TW508701B - Method for manufacturing single-crystal silicon wafer - Google Patents

Description

508701 A7 ___B7 五、發明説明（i ) 〔技術領域〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關一表層部具有無缺陷層（D Z層）且本 體部具有充分的除氣區（gettering site)之單晶砂晶圓之製 造方法。 〔背景技術〕 單晶矽晶圓在裝置之特性上’要求做爲裝置之表層部 沒有結晶缺陷。另外，因爲在裝置製作工程中有容易混入 令裝置特性惡化之重金屬之污染之工程存在，因此要一種 在晶圓之本體部具有該等重金屬污染之除氣區且內在除氣 效果（Intrinsic gette ring; I G )高之晶圓（I G wafer) 〇 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 在晶圓內部形成氧析出物或由其引起之轉位及層合缺 陷等之結晶缺陷（以下簡稱氧誘導缺陷）之方法有例如對 以切克勞斯基法.（czochralski method, C Z )製作之含有 某種濃度之C Z單晶矽晶圓，施加多段之< I G熱處理（例 如，高溫，低溫，中溫之三階段熱處理等），以形D Z屬 於表層部，而在本體部形成氧誘導缺陷之手法較爲業者所 知。 但是如以此種方法製作I G能力高之I G晶圓，則成 爲裝置活性層之表層部上也有增加氧誘導缺陷之傾向之問 題。此係因爲I G能力大大依存於晶圓內部之氧析出物之 量（氧析出物之密度），要提高其密度之最簡單之方法是 提高含在要實施I G熱處理之矽晶圓之晶格間氧氣濃度， -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 508701 A7 B7_ 五、發明説明（2) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 惟晶圓表層部之氧析出物也因此而增加。此外，爲使內部 誘導高密度之結晶缺陷而長時間進行熱處理時，由於長時 間之熱處理，存在於內部之氧誘導缺陷長大，有時達到裝 置活性區域。 另外，在c Z晶圓中，於c Z結晶培養中所形成之生 長（grown-m)缺陷除了微細之氧析出物之外，還有被認爲 是原子空孔之聚集體之空洞型之結晶缺陷（以下簡稱爲空 隙缺陷〔亦稱C〇P〕）存在爲人所知。亦即，雖說是 D Z層（無缺陷層），實際上被無缺陷化（低缺陷化）者 爲由氧析出物所引起之缺陷，並非同時降低此種空隙（V01d )缺陷者。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 業者所要求者爲可有效率製造一種由表面到某特定深 度爲止沒有結晶缺陷，又由表面到某特定深度更深之區域 中存在著充分之氧析出物等之除氣區（gettenng site)，且 具有優異之除氣能力之晶圓。之所以要有優異之除氣能力 之理由是由於在裝置工程中降低產率之原因之一有重金屬 雜質之影響所致，如果晶圓內部之氧析出物等之除氣區未 充分形成，則成爲除氣不足且重金屬在裝置之活性層被捕 捉，以致發生漏電流之增加等之裝置特性之惡化。 當然，如果能在裝置工程之所有工程中保持洗淨度， 則再好沒有，但實際上晶圓要完全避免重金屬之污染等是 不可能的。因此期望在晶圓內部充分形成做爲除氣區之氧 誘導缺陷。同時，成爲裝置活性層之晶圓表層部之不存在 氧析出物與空隙缺陷等之結晶缺陷之區域宜存在於相當之 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚） 508701 A7 B7 五、發明説明（3) 深度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔發明之揭示〕 因此’本發明之主要目的在提供製造一種晶圓表層部 具有比先前品質高之D Z層，且基體部具有充分密度之氧 透導缺陷之單晶矽晶圓之方法。 爲解決上述課題，本發明之單晶矽晶圓製造方法之發 明爲藉由對含有晶格間氧之單晶矽晶圓實施熱處理以製造 具有氧誘導缺陷之單晶矽晶圓之方法，其特徵爲：上述熱 處理至少具備利用電阻加熱式之熱處理爐進行熱處理之工 程以及利用快速加熱、快速冷卻裝置進行熱處理之工程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上所述，本發明做爲在基體部形成氧析出物等之除 氣區之析出熱處理及去除晶圓表面之空隙缺陷之熱處理， 以使用電阻加熱式之熱處理爐（一次可處理多片晶圓之所 謂之分批式爐（batch furnace)，通常有縱式爐與橫式爐） 以及快速加熱、快速冷卻裝置（通常爲葉片式，可在數秒 至數十秒左右升溫至目標溫度，即所謂之快速熱退火（ Rapid Thermal Annealing ;簡稱R T A )裝置，多採用利用 紅外線燈之燈泡加熱方式）兩者進行熱處理爲其特徵。