TW502107B - Method for manufacturing a display device, and display device substrate - Google Patents

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502107 A7 _ ___ B7 玉I發明説明（1 ~) ~ 發明背景 1 ·發明範疇 本發明大體上係關於一種製造一顯示裝置的方法，及其 使用之基板。較特別的是，本發明係關於一種製造一主動矩 陣液晶顯示裝置（LCD)的方法，例如T F τ (薄膜電晶體）型 與ΜΙΜ (金屬-絕緣體-金屬）型之[CDs及其使用之基板 2·背景技藝之說明 近年來在顯示裝置性能上的改良為要求較嚴苛之裝置特 徵管理，裝置特徵管理係品質控制、瑕疵基板之早期偵測 、及防止此瑕截基板外流至製程時所需。例如，L c d之一 TFT基板係由包括複數薄膜沉積步騾及複數圖樣化步騾之 製程製造’為了評估製程及類似者，因而評估諸如T F τ特 徵、匯流排線電阻及接觸電阻等特徵0其中一評估方法在 於提供一 TEG (測試元件群）於一 TFT基板上，其包括依 據評估用途之測試元件，並且利用一探針接觸於一連接至 測試元件之終端（例如日本專利特許公開申請案第8_19〇〇87 號所述，特別是其圖1、2)。 由於現存有多種類型之LCDs ,待評估特徵類型及此特徵 數即依LCD類型而改變，此外，TEG之測試元件類型及此 測試元件數亦依L C D類型而改變例如，在一 T F Τ基板且 有一有機絕緣膜以完全覆蓋一圖案元件之例子中，除了針 對無有機絕緣膜之一 TFT基板評估之特徵外，另行評估相 關於有機絕緣膜之特徵《再者，由於有多種尺寸之LCDs , 因此依設計觀點而言Τ E G數及其位置會受到限制^近年來 • 4 - ¥紙張尺度卿t» ®雜準(CNS) A4祕(21GX297公釐） -----—-— 502107 A7 _ B7 I、發明説明(2~_) "~^~~ ，為了有效製造多種型型之LCDs，具有不同面板尺寸之 LCDs經常是由同一生產線中之同一母板製出。在其他例子 中，具有不同面板尺寸之LCDs係由相同尺寸之各別母板製 出。由於TEG之位置及待測之特徵係依LCD型式而改變， 因此分離之探針即為各型LCDs所需，易言之，其需備便昂 貴之探針以測試各型L C D，據此，其需備便複數測試裝置 用於各型L C D。另者，當使用相同之測試裝置時，則每次 L C D類型改變時即需更換一枚探針，使製程更形複雜。更 有甚者，更換探針頗為費時，因而降低了生產效率。 在近期之顯示裝置中，基板上之TEG所用空間已漸減少 ，其第一項原因為降低生產成本，而為了降低生產成本， 其需盡可能自單一母板取得較多基板，此需令顯示部以外 之基板面積盡可能減少才行。近年來，顯示裝置係特別針 對中或小尺寸之用途而發展，因此，此特別明顯於汽車產 品所用之小尺寸基板。第二項原因為近期·顯示裝置中之框 架窄化，而為了盡量窄化框架部（顯示部以外之部分），所 需之終端（例如驅動器）及TEG應製成於一窄區域内，據此 ，有必要發展出一可積合測試元件之T E G。 本發明之一目的在提供一種可利用高操作效率而廉價地 評估之顯示裝置，且因而達成增進生產效率❹本發明之另 一目的在提供一種高生產效率製造之顯示裝置，其使用一 生產線以製造不同型式顯示裝置，易言之，本發明之另一 目的在以同一生產線有效地製造多種顯示裝置。 發明概要 ____ -5- I紙張尺度適财_家鮮_):4規格(謂χ挪公瘦) 五、發明説明（3 ) (1)依本發明所示，一種傷生 一 用-生產線以製造至少二不:型；::裝置之方法，係使 下步驟：製造-電路基板1包置，：包含以 件之特徵；及評估電路元件之特徵，：：：：〈電路元 路:板所設之複數測試元件之特徵之步中包 同=配置之複數測試終端之至少-者，及測量：二： 針接觸於至少-測試終端而進行，無關 本X所用之"不同型式”―詞不僅意謂顯示裝置之 、、同與構成顯示裝置電路之電路元件型 =件之製程不同，及類似者。"電路基板"係指—Γ; 文後路Λ件於其上之基板，例如-tft基板與-μιμ基 t有時稱為"顯示裝置基板"）。，，測試元件"係指一設 於顯示裝置電路所佔用區域以外之基板上之一自由區内之 1 °"顯示裝置電路，•係指操作做為—顯示裝置所需之整 4路且其不僅包括顯示區内之圖案元件電極、切換元 件如TFTs、配線部如匯流排線、及終端部亦包括用於驅 動^^兀件之驅動電路。，•以一共同圖樣配置之複數測試 終端"一詞意謂提供於至少二不同型式顯示裝置之各者内 之複數測試終端係以局部或全部相同之圖樣配置。 (2)在第（1)項之製造方法中，電路基板包括一第一測試 件群且其包捂至少二測試元件以評估相互不同之特徵， A7 B7 五、發明説明（4 ) 第-測：元件群係連接於複數第—測試終端之至少一者， :複數第-測試終端係包含於以共同圖樣配置之複數 終端内。 (3) 在第(2)項之製造方法中，電路基板進一步包括—第 -測試元件群且其包括至少另二測試元件以評估相互不同 徵，第二測試元件群係連接於複數第二測試終端之至 二者’且複數第二測試終端係以相㈣複數第—測試終 私者之圖樣配置’及在測量步驟中，使共同之探針同時接 觸，複數第-測試終端之至少—者之步驟係獨立於使共同 ^木針同時接觸於複數第二測試終端之至少—者之步驟而 (4) 在第（2)項《製造方法中，i少二測試元件包括 =試元件及-電容測試元件，複數第_測試終端係_ 第一測試終端’電阻測試元件連接於6個第__測試终端中 ^個’及電容測試元件連接於6個第—測試終端中 2個第一測試終端。 、 (5) 在第（4)項之製造方法中，電路基板進一步包捂— 二測試元件群且其包括至少另二測試元件以評估相 =特徵’該至少另二測試元件包括另_電阻測試元件及— 電谷測試7L件，且第二測試元件群連接於以相同於 一測試終端，者之圖樣配置之複數第二測試終端。 弟 (6) 在第⑴項之製造方法之測量步驟中，使共同探 =接觸於複數第-測試終端之步驟係獨立於使共同探 時接觸於複數第二測試終端之步驟而進行。 _ -7-

本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) A7

(7) 在第（1)項之製造方法中’評估電路元件特徵之步 包括以下步驟：自至少二不同型式中指定一電路基板之型 式’依據複數測試終端配置方式上之指定型式及資料之^ 件以取得測量資料，及根據測量條件及配^方式上取得之 資料，相對於電路基板以移動共同之探針。 (8) 在第（1)項之製造方法中，製造電路基板之步驟係— 製成複數電路基板於一母板上之步驟，及評估特徵之步驟 係依序進行於複數電路基板。 Ρ)在第（3)項之製造方法中，第一測試元件群及第匕測 試元件群共同包括-測試元件以測量相同特徵，各測試元 件包括待測之元件部及一配線部將元件部連接於測試終 端，且用於測量相同特徵之測試元件之各別元件部具有不 同面積，該方法進一步包含以下步驟：自測試元件之各別 測試結果及元件部之各別面積計算一回歸係數。 本發明之一種顯示裝置基板包含：一顯示裝置之一顯示 裝置電路；及複數測試元件，供評估一構成顯$裝置電路 之電路元件之特徵，其中該複數測試元件包括至少一第一 測試元件群及一第二測試元件群，且各包括配置相 _ 接，以預疋圖樣配置之複數第一測試終端之至少一者， 及第二測試元件群係連接於以㈣於複數第-測試緣端著 (圖樣配置之複數第二測試終端之至少一者。 * j本發明之顯示裝置基板中，複數第一測試終端係6個 第、〗試^誕，电阻測試元件連接於ό個第一測試終端中 5張尺度適用 502107 A7 五、發明説明（6

之4個’及電容測試冗件連-5/^ r ί τ %楼於6個第一測試終端中之剩餘 2個第一測試終端。 、 本發明之"顯示裝置基板，，係一具有尺寸以適用於顯示裝 置之基板，且通常係藉由裁切—具有複數顯示裝置基板之 母板成為一預定尺寸而製成。 依本發明所示，一種測量系統，用於測量本發明顯示裝 置基板内包含之複數測試元件之特徵，包含：一探針，包 括複數接觸部，係以相同於顯示裝置基板上之複數第一測 試終端者之圖樣配置；一讀取裝置，係供讀取接附於一匣 益之資料’匣盒係谷載各具有複數顯示裝置基板於其上之 複數母板；一取出裝置’係根據讀取裝置所讀取之資料， 以自匣盒取出一母板；一第一判斷裝置，係供判斷母板上 是否有任意測試元件尚未測量；一移動裝置，係當第一判 斷裝置判斷母板上有一測試元件尚未測量時，供相對於顯 示裝置基板上之測試元件以移動探針；一接觸裝置，係使 探針之複數接觸部接觸於包括終端以連接於測試元件之複 數測試終端，且測量測試元件之特徵；一第二判斷裝置， 係當第一判斷裝置判斷母板上已無任意測試元件尚未測量 時，供判斷匣盒是否容載任意母板尚未測量；一取出裝置 ，係當第二判斷裝置判斷匣盒容載一母板尚未測量時，可 自匣盒取出尚未測量之母板；一第三判斷裝置，係當第二 判斷裝置判斷匣盒已無容載任意母板尚未測量時，供判斷 是否有任意匣盒尚未測量·，及一移動裝置，係當第三判斷 裝置判斷有一匣盒尚未測量時，可移動尚未測量之匣盒以 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐)

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502107 A7 __ —... B7 五、發明説明d ) 供讀取裝置讀取資料^ 又後，本發明之效果將揭述之。在本發明製造一顯示裝 置之方法中，複數測試元件供評估—構成顯示裝置電路之 4路元件特徵之複數測試元件之各者係連接於至少二不同 型式之顯示裝置中以一共同圖樣配置之複數測試終端之至 少一者’再者，複數測試元件之特徵係以一共同之探針接 觸=至少一測試終端而進行，無關於顯示裝置之型式❹依 此製造方法所示，電路元件之特徵可用共同之探針評估， 而無關於顯示裝置之型式，此可省略備便一探針於每一型 式顯示裝置及依顯示裝置型式而更換探針之需求。因此Γ 電路元件之特徵可利用高操作效率而廉價地評#，使顯示 裝置可以有效率地生產。 * 在第（2)項之製造方法中，電路基板包括一第一測試元 件群且其包括至少：測試元件以評估相互不同之特徵。依 此製造万法所示，第一測試元件群内包括之至少二不同特 徵可用共同之探針評估。 在第（3)項之製造方法中，電路基板進一步包括一第二 測試元件群且其包括至少另二測試元件以評估相互不同之 =徵’第=測試元件群係連接於複數第二測⑽端之至少 者’且複數第二測試終端係以相同於複數第一測試终端 者之圖樣配置。在測量㈣中，使共同之探針同時接觸於 複數第—測試終端之至卜者之步驟係獨立於使共同之探 針冋時接觸於複數第二測試終端之至少一者之步驟而進行 。依此製造方法所示，第—測試元件群及第二測試元件鮮 -10- 502107 A7

