JP2010153706A - シリコンウエハ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のシリコンウエハは、BMDの形態が八面体であるシリコンウエハであって、該シリコンウエハ表面から深さ20μmより浅い位置に存在している、対角長が200nm以上のBMDが、2×109/cm3以下であり、深さ50μmより深い位置に存在している、対角長が10nm以上50nm以下のBMDが、1×1012/cm3以上である。
【選択図】なし
Description
本発明には、以下の(1)〜(3)の発明が含まれる。
該シリコンウエハ表面から深さ20μmより浅い位置に存在している、対角長が200nm以上のBMDが、2×109/cm3以下であり、深さ50μmより深い位置に存在している、対角長が10nm以上50nm以下のBMDが、1×1012/cm3以上であることを特徴とする、シリコンウエハ。
サブストレートの窒素濃度が、5×1014atoms/cm3以上1×1016atoms/cm3以下であり、炭素濃度が、1×1015atoms/cm3以上3×1016atoms/cm3以下であり、
(A)650℃以上750℃以下の温度範囲で、30分以上5時間以下の所要時間で熱処理を行う低温熱処理工程と、
(B)さらに、850℃までの温度範囲で、0.5℃/分以上2℃/分以下の昇温速度で昇温させる熱処理と、
(C)昇温工程の後、1℃/分以上10℃/分以下の降温速度で炉の温度を下げ、当該炉の温度が600℃以上750℃以下の温度のときにサブストレートを炉外に取り出して室温まで冷却する降温・取出工程と、
(D)降温・取出工程の後、炉の温度を600℃以上750℃以下にして当該炉内にサブストレートを挿入して、当該炉の温度を1100℃未満の温度範囲は5℃/分以上10℃/分以下の昇温速度で昇温し、かつ1100℃以上1250℃以下の温度範囲は1℃/分以上2℃/分以下の昇温速度で昇温し、かつ1000℃以上1250℃以下の温度で一定のまま保持し、格子間酸素の拡散長が50μm以上になるようにする高温熱処理と、
を含む熱処理を行うことを特徴とする、製造方法。
サブストレートの窒素濃度が、5×1014atoms/cm3以上1×1016atoms/cm3以下であり、炭素濃度が、1×1015atoms/cm3以上3×1016atoms/cm3以下であり、
(A)650℃以上750℃以下の温度範囲で、30分以上5時間以下の所要時間で熱処理を行う低温熱処理工程と、
(B)さらに、850℃までの温度範囲で、0.5℃/分以上2℃/分以下の昇温速度で昇温させる熱処理と、
(C)さらに、1100℃未満の昇温処理を、5℃/分以上10℃/分以下の昇温速度で昇温し、かつ1100℃以上1250℃以下の温度範囲は1℃/分以上2℃/分以下の昇温速度で昇温し、かつ1000℃以上1250℃以下の温度で一定のまま保持し、格子間酸素の拡散長が50μm以上になるようにする高温熱処理と、
を含む熱処理を行うことを特徴とする、製造方法。
本発明のシリコンウエハは、デバイス製造プロセスにおけるスリップや反りの発生を、共に極小さく抑制することができることを特徴とするものである。
本発明に係るシリコンウエハは、上に説明した特徴を有する。したがって、かかる特徴を有するシリコンウエハを製造するための方法であれば特に制限はない。具体的には、単結晶育成条件(結晶引上速度、結晶冷却速度、坩堝回転、ガス流など)や熱処理条件(熱処理温度、時間、昇降温など)を適切に制御することで、上の特徴を有するシリコンウエハを作製することができる。
ここで、
D(cm2/秒)=0.17×exp(−2.53÷8.62×10−5÷温度(K))
このように、拡散長が50μm以上となる熱処理は、5μm以上といった広いDZ層を形成するうえで好ましい。
