JPH08208374A - シリコン単結晶およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、チョクラルスキー法により製造さ
れるデバイス熱処理後の酸化膜耐電圧特性に代表される
デバイス特性に優れたシリコン結晶およびその製造方法
に関する 【構成】 上記目的を達成するために本発明において
は、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造す
る方法のうち、製造されつつある該シリコン単結晶をあ
る結晶温度領域で徐冷する方法において、該徐冷温度領
域での冷却速度が極小となる温度を８５０℃〜１２００
℃の温度領域内にする。好ましくは、Ｔ±１００℃の温
度領域での冷却速度を１．０℃／分以下とする。また、
本発明の方法で製造されたシリコン単結晶は、酸化膜耐
圧特性のＡモード合格率が１ウェーハにつき３％未満で
あるような、酸化膜耐圧特性が優れたシリコン単結晶で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法
（以下、ＣＺ法と称する）により製造された絶縁酸化膜
の耐電圧特性（以下、酸化膜耐圧と称する）に代表され
るデバイス特性に優れたシリコン単結晶およびその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＺシリコン単結晶は、結晶強度が高い
などの優れた特徴を有しているため、従来よりＬＳＩ用
の材料として広く用いられている。ところが、シリコン
単結晶の酸化膜耐圧は、製造方法の根本的な違いにより
大きく異なることが知られており、ＣＺシリコン単結晶
の酸化膜耐圧はフローティングゾーン法により製造され
たシリコン単結晶やＣＺシリコンウェーハ上にシリコン
薄膜をエピタキシャル成長させたウェーハのそれに比べ
て著しく低い。しかしながら、近年のＭＯＳデバイス集
積度の増大にともない、ゲート酸化膜の信頼性向上が強
く望まれるところとなり、酸化膜耐圧はその信頼性を決
定する重要な材料特性の１つであるため、酸化膜耐圧特
性の優れたＣＺシリコン単結晶の製造技術開発が重要視
されていた。

【０００３】熱処理を加えていないウェーハで評価した
場合の酸化膜耐圧が優れているＣＺシリコン単結晶の製
造方法としては、特開平２−２６７１９５号にＣＺ法に
より直径１００ｍｍ以上のシリコン単結晶を製造する方
法において、結晶成長速度を０．８ｍｍ／分以下とする
ことを特徴とする方法が開示されている。しかしなが
ら、この方法では生産性が悪いため、実用的ではなかっ
た。

【０００４】また、特許１７４２７５２号では、引き上
げられつつあるシリコン単結晶の１１００℃から９００
℃への温度降下を３時間以上かけてゆっくり行う温度制
御法を実施し、半導体デバイス工程での酸素析出物密度
を減少させる方法が示されているが、酸化膜耐圧特性に
代表されるデバイス特性については全く言及していな
い。

【０００５】また、熱処理を加えていないウェーハで評
価した場合の酸化膜耐圧が優れているＣＺシリコン単結
晶の製造方法として、特開平５−７０２８３号では、シ
リコン単結晶を製造する際に、成長するシリコン単結晶
の１１５０℃以上になる温度領域がシリコン融液上方に
２８０ｍｍ以上となるような引上げ方法、即ち１１５０
℃以上に限定された温度領域が徐冷される引上げ方法が
提案されているが、後述するように、本発明者らは酸化
膜耐圧特性を向上させるために徐冷されるべき温度領域
は、１１５０℃以上の温度領域ではないことを発見し
た。また、特開平５−９０９６号においては、積層欠陥
の発生を抑制するとともに熱処理を加えていないウェー
ハで評価した場合の酸化膜耐圧特性を向上させることを
目的として、結晶の冷却速度を遅くするためのある限定
された温度制御機構を用いて結晶製造速度を０．８ｍｍ
／分から１．１ｍｍ／分に限定する方法が提案されてい
る。このように従来の酸化膜耐圧の改善方法は、いずれ
も熱処理を加えていないウェーハで評価した場合に限定
されたものであり、かつ１１５０℃以上のある限定され
た温度域を徐冷する、あるいはある限定された温度制御
機構を用いつつある限定された製造速度で結晶製造を行
う方法しか存在していなかった。

