 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 533412 A7 B7 五、發明説明（15 ) 送電晶體Tr28的源極（驅動端）。該節點N2 6連接至該第一 傳送電晶體Tr28的閘極。

該極化狀態設定電路3具有該下列結構。具有一接地源極 之降壓η -通道電晶體Tr31的汲極連接至該節點Ν26。具有 一連接至電源供應器的源極之升壓ρ -通道電晶體Τι*32的汲 極連接至該節點Ν 2 7。由於此一結構，設定該鐵電電容器 F C的初始極化狀態。用於控制該鐵電電容器F C初始化的 一極化狀態設定信號ΙΝΙΤ，輸入至該降壓η-通道電晶體 Tr3 1的閘極。用於控制該鐵電電容器F C初始化的一極化狀 態設定信號INIT #，輸入至該升壓p -通道電晶體Tr32的閘 極。

該重設信號輸出電路4具有該下列結構。該第一傳送電晶 體Tr28的汲極（驅動端）連接至用於驅動一重設信號（重設信 號驅動電晶體）的一 η -通道電晶體Tr4 1的閘極。該η -通道 電晶體Tr41的源極爲接地。該η -通道電晶體Tr41的汲極連 接至一升壓電阻器R42之二端的其中之一。該升壓電阻器 R42的另一端連接至電源供應器。一節點N43係一該η-通 道電晶體Τι*41及該升壓電阻器R42間的一連接點，使得一 重設信號輸出至該節點Ν4 3。 該重設信號釋放電路5具有該下列結構。該節點Ν43連接 至包括串聯連接的一第二反相器INV51及另一反相器INV52 的一串聯電路，使得輸出至該節點Ν4 3的一重設信號經該 反相器INV5 1及INV52輸出。在該第二反相器INV5 1的一輸 出端的節點Ν 5 3連接至一第二傳送電晶體Tr54的一源極， -18- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（16 ) 該電晶體用於傳送來自該第二反相器INV5 1的信號。該第 二傳送電晶體Tr54的一汲極連接至包括偶數串聯連接反相 器的延遲電路。該延遲電路55經由其中所包括的反相器數 目延遲一信號。該第二傳送電晶體Tr54的閘極連接至該第 二反相器IN V5 1的一輸入端的節點Ν 4 3。 該重設信號釋放電路5進一步具有下列結構。該延遲電路 55的輸出端連接至節點N20。該節點N20連接至用於釋放 一重設信號的一 n -通道電晶體Tr5 6的閘極。該η -通道電晶 體Tr56的源極接地，及該η-通道電晶體1^56的汲極連接至 該η -通道電晶體Tr41的閘極及該第一傳送電晶體Tr28的汲 極。來自該延遲電路55的一輸出動作爲用於釋放一重設信 號（重設信號釋放信號）的信號。在圖1所示的範例中，該延 遲電路5 5包括四用於延遲該信號的串聯反相器。該延遲電 路5 5根據所須延遲時間週期，能包括任何偶數的反相器。 該數目必須爲偶數，使得該信號在該延遲電路5 5的一輸入 端及一輸出端間不會反相。 該極化狀態初始化電路6包括一脈波產生電路6 1。該脈 波產生電路6 1的一輸入端連接至該節點Ν 20，及該脈波產 生電路6 1的一輸出端連接至該節點Ν27。該脈波產生電路 6 1產生一具有對應該延遲時間週期寬度的脈波，該延遲時 間週期由串聯連接至節點Ν 20的反向器數所產生，且輸出 該脈波至節點Ν 2 7。在圖5所示的範例中，該脈波產生電路 6 1包括串聯連接的三反相器。該脈波產生電路6 1根據所需 脈波寬度，能包括任何奇數的反相器。該數目必須爲奇 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) 533412 A7 B7 五、發明説明（17 ) 數，使該信號在該脈波產生電路61的一輸入端及一輸出端 間反相。

