TW508554B - Display comprising organic smart pixels - Google Patents

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organic
circuit
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Ananth Dodabalapur
Rahul Sarpeshkar
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Lucent Technologies Inc
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508554 五、發明說明（1) 發明之技術領 本發明係與含有有發光元件之各種活性矩陣式顯示器有 關。 發明之背景說i έ有冬慧型像素的各式顯示器乃大眾熟知之設備。通 常’一個智慧型像素包含一發光二極體和一個含有一或多 個場效電晶體（FETs)的電路，用以驅動並控制該具有發光 特性元件的操作。一個.已知像素通常係由數條連接至周邊 配置的驅動電路之導線呈現出來。 最近’有不少有機發光元件（通常是以有機發光二極體 構成）已被公開發表（例如：A. Dodaba 1 apur在1 9 9 7年出版 之「固悲通訊報導」1〇2卷第2-3號第259至267頁發表之文 獻）’並經建議用於顯示器裝置中。例如·· Μ· κ· Hatal is 等人於「SPIE年報」3 0 5 7號第277頁（ 1 9 9 7年報）中發表之 論文，以及C· C· Wu等人於「IEEE電子裝置報導」第18卷 609頁（1997年出版）中發表之論文。這些參考文獻中所發 表的智慧型像素都是以複結晶類及非結晶矽元素活性波道 材料製成的有機發光二極體（LEDs)和場效電晶體（FETs)m 構成。 另外’在下列若干刊物中也曾發表了一些含有有機發光 極體的有效兔慧型像素。請參閱：Dodabaiapur等人在 1 9 9 8年7月份之「應用物理報導」第73(2)卷142至144頁中 1，以Bao等人1998年5月29日所提出之美國專利申請書第 09/087, 201號中；和Η· Sirringhaus等人在 1998年6月12
第5頁 JUOJ JH- 五、發明說明（2) 二之「科學雜誌」第28〇卷1741頁所發表之論文。在 ^寺/不器中所採用的像素不僅含有一有機發光二極體 、 也有一或多個有機像素場效電晶體（fets)。 二=，LEDS和有機像素場效電晶體製成的活性矩陣顯示 i 22 μ些重要的優點，例如，成本低廉以及可與具有 弹丨生特點的各種塑膠基質配合使用。 + ρρ ^ t已了解，諸如有機LEDs和有機像素1^1^時常有若 斜2右傷不太理想的特性（合稱「不理想特性」）足以 對/、有優良性能和顯示器之操作性能產生不良影變。 臨=現，有機UDS的電荷載子移動率及(或) 盤+銘細I曰 久使用而變慢或變更；有機FETs的電荷 Ϊ 或）臨限電壓常會因不同的m而各異；以 合料雪！Ts於電晶體被關斷時由於備用電流之影響，常 i: 3 Γ 號經由閘極絕緣子而回授的現象及充電漏 生重大亮度變化；(或;想；=能導t顯示；發 接受’特別是就目前已知之义類眼::”上有犄令人：： 料製成之，，也會時常：二 活性波道材 之有Γ:慧型像素之活性矩陣式顯示器可能具有 干=，極需設法減輕或消除之 一致性 Γ 書中不僅揭露一些該等重大：不-致 性，同時也發表如何克服這些不一致性的方法 兹將可供參考且與本說明書主題事項有關的二二b美國專
第6頁 508554 五、發明說明（3) 利及美國專利申請案分別如下： 美國專利··第 5, 405, 710 號；5, 478, 658 號；5, 574, 291 號；5, 625, 199號；和5, 596, 208號；美國專利申請案：由 0〇(136318?11]：等人於1995年5月15日提出之第〇8/441，142 號；由Bao等人於1998年5月29日提出之第09/087, 201號； 以及由Dodabalapur於1998年8月20提出之第09/137, 920 號0 上開各項參考依據均列為本說明書的參考資料。 發明之概述 廣義而言，本發明係包含於一活性矩陣式顯示器内，其 中之影像儿素至少包括一有機組件，通常係一有機發光二 極體（LED)。該像素通常另亦包括至少一個有機或矽質像 素％效電晶體（FET，例如，複結晶矽質FET或非結晶矽質 FET)。由於採用該之一或多個以有機複結晶矽質或元件或 非結晶石夕質元件構成的像素產生裝置，聯帶 出 不一致現象。 1 不少有兩·。一種是因為有機電晶體本身之 是指!二要頻率(〜引起而且需要對每一智慧型像素（通常 ^ 7要頻率（特別是在75赫茲上下之頻率）上的像辛） 加以改正的那些不理相卜’貝手）上的像素） 包括因矩起伏時間就特性。第-種不-致性的特例 F E T s閘極絕緣^之現f所引起的電容性電流回授有機像素 比所引起之充電漏電流現：及因各有機電晶體較低之開閉 另'一種不一致性诵A 0社 吊疋‘因各有機組件物理特性緩慢變
第7頁 508554 五、發明說明（4) 化（例如：移動性，臨限電壓等特性的變化）所引起而且僅 需不時地加以改正的一些不一致性（例如：在顯示器被啟 動時，及（或）在時間長於圖框顯示期間的預定時間間隔之 期間内，例如每天一次，加以改正者）。 為了減輕或克服若干或全部不一致性缺點，依本發明製 造的顯示器中包含一種電器，通常至少該電路之一部份係 配置在該顯示器的周圍，用以執行各種補償功能。以下將 這種電路簡稱為「驅動/補償電路」。
用以減輕第一種不一致性的「驅動/補償電路」，通常 包含一些附加的FETs (亦即：除原有之傳統式像素FET外， 附加的若干F E T s )，用以減輕或消除以先前技術製成之智 慧型像素所發生之電容性信號回授現象，充電漏電流現象 或其他不一致性現象。而用以減輕第二種不一致性現象的 「驅動/補償電路」，通常會包含可用以定期計量並存儲 每一智慧型像素之相關特性資料（例如··用以產生流經LED 之電流而需要的電壓，及（或）臨限電壓）之裝置。此種資 料通常被儲存在一電子記憶體内，而「驅動/補償電路」 則係用以根據個別像素的特徵對每個偏離其原定條件之每 一像素調整其驅動條件。
熟諳本技術領域者應可承認，該各種減輕智慧式像素不 一致性的方法確屬可行方法，因為，傳統型矽基電路的精 確性遠高於有機基質電路的精確性。因此，依本發明設計 之「驅動/補償電路」，至少有一部份可適用於矽科技， 通常是傳統型互補式金屬氧化物半導體（C-M0S)科技。 、發明說明（5) 含有一或多個有機組件之像 現象： 素，其不一致性通常包括各 五 種現象 _ a) 每有機像素场效電晶體^ 動率及（或）臨限電壓； 有與其他電晶體不同之移 久不同，其移動率及（或） b) 任一像素FET因使用時間 臨限電壓就會發生變化； 長 c) LED長期使用後其各項# $特祕& a d) 因短暫起伏時間脈衝所王所發生的變化； 像素FETs閘極絕緣子的現象；引起之電容性信號回授有機 e) 因有機像素FET不良開_ & 質而滲漏的現象。 比而引起之電荷經由閘極介 在上開各項不一致性現象中 在遠低於顯示器主要頻率的頻“a)，b)及c)三項通常需要 項則需要在主要頻率上對每二率時加以改正；而d)和e)兩 之為「適應性像素控制」。像素加以改正。前者常被稱 更明確言之’本發明所舉範 / 之设計，该顯示裝置包含佈执】係可納入各種顯示裝置内 義上相同的智慧式像素，以一第一基質區上之多個名 素之第二基質區。每一智慧式個並未佈設任何智慧式像 體，和一個用以提供可汽二二古2各包含一有機發光二極 促货^經该有機發光二極體之電流的像 素電路。该像素‘電路至少包含一像素FET(通常，但並非一 定是一有機像素FET)，與該有機發光二極串連，並被佈設 在該第一基質區内。 應注意者乃是，該名義上相同的各個智慧式像素都展現