藉 由將組合該等裝置進行熱處理，即可促進氧誘導缺陷之發 生並獲得擴大降低空隙缺陷之區域（以下簡稱無空隙區域 )之效果。 此時，利用電阻加熱式之熱處理爐之熱處理宜在 1 0 0 0至1 3 0 0 °C下進行1 0至3 〇 〇分鐘，而利用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：Z97公釐） -6- 508701 A7 B7 五、發明説明（4) 快速加熱、快速冷卻裝置之熱處理宜在1 0 0 0至 1350 °C下進行1至300秒。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此爲對用於本發明之熱處理之兩種裝置所設定之熱處 理條件之適當範圍。 如低於本範圍之溫度或時間時，氧誘導缺陷之促進與 無空隙區域之擴大效果不充分，反之，溫度過高，時間過 長，則由重金屬污染所導致之裝置特性之惡化趨於顯著， 對裝置之負擔變大以致裝置之耐久性發生問題，以及產量 降低等理由導致成本增加而不實用。 另外，此時要用於進行熱處理之單晶矽晶圓宜使用在 氮濃度爲lxl 01D至5x1 015個/ cm3之範圍內被摻 雜之單晶矽晶圓。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 如摻入氮時，生長缺陷之密度雖會變大，但尺寸變小 ，因此如施加熱處理即可有效率地消滅表層部之生長缺陷 ，而且在基體部可以獲高密度之氧析出物。如果氮濃度小 於下限値，則由於摻入氮而導致之上述之效果無法充分獲 得，另一方面，如超過上限値時，在培養結晶時會成爲單 晶化之妨礙。 另外，要進行熱處理之單晶矽晶圓宜使用在碳濃度在 0 · 1至5 p p m a之範圍內摻雜之單晶矽晶圓。： 如上所述，藉由摻入碳也可以促進氧之析出，要得到 該效果，需要0 . 1 p p m a以上之濃度，如超過5 p p m a時，與氮之情形相同，會成爲單晶培養時之單晶 化之妨礙。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 508701 A7 ___ B7 五、發明説明（5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明提供，以上述製造方法所製造之表層部具有未 存在氧誘導缺陷與空隙等結晶缺陷之無缺陷層，而且在基 體部具有充分除氣區之單晶矽晶圓。 依據本發明，可以製造在晶圓表層部具有比先前品質 更高之D Z層，而且基體部具有充分密度之氧析出物並具 有高除氣能力之單晶矽晶圓。 圖式之簡單說明 第1圖爲表示在本發明所使用之快速加熱，快速冷卻 裝置C RTA裝置之一例之槪略圖。 第2圖爲表示來自實施例3 ，4，比較例5 ，6中之 晶圓表面之硏磨量與T Z D B良品率之關係之結果圖。 2 :加熱處燈泡 4 :石英盤 6 :緩衝器 8 :晶圓 元件對照表 1 :室 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 3 :自動快門 5 :三點支撐部 7 :高溫計 1〇:熱處理裝置 實施發明之最佳形態 以下針對本發明詳細說明。 本發明人針對表層部具有無結晶缺陷之D Z層而在基 體部具有充分密度之氧析出物等之除氣區之單晶矽晶圓之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） · · 508701 A7 B7 五、發明説明（6) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 製造進行銳意調查與實驗。結果，發現至少利用以電阻加 熱式之熱處理爐與快速加熱、快速冷卻裝置做爲熱處理裝 置之兩階段工程實施熱處理，即可達成上述目的，且硏究 透徹各種條件而完成本發明。 如上所述，本發明之熱處理至少必須利用電阻加熱式 之熱處理爐與快速加熱、快速冷卻裝置，在兩階段之工程 中實施熱處理，熱處理裝置之熱處理條件，依據實驗之結 果，發現了依熱處理裝置之方式，在下列之熱處理條件下 進行熱處理即可。 使用電阻加熱式之熱處理爐之熱處理以在1 〇 〇 〇至 1300 °C，10至30分鐘之範圍內進行爲佳。此外要 在此條件下有效消滅晶圓表層部之生長缺陷時，宜在 1 1 0 0 °C以上進行1小時以上之熱處理。