JP2001270796A - シリコン半導体基板およびその製造方法 - Google Patents
シリコン半導体基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001270796A JP2001270796A JP2000087665A JP2000087665A JP2001270796A JP 2001270796 A JP2001270796 A JP 2001270796A JP 2000087665 A JP2000087665 A JP 2000087665A JP 2000087665 A JP2000087665 A JP 2000087665A JP 2001270796 A JP2001270796 A JP 2001270796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- less
- oxygen
- substrate
- single crystal
- atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
ルで表層無欠陥を達成できるシリコン単結晶基板および
その製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板窒素濃度が1×1014atoms/
cm3以上2×101 6atoms/cm3以下のシリコン
単結晶基板であって、基板表面から1μmの深さの酸素
濃度が基板の厚み中心の酸素濃度の70%以下で、かつ
ウエハ表面から5μmより浅い領域のサイズ20nm以
上の酸素析出物密度が105個/cm3以下であることを
特徴とするシリコン半導体基板、およびその製造方法で
ある。
Description
板及びその製造方法に関するもので、酸化膜耐圧特性に
優れた品質のシリコン単結晶基板及びその製造方法に関
するものである。
られるチョクラルスキー法により製造されるシリコン単
結晶ウエハには、酸化膜耐圧特性などのデバイス特性に
悪影響を与えないような高品質な結晶が求められてい
る。
に、酸化膜耐圧特性のうちの初期絶縁破壊特性(TZD
B特性)を劣化させる結晶欠陥が存在することが明らか
となってきた。それらの結晶欠陥は選択エッチング法、
アンモニア系のウエハ洗浄、あるいは赤外散乱・赤外干
渉を用いた結晶欠陥評価法で検出されるものであり、総
じてgrown-in欠陥と呼ばれる。これらの欠陥の
実体はいずれも八面体ボイド欠陥であり、特にアンモニ
ア系のウエハ洗浄後に八面体ボイド欠陥が表面にエッチ
ピットとして顕在化したものはCOP(Crystal
Originated Particle)と呼ばれ
ている(J.Ryuta,E.Morita,T.Ta
naka and Y.Shimanuki,Jpn.
J.Appl.Phys.29,L1947(199
0))。
らすことを目的とした結晶製造方法として、例えば特開
昭59-20264号公報で規定するようにシリコン単
結晶基板を水素雰囲気100%中でアニール(熱処理)
することで、ウエハ表面のCOPを低減できることが知
られている。またこの水素雰囲気アニールを施すシリコ
ン半導体基板として、特開平10-208987号公報
で規定するような赤外トモグラフで検出されるgrow
n-in欠陥(Laser Scattering T
omography Defect;LSTD)密度が
3×106個/cm3以上、もしくはSeccoエッチン
グ液で検出されるgrown-in欠陥(Flow P
attern Defect;FPD)が3×106個
/cm3以上存在するような基板を用いることで、表面
のCOPがより顕著に低減できることが知られている。
しかし、このようなCOPをアニールによって効果的に
消滅させるためには、1200℃以上の高温アニールを
行い、更に水素という爆発の危険性がある特殊ガスを用
いる必要がある。そのため、高温アニールに耐えうる仕
様であり、かつ安全上の防護対策を施した特殊な炉が必
要となり、ウエハのコストアップに繋がるという問題点
があった。
一つである窒素を添加したシリコン単結晶基板の場合、
grown-in欠陥としてCOPは見られなくなり、
grown-in酸素析出物が代わりに発生することが
知られている(第46回応用物理学会春季講演会29a
-ZB-2)。この、grown-in酸素析出物は、酸
素の外方拡散を利用することにより比較的低温アニール
で容易に消滅する。更に、アニール雰囲気として非酸化
性雰囲気(アルゴンなど)を用いることができるため、
市販されている通常仕様の炉で安価なシリコン半導体基
板の製造が可能となる。窒素を添加したアニール用基板
としては、例えば特開平10-98047号公報で規定
するような基板が提案されていたが、言及されているg
rown-in欠陥はCOPのみであり、grown-i
n酸素析出物に関する記載は全くない。窒素添加結晶の
COPは、grown-in酸素析出物に比べるとアニ
ールで消滅しにくいので、COPが残留しているような
窒素添加結晶はアニール基板としては不適当である。
rown-in酸素析出物サイズは球換算で直径50n
m程度であり、表面付近の欠陥を消滅させるためには比
較的高温長時間(1150℃4時間程度)のアニールが
必要であった。そのため、生産性を上げてウエハコスト
を下げるため、より低温短時間の熱処理で表面欠陥フリ
