TW529094B - Planarization method of substrate, substrate with coating and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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TW529094B
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film
coating film
based coating
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TW086116596A
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Ryo Muraguchi
Akira Nakashima
Atsushi Tonai
Michio Komatsu
Katsuyuki Machida
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Catalysts & Amp Chemical Indus
Nippon Telegraph & Amp Telepho
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Description

529094 A7 五、發明説明（2 ) 刻之故有飛塵發生之問題。因此飛塵之管理而言，並非寧 易的技術。另外舉離法所用之Stencil (型板）材，於舉離 時不能完全溶解之故，發生不能舉離之問題以致控制性， 良品率等方面不佳而未有實用性。 本發明係有鑑於上述事實而完成的提案，Μ提供使具 有凹凸表面之基材凹凸面容易地平坦化之方法，具有平坦 性優良且膜厚均勻之經塗膜之基材Μ及半導體裝置之製造 方法為目的。 搿明夕拫示 本發明有關基材之平坦化方法，其特徵為：於平滑基 材表面形成含有球狀微粒子覆膜；然後，於平滑基材表面 上使已形成含有該球狀微粒子之覆膜之面與具有凹凸表面 之基材的凹凸面緊貼； 並轉印含有球狀微粒子之覆膜於具有凹凸表面之基材 的凹凸面； ^ 俾使該凹凸面平坦化。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於本發明，亦可Μ於平滑基材表面予先形成球狀微粒 子層後，在該球狀微粒子層上塗佈覆膜形成用塗佈液以形 成含有球狀微粒子之覆膜，亦可Μ於上逑平滑基材表面塗 佈含有球狀微粒子之覆膜形成用塗佈液Μ形成含有球狀微 粒子之覆膜。_ - 又，亦可於轉印含有球狀微粒子之覆膜於具有凹凸表 面之基材之凹凸面上當時，或轉印後*加熱該含有球狀微 粒子之覆膜，熔融至少一部份覆膜，將覆膜表面予Μ平坦 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 2 3 9 3 0 6 529094 ΑΊ五、發明説明（3 )化，接著，再升高溫度，使該含有球狀微粒子之覆膜硬化 ，亦可將凹凸面予Μ平坦化。 述球狀微粒子Μ矽石微粒子而覆膜則Μ矽石糸覆膜 為宜。另外，矽石系覆膜係由包含具有如下述一般式[1] 所表示之重複單元之聚矽氮烷（PolysiUzane)之矽石系覆 宜 為 者 成 形 所 液 佈 塗 用 成 形 膜
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R Π 原之 氫上 之M fIL 同 相 不而 或， 同基 相氧 為烷 互或 可基 示芳 表， R3基 及烷 , 之 2 8 R 至 ， 1 R 數 ， 子 原 碳 子 中 式 為 數 整 平 面 表 使 法 方 述 上 Μ 係 材 基 之 膜 塗 經 的 關 有 明 發 本 與 面 表，材 基 滑 平 於 係 法 方 造 製 之 置 裝 摟 WS 導 半 0 。 有 徵明 特發 爲 '本 化 坦 經濟部中央標準局員工消-t合作社印製 石表 矽..片 有基 含體 此 > 導 印半 轉在 藉 ， , 面 後表 膜片 覆基 系體 石導 矽半 之於 子膜 粒覆 微系 石石 矽矽 有之 含·子 成粒 形微 覆 系 石 矽 而 矽 聚 之 元 單 ， 複 徵重 特的 為示 膜表 覆所 系 3 石[1 矽式 之般 子一 粒述 微上 石有 矽具 有 含 含包 成由 形係 面膜
