TW509819B - Photomask blank and photomask - Google Patents

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509819 A7 B7 五、發明説明（1 ) 技術領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於光微影術所用之光罩用空白基板及光 罩，更詳言之，係有關LSI ，VLSI等之高密度半導 體積體電路，C C D (電荷耦合元件），L C d (液晶顯 示元件）用之彩色濾光片及磁頭等之微細加工可用之光罩 用空白基板及光罩。 先行技術 向來，LS I ，VLS I等之高密度半導體積體電路 ’ C CD (電何親合兀件），LCD (液晶顯示元件）用 之彩色濾光片，及磁頭等之微細加工，係利用含光罩之使 用的光微影技術。 上述光罩，係於石英玻璃，鋁矽酸鹽玻璃等透明基板 上，將通常之鉻系遮光膜以濺鍍法或真空蒸鍍法等成膜， 將光罩用空白基板之遮光膜形成選定之圖案作爲光罩使用 〇 經濟部智慧財4¾員工消費合作fl印製 如此之光罩，係於基板上成膜有鉻系遮光膜之光罩用 空白基板塗布光阻劑，電子束阻劑後，作選定之圖案的選 擇性曝光，經顯影，淸洗及乾燥等步驟形成阻劑圖案。其 次’以該阻劑圖案爲遮罩，用硝酸姉錢及過氯酸之混合水 溶液所成之蝕刻液作濕式蝕刻，或用氯系氣體作乾式飩刻 去除無遮罩部份之鉻系膜，然後去除阻劑，以形成由遮光 部及透光部所成之選定圖形的圖案之光罩。 此時，鉻系遮光膜之光反射率大，被曝光之半導體基 -4_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X 297公釐） 509819 A7 __B7__ 五、發明説明（2 )， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 板反射之光透過投影鏡片於光罩反射，再辑回半導體基板 ’爲防止此事，通常在遮光膜之正面，正面及背面形成有 抗反射膜。 如此之具抗反射膜的光罩及光罩用空白基板，有於透 明基板上依序層合以抗反射膜之含鉻碳化物及鉻氮化物之 鉻碳化氮化物膜，遮光膜鉻膜，及含鉻碳化物及鉻氮化物 之鉻碳化氮化物膜的光罩用空白基板之提議（日本專利特 公昭6 2 - 3 7 3 8 5號公報）。又，有以C r ON爲抗 反射膜（特公昭6 1 - 4682 1號公報，特公昭6 2 -3 2 7 8 2號公報）等之提議。另有以C I*爲遮光膜（特 公昭61 — 46821號公報），以CrC爲遮光膜（特 公昭62 - 27387號公報），及用CrN爲遮光膜（ 特公昭6 2 - 2 73 8 6號公報，特公昭6 2 -27387號公報）等之提議。 又，爲提升解析度，也有形成半色調膜再於其上形成 鉻系膜的光罩用空白基板之採用。 經濟部智慧財4笱員工消費合作社印製 發明所欲解決之課題 爲正確轉印圖案，光罩有基板須係平坦之高度要求， 無論使用多平坦的基板，仍有於該基板上形成二層或三層 以上之多數層的鉻系膜時，這些多數層之鉻系膜本身膜應 力大，成膜前後基板翹曲，表面平坦性差之問題。又，因 本膜本身之應力而表面平坦度起變化之基板，即使此時爲 平坦，之後在將鉻系膜形成圖案並去除鉻系膜時，基板之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 5 - 509819 經齊邹皆1^工消費合itfi印製 A7 B7五、發明説明（3 ) 平坦度因而起變化，則基板起翹曲，以如1¾之光罩於矽基 板等之上轉印光罩圖案時，有選定的圖案失真之問題。 近年來，隨著半導體積體電路之高積體化，微細化而 形成於半導體基板上之電路圖案的微細化，光罩上之圖案 也快速微細化，若發生如上述之由於膜應力的成膜前後之 基板翹曲，則圖案會形成在異於所欲之位置，成爲大問題 。並且，因基板翹曲而起的位置變化，尤以愈微細之圖案 其比例愈大，問題更加嚴重。 本發明即鑑於上述問題而完成，其目的在提供形成於 透明基板上的遮光膜及抗反射膜不因其本身之膜應力在成 膜前後使基板翹曲，可正確無失真地形成所欲之微細圖案 的高性能光罩用空白基板及光罩。 