第9頁 508554 五、發明說明（6) 足以對該顯示器裝置的性能形成不利影響的一或多項不一 致性。該顯示器裝置另亦包含一 「驅動/補償電路」至少 可用以減輕一或多項前述不一致性，以提升該顯示器裝置 之性能。 通常，與該有機LED串接之場效電晶體是一有機FET (但 也可能是一複結晶或非結晶型矽質FET )，而該「驅動/補 償電路」通常是一單晶矽基（例如傳統之C-M0S)電路。
該「驅動/補償電路」之選用目的，足將補償電荷射入 該有機F E T之閘極接端，以減輕電容性信號回授現象，或 設定一 R 0 W信號及一 R S T信號高值非活性電壓，使其電壓值 高於供電電壓值Vdd，而達到減輕充電漏電流現象。 另一特例中，該「驅動/補償電路」之選用目的，是用 以計量並儲存每一智慧式像素的一或多項特性資料，並按 計量結果顯示的需要改變其控制電壓，以使所有智慧式像 素對施加於該顯示器裝置之任一既定信號具有大致上相同 的發光能量。 附圖簡要說明. 圖1所示係一含有一像素F E T之先前技術所設計的有機智 慧式像素之電路範例圖；
圖2所示係.以先前技術設計之一種有機智慧式像素的各 種電氣特性； 圖3所示係一先前技術設計之有機智慧式像素控制節點 電壓與不同時間對照計算結果繪出之變化曲線圖； 圖4所示係一有機智慧式像素以及一「驅動/補償電路」
第10頁
:電容性信號回授，
控制印點電壓邀 圖； 節點電壓與不 一致性現象（諸如· •電路範例圖； 含有「驅動/補償電路」 同時間對照計算結果缘 /補償電路」之智慧式像素 叶算結果繪出之變化曲線 圖6 a及
圖7所示係一有機智慧式像素與範例 +定圖6b’ 及6e所示各種 「驅動/補償電路 各相關部份之電路圖； ” 圖8所示係範例「驅動/補償電路J各相關部份之電路 圖9所示係一有機智慧式像素與另，範例「驅動/補償電 路」各相關部份之電路圖；及 圖1 〇所示係本發明所揭露之活性矩陣顯示器各相關部份 之說明圖。 詳細說明 圖1所示乃一依先前技術所設計之/種有機智慧式像素 電路1 0，其中以數字1 1 一 1 4標示之部份分別代表電路中之 有機LED，該LED之光線輸出，有機像素FET P1’以及用以 將一控制電壓Vc供應至該像素FET閘極之控制電容器C1。 圖中亦顯示供電電壓Vdd及LE D驅動電壓VLED。圖1中之智慧 式像素，大致上與該由Dodabalapur等人所發表文獻中的 圖1所示智慧式像素相似。圖1所示之像素電路係佛在 —基質區内一已知有機LED之鄰近部位。 宁仰&在弟 508554
508554 五、發明說明（9) 知L E D的鄰近部位上。
有機LED 1 1係受有機FET pi的控制，由該有機FET的閘 極電壓Ve決定流經該led的電流量。電晶體P2藉由一短暫 的RST主動低脈衝將vc重新設定至vdd電壓值上。電晶體P4 的寬度長度（W/L)比為電晶體P2 W/L比的一半，並接收在 RSTB控制線路上的倒反式RST脈衝。在該RST脈衝的各尖峭 波緣時段内由電晶體p 2的閘極至吸極重疊電容量注入於 上的不良電荷，由電晶P4及RSTB將其消除。當RST轉變 時’ RSTB也隨之進行一次補償轉變，因而導致電晶體p4閘 極及吸極和閘極及源極間的重疊電容將一補償電荷注入在 Vc上。電晶體P3使電容器C1放電至一個由ROW線路上的主 動低脈衝寬度和C0L上的一個驅動電流/電壓源電壓值所決 定的電壓值上。電晶體P5及控制線r〇WB的功能係以電晶體 P4和控制線RSTB為RST脈波執行電荷補償類同方式為R〇f脈 波執行電荷補償操作。
P2和P3的不良電流導致充電漏電流和1原有電壓值的降 低。如果將ROW和RST信號的靜態高電壓值設定在超過、電 壓值很多的電位時，就可減輕前述的不良現象。因此， Vdd=40伏等，且如R〇W和RST的靜態高電壓值大約為5〇伏特 ’即可確保電晶體P2和P3二者的閘極對源極電壓的負值甚 大而並非剛好為零，因此，該兩個電晶體的洩漏電流乃 略而不計，此種將ROW和RST信號的靜止高電壓值設定至= 過Vdd電壓甚多的電壓值之簡單權宜之計，可有效地補償】 電漏電流的不良現象，因而應視為本發明的一項重大特兄
第13頁 508554 五、發明說明（ίο) ---— 點。 應了解者乃係，如圖4所示之驅動/補償電路（或任一相 同的電路）與一顯不器每一有機智慧型式像素有關聯，並 於任一像素每次被涉及持或重新設定時就會對不一致現象 提供補償作用。該電路最好係以有機！^。組成，而且通常 係佈設在第一基質區内之LED鄰近部位。 另應了解者則係’圖4並不顯示一些傳統式電路特徵部 份，例如：Vdd和接地點之間的電源，以及電晶體”至”的 各個基質連接端子。後者被視為和傳統式接法一樣係連 至接地點上。圖4中使用之符號都是傳統的符號。例如· 所有P型MOS FETs其標示符號均以字母「p」開始（ρι，
；_N. ...等），而任一已知信號的互補部份除於\該已知 L #u的代#u外，另在後面加一字母B。例如：「RST :=部=:=「_」。這種傳統標示法， 晴專利說明書中隨處可見。 —甲 圖5所示乃係圖4所示有機智慧式像素之spi 曲線圖。此項模擬操作所使用的夂壯班& m狹、，口果 *前…計之像素時所：；：== = =模擬 ;參見圖3)，但卻呈現虛擬電荷補償項(= P5)以及充電漏電流（雖鋏v 4 及 # ^ . t ； 50；^ ^ ί , ^R〇^RST^ ^ - 仏心爪荷）的現象。由此可看 大量減輕電容性低頻干擾形式及充電、&規丁看出已 標號5 0和5 1分別代表、和Vud。 ·、電机見象。圖中之 由圖3及圖5可知，控制電壓Vc狼快地就達到與其最後電 508554 五、發明說明（π) 值相稱的程度，通常在1 〇微秒的脈衝寬度内完成。LED電 壓VLED可在一資料段之一個恢復週期（例如1 4毫秒）内由最 低值很快地（通常在50微秒以内）充電至一高值。VLED由一 高值衰，至一低值的過程比預期之LED達到不對稱:過程 k 但疋貝際電流’以及因此而由LED放射的光線則係 其電壓之一項強功率法則函數，而且衰減的更快。因此， 在=3中，雖然，該電壓需要幾個毫秒的時間始可衰減幾 汽:寺’但電流則很快地就下降至零， 1 0 0微秒以内。 你V c里1巧夂 模擬作業期間所使用之各蹈駐 半/fiΜ *古地^ 項裝置參數，包括：一 1 0 0 0微 木/ 6破米有機FET，其移動比為n nQ 2/π 壓為-2伏，100毫微来：=°.°舌3，“。，臨限電 以12伕牲月]“貝，重疊電容量為2fF/# m， 以W伏特及100微安培供電之_ ^ led，其介質常數為3,介質厚产mx 1毫米之有機 以上操作時之第9功率卜v特性:^〇〇m，以及8伏特 之真實裝置操作的代表性參數。-些參數僅係可供參考用 由：2作顯示，本發明說明書所討論 ⑽的充電與放電時間Λ 易進行操作。例如， 秒標準恢復率範圍以内5i D好在1 0 0 0 χ 1 0 0 0像素列的14微 放雷/圍而1，在控制操作模式之“ 放電刼作可在14微秒内完成，以一含 =之充電及 例，1 4微紊丨、7¾在留〆招》a 仃的像素列為 所 私乃係早仃刼作的標準可用時間。因此， ”、、 了加強顯示器的操作能力。 致〜響的技術
Hill