熱處理之氣氛 以氫氣氣氛，氬等之惰性氣體氣氛，或該等混合氣氣氛的 理想。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，在該熱處理後，如接著進行氧化熱處理，則在 前段之熱處理中，空隙缺陷之內壁氧化膜由於擴散到外界 而消滅，並藉由後續之氧化在晶格間矽之灌入，空隙缺陷 有效地消滅，因此，可以將無空隙區域形成得更深。 使用快速加熱，快速冷卻裝置（R T A裝置之熱處理 )係在1 0 0 0至1 3 5 0 °C下進行1至3 0 0秒鐘。藉 此，不但可以除去晶圓最表面附近之空隙缺陷（又稱爲 COP)，同時可以獲得增加內部之氧誘導缺陷之效果。 另外，爲有效獲得該等效果，以1 2 0 0 °C以上，3 0至 i紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 7〇1 一 508701 A7 B7 五、發明説明（7) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 0秒左右之熱處理爲佳。此外，爲增加氧誘導缺陷，熱 處理氣氛以原子空孔及晶格間砂被灌入之氮或氧或其混合 氣氛爲佳。 利用該兩種熱處理裝置之熱處理工程之順序並無特別 加以限制。另外，雖然該等熱處理工程也可以重複多次， 惟考慮及矽晶圓之製造成本，宜將各工程分別進行一次爲 宜。又，如將該等熱處理追加到裝置製作過程中，或與裝 置製作過程之熱處理兼用進行也可以得到同樣之效果。 另一方面，本發明中所使用之晶圓（實施熱處理之晶 圓）必須爲含有熱處理後氧析出物會形成於基體中之程度 之晶格間氧之單晶矽晶圓。如爲通常之c Z晶圓，或施加 磁場而被拉起之所謂M C Μ Z晶圓，則可使其含有效 ppm a至3 Op pma (日本電子工業振興協會（ J E I D A )規格）之晶格間氧，惟熱處理後爲獲得充分 密度之氧析出物，以1 5至2 5 p p m a爲理想。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，藉由使用摻入氮或氧之單晶矽晶圓，有促進氧 析出，縮小生長缺陷尺寸，容易藉由熱處理而消滅等之效 果，因此較佳。 氮濃度則以使用在1 X 1〇1 Q至5 X 1〇1 5 / c m 3之 範圍內摻入之單晶矽晶圓爲宜，如摻入氮氣，雖然生長（ grown-m)缺陷之密度變大，但尺寸變小，因此施以熱處理 時，不但可以有效消滅表層部之生長缺陷，而且在基體部 可獲得高密度之氧析出物。如氮濃度低於下限値1 X 1 〇1()個/ cm3時，則上述之效果不充分，另一方面， -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 508701 Α7 Β7 五、發明説明（8) 如超過上限値5 X 1 0 1 5個/ c m 3時，則成爲結晶培養時 之單晶化之妨礙，故不理想。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一方面，對碳濃度而言，以使用摻入0·1至5 p pm a範圍之單晶矽晶圓爲宜，摻入碳也可以促進氧之 析出，爲獲得其效果必須有大於〇 · 1 p p m a之濃度， 如超過5 p p m a時，則與氮之情形相同會妨礙結晶培養 時之單晶化，所以不理想。 要製造摻入特定濃度之氮或氧之單晶矽晶圓時，通常 在拉起C Z單晶時，可利用在熔融原料矽之石英堆堝中投 入一定量之附氮化膜之矽晶圓，或使碳棒在一定時間以一 定面積接觸矽熔液等方法，經由計算各元素之偏析係數， 即可控制於適當之濃度。 首先，本發明所使用之單晶矽晶圓之電阻加熱式熱處 理爐爲一次可處理數片之所謂分批式爐（batch furnace )， 通常有縱式爐與橫式爐。橫式之分批式爐有如東京電子公 司製之UL - 2 6 0 - 1 0H般之裝置。該等爲極爲通用 之爐，本發明只要使用一般用之爐進行熱處理即可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，快速加熱、快速冷卻裝置通常爲葉片式，爲可 在數秒至數十秒左右昇降溫至目標溫度之所謂熱退火裝置 (R T A )，而採用以紅外線燈泡之燈泡加熱方式之裝置 。另外’在市面銷售者例如修蒂亞克微技術國際公司製造 之S H S - 2 8 0 0之裝置等，此等裝置並不特別複雜， 也非高價物品。 在此，要說明本發明所用之單晶矽晶圓之快速加熱， -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 508701 第90118353號專利申請案 !8 :: 中文說明書修正頁民國91年7月18日修土7卞/Ί