ーとなるような窒素添加シリコン単結晶基板が望まれ
た。
り低温短時間のアニールで表層無欠陥を達成できるシリ
コン単結晶基板およびその製造方法を提供することを目
的とする。
したシリコン単結晶中に存在する、grown-in酸
素析出物のサイズを小さくすることにより、比較的低温
短時間のアニールで消滅させることが可能になると考
え、種々の結晶成長条件で育成したシリコン単結晶中
の、grown-in酸素析出物のサイズとアニール後
の消滅挙動を調査し、本発明を完成した。
度が1×1014atoms/cm3以上2×1016at
oms/cm3以下のシリコン単結晶基板であって、基
板表面から1μmの深さの酸素濃度が基板の厚み中心の
酸素濃度の70%以下で、かつウエハ表面から5μmよ
り浅い領域のサイズ20nm以上の酸素析出物密度が1
05個/cm3以下であることを特徴とするシリコン半導
体基板、(2) 窒素を1×1017atoms/cm3
以上3×1019atoms/cm3以下含有するシリコ
ン融液を用いたチョクラルスキー法により育成し、結晶
育成中の1100〜900℃までの通過時間が1時間以
下になるように育成したシリコン単結晶から切り出した
シリコン単結晶基板を、不純物5volppm以下の希
ガスもしくは熱処理後の酸化膜厚が2nm以下に抑えら
れている非酸化性雰囲気中に1100℃以上1300℃
以下で30分以上熱処理することを特徴とするシリコン
半導体基板の製造方法、(3) 上記(1)に記載のシ
リコン半導体基板を製造するために用いられるシリコン
単結晶であって、窒素濃度が1×1014atoms/c
m3以上2×101 6atoms/cm3以下であり、育成
直後の状態での酸素析出物の対角長が40nm以下であ
ることを特徴とするシリコン単結晶、である。
キー法によるシリコン単結晶(CZ-Si結晶)の場
合、結晶育成中に固液界面から過剰の原子空孔が導入さ
れ、それらが結晶冷却中の1100℃付近で凝集しCO
Pと呼ばれる欠陥を形成する。COPは図1に示すよう
に{111}面で囲まれた八面体形状をしている空洞で
あり、複数の空洞が連結している場合が多い。これに対
して、窒素を添加したCZ-Si結晶の場合、COPが
形成されず、grown-in酸素析出物が形成され
る。grown-in酸素析出物は図2に示すように形
状は{100}面上の板状であり、内部はシリコン酸化
物で満たされている。窒素添加結晶の場合、COPの元
となる原子空孔が窒素と結合して複合体となり、このよ
うな窒素-原子空孔複合体は、自ら凝集すること無し
に、酸素と結合して酸素析出核になっているものと考え
られる。CZ-Siに導入される酸素濃度は1〜10×
1017atoms/cm3であるため、酸素の析出は、
酸素が過飽和となる1100℃以下で起こる。よって、
grown-in酸素析出物は結晶育成中の1100℃
で核形成していると考えられる。なお、窒素を1×10
17atoms/cm3以上3×101 9atoms/cm3
以下含有するシリコン融液からチョクラルスキー法によ
り育成したシリコン単結晶中には、1×1014atom
s/cm3以上2×1016atoms/cm3以下の窒素
が含有される。
に露出していた場合、酸化熱処理を行うと、このgro
wn-in酸素析出物が核となって表面近傍にOSF
(Oxidation induced Stacki
ng Fault)という結晶欠陥が発生してしまう。
このようなウエハの上に形成されたデバイスは欠陥起因
の動作不良を起こす。表面近傍の欠陥密度が105個/
cm3超の場合、一般に用いられる電極面積20mm2、
動作領域の深さ5μmのデバイスにおいて、動作不良が
引き起こされる確率は10%を越える。一般的なウエハ
の受け入れ基準である不良率は10%程度であるので、
この基準を満たすためには表層5μmまでの酸素析出物
密度を105個/cm3以下にする必要がある。またサイ
ズ20nm未満の酸素析出物は経時破壊特性(TDDB
特性)などの特性に影響を与えないことがわかってい
る。
出物が存在するようなウエハはasgrown状態で用
いることができないため、アニールによって表面近傍
の、grown-in酸素析出物を消滅させる必要があ
る。grown-in酸素析出物はCOPに比べてアニ
ールで消滅しやすい。{111}面で囲まれた八面体形
状をしているCOPは結晶学的に安定な構造であるた
め、1200℃以上の高温もしくは水素などの特殊な雰
囲気でのアニールが必要になる。それに対して、gro
wn-in酸素析出物は{100}面上の板状構造であ
り、結晶学的に不安定な構造であるため、非酸化性雰囲
気のアニールにより酸素を外方拡散させることで容易に
消滅させることが可能である。
度として1100℃以上でなければならない。1100
℃未満では酸素の拡散距離が十分でないため、外方拡散
が起こらない。また1300℃超では酸素の固溶度が高
くなるため、酸素の外方拡散が起こらなくなるため不適
切である。また、熱処理雰囲気も酸素の外方拡散に大き
く影響を与える。酸化性雰囲気のアニールでは表面に酸
化膜が形成されるため、ウエハ表面の酸素濃度が十分低
下せず、外方拡散は起こりにくい。色々な条件で実験を
行った結果、アニール後の酸化膜が2nm以下になれば
表面の酸素が十分低下し、酸素析出物低減効果が最も著
しくなる。また、希ガス中の不純物が5volppm超
