TWI792058B - 光罩基底及光罩 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種具有成為光罩之遮罩層之光罩基底。上述遮罩層具有積層於透明基板之下抗反射層、設置於相較上述下抗反射層更遠離上述透明基板之位置之遮光層、及設置於相較上述遮光層更遠離上述透明基板之位置之上抗反射層。

Description

光罩基底及光罩
本發明係關於一種光罩基底及光罩，尤其係關於兩面為低反射之二元光罩基底、或用於二元光罩基底之製造之較佳技術。
於如FPD(flat panel display，平板顯示器)般大板用之光罩之製造中，使用具有遮光層之光罩基底作為二元遮罩。又，伴隨FPD之高精細化而更需要形成微細圖案。 於此種光罩基底中，作為包含形成有圖案之遮光層等之遮罩層，一般使用將包含鉻材料之膜積層於玻璃等透明基板之構造(專利文獻1)。
為了製作微細圖案，作為圖案形成時之雜散光對策，需要實現光罩基底之正面及背面之低反射率化(例如，波長436 nm之曝光之光之反射率為5%以下)。 作為實現正面及背面之低反射率化之光罩基底之膜構造，例如已知自玻璃基板上將抗反射層(背面)、遮光層、及抗反射層(正面)積層而成之至少具有三層構造之遮罩層。 於設置此種抗反射層之情形時，為了獲得折射率較低之膜作為該抗反射層，能夠使用經氧化之鉻氧化膜等。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-305716號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，氧濃度較高之鉻氧化膜之蝕刻速率變低。其結果，採用氧濃度較高之鉻氧化膜作為抗反射層之情形時，該抗反射層相較遮光層之蝕刻速率低，故產生抗反射層之蝕刻不進展之情形。
因此，於製作遮罩圖案之情形時，相較抗反射層，遮光層之蝕刻更進展，從而光罩基底之朝向側面之蝕刻量、亦即旁側蝕刻量於厚度方向變得不均勻。具體而言，已知有如下問題產生，即，遮罩層之厚度方向之中央部分被不必要地較多地蝕刻，從而產生形成有出簷及翻邊之剖面形狀等。
為了使圖案之剖面形狀相對於玻璃基板之面垂直，必須使各層之蝕刻速率一致，但為了維持各層之光學特性而組成比相差較大，故蝕刻速率之差無法避免地較大。因此，無法實現能夠形成垂直之圖案剖面形狀之光罩基底。
進而，於光罩基底之圖案形成中，為了提高對比度，要求欲對應相較先前之光學濃度(OD3)高之光學濃度(例如，OD5)。 為了響應上述要求，需使遮光層之氧濃度與抗反射層之氧濃度之差更大。因此，遮光層與抗反射層之蝕刻速率差會變得更大。
因此，作為於先前之光學濃度(OD3)下容許之剖面形狀之自垂直之偏移於較高光學濃度(例如，OD5)下變得不容許。
本發明係鑒於上述情形而完成，其達成以下目的，即，提供一種光罩基底，該光罩基底以低反射率具有特定之光學濃度，可使遮光層與抗反射層之蝕刻速率接近，能夠形成出簷、翻邊減少之適當之剖面形狀。 [解決問題之技術手段]
本發明之一形態之光罩基底係具有成為光罩之遮罩層者，上述遮罩層具有：下抗反射層，其積層於透明基板；遮光層，其設置於相較上述下抗反射層更遠離上述透明基板之位置；及上抗反射層，其設置於相較上述遮光層更遠離上述透明基板之位置。上述下抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化膜，上述下抗反射層所含之鉻之含有率為25 atm%～50 atm%，上述下抗反射層所含之氧之含有率為30 atm%～50 atm%，上述下抗反射層所含之氮之含有率為10 atm%～30 atm%，上述下抗反射層所含之碳之含有率為2 atm%～5 atm%。上述遮光層係包含鉻、氮之氮化膜，上述遮光層所含之鉻之含有率為70 atm%～95 atm%，氮之含有率為5 atm%～20 atm%。上述上抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化膜，上述上抗反射層所含之鉻之含有率為25 atm%～50 atm%，上述上抗反射層所含之氧之含有率為55 atm%～70 atm%，上述上抗反射層所含之氮之含有率為5 atm%～20 atm%，上述上抗反射層所含之碳之含有率為2 atm%～5 atm%。藉此，解決上述課題。
本發明之一形態之光罩基底係具有成為光罩之遮罩層者，上述遮罩層具有：下抗反射層，其積層於透明基板；遮光層，其設置於相較上述下抗反射層更遠離上述透明基板之位置；及上抗反射層，其設置於相較上述遮光層更遠離上述透明基板之位置。上述下抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化膜，上述下抗反射層所含之鉻之含有率為25 atm%～50 atm%，上述下抗反射層所含之氧之含有率為30 atm%～50 atm%，上述下抗反射層所含之氮之含有率為10 atm%～30 atm%，上述下抗反射層所含之碳之含有率為2 atm%～5 atm%。上述遮光層係包含鉻、氮、碳之碳氮化膜，上述遮光層所含之鉻之含有率為70 atm%～95 atm%，上述遮光層所含之氮之含有率為5 atm%～20 atm%，上述遮光層所含之碳之含有率為0 atm%～15 atm%。上述上抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化膜，上述上抗反射層所含之鉻之含有率為25 atm%～50 atm%，上述上抗反射層所含之氧之含有率為55 atm%～70 atm%，上述上抗反射層所含之氮之含有率為5 atm%～20 atm%，上述上抗反射層所含之碳之含有率為2 atm%～5 atm%。藉此，解決上述課題。
於本發明之一形態之光罩基底中，關於上述遮罩層之兩面，波長365 nm～436 nm之曝光之光下之反射率均為10%以下。
於本發明之一形態之光罩基底中，關於上述遮罩層之兩面，波長436 nm之曝光之光下之反射率均為5%以下。
於本發明之一形態之光罩基底中，於上述遮罩層，以光學濃度成為3.0以上之方式設定上述下抗反射層之膜厚、上述遮光層之膜厚、及上述上抗反射層之膜厚。