在下文中，該鐵電電容器F C的極化特性將詳細敘述。圖 2表示一用來製成該鐵電電容器FC的一鐵電材料的磁滯曲 線。由一電場產生於該鐵電材料的電荷量Q(由一電壓E施 加於此範例中鐵電電容器F C的二端來表示）具有一如圖2所 示的磁滯特性。立刻在該鐵電電容器F C產生後，換言之， 當沒有電場施加時（電壓E = 0)，該鐵電材料未極化。該所 產生的電荷量Q爲零（A點）。當一電場施加該鐵電電容器 FC(電壓E〉0)時，極化該鐵電材料，且所產生壹電荷量Q 比例於該電場大小。有一點.該鐵電材料不會進一步極化， 即使該電場的大小增加。在此點的極化量稱之爲一飽和極 化値（B點）。即使當該電場大小由B點減少至零（電壓 E = 0)，該極化量不會變爲零而該電荷量Q保持在一某値。 在此點的極化量稱之爲一剩餘極化値（C點）。當該電場反 相爲負時，該極化成爲反相。接著，該電荷量Q達到一 點，而在該點該鐵電材料不會進一步極化至如同B點（D點） 的負方向。即使當該電場施加於一正方向使轉回該電場大 小至零（電壓E = 0)時，該極化量不會變爲零而該電荷量Q 保持在一某値。在此點的極化量稱之爲一剩餘極化値（E 點）。 因爲該鐵電電容器F C具有此一磁滯特性，該剩餘極化能 使用來保留一非揮發方式中的資訊。該鐵電電容器FC具有 一在相當短的時間轉換成爲一極化狀態的特性，使該反應 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 533412 A7 B7 五、發明説明（18 ) 相當快。其間所需轉換至該極化的電場爲E c及該鐵電電容 器FC的厚度爲d，施加該鐵電電容器FC(反相電壓）二端的 電壓Vc爲Vc = Ecxd。因爲需要用來轉換該極化的電場Ec 依賴鐵電材料型式，及厚度d依賴該鐵電電容器FC的結 構，該電壓Vc値依賴所選取鐵電材料的型式及該所選取鐵 電電容器F C的結構。在該情形，其間一 PZT (鈦酸錘酸鉛） 基礎材料的薄膜係使用於該鐵電電容器F C，該電壓V c小 至約2.5伏。在該情形，其間一所謂Y 1基礎材料使用於該 鐵電電容器FC，該電壓Vc小至約1.7伏。一穩定操作可能 在此低電壓位準實行。當該鐵電電容器F C的厚度d減少 時，該電壓Vc仍能降低。在該反相電壓Vc中的縮減適合 用於半導體產品，藉此薄膜能輕易地製成。 現在將敛述具有上述結構的電源起動裝置1的操作。 首先，該極化狀態設定電路3決定該鐵電電容器F C的極 化狀態如下。 立刻在該鐵電電容器F C的產生後，換言之，當沒有電場 施加時，該鐵電材料將未極化（圖2中的A點）。爲容許該鐵 電電容器FC動作爲一電路元件，需要決定該鐵電材料的初 始極化狀態。爲了實行此決定，該信號INIT需要輸入至該 降壓η -通道電晶體Tr3 1的閘極，及該信號INIT #需要輸入 至該升壓P-通道電晶體Τι*32。換言之，該信號INIT具備一 邏輯”高”狀態及信號INIT#具備一邏輯”低”狀態，使得在 該鐵電電容器FC二端的電位，換言之，該節點N26及N27 的電位，分別地在接地位準及電源供應器位準，以便決定 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝 訂 五、發明説明（19 ) 該初始極化狀態。在該電源供應器位準及接地位準間的電 位差係至少該上述電壓Vc的位準。因爲該節點N27係因此 具備一高電位，該鐵電材料係如圖3 A所示極化。因此，決 定該鐵電電容器的初始極化狀態。在該鐵電電容器F C生產 後該初始極化狀態的設定僅一次處理係足夠的。該設定能 經由該製造商或使用者來實行，但在電源開啓包括該鐵電 電容器F C的重設裝置1的測試期間，設定初始極化狀態較 爲適當。在該決定後，信號INIT及INIT#分別地固定於邏 輯”低”狀態及邏輯”高”狀態，以便不會驅動該電晶體Τι*3 1 及Tr32。該信號ΙΝΙΤ及INIT#能由一外部裝置輸入，例 如，一單擊脈波產生電路用於產生一單擊脈波。該信號 ΙΝΙΤ及INIT#能由任何方式引進，裝置儘可能的簡單因爲 這些信號僅使用一次。 在該鐵電電容器F C初始極化狀態由極化狀態設定電路3 設定後，該電源在一經常使用的狀態中開啓。立刻在電源 開啓後，電介質電容器C22不會充電因爲其由該電阻器R21 所降壓。這樣，節點Ν 20的電位爲接地位準。因此，該η -通道電晶體Tr24不動作而ρ -通道電晶體Τι*23被驅動。