之各別特徵可用共同之探針測量， 試元件群及第二測試元件群 *要針對第-測 ，因此，泰踗ϋ、杜 各別特徵芝測量而更換探針 此 毯路疋件足特徵可刹if!古祕从 + 了利用同掭作效率而廉價地評估 /吏顯讀置可以有效率地生產。再者，依此製造方法所 探針係同時接料至少—測試終端，因此，藉由= 各弟-測試兀件群及第二測試元件群内包括之一 ^試終端，㈣於評估相互不同特徵之—組至少二測料 %，則至少：測試元件之特徵可以針對各測試元件群而以 一探針接觸操作測量之。 在第⑷項之製造方法中，第—測試元件群包括一電阻 測試疋件及一電容測試元件，容許電路元件特徵之有效率 評^。特職，對於一基板例如一TFT基板及一mim基板 而言’不僅是電阻，連電容亦需測量’因&，包括電阻測 試元件及電容測試元件之第一測試元件群可以有效測量電 阻及電容。 再者，在第（4)項之製造方法中，電阻測試元件連接於6 個第一測試終端中之4個，及電容測試元件連接於6個第一 測試終端中之剩餘2個第一測試終端❹依此製造方法所示 ，電阻測試元件連接於4個第一測試終端，因此，電阻測 量準度係由一四終端方法改善，甚至當電阻測試元件更換 成一 TFT測試元件時，將TFT測試元件連接於4個第一測 試終端中之3個即可測量T F T測試元件之特徵。 提供6個第一測試終端係因為可以取得以下優點：第一 ，將電阻測試元件連接於4個第一測試終端可以準確測量 -11 - 本紙張尺度適用t國國家標準(CMS) A4規格(210 X 297公釐)

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金，片電阻。易言之，金屬片電阻可以利用四終端測量法 測量，比使用二終端之測量更能準確测量金屬片電阻。 第二，接觸於連接至電阻測試元件之四測試終端之探針 接觸部（文後有時稱之為電阻測量終端）可以與接觸於連接 至電容測試元件之二測試終端之探針接觸部（文後有時稱 之為電容測量終端）分開提供，因此，測量裝置可免於複 雜化。例如，若一具有四接觸部以接觸於電阻測量終端之 探針亦使用做為一接觸於二電容測量終端之探針，即需要 電阻測量與電容測量間之切換，以致複雜化測量裝置且亦 可能因為一切換裝置插入而降低測量之準確度_鑑於精緻 顯示裝置之曰益需求，測量準確度之降低乃嚴重之問題β 據此必要使用一具有6個分離式接觸部之探針，亦即 四接觸部接觸於電阻測量終端而二接觸部接觸於電容測量 終端’因此應提供6個第一測試終端以接觸探針。 第三，接觸於四電阻測量終端之探針之四接觸部亦可使 用做為用於測量T F Τ測試元件之接觸部。由於τ f Τ測試元 件連接於三測試終端，故需要一具有至少三接觸部之探針 ，以測量TFT特徵❻例如，在TFT特徵及電容係利用一具 有四接觸部之探針測量之例子中，則至少一接觸部需用於 測量TFT特徵及電容二者，故需要TFT特徵測量及電容測 量之間之切換。另方面，在TFT特徵及電容係測量且TFT 特徵測量及電容測量之間並不切換之例子中，可使用一具 有五接觸部之探針惟，當電阻與電容係用此探針測量時 ，僅有三接觸部可指定於電阻測量，因此，電阻無法以四 -12- ^紙張纽朗tA视格(21GX297公釐) 502107

終端測量法測量。據此，為了準確測量電阻、電容及τρτ 特徵而不切換，故需要一具有至少六接觸部之探針，且因 此需要至少六測試終端以接觸於此探針之接觸部。 從上述優點可以瞭解的是，6個第一測試終端，亦即四 電阻測量終端及二電容測量終端之組合，其係改善測量準 確度之最小單元，而不致複雜化測量裝置。 在第（5)項之製造方法中，電路基板進_步包括一第二 測試元件群且其包括至少另二測試元件以評估相互不同之 特徵，該至少另二測試元件包括另一電阻測試元件及一電 容測試元件，第二測試元件群連接於以相同於複數第一測 試終端者之圖樣配置之複數第二測試終端❹依此製造方法 所示，至少二不同之特徵，即電阻及電容，其可以利用第 (4)項之製造方法中之共同探針以評估各第一測試元件群 及第二測試元件群。 提供最小單元之測試終端，亦即連接至一電阻測試元件 之四测試終端及連接至一電容測試元件之二測試終端之組 合，可以多元化評估特徵，而無關於顯示裝置之型式及尺 寸。例如，在一小型顯示裝置之例子中，測試元件群之最 小需求量係由一電阻測試元件及一電容測試元件建構。再 者，測試終端之最小單元，亦即6個測試終端，係連接於 各測試元件群内包括之二測試元件。由於各測試元件群内 包括之二測試元件構成最小測試單元以連接於測試終端之 最小單元，因此測試元件群可以製成於基板上之一小區域 内，而無位置限制。在一大型顯示裝置之例子中，使用增 _ -13- I紙張尺度適用中國國家檬準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐y

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五、發明說明（ 12

件鮮足間，一回歸係數係計算自 測試元株w & 目第—測試元件群與第二 %疋件群内各別測試元件之測 與第_ 飞皂果及第一測試元件群 示，Απ^ ΤΠ〈面積。依此製造方法所 ㈣^ 不同測試元件群内之測試元件之特徵可以 根據諸測試元件之測試結果及測 準確地評估。 Α疋件砭兀件邵面積而較 二發明之顯示裝置基板中，複數測冑元件包括至少一 弟：測試元件群及-第二測試元件群，且各包括配置相鄰 電阻測試元件及一電容測試元件。第一測試元件群係 連接於以一預定圖樣配置之複數第一測試終端之至少一者 ’及第二测試元件群係連接於以相同於複數第一測試終端 者之圖樣配置之複數第二測試終端之至少一者^依此顯示 裝置基板所示，包含於各第一測試元件群與第二測試元件 群内之電阻測試元件及電容測試元件係配置相鄰，因此， 考量於基板上之空間或待評估特徵之優先性，電阻測試元 件及電容測試元件可以有效率地製成於電路基板上^再者 ’第一測試終端及第二測試終端係以相同圖樣配置，因此 ’包含於各第一測試元件群與第二測試元件群内之電阻測 試元件及電容測試元件之特徵即可用共同之探針測量。 在顯示裝置基板中，電阻測試元件連接於6個第一測試 終端中之4個，及電容測試元件連接於6個第一測試終端中 之剩餘2個第一測試終端。依此顯示裝置基板所示，電阻 測試元件連接於4個第一測試終端，因此，電阻測量之準 確度係由四終端法改善，甚至當電阻測試元件更換成一 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 502107 A7 ——_B7 _ 五、發明説明（13 ) TFT測試元件時，將TFT測試元件連接於4個第一測試終 端中之3個即可測量τ F T測試元件之特徵。 提供最小單元之測試終端，亦即連接至一電阻測試元件 之四測試終端及連接至一電容測試元件之二測試終端之組 合，可以多元化評估特徵，而無關於顯示裝置之塑式及尺 寸。例如，在一小型顯示裝置之例子中，測試元件群之最 小需求量係由一電阻測試元件及一電容測試元件建構。再 者’測試終端之最小單元，亦即6個測試終端，係連接於 各測試元件群内包括之二測試元件。由於各測試元件群内 包括之二測試元件構成最小測試單元以連接於測試終端之 最小單元，因此測試元件群可以製成於基板上之一小區域 内，而無位置限制。在一大型顯示裝置之例子中，使用增 量之測試元件群可供較詳細評估特徵β 本發明之測量系統係一用於測量本發明顯示裝置基板内 包含之複數測試元件特徵之系統，容許用共同之探針依序 測量，此可做自動化測量而非人工測量，造成提昇生產效 率0 圖式簡單說明 圖1A、1 Β係示意圖，說明本發明第一實施例之一基板 100用於一液晶顯示裝置（LCD)，其中圖i八係平面圖，簡 示LCD基板100，及圖1B係平面圖，簡示[CD基板1〇〇並 無TEG 105設於其上； 國2係一圖表，揭示LCD面板尺寸與一自由區面積之間 關係之實例； -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X 297公釐) 502107 A7 B7 五、發明説明（14 ) 圖3係一 TEG l〇5a之平面圖； 圖4係一 TEG 105b之平面圖； 圖5係一平面圖，簡示相當於單一圖案元件之一 TFt 202 之一部分； 圖6係圖5中之TFT 202之一等效電路圖； 圖7係示意圖，說明表1中之τ ρ τ測試元件之製程，其揭 示平面國於右側，及沿著各別平面圖中之線χ_ΥΚ取之截 面圖於左侧； 圖8 Α至8 C揭示表1中之電阻測試元件之平面國（在右侧） ’及沿著各別平面圖中之線X - γ所取之截面圖（在左侧）； 圃9 A至9 D揭示表1中之電阻測試元件之平面圖（在右侧） ’及沿著各別平面圖中之線X -γ所取之截面圖（在左侧）； 圖10A至10E揭示電容測試元件之平面圖（在右侧），及 沿著各別平面圖中之線X - Y所取之截面圖（在左侧）； 圖1 1係一示意圈，說明連接於圈7所示T F T測試元件之 閘極片2 0 4之測試終端1 〇 6 a製程，其揭示平面圖於右侧， 及沿著各別平面圖中之線X · γ所取之截面圖於左侧； 圖ί 2係一示意圖，說明連接於圖7所示τ ρ τ測試元件之 源極片2G6 (或汲極片208)之測試終端l〇6b (或l〇6c)製程 ’其揭示平面圖於右側，及沿著各別平面圖中之線X - γ所 取之截面國於左侧； 画1 3係一示意圖，說明連接於圖案元件電極片2 1 〇之測 試終端製程，其揭示平面圖於右側，及沿著各別平面圖中 之線X - Y所取之截面國於左侧； __ -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4规格(210 X 297公釐) 502107 A7 _____B7 五、發明説明（1δ ) 圖14係一示意圖，說明連接於？膜片之測試終端製程， 其揭示平面圏於右側，及沿著各別平面圖中之線X _ γ所取 之截面圖於左侧； 圖15係製成於絕緣基板1〇〇上之表3所示teg區塊21至 2 4之平面圖； 圖1 6 A係一圖表，揭示接觸電阻測量之例子中一電阻值 與接觸面積之一倒數間之關係，及圖1 6 B係一國表，揭示 電容測量之例子中一電容值與一電容測試元件之面積間之 關係； 圖17A、17B係簡示包括一探針在内之一測量系統實例之 示意圖，其中圖1 7 A係說明探針與二測量單元之間關聯性 之結構圖，及圖1 7 B係說明測量系統之結構圖·，及 圖1 8係一示意圖，說明利用圖1 7之測量系統之測量流 程（流程圖）^ 較佳實施例之詳細說明 文後，本發明之實施例將參考配合圖式以舉例說明一 TFT型主動矩陣液晶顯示裝置（LCD)，應該暸解的是本發 明可應用於TFT型LCD以外之LCDs，例如ΜIΜ型主動矩 陣LCD，本發明亦可應用於LCDs以外之顯示裝置，例如 一有機EL(電流明）顯示裝置。 (第一實施例） 國1A係平面圖，簡示本發明實施例之一顯示裝置基板 1 00，一顯示裝置電路104係製成於一絕緣基板1 〇 1上， 例如一玻璃基板。顯示裝置電路1〇4包括一包含TFTs在内 •18- 本紙張&度遴用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 502107 A7 __ B7 五、發明説明（16 ) 之顯示部102，及一設於顯示部102周邊且包含掃插線與 信號線終端電極在内之區域103，以供給一電壓至TFTs。 一 TEG 105製成於絕緣基板1 0 1上，TEG 105係由複數測 試元件與複數測試終端構成，複數測試元件係用於測試顯 示裝置電路104之TFTs特徵之元件。請注意，圖1A中之 顯示裝置基板1 0 0通常係藉由切削一具有複數顯示裝置基 板100於其上之母板（國中未示）至一預定尺寸而製成。 TEG 105係考量於絕緣基板1〇1上之顯示裝置電路尺 寸與配置方式而製成，圖1B係平面圖，簡示無TEG 105製 成於其上之顯示裝置基板100，TEG 105可以在絕緣基板 101上之一部分區域内一位置或分隔多個位置集中地製成 ’而不在顯示裝置電路104佔用之區域（文後有時稱之為《自 由區"）。在圖1A中，TEG 105係製成於絕緣基板1 〇 1上之 自由區内之三個分隔位置。 圖2係一圖表，揭示LCD面板尺寸與自由區面積之間關 係之實例，如圖2所示，當LCD面板尺寸減小時，自由區 之面積即迅速減少。據此，欲測試之特徵數係考量於自由 區之面積而調整，且TEG 105係依據欲測試之特徵而設計 。例如，在一具有小自由區面積之小型L C D例子中，對應 於欲測試之主要、基本特徵之TEG 105係優先配置，而對 應於欲測試之其餘特徵之TEG 105則考量於其餘自由區之 面積及其餘特徵之優先性而配置c 圖3、4係平面圖，揭示TEG之實例，圖3、4中之TEGs l〇5a、l〇5b總共分隔成1 3個TEG區塊，如以下之表1所示 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規袼(210X297公釐) 502107 A7 B7 五、發明説明（17 ) 。請注意，為了方便起見，T E G係揭示如圖3、4中之分隔 式 TEGs 105a、105b * 惟，圖 3、4 中之 TEGs 105a、105b係 在絕緣基板101上之一位置一起製成，以致於圖4中之 TEG區塊7鄰近於國3中之TEG區塊6。