於本發明之一形態之光罩基底中，上述下抗反射層之膜厚為25.0 nm～35.0 nm，上述遮光層之膜厚為125.0 nm～135.0 nm，上述上抗反射層之膜厚為25.0 nm～35.0 nm。
於本發明之一形態之光罩基底中，上述遮罩層之膜厚為175.0 nm～205.0 nm。
於本發明之一形態之光罩基底中，具有設置於相較上述遮罩層更遠離上述透明基板之位置之光阻層。
本發明之一形態之光罩係自上述形態之光罩基底而製造。
本發明之一形態之光罩基底係具有成為光罩之遮罩層者，上述遮罩層具有：下抗反射層，其積層於透明基板；遮光層，其設置於相較上述下抗反射層更遠離上述透明基板之位置；及上抗反射層，其設置於相較上述遮光層更遠離上述透明基板之位置。上述下抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化膜，上述下抗反射層所含之鉻之含有率為25 atm%～50 atm%，上述下抗反射層所含之氧之含有率為30 atm%～50 atm%，上述下抗反射層所含之氮之含有率為10 atm%～30 atm%，上述下抗反射層所含之碳之含有率為2 atm%～5 atm%。上述遮光層係包含鉻、氮之氮化膜，上述遮光層所含之鉻之含有率為70 atm%～95 atm%，氮之含有率為5 atm%～20 atm%。上述上抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化膜，上述上抗反射層所含之鉻之含有率為25 atm%～50 atm%，更佳為30 atm%～50 atm%，上述上抗反射層所含之氧之含有率為55 atm%～70 atm%，上述上抗反射層所含之氮之含有率為5 atm%～20 atm%，上述上抗反射層所含之碳之含有率為2 atm%～5 atm%。藉此，解決上述課題。
藉此，可於維持遮罩層之兩面之低反射率、與必要之光學濃度之狀態下，將圖案化之剖面形狀歸於適當之範圍。具體而言，相對於上下之抗反射層，遮光層之側向蝕刻成為特定之範圍，且可使遮光層部分不會凹陷。 因此，於製造光罩時，能夠使進行光罩基底之圖案化(抗蝕劑塗佈、曝光、顯影、蝕刻)時之剖面形狀儘可能垂直。可使由該圖案之剖面形狀而受到影響之圖案之尺寸成為特定之範圍，從而能夠實現高精細之光罩。
本發明之一形態之光罩基底係具有成為光罩之遮罩層者，上述遮罩層具有：下抗反射層，其積層於透明基板；遮光層，其設置於相較上述下抗反射層更遠離上述透明基板之位置；及上抗反射層，其設置於相較上述遮光層更遠離上述透明基板之位置。上述下抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化膜，上述下抗反射層所含之鉻之含有率為25 atm%～50 atm%，上述下抗反射層所含之氧之含有率為30 atm%～50 atm%，上述下抗反射層所含之氮之含有率為10 atm%～30 atm%，上述下抗反射層所含之碳之含有率為2 atm%～5 atm%。上述遮光層係包含鉻、氮、碳之碳氮化膜，上述遮光層所含之鉻之含有率為70 atm%～95 atm%，上述遮光層所含之氮之含有率為5 atm%～20 atm%，上述遮光層所含之碳之含有率為0 atm%～15 atm%。上述上抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化膜，上述上抗反射層所含之鉻之含有率為25 atm%～50 atm%，更佳為30 atm%～50 atm%，上述上抗反射層所含之氧之含有率為55 atm%～70 atm%，上述上抗反射層所含之氮之含有率為5 atm%～20 atm%，上述上抗反射層所含之碳之含有率為2 atm%～5 atm%。藉此，解決上述課題。
藉此，可於維持遮罩層之兩面之低反射率、與必要之光學濃度之狀態下，將圖案化之剖面形狀歸於適當之範圍。具體而言，相對於上下之抗反射層，遮光層之側向蝕刻成為特定之範圍，且可使遮光層部分不會凹陷。 因此，於製造光罩時，能夠使進行光罩基底之圖案化(抗蝕劑塗佈、曝光、顯影、蝕刻)時之剖面形狀儘可能垂直。可使由該圖案之剖面形狀而受到影響之圖案之尺寸成為特定之範圍，從而能夠實現高精細之光罩。
於本發明之一形態之光罩基底中，於上述遮罩層之兩面，可使波長365 nm～436 nm之曝光之光下之反射率均為10%以下，尤其波長436 nm之曝光之光下之反射率均為5%以下。 藉此，可藉由將各層之組成比設為上述範圍而能夠實現較佳之剖面形狀，並且實現圖案化所需之低反射率之範圍。 再者，作為上述反射率，透明基板側為包含該透明基板之反射率。
於本發明之一形態之光罩基底中，於上述遮罩層，亦可以光學濃度成為3.0以上之方式設定上述下抗反射層之膜厚、上述遮光層之膜厚、及上述上抗反射層之膜厚。 藉此，可藉由將各層之組成比設為上述範圍而能夠實現較佳之剖面形狀，並且實現圖案化所需之光學濃度之範圍。
於本發明之一形態之光罩基底中，能夠使上述下抗反射層之膜厚為25.0 nm～35.0 nm，上述遮光層之膜厚為125.0 nm～135.0 nm，且上述上抗反射層之膜厚為25.0 nm～35.0 nm。 藉此，可藉由將各層之組成比設為上述範圍而能夠實現較佳之剖面形狀，並且實現圖案化所需之光學濃度之範圍。
於本發明之一形態之光罩基底中，上述遮罩層之膜厚亦可為175.0 nm～205.0 nm。 藉此，可藉由將各層之組成比設為上述範圍而能夠實現較佳之剖面形狀，並且實現圖案化所需之光學濃度之範圍與圖案化所需之低反射率之範圍。
於本發明之一形態之光罩基底中，可具有設置於相較上述遮罩層更遠離上述透明基板之位置之光阻層。
本發明之一形態之光罩可自上述任一記載之光罩基底製造。 [發明之效果]
根據本發明，能夠發揮可提供如下光罩基底之效果，即，以低反射率具有特定之光學濃度，可使遮光層與抗反射層之蝕刻速率接近，能夠形成出簷、翻邊減少之適當之剖面形狀。
以下，基於圖式說明本發明之第1實施方式之光罩基底、光罩、光罩基底之製造方法、及光罩之製造方法。 圖1係表示本實施方式之光罩基底之剖視圖，圖2係表示本實施方式之光罩基底之剖視圖，圖中，符號10B為光罩基底。
本實施方式之光罩基底10B供曝光之光之波長為365 nm～436 nm左右之範圍所使用之二元遮罩(光罩)。 如圖1所示，本實施方式之光罩基底10B包含：玻璃基板(透明基板)11、形成於該玻璃基板11上之下抗反射層12、形成於下抗反射層12上之遮光層13、及形成於遮光層13上之上抗反射層14。
