JP2001270796A - シリコン半導体基板およびその製造方法 - Google Patents

シリコン半導体基板およびその製造方法

Info

Publication number
JP2001270796A
JP2001270796A JP2000087665A JP2000087665A JP2001270796A JP 2001270796 A JP2001270796 A JP 2001270796A JP 2000087665 A JP2000087665 A JP 2000087665A JP 2000087665 A JP2000087665 A JP 2000087665A JP 2001270796 A JP2001270796 A JP 2001270796A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
less
oxygen
substrate
single crystal
atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000087665A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3735002B2 (ja
Inventor
Katsuhiko Nakai
克彦 中居
Yoshiharu Inoue
宜治 井上
Hideki Yokota
秀樹 横田
Atsushi Ikari
敦 碇
Wataru Ohashi
渡 大橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic Japan Corp
Original Assignee
Wacker NSCE Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker NSCE Corp filed Critical Wacker NSCE Corp
Priority to JP2000087665A priority Critical patent/JP3735002B2/ja
Publication of JP2001270796A publication Critical patent/JP2001270796A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3735002B2 publication Critical patent/JP3735002B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、これまでより低温短時間のアニー
ルで表層無欠陥を達成できるシリコン単結晶基板および
その製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板窒素濃度が1×1014atoms/
cm3以上2×101 6atoms/cm3以下のシリコン
単結晶基板であって、基板表面から1μmの深さの酸素
濃度が基板の厚み中心の酸素濃度の70%以下で、かつ
ウエハ表面から5μmより浅い領域のサイズ20nm以
上の酸素析出物密度が105個/cm3以下であることを
特徴とするシリコン半導体基板、およびその製造方法で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶基
板及びその製造方法に関するもので、酸化膜耐圧特性に
優れた品質のシリコン単結晶基板及びその製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】高集積MOSデバイスの基板として用い
られるチョクラルスキー法により製造されるシリコン単
結晶ウエハには、酸化膜耐圧特性などのデバイス特性に
悪影響を与えないような高品質な結晶が求められてい
る。
【0003】近年、結晶育成直後のシリコン単結晶中
に、酸化膜耐圧特性のうちの初期絶縁破壊特性(TZD
B特性)を劣化させる結晶欠陥が存在することが明らか
となってきた。それらの結晶欠陥は選択エッチング法、
アンモニア系のウエハ洗浄、あるいは赤外散乱・赤外干
渉を用いた結晶欠陥評価法で検出されるものであり、総
じてgrown-in欠陥と呼ばれる。これらの欠陥の
実体はいずれも八面体ボイド欠陥であり、特にアンモニ
ア系のウエハ洗浄後に八面体ボイド欠陥が表面にエッチ
ピットとして顕在化したものはCOP(Crystal
Originated Particle)と呼ばれ
ている(J.Ryuta,E.Morita,T.Ta
naka and Y.Shimanuki,Jpn.
J.Appl.Phys.29,L1947(199
0))。
【0004】このCOP等のgrown-in欠陥を減
らすことを目的とした結晶製造方法として、例えば特開
昭59-20264号公報で規定するようにシリコン単
結晶基板を水素雰囲気100%中でアニール(熱処理)
することで、ウエハ表面のCOPを低減できることが知
られている。またこの水素雰囲気アニールを施すシリコ
ン半導体基板として、特開平10-208987号公報