第15頁 508554 五、發明說明（12) 圖6a至6e各圖所示乃係說明在一有機ρΕΤ内的電容性閘 極電流回授的現象，以及減輕回授現象的方法。 圖6a所示乃係產生vdd- 〇時如圖6b所示示波器波跡的計量 電路簡圖。由圖6 b之Vs電波波跡中可看到因電容性信號回 授效應所產生的突發式脈衝波。圖6 c所示乃係產生Vdd= 〇時 如圖6 e所示示波器波跡的計量電路簡圖。如果提供虛擬電 注入（亦即將一補償電壓施加至連接於該有機FET源極上的 電容上）即可大量減輕電容性信號回授效應的現象。圖 6e所示波跡圖乃係在圖6C所示計量電路上施加一負值偏壓 後所得到的結果。此一結果波跡特性曲線圖大體上是很理 想的。 在討論過該可大量消除有機智慧式像素中諸如電容性信 號回授及充電漏電流等不理想現象的方法之後，在下文中 將討論一種可採取的適應性像素控制方法。 圖7所不係另一種驅動/補償電路範例簡圖，該電路除其 他功能外，尚可提供電荷補償功能以利實現適應性像素控 制的效果，詳如以下之說明。 圖7所•示電路與圖4電路不同之虛艿户 乂本祕a 7 , T m , 、 吟卜N <慝乃在，刖者增加了兩個 LEDs (P6和P7)，以及兩杆亩別細私 —丄 汉陶灯1列線路（COL及COLB)。P6可以 耩由COL電壓的脈波宽声釦腑、士 a — 的放雷雷泣。^岡^ 向度之變化來控制像素内 的狄電電 >，丨l。在圖4中，p丨| <系益山 / . 沾Φ/爺、古、店# & 、係猎由一個與該直列線路串接 的電屋/電流源控制方式來控制放 甲按 讀者將可了解’可利用兩 揭露之適應性像素控制方法”不益中實行本發明 刺万忐，其一為正常模式，另一為校 準 模if 以 預i間=門顯"示器每次開機後，通常係以短暫時間或 作。校準乍例Λ V"天一次）方式進行校準模式操 轉換至正ίϊΐί元成後，驅動/補償電路即可將顯示器 Μ式期間通常都可進杆X ”：t:η Μ式及正常操作 補ir”制該等；：：；：控制’例如…荷 動，此；益二ί :二f操作時，即有-橫列之像素被啟 所有各P3的閘極上2壓脈衝施加該橫列⑽W)線路上 用以減少時計作於θ ί 6上施加一縱列脈衝（以及將一個 即可標定—特定縱U ，現象的縱列補償脈衝施加至Ρ7)， 對應顯示資料進行。該，縱列脈衝之寬度部份可用以 該特定像素附加所錯存ς;里準：：脈衝之高度部份則可對 當顯示哭〇 &唯 的扠準貧料。 流。根據對該橫列像Λ)監測流入ρι(在節點、幻之電 :特定橫列像素中所有=像素所測得之資_，乃可將 所需要的數值。此—产素的縱列脈衝的高度值調整至一 處理。校準操作係對^ ，序對所有橫列像素進行相同 :右俾使校準操作期間的縱列脈衝寬度部份執 :政地補償一定 =所有脈衝高，資料 見象。 $度乾圍内所發生的像素資訊 0圖8所示乃一驅動/補^雷 回應請了解者乃係該二$路靶例之相關部份電路概 五、發明說明（14) 特定橫列像素 顯示器的每一像素電路上。一般言之，任 π〜; 中所有縱列像素均可被該並聯的驅動/補償電路加以監測 和補倡。圖8所示的電路通常係佈設在前述第二基質區域 内〇 #在圖8中，傳統式的傳輸閘路（如本圖中以類似x-字母之 f號所表示者）是用以根據各該閘路接端上的控制電壓使 信號通過和阻斷該信號的通路。例如，當CAL信號強度高 時’顯示器係在校準操作之模式，因該電路中之若干信號 通路被啟動。反之，如n信號強度高時，則顯示器係以 正吊模式操作，此時，其他備用電路乃被啟動。 圖8所示電路之功能，說明如下。脈衝產生器8 0 1依據其 ^衝寬度（PW )及脈衝高度（PH)控制電壓的大小將縱列脈衝 ^至縱列控制線路802 (COL)上。在正常模式操作期間 ^Ai-強度高時），這些控制電壓分別自影像RAM 8 〇 3和脈衝 :度MM 8 04處取得。此等RAM藉由一顯示計時器（圖中未 508554 五、發明說明（15) 應應放大器將像素中之電流（亦即圖4中流經FET p 1之電 流）轉換成一電壓。該電壓由A/D轉換器811轉換成數位式 資料後存入該計量向量RAM 812内。該RAM係用以儲存測試 RAM 8 0 6輸出的各項不同的脈衝寬度資料，以及在該類比 式儲存電容器8 0 8上的脈衝高度電流值時所測得之^ 據。 、α不默 此外
——丨，並利用傳統式數1JL貝竹迷鼻電路計算出各項計^ 數值之直線性或非直線性平均值，再將其與一理想的平立 =相、互比較。互導放大器8 1 4之偏壓電流設定在r值（有-，控制「旋鈕」係用以設定該偏壓電流以及其後之該戈 =互導值），並將該類比式儲存電容器8〇8處之脈衝 相ς =更新至一可以使前述各項計量數據平均值接近該3 ^出f的數值。該項數據更新處理是在計量時鐘（圖中未 處於遵的時計更新階段内完成，在該時段内傳送閘極813 J 中重=電的狀態。通常，該處理作業係在許多次反覆運』 盪的^執行，直到脈衝高度數值集中至一個可使其發生4 值和=值時為止，而且在列達該數值時，前述之理想平j 項計量數值的平均值已是十分接近了。
值可Ϊ，大器814的偏壓電流值和儲存電容器8 08上的電$ 置表壑^ —個速度和精密度二者之間的平衡點，亦即，3 理想配ί化時的補償精密度和補償作用的完成速度之間〕 多次，Γ數值。通常，以上說明的回饋處理程序反覆進； 諸 Μ確保達到一個可接受的精密度。 集中運算處理結束時，在儲存電容器8〇8上的資料即
508554
被寫入脈衝高度資料RAM 804内（ 理結束時仍屬活性信號狀態之情 告完成。 當LD和CAL信號在校準處 況下），而且校準處理= 亦即利 讀者應了解，該驅動/補償電路乃一說明範例 用其他電路亦可完成本發明的目的。 例如，圖9所示的替代電路。_圖可知 之電路類似，但其控制操作則係以不同方式 ”圖7中 用以控制流經P3内電流之？6和！>7，在圖9中\係以成；圖7中 壓值可控制Ρ3所吸取的電㊉。因此，圖J =測 ::償替”路中其P3的電流源係直接被修改，以替 巴7中以調_ΡΗσΡ7閘極偏壓的方式控制p3的替代 =10所示簡圖係說明本發明所揭示顯示器範 裝置含有許多橫列及縱列導線，縱列驅動/;: J検列驅動/補償電路。每―線橫列線和縱列線=
像素τ m有關’亦即與圖7所示電路範例類似。各 電路=〃=第一基質區内，而該縱列及橫列驅動/補償 ; 在無像素的第二基質區内。在圖9所示1C 線路線r。路包括R〇W ’麵’ RSTARSTB，縱列導體 ，包括COL，COLB，vdd和接地點。 體:^說明^要係以具有有機活性材料的像素FETs為例主 之像^ 發明並非限定必須使用該等有機活性材料製成 元音' S，亦可使用以無機（例如：非結晶或多結晶矽 ^活性材料製成之像素電晶體。本說明書所稱之「有
508554
機」和「無機」等詞應具各該字詞的傳統含義。 應請注意者乃係，本發明書中的驅動/補償電路係採用p 通道場效電晶體（FETs)。但，此種方式僅係一設計方面的 選擇，實際實行上，本發明也可採用n通道FETs* p通道與 η通道混合式場效電晶體。 根據先前相關技術可知，有許多材料可用以製作有機 L E D及（或）像素場效電晶體。包括：寡噻吩 (oligothiophene);並五苯（pentacene);二-R-蒽二噻吩 (Di -R-anthradi thiophene)[其中之 R 乃代表 CmH2m+1(其中之 m乃係0至1 8之間的任何值）]，或cyH2y+10CzH2z(其中之z + y = 4 至17，y大於0，z大於2);雙苯並二噻吩 (bis-benzodithiophene)；駄菁配位化合物 (phthalocyanine coordination compound)；正規位向聚 (3-烷基噻吩）.；聚（苯伸乙烯）（PPV) poly (phenylene vinylene) (PPV);三（8-羥基喹啉铭（tris(8-hydroxy quinolinato) aluminum (alq);雙（三苯二胺）（TAD) (bis(triphenyl diamine) (TAD);及雙（10 -經基苯並喹 啉）鈹（bis(10-hydroxybenzo quinolinato) beryllium 等0
第21頁

Claims (1)