用以解決課題之手段及發明之實施形態 本發明人爲達上述目的一再精心探討，結果得知，透 明基板上有至少一層的遮光膜及至少一層的抗反射膜的光 罩或光罩用空白基板，以該遮光膜及抗反射膜全由 C r CO層或C r CON層，或C r CO層與C r C〇N 層所組合之複合層形成，這些C r CON層及C r C〇層 的膜應力小於以往的C i*膜，遮光膜及抗反射膜成膜前後 的基板翹曲量之變化非常小，可得高表面平坦度之光罩用 空白基板及光罩。 . 亦即，本發明係在提供下述之光罩用空白基板及光罩 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 509819 A7 B7 五、發明説明（4 ) 申請項1 : (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 透明基板上有至少一層之遮光膜及至少一層之抗反射 膜的光罩用空白基板，其特徵爲：該遮光膜及抗反射膜全 係由C r CO層或C r CON層，或C ]： CO層及 C r C〇N層組合之複合層所形成。 申請項2 : 如申請項1之光罩用空白基板，係從基板側起依序形 成之遮光膜C r C〇層，抗反射膜C 1： CON層所成。 申請項3 : 如申請項1之光罩用空白基板，係從基板側起依序形 成之遮光膜C r CON層，抗反射膜C r CON層所成。 申請項4 : 如申請項1之光罩用空白基板，係從基板側起依序形 成之第一抗反射膜C r CON層，遮光膜C r CO層，第 二抗反射膜Ci* CON層所成。 申請項5 : 如申請項1之光罩用空白基板，係從基板側起依序形 成之第一抗反射層C r C ON層，遮光膜C r CON層’ 經濟部智慧时1笱資工消費合作fi印製 第二抗反射膜C r CON層所成。 申請項6 : 如申請項1至5中任一項之光罩用空白基板’其中合 倂遮光膜及抗反射膜之膜全體的膜應力在0·2十億帕以 下。 申請項7 : 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 509819 A7 B7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如申請項1至6中任一項之光罩用空白基板，其中遮 %膜及抗反射膜的成膜前後之基板翹曲變化量在〇 . 2微 米以下。 申請項8 : 其特徵爲··以如申請項1至7中任一項之光罩用空白 基板藉光微影法形成圖案而得之光罩。 根據本發明，於透明基板上有C r C〇層或 C r CON層，或組合c r CO層及C r CON層之複合 層所成之遮光膜及抗反射膜的光罩用空白基板及光罩，因 其膜應力很小，遮光膜及抗反射膜成膜從基板不起翹曲， 所欲之微細圖案可不失真而正確形成，進而可充分應付半 導體積體電路裝置之高積體化，微細化。 又’本發明之C r CO層及C r CON層，可用較之 C〇安全之C〇2作爲濺鍍氣體，該C〇2氣體反應性低 於氧氣等之故，可於濺鍍室內大範圍以均勻之氣體循環， 成膜後之C r CO膜及C 1： CON膜其膜質得以均勻。 以下更詳細說明本發明。 本發明之光罩用空白基板，係如第1 ，3圖所示，於 石英’ C a F2等對曝光光線透明之基板1上，有至少一 層之遮光膜3及至少一層之抗反射膜2，該遮光膜3及抗 反射膜2全係C r CO層或C r CON層，或組合 C r C0層及c r CON層之複合層所形成。 此時，如第1圖所示，係遮光膜一層，抗反射膜一層 合計二層之構造的光罩用空白基板時，以依序於基板上形 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 8 - 509819 經濟部t.i时.4-^a(工消費合泎社印製 A7 B7五、發明説明（6 ) 成遮光膜，於該遮光膜上形成抗反射膜爲隹。 如此之二層構造膜，可具①遮光膜爲c r C ON層， 抗反射膜爲C r C〇N層，②遮光膜爲C r C 0層，抗反 射膜爲C r CO層，③遮光膜爲C r CON層，抗反射膜 爲C r CO層，④遮光膜爲C r CO層，抗反射膜爲 C I* C〇N層，共四種樣式。其中以①從基板側起依次形 成遮光膜C r CON層，抗反射膜C r CON層而成者， ②從基板側起依次形成遮光膜C I* C 0層，抗反射膜 C r CON層而成者爲佳。 又，如第3圖所示，當係遮光膜一層，抗反射膜二層 之共三層構造之光罩用空白基板時，係以於基板上依序形 成第一抗反射膜，於該第一抗反射膜上之遮光膜，於該第 二抗反射膜上之抗反射膜爲佳。 