で規定するような赤外トモグラフで検出されるgrow
n-in欠陥(Laser Scattering T
omography Defect;LSTD)密度が
3×106個/cm3以上、もしくはSeccoエッチン
グ液で検出されるgrown-in欠陥(Flow P
attern Defect;FPD)が3×106
/cm3以上存在するような基板を用いることで、表面
のCOPがより顕著に低減できることが知られている。
しかし、このようなCOPをアニールによって効果的に
消滅させるためには、1200℃以上の高温アニールを
行い、更に水素という爆発の危険性がある特殊ガスを用
いる必要がある。そのため、高温アニールに耐えうる仕
様であり、かつ安全上の防護対策を施した特殊な炉が必
要となり、ウエハのコストアップに繋がるという問題点
があった。
【0005】一方、デバイス特性に無害である不純物の
一つである窒素を添加したシリコン単結晶基板の場合、
grown-in欠陥としてCOPは見られなくなり、
grown-in酸素析出物が代わりに発生することが
知られている(第46回応用物理学会春季講演会29a
-ZB-2)。この、grown-in酸素析出物は、酸
素の外方拡散を利用することにより比較的低温アニール
で容易に消滅する。更に、アニール雰囲気として非酸化
性雰囲気(アルゴンなど)を用いることができるため、
市販されている通常仕様の炉で安価なシリコン半導体基
板の製造が可能となる。窒素を添加したアニール用基板
としては、例えば特開平10-98047号公報で規定
するような基板が提案されていたが、言及されているg
rown-in欠陥はCOPのみであり、grown-i
n酸素析出物に関する記載は全くない。窒素添加結晶の
COPは、grown-in酸素析出物に比べるとアニ
ールで消滅しにくいので、COPが残留しているような
窒素添加結晶はアニール基板としては不適当である。
【0006】これまで知られている窒素添加結晶の、g
rown-in酸素析出物サイズは球換算で直径50n
m程度であり、表面付近の欠陥を消滅させるためには比
較的高温長時間(1150℃4時間程度)のアニールが
必要であった。そのため、生産性を上げてウエハコスト
を下げるため、より低温短時間の熱処理で表面欠陥フリ
ーとなるような窒素添加シリコン単結晶基板が望まれ
た。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、これまでよ
り低温短時間のアニールで表層無欠陥を達成できるシリ
コン単結晶基板およびその製造方法を提供することを目
的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは窒素を添加
したシリコン単結晶中に存在する、grown-in酸
素析出物のサイズを小さくすることにより、比較的低温
短時間のアニールで消滅させることが可能になると考
え、種々の結晶成長条件で育成したシリコン単結晶中
の、grown-in酸素析出物のサイズとアニール後
の消滅挙動を調査し、本発明を完成した。
【0009】すなわち、本発明は、(1) 基板窒素濃
度が1×1014atoms/cm3以上2×1016at
oms/cm3以下のシリコン単結晶基板であって、基
板表面から1μmの深さの酸素濃度が基板の厚み中心の
酸素濃度の70%以下で、かつウエハ表面から5μmよ
り浅い領域のサイズ20nm以上の酸素析出物密度が1
5個/cm3以下であることを特徴とするシリコン半導
体基板、(2) 窒素を1×1017atoms/cm3
以上3×1019atoms/cm3以下含有するシリコ
ン融液を用いたチョクラルスキー法により育成し、結晶
育成中の1100〜900℃までの通過時間が1時間以
下になるように育成したシリコン単結晶から切り出した
シリコン単結晶基板を、不純物5volppm以下の希
ガスもしくは熱処理後の酸化膜厚が2nm以下に抑えら
れている非酸化性雰囲気中に1100℃以上1300℃
以下で30分以上熱処理することを特徴とするシリコン
半導体基板の製造方法、(3) 上記(1)に記載のシ
リコン半導体基板を製造するために用いられるシリコン
単結晶であって、窒素濃度が1×1014atoms/c
3以上2×101 6atoms/cm3以下であり、育成
直後の状態での酸素析出物の対角長が40nm以下であ
ることを特徴とするシリコン単結晶、である。
【0010】
【発明の実施の形態】窒素添加を行わないチョクラルス
キー法によるシリコン単結晶(CZ-Si結晶)の場
合、結晶育成中に固液界面から過剰の原子空孔が導入さ
れ、それらが結晶冷却中の1100℃付近で凝集しCO
Pと呼ばれる欠陥を形成する。COPは図1に示すよう
に{111}面で囲まれた八面体形状をしている空洞で
あり、複数の空洞が連結している場合が多い。これに対
して、窒素を添加したCZ-Si結晶の場合、COPが
形成されず、grown-in酸素析出物が形成され
る。grown-in酸素析出物は図2に示すように形
状は{100}面上の板状であり、内部はシリコン酸化
物で満たされている。窒素添加結晶の場合、COPの元
となる原子空孔が窒素と結合して複合体となり、このよ