【０００６】したがって、シリコン単結晶の製造過程に
おける１１５０℃以上の温度領域を徐冷せず、また徐冷
温度領域を限定せず、さらに結晶製造速度を限定しない
酸化膜耐圧の優れたＣＺシリコン単結晶を製造する方法
が必要とされていたが、従来そのような方法は存在して
いなかった。また、実際のデバイス工程に近い熱処理を
加えたウェーハで評価した場合の酸化膜耐圧の優れたＣ
Ｚシリコン単結晶を製造する方法が必要とされていた
が、従来そのような方法は存在していなかった。

【０００７】絶縁酸化膜の耐電圧特性は、上層がアルミ
ニウム、下層がドープされた多結晶シリコンからなる２
層ゲート電極を有し、その電極面積が２０ｍｍ² で、絶
縁酸化膜厚が２５．０ｎｍであるＭＯＳダイオードをシ
リコンウェーハ上全面に実装し、基板シリコンから多数
キャリアが注入される極性の直流電圧を各ＭＯＳダイオ
ードに印加して電圧ランピング法により評価される。酸
化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ² の時の該
酸化膜にかかる平均電界が４．０ＭＶ／ｃｍ以下の領域
は、Ａモード領域と呼ばれ、結晶中に酸化膜耐圧特性を
劣化させる結晶欠陥（以下、耐圧劣化因子と称する）が
存在し、かつこの結晶欠陥のサイズが極めて大きく、酸
化膜耐圧特性が著しく劣化していることを示す領域であ
る。従来のＣＺシリコン結晶では、水蒸気雰囲気中で１
０００℃１１０分間に加え、窒素雰囲気中で１２００℃
４２０分間に加え、乾燥酸素雰囲気中で９００℃７０分
間に加え、水蒸気雰囲気中で１０００℃１３０分の４ス
テップからなる熱処理を加え、かつ希フッ酸溶液にて熱
酸化膜を除去するといった実際のデバイス工程に近い熱
処理（以下、デバイス熱処理という）を加えた後の酸化
膜耐圧（以下、デバイス熱処理後の酸化膜耐圧という）
は、Ａモード領域で絶縁破壊するＭＯＳダイオードの個
数の総数に対する割合が、１ウェーハにつき５から１５
％程度と高い。したがって、デバイス熱処理後のＡモー
ド領域で絶縁破壊するＭＯＳダイオードの個数に対する
割合が３％未満であるようなＣＺシリコン単結晶が酸化
膜耐圧特性の優れたＣＺシリコン結晶である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、デバイス熱処理後の酸化膜耐圧特性に代表されるデ
バイス特性に優れたＣＺシリコン結晶を製造する方法お
よびデバイス熱処理後の酸化膜耐圧特性に代表されるデ
バイス特性に優れたＣＺシリコン結晶を提供することを
目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、ＣＺ法によりシリコン単結晶を
製造する方法のうち、製造されつつある該シリコン単結
晶をある結晶温度領域で徐冷する方法において、該徐冷
温度領域での冷却速度が極小となる温度（以下、最徐冷
温度という）が８５０℃〜１２００℃の温度領域内にあ
るようにする（本発明方法（１））。さらにデバイス熱
処理後の酸化膜耐圧特性を向上させるために、Ｔ±１０
０℃の温度領域での冷却速度を１．０℃／分以下にする
（本発明方法（２））。

【００１０】本発明方法（１）または（２）によって該
シリコン単結晶から切り出したウェーハにデバイス熱処
理を加え、上層がアルミニウム、下層がドープされた多
結晶シリコンからなる面積２０ｍｍ² の２層ゲート電極
を有し、絶縁酸化膜厚が２５．０ｎｍである多数個のＭ
ＯＳダイオードを実装し、基板シリコンから多数キャリ
アが注入される極性の直流電圧を各ＭＯＳダイオードに
印加して電圧ランピング法により前記ウェーハの絶縁酸
化膜の耐電圧特性を評価した場合において、Ａモード割
合が１ウェーハにつき３％未満であるような良好な酸化
膜耐電圧特性を有するＣＺシリコン単結晶を製造でき
る。