如此之三層構造，可有①第一抗反射膜爲C r C〇N 層，遮光膜爲C r CON層，第二抗反射膜爲C r C〇N 層，②第一抗反射膜爲C r CON層，遮光膜爲C r C〇 層，第二抗反射膜爲C r C ON層，③第一抗反射膜爲 C r C0層，遮光膜爲C r C0層，第二抗反射膜爲 C r C0層，④第一抗反射膜爲C r C0層，遮光膜爲 C r CON層，第二抗反射膜爲C r C0層，⑤第一抗反 射膜爲C r CON層，遮光膜爲C r CON層，第二抗反 射膜爲C r C0層，⑥第一抗反射膜爲c r C0層，遮光 膜爲C r C0層，第二抗反射膜爲C r CON層，⑦第一 抗反射膜爲C r C0層’遮光膜爲C r CON層，第二抗 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Tg (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 509819 Α7 Β7 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 反射膜爲C r CON層，⑧第一抗反射膜舄C r CON層 ，遮光膜爲C r C〇層，第二抗反射膜爲C r C〇層共八 種樣式。其中以①於基板側起依序形成第一抗氧化膜 C r CON層，遮光膜C r CON層，第二抗反射膜 C r C〇N層而成者，②從基板側起依序形成第一抗反射 膜C r C〇N層，遮光膜C r C0層，第二抗反射膜 CrCON層而成者爲佳。 上述C r C 0膜之組成，係以C在1原子％以上2 〇 原子％以下，〇在5原子％以上6 0原子％以下，其餘爲 C r者爲佳。 上述C I* C〇N膜之組成，則以C在1原子％以上 2 0原子％以下，〇在5原子％以上6 0原子％以下，N 在1原子％以上60原子％以下，其餘爲C r者爲佳。 而’抗反射膜之厚度可係步進機等曝光機所用之光的 波長爲Λ，膜之折射率爲η時在λ/4 η之程度。遮光膜 之厚度係可充分遮光之膜厚即可，通常在3 0至1 5 0奈 米左右。 經濟部智慧財4笱員工消費合作社印製 本發明之光罩用空白基板，係以遮光膜及抗反射膜合 併之膜全體的膜應力在〇 · 2十億帕以下者爲佳，特以在 〇至0·1十億帕爲佳。膜應力超過〇·2十億帕則因膜 應力大，成膜前後基板起翹曲，會無法轉印正確圖案。而 膜應力如此之低者，例如6"見方之基板在遮光膜及抗反 射膜成膜前後之翹曲變化量在〇 · 2微米以下，較佳者在 〇至0 · 1微米。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 509819 A7 B7 五、發明説明（8 ) 如此的本發明之鉻氧化碳化物（C r Q〇）或鉻氧化 氮化碳化物（C r C〇N )，可用鉻爲靶材以反應性濺鍍 法，從基板側起依序成膜而形成。 濺鍍法可係使用直流（D C )電源者，用射頻（R F )電源者，又可係磁控管濺鍍方式，或習知方式，而以 D C濺鍍因機構單純乃爲較佳。又，使用磁控管者成膜速 度快，生產力可提升而爲較佳。而成膜裝置可係通常型或 單片型。 具體言之，C r C〇N膜之成膜時之濺鍍氣體，可各 導入一種以上之CH4，C〇2，CO等之含碳氣體， N〇，N〇2，N2等之含氮氣體，及C〇2，NO ，〇2 等之含氧氣體，或用這些與Ar ，Ne ，Κι*等惰性氣體 混合之氣體。尤以使用C 0 2氣體爲碳源及氧源，於基板 面內之均勻性，製造時之控制性均爲較佳。導入方法可係 個別將各種濺鍍氣體導入濺鍍室內，或組合某些混合或氣 體所有氣體予以導入亦可。 C I* C 0膜之成膜時，作爲濺鍍氣體者可各導入一種 以上的CH4，C〇2，CO等之含碳氣體，及C〇2， 〇2等之含氧氣體，或使用這些以Ar ，Ne ，Kr等惰 性氣體混合之氣體。特以使用C 0 2或C Ο 2與惰性氣體 之混合氣體，因安全，C 〇2氣體之反應性低於氧之故， 可於濺鍍室內以均勻氣體廣範圍循環，成膜之C r C〇膜 其膜質均勻而爲較佳。導入方法可係個別導入濺鍍室內， 或組合某些氣體或混合所有氣體予以導入亦可。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 509819 A7 B7 五、發明説明（9 ) 靶材可用鉻單質，或以鉻爲主要成分之含氧，氮’碳 之任一的鉻，或添加氧，氮，碳之組合的鉻之靶材。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成膜用之基板無特殊限制，可用例如，透明之石英’ 鋁矽酸鹽玻璃，氟化鈣，氟化鎂等。 