_ Β7 H 五、發明説明（9 快速冷卻裝置之一例。第1圖爲R T A裝置之槪略圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖之熱處理裝置1〇具有石英所構成之室1，在 該室1進行晶圓之熱處理。加熱法係由配置成由上下左右 圍繞室1之加熱燈泡2來進行。該燈泡可以控制分別獨供 應之電力。 氣體之排氣側設置有自動快門3以封閉外氣。自動快 門3設有構造上可經由閘閥（gate valve )開關自如之未圖 示之晶圓插入口。另外，在自動快門3設有氣體排氣口， 俾可調整爐內氣氛。 而晶圓8係配置於形成於石英盤4之三點支撐部5上 。盤4之氣體導入口設有石英製之緩衝器6，構成可以防 止引進氣體直接吹向晶圓。 另外，在室1裝設有未圖示之測定溫度之用之特殊窗 ，係透過設置於室1外部之高溫計（pyrometer ) 7經由該 特殊窗測定晶圓8之溫度。 利用上述幾種熱處理裝置1 〇，晶圓之快速加熱、快 速冷卻之處理進行如下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，利用鄰接配置於熱處理裝置1 0之未圖示之晶 圓處理裝置將晶圓由插入口放入室1之內，並配置於盤4 上面後，關閉自動快門3。 然後，用氮氣充分淨化（purge)後，將氣氛氣體設成 氫，氬或氮與氧等之混合氣體，再對加熱燈泡2供電，並 將晶圓8升溫至例如1 〇 〇 0至1 3 5 0 °C之特定溫度。 此時，要到達目標溫度之需要時間爲例如3 0秒左右。然 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I a ^…— 丨外 7· 18 ' ϊ ..人； ί ' Α7 B7 五 、發明説明（沪 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 後’在該溫度保持一定之時間，即可對晶圓施加高溫熱處 埋。經過一定時間結束高溫處理時，降低燈泡之輸出以降 低晶圓之溫度。此項降溫可以例如3 0秒鐘左右進行。最 後’利用晶圓處理裝置將晶圓取出而結束熱處理。 如另有晶圓要熱處理時，可以依次將晶圓投入俾連續 進行R T a處理。另外，如要以R τ A裝置進行熱氧化處 寺’只要變更處理溫度與處理氣體氣氛即可。 〔貫施例1、實施例2、比較例1至比較例4〕 製作下述兩種C Z砂晶圓（A，B )，藉以進行下面 之貫驗。 貫施例1 :晶圓A :直徑：1 5 0 m m，導電型：p 型’晶體取向：<1〇〇>，電阻率：1〇Ω·οπι，氮 濃度：1 · Οχ 1〇13個/ cm3 (計算値），氧濃度：工

Sppma (日本電子工業振興協會（jeida)規格 )〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 貫施例2:晶圓6:直徑：15〇111111，導電型：卩 聖’日日體取向· <1〇〇> ’電阻率：10D · cm，氧 :未摻入，氧濃度：1 5 p p m a ( J E I D A )規格。 首先，將該等晶圓進行標準淨化（S C — 1 ，S c _ 2，S C - 1 )後，以橫式分批式爐（東京電子公司製， UL - 2 6 0 - 1 0H)進行熱處理。熱處理條件以 1 1 5 0°C，在氣氛（Ar 1 〇〇%)下進行4小時。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 508701 A7 B7 五、發明説明（1) 取出晶圓後，利用R Τ A裝置（修蒂亞克微技國際公司製 ，SHS - 2 8 0 0型）在氮與氧之混合氣體氣氛下進行 3 0秒之熱處理後，爲使氧析出物表面化，在氮氣氛下進 行8〇〇°C ，4小時+ 1 0 0 0 °C ，1 6小時之熱處理， 以測定基體中之氧析出物密度及D Z層寬度。 另外，爲比較，曾就該等熱處理中僅進行橫式分批式 爐之熱處理之晶圓（比較例1 :晶圓A，比較例3 :晶圓 B )，以及未進行兩熱處理之晶圓（比較例2 :晶圓A， 比較例4 :晶圓B )加以評估。 此外，氧析出物密度之測定係以〇P P ( optical pre· cipitale profiler )法進行，D Z層寬度之測定係於晶圓表面 進行角度硏磨後，在該角度硏磨面施予選擇蝕刻（二次蝕 刻）並以光學顯微鏡測定之。因此，所測定之D Z層寬度 並非表示無空隙區域之値。 茲將以上之熱處理條件與結果表示於表1。