うな窒素-原子空孔複合体は、自ら凝集すること無し
に、酸素と結合して酸素析出核になっているものと考え
られる。CZ-Siに導入される酸素濃度は1〜10×
1017atoms/cm3であるため、酸素の析出は、
酸素が過飽和となる1100℃以下で起こる。よって、
grown-in酸素析出物は結晶育成中の1100℃
で核形成していると考えられる。なお、窒素を1×10
17atoms/cm3以上3×101 9atoms/cm3
以下含有するシリコン融液からチョクラルスキー法によ
り育成したシリコン単結晶中には、1×1014atom
s/cm3以上2×1016atoms/cm3以下の窒素
が含有される。
【0011】grown-in酸素析出物がウエハ表面
に露出していた場合、酸化熱処理を行うと、このgro
wn-in酸素析出物が核となって表面近傍にOSF
(Oxidation induced Stacki
ng Fault)という結晶欠陥が発生してしまう。
このようなウエハの上に形成されたデバイスは欠陥起因
の動作不良を起こす。表面近傍の欠陥密度が105個/
cm3超の場合、一般に用いられる電極面積20mm2
動作領域の深さ5μmのデバイスにおいて、動作不良が
引き起こされる確率は10%を越える。一般的なウエハ
の受け入れ基準である不良率は10%程度であるので、
この基準を満たすためには表層5μmまでの酸素析出物
密度を105個/cm3以下にする必要がある。またサイ
ズ20nm未満の酸素析出物は経時破壊特性(TDDB
特性)などの特性に影響を与えないことがわかってい
る。
【0012】上記のことから、grown-in酸素析
出物が存在するようなウエハはasgrown状態で用
いることができないため、アニールによって表面近傍
の、grown-in酸素析出物を消滅させる必要があ
る。grown-in酸素析出物はCOPに比べてアニ
ールで消滅しやすい。{111}面で囲まれた八面体形
状をしているCOPは結晶学的に安定な構造であるた
め、1200℃以上の高温もしくは水素などの特殊な雰
囲気でのアニールが必要になる。それに対して、gro
wn-in酸素析出物は{100}面上の板状構造であ
り、結晶学的に不安定な構造であるため、非酸化性雰囲
気のアニールにより酸素を外方拡散させることで容易に
消滅させることが可能である。
【0013】酸素を外方拡散させるためには、熱処理温
度として1100℃以上でなければならない。1100
℃未満では酸素の拡散距離が十分でないため、外方拡散
が起こらない。また1300℃超では酸素の固溶度が高
くなるため、酸素の外方拡散が起こらなくなるため不適
切である。また、熱処理雰囲気も酸素の外方拡散に大き
く影響を与える。酸化性雰囲気のアニールでは表面に酸
化膜が形成されるため、ウエハ表面の酸素濃度が十分低
下せず、外方拡散は起こりにくい。色々な条件で実験を
行った結果、アニール後の酸化膜が2nm以下になれば
表面の酸素が十分低下し、酸素析出物低減効果が最も著
しくなる。また、希ガス中の不純物が5volppm超
あった場合は表面荒れを引き起こすので、不純物は5v
olppm以下に抑える必要がある。このような熱処理
を行うと、酸素の外方拡散によって、基板表面から1μ
mの深さの酸素濃度が基板の厚み中心の酸素濃度の70
%以下となる。
【0014】ところで、従来の製造方法で作成した窒素
添加結晶は、grown-in酸素析出物サイズが50
nmである。なお、析出物は板状であるため、板の対角
長をサイズとしている。このgrown-in酸素析出
物は、例えば1150℃4時間のアニールを行うこと
で、表面近傍の密度を105個/cm3以下にすることが
できる。しかし、1150℃4時間のアニール工程は、
ウエハ製造工程数を増やすこととなり、ウエハコストの
増加につながる。コスト試算によると、アニールなしで
製造していた窒素添加無しのウエハと同程度のコストに
抑えるためには、アニール時間を30分に抑えることが
必要である。
【0015】grown-in酸素析出物をアニールで
消滅しやすくするためには、結晶育成条件をコントロー
ルして、grown-in酸素析出物サイズを小さくす
ることが有効である。種々の結晶育成条件で製造した結
晶からウエハを切り出し、grown-in酸素析出物
サイズとアニール挙動との詳細な調査を行った結果、g
rown-in酸素析出物サイズが板状の対角長で40
nm以下であれば、1100〜1300℃で30分のア
ニールにより表面近傍のサイズ20nm以上の析出物密
度を1×105個/cm3以下にすることが可能であるこ
とがわかった。以上のことから、これまでのアニール無
しのウエハと同程度のコストでデバイス特性に優れたシ
リコン半導体基板の製造が可能となった。
【0016】窒素添加シリコン単結晶における、gro
wn-in酸素析出物のサイズを対角長で40nm以下
にするためには、結晶育成中の1100〜900℃結晶
温度域を1時間以下で冷却することが有効である。gr
own-in酸素析出物は結晶育成中の1100℃で核
形成し、その後酸素の拡散律速で成長するが、900℃
以下の温度では酸素の拡散がほとんど起きなくなるた
め、実質上は1100〜900℃の温度範囲でのみ、g