者 成 形 所 液 佈 塗 用 膜 覆 条明 石說 矽屋 之簡 烷式0 L 方形 化佳 坦較 平個 材一 基之 的明 下發 態本 形依 佳 係 較圖 個 2 一 第 之 ， 明圖 發面 本截 依之 係 示 圖 表 1 序 第順 按 法 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 3 3 9 3 0 6 A7 529094 ___B7__ 五、發明說明（4 ) 態下的半導體裝置製造方法按順序表示之截面圖。 符號說明 1 平滑基材 2 球狀微粒子層 3 覆膜 4 具有凹凸表面之基材 5 凹凸面 6 平板 7 矽石微粒子層 8 矽石系覆膜 9 半導體基片 10 鋁電極配線層 11 平板（石英板） 12 加熱器 實施本發明之最佳形態 將本發明具體說明如下。 某材之平坦化方法 與本發明有關的基材之平坦化方法，首先形成含有球 狀微粒子之覆膜於平滑基材表面。 球狀微粒子有：矽石，礬土等無機化合物所成之球狀 微粒子；或聚苯乙烯，聚甲基丙烯酸甲酯等合成樹脂所成 之球狀微粒子。此中尤以矽石微粒子較佳。 如此球狀微粒子以平均粒徑1 # m以下爲宜，較佳爲0.5 //m以下而粒徑範圍爲單一粒徑者或不同粒徑混合2種以上 ---1-----------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 (修正頁) 39306 A7 529094 __B7 _ 五、發明說明（5 ) 者亦可。當如此含有球狀粒子之覆膜緊壓於凹凸基板並轉 印時，球狀微粒子發揮爲平滑基材表面與凹凸基材之凹凸 面之間隙控制材之功能，均勻控制轉印膜厚之同時，可改 善覆膜之平坦性。再者，此等球狀微粒子當於平滑基材上 形成覆膜時，球狀微粒子發揮爲控制覆膜之緊貼性及剝離 性之功能之故，可改善覆膜之轉印特性。 形成於平滑基材表面之覆膜而言，以矽石系覆膜爲宜 而可此矽石系覆膜可於平滑基材表面塗佈含有矽石系覆膜 形成成分之覆膜形成用塗佈液而得。 矽石系覆膜形成成分而言，可使用習知之覆膜形成成 分，惟以具有1〇〇至300°c溫度範圍之黏度爲103泊以下之 軟熔（ref low)性之覆膜形成成分者尤宜。本發明所定義之 軟熔性係當基材塗佈覆膜形成用塗佈液後乾燥，先經固化 後之覆膜再予以加熱時，隨溫度之上升黏度下降而再熔融 之意。再熔融後若再提高溫度，則覆膜成分乃進行聚合而 覆膜即硬化。 具有如此軟熔性之覆膜形成成分有具有如下述一般式 [1]表示之重複單元之聚矽氮烷、具有如下述一般式[2]表 示之重複單元之聚羰砂院；或具有如下述一般式[3]表示 之重複單元之矽倍半氧烷（silsesquioxane)等’此中聚矽 氮烷尤宜。 f 13 ' --Si-N-- 【1】 —i------------------訂·--------^__w. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 5 (修正頁) 39306 529094 A7 B7 五、發明説明（6 ) 式中，R1，R2，R3表示可互為相同或不相同之氫原子 ，碳原子數1〜8之烷基，芳基，或烷氧基，而η為1以上之 數 整 中 式數 子 原
4 R
R ——s I R 5
S R 2
1Q 取 之 8 至 1 取 或 代 .取 示 表
代代R 子基 原氧 氫烷。 之或數 同，整 相基之 不芳上 或 ，Μ 同基1 相烷 為之而 互代基 可取甲 示非亞 表或之 為 a 碳R6 (請先閱讀-f面之注意事項再填寫本頁)
S 〇