【００１１】

【作用】以下、図および表を用いながら本発明について
説明する。

【００１２】図１は、本発明の条件で製造したシリコン
単結晶の酸化膜耐圧を評価する際に、シリコンウェーハ
上に実装したＭＯＳダイオードの断面であり、シリコン
ウェーハ１の上に酸化けい素膜２が形成され、その上に
上層がアルミニウム３、下層がドープされた多結晶シリ
コン４からなる直径５ｍｍの２層ゲート電極５が形成さ
れている。

【００１３】次に、本発明の条件で製造したシリコン単
結晶における酸化膜耐圧特性に関する評価手段を表１に
より説明する。表１は、酸化膜耐圧を測定するために作
製されるＭＯＳダイオードの製造工程を示す表である。

【００１４】

【表１】

【００１５】ＣＺシリコンインゴットをスライスし、ラ
ッピング、ポリッシングなど、通常のシリコンウェーハ
を工業的に製造するために必要な諸過程を経て得られた
ウェーハに、水蒸気雰囲気中で１０００℃１１０分間に
加え、窒素雰囲気中で１２００℃４２０分間に加え、乾
燥酸素雰囲気中で９００℃７０分間に加え、水蒸気雰囲
気中で１０００℃１３０分の４ステップからなる熱処理
を加え、かつ希フッ酸溶液にて熱酸化膜を除去した後、
該ウェーハを洗浄し（１）、ゲート酸化を行って酸化け
い素膜を形成し（２）、多結晶シリコン膜を堆積させ
（３）、この多結晶シリコンにイオン注入してドープす
る（６）。酸化前洗浄（４）および多結晶シリコンの酸
化（５）はイオン注入（６）の前処理である。ついで、
アニール前洗浄（７）を行い、ドライブアニールして多
結晶シリコン中のドーパントを固溶化し（８）、多結晶
シリコン膜をエッチング除去し（９）、アルミニウムを
蒸着しアルミニウム層を形成する（１０）。つぎに、直
径５ｍｍの２層ゲート電極を実装するためにリソグラフ
ィ（１１）によりポジレジスト膜をコートして、パター
ニングした後、アルミニウム膜をエッチングし（１
２）、多結晶シリコン膜をエッチングして（１３）、レ
ジスト膜を除去する（１４）。そして、水素アニールに
よりけい素／酸化けい素膜界面を安定化した後（１
５）、表面にレジスト膜を塗布してＭＯＳダイオードを
保護し（１６）、プラズマエッチングにより裏面多結晶
シリコン膜を除去する（１７）。表面に保護用のレジス
ト膜を再塗布して（１８）、裏面酸化膜をエッチングに
より除去し（１９）、ｐ型の場合には金を、ｎ型の場合
には金・アンチモン合金を蒸着して裏面電極を形成する
（２０）。最後に、保護用レジスト膜を除去した後（２
１）、電圧ランピング法により酸化膜耐圧特性を評価す
る（２２）。電圧ランピング法とは、図１において、基
板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電
圧をアルミニウム層３と裏面電極との間に印加し、その
電圧を時間に対してステップ状に増加させる方法であ
る。本発明では、該電圧ランピング法の１ステップ当た
りの電圧増加を電界換算で０．２５ＭＶ／ｃｍ、保持時
間を２００ｍｓ／ステップとした。

【００１６】また、本発明で実施する、水蒸気雰囲気中
で１０００℃１１０分間に加え、窒素雰囲気中で１２０
０℃４２０分間に加え、乾燥酸素雰囲気中で９００℃７
０分間に加え、水蒸気雰囲気中で１０００℃１３０分の
４ステップからなる熱処理を加え、かつ希フッ酸溶液に
て熱酸化膜を除去する処理は、実際のデバイス工程で実
施される処理に近い処理である。