あった場合は表面荒れを引き起こすので、不純物は5v
olppm以下に抑える必要がある。このような熱処理
を行うと、酸素の外方拡散によって、基板表面から1μ
mの深さの酸素濃度が基板の厚み中心の酸素濃度の70
%以下となる。
添加結晶は、grown-in酸素析出物サイズが50
nmである。なお、析出物は板状であるため、板の対角
長をサイズとしている。このgrown-in酸素析出
物は、例えば1150℃4時間のアニールを行うこと
で、表面近傍の密度を105個/cm3以下にすることが
できる。しかし、1150℃4時間のアニール工程は、
ウエハ製造工程数を増やすこととなり、ウエハコストの
増加につながる。コスト試算によると、アニールなしで
製造していた窒素添加無しのウエハと同程度のコストに
抑えるためには、アニール時間を30分に抑えることが
必要である。
消滅しやすくするためには、結晶育成条件をコントロー
ルして、grown-in酸素析出物サイズを小さくす
ることが有効である。種々の結晶育成条件で製造した結
晶からウエハを切り出し、grown-in酸素析出物
サイズとアニール挙動との詳細な調査を行った結果、g
rown-in酸素析出物サイズが板状の対角長で40
nm以下であれば、1100〜1300℃で30分のア
ニールにより表面近傍のサイズ20nm以上の析出物密
度を1×105個/cm3以下にすることが可能であるこ
とがわかった。以上のことから、これまでのアニール無
しのウエハと同程度のコストでデバイス特性に優れたシ
リコン半導体基板の製造が可能となった。
wn-in酸素析出物のサイズを対角長で40nm以下
にするためには、結晶育成中の1100〜900℃結晶
温度域を1時間以下で冷却することが有効である。gr
own-in酸素析出物は結晶育成中の1100℃で核
形成し、その後酸素の拡散律速で成長するが、900℃
以下の温度では酸素の拡散がほとんど起きなくなるた
め、実質上は1100〜900℃の温度範囲でのみ、g
rown-in酸素析出物の成長が起こる。このため、
結晶育成中の1100〜900℃の冷却時間を短くする
ことで、grown-in酸素析出物のサイズを小さく
することが可能となる。1100〜900℃の温度範囲
を1時間超で冷却した場合は、析出物が成長し過ぎてし
まうため、grown-in酸素析出物のサイズが対角
長で40nm超となってしまう。
本発明はこれらの実施例の記載によって制限されるもの
ではない。
られる単結晶製造装置を利用して、結晶育成中の110
0℃から900℃までの冷却条件を制御して、シリコン
単結晶の引上成長を行った。育成されたシリコン単結晶
は、導電型p型(ボロンドープ)、結晶径200mm、
抵抗率10Ωcmであった。grown-in酸素析出
物のサイズは透過型電子顕微鏡(TEM)にて測定し、
板状析出物の対角長のうち大きい方をgrown-in
酸素析出物サイズとした。
市販の縦型炉を用いて熱処理を行った。熱処理条件は、
温度を1150℃、時間を30分とした。雰囲気はAr
100%とした。このArの純度は5volppm以下
であった。熱処理後の酸化膜厚はいずれも2nm以下で
あった。
市販の欠陥評価装置である三井金属製LSTDスキャナ
(MO-5)を用いて測定した。LSTDスキャナは、
可視光レーザーをブリュースター角から照射し、鉛直方
向に配置したカメラでp偏光の散乱のみを欠陥像として
取り込む。レーザー波長は700nmであるので、表面
から5μmまでレーザーが浸透する。よって、ウエハ表
層より5μmまでの酸素析出物が評価できる。測定に際
しては、検出感度を調整してサイズ20nm以上の酸素
析出物をカウントするようにした。
SIMSを用いて測定した結果、いずれのウエハも表層
1μmで酸素濃度が基板厚み中心の酸素濃度の70%以
下になっていた。
めに、同時バッチで熱処理した別のウエハ上に電極面積
10mm2のポリシリMOSをエピウエハ上に作成し
た。酸化膜厚は25nmとした。連続ストレス電流密度
を-5mA/cm2とし破壊判定電界を10MV/cmと
した時、判定電荷(Qbd)が10C/cm2以上である
歩留まりを調査した。
の結果から結晶育成中の1100〜900℃までの冷却
時間が1時間以下である結晶は、grown-in酸素
析出物の対角長が40nm以下であり、アニール後のウ
エハ表面におけるサイズ20nm以上の酸素析出物密度
が105個/cm3以下、TDDB歩留が90%以上と良
好の品質を示した。
析出物のサイズが対角長で30nmであるものを用い、
アニール条件を変えて同様の評価を行った。
処理雰囲気が100%Arで、熱処理温度が1100℃
以上1300℃以下、熱処理時間が30分以上であるも
のは、アニール後のウエハ表面におけるサイズ20nm
以上の酸素析出物密度が10 5個/cm3以下、TDDB
歩留が90%以上と良好の品質を示した。また、熱処理
雰囲気がAr+10%酸素のものはアニール後のウエハ
表面におけるサイズ20nm以上の酸素析出物密度が1
05個/cm3超、TDDB歩留が90%未満であり、実
施例に比べて劣った。
陥が少なく、酸化膜耐圧特性に優れたものであり、高集
積度の高い信頼性を要求されるMOSデバイス用ウエハ
を製造するのに最適な結晶品質を有している。また、本
発明のシリコン単結晶基板の製造方法は、行程数増大に
よる製造コストの増加を招くことなく、高品質のシリコ
ン単結晶基板を安価に歩留良く提供することができる。
COPのTEM像である。