ο I s I R ο 3 式中，R7，R8表示可互為相同或不相同之氫原子，碳 原子數1至8之取代或非取代之烷基，芳基，或烷氧基而兑 為1以上之整數。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 如上述之聚矽氮烷，聚羧矽烷或矽倍半氧烷之數平均 分子量為5 0 0至500 00，較佳為1 0 0 0至1 000 0。 本發明所使用覆膜形成用塗佈液係上述覆膜形成成分 以固形分濃度5至50重量％ ，較佳為Μ10至30重量％溶解 於有機溶劑者。有機溶劑只要能將上述覆膜形成成分分散 或溶解並可賦予塗佈液流動性則並無制限》—般喜用如甲 笨，二甲苯等芳香族烴*如氛仿等鹵化烴等。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 6 39 3 0 6 529094 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（7 ) 本發明將上述覆膜形成用塗佈液於平滑基材之被塗布 面依噴塗法，浸漬法，輥塗法，網印法，轉印法等各種方 法塗佈後，於50 °C以上加熱至乾燥，形成覆膜。加熱溫度 只要在50 °C以上，則不致發生溶劑殘存於覆膜中或轉印時 發生氣泡之情事，惟加熱溫度過高時，則促成覆膜形成成 分之交聯反應之進行，因覆膜之暖熔性變差以致使凹凸基 材轉印或覆膜之平坦化工作不順利。因此加熱溫度以300 °C 以下爲宜，較佳爲200°C以下。 所形成之覆膜膜厚，通常以0.3至5/zm爲宜，較佳爲 0 · 5 至 2 // m 〇 本發明，於上述平滑基材表面形成覆膜時，可予先在 平滑基材表面形成球狀微粒子層而藉此球狀微粒子層上塗 佈覆膜形成用塗佈液使球狀微粒子包含於覆膜中，亦可藉 平滑基材表面塗佈含有球狀微粒子之覆膜形成用塗佈液， 使球狀微粒子包含於覆膜中。 將球狀微粒子層予先形成於平滑基材上之方法並無限 制，通常係將分散球狀微粒子於分散溶劑中而成之分散液 ，依旋塗法等塗布後乾燥，以形成微粒子層。分散介質之 例有：水，酒精類，酮類，醚類等。 如覆膜形成用塗布液中已含有球狀微粒子時，則不需 如上述有預先於平滑基材上形成球狀微粒子層之必要而僅 將已分散球狀微粒子之覆膜形成用塗佈液直接塗佈於平滑 基材即可形成含有球狀微粒子之覆膜。此時，覆膜形成用 塗佈液中之球狀微粒子含量，以固形分計，2至50重量％ —：-----------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 7 (修正頁) 39306 529094 kl B7 五、發明説明（8 ) 為宜，較佳為5至20重量％ 。 本發明所用平滑基材，若屬表面平滑則並無限制，通 常使用軟質熱塑性樹脂而成之板片薄膜，板片薄膜之例有 :具體而言，壓克力樹脂，聚碳酸酯樹脂聚烯烴樹脂， 聚氯乙烯樹脂，聚釀亞胺樹脂，聚醯亞胺醯胺樹脂，含氟 樹脂等，其中由於耐熱性，以聚醯亞胺樹脂或含氟樹脂之 板片薄膜為宜。若應用如此軟質熱塑性樹脂之板片薄膜為 基材時，轉印當中於具凹凸表面之基材上之緊壓較容易實 施。 _ 接著，本發明將依上述方法形成於平滑基材表面的含 有球狀微粒子之覆膜轉印於具凹凸面的基材上。 轉印方法而言，係將平滑基材之覆膜形成面與凹凸基 材之凹凸面相貼合，自基材之任何一個背面或自雙方之背 面，加Ml至50kg，較佳為1至10kg之負載，或Μ輥輪押輥 ，藉滾動及緊壓實施壓黏合。然後制離平滑基材，將覆膜 轉印於薄膜上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此，將覆膜轉印於具凹凸表面之基丨材之凹凸面當時 或轉印後，可以加熱覆膜Μ熔融至少其中一部份，使該含 有球狀微粒子之覆膜平坦化，如上述之含有矽石系薄膜形 成成分之覆膜，具有如上述之軟熔性，於約100TC Μ上時 黏度下降而發生再—熔融。此黏度下降現象持續至2 50 1C 附 近，至約3 0 0 t： Μ上則因分子交聯而開始硬化。若應用此 軟熔性，壓黏合時加熱至50^ Μ上，較佳為80D以上，使 矽石系覆膜降低黏度Μ轉印時，則因轉印時之負載Μ及加 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 8 3 93 0 6 529094 A7 B7 五、發明説明（9 ) 熱，覆膜即再熔融而擴展之故可將凹凸基材表面予_M高度 平坦化。 亦可加熱壓黏合（Thermocompression Bonding)，實 施加壓轉印後加熱，將凹凸基材表面平坦化。 