単結晶インゴットを種々の条件(ウエハ径、伝導型、酸素、窒素、炭素濃度)で作製し、それぞれの単結晶インゴットの直胴部の同一部位を、ワイヤソーを用いて切り出し、ミラー加工して作成した厚さ725μm以上750μm以下の基板をサブストレートとした。さらにサブストレートから、以下に示す方法により、アニールウエハを作製した。
得られたサブストレートをバッチ式の第一縦型熱処理炉内に投入し、低温熱処理を行った後、第二縦型熱処理炉内に投入し、高温熱処理をアルゴン雰囲気中にて行った。高温熱処理の格子間酸素の拡散長は、高温熱処理の温度パターンに従って上記式(i)を積分することで得た。各実施例及び比較例の熱処理条件は、以下に示す通りである。
得られたサブストレートをバッチ式の縦型熱処理炉内に投入し、同じ炉内で低温熱処理、高温熱処理をアルゴン雰囲気中にて行った。高温熱処理の格子間酸素の拡散長は、高温熱処理の温度パターンに従って上記式(i)を積分することで得た。各実施例及び比較例の熱処理条件は、以下に示す通りである。
実施例1から3:700℃で4時間、800℃まで1℃/分で昇温、800℃で0時間、3℃/分で降温、700℃で取り出し、室温まで冷却、700℃で挿入、1100℃未満は5℃/分で昇降温、1100℃以上は1℃/分で昇降温、1200℃で5時間
実施例4:700℃で4時間、750℃まで0.5℃/分で昇温、750℃で0時間、3℃/分で降温、700℃で取り出し、室温まで冷却、700℃で挿入、1100℃未満は5℃/分で昇降温、1100℃以上は1℃/分で昇降温、1200℃で5時間
実施例5:700℃で4時間、800℃まで0.5℃/分で昇温、1100℃まで8℃/分で昇降温、1100℃以上は1℃/分で昇降温、1200℃で5時間
比較例1から4:700℃で4時間、800℃まで1℃/分、800℃で0時間、3℃/分で降温、700℃で取り出し、室温まで冷却、700℃で挿入、1100℃未満は5℃/分で昇降温、1100℃以上は1℃/分で昇降温、1200℃で1時間
比較例5:700℃で4時間、700℃で取り出し、室温まで冷却、700℃で挿入、1100℃未満は5℃/分で昇降温、1100℃以上は1℃/分で昇降温、1200℃で1時間
比較例6:700℃で4時間、800℃まで0.5℃/分、800℃で0時間、3℃/分で降温、700℃で取り出し、室温まで冷却、700℃で挿入、1100℃未満は5℃/分で昇降温、1100℃以上は1℃/分で昇降温、1200℃で1時間
上記作製条件で得られたそれぞれのアニールウエハについて以下の(1)、(2)、(3)、(4)に関する測定及び評価を行った。また、(1)及び(2)の測定に使用するサンプルのうちTEMサンプルは、各ウエハを所定深さ(50μm、100μm、300μm)まで、精密研磨機により削り、ウエハの中心部と、エッジから10mmの二箇所から採取した。OPPは、各ウエハの所定深さ(表層から5μm、15μm)、所定位置(中心、エッジから10mm)にフォーカスを設定して測定を行った。
この校正曲線を使って、シグナル強度からBMDのサイズを求めた。なお、サイズを求める際は、ゴーストシグナル除去処理(K. Nakai Review of Scientific Instruments, vol. 69 (1998) pp. 3283)を行った。検出感度は、対角長80nm以上のBMDが測定できる感度に設定した。
アニールウエハからサンプルを採取し、表面の窒素外方拡散層を除去するために20μmのポリッシュを行った後、SIMSを用いて窒素濃度を測定した。
アニールウエハに対して、下記(4)の熱処理(以下、「擬似デバイスプロセス熱処理」とする。)を行った。そして、擬似デバイスプロセス熱処理前、および擬似デバイスプロセス熱処理後のアニールウエハの反りをNIDEK社製FT−90Aで測定し、反り増加量=熱処理後の反り−熱処理前の反り、を求めた。また、擬似デバイスプロセス熱処理後のアニールウエハをX線トポグラフで観察し、観察されたスリップの長さのうち最大の長さを代表値とした。
(4)バッチ式熱処理炉を使った熱処理
(I):炉温を900℃に保持してウエハを挿入
(II):酸素雰囲気で900℃30分保持した後、900℃でウエハを引出