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 508701 A7 B7 五、發明説明（1会 表1 巨 晶圓 熱處理工程 氧析出物密度 DZ層寬度 例號 \ 種類 (計數/cm3) ("m ) 實施例 1 A 橫式爐+RTA 5.lxlO9 35 比較例 1 A 僅橫式爐 6.3xl08 —.— 65 比較例2 A Μ j ^ \\ l.OxlO7 無法測定 實施例2 B 橫式爐+RTA 1.0x10s 無法測定 比較例3 B 僅橫式爐 l.OxlO7 無法測定 比較例4 B Μ j\\\ l.OxlO7 無法測定 (註）晶圓A:氮濃度：1·〇χ1〇13 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 原子/ cm3’氧濃度：15ppma 晶圓B :氮濃度：未摻入，氧濃度：1 5 p p m a 由此結果可知，如熱處理由摻入氮之結晶切出之晶圓 A時，與未摻入氮之晶圓B相比存在較多之氧析出物，如 再以R T A處理，更增加氧析出物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

再者，僅進行橫式分批式爐之熱處理之晶圓A (比較 例1 )雖然氧析出物之D Z層有6 5 // m ;但追加R τ A 處理之晶圓A (實施例1 )之D Z層變爲3 5 A瓜°此表 示由於R T A處理，氧析出被促進之結果D Z層寬度。 D Z層寬度變小看似沒有助益之效果，可是做爲裝® #

性區域之部分被要求之寬度最多爲1 0 // m左右’ S # W 要有3 5 之D Z層即足，寧可氧析出物密度增加1位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 508701 A7 B7 五、發明説明（1含 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而提升之除去能力之效果較大。相對地，未摻入氮之晶圓 B (實施例2，比較例3，4 )之D Z層寬度由於氧析出 物密度低，以致無法明確測定。沒有進行過熱處理工程之 晶圓A (比較例2 )之D Z層寬度也一樣無法測定。 另外，經由以透過電子顯微鏡（TEM)觀察摻入氮 晶圓A之基體中之結晶缺陷時，確認了由於R τ A處理而 發生位錯（disloeaUon )。該項位錯有效作用於除去作用。 〔實施例3，實施例4〕 除藉由電阻加熱式之熱處理爐進行熱處理之外，爲確 認藉由R Τ A熱處理對無空隙區域之效果，製作了下列兩 種C Z矽晶圓（C，D )，藉以進行以下之實驗。 實施例3 :晶圓C :直徑：1 5 0 m m，導電型：p 型，晶體取向：< 1 0 0 >，電阻率1 〇 Ω · c m，氮濃 度：1 · 〇 X1 〇 1 3個/ c m 3 (計算値），氧濃度： 13ppma (JEIDA)。 實施例4 :晶圓D :直徑：1 5 0 m m，導電型：p 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 型，晶體取向：< 1 0 0 >，電阻率1 〇 Ω · c m，氮濃 度：1 · 〇 X1 〇 1 3個/ c m 3 (計算値），氧濃度： 15ppma (JEIDA)。 首先將該等晶圓進行標準淨化（S C — 1 ，S C — 2 ’ s C — 1 )後’以橫式分批式爐（東京電子公司製， U L - 2 6 0 - 1 Ό Η )進行熱處理。熱處理條件係在 1 200°C，於Μ氣氛（Ar 1 〇〇%)中進行1小時。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 508701 A7 B7 五、發明説明（ο (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 取出晶圓後，以R τ Α裝置（修蒂亞克微技國際公司製’ SHS — 280〇型）在1 200°C進行熱處理（氮與氧 之混合氣體氣氛）3 0秒鐘。爲比較之用，也製作了未進 行R Τ A熱處理之晶圓C (比較例5 ) ，D (比較例6 ) (僅在1 2 0 0 °C，氬熱處理1小時）。 然後，將該等被製作之晶圓由表面硏磨加工至特定之 深度，以測定在各深度之氧化膜耐壓特性〔Τ Z D B ( Time Zero Dielectric Breakdown)良品率〕。Τ Z D B 良品 率與空隙缺陷（C〇P )有關係，如空隙缺陷多，良品率 會降低。 在測定Τ Z D B良品率時，係在晶圓表面形成2 5 nm之熱氧化膜，並在其上面製作摻入磷（P )之聚矽電 極（電極面積：8 m m 2 )，以判定電流値爲1 m A / c m 2，而以超過絕緣畫穿電場8 Μ V / c m者爲良品，在 晶圓面內測定1 0 0個點以計算良品率。