如此經轉印之覆膜於300至500¾ ，最佳40 0至450¾ ， 加熱10至120分鐘，最佳為30至60分鐘使之硬化。如此硬 化通常於空氣中，水蒸氣大氣中或氨大氣中實施。再者於 本發明使用合成樹脂為球狀微粒子時，在上述覆膜之加熱 及硬化之過程中可能發生球狀微粒子熔融或分解K致球狀 形態消失，惟轉印於凹凸基材後不需再維持球狀而只要於 轉印時覆膜中含有微粒子即可。 今Μ第1圖說明本發明基材平坦化方法之一個較佳形 態。 首先，如第1圖（a)所示，於板片薄膜（即平滑基材1) 表面上形成球狀微粒子層2。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，如第1圖（b)所示，於上述球狀微粒子層2上， 以習用方式塗佈上述覆膜形成用塗布液後，加熱至50C以 上，在板片薄膜上形成含有球狀微粒子層之覆膜3。 接著，如第1圖（c)所示，將按上述所得含有球狀微粒 子之覆膜所形成的面與具有凹凸之表面的基材4之凹凸面 5 Μ相對面之方式貼合。當兩者貼合時，應稱如石英板之 2張平板6之間，相對面之方式配置覆膜形成面與凹凸面 5 ，自板片薄膜側或凹凸基材側或自雙側施加Μ負載，再 加熱至80至150它，將板片薄膜之含有球狀微粒子之覆膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 9 3 9 30 6 529094 kl 五、發明説明（1G) 3轉印於凹凸面5上。 加熱經轉印含有球狀微粒子之覆膜3之凹凸面4至約 400 1C ，實施硬化處理，則可得如第1圖（d)所示表面已經 ^平坦化而形成含有球狀微粒子之覆膜3之基材。 辉檢膜夕某材 與本發明有醑的經塗膜之基材，係經上述方法所形成 的覆膜，將基材表面之凹凸予Μ平坦化者。 如此基材而言，可Μ使用能以上述方法形成覆膜之任 何凹凸基材，具體而言，可舉有：高密度記錄用光碟或磁 碟，具有微型透鏡（MicrolensUCD (電荷耦合裝置）元件， 陰極射線管或液晶顯示裝置等之顯示部前面板，彩色顯示 用液晶顯示元件之附有滤色器（Color Filter)的透明電極 板，附有液晶顯示裝置用TFT (薄膜晶體Thin Fi lm Transistor)之透明電極板，具有多層構造之半導體元件 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 例如，附有液晶顯示裝置用TFT之透明電極板而言， :於TFT突出之基片表面上形成有絕緣性覆膜，在基片表面 與TFT部位之高低差異已予平坦化。彩色顯示用液晶顯示 元件之附有瀘色器的透明電極板而言，於電極板之像元電 極及相對電極之瀘色器上形成有覆膜，因像元電極及瀘色 器所形成的凹凸面由該含有球狀微粒之覆膜予以平坦化。 半導體而言，於半導體基片與金靨配線層之間或金羼 配線層間形成有矽石系絕緣膜。藉此絕緣膜，於半導體基 板所設PN接合（PN junction)半導體Μ及電容元件，電阻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 10 3 9 3 0 6 529094 ΑΊ Β7 五、發明説明（11 ) 元件等_各種元件所形成的凹凸面予Μ平坦化。 如此半導體裝置，以上述方法製造之。 本發明有闞半導體裝置之製造方法，係：於平滑基材 表面形成含有矽石微粒子之矽石系覆膜； 藉此矽石糸覆膜轉印於半導體基板表面，於半導體基 片表面形成平坦性良好的矽石系覆膜；而此矽石系覆膜係 包含具有上述一般式[1]所示的重複單元之聚矽氮烷之矽 石系覆膜形成用塗布液所形成者。 參照第2圖，說明如此半導體裝置之製造方法如下。 首先，如第2圖U)所示，於板片薄膜（平滑基材）1之 表面，形成矽石微粒子層7。 其次，如第2圖（b)，於上述矽石微粒子層2上，將上 述矽石条覆膜形成用塗布液依旋塗法等塗布後加熱至501C K上，在板片薄膜上形成含有矽石微粒子層之矽石系覆膜 8 〇 ’ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 狻著，將如上述已形成含有矽石微粒子之矽石系覆膜 之面，與如第2圖（c)所示半導體基片9之鋁電極配線層10 能互相面對之方式予Μ貼合。