own-in酸素析出物のTEM像である。
Claims (3)
- 【請求項1】 基板窒素濃度が1×1014atoms/
cm3以上2×101 6atoms/cm3以下のシリコン
単結晶基板であって、基板表面から1μmの深さの酸素
濃度が基板の厚み中心の酸素濃度の70%以下で、かつ
ウエハ表面から5μmより浅い領域のサイズ20nm以
上の酸素析出物密度が105個/cm3以下であることを
特徴とするシリコン半導体基板。 - 【請求項2】 窒素を1×1017atoms/cm3以
上3×1019atoms/cm3以下含有するシリコン
融液を用いたチョクラルスキー法により育成し、結晶育
成中の1100〜900℃までの通過時間が1時間以下
になるように育成したシリコン単結晶から切り出したシ
リコン単結晶基板を、不純物5volppm以下の希ガ
スもしくは熱処理後の酸化膜厚が2nm以下に抑えられ
ている非酸化性雰囲気中に1100℃以上1300℃以
下で30分以上熱処理することを特徴とするシリコン半
導体基板の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1に記載のシリコン半導体基板を
製造するために用いられるシリコン単結晶であって、窒
素濃度が1×1014atoms/cm3以上2×1016
atoms/cm3以下であり、育成直後の状態での酸
素析出物の対角長が40nm以下であることを特徴とす
るシリコン単結晶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000087665A JP3735002B2 (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | シリコン半導体基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000087665A JP3735002B2 (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | シリコン半導体基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001270796A true JP2001270796A (ja) | 2001-10-02 |
JP3735002B2 JP3735002B2 (ja) | 2006-01-11 |
Family
ID=18603638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000087665A Expired - Lifetime JP3735002B2 (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | シリコン半導体基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3735002B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004228139A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Toshiba Corp | シリコン単結晶基板 |
JP2008150283A (ja) * | 2007-12-14 | 2008-07-03 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2010153706A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Siltronic Ag | シリコンウエハ及びその製造方法 |
US7875117B2 (en) | 2004-08-12 | 2011-01-25 | Sumco Techxiv Corporation | Nitrogen doped silicon wafer and manufacturing method thereof |
JP2011029578A (ja) * | 2009-03-27 | 2011-02-10 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ |
-
2000
- 2000-03-27 JP JP2000087665A patent/JP3735002B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004228139A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Toshiba Corp | シリコン単結晶基板 |
JP4660068B2 (ja) * | 2003-01-20 | 2011-03-30 | 株式会社東芝 | シリコン単結晶基板 |
US7875117B2 (en) | 2004-08-12 | 2011-01-25 | Sumco Techxiv Corporation | Nitrogen doped silicon wafer and manufacturing method thereof |