亦即，遮光層13位於相較下抗反射層12更遠離玻璃基板11之位置。又，上抗反射層14設置於相較遮光層13更遠離玻璃基板11之位置。 該等下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14具有作為光罩所需之光學特性而構成低反射之積層膜即遮罩層。
進而，本實施方式之光罩基底10B亦可設為如下構成，即，對如圖1所示將下抗反射層12、遮光層13及上抗反射層14積層而成之遮罩層，如圖2所示預先成膜光阻層15。
再者，除下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14以外，本實施方式之光罩基底10B亦可設為將抗化學腐蝕層、保護層、密接層、蝕刻終止層等積層而成之構成。進而，於該等積層膜上，亦可如圖2所示形成光阻層15。
作為玻璃基板(透明基板)11，可使用透明性及光學各向同性優異之材料，例如可使用石英玻璃基板。玻璃基板11之大小並未特別限制，可根據使用該遮罩曝光之基板(例如LCD(液晶顯示器)、電漿顯示器、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示器等FPD用基板等)而適當選定。
本實施方式中，作為玻璃基板(透明基板)11，可使用一邊為100 mm左右至一邊為2000 mm以上之矩形基板，進而，亦可使用厚度為1 mm以下之基板，厚度為數mm之基板、或厚度為10 mm以上之基板。
又，亦可藉由研磨玻璃基板11之正面而降低玻璃基板11之平坦度。玻璃基板11之平坦度例如可設為20 μm以下。藉此，遮罩之焦深變深，能夠對微細且高精度之圖案形成有較大貢獻。進而，平坦度較佳為10 μm以下之較小值。
下抗反射層12具有Cr(鉻)作為主成分。下抗反射層12包含C(碳)、O(氧)及N(氮)。 進而，下抗反射層12亦可於厚度方向具有不同之組成。進而，該情形時，作為下抗反射層12，亦可將Cr單一成分、以及選自Cr之氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮化物及碳氮氧化物中之1種材料、或2種以上之材料積層而構成。 下抗反射層12如下所述，以獲得特定之光學特性及蝕刻速率之方式設定下抗反射層12之厚度、及Cr、N、C、O等之組成比(atm%)。
例如，下抗反射層12係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化膜，下抗反射層12之組成比可設定為，含鉻率(鉻濃度)為25 atm%～50 atm%，含氧率(氧濃度)為30 atm%～50 atm%，含氮率(氮濃度)為10 atm%～30 atm%，含碳率(碳濃度)為2 atm%～5 atm%。
下抗反射層12之膜厚可根據下抗反射層12所要求之光學特性而設定，且根據Cr、N、C、O等之組成比而變化。下抗反射層12之膜厚可設為25.0 nm～35.0 nm。
藉此，下抗反射層12可於波長365 nm～436 nm左右之範圍、尤其波長436 nm之曝光之光下，將包含玻璃基板11之反射率設定為5%以下。
遮光層13具有Cr(鉻)作為主成分。遮光層13包含N(氮)。 進而，遮光層13亦可於厚度方向具有不同之組成。進而，該情形時，作為遮光層13，亦可將Cr單一成分、以及選自Cr之氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮化物及碳氮氧化物中之1種材料、或2種以上之材料積層而構成。 遮光層13如下所述，以獲得特定之光學特性及蝕刻速率之方式設定遮光層13之厚度、及Cr、N、C、O等之組成比(atm%)。
例如，遮光層13係包含鉻、氮之氮化膜，可設定為鉻之含有率為70 atm%～95 atm%，氮之含有率為5 atm%～20 atm%。 或遮光層13係包含鉻、氮、碳之碳氮化膜，可設定為鉻之含有率為70 atm%～95 atm%，氮之含有率為5 atm%～20 atm%，碳之含有率為0 atm%～15 atm%。
遮光層13之膜厚可根據遮光層13所要求之光學特性而設定，且根據Cr、N、C、O等之組成比而變化。遮光層13之膜厚可設為125.0 nm～135.0 nm。
上抗反射層14具有Cr(鉻)作為主成分。上抗反射層14包含C(碳)、O(氧)及N(氮)。 進而，上抗反射層14亦可於厚度方向具有不同之組成。進而，該情形時，作為上抗反射層14，亦可將Cr單一成分、以及選自Cr之氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮化物及碳氮氧化物中之1種材料、或2種以上之材料積層而構成。 上抗反射層14如下所述，以獲得特定之光學特性及蝕刻速率之方式設定其厚度、及Cr、N、C、O等之組成比(atm%)。
例如，上抗反射層14係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化膜，可將上抗反射層14之組成比為設定為，鉻之含有率為25 atm%～50 atm%，更佳為，鉻之含有率為30 atm%～50 atm%，氧之含有率為55 atm%～70 atm%，氮之含有率為5 atm%～20 atm%，碳之含有率為2 atm%～5 atm%。
上抗反射層14之膜厚可根據上抗反射層14所要求之光學特性而設定，且根據Cr、N、C、O等之組成比而變化。上抗反射層14之膜厚可設為25.0 nm～35.0 nm。
藉此，上抗反射層14可於波長365 nm～436 nm左右之範圍、尤其波長436 nm之曝光之光下，將上抗反射層14之反射率設定為5%以下。
對於將下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14積層而成之遮罩層，可將遮罩層之膜厚設為175.0 nm～205.0 nm。