裝 表1亦揭示測量名稱、目的、欲測試之特徵、測量終端 數、及包含於各TEG區塊内之測試元件之相對面積，在表 1之”測試元件名稱”攔中，在連字號””之前以相同特徵及 編號以及隨後不同編號表示之測試元件（例如C 2 - 1、C 2 -2 )代表相同欲測試特徵，但是測試元件中不同元件部相對 面積之測試元件。在表1中，” GI ”係指一閘極絕緣膜，及 ” Α Ο ”係指一陽極氧化物膜。請注意，在圖式及以下之說 明中，表1之”欲測試特徵”攔中之”閘極金屬片電阻”一詞 有時候僅稱為”閘極片電阻"，而”源極ITO片電阻"及"源 極金屬片電阻”有時候僅稱為”源極片電阻11。 [表1: TEG 區塊 測試元件 名稱 測量目的 欲測試特徵 測量終 端數 相對 面積 1 TFT測試元件 測量TFT特徵 TFT特徵 3 C2-1 測量電容特徵 閘極絕緣膜電容 2 S2 2 Rcl-1 測量接觸電阻 汲極-閘極接觸電阻 4 S1 C1-1 測量電容特徵 閘極絕緣膜(含有AO) 電容 2 S2 3 Rcl-2 測量接觸電阻 汲極-閘極接觸電阻 4 2XS1 C2-2 測量電容特徵 閘極絕緣膜電容 2 1/2XS2 f -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 502107 A7 B7 五、發明説明（18 ) 4 Rcl-3 測量接觸電阻 汲極·閘極接觸電阻 4 1/4XS1 C1-2 測量電容特徵 閘極絕緣膜(含有AO) 電容 2 1/2XS2 5 Rsl 測量配線電阻 閘極金屬片電阻 4 Cl-3 測量電容特徵 閘極絕緣膜(含有AO) 電容 2 1/4XS2 6 Rs2 測量配線電阻 源極ITO片電阻 4 C2-3 測量電容特徵 閘極絕緣膜電容 2 1/4XS2 7 Rs3 確認GI/AO乾性 蝕刻 殘留-閘極-膜片電阻 4 \ C3-1 測量電容特徵 鈍化膜電容 2 S2 8 Rs4 測量配線電阻 源極金屬片電阻 4 C4-3 測量電容特徵 有機絕緣膜及鈍化膜 之總電容 2 1/4XS2 9 Rc2-1 測量接觸電阻 圖案元件電極-汲極 接觸電阻 4 S1 C4-1 測量電容特徵 有機絕緣膜及鈍化膜 之總電容 2 S2 10 Rc2-2 測量接觸電阻 圖案元件電極-汲極 接觸電阻 4 2XS1 C4-2 測量電容特徵 有機絕緣膜及鈍化膜 之總電容 2 1/2XS2 11 Rc2-3 測量接觸電阻 圖案元件電極-沒極 接觸電阻 4 4XS1 C3-2 測量電容特徵 鈍化膜電容 2 1/2XS2 12 Rs5 測量配線電阻 圖案元件電極片電阻 4 C3-3 測量電容特徵 鈍化膜電容 2 1/4XS2 13 Rs6 測量配線電阻 n+膜片電阻 4 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4规格(210X297公釐) 502107 A7 ____ B7 五、發明説明（19 ) 在圖3、4之TEGs 105a、l〇5b中，各TEG區塊1至1 2包括 一測試元件群，其包括一電阻測試元件（或T F T測試元件） 及一電容測試元件，供評估彼此不同之特徵。例如，TE G 區塊1包括一第一測試元件群，其包括一 T F Τ測試元件及 一電容測試元件（C2-1)，而TEG區塊2包括一第二測試元 件群，其包括一電阻測試元件（RC1-1)及一電容測試元件 (C1-1)。應該注意的是TEG區塊1 3僅包括一電阻測試元件 (Rs6)做為一測試元件。 在本實施例中，T E G區塊1至1 2各包括二測試元件，供 評估彼此不同之特徵。惟，各T E G區塊可包括三或多個測 試元件，供評估彼此不同之特徵。各T E G區塊中之複數測 試元件之配置方式並無特定限制。 根據自由區之有效使用之觀點，其必須結合一電阻測試 元件及一電容測試元件，以減小其總面積。例如，在具有 一小面積之TEG區塊7之Rs3 (如國4)提供做為一電阻測試 元件之例子中，其必須結合rs3於具有一大面積之tEG區 塊7之一電容測試元件C3-1 (如圖4) 〇應該注意的是，在提 供一 了 F T測試元件而非一電阻測試元件之例子中，其無法 結合T F T測試元件於一供評估一閘極絕緣膜與一陽極氧化 物膜之間電容之測試元件（例如TEG區塊2中之C 1-1),此 係因為TFT測試元件之一閘極終端連接於供評估一閘極絕 緣膜與一陽極氧化物膜之間電容之測試元件之一終端。 在本實施例中，13個TEG區塊係製成於絕緣基板1〇1之 自由區上，惟，TEG區塊數可以減少，以利省略一或多测 __ · 22 -， ¥紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(21〇χ 297公" "" --——--^ 裝 訂

A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 試兀件。例如，顯示部1〇2内之TFTs之整體性能可以藉由 測量TFT測試元件之特徵而取得，因此，可以省略特定特 徵之測量，例如n+膜片電阻。在表i之1 3個T E 〇區塊中， 例如TEG區塊3、4、1 〇、丨1及丨3可以藉由測量其他TE(} 區塊之特徵而粗略地確認，因此，這些TE(}區塊之測量可 以省略°惟，若在絕緣基板1 〇 1上有足夠之自由區，則其 較有必要提供額外之測試元件供詳細測試0 包括於各T E G區塊1至1 2中之電阻測試元件（或T F τ測 試元件）及電容測試元件係配置成彼此相鄰，T E G區塊i至 13各包括6個測試終端，且包括於各teg區塊1至13中之 各測試元件係連接於該TEG區塊之6個測試終端之至少一 者。通常’包括於各T E G區塊1至1 3中之6個測試終端係 粗略區分成連接於電阻測試元件之4個測試終端，及連接 於電容測試元件之2個測試終端。請注意，連接於電阻測 試元件之4個測試終端之其中三者可以連接於τ f T測試元 件0 此將特別針對T E G區塊1、2說明，在T E G區塊1中，第 一測試元件群係連接於複數測試元件終端i 〇以至106f之至 少一者，較特別的是，包括於第一測試元件群内之T F T測 試元件連接於6個第一測試終端i〇6a至106f之其中三測試終 端106a、106b、106e，及電容測試元件（C2-1)連接於二測試 終端106e、106f，剩餘一測試終端i〇6d為一未連接於任何 測試元件之虛終端。 虛測試元件106d未牽涉於測試元件特徵之測量，惟，在 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 502107