【００１７】本発明者らは、様々な結晶の冷却条件と酸
素析出物の形成を詳細に調査した結果、冷却条件と酸素
析出物の形成の間に次のような関係があることを発見し
た。即ち、ＣＺ法によるシリコン製造過程において、凝
固界面付近で熱平衡濃度で存在していた真性点欠陥が凝
固とともに結晶内に取り込まれ、結晶の冷却とともに過
飽和状態となる。過飽和となった点欠陥は結晶表面への
外方拡散および凝固界面への坂道拡散によってその濃度
は低下するものの、結晶の冷却速度が速いため、点欠陥
の過飽和度は増大する。冷却が進み、１０８０℃付近で
点欠陥の過飽和度がある臨界値を越えると、点欠陥同士
が凝集体を形成しはじめる。その凝集体を核として酸素
析出物が形成する。一方、過飽和点欠陥は凝集を開始す
る直前の高温側で烈しく対消滅を起こし、濃度が低下す
る。この濃度の低下が点欠陥同士の凝集開始温度、即ち
酸素析出物の形成開始温度を低下させ、酸素析出物の成
長を抑制し、酸素析出物のサイズを低下させる。これら
の機構により、点欠陥が凝集を開始する温度以下の８５
０℃〜１０８０℃の徐冷を受けた結晶では、点欠陥の凝
集が進み、酸素析出物の密度はこの徐冷を受けていない
結晶に比べて著しく低下する。また、点欠陥凝集開始温
度の直前の１０８０℃〜１２００℃での徐冷を受けた結
晶では点欠陥の対消滅が進み、この徐冷を受けていない
結晶に比べて酸素析出物サイズは著しく小さくなる。

【００１８】一方、デバイス熱処理を加えた場合には、
１段目の１０００℃での熱処理によりサイズの小さい酸
素析出物は容易に消滅する。それに対し、サイズの大き
い酸素析出物は１段目の熱処理では消滅せずに逆に成長
する。成長後のサイズは結晶製造中に形成した酸素析出
物のサイズには依存せず、いずれも著しく大きくなって
いる。デバイス熱処理後の酸化膜耐圧のＡモード不良の
原因となる結晶欠陥は、１段目熱処理で消滅せず、成長
した酸素析出物が起源となっており、デバイス熱処理後
の酸化膜耐圧のＡモードの割合は１段目の熱処理で残存
する酸素析出物の密度で決定される。従って、結晶製造
中の８５０℃〜１０８０℃の徐冷を受けた結晶は酸素析
出物密度の低下によりデバイス熱処理後の酸化膜耐圧が
向上し、１０８０℃〜１２００℃の熱処理を受けた結晶
は酸素析出物サイズの低下によりデバイス熱処理後の酸
化膜耐圧が向上する。本発明者らは、製造されつつある
シリコン単結晶をある結晶温度領域で徐冷する方法にお
いて、最徐冷温度が８５０℃〜１２００℃の温度領域内
にある場合に、デバイス熱処理後の酸化膜耐圧が改善す
ることを発見した。さらにＴ±１００℃の温度領域での
冷却速度を１．０℃／分以下にした場合に、酸化膜耐圧
がより改善することが分かった。

【００１９】

【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて説明するが、
本発明がこれらの実施例の記載によって制限されるもの
でないことは言うまでもない。

【００２０】実施例１ 本発明に用いられるシリコン単結晶製造装置は、通常Ｃ
Ｚ法によるシリコン単結晶製造に用いられるものであれ
ば特に限定されるものではなく、本実施例では図２に示
すような製造装置を用いた。

【００２１】このＣＺシリコン単結晶製造装置は、シリ
コン融液Ｍを収容する石英ルツボ２６ａとこれを保護す
る黒鉛ルツボ２６ｂとから構成されたルツボ２６と育成
されたシリコン単結晶インゴットＳを収容する結晶引上
炉２１である。ルツボ２６の側面部には加熱ヒーター２
４と加熱ヒーター２４からの熱が結晶引上炉外部に逃げ
るのを防止するため断熱部材２３が取り囲むように設置
されており、このルツボ２６は図示されていない駆動装
置と回転治具２５によって接続され、この駆動装置によ
って所定の速度で回転されるとともに、ルツボ２６内の
シリコン融液の減少にともないシリコン融液面が低下す
るのを補うためにルツボ２６を昇降させるようになって
いる。引上炉２１内には、垂下された引上げワイア２７
が設置され、このワイア２７の下端には種結晶２８を保
持するチャック２９が設けられている。この引上げワイ
ア２７の上端側は、ワイヤ巻上機２２に巻き取られて、
シリコン単結晶インゴットを引き上げるようになった引
上げ装置が設けられている。そして、引上炉２１内に
は、引上炉２１に形成されたガス導入口３０からＡｒガ
スが導入され、引上炉２１内を流通してガス流出口３１
から排出される。このようにＡｒガスを流通させるの
は、シリコンの溶融にともなって引上炉２１内に発生す
るＳｉＯをシリコン融液内に混入させないようにするた
めである。温度制御装置４０は引上炉２１内で結晶を徐
冷するために設置している。温度制御装置４０として
は、製造されるシリコン単結晶を取り囲むように設置さ
れた黒鉛などの断熱保温材や加熱ヒーター等が有効であ
る。