最 後，節點Ν 2 6係鐵電電容器F C二端的其中之一，且具備電 源電壓。基於此點，節點Ν 2 7係鐵電電容器F C的另一端， 且由該電源的開啓所升壓。因此，當供給至節點Ν2 6的電 源電壓超過上述反相電壓Vc時，該鐵電電容器FC的極化 係轉換成圖3 B所示的狀態。基於此點，如圖1所示，該重 設信號電路4的η-通道電晶體Tr41檢測出鐵電電容器的極 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 533412 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 化反相，藉此產生一重設信號。一重設信號的產生意謂著 開始輸出一重設信號及接著釋放該重設信號。於該鐵電電 容器F C的極化反相前，該第一傳送電晶體Tr28的閘極電位 超過其臨界電壓，且藉此驅動（換言之，開啓）該第一傳送 電晶體Tr28。 在提供於節點Ν 2 6的電源電壓超過上述反相電壓V c前， 經由該鐵電電容器F C的初始設定，而該節點Ν 2 7的電位將 由於極化反相的感應電荷而增加，且達到一邏輯”高”狀 態。基於此點，節點Ν 2 6的節點電位係漸增的電源電壓。 當連接至該節點Ν 2 6的第一傳送電晶體Tr28的閘極電位超 過其臨界電壓時，該第一傳送電晶體Tr28被驅動且因此該 節點N27的邏輯”高”電位傳送至該η-通道電晶體Tr41的閘 極。因爲節點N20係處於此點的一邏輯”低”狀態，連接至 節點N20的η-通道電晶體Tr56不動作，因此不會影響η-通 道電晶體Tr41的邏輯位準。因此，驅動該η-通道電晶體 Tr4 1，及經電阻器R4 2升壓的節點Ν4 3電位配置成爲一邏 輯”低”狀態。設定該電阻器R42的電阻値，當驅動η-通道 電晶體Tr4 1時，由該電阻値相對於該開啓電阻値的一電阻 分配率，使得該節點N 4 3處於一邏輯”低”狀態。因爲該節 點N43配置成爲邏輯”低”狀態，該重設信號經反相器 INV51及INV52配置成爲動作”低”狀態且輸出。 該節點N43處於邏輯”低”狀態及節點N53處於邏輯”高” 狀態，因此連接至該節點N4 3的第二傳送電晶體Τι*54的閘 極處於邏輯’’低’’狀態。因此，連接至該第二傳送電晶體 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐） 533412 A7 B7 五、發明説明（21 )

Tr54源極的節點N5 3的邏輯”高”位準，經該第二傳送電晶 體Tr54的汲極傳送至延遲電路55。在延遲時間由該延遲電 路5 5設定後，輸入至該延遲電路5 5的邏輯”高”位準將傳送 至該延遲電路5 5輸出的節點Ν 20。因此，該節點Ν 20立刻 由在該電源開啓後所得到的邏輯”低”狀態傳輸至該邏輯”高 ”狀態。當在需要充電該電介質電容器C 22的延遲時間後， 該節點Ν 20達到邏輯”高’’狀態時，驅動η -通道電晶體 Tr24，藉此該節點配置成爲一邏輯”低”狀態。因爲該節點 N 2 6配置成爲一邏輯”低”狀態，釋放該第一傳送電晶體 Tr28，以便中斷該節點N 2 7及η -通道電晶體Tr4 1的閘極間 的信號路徑。同時，該節點N 20的邏輯’’高”位準輸入至η -通道電晶體Tr56的閘極，以驅動該η-通道電晶體Tr56。因 此，該η -通道電晶體Τι·41的閘極配置成爲一邏輯”低”狀 態，且驅動該η-通道電晶體Tr41。因爲釋放該η-通道電晶 體Τι*4 1，該節點Ν 4 3經電阻器R4 2升壓至一邏輯”高”狀 態。該節點Ν 4 3的邏輯”高”狀態經反相器INV5 1及INV52傳 輸該重設信號成爲一邏輯”高”狀態。因此，釋放該重設信 號。簡言之，在該電源開啓後，處於一動作”低’’狀態的重 設信號輸出常該延遲電路55所提供的延遲週期，換言之， 充電該電介質電容C 22所需的時間週期，接著配置成爲一 邏輯”高”狀態且釋放。 在釋放該重設信號後，該鐵電電容器F C需要轉回該初始 極化狀態，使預備下回的電源開啓。