而本發明之光罩用空白基板的膜結構，可係C r系之 二層膜或三層膜，甚至於四層構造膜。亦可係進而組合以 變化曝光波長之相位的移相膜者。又，不只透過型，反射 型光罩亦可適應。 將如此製得的本發明之光罩用空白基板，以光微影法 形成圖案，可得如第2，4圖所示之C r CO層及 C r CON層所成之二層，三層結構之光罩。此時，遮光 膜及抗反射膜之成膜前後或膜去除前後的基板翹曲變化暈 在0·2微米以下，較佳者在0至0·1微米之故，可形 成無失真之正確圖案。 經濟部智慧財4¾肖工消費合itfi印製 具體言之，使用本發明之光罩用空白基板製造光罩時 ，如第5圖（A)所示，如上述於基板1 1上依序形成第 一抗反射層CrCON層（或CrCO層）12 ，遮光膜 CrCO層（或CrCON層）13 ，第二抗反射膜 CrCON層（或CrCO層）12後，形成阻劑膜14 ，如第5圖（B )所示，將阻劑層1 4圖案化，再如第5 圖（C)所示，作第一，第二抗反射膜12，12，遮光 膜1 3之乾式蝕刻或濕式蝕刻後.，如第5圖（D )所示， 將阻劑膜1 4剝離即得。此時，阻劑膜之塗布，圖案化（ 曝光，顯影），乾式蝕刻或濕式蝕刻，阻劑膜之去除，可 •12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 509819 經濟邹^¾財1¾¾工消費合itfi印製 A7 B7五、發明説明（10 ) 用已知方法爲之。 ^ 本發明之光罩，成膜前後基板不起翹曲，可正確形成 所欲之微細寬度的圖案，並進而能充分應付半導體積體電 路元件等之高積體化，微細化。 實施例 以下呈示實施例及比較例，具體說明本發明，唯本發 明並非僅限於下述之實施例。 〔實施例1〕 於6〃之石英基板上以C r爲靶材，使A r於 5 s c cm，C〇2於0 · 4 s c cm流通，以放電中氣 體壓力爲0·3帕，130瓦之DC濺鍍法形成70奈米 之C r CO膜。以ESCA分析該C r CO膜之組成，結 果含Cr 69原子％，C 13原子％，〇 18原子 % 〇 於該C r CO膜上，以C r爲靶材，使A r於 5sccm，C〇2 於 1 · 2sccm，N2 於 1 · 6 s c cm流通，以放電中氣體壓力爲〇 · 3帕 ，130瓦之DC濺鍍法形成25奈米之CrCON膜。 以ESCA分析該C 1： CON膜之組成，結果含C I* 42原子％，C 5原子％，〇-43原子％，N 10 原子％。 二層膜形成前後基板翹曲之變化以N I D E K之F T 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 13 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 509819 A7 B7 五、發明説明（11 ) 一 9 〇 0測定，爲非常小之〇 · 0 4微米 '又，從翹曲變 化量計算出的二層膜全體之膜應力爲0 · 0 3十億帕。 〔實施例2〕 於6 〃之石英基板上以C r爲靶材，使A r於 5sccm，C〇2K1.2sccm，N2M 1 · 6 s c cm流通，以放電中氣體壓力爲〇 · 3帕， 1 3 〇瓦之D C濺鍍法形成2 5奈米之C r C〇N膜。以 ESCA分析該C r CON膜之組成，結果含C r 42 原子％，C 5原子％，〇 43原子％，N 10原子 %。 於該C r CON膜上以C r爲靶材，使A r於 5 s c cm，C〇2於0 · 4s c cm流通，以放電中之 氣體壓力爲0 · 3帕，1 3 0瓦之DC灘鑛法形成7 0奈 米之C I* CO膜。以ESCA分析該C r CO膜之組成， 結果含Cr 69原子％，C 13原子％’〇 18原 子％。 再於該C r CO膜上以C r爲靶材，使Ar於 5sccm，C〇2 於 1 · 2sccm，N2 於 1 · 6 s c cm流通，以放電中之氣體壓力爲〇 · 3帕’ 1 3 0瓦之DC濺鍍法形成2 5奈米之C r CON膜，成 爲鉻之三層膜。以E S CA分析該C r CON膜之組成， 結果含Cr 42原子％，C 5原子％，〇 43原子 %，N 1 〇 原子 ％。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 明説明（12 S層膜形成前後的基板翹曲變化，同樣測定時爲 Q · 0 3微米的非常小値。