本實施方式之光罩基底10B中，關於將下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14積層而成之遮罩層之兩面，可將波長436 nm之曝光之光下之反射率均設定為5%以下。又，關於將下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14積層而成之遮罩層，可以光學濃度成為3.0以上之方式設定。
進而，本實施方式之光罩基底10B中，藉由使下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14之組成比為上述範圍，可使下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14之蝕刻速率接近，從而如下所述，能夠形成出簷或翻邊之產生減少之剖面形狀。
本實施方式之光罩基底之製造方法中，於玻璃基板(透明基板)11上成膜下抗反射層12之後，成膜遮光層13，其後，成膜上抗反射層14。
除下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14以外，將保護層、密接層、抗化學腐蝕層、及蝕刻終止層等積層之情形時，光罩基底之製造方法可具有將該等層積層之積層步驟。 作為一例，可列舉例如包含金屬矽化物之蝕刻終止層。
圖3係表示本實施方式之光罩之剖視圖。 如圖3所示，本實施方式之二元遮罩(光罩)10具有藉由將作為光罩基底10B積層之下抗反射層12、遮光層13及上抗反射層14圖案化而形成之構造。
以下，對自本實施方式之光罩基底10B製造光罩10之製造方法進行說明。
作為抗蝕劑圖案形成步驟，如圖2所示，於光罩基底10B之最外表面上形成光阻層15。或亦可預先準備於最外表面上形成有光阻層15之光罩基底10B。光阻層15可為正型亦可為負型。作為光阻層15之材料，可使用能夠對應於所謂對鉻系材料之蝕刻之材料。作為光阻層15，可使用液狀抗蝕劑。
繼而，藉由將光阻層15曝光及顯影而於相較上抗反射層14更靠外側形成抗蝕劑圖案。抗蝕劑圖案係作為用以蝕刻下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14之遮罩而發揮功能。
抗蝕劑圖案根據下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14之蝕刻圖案而適當決定形狀。作為一例，於透光區域，以成為具有與所要形成之遮光圖案之開口寬度尺寸對應之開口寬度之形狀之方式設定抗蝕劑圖案。
其次，作為上抗反射圖案形成步驟，隔著該抗蝕劑圖案使用蝕刻液將上抗反射層14濕式蝕刻而形成上抗反射圖案14p。
作為上抗反射圖案形成步驟中使用之蝕刻液，可使用包含硝酸鈰銨之蝕刻液，例如，較佳為使用含有硝酸或過氯酸等酸之硝酸鈰銨。
其次，作為遮光圖案形成步驟，隔著該上抗反射圖案14p使用蝕刻液將遮光層13濕式蝕刻而形成遮光圖案13p。
作為遮光圖案形成步驟中使用之蝕刻液，與上抗反射圖案形成步驟同樣地，可使用包含硝酸鈰銨之蝕刻液。例如，較佳為使用含有硝酸或過氯酸等酸之硝酸鈰銨。
其次，作為下抗反射圖案形成步驟，隔著形成有圖案之遮光圖案13p、上抗反射圖案14p、及抗蝕劑圖案將下抗反射層12濕式蝕刻而形成下抗反射圖案12p。
作為於下抗反射圖案形成步驟中使用之蝕刻液，與上抗反射圖案形成步驟及遮光圖案形成步驟同樣地，可使用包含硝酸鈰銨之蝕刻液。例如，較佳為使用含有硝酸或過氯酸等酸之硝酸鈰銨。
進而，本實施方式之光罩基底10B藉由將下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14之組成比設為上述範圍，而可使下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14之蝕刻速率接近。因此，由蝕刻而形成上抗反射圖案14p、遮光圖案13p、及下抗反射圖案12p之後，能夠獲得接近垂直之良好之剖面形狀作為光罩10之剖面形狀。
又，於遮光圖案形成步驟中，遮光層13之組成比設定為與上下之抗反射層12、14相比作為上述範圍不同，故與未進行特別設定之情形相比，蝕刻速率變低。因此，與此種情形之蝕刻相比，遮光圖案13p之蝕刻進展變慢。藉此，可使遮光層13、下抗反射層12及上抗反射層14之蝕刻速率接近。
亦即，上抗反射圖案14p、遮光圖案13p、及下抗反射圖案12p形成玻璃基板11正面之角(錐角)θ接近直角。例如，可使該角θ為90°左右。又，自法線方向觀察玻璃基板11，上抗反射圖案14p、遮光圖案13p、及下抗反射圖案12p均可以成為相同圖案形狀之方式進行蝕刻。
進而，於預先成膜有密接層等其他膜之光罩基底10B之情形時，藉由使用與該膜對應之蝕刻液進行濕式蝕刻等而圖案化成與上抗反射圖案14p、遮光圖案13p、及下抗反射圖案12p對應之特定之形狀。密接層等其他膜之圖案化可對應於其積層順序而於下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14之圖案化之前後作為特定之步驟進行。
進而，對下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14，藉由分別於膜厚方向上使氧濃度變化而能夠改善圖案化後之剖面形狀。 具體而言，關於下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14、亦即Cr膜，膜中之氧濃度越高，則蝕刻速率越低。因此，對於下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14，藉由使上層側之氧濃度高於下層側之氧濃度，而能夠使上層側之蝕刻速率低於下層側之蝕刻速率。 同時，於膜厚方向上除氧以外亦使碳、氮或除此以外之組成比變化，藉此能夠將蝕刻速率及光學特性設定為特定之狀態。
綜上所述，如圖3所示獲得具有上抗反射圖案14p、遮光圖案13p及下抗反射圖案12p之光罩10。
以下，基於圖式對本實施方式之光罩基底之製造方法進行說明。
圖4係表示本實施方式之光罩基底之製造裝置之模式圖。 本實施方式之光罩基底10B藉由圖4所示之製造裝置製造。
圖4所示之製造裝置S10係背插(interback)式之濺鍍裝置。製造裝置S10具有加載室S11、卸載室S16、及成膜室(真空處理室)S12。成膜室S12經由密閉機構S17而連接於加載室S11，並經由密閉機構S18而連接於卸載室S16。