當經該延遲電路5 5的 輸出，其動作爲一重設信號釋放信號，該節點Ν20配置成 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（22 ) 爲一邏輯”高”狀態時，該脈波產生電路6 1在接收節點N20 的電壓位準後操作如下。當接收來自該節點N20所輸出的 邏輯”高”位準時，該脈波產生電路61產生具有一脈波寬度 的邏輯”高”脈波，而該脈波寬度對應由其包含反相器數所 提供的延遲時間週期。此刻，該節點N26係鐵電電容器FC 二端的其中之一，而該節點係處於一邏輯’’低”狀態，及該 節點N 2 7係鐵電電容器F C二端的另一端，且其接收來自該 脈波產生電路6 1的一邏輯”高”脈波。因此，該鐵電電容器 F C的極化爲反相，且藉此開始回到圖3 A的狀態。即使在 該系統電源切斷後，該初始極化狀態由剩餘極化所保持。 該鐵電電容器F C的極化保持該初始狀態。因此，下次電 源開啓時，該重設信號開始輸出且接著釋放，以上述相同 操作轉回該鐵電電容器F C的極化至初始極化狀態。因此， 該鐵電電容器F C能預備下次的電源開啓。 如上述，如本發明，該鐵電電容器F C能使用於電源重設 裝置1。由於該鐵電電容器F C，該電源電壓當電源開啓時 能檢測爲一極化反相，藉此產生一重設信號。因爲該鐵電 電容器F C的極化即使在相當低地電壓能穩定地轉換，一重 設信號能穩定地產生於具有相當低電源電壓的系統中。此 外，一電流固定流經的串聯路徑係不必須的，且一穩定操 作保証在一需要於降低功率消耗操作的系統中。爲了實現 一穩定操作於一低電源電壓，該極化反相電壓能降低。 因爲該電源電壓上係利用鐵電電容器F C的極化反相電壓 所檢測，依賴該電源電壓上升速度的一般電路結構係不必 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 533412 A7 B7 五、發明説明（23 ) 須的。因此，該電路結構能簡化。 不同於一般技藝，如本發明一重設裝置的操作不會十分 依賴該典型類比參數，諸如電容器的電容値、電阻器的電 阻値，及電晶體的特性，這些値及特性能更輕易地設計。 由相關於產量或其它因素，諸如溫度或類似因素所產生特 性及値的散布，將不會實質地影響該重設信號的產生。 如上述，雖然極化反相電壓的位準根據鐵電材料或類似 型式而改變，該鐵電材料的極化反相電壓當一鐵電電容器 FC的厚度減少時而降低。該鐵電電容器FC適合使用於各 種半導體積體電路裝置（或構件），該薄膜可因此而輕易地 製成。雖然沒有特定範例提供於上述範例中，此半導體積 體電路裝置包含於本發明的目標中。 一半導體記憶體裝置的一型式係一所謂鐵電記憶體裝置 或構件。該鐵電記憶體裝置係利用一鐵電材料的非揮發性 記憶體。由於在該半導體製程中的排列，包括一如本發明 重設構件的半導體積體電路裝置（或構件）較佳使用於此一 半導體記憶體裝置（或構件）。雖然沒有特定範例提供於上 述範例中，此一半導體記憶體裝置（或構件）包含於本發明 的目標中。 本發明也較佳地可應用於含一内建鐵電記憶體的微電腦 電源開啓重設電路。該微電腦現在使用於包括一非接觸積 體電路卡片的各種應用，其係今天所矚目的交點。 如本發明，在該電壓檢測電路中所提供的鐵電電容元 件’由於其磁滯特性而保持一剩餘極化，藉此不會依賴同 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 訂 五、發明説明（24 ) 於一電介質電容器的時間充電及放電。因此，一電流於該 電路的操作期間的消耗及在一般技藝中所需串聯路徑能消 除。最後，消除固定電流消耗，使降低功率消耗。經選擇 使用於該鐵電電容元件適合的鐵電材料及鐵電電容元件的 適合厚度，能減少極化反相電壓。這樣，一穩定電壓即使 在一低電壓能得到保証。產生於鐵電材料的極化由其所施 加電場感應的自然極化，因此不會伴隨射出或釋放電荷至 或自一不同於該電介質電容器的外部裝置。因此，該極化 反相得以迅速地實行。該極化反相僅由一電場，換言之， 由一外部裝置所供給的電恩所控制。因此，該極化反相不 會依賴該電壓的上升時間，及一十分容易控制的電壓檢測 電路能得以實現。