【００２２】この装置を使用して、以下の条件で複数の
シリコン単結晶を製造した。これらの結晶の最徐冷温度
はいずれも、８５０℃〜１２００℃の温度領域内に入っ
ており、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度領域の
冷却速度は常に１．０℃／分以下ではない。

【００２３】この条件で育成された複数のシリコン単結
晶インゴットの製造条件等を表２に示した。

【００２４】

【表２】

【００２５】このインゴットから切りだしたウェーハの
デバイス熱処理後の酸化膜耐圧を測定し、図３に示し
た。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる
電流密度が１μＡ／ｃｍ² の時に該酸化膜にかかる平均
電界が４．０ＭＶ／ｃｍ以下を示すＭＯＳダイオードの
個数の総数に占める割合（Ａモード比率）はいずれも３
％未満であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結
晶インゴットから切り出されたウェーハは、良好な酸化
膜耐圧特性を有していることを示している。

【００２６】実施例２ 実施例１の装置を用いて、以下の条件で複数のシリコン
単結晶を製造した。これらの結晶の最徐冷温度はいずれ
も、８５０℃〜１２００℃の温度領域内に入っており、
かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度領域の冷却速度
は常に１．０℃／分以下である。

【００２７】この条件で育成された複数のシリコン単結
晶インゴットの製造条件等を表３に示した。

【００２８】

【表３】

【００２９】このインゴットから切りだしたウェーハの
デバイス熱処理後の酸化膜耐圧を測定し、図４に示し
た。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる
電流密度が１μＡ／ｃｍ² の時に該酸化膜にかかる平均
電界が４．０ＭＶ／ｃｍ以下を示すＭＯＳダイオードの
個数の総数に占める割合（Ａモード比率）はいずれも３
％未満であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結
晶インゴットから切り出されたウェーハは、良好な酸化
膜耐圧特性を有していることを示している。

【００３０】比較例１ 本比較例では、実施例１の装置を用いて、以下の条件で
複数のシリコン単結晶を製造した。これらの結晶の最徐
冷温度はいずれも、８５０℃〜１２００℃の温度領域内
に入っておらず、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温
度領域の冷却速度は常には１．０℃／分以下ではない。

【００３１】この条件で育成された複数のシリコン単結
晶インゴットの製造条件等を表４に示した。

【００３２】

【表４】

【００３３】このインゴットから切りだしたウェーハの
デバイス熱処理後の酸化膜耐圧を測定し、図５に示し
た。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる
電流密度が１μＡ／ｃｍ² の時に該酸化膜にかかる平均
電界が４．０ＭＶ／ｃｍ以下を示すＭＯＳダイオードの
個数の総数に占める割合（Ａモード比率）はいずれも３
％以上であり、酸化膜耐圧特性が良好でないことを示し
ている。

【００３４】比較例２ 本比較例では、実施例１の装置を用いて、以下の条件で
複数のシリコン単結晶を製造した。これらの結晶の最徐
冷温度はいずれも、８５０℃〜１２００℃の温度領域内
に入っておらず、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温
度領域の冷却速度は常に１．０℃／分以下である。