於加載室S11，設置有將自外部搬入之玻璃基板11搬送至成膜室S12之搬送機構S11a、及對加載室S11內進行粗抽真空之旋轉泵等排氣機構S11f。
於卸載室S16，設置有自成膜室S12將成膜結束之玻璃基板11搬送至外部之搬送機構S16a、及對卸載室S16內進行粗抽真空之旋轉泵等排氣機構S16f。
於成膜室S12，設置有基板保持機構S12a、及作為與3個成膜處理對應之機構之三段成膜機構S13、S14、S15。
基板保持機構S12a以將由搬送機構S11a搬送來之玻璃基板11於成膜中與靶S13b、S14b、S15b對向之方式保持玻璃基板11。基板保持機構S12a能夠將玻璃基板11自加載室S11搬入及搬出至卸載室S16。
於成膜室S12之構造中，於加載室S11附近之位置，設置有三段成膜機構S13、S14、S15中之供給第一段之成膜材料之成膜機構S13。 成膜機構S13具有：具有靶S13b之陰極電極(背襯板)S13c、及對背襯板S13c施加負電位之濺鍍電壓之電源S13d。
成膜機構S13具有：氣體導入機構S13e，其於成膜室S12內重點將氣體導入至陰極電極(背襯板)S13c附近之區域；及渦輪分子泵等高真空排氣機構S13f，其於成膜室S12內重點對陰極電極(背襯板)S13c附近之區域進行高抽真空。
進而，於成膜室S12之加載室S11與卸載室S16之中間位置，設置有三段成膜機構S13、S14、S15中之供給第二段之成膜材料之成膜機構S14。 成膜機構S14具有：具有靶S14b之陰極電極(背襯板)S14c、及對背襯板S14c施加負電位之濺鍍電壓之電源S14d。
成膜機構S14具有：氣體導入機構S14e，其於成膜室S12內重點將氣體導入至陰極電極(背襯板)S14c附近之區域；及渦輪分子泵等高真空排氣機構S14f，其於成膜室S12內重點對陰極電極(背襯板)S14c附近之區域進行高抽真空。
進而，於成膜室S12之構造中，於卸載室S16附近之位置，設置有三段成膜機構S13、S14、S15中之供給第三段之成膜材料之成膜機構S15。 成膜機構S15具有：具有靶S15b之陰極電極(背襯板)S15c、及對背襯板S15c施加負電位之濺鍍電壓之電源S15d。
成膜機構S15具有：氣體導入機構S15e，其於成膜室S12內重點將氣體導入至陰極電極(背襯板)S15c附近之區域；及渦輪分子泵等高真空排氣機構S15f，其於成膜室S12內重點對陰極電極(背襯板)S15c附近之區域進行高抽真空。
於成膜室S12，設置有防氣壁S12g，其於陰極電極(背襯板)S13c、S14c、S15c附近之區域，以使分別自氣體導入機構S13e、S14e、S15e供給之氣體不混入至相鄰之成膜機構S13、S14、S15之方式抑制氣流。該等防氣壁S12g以基板保持機構S12a能夠分別於相鄰之成膜機構S13、S14、S15間移動之方式構成。
三段成膜機構S13、S14、S15分別具有於成膜室S12用以於玻璃基板11上依序成膜之必要之組成、條件。 本實施方式中，成膜機構S13對應於下抗反射層12之成膜，成膜機構S14對應於遮光層13之成膜，成膜機構S15對應於上抗反射層14之成膜。
具體而言，於成膜機構S13中，靶S13b包含具有鉻之材料作為用以於玻璃基板11上成膜下抗反射層12之必要之組成。
同時，於成膜機構S13中，作為自氣體導入機構S13e供給之氣體，製程氣體對應於下抗反射層12之成膜而含有碳氣、氮氣、氧氣等，且與氬氣、氮氣體等濺鍍氣體一起設為特定之氣體分壓而設定條件。
又，配合成膜條件自高真空排氣機構S13f進行排氣。 又，於成膜機構S13中，對應於下抗反射層12之成膜而設定自電源S13d施加至背襯板S13c之濺鍍電壓。
又，於成膜機構S14中，靶S14b包含具有鉻之材料作為用以於下抗反射層12上成膜遮光層13之必要之組成。
同時，於成膜機構S14中，作為自氣體導入機構S14e供給之氣體，製程氣體對應於遮光層13之成膜而含有碳氣、氮氣、氧氣等，且與氬氣、氮氣等濺鍍氣體一起設定為特定之氣體分壓。
又，配合成膜條件自高真空排氣機構S14f進行排氣。 又，成膜機構S14中，對應於遮光層13之成膜而設定自電源S14d施加至背襯板S14c之濺鍍電壓。
又，成膜機構S15中，靶S15b包含具有鉻之材料作為用以於遮光層13上成膜上抗反射層14之必要之組成。
同時，成膜機構S15中，作為自氣體導入機構S15e供給之氣體，製程氣體對應於上抗反射層14之成膜而含有碳氣、氮氣、氧氣等，且與氬氣、氮氣等濺鍍氣體一起設為特定之氣體分壓而設定條件。
又，配合成膜條件自高真空排氣機構S15f進行排氣。 又，成膜機構S15中，對應於上抗反射層14之成膜而設定自電源S15d施加至背襯板S15c之濺鍍電壓。
圖4所示之製造裝置S10中，對由搬送機構S11a自加載室S11搬入之玻璃基板11，於成膜室(真空處理室)S12中由基板保持機構S12a搬送並進行三段之濺鍍成膜。其後，由搬送機構S16a自卸載室S16將成膜結束之玻璃基板11搬出至外部。
於下抗反射層形成步驟中，於成膜機構S13，自氣體導入機構S13e將濺鍍氣體與反應氣體作為供給氣體供給至成膜室S12之背襯板S13c附近之區域。該狀態下，自外部之電源對背襯板(陰極電極)S13c施加濺鍍電壓。又，亦可藉由磁控磁路於靶S13b上形成特定之磁場。
於成膜室S12內之背襯板S13c附近之區域由電漿激發之濺鍍氣體之離子碰撞到陰極電極S13c之靶S13b而使成膜材料之粒子飛出。然後，飛出之粒子與反應氣體結合之後，附著於玻璃基板11，藉此於玻璃基板11之正面以特定之組成形成下抗反射層12。
同樣地，於遮光層形成步驟中，於成膜機構S14，自氣體導入機構S14e將濺鍍氣體與反應氣體作為供給氣體供給至成膜室S12之背襯板S14c附近之區域。該狀態下，自外部之電源對背襯板(陰極電極)S14c施加濺鍍電壓。又，亦可藉由磁控磁路於靶S14b上形成特定之磁場。
於成膜室S12內之背襯板S14c附近之區域由電漿激發之濺鍍氣體之離子碰撞到陰極電極S14c之靶S14b而使成膜材料之粒子飛出。然後，飛出之粒子與反應氣體結合之後，附著於下抗反射層12，藉此於下抗反射層12之正面以特定之組成形成遮光層13。