又，同樣求得三層膜全體之膜 〜力爲〇 · 〇 2十億帕。 〔實施例3〕 於6 〃之石英基板上以C r爲靶材，使A r於 5sccm，C〇2 於 1 · 2sccm，N2 於 1 · 6 s c cm流通，以放電中氣體壓力爲Ο · 3帕， 1 3 〇瓦之DC濺鍍法形成2 5奈米之C r CON膜。以 ESCA分析該C r CON膜之組成，結果含C r 42 原子％，C 5原子％，〇 43原子％，N 10原子 %。 於該C r CON膜上以C I*爲靶材，使A r於 5 s c cm，C〇2 於 〇 · 4s c cm 流通，N2 於 〇 · 4s c cm流通，以放電中氣體壓力爲0 · 3帕， 1 30瓦之DC濺鍍法形成70奈米之C r CON膜。以 ESCA分析該C r CON膜之組成，結果含C r 6 3 原子％，C 8原子％，〇 20原子％，N 9原子％ 〇 再於該C I* CON膜上以C r爲靶材，使A r於 5sccm，C〇2 於 1 · 2sccm，N2 於 1 · 6sccm流通，以放電中之氣體壓力爲0 · 3帕， 1 3 0瓦之DC濺鍍法形成2 5奈米之C r CON膜，成 爲鉻之三層膜。以E S CA分析該C r CON膜之組成， ---------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 - 509819 A 7 B7___ 五、發明説明（13) 結果含Cr 42原子％，c 5原子％，，〇 43原子 %，N 1 〇 原子 ％。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 三層膜形成前後的基板翹曲變化’同樣測定時爲 0 · 0 5微米之非常小値。又，同樣求得之三層膜全體之 膜應力爲0 · 0 4十億帕。 〔實施例4〕 · 於6 〃之石英基板上以C r爲靶材’使A r於 5sccm，C〇2 於 〇 · 4sccm’N2 於 0 · 4 s c cm流通，以放電中氣體壓力爲〇 · 3帕’ 1 3 0瓦之DC濺鍍法形成70奈米之C r CON膜。以 ESCA分析該C r CON膜之組成，結果含C r 6 3 原子％，C 8原子％，〇 20原子％，N 9原子％ 〇 於該CrCON膜上以Cr爲靶材’使Ar於 5sccm，C〇2 於 1 · 2sccm，N2 於 1 · 6 s c cm流通，以放電中氣體壓力爲0 · 3帕， 經濟部智慧財4^7員工消費合作fi印製 1 3 0瓦之DC濺鍍法形成2 5奈米之C r CON膜。以 ESCA分析該Ci*C〇N膜之組成，結果含Cr 42 原子％，C 5原子％，〇 43原子％，N 10原子 %。 二層膜形成前後的基板翹曲變化，同樣測定得非常小 之0 · 04微米。又，從翹曲之變化量計算求出之二層膜 全體的膜應力爲0.03十億帕。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 - "~ 509819 A7 B7___ 五、發明説明（14 ) 〔比較例1〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於6 〃之石英基板上以c r爲耙材’使A r於 5sccm，C〇2 於 1 · 2sccm，N2 於 1 · 6 s c c m流通，以放電中氣體壓力爲〇 · 3帕， 1 3 〇瓦之DC濺鍍法形成2 5奈米之C r CON膜。以 E S C A分析該C r C〇N膜之組成，結果含C r 42 原子％，C 5原子％’〇 43原子％’ N 1〇原子 % 〇 於該C r CON膜上以C r爲靶材’僅A r於 5sccm流通，以放電中氣體壓力爲0·3帕，130 瓦之D C濺鍍法形成7 0奈米之C r膜。 更於該C r膜上以C r爲靶材’使A r於5 s c cm ，C〇2於1· 2sccm’N2於1·6sccm流通 ’以放電中氣體壓力爲〇 · 3帕’ 1 3 0瓦之D C擺鍍法 形成2 5奈米之C r CON膜’成爲鉻之三層膜。以 E SCA分析該C r CON膜之組成’結果含C r 4 2 經濟部智慧时4笱肖工消費合作社印製 原子％，C 5原子％，〇 43原子％，N 10原子 三層膜形成前後基板之翹曲變化1 ’同樣'測定得 1 . 63微米之大。又’同樣求得之三層膜全體的膜應力 爲1 . 5十億帕。