  1. 508554 六、申請專利範圍 1. 一種顯示器裝置，包括多個佈設在一第一基質區内的 名義上相同之智慧像素，以及無像素之第二基質區，其中 每一智慧像素包括： a) —有機發光二極體；及 b) 像素電路，用以提供通過該有機發光二極體之電 流，該像素電路包括至少一個佈設在該第一基質區内的場 效電晶體’該電晶體與該有機發光二極相串接， 其特徵為· c) 該等名義上相同的智慧像素偶而會出現一或多個對 顯示器裝置造成不良影響的非理想現象；其中 d) 顯示器裝置含有事先經過特別選定的驅動/補償電 路，至少可用以減輕該等一或多個非理想現象，改善該顯 示裝置的性能，至少有若干該等驅動/補償電路係佈設在 前述第二基質區内。 2. 如申請專利範圍1項之顯示器裝置，其中之場效電晶 體係一有機場效電晶體。 3. 如申請專利範圍2項之顯示器裝置，其中之驅動/補償 電路包括一單晶C-M0S電路。 4. 如申請專利範圍2項之顯示器裝置，其中所稱之一或 多項非理想現象包括一或多個電容性信號回授，以及因該 場效電晶體之低開啟-關斷率所引起的充電漏電流等現 象。 5. 如申請專利範圍第2項之顯示器裝置，其中所稱之一 或多項非理想現象包括一或多項
    第22頁 508554 六、申請專利範圍 i )在智慧像素和智慧像素之間的移動率及/或臨限電壓 的變化； i i )在該特定像素中的移動率及（或）臨限電壓依時間的 變化而發生的變化；及 i i i )發光二極體交換特性。 6. 如申請專利範圍第5項之顯示器裝置，其中所稱之一 或多項非理想現象另亦包括一或多次電容性信號回授和充 電漏電流現象。 7. 如申請專利範圍第4項之顯示器裝置，其中所稱之驅 動/補償電路係用以減輕該電容性信號回授現象，其方法 係將一補償電荷注入該場效電晶體之閘極接端。- 8. 如申請專利範圍第4項之顯示器裝置，其中之驅動/補 償電蜂係用以減輕該充電漏電流現象，其方法係將一 ROW 信號和一 RST信號之電壓值設定至一高於一供電電壓Vdd之 高電壓靜值。 9. 如申請專利範圍第5項之顯示器裝置，其中所稱之驅 動/補償電路係用以在遠較該顯示器裝置一次圖框顯示週 期更長的預定間隔期間内計量並儲存每一智慧像素的一或 多項特性資料，而且如依該等計量結果顯示確有必要時， 變更施加於一特定像素場效電晶體閘極上之控制電壓，以 使所有各智慧像素對提供至該顯示器裝置之任一特定信號 大體上都有相同的發光功能。 1 0.如申請專利範圍第9項之顯示器裝置，其中所稱之驅 動/補償電路係用以減輕該電容性信號回授現象，其方法
    第23頁 508554 六、申請專利範圍 係將一補償電荷注入至該場效電晶體之閘極接端；該驅動 /補償電路另亦用以減輕充電漏電流現象，其方法係將一 ROW信號及一 RST信號之電壓值設定在一遠高於一供電電壓 vdd之高電壓靜值。 _ _
    第24頁
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100433109C (zh) * 2003-07-03 2008-11-12 汤姆森许可贸易公司 有源矩阵图像显示设备
TWI464730B (zh) * 2003-04-29 2014-12-11 Samsung Electronics Co Ltd 閘極驅動電路與具有其之顯示裝置（二）
US10283070B2 (en) 2003-04-29 2019-05-07 Samsung Display Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same

Families Citing this family (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69727125T2 (de) * 1996-09-24 2004-11-11 Seiko Epson Corp. Projektionsanzeigevorrichtung mit einer lichtquelle
US6194167B1 (en) * 1997-02-18 2001-02-27 Washington State University Research Foundation ω-3 fatty acid desaturase
WO2000060568A1 (fr) * 1999-04-05 2000-10-12 Canon Kabushiki Kaisha Source d'électrons et dispositif de formation d'images
WO2001020591A1 (en) * 1999-09-11 2001-03-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display device
US6580094B1 (en) * 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
WO2001054107A1 (en) * 2000-01-21 2001-07-26 Emagin Corporation Gray scale pixel driver for electronic display and method of operation therefor
US6636191B2 (en) * 2000-02-22 2003-10-21 Eastman Kodak Company Emissive display with improved persistence
JP2001318627A (ja) 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US6528951B2 (en) * 2000-06-13 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4831889B2 (ja) * 2000-06-22 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TW502854U (en) * 2000-07-20 2002-09-11 Koninkl Philips Electronics Nv Display device
US20040029310A1 (en) * 2000-08-18 2004-02-12 Adoft Bernds Organic field-effect transistor (ofet), a production method therefor, an integrated circut constructed from the same and their uses
US6987496B2 (en) * 2000-08-18 2006-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
DE10044842A1 (de) * 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
DE10045192A1 (de) * 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
US20040026121A1 (en) * 2000-09-22 2004-02-12 Adolf Bernds Electrode and/or conductor track for organic components and production method thereof
GB0024804D0 (en) * 2000-10-10 2000-11-22 Microemissive Displays Ltd An optoelectronic device
JP2003195815A (ja) * 2000-11-07 2003-07-09 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4101863B2 (ja) * 2000-11-07 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、半導体装置及び電子機器
US7030847B2 (en) 2000-11-07 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
DE10061297C2 (de) * 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
DE10061299A1 (de) 2000-12-08 2002-06-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu
DE10063721A1 (de) * 2000-12-20 2002-07-11 Merck Patent Gmbh Organischer Halbleiter, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen
US6580657B2 (en) 2001-01-04 2003-06-17 International Business Machines Corporation Low-power organic light emitting diode pixel circuit
KR100370095B1 (ko) * 2001-01-05 2003-02-05 엘지전자 주식회사 표시 소자의 액티브 매트릭스 방식의 구동 회로
DE10105914C1 (de) 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
JP2005509200A (ja) * 2001-03-26 2005-04-07 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 少なくとも２つの有機電子構成エレメントを有する装置、および該装置のための製造方法
US6704183B2 (en) * 2001-03-27 2004-03-09 Agilent Technologies, Inc. Fault detection in a LED bias circuit
JP4785271B2 (ja) 2001-04-27 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
JP4439761B2 (ja) 2001-05-11 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
TW582005B (en) 2001-05-29 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Pulse output circuit, shift register, and display device
DE10126860C2 (de) * 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
JP4982014B2 (ja) * 2001-06-21 2012-07-25 株式会社日立製作所 画像表示装置
US8633878B2 (en) 2001-06-21 2014-01-21 Japan Display Inc. Image display
TW554558B (en) * 2001-07-16 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
JP2003043998A (ja) 2001-07-30 2003-02-14 Pioneer Electronic Corp ディスプレイ装置
US6788108B2 (en) * 2001-07-30 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4089340B2 (ja) * 2001-08-02 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 電子装置、電気光学装置及び電子機器
JP4831895B2 (ja) * 2001-08-03 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7218349B2 (en) * 2001-08-09 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI221268B (en) * 2001-09-07 2004-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of driving the same
DE10151036A1 (de) * 2001-10-16 2003-05-08 Siemens Ag Isolator für ein organisches Elektronikbauteil
DE10151440C1 (de) * 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
US7365713B2 (en) * 2001-10-24 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US7456810B2 (en) * 2001-10-26 2008-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and driving method thereof
JP2003150107A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Sharp Corp 表示装置およびその駆動方法
JP4485119B2 (ja) * 2001-11-13 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100940342B1 (ko) * 2001-11-13 2010-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그 구동방법
JP4397555B2 (ja) * 2001-11-30 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
DE10160732A1 (de) * 2001-12-11 2003-06-26 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu
US7050835B2 (en) * 2001-12-12 2006-05-23 Universal Display Corporation Intelligent multi-media display communication system
US7749818B2 (en) * 2002-01-28 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR100469070B1 (ko) * 2002-02-19 2005-02-02 재단법인서울대학교산학협력재단 능동 매트릭스 유기물 발광 다이오드 디스플레이 화소구조
DE10212639A1 (de) * 2002-03-21 2003-10-16 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrukturierung von Funktionspolymeren und Verwendungen
DE10212640B4 (de) * 2002-03-21 2004-02-05 Siemens Ag Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren
DE10226370B4 (de) * 2002-06-13 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
JP4115763B2 (ja) * 2002-07-10 2008-07-09 パイオニア株式会社 表示装置及び表示方法
EP1525630A2 (de) 2002-07-29 2005-04-27 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches bauteil mit vorwiegend organischen funktionsmaterialien und herstellungsverfahren dazu
FR2843225A1 (fr) * 2002-07-30 2004-02-06 Thomson Licensing Sa Dispositif de visualisation d'images a matrice active et a compensation de seuil de declenchement
JP2005534457A (ja) * 2002-08-08 2005-11-17 ジーメンス アクツィエンゲゼルシャフト 電子装置
WO2004021256A1 (de) 2002-08-23 2004-03-11 Siemens Aktiengesellschaft Organisches bauelement zum überspannungsschutz und dazugehörige schaltung
US7385572B2 (en) 2002-09-09 2008-06-10 E.I Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device having improved homogeneity
TW588468B (en) * 2002-09-19 2004-05-21 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active matrix organic light-emitting diode
GB0224277D0 (en) * 2002-10-18 2002-11-27 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
JP2004157250A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Hitachi Ltd 表示装置
CN1726604A (zh) * 2002-11-05 2006-01-25 波尔伊克两合公司 具有高分辨率结构的有机电子元件及其制造方法
JP4339103B2 (ja) * 2002-12-25 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
EP1586004B1 (de) * 2003-01-09 2011-01-26 PolyIC GmbH & Co. KG Platine oder substrat für ein organisches elektronikgerät, sowie verwendung dazu
JP4502603B2 (ja) * 2003-06-20 2010-07-14 三洋電機株式会社 表示装置
JP4502602B2 (ja) * 2003-06-20 2010-07-14 三洋電機株式会社 表示装置
DE10338277A1 (de) * 2003-08-20 2005-03-17 Siemens Ag Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität
DE10339036A1 (de) 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
DE10340644B4 (de) * 2003-09-03 2010-10-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik
DE10340643B4 (de) * 2003-09-03 2009-04-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht
US7202842B2 (en) * 2003-09-17 2007-04-10 Hitachi Displays, Ltd. Display apparatus
KR100599726B1 (ko) * 2003-11-27 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
JP4297438B2 (ja) * 2003-11-24 2009-07-15 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光表示装置，表示パネル，及び発光表示装置の駆動方法
DE102004002024A1 (de) * 2004-01-14 2005-08-11 Siemens Ag Organischer Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2005331933A (ja) * 2004-04-20 2005-12-02 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
US7295192B2 (en) * 2004-05-04 2007-11-13 Au Optronics Corporation Compensating color shift of electro-luminescent displays
TWI273532B (en) * 2004-05-21 2007-02-11 Au Optronics Corp Data driving circuit and active matrix organic light emitting diode display
DE102004040831A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
US7321133B2 (en) * 2004-11-17 2008-01-22 Plextronics, Inc. Heteroatomic regioregular poly(3-substitutedthiophenes) as thin film conductors in diodes which are not light emitting or photovoltaic
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
DE102004059464A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbauteil mit Modulator
DE102004059467A1 (de) * 2004-12-10 2006-07-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Gatter aus organischen Feldeffekttransistoren
DE102004059465A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