一探針（文後有時亦稱為針腳）之接觸部直接接觸於絕緣基 板10 1之例子中，例如膜分離等瑕疵可能因為表面損傷而 產生，此依製成於絕緣基板ιοί上之一膜之型式而定。提 供虛測試元件106d於絕緣基板101上即可避免此瑕疵產生。 若播虛測試元件l〇6d提供於絕緣基板1 〇 1上，則製成於 絕緣基板1 ο 1上之膜之結構會在備有測試終端1〇6a、1〇6b 、106c、106e、l〇6f之位置處及無虛測試元件1〇6(1之位置處 之間變化，造成製成於絕緣基板1〇1上之膜之不均句高度 。據此’當接觸於測試終端l〇6a、l〇6b、106c、106e、106f 時，探針之接觸部係承受過量負荷，且因此可能受損e 藉由提供虛測試元件l〇6d連同測試終端i〇6a、l〇6b、 106e、106e、106f於絕緣基板1 〇 1上即可容許絕緣基板丨〇 1 上有一均勻高度，此使探針以一均句之接觸壓力接觸於測 試終端106a至106f，因此可避免探針之接觸部受損。請注 意，TEG區塊13亦具有二虛測試終端，其並未連接於任何 測試元件。 在T E G區塊2中，第二測試元件群係連接於複數測試元 件終端107a至107f，較特別的是，包括於第二測試元件群 内之電阻測試元件（Rc 1-1)連接於6個第二測試終端i〇7a至 107f之其中四測試終端l〇7a、107b、l〇7c、l〇7d ,及電容測 試元件（C1-1)連接於剩餘之二測試終端i〇7e、i〇7f。 亦可利用二終端測量電阻測試元件，惟，藉由四終端方 法測量電阻測試元件會有額外電阻，例如欲去除終端之接 觸電阻，造成匯流排線電阻及接觸電阻之準確測量。 -24- V紙張尺度適财目®家鮮(〇·) A4藝(21GX 297公Θ 502107 A7 B7 五、發明説明（22 ) 如圖3所示，T E G區塊1中之複數第一測試終端i 〇6a至 106f及TEG區塊2中之複數第二測試終端i〇7a至l〇7f二者皆 配置成線，且TEG區塊1中之複數第一測試終端i〇6a至l〇6f 係以相同於TEG區塊2中之複數第二測試終端i〇7a至107f者 之間距及圖樣配置。以及在其他TEG區塊3至13中，6個 測試終端係以相同於第一測試終端l〇6a至l〇6f者之圖樣配 置。 包括於各T E G區塊内之測試終端僅需要以相同於其他 T E G區塊者之圖樣配置，且在一 τ E G區塊内之測試終端之 間距及位置並無特定限制。例如，在T E G區塊1中，相鄰 測試終端106a、106b間之間距可以不同於相鄰測試終端 106b、106c間之間距。TEG區塊1中之測試終端i〇6a至l〇6f 可以配置成複數線，另者，T E G區塊1中之測試終端1 〇6a 至106f可以規律地配置成交錯式配置方式，或可以不規律 地配置成散亂式配置方式。 在本實施例中，各T E G區塊包括6個測試終端，因此利 用一探針測量時可以在6個終端基礎上進行，此優點在於 探針與測試終端之位移所造成之接觸不良係比各T e G區塊 包括數十個測試終端之例子者更不易發生。易言之，隨著 測試終端數增加，其即難以將探針對準測試終端Q因此， 若探針接觸於測試終端且有些許位移，則一或多探針會無 法接觸於任何測試終端，因而有可能造成接觸不良。在本 實施例中，各TEG區塊包括較少數測試終端，因此測量可 以在一 T E G區塊對一 T E G區塊之基礎上將探針接觸於測試 _ -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公釐) f 裝 訂 f 502107 A7 B7 五、發明説明（23 ) 終端而進行，此有助於探針與測試終端之對準，因此即使 I木針略為移離於測试終^ ’探針與測試終端之間之接觸不 良仍不易發生， 文後’包括於圖3、4所示了 E G區塊1至1 3内之測試終端 及顯示部102内之TFTs 2 02之間之關係將參考圖5、6說明 之，圖5係一平面圖，簡示相當於單一圖案元件之一部分 TFT 2Q2，圖6係圖5所示TFT 2 02之一等效電路圖。 在絕緣基板1 0 1上備有複數掃描線（閘極匯流排線）2〇4b 及複數信號線（源極匯流排線）206b，掃描線2〇4b延伸成相 亙平行，且信號線206b延伸成相互平行以相交於掃描線 2〇4b。複數TFTs 202係分別製成於掃描線204b及信號線 206b之相交點，較特別的是，一電氣性連接於相對應掃描 線204b之閘極204a及一由SiNx、Si〇2、Tas 〇5或類似物構成 之閘極絕緣膜係依序製成於絕緣基板101上，一由珍或 類似物構成之半導體膜係製成於閘極絕緣膜上。請注意， 大體上掃描線及閘極係由一氮化Ie(上層）/輕（中層）/氮化 麵（下層）之三層式膜一體成型β半導體膜上製成一源極 206a，係電氣性連接於相對應之信號線2〇6b及一 IT0 (銦 錫氧化物）膜或類似物構成之汲極208a，因而製成TFT 202 。請注意，大體上信號線及源極係由一 IΤ Ο膜或類似物一 體成型。顯示部102内之TFT 202可以利用一習知方法製成 ，例如濺擊及乾性蝕刻。 一丙缔酸樹脂或類似物之有機絕緣膜係製成於TFT 2〇2 上，以利完全覆蓋圖案元件。一ITO膜或類似物之圖案元 -26- ϋ尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210Χ 297公釐) 502107 A7 ____ B7 _ 五、發明説明（24 ) 件電極21〇d製成於有機絕緣膜上，請注意，具有圖案元件 電極製成於有機絕緣膜上之顯示裝置係例如揭露於日本專 利特許公開申請案第9-152625號内。 圃案元件電極210d係電氣性連接於有機絕緣膜内所製成 之一接觸孔212内之汲極2〇8a，接近於接觸孔2 1 2處，汲 極208a具有一延伸平行於掃描線2〇4b之長方形狀^ 一延伸 平行於掃描線204b之貯存電容器線2 1 4係提供於絕緣基板 1 〇 1上，且閘極絕緣膜介置於其間，較特別的是，貯存電 容器線2 14較接近汲極2〇8a之長方形狀，貯存電容器線 2 1 4大致係由相同於掃描線2〇4b與閘極2〇相者之膜片製成 。掃描線204b與信號線206b係分別電氣性連接於一閘極外 部終端2 1 6與一源極外部終端2 1 8 ,掃描線204b與信號線 206b即刀別透過閘極外部終端2 1 $與源極外部終端$ 1 8而 連接於一掃描電路與一固持電路（二者皆未繪示）。 閘極外部終端2 1 6例如藉由以下步驟製成：一閘極絕緣 膜製成於掃描線204b之一閘極片上，及一貫穿孔利用乾性 蚀刻或類似者以製成於閘極絕緣膜内。一 j τ 〇膜或類似物 之透明電極隨後製成於閘極絕緣膜上，使閘極片及透明電 極係在貫穿孔内相互連接。請注意，閘極片係由一氮化钽 (上層）/鈕（中層）/氮化鈕（下層）之三層式膜及一覆蓋於三 層式膜之陽極氧化物膜製成^當利用乾性蝕刻或類似者以 製成貫穿孔於閘極絕緣膜内時，陽極氧化物膜及氮化鈕膜 (閘極片之上層）即去除，此時，可以去除鈕膜（閘極片之 中層）。若此鈕膜全部去除，則會造成對透明電極之接觸 -27- 502107 A7 B7 五、發明説明（25 ) 不良。在本實施例中，一用於殘留-閘極-膜片之電阻測試 元件（表1中之Rs 3 )係提供以利測量製成貫穿孔時所生成 之殘留鈕膜（即閘極片之殘留中層）之電阻。 以下表2揭示圆6之等效電路A至Μ處特徵與表1中之測 試元件間之對應性。 [表2] 欲測試特徵 測試元件名稱 A TFT特徵 TFT測試元件 B、C 閘極絕緣膜(含有AO)電容（閘極-源極電容） Cl (C2) D 閘極絕緣膜(含有AO)電容（閘極-汲極電容） Cl (C2) E 鈍化膜及有機絕緣膜之總電容（源極-汲極電 容） C4(C3) F 閘極絕緣膜（含有AO)、鈍化膜及有機絕緣 Cl 、 C2 、 C3 膜之總電容 、C4 G 汲極/閘極接觸電阻 Rcl Η 圖案元件電極-汲極接觸電阻 Rc2 I 閘極片電阻 Rsl J 源極片電阻 Rs2、Rs4 K 殘留-閘極-膜片電阻 Rs3 L 國案-元件電極片電阻 Rs5 Μ n+膜片電阻 Rs6 本實施例之顯示部102内之TFT 202大致上係由以下步騾製 成：製成一閘極（步騾1);製成一閘極絕緣膜及製成且國樣化 一半導體膜（步騾2 );國樣化閘極絕緣膜（步騾3 );製成且國 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 502107 A7 B7 五、發明説明（

樣化一源極及一汲極（步驟4);製成且圖樣化一由、siq 、Ta2 O5或類似物構成之鈍化膜（步驟5 );製成且圖樣化— 有機絕緣膜（步驟6);及製成且圖樣化一圖案元件電極（步 驟7)。表1中之各測試元件及各測試終端係利用顯示部 1 02之TFT 202之製程而與顯示部102内之TFT 202 -起製 成，此可抑低評估電路元件特徵之成本。 用於製成一測試元件之一種方法將舉例說明於表1中之 測試元件且相關於圖7，請注意，在以下說明中，以相同 於顯示部1 02内之TFT 202膜之參考編號表示之元件係由相 同參考編號之膜製成。 圖7係示意圖，說明表1中之TFT測試元件之製程，其揭 示平面圖於右侧，及沿著各別平面圖中之線χ-γ所取之截 面圖於左側。在圖7中，TFT 202之前述步驟數（即步騾1至 7)係用以比較於製成顯示裝置電路104之TFT 202之步驟時 間序列。 T F T測試元件之一閘極片2 0 4係以相同於顯示部1 〇 2内 之TFT 202之閘極204a者之膜製成（步騾1 )，一閘極絕緣膜 201及一半導體膜203製成於閘極片204上，且半導體膜 2 0 3係圖樣化（步騾2 )。圖樣化閘極絕緣膜2 0 1後（步騾3 ) ，一源極片2 0 6及一汲極片2 0 8係製成且圖樣化（步騾4 )。 一鈍化膜2 0 5係製成以幾乎全部覆蓋於圖樣化之閘極片 204、源極片206及汲極片208，且接著圖樣化（步驟5)。 隨後，製成一有機絕緣膜2 0 7 (步驟6 )。顯示部1 〇 2之圖案 元件電極210d製成之同時，測試終端106a、106b、106c之 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公釐)