JP2008150283A (ja) * | 2007-12-14 | 2008-07-03 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2010153706A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Siltronic Ag | シリコンウエハ及びその製造方法 |
JP2011029578A (ja) * | 2009-03-27 | 2011-02-10 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3735002B2 (ja) | 2006-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5578172B2 (ja) | アニールウエーハの製造方法およびデバイスの製造方法 | |
US8197594B2 (en) | Silicon wafer for semiconductor and manufacturing method thereof | |
JP5276863B2 (ja) | シリコンウェーハ | |
JP5537802B2 (ja) | シリコンウエハの製造方法 | |
TWI428483B (zh) | 矽晶圓及其製造方法 | |
JP6044660B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP4646440B2 (ja) | 窒素ドープアニールウエーハの製造方法 | |
US7189293B2 (en) | Method of producing annealed wafer and annealed wafer | |
JP5217245B2 (ja) | シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 | |
JP5251137B2 (ja) | 単結晶シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
KR20140001815A (ko) | 실리콘 기판의 제조 방법 및 실리콘 기판 | |
US9390905B2 (en) | Method for manufacturing silicon substrate and silicon substrate | |
JP2002043318A (ja) | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 | |
JPH11168106A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
JP5678211B2 (ja) | アニールウエハの製造方法 | |
JP2002184779A (ja) | アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ | |
JP2010287885A (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP2003243404A (ja) | アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ | |
JP3735002B2 (ja) | シリコン半導体基板およびその製造方法 | |
JP4276764B2 (ja) | シリコン単結晶基板及びその製造方法 | |
JP5211550B2 (ja) | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
JP3734979B2 (ja) | シリコン半導体基板及びその製造方法 | |
JP4235760B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP2002076005A (ja) | シリコン単結晶ウエハ | |
JP2002043241A (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051011 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051020 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3735002 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081028 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091028 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101028 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101028 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111028 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111028 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131028 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |