KR100945767B1 - 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- BMD의 형상이 8면체인 실리콘 웨이퍼로서,BMD의 대각선 길이가 10nm 내지 50nm의 범위에 속하고, 50㎛ 이상의 간격만큼 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 내측으로 간격을 둔 깊은 위치에 존재하는 BMD의 밀도는 5×1011/cm3 이상이며,BMD의 대각선 길이가 300nm 이상이고, 50㎛ 이상의 간격만큼 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 내측으로 간격을 둔 깊은 위치에 존재하는 BMD의 밀도는 1×107/cm3 이하이고,침입형 산소 농도는 5×1017 원자/cm3 이하인 것인 실리콘 웨이퍼.
- 플레이트 형상의 BMD 및 8면체 BMD가 존재하는 실리콘 웨이퍼로서,BMD의 대각선 길이가 10nm 내지 50nm의 범위에 속하고, 50㎛ 이상의 간격만큼 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 내측으로 간격을 둔 깊은 위치에 존재하는 8면체 BMD의 밀도는 5×1011/cm3 이상이며,BMD의 대각선 길이가 750nm 이상이고, 50㎛ 이상의 간격만큼 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 내측으로 간격을 둔 깊은 위치에 존재하는 플레이트 형상의 BMD의 밀도는 1×107/cm3 이하이고,침입형 산소 농도는 5×1017 원자/cm3 이하인 것인 실리콘 웨이퍼.
- BMD의 형상이 플레이트 형상인 실리콘 웨이퍼로서,BMD의 대각선 길이가 10nm 내지 120nm의 범위에 속하고, 50㎛ 이상의 간격만큼 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 내측으로 간격을 둔 깊은 위치에 존재하는 BMD의 밀도는 1×1011/cm3 이상이며,BMD의 대각선 길이가 750nm 이상이고, 50㎛ 이상의 간격만큼 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 내측으로 간격을 둔 깊은 위치에 존재하는 BMD의 밀도는 1×107/cm3 이하이고,침입형 산소 농도는 5×1017 원자/cm3 이하인 것인 실리콘 웨이퍼.
- 기판을 열처리하여 제1항에 따른 실리콘 웨이퍼를 제조하기 위한 방법으로서, 상기 열처리는,(A) 30분 내지 10시간 동안 600℃ 내지 750℃의 온도에서 실행된 저온 열처리 단계;(B) 5 시간 내지 50 시간 동안 0.1℃/분 내지 1℃/분의 온도 상승 속도로 실행된 1000℃까지의 온도 상승 단계;(C) 상기 침입형 산소의 확산 길이가 30㎛ 내지 50㎛ 범위에 속하도록 1000℃ 내지 1250℃의 온도에서 실행된 고온 열처리 단계를 포함하는 것인 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
- 기판을 열처리하여 제1항에 따른 실리콘 웨이퍼를 제조하기 위한 방법으로서, 상기 열처리는,(A) 저온 열처리 단계로서 30분 내지 10시간 동안 600℃ 내지 750℃의 온도에서 열처리를 실행하는 단계;(B) 저온 열처리 단계 이후에 온도 상승 단계로서 1 시간 내지 20 시간 동안 0.1℃/분 내지 1℃/분의 온도 상승 속도로 800℃까지의 온도 상승을 포함하는 단계;(C) 1℃/분 내지 10℃/분의 온도 하강 속도로 노 온도를 하강시키고, 600℃ 내지 800℃ 사이의 노 온도에서 상기 기판을 노 밖으로 끄집어내고, 기판을 실온까지 냉각시키는 것을 포함하는 단계; 및(D) 600℃ 내지 800℃ 사이의 노 온도에서 상기 기판을 노 안으로 가져가고, 1℃/분 내지 10℃/분의 온도 상승 속도로 1000℃까지 상승시키고, 고온 열처리 단계로서 침입형 산소의 확산 길이가 30㎛ 내지 50㎛ 범위에 속하도록 1000℃ 내지 1250℃의 온도에서 열처리의 수행을 포함하는 단계를 포함하는 것인 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