當兩者貼合時，如第2圖（d) ，如石英板2張平板11之間，互相面對之方式配置矽石系 覆膜形成面與配線層10，由板Η薄膜1側或半導體基片9側 一，或由兩側施加負載，再以加熱器12加熱至80至200它後 ，轉印板片薄膜1之矽石系覆膜至配線層10。 轉印後，加熱已轉印矽石系覆膜之配線層10至約400 1C進行硬化處理，則可得第2圖（e)表面已平坦化而已形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1 1 3 9 3 0 6 529094 \Ί Β7 五、發明説明（12 ) 含有矽石微粒子之矽石糸覆膜之_半導體裝置。 與本發明有關的半導體裝置之製造方法，其矽石微粒 子可使用2種粒徑不同之矽石微粒子而若使用如此微粒子 ，則可形成第2圖（f)所示覆膜於半導體表面。 = 發明夕功效 依本發明，因轉印步驟中包含於覆膜之球狀微粒子達 成平滑基材與凹凸基材之間隙調整功能之故，可形成膜厚 均勻的平坦化膜，又藉含有的球狀微粒子控制覆膜對平滑 基材之密著性及自平滑基材之剝離性，故可順利進行對凹 凸基材之轉印。 再者，若使用含有具軟熔特性之覆膜形成成分之覆膜 形成用塗佈液以形成覆膜時，藉軟熔特性轉印覆膜，則於 凹凸基材表面形成具有高度平坦性之覆膜即成為可能。 若使用此基材之平坦化方法製造半導體裝置時，對大 t口徑之半導體基片而言，則形成均勻膜厚之平坦化膜即成 為可能。 - 管淪例 ^ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ下就實施例具體說明本發明，惟不因此等實施例而 受限。 啻脓例1 於300ΑΖΙΒ厚之聚四氟-乙烯製板片薄膜上，將平均粒徑 0.5w«i之矽石微粒子乙醇分散液（Si〇2濃度：5wt%)依旋 塗法（500rpm，30秒）塗布後乾燥，於板Η薄膜上形成矽石 微粒子層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 12 3930 6 529094 Μ Β7 五、發明説明（13 ) 接著，將含有聚羧矽烷之矽石糸覆膜形成用塗布液（_ 溶劑：甲基異丁基酮，Si〇2濃度：25wt% ，日本Carbide 股份有限公司製）依旋塗法（2000γριβ，20秒）塗布於矽石微 粒子層上，在熱板上1201C ，乾燥3分鐘，以形成膜厚 之含有矽石微粒子之矽石系覆膜。 將M0.5/i m之高低差異為範例而製作的矽石基片作為 具凹凸面之基材，與上述板片薄膜，按凹凸面側與覆膜形 成側Μ互相面對之方式貼合，配置於2張平板之間。自平 板上施加5kg負載M1501C加熱10分鐘，實施覆膜之轉印及 平坦化。然後剝離板片薄膜，將其已轉印的覆膜之矽石基 片在水蒸氣大氣中M4001C加熱30分鐘進行硬化處理。在 此，矽石系覆膜之1501C時的粒度為15泊。 所得的含有矽石微粒子之矽石糸覆膜具0.5/iin高低差 異之膜厚，覆膜截面Μ電子顯微鏡觀察結果，其具有良好 的平坦性。 ι 奮_例2 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 除Μ平均粒徑0.5u π之微粒子與O.lu m之微粒子按1: 1 (重量比）之比例混合的混合物作為矽石微粒子Μ外，其 他均按實施例1同樣方法於矽石基Μ上形成覆膜。 所得含有矽石微粒子之矽石系覆膜具0.5/i π»高低差異 之膜厚，覆膜截面Μ電子顯微鏡觀察结果，其具有良好的 平坦性。 g _例3 於與實施例1相同的無形成微粒子層之板Η薄膜上將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 1 3 3 9 3 0 6 529094 A7 B7 五、發明説明（14 ) 平均粒徑0.3/i m之矽石微粒子按30重量％分散有含有聚羧 矽烷之覆膜形成用塗佈液（溶劑：甲基異丁基酮，Si〇2濃 度：25wt% ，日本Carbide股份有限公司製）依旋塗法（ 2000γρ|»; 20秒）塗布Μ形成含有矽石微粒子之矽石系覆膜 。所得覆膜按實例1同樣處理。 所得的含有矽石微粒子之矽石系覆膜具0.5/i m高低差 異之膜厚，覆膜截面Μ電子顯微鏡觀察结果，其具有良好 的平坦性。 奮_例4 於300μ π»厚之聚四氟乙烯製板片薄膜上，將平均粒徑 Ο,Ι/iin之矽石微粒子乙醇分散液（Si〇2濃度：5vt%)依旋 塗法（500rPm, 30秒）塗布後乾燥，於板片薄膜上形成矽石 微粒子層。 接著，將含有無機聚矽氮烷之矽石系覆膜形成用塗佈 液（Ceramate-CIP, Si〇2濃度：24wt% ，觸媒化成Ιζ業股 經濟部中央標準局員工消f-合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 份有限公司製）依旋塗法（2000rpm，20秒）塗佈於矽石微粒 子層上”在熱板上120¾乾燥3分鐘以形成膜厚0.4um之含 有矽石微粒子之矽石系覆膜。 將M0.2wra之高低差異為範例而製作的矽石基片作為 具凹凸面之基材，與上述板片薄膜按凹凸面側與覆膜形成 側Μ互相面對之方式貼合，配置於2張平板之間。自平板 上施加5kg負載Μ150Ό，加熱10分鐘，實施覆膜之轉印。 然後剝離板片薄膜，將具已轉印的覆膜之矽石基片在水蒸 氣大氣中以4001C加熱30分鐘進行硬化處理。在此，矽石 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1 4 3 9 3 0 6 529094
AJ B7 五、發明説明（15 ) 系覆膜之15〇υ時的黏度為2.5泊。 所得的含有矽石微粒子之矽石系覆膜具0.2/iiB高低差 異之膜厚，覆膜截面Μ電子顯微鏡觀察结果，其具有良好 的平坦性。 = 啻_例5 於200um厚之聚四氟乙烯製板片薄膜上，將平均粒徑 0.3/iin之矽石微粒子乙醇分散液（Si〇2濃度：5vt%)依旋 塗法（500rpm，30秒）塗布後乾燥，於板片薄膜上形成矽石 微粒子層。 - 接著，將含有無機聚矽氮烷之矽石系覆膜形成用塗布 液（Ceramate-CIP, Si〇2濃度：24wt% ，觸媒化成工業股 份有限公司製）依旋塗法塗布於矽石微粒子層上，在熱板 上12〇υ乾燥3分鐘以形成膜厚0.6/i m之含有矽石微粒子之 矽石系覆膜。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將具鋁配線之半導體基片與1述板片薄膜按鋁配線側 與覆膜形成側-Μ互相面對之方式貼合，配置於2張平板之 間。自平板上施加5kg負載，M1501C加熱10分鐘，實施覆 膜之轉印。然後剝離板片薄膜，將具已轉印的覆膜之矽石 基片在水蒸氣大氣中M400t!加熱30分鐘進行硬化處理。 於半導體基板上所形成的含有矽石微粒子之矽石系覆 膜在鋁配上具有0.3/um之膜厚，覆膜截面Μ電子顯微鏡 觀察结果，其具有良好的平坦性。 啻_例6 除矽石微粒子使用平均粒徑0.3u m之微粒子與O.lu m 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1 5 3 9 3 0 6 529094 Α7 Β7 五、發明説明（16) 之微粒子按1.Π重量比）混合的混合物Μ _外，其餘按實施 例5同樣方法於矽石基片上形成矽石系覆膜。 接著，將含有無機聚矽氮烷之矽石系覆膜形成用塗布 液（Ceramate-CIP, Si〇2濃度，30wt% ，觸媒化成工業股； 份有限公司製）依旋塗法（lOOOrpm，20秒）塗布於矽石微粒< 子層上，在熱板上120它，乾燥3分鐘Μ形成膜厚1/um之含 有矽石微粒子之覆膜。 將所得的含有矽石微粒子之矽石系覆膜按實施例5相 同方法轉印矽石系覆膜於半導體基板上至實施硬化處理。- 於半導體基Η上所形成的含有矽石微粒子之矽石系覆 膜在鋁配線上具有0.5/im之膜厚，覆膜截面Κ電子顯微鏡 觀察结果，其具有良好的平坦性。 啻_例7 於無形成微粒子層之板片薄膜上將平均粒徑〇.3w m之 矽石微粒子按30重量％分散的含有聚矽氮烷之矽石系覆膜> 形成用塗布液（Ceramate_CIP, Si〇2濃度24wt% ，觸媒化 成工業股份有限公司製）依旋塗法（2 0 0 0 r p m , 2 0秒）塗布，： 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在熱板上120Ϊ!，乾燥3分鐘以形成膜厚0.6/i m之含有矽石 微粒子之覆膜。 將所得的含有矽石微粒子之矽石系覆膜按實施例5相 .同方法轉印矽石系覆膜於半導體基片上並實施硬化處理。 於半導體基片上所形成的含有矽石微粒子之矽石系覆 膜在鋁配線上具有0.3απϊ之膜厚，覆膜截面Μ電子顯微鏡 觀察结果，其具有良好的平坦性。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 1 6 3 9 3 0 6

Claims (1)

  1. 94 ο 9 2 5 __________H3 __ 第86 1 1 6596號專利申請案 申請專利範圍修正本 (91年5月24曰） —種基材之平坦化方法，其特徵爲··於使具有凹凸表面基 材之凹凸面平坦化時，係 先於平滑基材表面形成含有球狀矽石微粒子與具有 暖熔性之矽石系覆膜形成成分之矽石系覆膜； 然後，於平滑基材表面上使已形成該矽石系覆膜之 面，與具有凹凸表面之基材的凹凸面緊貼； 並轉印該矽石系之覆膜於具有凹凸表面之基材的凹 凸面； 俾使該凹凸面平坦化。 2β如申請專利範圍第1項之基材之平坦化方法，其中，該矽 石系覆膜係 於平滑基材表面上預先形成上述球狀矽石微粒子 層； 然後在該球狀矽石微粒子層上塗布含有該矽石系覆 膜形成成分之覆膜形成用塗佈液而形成者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印制衣 3. 如申請專利範圍第1項之基材之平坦化方法，其中，該矽 石系覆膜係 於上述平滑基材表面塗布含有上述球狀矽石微粒子 與上述矽石系覆膜形成成分之覆膜形成用塗佈液而形成 者。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項之基材之平坦化方 法，係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） 1 39306 529094 ____H3 _ 在轉印於平滑基材表面所形成之上述矽石系覆膜於 具有凹凸表面之基材的凹凸面上之當時或轉印後， 加熱該矽石系覆膜，熔融至少一部分覆膜使覆膜表 面平坦化； 接著，再升高溫度使該矽石系覆膜硬化，而將凹凸 面予以平坦化。 5.如申請專利範圍第1至3項之基材之平坦化方法，其中，該 矽石系覆膜形成成分係具有如下述一般式[1]
    f ^ N-- [1】 J π (式中，R1，R2及R3表示可互爲相同或不相同之氫原子， 碳原子數1至8之烷基，芳基或烷氧基而η爲1以上之整數） 所示重複單元之聚矽氮院者。 6·如申請專利範圍第4項之基材之平坦化方法，其中，該矽 石系覆膜形成成分係具有如下述一般式[1】 _ ί f - --Si—N-- 【1】 ^ R2 Jn 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 (式中，R1，R2及R3表示可互爲相同或不相同之氫原子， 碳原子數1至8之烷基，芳基或烷氧基而η爲1以上之整數） 所示重複單元之聚矽氮烷者。 7· —種經塗膜之基材，係以申請專利範圍第1項至第3項之方 法使表面平坦化。 8· —種經塗膜之基材，係以申請專利範圍第4項之方法使表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210 X 297公釐） 2 39306 529094 H3_ 面平坦化。 9. 一種經塗膜之基材，係以申請專利範圍第5項之方法使表 面平坦化。 10. —種半導體裝置之製造方法，其特徵爲：先於平滑基材 表面形成含有球狀矽石微粒子與具有暖熔性之矽石系覆 膜形成成分之矽石系覆膜； 然後藉轉印此矽石系覆膜於具有凹凸表面之半導體 基片之凹凸表面，於半導體基片表面形成含有球狀矽石微 粒子之矽石系覆膜； 而矽石系覆膜係由含具有上述一般式[1]所示重複 單元之聚矽氮烷之矽石系覆膜形成用塗布液所形成者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印制衣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 x 297公釐） 3 39306
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