US9280933B2 (en) * 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9275579B2 (en) * 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
KR100624318B1 (ko) 2004-12-24 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 데이터 집적회로 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의구동방법
US20060158397A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Joon-Chul Goh Display device and driving method therefor
DE102005009820A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
DE102005009819A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005017655B4 (de) * 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
KR20080032072A (ko) 2005-06-08 2008-04-14 이그니스 이노베이션 인크. 발광 디바이스 디스플레이 구동 방법 및 시스템
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
KR100718761B1 (ko) 2005-07-15 2007-05-15 미루 엔터프라이즈 눈동자 위치추적 센서 및 센싱방법
DE102005035590A1 (de) * 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronisches Bauelement
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005042166A1 (de) * 2005-09-06 2007-03-15 Polyic Gmbh & Co.Kg Organisches Bauelement und ein solches umfassende elektrische Schaltung
DE102005044306A1 (de) * 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
US9153341B2 (en) 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
DE102006013605A1 (de) * 2006-03-22 2007-10-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Programmieren einer elektronischen Schaltung sowie elektronische Schaltung
JP4240068B2 (ja) * 2006-06-30 2009-03-18 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
KR101526475B1 (ko) * 2007-06-29 2015-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100916903B1 (ko) * 2008-04-03 2009-09-09 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
WO2011013409A1 (ja) * 2009-07-28 2011-02-03 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、表示装置及び有機ｅｌ表示装置
US8633873B2 (en) * 2009-11-12 2014-01-21 Ignis Innovation Inc. Stable fast programming scheme for displays
JP5491835B2 (ja) * 2009-12-02 2014-05-14 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 画素回路および表示装置
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
WO2012164474A2 (en) 2011-05-28 2012-12-06 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9083320B2 (en) 2013-09-20 2015-07-14 Maofeng YANG Apparatus and method for electrical stability compensation
JP6291670B2 (ja) * 2014-01-31 2018-03-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および表示方法
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
GB201609877D0 (en) 2016-06-06 2016-07-20 Microsoft Technology Licensing Llc An autonomous pixel with multiple different sensors
KR102344964B1 (ko) * 2017-08-09 2021-12-29 엘지디스플레이 주식회사 표시장치, 전자기기 및 바디 바이어싱 회로
CN109147667A (zh) * 2018-09-21 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 电压补偿装置及方法、阵列基板、显示装置
WO2020128713A1 (ja) 2018-12-20 2020-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 単極性トランジスタを用いて構成された論理回路、および、半導体装置
DE102019105001B4 (de) 2019-02-27 2022-06-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anzeigevorrichtung
CN110085164B (zh) * 2019-05-29 2020-11-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
WO2021120087A1 (zh) * 2019-12-19 2021-06-24 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种电激发光显示器、像素补偿电路及其电压补偿方法
CN112037730A (zh) 2020-10-12 2020-12-04 北京集创北方科技股份有限公司 驱动装置及电子设备