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502107 A7 B7 五、發明説明（27 ) 電極210a、210b、210c係分別連接於閘極片2〇4、汲極片 208及源極片206(步騾7)。 圖7中之TFT測試元件包括一欲測量之元件部p (接近於 半導體膜203之一部位），及配線部w_a、w-b、，供分 別將元件部p連接於測試終端106a、106b、106e之電極21〇a 、210b 、 210c 。 請注意，為了將閘極片204陽極化，與其連接之電極 210a係連接於一短路線209 ,後者係由相同於顯示部1〇2 内之TFT 202之閘極204a者之膜製成。惟，分別連接於源極 片206與汲極片2 08之電極210c、210b並未連接於短路線 209，以避免短路於閘極片204。 圖8A至8C及圖9A至9D揭示表1中之電阻測試元件之平 面圖（在右侧>，及沿著各別平面圖中之線χ-γ所取之截面 圖（在左侧）β圖8A揭示一用於閘極片電阻之測試元件（表 1中之Rs 1),圖8 B揭示一用於源（汲）極片電阻之測試元件 (表1中之Rs2、Rs4),及圖8C揭示一用於殘留-閘極·膜片 電阻之測試元件（表1中之Rs3)。圖9A揭示一用於圖案元 件電極片電阻之測試元件（表1中之r s 5 )，圖9 b揭示一用 於n +膜片電阻之測試元件（表i中之Rs6)，圖9c揭示一用 於汲極-閘極接觸電阻之測試元件（表1中之Rel),及圖9d 揭示一用於圖案元件電極-汲極接觸電阻之測試元件（表夏 中之R ς 2 )〇請注意，連接於各電阻測試元件之測試終端未 揭示於圖8Α至8C及圖9Α至9D内。 圖8Α至8C及國9Α至9D内揭示之各電阻測試元件包括 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 502107

一欲測量之元件部P ,及配線部w_a、w_b、w_e、w_d，供 分別將元件部P連接於四個測試終端。圖8A、8B、8c、 9A及9B内之各片電阻測試元件（Rsl至Rs6)中之元件部p 係位於在連接於四個配線部w_a、w_b、w_e、w_d$長方形 部内之二個配線部w-b、w_e之間之一部位，圃9c、9d^ 之各接觸電阻測試元件（Rel、Re2)中之元件部？則為汲極 片208與閘極片204相互接觸處之一部位，或圖案元件電 極片210與汲極片208相互接觸處之一部位。 如同在TFT阻測試元件之例子中，_8八至8〇及圖9八至 9 D内之各電阻測試元件係利用製成顯示部1 〇 2之TFT 2〇2 之步驟而製成。例如，用於用於閘極片電阻之測試元件（ 表1中之Rsl)即以相同於顯示部1〇2内之TFT 2〇2之閘極 204a者之膜製成，且與tFT 202之閘極2〇4a—起製成。用於 汲極-閘極接觸電阻之測試元件（表1中之r 〇丨）係製造如下 :製成閘極絕緣膜201以覆蓋閘極片2〇4之後，一供接觸 於閘極片2 0 4之貫穿孔即製成於閘極絕緣膜2 〇1内，且隨 後汲極片20 8製成於閘極絕緣膜201上。 閘極片2 0 4及汲極片2 0 8係各連接於四個測試終端，田 個測試終端之其中二者係使用做為供給一電流之終端，而 其餘二測試終端則做為測量一電壓之終端β用於圖案元件 電極-汲極接觸電阻之測試元件（表1中之1^2)係製造如下 :一貫穿孔係製成於有機絕緣膜2 0 7及鈍化膜2 0 5内之後 ，圖案元件電極片2 10即製成於有機絕緣膜207上，使圖 案元件電極片210接觸於貫穿孔内之汲極片208，汲極片 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) φ 裝 訂

線 502107 A7 ____ —_B7 五、發明説明（29 ) 2 0 8及圖案元件電極片2丨〇分別連接於使用做為電流施加 終端之二測試終端及使用做為電壓測量終端之二測試終端。 圖1 0 A至1 〇 E揭示電容測試元件之平面圖（在右侧），及 沿著各別平面圖中之線X _ γ所取之截面圖（在左侧）。圖 1 0 A揭π —用於閘極絕緣膜電容之測試元件（含有一陽極 氧化物膜；表1中之C 1),圖1 〇 B揭示一用於閘極絕緣膜電 谷之測試元件（表1中之C 2 )，圖1 〇 c揭示一用於鈍化膜電 容之測試元件（表i中之C3)，圖l〇D揭示一用於鈍化膜與 有機絕緣膜總電容之測試元件（表1中之C 4 )，及圖1 q e揭 示一用於有機絕緣膜電容之測試元件，請注意，連接於各 電容測試元件之測試終端未揭示於圖1 〇 A至1 〇 E内。 圖1 0E内用於有機絕緣膜電容之測試元件係在本實施例 中省略（參閱表1 )，此係因為有機絕緣膜電容可以自圖 1GC内用於鈍化膜電容之測試元件（表1中之C3)及圖1〇E> 内用於鈍化膜與有機絕緣膜總電容之測試元件（表丨中之 C 4 )之測量結果計算得知。應該注意的是，用於有機絕緣 膜電容之測試元件在絕緣基板i i上之製成並未在本發明 中刪略’用於有機絕緣膜電容之測試元件可提供，以替代 用於鈍化膜電容之測試元件（表1中之C 3 )或用於鈍化膜與 有機絕緣膜總電容之測試元件（表1中之C 4 )<*另者，用於 有機絕緣膜電容之測試元件可以與用於鈍化膜電容之测試 元件（表1中之C 3 )及用於鈍化膜與有機絕緣膜總電容之測 試元件（表1中之C4) 一起提供。 圖10A至10E中之各電容測試元件包括一欲測量之元件 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4规格(210X297公釐) 裝 訂

4 502107 A7 B7 五、發明説明（3〇 ) 部P ,及配線部W-e、W-f ,供分別將元件部p連接於二測試 終端。各電容測試元件内之元件部p係一介置於分別連接 於二測試終端之二片之間。 # 裝 如同在電容阻測試元件之例子中，圖1 〇 Α至1 〇 Ε内之各 電容測試元件係利用製成顯示部1 〇2之TFT 202之步驟而製 成。例如，在用於閘極絕緣膜電容之測試元件（表1中之 C 1、C 2 )例子中，閘極片2 0 4係製成及圖樣化，且製成由 氮化矽膜或類似物構成之閘極絕緣膜2 〇 1 〇源極片2 0 6 (或 汲極片2 0 8 )製成於閘極片2 0 4及閘極絕緣膜2 0 1上，再將 製成之源極片2 0 6 (或汲極片2 0 8 )圖樣化，使閘極絕緣膜 201介置於閘極片204與源極片206 (或汲極片208)之間 ，用於閘極絕緣膜電容之測試元件因而製有一固定面積。 在用於閘極絕緣膜電容之測試元件具有一陽極絕緣膜2 1 ! 介置於閘極片2 0 4與閘極絕緣膜2 0 1之間（表1中之c 1)之 例子中，閘極片2 0 4係連接於短路線2 〇9，以利陽極化。

線 在用於鈍化膜電容之測試元件（表i中之C 3 )、用於鈍化 膜與有機絕緣膜總電容之測試元件（表1中之C 4 )、及用於 有機絕緣膜電容之測試元件例子中，源極片2 〇 6 (或汲極 片2 G 8 )係製成及圖樣化，隨後利用圖樣化將電容測量上所 需之鈍化膜2 0 5及/或有機絕緣膜2 〇 7以外之絕緣膜去除 製成之圖案元件電極片2 1 0係圖樣化，使鈍化膜2 〇 5及/或 有機絕緣膜207介置於源極片206 (或汲極片208)與圖案 元件電極片2 1 0之間，用於不同絕緣膜電容之測試元件因 而製有一固定面積。閘極片204、源極片206 (或汲極片 -33- 本紙張尺度適用中國國家檬準(CNS) A4規格(210X297公釐) 502107 A7 _____ B7 五、發明説明（別—) ^ 2 0 8 )及圖案元件電極片2丨〇係各連接於單一測試終端。 文後將說明連接於測試元件之測試終端，本實施例之測 試終端包括一連接於閘極片2〇4之測試終端、一連接於源 極片206 (或汲極片208)之測試終端、一連接於圖案元件 電極片2 1 0之測試終端、及一連接於n +膜片之測試終端， 首先將說明連接於閘極片2 〇 4之測試終端。 包拾閘極片204在内之測試元件包括一 TFT測試元件、 一用於閘極片電阻之測試元件（表i中之Rs i )、一用於閘 極絕緣膜電容之測試元件（表1中之Cl、C2)、一用於沒 極-閘極接觸電阻之測試元件（表i中之Re丨）、及類似物^ 一種用於製成一測試終端以連接於一包括閘極片2 〇 4在内 之測試元件之方法係相同於一種用於製成掃描線（閘極匯 流排線）204b之閘極外部終端2 1 6之方法，較特別的是， 將閘極片2 0 4圖樣化之後，閘極絕緣膜2 〇 1及有機絕緣膜 2 0 7係製成。一貫穿孔製成於閘極絕緣膜2 〇丨及有機絕緣 膜207内，且在一欲接觸於探針接觸部之位置，使閘極片 204局部曝露，一連接於曝露閘極片204之例如IT〇電極 係製成於有機絕緣膜2 0 7上。連接於閘極片2 〇 4之測試終 端1 0 6 a將相關於圖7中之T F Τ測試元件而特別說明，請注 意，在圖1 1至1 4中，TFT 202之前述步騾數（即步騾1至7)係 用以比較於製成顯示部1 0 2之TFT 202之步驟之時間序列。 圖1 1係一示意圖，說明連接於圖7所示T F T測試元件之 閘極片2 0 4之測試終端1 0 6 a製程，其揭示平面圖於右側， 及沿著各別平面圖中之線X - Y所取之截面圖於左側。 -34- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X 297公釐)

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線 502107 A7 ______B7 五、發明説明（32 ) 首先，TFT測試元件之元件部中之閘極片2〇4係利用圖 樣化製成’延伸自T F T測試元件之元件部之閘極片2 〇 4亦 利用圖樣化製成（步驟1)。閘極絕緣膜2〇1製成於閘極片 2 04上（步驟2)，及隨後國樣化以利製成一貫穿孔於其内（ 步騾3 )。源極片2 G 6 (或汲極片2 0 8 )係製成及圖樣化，以 分離於T F T測試元件（步驟4 )。隨後，鈍化膜2 〇 5係製成 及圖樣化，以利局部曝露源極片206 (或汲極片208)(步騾 5)。有機絕緣膜207接著製成及圖樣化（步驟6)，且電極 210a製成於有機絕緣膜207上，以利連接於源極片206 (或 汲極片208)之曝露部（步驟7) 隨後，連接於源極片2 0 6 (或汲極片2 0 8 )之測試終端 106b (或106c)將相關於圖7中之TFT測試元件而舉例說明 。圖1 2係一示意圖，說明連接於圖7所示T F T測試元件之 源極片206(或汲極片208)之測試終端106b (或l〇6c)製程 ，其揭示平面圖於右侧，及沿著各別平面圖中之線X - γ所 取之截面圖於左侧。 首先，閘極片204係製成及圖樣化，以分離於TFT測試 元件及短路線2 0 9 (步騾1)。隨後，閘極絕緣膜2 0 1製成 於閘極片204上（步驟2)，及隨後圖樣化以利製成一貫穿孔 於其内（步驟3)。源極片206 (或汲極片208)係製成及圖 樣化，以自TFT測試元件之元件部延伸（步騾4)。隨後， 鈍化膜2 0 5係製成及圖樣化，以利局部曝露源極片2 0 6 (或 汲極片208)(步驟5)。有機絕緣膜207接著製成及圖樣化（ 步騾6)，且電極210b (或210c)製成於有機絕緣膜207上， -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X 297公釐) 參 裝 訂