結果，將實現提供一穩定操作的重設電 路0 如本發明，一重設信號能開始輸出，且接著相當容易地 利用該鐵電電容元件的極化特性所釋放。 如本發明，該鐵電電容器的初始極化狀態能輕易地及任 意地由該初始極化狀態設定區段所決定。 如本發明，該電源電壓上升且釋放該重設信號，該鐵電 電容元件的極化狀態能輕易地及自動地經該極化狀態初始 化區段轉回至該初始極化狀態。 如本發明，該鐵電電容元件的極化係基於該電源電壓的 上升而轉換。利用在此點產生的電荷，一重設信號能迅速 地及輕易地產生。 如本發明，該電壓檢測電路能具有一利用該鐵電電容元 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 533412 A7 B7 五 、發明説明（25 ) 件的簡單結構。 如本發明，能實現一重設信號輸出區段，其具有簡單及 能適合利用該鐵電電容元件的電壓檢測電路的結構。 如本發明，在開始該重設信號的輸出以一簡單結構實現 後，一重設信號釋放區段用於釋放該重設信號。 如本發明，一初始極化狀態設定區段能以一簡單結構實 現0 如本發明，一極化狀態極化區段能以一簡單結構實現。 如本發明的一重設構件（或裝置）能輕易地採用於一半導 體積體電路裝置。 一半導體積體電路（或構件）採用如本發明的一重設構件 (或裝置）能輕易地採用於一半導體記憶體裝置（或構件）。 各種其它修正將明白於且輕易地爲習於此技者所得，而 不會偏離本發明的目標及精神。因此，其申請專利範圍附 加項的目標不會限制在此所陳述的説明，然而該申請專利 範圍能廣泛地予以解釋。 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

1. 533412 A B c D 六、申請專利範圍 1 · 一種用於檢測一電源電壓上升的重設裝置，其開始輸出 =重設信號及接著釋放該重設信號，該重設裝置包含一 用於檢測該電源電壓的電壓檢測電路，其中該電壓檢測 電路包括一用於檢測電源電壓上升的鐵電電容元件。 2 .如申請專利範圍第1項的重設裝置，進一步包含利用該 鐵電電容元件特性來產生重設信號的一重設信號輸出區 段，及用於釋放該輸出信號的一重設信號釋放區段。 3.如申請專利範圍第2項的重設裝置，進一步包括一初始 極化狀態設定區段，用於決定該鐵電電容元件的極化狀 態。 4 ·如申請專利範圍第3項的重設裝置，進一步包含一極化 狀態初始化區段，其在該重設信號釋放後，用於轉回該 鐵電電容元件的極化狀態至一初始極化狀態。 5 ·如申請專利範圍第4項的重設裝置，其中該極化狀態初 始化區段包括一脈波產生電路，其具有一輸入端連接至 該電壓檢測電路之一第一反相器的一輸入端；該極化狀 態初始化區段，其由一其輸出端產生一極化狀態初始化 脈衝，使傳送至該鐵電電容元件的一第二端。 6 ·如申請專利範圍第2項的重設裝置，其中該重設信號釋 放區段包括一第二反相器、一第二傳送電晶體、一延遲 電路，及一重設信號釋放電晶體，其中： 在一升壓電阻及一重設信號驅動電阻間的連接點係連 接至該第二反相器的輸入端， 該第二反相器的輸入端連接至該第二傳送電晶體的一 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

   六、申請專利範圍 控制端， .該第二反相器的一輸出端連接至該第二傳送電晶體之 二驅動端的其中之一， 該第二傳送電晶體的另一驅動端，經該延遲電路連接 至一第一反相器的輸入端， 該第一反相器的輸入端連接至該重設信號釋放電晶體 的一控制端， 該重設信號釋放電晶體之二驅動端之一者，連接至該 重設信號驅動電晶體的一控制端，及 該重設信號釋放電晶體的另一驅動端爲接地。 7 .如申請專利範圍第2項的重設裝置，其中該重設信號輸 出區段包括一驅動電晶體及一升壓電阻器的重設信號， 其中： 該鐵電電容元件的'一第二端’經一第一傳送電晶體’ 連接至該重設信號驅動電晶體的控制端，該第一傳送電 晶體具有一控制端，其連接至一第一反相器之一輸出 端， 該重設信號驅動電晶體之二驅動端之一者，連接至該 升壓電晶體的一第一端，該電晶體具有一第二端，其連 接至一電源供應器，及 該重設信號驅動電晶體的另一驅動端爲接地。 