表2には実施例および比較例として、表1に示した作製条件にて作製されたアニールウエハについて、測定された所定サイズのBMDの密度、擬似デバイスプロセス熱処理により発生したスリップと反り量をまとめた。また、いずれの条件により作製されたウエハでも、BMDの平均扁平率は1.5以下であった。
これらの結果より、以下のことが分かる。
(i)BMD密度の表層が2×109/cm3以下で、BMD密度のバルク内部が1×1012/cm3以上になることで、スリップ長さが10mm以下になり、反り量が10μm以下に抑えられている。
(ii)窒素添加されたアニールウエハの窒素濃度は、サブストレートで測定された窒素濃度と変わらなかった。
(iii)スリップと反りは、P型、N型の区別はなかった。
(iv)熱処理が分割熱処理、一括熱処理のどちらでも効果が変わらなかった。
(v)サブストレートの窒素、酸素、炭素が同じウエハでも、格子間酸素の拡散長さを50μmにすることで、スリップ特性と反り特性を満足することができた。
(vi)サブストレートの窒素、酸素、炭素がほぼ同じウエハでも、低温熱処理を変更することでスリップ特性または反り特性を満足することはできるが、両方の特性を満足することはできなかった。
Claims (3)
- BMDの形態が八面体であるシリコンウエハであって、
該シリコンウエハ表面から深さ20μmより浅い位置に存在している、対角長が200nm以上のBMDが、2×109/cm3以下であり、深さ50μmより深い位置に存在している、対角長が10nm以上50nm以下のBMDが、1×1012/cm3以上であることを特徴とする、シリコンウエハ。 - 請求項1記載のシリコンウエハの製造方法であって、
サブストレートの窒素濃度が、5×1014atoms/cm3以上1×1016atoms/cm3以下であり、炭素濃度が、1×1015atoms/cm3以上3×1016atoms/cm3以下であり、
(A)650℃以上750℃以下の温度範囲で、30分以上5時間以下の所要時間で熱処理を行う低温熱処理工程と、
(B)さらに、850℃までの温度範囲で、0.5℃/分以上2℃/分以下の昇温速度で昇温させる熱処理と、
(C)昇温工程の後、1℃/分以上10℃/分以下の降温速度で炉の温度を下げ、当該炉の温度が600℃以上750℃以下の温度のときにサブストレートを炉外に取り出して室温まで冷却する降温・取出工程と、
(D)降温・取出工程の後、炉の温度を600℃以上750℃以下にして当該炉内にサブストレートを挿入して、当該炉の温度を1100℃未満の温度範囲は5℃/分以上10℃/分以下の昇温速度で昇温し、かつ1100℃以上1250℃以下の温度範囲は1℃/分以上2℃/分以下の昇温速度で昇温し、かつ1000℃以上1250℃以下の温度で一定のまま保持し、格子間酸素の拡散長が50μm以上になるようにする高温熱処理と、
を含む熱処理を行うことを特徴とする、製造方法。 - 請求項1記載のシリコンウエハの製造方法であって、
サブストレートの窒素濃度が、5×1014atoms/cm3以上1×1016atoms/cm3以下であり、炭素濃度が、1×1015atoms/cm3以上3×1016atoms/cm3以下であり、
(A)650℃以上750℃以下の温度範囲で、30分以上5時間以下の所要時間で熱処理を行う低温熱処理工程と、
(B)さらに、850℃までの温度範囲で、0.5℃/分以上2℃/分以下の昇温速度で昇温させる熱処理と、
(C)さらに、1100℃未満の昇温処理を、5℃/分以上10℃/分以下の昇温速度で昇温し、かつ1100℃以上1250℃以下の温度範囲は1℃/分以上2℃/分以下の昇温速度で昇温し、かつ1000℃以上1250℃以下の温度で一定のまま保持し、格子間酸素の拡散長が50μm以上になるようにする高温熱処理と、
を含む熱処理を行うことを特徴とする、製造方法。
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