502107 A7 B7 五、發明説明（33 ) 以利連接於源極片206 (或汲極片2 0 8 )之曝露部（步驟7 )。 文後，一種製成一連接於圖案元件電極片2 1 〇之測試終 端之方法將說明之，請注意，包括圖案元件電極片210在 内之測試元件包括表1内之電阻測試元件R c 2、R e 5。 圖1 3係一示意國，說明連接於圖案元件電極片2 1 〇之測 試終端製程，其揭示平面國於右侧，及沿著各別平面圖中 之線Χ·Υ所取之截面國於左侧。 首先，閘極片2 0 4係製成及圖樣化，以分離於短路線2〇9 (步騾1)。隨後，閘極絕緣膜201製成於閘極片204上且圖 樣化，以利製成一貫穿孔於其内（步驟2、3 )。源極片2 0 6 (或汲極片2 0 8 )係製成及圖樣化，以分離於測試元件（步騾 4 )。隨後，鈍化膜2 0 5係製成及圖樣化，以利局部曝露源 極片20β (或汲極片2〇g)(步驟5) 〇有機絕緣膜207接著製 成及圖樣化（步騾6)。自測試元件之圖案元件電極片210之 元件部延伸之電極2 1 0係製成於有機絕緣膜2 〇 7上，使電 極210連接於源極片206 (或汲極片208)之曝露部（步驟7) ° 文後，一種製成一連接於膜片之測試終端之方法將說 明之，請注意，包括膜片在内之測試元件包括表i内之Rs6❻ 圖1 4係一示意圖，說明連接於n +膜片之測試終端製程， 其揭示平面圖於右侧，及沿著各別平面圖中之線X - γ所取 之截面圖於左侧。 首先，閘極絕緣膜2 0 1係製成，及半導體膜2 〇 3係製成 及圖樣化，以自測試元件之n+膜片（半導體膜2 〇 3 )之元件 部延伸（步驟1、2、3 )。源極片2 0 6 (或汲極片2 0 8)製成 _ -36- 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS) Α4規格(210X 297公嫠) 502107 A7 _ B7 _ 五、發明説明（34 ) 於半導體膜2 0 3上，且隨後予以圖樣化步驟4 )。隨後，鈍 化膜2 0 5係製成及圖樣化，以利局部曝露源極片2 0 6 (或汲 極片208)(步騾5)。有機絕緣膜207接著製成及圖樣化（步 驟6 )，及電極2 1 0係製成於有機絕緣膜2 0 7上，以連接於 源極片206 (或汲極片208)之曝露部（步騾7)。 (第二實施例） 在本實施例中，將說明一不同於第一實施例顯示裝置基 板100之顯示裝置基板型式，較特別的是，將說明一不具 有有機絕緣膜於TFT上之顯示裝置基板。在本實施例中， 以下表3所示之TE G區塊2 1至2 4係提供於絕緣基板1 〇 i上 ，請注意，其他TEG區塊可提供如以下表4所示。 [表3] TEG 區塊 測試元件 名稱 測量目的 欲測試特徵 測量終 端數 相對面積 21 TFT測試 元件 測量TFT特徵 TFT特徵 3 C24 測量電容特徵 閘極絕緣膜電容 2 S2 22 RcM 測量接觸電阻 沒極-閘極接觸電阻 4 S1 CM 測量電容特徵 閘極絕緣膜（含有 AO)電容 2 S2 23 Rsl 測量配線電阻 閘極金屬片電阻 4 Cl-3 測量電容特徵 閘極絕緣膜（含有 AO)電容 2 1/4XS2 24 Rs2 測量配線電阻 源極ITO片電阻 4 C2-3 測量電容特徵 閘極絕緣膜電容 2 1/4XS2 -37· 本紙張尺度遴用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂

4 502107 A7 B7 五、發明説明（35 ) [表4] TEG 區塊 測試元 件名稱 測量目的 欲測試特徵 測量終 端數 相對面積 1 TFT測試元件 測量TFT特徵 TFT特徵 3 C24 測量電容特徵 閘極絕緣膜電容 2 S2 2 Rcl-1 測量接觸電阻 汲極-閘極接觸電阻 4 S1 C1-1 測量電容特徵 閘極絕緣膜（含有 AO)電容 2 S2 3 Rcl-2 測量接觸電阻 汲極-閘極接觸電阻 4 2XS1 C2-2 測量電容特徵 閘極絕緣膜電容 2 1/2XS2 4 Rcl-3 測量接觸電阻 汲極-閘極接觸電阻 4 1/4XS1 Cl-2 測量電容特徵 閘極絕緣膜（含有 AO)電容 2 1/2XS2 5 Rsl 測量配線電阻 閘極金屬片電阻 4 Cl-3 測量電容特徵 閘極絕緣膜（含有 AO)電容 2 1/4XS2 6 Rs2 測量配線電阻 源極ITO片電阻 4 C2-3 測量電容特徵 閘極絕緣膜電容 2 1/4XS2 7 Rs3 確認GI/AO乾性 蝕刻 殘留-閘極-膜片電 阻 4 \ 8 Rs4 測量配線電阻 源極金屬片電阻 4 9 Rs6 測量配線電阻 n+膜片電阻 4 圖1 5係製成於絕緣基板1 0 1上之表3所示T E G區塊2 1至 24之平面圖，包括於TEG區塊21至24各者内之電阻測試 元件（或T F T測試元件）及電容測試元件係配置成彼此相鄭 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4规格(210 X 297公釐)

線 502107 A7 ___ B7 五、發明説明（36 y— ^ *- 。圖1 5所示之測試元件中，電容測試元件CM、ci-3、C2-1、C2_3具有分別相同於表1内測試元件Cl-1、Cl_3、C2-1、 C2-3者之結構，再者，電阻測試元件及TFT測試元件具有 相同於表1内電阻測試元件Rel“、Rsl、Rs2及TFT測試元 件者之結構，不同的是圖丨5内之電阻測試元件及了 F T測試 元件不具有有機絕緣膜207❹易言之，電阻測試元件反““ 、Rsl、RS2之結構係分別相當於將有機絕緣膜2〇7省略之 圖9C、8A、8B所示結構。TFT測試元件具有圖7之步騾5 中所示結構，圖15内之測試元件截面圖即省略之，各測試 元件之元件部與配線部之詳細說明亦省略，及各測試元件 之製造方法亦省略之。請注意，表i内之電阻測試元件及 電容測試元件中，電阻測試元件Re2、Rs3、RS4、RS5及電 谷測試元件C3、C4並不包括在表3内。 圖15中之各TEG區塊21至24包括6個硎試終端，包括 於各TEG區塊21至24内之各測試元件係連接於teg區塊 之6個測試終端中之至少一者c 此將特別說明於TEG區塊21、22 ^在TEG區塊21中， T F T測試元件連接於6個測試終端301a至301f中之三測試終 端301a、301b、301c，電容測試元件（C2_i)則連接於二測試 終端3016、301£，剩餘一測試終端3〇1(1為一未連接於任何 測試元件之虛終端> 在TEG區塊22中，電阻測試元件（Reid).連接於6個測 試終端302a至302f中之四測試終端302a、302b、302e、302d ，電容測試元件（ci-i)則連接於剩餘二測試終端3〇2e、 -39 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公釐) 裝 訂

線 502107 A7 B7 ___ 五、發明説明（37 ) 302f。 如圖15所示，TEG區塊21中之複數測試終端301a至301f 及TEG區塊22中之複數測試終端302a至302f皆配置成線， 且TEG區塊2 1中之複數測試終端301a至30If係以相同於 TEG區塊22中之複數測試終端302a至302f者之間距及圖樣 配置。以及在其他T E G區塊2 3至2 4中，6個測試終端係以 相同於TEG區塊21中之測試終端301a至30 If者之圖樣配置 ，各T E G區塊2 1至2 4中之測試終端係以相同於第一實施 例之各T E G區塊1至1 3中之測試終端者之圖樣配置。 文後，一種用於測量第一及第二實施例中所述各TEG區 塊内之測試元件特徵之方法將說明之，測試元件粗略地區 分成一 T F T測試元件、電阻測試元件、及電容測試元件， 電阻測試元件再粗略地區分成配線（片）電阻測試元件及接 觸電阻測試元件。文後，一種用於測量τ F T測試元件、配 線（片）電阻測試元件、接觸電阻測試元件及電容測試元件 之特徵之方法將依序說明之。 [T F Τ測試元件之T F Τ特徵測量；參閱圖3之T E G區塊1 中之TFT測試元件] 一固定電壓施加於連接至閘極片204之測試終端i〇6a及 連接至源極片2 0 6之測試終端106c，一電流流過源極片 206與汲極片208之間之元件部P (參閱圖7中之步騾7), 其係經測量且同時掃掠過施加於閘極片2 04之電壓。例如 ，一 10伏電壓施加做為一源電壓，及一閘極電壓係自-20 伏掃至2 0伏。 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準A4规格(210 X 297公釐) 裝 訂

線 502107 A7 B7 五、發明説明（38 [配線（片）電阻測試元件之電阻測量；參閱圖3之T e G區 塊5中之R s 1 ] 一例如0· 1亳安之固定電流係施加於連接至電阻測試元件 (Rsl)之四個測試終端1〇8a、1〇gb、1〇8c、1〇8d中之二測試 終端108a、l〇8b，一電壓即自内部二測試終端i〇gb、i〇8c 測量’藉此測量R s 1之配線（片）電阻。對於配線（片）電阻 测試元件而言，僅有_欲測量之金屬片部之電阻可利用四 終端方法取得。例如，在電阻測試元件（r s 1)之元件部p 面積（如圖8 A)係四倍大於欲測量之金屬片者之例子中，金 屬片電阻（Ω /□)可以藉由將測量值除以四而取得。 [接觸電阻測試元件之電阻測量；參閱圖3之T e G區塊2 中之Rc-11 一例如0· 1亳安之固定電流係施加於連接至接觸電阻測試 元件（Rcl-1)之四個測試終端i〇7a、i〇7b、107c、l〇7d中之 二測試終端107a、l〇7d，一電壓即自剩餘二測試終端i〇7b 、107c測量，因此，用於汲極-閘極接觸電阻（如國9C)及 二種類型金屬片（汲極與閘極片）之測試元件之元件部p之 電阻之總電阻即可取得。再者，利用前述方法測量二種類 型金屬片（汲極與閘極片）之電阻僅能取得用於汲極-閘極 接觸電阻之測試元件之元件部Ρ之電阻。 其亦可藉由相同方法使用接觸電阻測試元件以測量相同 特徵但是具有不同元件部電阻，而測得接觸電阻例如， TEG區塊2中之Rcl-1及TEG區塊3中之Rcl-2即為用於測量 汲極-閘極接觸電阻之接觸電阻測試元件，惟，Re 之元 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X 297公釐)