CN113903300B (zh) * 2021-10-12 2023-06-02 维沃移动通信有限公司 显示面板、校准方法、校准装置和电子设备

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6087393A (ja) * 1983-10-20 1985-05-17 旭硝子株式会社 画像表示装置
JPH01231026A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Hitachi Ltd 垂直走査回路
JP2625248B2 (ja) * 1990-10-01 1997-07-02 シャープ株式会社 液晶表示装置
JPH04307589A (ja) * 1991-04-05 1992-10-29 Nec Corp 薄膜トランジスタアレイおよびその駆動方法
JP3102467B2 (ja) * 1992-04-28 2000-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置の作製方法
US5405710A (en) 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources
US5478658A (en) 1994-05-20 1995-12-26 At&T Corp. Article comprising a microcavity light source
JP2689916B2 (ja) * 1994-08-09 1997-12-10 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
TW293172B (zh) 1994-12-09 1996-12-11 At & T Corp
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
JPH0933893A (ja) * 1995-07-18 1997-02-07 Sony Corp 液晶表示装置
DE69531294D1 (de) 1995-07-20 2003-08-21 St Microelectronics Srl Verfahren und Vorrichtung zur Vereinheitlichung der Helligkeit und zur Reduzierung des Abbaus von Phosphor in einer flachen Bildemissionsanzeigevorrichtung
US5719589A (en) * 1996-01-11 1998-02-17 Motorola, Inc. Organic light emitting diode array drive apparatus
US5625199A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
JPH09198007A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Mitsubishi Electric Corp 表示装置、輝度調整装置、輝度調整方法、及び輝度調整システム
US6157356A (en) * 1996-04-12 2000-12-05 International Business Machines Company Digitally driven gray scale operation of active matrix OLED displays
US5903246A (en) * 1997-04-04 1999-05-11 Sarnoff Corporation Circuit and method for driving an organic light emitting diode (O-LED) display
US5952789A (en) * 1997-04-14 1999-09-14 Sarnoff Corporation Active matrix organic light emitting diode (amoled) display pixel structure and data load/illuminate circuit therefor
WO1998048403A1 (en) 1997-04-23 1998-10-29 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and method
US6023259A (en) * 1997-07-11 2000-02-08 Fed Corporation OLED active matrix using a single transistor current mode pixel design
US6229508B1 (en) 1997-09-29 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
US5998805A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
GB0008019D0 (en) * 2000-03-31 2000-05-17 Koninkl Philips Electronics Nv Display device having current-addressed pixels

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI464730B (zh) * 2003-04-29 2014-12-11 Samsung Electronics Co Ltd 閘極驅動電路與具有其之顯示裝置（二）
US10283070B2 (en) 2003-04-29 2019-05-07 Samsung Display Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same
US10847111B2 (en) 2003-04-29 2020-11-24 Samsung Display Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same
US11361728B2 (en) 2003-04-29 2022-06-14 Samsung Display Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same
CN100433109C (zh) * 2003-07-03 2008-11-12 汤姆森许可贸易公司 有源矩阵图像显示设备

Also Published As

Publication number Publication date
DE69900197D1 (de) 2001-08-30
EP1005013A1 (en) 2000-05-31
DE69900197T2 (de) 2001-11-22
US6384804B1 (en) 2002-05-07
KR20000035688A (ko) 2000-06-26
JP2000163015A (ja) 2000-06-16
EP1005013B1 (en) 2001-07-25

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Chaji et al. Low-power low-cost voltage-programmed a-Si: H AMOLED display for portable devices

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