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 17 - 509819 A7 B7 五、發明説明（15 表1 實施例 1 實施例 2 實施例 3 實施例 4 比較例 1 第一抗反射膜 CrCON CrCON 痛 CrCON 遮光膜 CrCO CrCO CrCON CrCON Cr 第二抗反射膜 CrCON CrCON CrCON CrCON CrCON 成膜前後的基板翹 曲變化量（微米） 0.04 0.30 0.05 0.04 1.63 膜應力（十億帕） 0.03 0.02 0.04 0.03 1.5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財/i^7g(工消費合作社印製 發明效果 根據本發明，於基板上有至少一層遮光膜及至少一層 抗反射膜之光罩用空白基板及光罩，因遮光膜及抗反射膜 全係C r CO層或C r CON層，或C r CO層及 C r C 0 N層所組合之複合層，膜應力小，遮光膜及抗反 射膜的成膜前後基板可無翹曲之發生，可形成無失真之正 確圖案。 圖面之簡單說明 第1圖 本發明之一實施例有關的光罩用空白基板之 剖視圖。 第2圖 同光罩之剖視圖。· 〜 第3圖 本發明之另一實施例有關的光罩用空白基板 之剖視圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - 509819 A7 B7 五、發明説明（16 ) 第4圖 同光罩之剖視圖。 . 第5圖 呈示光罩之製造法的說明圖，（A)係形成 阻劑膜之狀態，（B )係阻劑膜圖案化後之狀態，（C ) 係施以乾式蝕刻或濕式鈾刻後之狀態，（D )係去除阻劑 膜後之狀態的槪略剖視圖。 符號說明 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印髮 1，1 1 基板 2，1 2 抗反射膜 3 ， 1 3 遮光膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19 -

Claims (1)

1. 509819 κ A8 B8 C8 D8 「、申請專利範圍 第90109940號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國91年8月22日修正 1 . 一種光罩用空白基板，係於透明基板上有至少一 層遮光膜及至少一層反射膜的光罩用空白基板，其特徵爲 :該遮光膜及抗反射膜係全由組合C r C 0層或 C r CON層或C r C ◦層及C r CON層而成之複合層 所形成者。 2 .如申請專利範圍第1項之光罩用空白基板，係從 基板側起依序形成作爲遮光膜之C r C 0層、及作爲抗反 射膜之C r C〇N層所成。 3 ·如申請專利範圍第1項之光罩用空白基板，係從 基板側起依序形成作爲遮光膜之C r C 0 N層、及作爲抗 反射膜之C r C〇N層所成。 4 .如申請專利範圍第1項之光罩用空白基板，係從 基板側起依序形成作爲第一抗反射膜之C r C 0 N層、作 爲遮光膜之CrCO層、及作爲第二抗反射膜之 C r C〇N層所成。 5 .如申請專利範圍第1項之光罩用空白基板，係從 基板側起依序形成作爲第一抗反射膜之C r C〇N層、作 爲遮光膜之C r C〇N層、及作爲第二抗反射膜之 C r C〇N層所成。 6 ·如申請專利範圍第1至5項中任一項之光罩用空 白基板，其中遮光膜及抗反射膜合倂之膜全體的膜應力在 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------^-----：-I ^------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509819 A8 B8 C8 六、申請專利範圍 0 . 2十億帕以下。 7 .如申請專利.範圍第1至5項中任一項之光罩用空 白基板，其中遮光膜及抗反射膜於成膜前後的基板翹曲變 化量在0·2微米以下。 8 .如申請專利範圍第6項之光罩用空白基板，其中 遮光膜及抗反射膜於成膜前後的基板翹曲變化量在0 · 2 微米以下。 9 . 一種光罩，其特徵爲：係以將如申請專利範圍第 1至8項中任一項之光罩用空白基板以微影法形成圖案而 得者。 ---------^-----—訂'------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2-