- 기판을 열처리하여 제2항에 따른 실리콘 웨이퍼를 제조하기 위한 방법으로서,상기 기판 내의 질소 농도는 5×1014 원자/cm3 내지 1×1016 원자/cm3의 범위에 속하며, 상기 열처리는,(A) 30분 내지 10시간 동안 600℃ 내지 750℃의 온도에서 실행된 저온 열처리 단계;(B) 5 시간 내지 50 시간 동안 0.1℃/분 내지 1℃/분의 온도 상승 속도로 1000℃까지 실행된 온도 상승을 포함하는 단계; 및(C) 상기 침입형 산소의 확산 길이가 30㎛ 내지 50㎛ 범위에 속하도록 1000℃ 내지 1250℃의 온도에서 실행된 고온 열처리 단계를 포함하는 것인 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
- 기판을 열처리하여 제2항에 따른 실리콘 웨이퍼를 제조하기 위한 방법으로서,상기 기판 내의 질소 농도는 5×1014 원자/cm3 내지 1×1016 원자/cm3의 범위에 속하며, 상기 열처리는,(A) 저온 열처리 단계로서 30분 내지 10시간 동안 600℃ 내지 750℃의 온도에서 열처리를 행하는 단계;(B) 1 시간 내지 20 시간 동안 0.1℃/분 내지 1℃/분의 온도 상승 속도로 800℃까지의 온도 상승을 포함하는 단계;(C) 1℃/분 내지 10℃/분의 온도 하강 속도로 노 온도를 하강시키고, 600℃ 내지 800℃ 사이의 노 온도에서 상기 기판을 노 밖으로 끄집어내고, 상기 기판을 실온까지 냉각시키는 것을 포함하는 단계; 및(D) 600℃ 내지 800℃ 사이의 노 온도에서 상기 기판을 노 안으로 가져가고, 1℃/분 내지 10℃/분의 온도 상승 속도로 1000℃까지 상승시키고, 고온 열처리 단계로서 상기 침입형 산소의 확산 길이가 30㎛ 내지 50㎛ 범위에 속하도록 1000℃ 내지 1250℃의 온도에서 열처리의 수행을 포함하는 단계를 포함하는 것인 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
- 기판을 열처리하여 제3항에 따른 실리콘 웨이퍼를 제조하기 위한 방법으로서, 상기 열처리는,(A) 10분 내지 10시간 동안 600℃ 내지 750℃의 온도에서 열처리를 수행하기 위한 저온 열처리 단계;(B) 5 시간 내지 50 시간 동안 0.1℃/분 내지 1℃/분의 온도 상승 속도로 1000℃까지 온도 상승을 수행하는 단계를 포함하는 온도 상승 단계;(C) 상기 침입형 산소의 확산 길이가 20㎛ 내지 30㎛ 범위에 속하도록 1000℃ 내지 1250℃의 온도에서 실행된 고온 열처리 단계를 포함하는 것인 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
- 기판을 열처리하여 제3항에 따른 실리콘 웨이퍼를 제조하기 위한 방법으로서, 상기 열처리는,(A) 저온 열처리 단계로서 10분 내지 10시간 동안 600℃ 내지 750℃의 온도에서 열처리를 수행하기 위한 단계;(B) 저온 열처리 단계 이후에 온도 상승 단계로서 1 시간 내지 20 시간 동안 0.1℃/분 내지 1℃/분의 온도 상승 속도로 800℃까지 온도 상승을 포함하는 단계;(C) 1℃/분 내지 10℃/분의 온도 하강 속도로 노 온도를 하강시키고, 600℃ 내지 800℃ 사이의 노 온도에서 상기 기판을 노 밖으로 끄집어내고, 기판을 실온까지 냉각시키는 것을 포함하는 단계; 및(D) 600℃ 내지 800℃ 사이의 노 온도에서 상기 기판을 노 안으로 가져가고, 1℃/분 내지 10℃/분의 온도 상승 속도로 1000℃까지 상승시키고, 고온 열처리 단계로서 상기 침입형 산소의 확산 길이가 20㎛ 내지 30㎛ 범위에 속하도록 1000℃ 내지 1250℃의 온도에서 열처리를 수행하는 것을 포함하는 단계를 포함하는 것인 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
- 제8항 또는 제9항에 있어서,상기 기판 내의 질소 농도는 5×1014 원자/cm3 내지 1×1016 원자/cm3의 범위에 속하는 것인 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
- 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판 내의 탄소 농도는 2×1015 원자/cm3 내지 3×1016 원자/cm3의 범위에 속하는 것인 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
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