同樣地，於上抗反射層形成步驟中，於成膜機構S15，自氣體導入機構S15e將濺鍍氣體與反應氣體作為供給氣體供給至成膜室S12之背襯板S15c附近之區域。該狀態下，自外部之電源對背襯板(陰極電極)S15c施加濺鍍電壓。又，亦可藉由磁控磁路於靶S15b上形成特定之磁場。
於成膜室S12內之背襯板S15c附近之區域由電漿激發之濺鍍氣體之離子碰撞到陰極電極S15c之靶S15b而使成膜材料之粒子飛出。然後，飛出之粒子與反應氣體結合之後，附著於遮光層13，藉此於遮光層13之正面以特定之組成形成上抗反射層14。
此時，於下抗反射層12之成膜中，自氣體導入機構S13e供給成為特定之分壓之含氮氣體、含氧氣體、含碳氣體、及濺鍍氣體等且以控制該分壓之方式進行切換，使下抗反射層12之組成處於所設定之範圍內。
又，於遮光層13之成膜中，自氣體導入機構S14e供給成為特定之分壓之含氮氣體、含氧氣體、含碳氣體、及濺鍍氣體等且以控制該分壓之方式進行切換，使遮光層13之組成處於所設定之範圍內。
此時，於上抗反射層14之成膜中，自氣體導入機構S15e供給成為特定之分壓之含氮氣體、含氧氣體、含碳氣體、及濺鍍氣體等且以控制該分壓之方式進行切換，使上抗反射層14之組成為所設定之範圍內。
此處，作為含氧氣體，可列舉CO2 (二氧化碳)、O2 (氧)、N2 O(一氧化二氮)、NO(一氧化氮)、CO(一氧化碳)等。 又，作為含碳氣體，可列舉CO2 (二氧化碳)、CH4 (甲烷)、C2 H6 (乙烷)、CO(一氧化碳)等。 再者，於下抗反射層12、遮光層13、上抗反射層14之成膜中，若需要亦亦可更換靶S13b、S14b、S15b。
進而，有除該等下抗反射層12、遮光層13、上抗反射層14之成膜外還積層其他膜之情形。該情形時，將與其他膜之材料對應之靶、氣體等作為濺鍍條件藉由濺鍍而成膜，或藉由其他成膜方法將該膜積層，製造本實施方式之光罩基底10B。
以下，對本實施方式之下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14之膜特性進行說明。
首先，於用以形成遮罩之玻璃基板11上，使用濺鍍法等形成成為下抗反射層12之主成分膜之鉻化合物膜。此時形成之化合物膜較理想為含有鉻、氧、氮、碳等之膜。藉由控制下抗反射層12之膜中含有之鉻、氧、氮、碳之組成與膜厚而能夠形成具有所需之光學特性與蝕刻速率之下抗反射層12。鉻化合物具有相對於酸或鹼溶液之抗藥液性較強之性質及疏水性之性質，故適宜用於與光阻接觸之界面。
其次，使用濺鍍法等形成成為遮光層13之鉻化合物膜。
此處，於僅由鉻化合物膜形成遮光層13，不存在除此以外之膜之情形時，反射率較高，為約25%。因此，較理想為藉由於遮光層13之正面及背面形成成為低反射層之上下之抗反射層12、14而降低反射率。
如此，藉由將下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14積層，而能夠以抗藥液性較強之鉻化合物之材料形成使光罩10具有所需之較高之光學濃度(OD5)、與所需之蝕刻速率等之遮罩層。
具體而言，作為下抗反射層12與上抗反射層14之成膜中使用之氣體，可選擇Ar、NO、CO2 。此處，藉由將NO:CO2 氣體之比率設定為1：10～10：1，而可獲得出簷、翻邊較少之良好之剖面形狀。進而，可知對於波長365 nm～436 nm之曝光之光，可使反射率為10%以下，尤其對於波長436 nm之曝光之光，可使反射率為5%以下。
又，可知藉由將下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14之膜厚分別設定為25.0 nm～35.0 nm、125.0 nm～135.0 nm、25.0 nm～35.0 nm之範圍而使光罩10具有所需之較高之光學濃度(OD5)。 [實施例]
其次，對下抗反射層12、遮光層13、及上抗反射層14之成膜中之組成比進行驗證。
＜實施例1＞ 於玻璃基板上使用濺鍍法成膜成為三層遮罩層之鉻化合物。 於形成成為遮光層之鉻化合物膜時，藉由氮氣進行濺鍍。 於形成成為上下之抗反射層之鉻化合物膜時，藉由氮氣進行濺鍍。又，作為氧化性氣體，選擇CO2 氣體與NO氣體，對於各個氣體，使其分壓變化。將其氣體比示於表1。
[表1]
   實施例1 NO:CO2 實施例2 NO:CO2 比較例1 NO:CO2 比較例2 NO:CO2 比較例3 NO:CO2
上抗反射層 69%:31% 68%:32% 0%:100% 0%:100% 100%:0%
下抗反射層 66%:34% 64%:36% 0%:100% 65%:35% 100%:0%
又，將下抗反射層12之膜厚、遮光層13之膜厚、上抗反射層14之膜厚、及遮罩層之總膜厚示於表2。
[表2]
10-1 nm 實施例1 實施例2 比較例1 比較例2 比較例3
上抗反射層 320 310 380 350 350
遮光層 1290 1320 1170 1150 1140
下抗反射層 320 320 310 350 380
遮罩層 1930 1950 1860 1850 1870
藉由歐傑電子能譜法求出實施例1之各層中之N、O、Cr、C之組成比之變化。將其結果示於表3。
[表3]
   實施例1
   [N](%) [O](%) [Cr](%) [C](%)
上抗反射層 5~13% 56~67% 25~32% 2~4%
遮光層 5~8% - 82~90% -
下抗反射層 15~19% 38~44% 34~38% 4~5%
又，將與實施例1之波長相應之正面(上抗反射層側)之分光反射率示於圖5、表4。
[]表4]
正面反射 R%(365 nm) R%(405 nm) R%(436 nm)
實施例1 6.5% 4.2% 4.6%
實施例2 8.2% 4.5% 3.8%
比較例1 4.6% 2.8% 3.9%
比較例2 5.6% 2.9% 3.3%
比較例3 4.1% 4.5% 7.1%
同樣地，將與實施例1之波長相應之背面(玻璃基板側)之分光反射率示於圖6、表5。
[表5]
背面反射 R%(365 nm) R%(405 nm) R%(436 nm)
實施例1 6.7% 4.7% 4.4%
實施例2 8.2% 5.6% 4.6%
比較例1 6.4% 10.7% 15.3%
比較例2 7.9% 5.6% 4.4%
比較例3 5.3% 8.7% 12.6%