8 .如申請專利範圍第7項的重設裝置，其中該重設信號釋 放區段包括一第二反相器、一第二傳送電晶體、一延遲 電路，及一重設釋放電晶體，其中·· -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 533412 A BCD 六、申請專利範圍 在該升壓電阻器及該重設信號驅動電晶體間的連接點 連接至該第二反相器的一輸入端， 該第二反相器的輸入端連接至該第二傳送電晶體之控 制端， 該第二反相器的輸出端連接至該第二傳送電晶體之二 驅動端之一者， 該第二傳送電晶體的另一驅動端經該延遲電路，連接 至該第一反相器的一輸入端， 該第一反相器的輸入端連接至該重設信號釋放電晶體 的一控制端， 該重設信號釋放電晶體之二驅動端之一者，連接至該 重設信號驅動電晶體的控制端，及 該重設信號釋放電晶體的另一驅動端爲接地。 9 ·如申請專利範圍第2項的重設裝置，進一步包含一極化 狀態初始化區段，其在該重設信號釋放後，用於轉回一 該鐵電電容元件的極化狀態至一初始極化狀態。 10·如申請專利範圍第9項的重設裝置，其中該極化狀態初 始化區段包括一脈波產生電路，其具有一輸入端連接至 該電壓檢測電路之一第一反相器的一輸入端，該極化狀 態初始化區段由其輸出端產生一極化狀態初始化脈波， 且傳送至該鐵電電容元件的一第二端。 11.如申請專利範圍第3項的重設裝置，其中該極化狀態初 始化區段具有一結構，其中一降壓電晶體連接至該鐵電 電容元件的一第一端，及一升壓電晶體連接至該鐵電電 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

   533412 A BCD •、申請專利範圍 容元件的一第二端。 12. 如申請專利範圍第1項的重設裝置，進一步包含一初始 極化狀態設定區段，其用於決定該鐵電電容元件的一極 化狀態。 13. 如申請專利範圍第1 2項的重設裝置，進一步包含一極化 狀態出始化區段，其在該重設信號釋放後，用於轉回該 鐵電電容元件的極化狀態至一初始極化狀態。 14. 如申請專利範圍第1 3項的重設裝置，其中該極化狀態初 始化區段包括一脈波產生電路，其具有一輸入端連接至 該電壓檢測電路之一第一反相器的一輸入端；該極化狀 態初始化區段，其由一其輸出端產生一極化狀態初始化 脈波，使傳送至該鐵電電容元件的一第二端。 15. 如申請專利範圍第1 2項的重設裝置，其中該極化狀態初 始化區段具有一結構，其中一降壓電晶體連接至該鐵電 電容元件的一第一端，及一升壓電晶體連接至該鐵電電 容元件的一第二端。 16·如申請專利範圍第1項的重設裝置，其中該電壓電路經 由一極化反相檢測該電源電壓的上升，使得該重設信號 由該極化反相造成的鐵電電容元件的電位轉換所產生。 Π·如申請專利範圍第1 6項的重設裝置，其中： 該電壓檢測電路包括一第一反相器， 該第一反相器的一輸入端係經一電介質電容元件及一 降壓電阻器來接地，及 該第一反相器的一輸出端係連接至該鐵電電容元件的 -32 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 533412 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 一第一端。 18. 如申請專利範圍第1項的重設裝置，其中： 該電壓檢測電路包括一第一反相器， 該第一反相器的一輸入端係經一電介質電容元件及一 降壓電阻器來接地，及 該第一反相器的一輸出端係連接至該鐵電電容元件的 一第一端。 19. 一種半導體積體電路裝置，包括利用一半導體材料製

   成，而如申請專利範圍第1項的重設裝置。 |胃 20. —種半導體記憶體裝置，包括如申請專利範圍第19項 導體積體電路裝置。 寒_

   -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)