rown-in酸素析出物の成長が起こる。このため、
結晶育成中の1100〜900℃の冷却時間を短くする
ことで、grown-in酸素析出物のサイズを小さく
することが可能となる。1100〜900℃の温度範囲
を1時間超で冷却した場合は、析出物が成長し過ぎてし
まうため、grown-in酸素析出物のサイズが対角
長で40nm超となってしまう。
【0017】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて説明するが、
本発明はこれらの実施例の記載によって制限されるもの
ではない。
【0018】実施例1 本実施例では、CZ法によるシリコン単結晶製造に用い
られる単結晶製造装置を利用して、結晶育成中の110
0℃から900℃までの冷却条件を制御して、シリコン
単結晶の引上成長を行った。育成されたシリコン単結晶
は、導電型p型(ボロンドープ)、結晶径200mm、
抵抗率10Ωcmであった。grown-in酸素析出
物のサイズは透過型電子顕微鏡(TEM)にて測定し、
板状析出物の対角長のうち大きい方をgrown-in
酸素析出物サイズとした。
【0019】このインゴットから切り出したウエハを、
市販の縦型炉を用いて熱処理を行った。熱処理条件は、
温度を1150℃、時間を30分とした。雰囲気はAr
100%とした。このArの純度は5volppm以下
であった。熱処理後の酸化膜厚はいずれも2nm以下で
あった。
【0020】熱処理後のウエハの表面酸素析出物密度を
市販の欠陥評価装置である三井金属製LSTDスキャナ
(MO-5)を用いて測定した。LSTDスキャナは、
可視光レーザーをブリュースター角から照射し、鉛直方
向に配置したカメラでp偏光の散乱のみを欠陥像として
取り込む。レーザー波長は700nmであるので、表面
から5μmまでレーザーが浸透する。よって、ウエハ表
層より5μmまでの酸素析出物が評価できる。測定に際
しては、検出感度を調整してサイズ20nm以上の酸素
析出物をカウントするようにした。
【0021】熱処理後の酸素の深さ方向プロファイルを
SIMSを用いて測定した結果、いずれのウエハも表層
1μmで酸素濃度が基板厚み中心の酸素濃度の70%以
下になっていた。
【0022】熱処理後のウエハのTDDBを評価するた
めに、同時バッチで熱処理した別のウエハ上に電極面積
10mm2のポリシリMOSをエピウエハ上に作成し
た。酸化膜厚は25nmとした。連続ストレス電流密度
を-5mA/cm2とし破壊判定電界を10MV/cmと
した時、判定電荷(Qbd)が10C/cm2以上である
歩留まりを調査した。
【0023】評価結果を比較例も含めて表1に示す。こ
の結果から結晶育成中の1100〜900℃までの冷却
時間が1時間以下である結晶は、grown-in酸素
析出物の対角長が40nm以下であり、アニール後のウ
エハ表面におけるサイズ20nm以上の酸素析出物密度
が105個/cm3以下、TDDB歩留が90%以上と良
好の品質を示した。
【0024】
【表1】
【0025】実施例2 実施例1で用いたウエハのうち、grown-in酸素
析出物のサイズが対角長で30nmであるものを用い、
アニール条件を変えて同様の評価を行った。
【0026】試験結果を比較例も含めて表2に示す。熱
処理雰囲気が100%Arで、熱処理温度が1100℃
以上1300℃以下、熱処理時間が30分以上であるも
のは、アニール後のウエハ表面におけるサイズ20nm
以上の酸素析出物密度が10 5個/cm3以下、TDDB
歩留が90%以上と良好の品質を示した。また、熱処理
雰囲気がAr+10%酸素のものはアニール後のウエハ
表面におけるサイズ20nm以上の酸素析出物密度が1
5個/cm3超、TDDB歩留が90%未満であり、実
施例に比べて劣った。
【0027】
【表2】
【0028】
【発明の効果】本発明のシリコン単結晶基板は、表面欠
陥が少なく、酸化膜耐圧特性に優れたものであり、高集
積度の高い信頼性を要求されるMOSデバイス用ウエハ
を製造するのに最適な結晶品質を有している。また、本
発明のシリコン単結晶基板の製造方法は、行程数増大に
よる製造コストの増加を招くことなく、高品質のシリコ
ン単結晶基板を安価に歩留良く提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 窒素添加なしのCZ-Si結晶中に見られる
COPのTEM像である。
【図2】 窒素添加CZ-Si結晶中に見られる、gr
own-in酸素析出物のTEM像である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横田 秀樹 千葉県富津市新富20−1 新日本製鐵株式 会社技術開発本部内 (72)発明者 碇 敦 千葉県富津市新富20−1 新日本製鐵株式 会社技術開発本部内 (72)発明者 大橋 渡 千葉県富津市新富20−1 新日本製鐵株式 会社技術開発本部内 Fターム(参考) 4G077 AA02 AB01 BA04 CF10 EH09 FE02 FE11 HA12 5F053 AA12 AA50 DD01 FF04 GG01 PP03 RR03 RR20