根據該等結果可知，實施例1中，正面及背面一起於波長365 nm～436 nm之曝光之光下之反射率均為10%以下，尤其對於波長436 nm之曝光之光，反射率成為5%以下。
＜實施例2＞ 於玻璃基板上使用濺鍍法成膜成為三層遮罩層之鉻化合物。 於形成成為遮光層之鉻化合物膜時，藉由氮氣進行濺鍍。 於形成成為上下之抗反射層之鉻化合物膜時，藉由氮氣進行濺鍍。又，作為氧化性氣體，選擇CO2 氣體與NO氣體，且對於各個氣體，使其分壓變化。將其氣體比示於表1。
又，將下抗反射層12之膜厚、遮光層13之膜厚、上抗反射層14之膜厚、及遮罩層之總膜厚示於表2。
藉由歐傑電子能譜法求出實施例2之各層中之N、O、Cr、C之組成比之變化。將其結果示於表6。
[表6]
   實施例2
   [N](%) [O](%) [Cr](%) [C](%)
上抗反射層 5~12% 55~68% 25~30% 2~4%
遮光層 5~8% - 78~85% 7~11%
下抗反射層 15～20% 39~44% 32~37% 3~5%
又，將與實施例2之波長相應之正面(上抗反射層側)之分光反射率示於圖5、表4。
同樣地，將與實施例2之波長相應之背面(玻璃基板側)之分光反射率示於圖6、表5。
根據該等結果可知，實施例2中，正面及背面一起於波長365 nm～436 nm之曝光之光下之反射率均為10%以下，尤其對於波長436 nm之曝光之光，反射率成為5%以下。
＜比較例1～3＞ 與上述實施例1同樣地，使用濺鍍法成膜成為三層遮罩層之鉻化合物。 比較例1、3中，於形成成為遮光層之鉻化合物膜時，藉由氬氣、氮氣進行濺鍍。比較例2中，於形成成為遮光層之鉻化合物膜時，藉由氮氣、氬氣、甲烷氣體進行濺鍍。 於形成成為上下之抗反射層之鉻化合物時，藉由氮氣進行濺鍍。又，作為氧化性氣體，選擇CO2 氣體與NO氣體，對於各個氣體，使其分壓變化。將其氣體比示於表1。
又，將下抗反射層12、遮光層13、上抗反射層14之膜厚、及作為遮罩層之總膜厚示於表2。 藉由歐傑電子能譜法求出比較例1～3之各層中之N、O、Cr、C之組成比之變化。將其結果示於表7～表9。
[表7]
   比較例1
[N](%) [O](%) [Cr](%) [C](%)
上抗反射層 9~13% 48~58% 28~33% 5~7%
遮光層 11~16% - 77~82% -
下抗反射層 11~16% 42-49% 33~37% 5~7%
[表8]
   比較例2
[N](%) [O](%) [Cr](%) [C](%)
上抗反射層 9~14% 49~59% 28~32% 4~6%
遮光層 13~15% - 72~77% 5~10%
下抗反射層 14~23% 33~46% 37~45% 2~8%
[表9]
   比較例3
   [N](%) [O](%) [Cr](%) [C](%)
上抗反射層 4~8% 63~70% 25~28% 1~2%
遮光層 11~15% - 73~82% -
下抗反射層 7~10% 55~60% 31~34% 1~2%
進而，將與比較例1～3之波長相應之正面(上抗反射層側)之分光反射率示於圖5、表4。
同樣地，將與比較例1～3之波長相應之背面(玻璃基板側)之分光反射率示於圖6、表5。
根據該等結果可知，比較例1～3中，於正面波長365 nm～436 nm之曝光之光下之反射率成為10%以下，比較例2中，於背面波長365 nm～436 nm之曝光之光下之反射率成為10%以下。然而，可知比較例1、3中背面之反射率不會成為10%以下。
必須根據遮光層與抗反射層之目的，大幅改變各層之膜中之氣體組成比。遮光層為了獲取較高之光學濃度(例如，OD5)，必須減少氧化性氣體。又，抗反射層為了實現低反射率化，必須將氧化性氣體較多地引入至膜中。因此，於遮光層與抗反射層，膜中之氣體組成比變大，從而會產生蝕刻速率差。
其次，對下抗反射層12、遮光層13、上抗反射層14之成膜中之蝕刻形狀進行驗證。
＜實施例1＞ 對實施例1中製作之光罩基底進行圖案化(抗蝕劑塗佈、曝光、顯影、蝕刻)，藉由SEM觀察其剖面形狀。將其結果示於圖7。又，將圖案化邊界之俯視圖示於圖12。 再者，圖7中之倍率為80000倍。圖12中之倍率為30000倍。
其結果，實驗例1中，出簷(上抗反射層自遮光層凸出之長度)：50 nm，翻邊(下抗反射層自遮光層凸出之長度)：59 nm。
＜實施例2＞ 對實施例2中製作之光罩基底進行圖案化(抗蝕劑塗佈、曝光、顯影、蝕刻)，藉由SEM觀察其剖面形狀。將其結果示於圖8。又，將圖案化邊界之俯視圖示於圖13。 再者，圖8中之倍率為80000倍。圖13中之倍率為30000倍。
其結果，實驗例2中，出簷(上抗反射層自遮光層凸出之長度)：57 nm，翻邊(下抗反射層自遮光層凸出之長度)：40 nm。
＜比較例1＞ 與實施例1同樣地，對所製作之光罩基底進行圖案化(抗蝕劑塗佈、曝光、顯影、蝕刻)，藉由SEM觀察其剖面形狀。將其結果示於圖9。又，將圖案化邊界之俯視圖示於圖14。 再者，圖9中之倍率為80000倍。圖14中之倍率為30000倍。
其結果，比較例1中，出簷(上抗反射層自遮光層凸出之長度)為79 nm，翻邊(下抗反射層自遮光層凸出之長度)為145 nm。
＜比較例2＞ 與實施例1同樣地，對所製作之光罩基底進行圖案化(抗蝕劑塗佈、曝光、顯影、蝕刻)，藉由SEM觀察其剖面形狀。將其結果示於圖10。又，將圖案化邊界之俯視圖示於圖15。 再者，圖10中之倍率為80000倍。圖15中之倍率為30000倍。
其結果，比較例2中，出簷(上抗反射層自遮光層凸出之長度)：140 nm，翻邊(下抗反射層自遮光層凸出之長度)：52 nm。
＜比較例3＞ 與實施例1同樣地，對所製作之光罩基底進行圖案化(抗蝕劑塗佈、曝光、顯影、蝕刻)，藉由SEM觀察其剖面形狀。將其結果示於圖11。又，將圖案化邊界之俯視圖示於圖16。 再者，圖11中之倍率為80000倍。圖16中之倍率為30000倍。
其結果，比較例3中，出簷(上抗反射層自遮光層凸出之長度)為128 nm，翻邊(下抗反射層自遮光層凸出之長度)為154 nm。
根據該等結果而可確認，比較例1～3中，與遮光層相比，玻璃層側(背面)之抗反射層及上側(正面)之抗反射層均成突出之形狀(上層為出簷形狀，下層為翻邊形狀)。其係由於抗反射層與遮光層之蝕刻速率差。 可知，本發明之光罩基底可形成良好之剖面形狀，可製造高精細之光罩。