結果如第2圖所 不° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由第2圖可知，在起始氧濃度爲13ppma ，15 P p m a之任一晶圓中，由於施予R Τ A熱處理， Τ Z D B良品率降低之深度變深，亦即，無空隙區域擴大 得更深。 因爲進行R Τ A熱處理而擴大無空隙區域之理由不明 ’但是在利用電阻加熱式之熱處理爐之熱處理中施加 R Τ A熱處理，以致擴大無空隙區域，而且由實施例1 ， 實施例2之結果發生基體中之氧析出物密度之增加或轉位 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） 508701 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（1$ 等之缺陷則可以斷言。因此，知道了 D Z層之高品質化與 除氣能力之提升可以同時連成。 此外，本發明並不侷限於上述實施形態。上述實施形 態僅爲例示，凡具有與本發明之申請專利範圍所記載之技 術思想與實質上相同之構造，而發揮相同之作用效果者， 不拘任何形式皆包含於本發明之技術範圍。 例如’在上述實施形態中，係就熱處理直徑6吋之單 晶矽晶圓之情形舉例說明，但本發明並不限定於6吋，也 可以適用於直徑8至1 6吋或更大之單晶矽晶圓。 另外’本發明所適用之單晶砂晶圓不問其爲C Z法製 造，M C Z法或其他方法所製造。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

準 標 家 國 國 中 用 適 -尺 I張 -紙 本 I釐 公 7 9 2

Claims (1)

18 508701 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 第9.01 1 8353號專利申請案 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 中文申請專利範圍修正本 民國91年7月18日修正 1 · 一種單晶矽晶圓之製造方法，係藉對含有晶格間 氧之單晶矽晶圓施予熱處理以製造具有氧誘導缺陷之單晶 矽晶圓，上述熱處理至少具有利用電阻加熱式之熱處理爐 進行熱處理之工程，以及利用快速加熱、快速冷卻裝置進 行熱處理之工程。 2 ·如申請專利範圍第1項之單晶矽晶圓之製造方法 ，其中利用上述電阻加熱式之熱處理爐之熱處理係在 1000至1300 °C，10至300分鐘之範圍內進行 ，而利用上述快速加熱、快速冷卻裝置之熱處理係在 1 0 0 0至1 3 5 0 °C，1至3 0 0秒之範圍內進行。 3 ·如申請專利範圍第1項之單晶矽晶圓之製造方法 ，其中用於進行上述熱處理之單晶矽晶圓係使用在氧濃.度 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲lx 1 01°至5x 1 015個/ cm3之範圍內摻雜之單 晶矽晶圓。 4 .如申請專利範圍第2項之單晶矽晶_之製造方法 ，其中用於進行上述熱處理之單晶矽晶圓係使用在氧濃度 爲lx 1 01°至5x 1 015個/ cm3之範圍內摻雜之單 晶砂晶圓。 . 5 .如申請專利範圍第1項之單晶矽晶圓之製造方$ 參紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 508701 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 ，其中用於進行上述熱處理之單晶矽晶圓係使用在碳濃度 爲0 · 1至5 p P m a之範圍內摻雜之單晶矽晶圓。 6 .如申請專利範圍第2項之單晶矽晶圓之製造方法 ，其中用於進行上述熱處理之單晶矽晶圓係使用在碳濃度 爲0 · 1至5 p p m a之範圍內摻雜之單晶矽晶圓。 7 ·如申請專利範圍.第3項之單晶矽晶圓之製造方法 ，其中用於進行上述熱處理之單晶矽晶圓係使用在碳濃度 爲0 . 1至5 p pm a之範圍內摻雜之單晶砂晶圓。 8 ·如申請專利範圍第4項之單晶矽晶圓之製造方法 ，其中用於進行上述熱處理之單晶矽晶圓係使用在碳濃度 爲0·1至5ppma之範圍內摻雜之單晶矽晶圓。 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁j 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -2- 參紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）