【００３５】この条件で育成された複数のシリコン単結
晶インゴットの製造条件等を表５に示した。

【００３６】

【表５】

【００３７】このインゴットから切りだしたウェーハの
デバイス熱処理後の酸化膜耐圧を測定し、図６に示し
た。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる
電流密度が１μＡ／ｃｍ² の時に該酸化膜にかかる平均
電界が４．０ＭＶ／ｃｍ以下を示すＭＯＳダイオードの
個数の総数に占める割合（Ａモード比率）はいずれも３
％以上であり、酸化膜耐圧特性が良好でないことを示し
ている。

【００３８】

【発明の効果】本発明のシリコン単結晶あるいは本発明
の製造方法によるシリコン単結晶は、デバイス特性、特
にデバイス熱処理後の酸化膜耐圧特性に優れているた
め、ＭＯＳデバイス用ウェーハはもとより各種構造を有
するデバイスに適する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 従来の方法でシリコン単結晶の絶縁酸化膜の
耐電圧特性を評価するために実装したＭＯＳダイオード
の一部断面図である。

【図２】 本発明の実施例に用いたＣＺ法シリコン単結
晶製造装置の概略図である。

【図３】 本発明の実施例１の複数の結晶のデバイス熱
処理後の酸化膜耐圧特性を示す図である。

【図４】 本発明の実施例２の複数の結晶のデバイス熱
処理後の酸化膜耐圧特性を示す図である。

【図５】 比較例１の複数の結晶のデバイス熱処理後の
酸化膜耐圧特性を示す図である。

【図６】 比較例２の複数の結晶のデバイス熱処理後の
酸化膜耐圧特性を示す図である。

【符号の説明】

１…シリコンウェーハ、 ２…酸化けい素膜
（絶縁酸化膜）、３…アルミニウム膜、 ４
…多結晶シリコン、５…２層ゲート電極、２１…結晶引
上炉（ＣＺ法シリコン単結晶製造装置）、２２…ワイア
巻上機、 ２３…断熱部材、２４…加熱ヒー
ター、 ２５…回転治具、２６…ルツボ、２
６ａ…石英ルツボ、 ２６ｂ…黒鉛ルツボ、
２７…引上げワイア、 ２８…種結晶、２９
…チャック、 ３０…ガス導入口、３１
…カス排出口、 ４０…温度制御装置（結
晶徐冷装置）、Ｍ…シリコン融液、 Ｓ…
シリコン単結晶インゴット。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大久保 正道 山口県光市大字島田3434番地 ニッテツ電 子株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チョクラルスキー法によりシリコン単結
   晶を製造するに際して、製造されつつある該シリコン単
   結晶をある結晶温度領域で徐冷する方法において、該徐
   冷温度領域での冷却速度が極小となる温度が８５０℃〜
   １２００℃の温度領域内にあることを特徴とするシリコ
   ン単結晶の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のシリコン単結晶の製造
   方法において、徐冷温度領域での冷却速度が極小となる
   温度をＴ℃とした場合、Ｔ±１００℃の温度領域での冷
   却速度が１．０℃／分以下であることを特徴とするシリ
   コン単結晶の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の方法で製造さ
   れたシリコン単結晶であって、水蒸気雰囲気中で１００
   ０℃で１１０分間、窒素雰囲気中で１２００℃で４２０
   分間、乾燥酸素雰囲気中で９００℃で７０分間、水蒸気
   雰囲気中で１０００℃で１３０分間とする４ステップか
   らなる熱処理を加え、希フッ酸溶液にて熱酸化膜を除去
   した後、上層がアルミニウム、下層がドープされた多結
   晶シリコンからなる面積２０ｍｍ² の２層ゲート電極を
   有し、絶縁酸化膜厚が２５．０ｎｍである多数個のＭＯ
   Ｓダイオードを該シリコン単結晶から切り出したシリコ
   ンウェーハに実装し、基板シリコンから多数キャリアが
   注入される極性の直流電圧を各ＭＯＳダイオードに印加
   して電圧ランピング法により前記ウェーハの絶縁酸化膜
   の耐電圧特性を評価した場合において、酸化膜を通して
   流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ² の時の該酸化膜にかか
   る平均電界が４．０ＭＶ／ｃｍ以下を示すＭＯＳダイオ
   ードの個数の総数に対する割合が１ウェーハにつき３％
   未満であることを特徴とする絶縁酸化膜の耐電圧特性の
   優れたシリコン単結晶。