10:光罩 10B:光罩基底 11:玻璃基板(透明基板) 12:下抗反射層 12p:下抗反射圖案 13:遮光層 13p:遮光圖案 14:上抗反射層 14p:上抗反射圖案 15:光阻層 S10:製造裝置 S11:加載室 S11a:搬送機構 S11f:排氣機構 S12:成膜室 S12a:基板保持機構 S12g:防氣壁 S13:成膜機構 S13b:靶 S13c:陰極電極 S13d:電源 S13e:氣體導入機構 S13f:高真空排氣機構 S14:成膜機構 S14b:靶 S14c:陰極電極 S14d:電源 S14e:氣體導入機構 S14f:高真空排氣機構 S15:成膜機構 S15b:靶 S15c:陰極電極 S15d:電源 S15e:氣體導入機構 S15f:高真空排氣機構 S16:卸載室 S16a:搬送機構 S16f:排氣機構 S17:密閉機構 S18:密閉機構
圖1係表示本發明之第1實施方式之光罩基底之剖視圖。 圖2係表示本發明之第1實施方式之光罩基底之剖視圖。 圖3係表示本發明之第1實施方式之光罩之剖視圖。 圖4係表示本發明之第1實施方式之光罩基底、光罩之製造方法中之成膜裝置之模式圖。 圖5係表示本發明之光罩基底之實施例及比較例之正面分光反射率之曲線圖。 圖6係表示本發明之光罩基底之實施例及比較例之背面分光反射率之曲線圖。 圖7係表示本發明之光罩基底之實施例1之圖案化後之剖面形狀之SEM照片。 圖8係表示本發明之光罩基底之實施例2之圖案化後之剖面形狀之SEM照片。 圖9係表示本發明之光罩基底之比較例1之圖案化後之剖面形狀之SEM照片。 圖10係表示本發明之光罩基底之比較例2之圖案化後之剖面形狀之SEM照片。 圖11係表示本發明之光罩基底之比較例3之圖案化後之剖面形狀之SEM照片。 圖12係表示本發明之光罩基底之實驗例1之圖案化後之形狀之俯視SEM照片。 圖13係表示本發明之光罩基底之實驗例2之圖案化後之形狀之俯視SEM照片。 圖14係表示本發明之光罩基底之比較例1之圖案化後之形狀之俯視SEM照片。 圖15係表示本發明之光罩基底之比較例2之圖案化後之形狀之俯視SEM照片。 圖16係表示本發明之光罩基底之比較例3之圖案化後之形狀之俯視SEM照片。
10B:光罩基底
11:玻璃基板(透明基板)
12:下抗反射層
13:遮光層
14:上抗反射層

Claims (8)

  1. 一種光罩基底，其係具有成為光罩之遮罩層者，上述遮罩層具有：下抗反射層，其積層於透明基板；遮光層，其設置於相較上述下抗反射層更遠離上述透明基板之位置；及上抗反射層，其設置於相較上述遮光層更遠離上述透明基板之位置；且上述下抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化鉻膜，上述下抗反射層所含之鉻之含有率為25atm%~38atm%，上述下抗反射層所含之氧之含有率為30atm%~50atm%，上述下抗反射層所含之氮之含有率為10atm%~30atm%，上述下抗反射層所含之碳之含有率為2atm%~5atm%，上述遮光層係包含鉻、氮之氮化鉻膜，上述遮光層所含之鉻之含有率為70atm%~95atm%，氮之含有率為5atm%~20atm%，且上述遮光層包含選自碳與氧之一種以上之元素作為任意成分，上述上抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化鉻膜，上述上抗反射層所含之鉻之含有率為25atm%~32atm%，上述上抗反射層所含之氧之含有率為55atm%~67atm%，上述上抗反射層所含之氮之含有率為5atm%~20atm%，上述上抗反射層所含之碳之含有率為2atm%~5atm%，且關於上述遮罩層之兩面，波長365nm~436nm之曝光之光下之反射 率均為10%以下。
  2. 一種光罩基底，其係具有成為光罩之遮罩層者，上述遮罩層具有：下抗反射層，其積層於透明基板；遮光層，其設置於相較上述下抗反射層更遠離上述透明基板之位置；及上抗反射層，其設置於相較上述遮光層更遠離上述透明基板之位置；且上述下抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化鉻膜，上述下抗反射層所含之鉻之含有率為25atm%~37atm%，上述下抗反射層所含之氧之含有率為30atm%~50atm%，上述下抗反射層所含之氮之含有率為10atm%~30atm%，上述下抗反射層所含之碳之含有率為2atm%~5atm%，上述遮光層係包含鉻、氮、碳之碳氮化鉻膜，上述遮光層所含之鉻之含有率為78atm%~85atm%，上述遮光層所含之氮之含有率為5atm%~8atm%，上述遮光層所含之碳之含有率為7atm%~11atm%，且上述遮光層包含氧作為任意成分，上述上抗反射層係包含鉻、氧、氮、碳之碳氮氧化鉻膜，上述上抗反射層所含之鉻之含有率為25atm%~30atm%，上述上抗反射層所含之氧之含有率為55atm%~68atm%，上述上抗反射層所含之氮之含有率為5atm%~12atm%，上述上抗反射層所含之碳之含有率為2atm%~5atm%，且 關於上述遮罩層之兩面，波長365nm~436nm之曝光之光下之反射率均為10%以下。
  3. 如請求項1或2之光罩基底，其中關於上述遮罩層之兩面，波長436nm之曝光之光下之反射率均為5%以下。
  4. 如請求項1或2之光罩基底，其中於上述遮罩層，以光學濃度成為3.0以上之方式設定上述下抗反射層之膜厚、上述遮光層之膜厚、及上述上抗反射層之膜厚。
  5. 如請求項4之光罩基底，其中上述下抗反射層之膜厚為25.0nm~35.0nm，上述遮光層之膜厚為125.0nm~135.0nm，上述上抗反射層之膜厚為25.0nm~35.0nm。
  6. 如請求項5之光罩基底，其中上述遮罩層之膜厚為175.0nm~205.0nm。
  7. 如請求項1之光罩基底，其具有設置於相較上述遮罩層更遠離上述透明基板之位置之光阻層。
  8. 一種光罩，其係自如請求項1至7中任一項之光罩基底而製造。
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