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502107 A7 — B7 五、發明説明（39 ) 件部P面積係二倍大於Re 1 -1之元件部P者（如表丨）^在此例 子中，接觸電阻可以根據諸接觸電阻測試元件之各別電阻 值而測量。假設金屬片電阻係固定，則電阻值成比例於圖 16A所示接觸面積（y =aix + bl)之倒數，因此，取自一回 歸係數之斜率al可以视為固定電阻（Q · #m2)。 [電容測試元件之電容測量；參閱圖3之T E G區塊1中之 €2-1 ] 一例如1 0伏之固定電壓係施加於連接至電容測試元件 (C2-1)之二測試終端l〇6e、106f，且電容即自諸測試終端 106e、l〇6f測量，閘極絕緣膜電容（pF/ ym2)可以利用將電 容值除以沿垂直方向介置閘極絕緣膜2 〇 1於其間（即閘極片 2 0 4及源極或汲極片206、208)(如圖10B)之金屬片之元件 部P面積（S2)而取得。 其亦可藉由相同方法使用電容測試元件以測量相同特徵 但是具有不同元件部面積，而測得絕緣膜電容。例如， TEG區塊1中之C2-1及TEG區塊3中之C2-2即為用於測量 閘極絕緣膜電容之電容測試元件，惟，C24之元件部p面 積係二倍大於C2-2之元件部P者（如表丨）β在此例子中，閘 極絕緣膜電容可以根據諸電容測試元件之各別電容值而測 量。如圖1 6 Β所示’電容值係成比例於面積（y =a2x + b2), 因此，取自一回歸係數之斜率a2可以视為閘極絕緣膜電容 (pF/ym2)。 文後，在第一及第二實施例中供接觸於測試終端之探針 將說明之，國17A、17B係簡示包括一探針在内之測量系統 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x 297公釐) 502107 A7 B7___ 五、發明説明（40 ) 實例之示意圖，圖1 7 A係說明探針與二測量單元之間關聯 性之結構圖，及圖1 7 B係說明測量系統之結構圖。探針 401具有6個接觸部402a至402f，供接觸於顯示裝置基板 10 0上提供之TEG 105之測試終端，接觸部402a至402f係以 相同間距配置成線，接觸部402a至402f係以相同於第一及 第二實施例之各TEG區域1至13及21至24内包括之6個測 試終端者之圖樣配置。6個接觸部402a至402f中之四接觸部 402a、402b、402c、402d係透過電線以連接於一四終端式電 阻測量單元，且剩餘二接觸部402e、402f係透過電線以連 接於一二終端式電容測量單元。 當探針401接觸於例如圖3之TEG區塊1包括之測試終端 106a至106f時，探針401之接觸部402a至402f即同時接觸於 各別測試終端106a至106f，易言之，探針401之接觸部402a 、402b、402c係分別連接於與T F T測試元件連接之測試終 端106a、106b、106c，且探釺40 1之接觸部402e、402f分別 連接於與電容測試元件（C2-1)相接之測試終端106e、1〇6f。 據此，藉由一探針接觸操作，連接於TFT測試元件之測試 終端106a、l〇6b、106c係連接於四終端式電阻測量單元， 而連接於用於閘極絕緣膜電容之測試元件（C2-1)之終端 106e、106f則連接於二終端式電容測量單元，TFT特徵及 閘極絕緣膜電容即以接觸於各別測試終端1〇仏至1〇6f之探 針4 0 1之接觸部402a至402f測量之。 T E G區塊2中之測試終端107a至107f係以相同於τ E G區 域1内之測試終端l〇6a至106f者之圖樣配置。因此，探針 _ -43- 本紙張尺度適用中國國家槺準(CNS) Α4规格(210 X 297公釐) 502107 A7 B7 五、發明説明（41 ) 40 1之接觸部402a至402f可以同時接觸於各別測試終端1〇7a 至107f。易言之，探針4〇1之四接觸部4〇2a、4〇2b、402c、 402d係分別連接於與用於汲極.閘極接觸電阻之測試元件 (Rc 1-1)相接之四測試終端i〇7a、i〇7b、l〇7c、107d，且探針 4 0 1之接觸部4〇2e、4〇2f分別連接於與用於閘極絕緣膜（含 有AO)之測試元件（ci-1)相接之二測試終端1〇7e、1〇7f。 據此，如同在TEG區塊1之例子中，僅有一探針接觸操作 容許探針401之接觸部402a至402f同時接觸於各別測試終端 107a至107f ,沒極-閘極接觸電阻及閘極絕緣膜（含有a 〇 ) 之電容可以在此狀態中測量。 圖1 5之TEG區1中之測試終端3〇ia至3〇if倮以相同於 國3之T E G區塊1内之測試終端i〇6a至i〇6f者之圖樣配置， 據此，即使在不同類型於第一實施例顯示裝置基板1〇〇之 第一貫施例顯示裝置基板（如圖15)例子中，探針4〇1之接 觸部402a至402f仍可用一探針接觸操作而同時接觸於測試 終端301a至301f，以利測量TFT特徵及閘極絕緣膜電容0 國1 7之測量系統係併合入供製造至少二種不同類型顯示 裝置之生產線’且可用於評估製成於一母板上之複數Τρτ 基板之多項特徵。測量系統主要係由一探測裝置4 q 3及一 包括一四終端式電阻測量單元與一二終端式電阻測量單元 之測試器4 0 4組成。資料係透過一 gpib (通用介面匯流排） 以傳輸於探測裝置40 3及測試器404之間，探測裝置403 連接於一控制線，使資料傳輸於其間，以利依一自動化方 式輸送一容載待測母板之E盒至測量系統，及輸送該容載 -44 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X297公釐)

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502107 A7 _____m___ 五、發明説明（42 ) 已測母板之匣盒至下一製程r測試器4 0 4連接於乙太網路 (Ethernet)，使資料傳輸於測試器4 〇 4與生產線内其他系統 之間。 探測裝置4 0 3係自一容載複數母板（國中未示）之匣盒（圖 中未示）載出一母板，依據所载出母板之類型，探測裝置 403將探針（圖17Β中未示）移至一 TFT基板上提供之TEG 位置，且令探針與之接觸❻測量完成後，探測裝置4〇 3將 母板卸回到匣盒内。探測裝置4 〇 3具有一相對應於一匣盒 ID之容器，匣盒ID包括相關於一模具之資料，各模具之 一母板上之TFT基板數及TEG之位置係設定於容器内。例 如，在一特定模具之一母板上具有12片TFT基板且各TFT 基板包括四TEG區塊之例子中，母板上之TEG區塊總數為 48 ,在此例子中，母板上之各TEG區塊之位置係設定於容 器内》 除了四終端式電阻測量單元與二終端式電阻測量單元， 測試器4 0 4包括一用於記錄與處理資料之個人電腦（p c ), 及一用於顯示pc所處理資料之顯示器（CRT (陰極射線管 ))。測試器404係在對應於各TEG之測量狀態上測量測試 元件之特徵，及在一 TFT基板對TFT基板之基礎上評估特 徵。測試器404具有一相對應於一 £盒1]〇之容器，判斷條 件、基板條件及測量條件皆設定於容器内。 判斷條件包括各TFT基板内之TEG結構，其係在一模具 對模具之基礎上判斷。例如，對於具有表3中TEG區塊h 至24之TFT基板而言，TEG區塊數（在表3中有四個）、各 -45-

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T E G區塊内欲由四終端式電阻測量單元與二終端式電阻測 量單元測量之特徵（即表3之TEG區塊21 ,<tft特徵及 閘極絕緣膜電容）、及類似者皆設定做為判斷條件。此外 ，供判斷測量值為可接受與否之特徵《容許限度亦設定做 為判斷條件。 基板條件包括在一母板内之待測量基板數，例如，在一 特定模具之一母板上具有12片TFT基板之例子中，”12„ 即設定做為基板條件。 測量條件包括用於待測量測試元件之條件，例如，一施 加於閘極終端與源極終端之電壓係設定用於TFT測試元件 ，一施加電流設定用於電阻測試元件、及接觸電阻測試元 件或電容測試元件之元件部面積，因此，詳細條件係設定 用於各測試元件。 文後’圖1 7内測量系統之測量流程（流程圖）將參考圖1 8 而說明之。 當一容載待測母板之匣盒移動至探測裝置4 〇 3之一測量 埠（圈中未示）時（S 1 )，探測裝置4 0 3利用一光學讀取器（ 圖中未示）或類似物以讀取接附於匣盒之匣盒I D ( S 2 ),讀 取之匣盒I D則透過G Ρ IΒ以傳輸至測試器4 0 4。探測裝置 403讀取到相對應於匣盒id之容器設定值，並且將容載於 匣盒内之母板之模具規格化（S3)，探測裝置403隨後自匣 盒取出一母板（S 4)。 探測裝置4 0 3請取一接附於母板之基板數，及將基板數 傳輸至測試器404 (S5)。探測裝置40 3移動探針401至母板 -46 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 裝 訂 502107 A7 B7 五、發明説明（44 ) 上之一待侧TEG區塊之位置（座標）（S6)，並且使探針4〇1 之接觸部402a至402f同時接觸於TEG區塊内之複數測試終 端（S7)。例如，當容載於匣盒内之各母板係一具有第一實 施例1 2枚顯示裝置基板1 〇 〇於其上之母板時，探測裝置 4 03即移動探針401至母板上之TEG區塊1之位置（座標）， 使探針401接觸於母板上之第一顯示裝置基板1〇〇内之 TEG區塊1測試終端l〇6a至106f，此時，探針401之6個接 觸部402a至402f係分別接觸於T E G區塊1内之6個測試終端 106a至106f〇 探測裝置40 3傳輸待侧TE G區塊之位置（座標）至測試器 404 (S8) ’測試器4 0 4根據相對應於匿盒ID之容器設定值 以測量TEG區塊内之測試元件之特徵〇例如，在TEG區塊 1之例子中’測試器4 0 4測量T F 了測試元件及電容測試元 件（C 2 - 1 )之各別特徵。當測試器4 0 4告知探測裝置4 〇 3測 量已完成時，探測裝置403隨後將探針401之接觸部4〇2a 至402f脫離TEG區塊内之測試終端，並且判斷是否有另一 待測之T E G區塊（S 9 )。若有另一待測之τ E G區塊，探針 401即動至一待侧TEG區塊之位置，然後，母板上之所有 T E G區塊皆依序測量（S 6至S 9)。例如當τ E G區塊1之測量 元成時’ T E G區塊2至1 3之特徵再依序測量，當母板上之 第一顯示裝置基板100測量完成時，母板上之第2至12顯 示裝置基板100再依一 TEG區塊對TEG區塊之基礎依序測 量。 當不再有待測之T E G區塊時’例如，當母板上之1 2片顯 -47- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X297公釐) φ 裝 訂