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板窒素濃度が1×1014atoms/
    cm3以上2×101 6atoms/cm3以下のシリコン
    単結晶基板であって、基板表面から1μmの深さの酸素
    濃度が基板の厚み中心の酸素濃度の70%以下で、かつ
    ウエハ表面から5μmより浅い領域のサイズ20nm以
    上の酸素析出物密度が105個/cm3以下であることを
    特徴とするシリコン半導体基板。
  2. 【請求項2】 窒素を1×1017atoms/cm3
    上3×1019atoms/cm3以下含有するシリコン
    融液を用いたチョクラルスキー法により育成し、結晶育
    成中の1100〜900℃までの通過時間が1時間以下
    になるように育成したシリコン単結晶から切り出したシ
    リコン単結晶基板を、不純物5volppm以下の希ガ
    スもしくは熱処理後の酸化膜厚が2nm以下に抑えられ
    ている非酸化性雰囲気中に1100℃以上1300℃以
    下で30分以上熱処理することを特徴とするシリコン半
    導体基板の製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載のシリコン半導体基板を
    製造するために用いられるシリコン単結晶であって、窒
    素濃度が1×1014atoms/cm3以上2×1016
    atoms/cm3以下であり、育成直後の状態での酸
    素析出物の対角長が40nm以下であることを特徴とす
    るシリコン単結晶。
JP2000087665A 2000-03-27 2000-03-27 シリコン半導体基板およびその製造方法 Expired - Lifetime JP3735002B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000087665A JP3735002B2 (ja) 2000-03-27 2000-03-27 シリコン半導体基板およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000087665A JP3735002B2 (ja) 2000-03-27 2000-03-27 シリコン半導体基板およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001270796A true JP2001270796A (ja) 2001-10-02
JP3735002B2 JP3735002B2 (ja) 2006-01-11