k 川 2107 A7 _____ ___ B7 五、發明説明（45 ) 示裝置基板1 0 0測量完成時，探測裝置4 0 3即告知測試器 4 0 4母板之測量完成（S10)。測試器4 〇 4隨即分析測量值， 且在C R T上顯示母板之資料，例如各τ E G區塊内之測試元 件之測量值。若測試元件之測量值超過容許限度，具有瑕 疵特徵之母板可以人工或自動地自生產線去除，探測裝置 4 0 3判斷是否有另一待測之母板（si 1)。若有另一待測之母 板，母板即自匣盒取出，且母板上之TEG區塊内之測試元件 在一 TEG區塊對TEG區塊之基礎上依序測量（S4至S10)。 若不再有待測之母板，探測裝置4 0 3即告知測試器4 0 4 匣盒内之所有母板測量完成（S12)。探測裝置4〇3隨後判斷 是否有另一待測之匣盒’若有另一待測之匣盒，探測裝置 403讀取接附於fi盒之匿盒Π),且重覆上述步驟（82至 S12)(S13)。例如，在一匣盒容載各具有第二實施例複數顯 示裝置基板100於其上之多數母板例子中，上述步騾即重 覆於複數顯示裝置基板之各者，藉此依序測量各TEG區塊 2 1至2 4内之測試元件之特徵。 如上所述，圖1 7之測量系統可測量一顯示裝置基板内之 複數TEG區塊，例如一 TFT基板，而不需更換探針4()1。 易T之，圖17之測量系統可在一TEG區塊對TEG區塊之 基礎上依序測量測試元件之特徵，而不需更換探針4 Q 1。 再者，此測量系統可以自動方式測量特徵，改善生產效率 。此測量系統亦可測量同一匣盒（即同一批）内之複數母板 ，不需更換探針401。在複數測試終端皆以一共同圖樣配 置於至少二不同型式之顯示裝置基板内之例子中，例如， -48- μμ_ιιιιιι___μιμιιιμμιιιΜΙΙΙΙΙΙΙΜΙΙΙΙΜΙΙ_ιιμιμμμιμ—μιιμιμμιιμμιιμμμΜ1Μ— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)"" "—----——-- 502107 A7 B7 五、發明説明（46 ) 在各TEG區塊1至1 3、2 1至24内之複數測試終端皆以相 同於第一及第二實施例顯示裝置基板之圖樣配置之例子中 ，此測量系統可以依序測量不同模具之不同型式母板，而 不需更換探針401。 進行上述特徵鄭估過程之每一母板係裁切成一預定量之 顯示裝置基板’此時，母板上之TEG區塊得以去除，惟， TEG區塊可以留置，除非其引起任何不便。母板裁切成一 預定量之顯示裝置基板後，顯示裝置單元即進行一習知對 準膜處理’且液晶材料係介置於相對基板之間，藉以製造 LCD。 依本發明所示，所需之特徵評估可以在例如TFT製程中 有效地進行，而無關於待測基板之型式，此可令製程中之 變化或問題所生之處理瑕疵在早期準確地發現，以減少瑕 疵基板外流，因此，顯示裝置可以有效地製造。再者，本 發明之測量系統可以自動方式測量特徵，以供增進生產效 率。 儘管本發明已揭露於-較佳實施例中，但是習於此技者 可以瞭解的是，已揭露之本發明可依多種方式變更且可假 設前文特別載述者以外之許多實施例，據此，申請專利範 圍應涵蓋本發明真實精神及範_内之所有變更。 本紙張尺歧种_ -49

Claims (1)

1. 502107 Αδ Β8 C8 D8 申請專利範固 經濟部中央樣率局員工消費合作杜印裝 1 ·種氣绝一顯示裝置之方法，係使用一生產線以製造 至〈二不同型式之顯示裝置，其包含以下步驟： 製造電路基板，其包括顯示裝置之一顯示裝置電 及複數;I!}試$件供評估—構成顯示裝置電路之電路 元件之特徵；及 評估電路疋件之特徵，評估步驟包括測量電路基板 所叹之複數則試元件之特徵之步驟，其中 複數/則試元件之各者係連接於至少二不同型式之顯 示裝置中以一共同圖樣配置之複數測試終端之至少一者，及 測量步騾係以一共同之探針接觸於至少一測試終端 而進行’無關於顯示裝置之型式。 2·如申請專利範圍第丨項之方法，其中電路基板包括一第 一測試元件群且其包括至少二測試元件以評估相互不 =疋特徵，第一測試元件群係連接於複數第一測試終 端之至少一者，且複數第一測試終端係包含於以共同 圖樣配置之複數測試終端内。 3.如申請專利範圍第2項之方法，其中 電路基板進一步包括一第二測試元件群且其包括至 少另二測試元件以評估相互不同之特徵，第二測試元 件群係連接於複數第二測試終端之至少一者，且複數 第一測試終端係以相同於複數第一測試終端者之圖樣 配置，及 在測量步騾中，使共同之探針同時接觸於複數第_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 • .......-........1 ......... m * 50- 本紙張Λ度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） • ........... .............. 經濟部中央樣準局員工消費合作社印策 A8 Bg C8 ---_ D8 穴、申請專利範園 ^ -— 測試終端之至少一者之步驟係獨立於使共同之探針同 争接觸於複數第二測試終端之至少一者之步驟而進行 4·如申請專利範圍第2項之方法，其中至少二測試元件包 括一電阻測試元件及一電容測試元件，複數第一测= 2端係6個第一測試終端，電阻测試元件連接於6個第 一測試終端中之4個，及電容測試元件連接於6個第一 测試終端中之剩餘2個第一測試終端u 5·如申請專利範圍第4项之方法，其中 電路基板進一步包括一第二測試元件群且其包括至 少另二測試元件以評估相互不同之特徵， 該至少另二測試元件包括另一電阻測試元件及一電 谷測試元件，且第二測試元件群連接於以相同於複數 第一測試終端者之圖樣配置之複數第二測試終端。 6 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中，在測量步驟中， 使共同之探針同時接觸於複數第一測試終端之步驟係 獨立於使共同之探針同時接觸於複數第二測試終端之 步驟而進行。 7 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中評估電路元件特徵 之步驟包括以下步驟 自至少二不隱型式中指定一電路基板之型式， 依據複數測試終端配置方式上之指定型式及資料之 條件以取得測量資料，及 根據測量條件及配置方式上取得之資料，相對於電 „ . -51 - 本紙家揉準《CNS) ΐΐ OX 297公釐)' " c請先聞讀背面之注意事項存填寫本頁) ,I I n I I I I - • I ..........I— n......................11...........................- 訂 趣丨 502107 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A8 _—^ D8 ....................... 一....... ......................................................... .... ..六、申請專利範圍 ^1^ 路基板以移動共同之探針。 8.如申請專利範圍第丨項之方法，其中製造電路基板之步 驟係一製成複數電路基板於一母板上之步驟，及評估 特徵之步驟係依序進行於複數電路基板。 9·如申請專利範圓第3項之方法，其中第一測試元件群及 第二測試元件群共同包括一測試元件以測量相同特徵 ’各測試元件包括一待測之元件部及一配線部將元件 部連接於測試終端，且用於測量相同特徵之測試元件 之各別元件部具有不同面積，該方法進_步包含以下 步騾： 自測試元件之各別測試結果及元件部之各別面積計 算一回歸係數。 10. —種顯示裝置基板，包含： 一顯示裝置之一顯示裝置電路；及 複數測試元件，供評估一構成顯示裝置電路之電路 元件之特徵，其中 該複數測試元件包括至少一第一測試元件群及一第 二測試元件群，且各包括配置相鄭之一電阻測試元件 及一電容測試元件，及 第一測試元件群係連接於以一預定圖樣配置之複數 第一測試終端之至少一者，及第二測試元件群係連接 於以相同於複數第一測試終端者之圖樣配置之複數第 一測試終端之至少一者。 11·如申請專利範圍第10項之顯示裝置基板，其中複數第 -52- ^^肅用中鬮固家縣 In— in— in in IB·— · (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) m -.......... - - .......... ...............----- · I It · 訂^--- 502107 經濟部中央樣率局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 ______D8 六、申請專利範圍 一測試終端係6個第一測試終端，電阻測試元件連接於 6個第一測試終端中之4個，及電容測試元件連接於6個 第一測試終端中之剩餘2個第一測試終端^ 12. —種測量系統，用於測量如申請專利範國第丨〇或丨i項 之顯示裝置基板内包含之複數測試元件之特徵，包含·· 一探針，包括複數接觸部，係以相同於顯示裝置基 板上之複數第一測試終端者之圖樣配置； 一讀取裝置，係供讀取接附於一匣盒之資料，匣盒 係容載各具有複數顯示裝置基板於其上之複數母板； 一取出裝置，係根據讀取裝置所讀取之資料，以自 匣盒取出一母板； 一第一判斷裝置，係供判斷母板上是否有任意測試 元件尚未測量； 一移動裝置，係當第一判斷裝置判斷母板上有一測 試元件尚未測量時，供相對於顯示裝置基板上之測試 元件以移動探針； 一接觸裝置，係使探針之複數接觸部接觸於包括終 端以連接於測試元件之複數測試終端，且測量測試元 件之特徵； 一第二判斷裝置，係當第一判斷裝置判斷母板上已 無任意測試元件尚未測量時，供判斷匣盒是否容載任 意母板尚未測量； 一取出裝置，係當第二判斷裝置判斷匣盒容载一母 板尚未測量時，可自匣盒取出尚未測量之母板； (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) « mf USB— tl · mi ϋϋ HI nn · sf^tKBKi tltfK ΚΙΕΚν κκκ— i •鳴丨 0 n^i n · -53- 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公ilfcT 0 m n d In 502107 AB B8 C8 D8 穴、申請專利範圍 一第三判斷裝置，係當第二判斷裝置判斷匣盒已無 容載任意母板尚未測量時，供判斷是否有任意匣盒尚 未測量；及 一移動裝置，係當第三判斷裝置判斷有一匣盒尚未 測量時，可移動尚未測量之匣盒以供讀取裝置讀取資 料〇 c請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁} 經 •I訂！ 0 tt— n n mtmMmMf HI