Family

ID=18603638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000087665A Expired - Lifetime JP3735002B2 (ja) 2000-03-27 2000-03-27 シリコン半導体基板およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3735002B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004228139A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Toshiba Corp シリコン単結晶基板
JP2008150283A (ja) * 2007-12-14 2008-07-03 Sumco Corp エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2010153706A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Siltronic Ag シリコンウエハ及びその製造方法
US7875117B2 (en) 2004-08-12 2011-01-25 Sumco Techxiv Corporation Nitrogen doped silicon wafer and manufacturing method thereof
JP2011029578A (ja) * 2009-03-27 2011-02-10 Covalent Materials Corp シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004228139A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Toshiba Corp シリコン単結晶基板
JP4660068B2 (ja) * 2003-01-20 2011-03-30 株式会社東芝 シリコン単結晶基板
US7875117B2 (en) 2004-08-12 2011-01-25 Sumco Techxiv Corporation Nitrogen doped silicon wafer and manufacturing method thereof
JP2008150283A (ja) * 2007-12-14 2008-07-03 Sumco Corp エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2010153706A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Siltronic Ag シリコンウエハ及びその製造方法
JP2011029578A (ja) * 2009-03-27 2011-02-10 Covalent Materials Corp シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

Also Published As

Publication number Publication date
JP3735002B2 (ja) 2006-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5578172B2 (ja) アニールウエーハの製造方法およびデバイスの製造方法
US8197594B2 (en) Silicon wafer for semiconductor and manufacturing method thereof
JP5276863B2 (ja) シリコンウェーハ
JP5537802B2 (ja) シリコンウエハの製造方法
TWI428483B (zh) 矽晶圓及其製造方法
JP6044660B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
JP4646440B2 (ja) 窒素ドープアニールウエーハの製造方法
US7189293B2 (en) Method of producing annealed wafer and annealed wafer
JP5217245B2 (ja) シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法
JP5251137B2 (ja) 単結晶シリコンウェーハおよびその製造方法
KR20140001815A (ko) 실리콘 기판의 제조 방법 및 실리콘 기판
US9390905B2 (en) Method for manufacturing silicon substrate and silicon substrate
JP2002043318A (ja) シリコン単結晶ウエーハの製造方法
JPH11168106A (ja) 半導体基板の処理方法
JP5678211B2 (ja) アニールウエハの製造方法
JP2002184779A (ja) アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ
JP2010287885A (ja) シリコンウェーハおよびその製造方法
JP2003243404A (ja) アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ
JP3735002B2 (ja) シリコン半導体基板およびその製造方法
JP4276764B2 (ja) シリコン単結晶基板及びその製造方法
JP5211550B2 (ja) シリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP3734979B2 (ja) シリコン半導体基板及びその製造方法
JP4235760B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
JP2002076005A (ja) シリコン単結晶ウエハ
JP2002043241A (ja) シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050317

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050607

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051011

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051020

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3735002

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081028

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091028

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101028

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101028

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111028

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111028

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131028

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term