TW473627B - Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

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晶顯示面板，特別是 電極至外部驅動電路 本發明係有關於液晶顯示器之液 製作連接此類顯示面板之端點或連接 的結構及方法。 現今，厚度薄且重量輕的液晶顯示器，特別是每個畫 素各具有其開關元件之主動矩陣式液晶顯示器被廣泛地使 =。此主動矩陣式液晶顯示器的廣泛應用歸因於其可輕易 f供灰度’快速反應’及適於顯示動晝等一般特性。而以 關膜電晶體（TFT)及金屬/絕緣層/金屬二極體（MIM) 關元件。 第14圖所示為主動矩陣式液晶顯示器之剖面圖。所示 之主動矩陣式液晶顯示器包括：一主動矩陣基板丨，具有 開關兀件；另-基板2，與基板！相平行而間隔約5 m的， 液晶4，充填於基板"σ2所定義出的空間，及封框膠3。偏 光片5各自被接合在基板丨和2的外侧表面。 第15圖所示為使用薄膜體之主動矩陣式液晶顯示面板 的電路架構圖。所示之使用薄膜電晶體之主動矩陣式液晶 顯不面板包括：複數掃描線12和信號線13，被製作在一透 月基板上11相互成父錯關係；及薄膜電晶體1 4，位在線】2 和13的交會點。薄膜電晶體14是一個三端元件其包括： 開關半導體層及—閘極，_源極，和—汲極。畫素電極 丄以矩陣方式陳列，各自連接至各薄膜電晶體14。為將 不連接到外部驅動電路，掃描線端點1 6位在掃描線 7^端（即一側），而信號線端點1 7位在信號線1 3的 導線終端（即一側）。外部電路以加壓接合的方式，經由捲

473627 五、發明說明（2) 帶載運包裝（tape carrier package, TCP)及異向導電膜 (anisotropic conductive film，ACF)二者，電性連接至 顯示面板’捲帶載運包裝位在電路側，而異方導電膜位在 端點表面側。 請參照第15圖’例如，當掃描線12之一掃描線χί被施 加的電壓脈衝所選擇而作用時，連接至掃描線的薄膜電晶 體14同時因其閘極電壓增加至超過其截止電位而被打開08 而對應於畫面資料信號電壓被由條信號線丨3經各打開之薄 膜電晶體的源極送至其汲極。送至汲極的電壓使連接至沒 極之畫素電極15，和與畫素電極對面之相對電極19之間， 經過插入之液晶層18形成電位差，因此改變光穿透度而 示畫面。 電場型液 。在此種 狀態使閘 此條掃描 一條掃描 的閘極皆 被關閉後 積在電極 一條掃描 晶顯示 顯示器 極電壓 線的薄 線XH1 被打開 ，介於 間的靜 線下次 電極19 擇的掃 位時， 的閘極 至該條 執行如 與相對 保持在 電壓脈 在橫向 晶體基板側 未被選擇的 所有連接至 然後選擇下 膜電晶體1 4 在閘極 的電位差累 中，直到同 用。 器中，相對 中，當所選 低於截止電 膜電晶體1 4 ’所有連接 ，因而再度 晝素電極15 電電容，且 重新被施加 位在薄膜電 描線X i回到 在某一時刻 皆被關閉； 掃描線的薄 上述動作。 電極1 9之間 液晶層1 8 衝選擇而作 體層

在使用非晶矽（amorphous ，且使用薄膜電晶體或MIM si 1 icon，a-Si)作為半導 凡件的主動矩陣式基板

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47362V 五、發明說明（3) 2，連接端點（即掃描線端點16和信號線端點17)位於 7信號線的導線終端’以連接顯示面板至外部驅動電 路。在使用薄膜電晶體的狀況下，執行上述動作。 —連接端點的需求為：在端點部份的連接電阻須低且穩 ^丄該高可靠度可由抵抗來自外界的水或其他類似物的侵 來確保；以及加壓接合製程可輕易地重新執行。 以日本專利公開案號60-26092 0所揭露的方法為例， f熱寫入型液晶顯示器巾，使用鋁或其合金，在加熱電極 上开> 成紹的氫氧化物覆蓋膜。 、第17圖係顯示日本專利公開案號6〇_26〇92〇所描述的 :f1在該方法中’在透明基板11上以鋁或其合金形成條 2加熱電極171，所形成的基板以㈧至丨〇〇度〇的熱水純水 處理，然後在加熱電極171表面形成約〇1至1 之鋁的 氧化物覆蓋膜。以熱水處理時’端點電極係以光阻成形， 其上並不形成銘的氫氧化物。 曰本專利公開案號3-280021揭露一種光電裝置，使用 鋁或類似抗腐蝕金屬作為端點電極部份。第18圖係顯示該 光電裝置。如圖所示，在透明基板u上形成一畫素電極 (未圖示），一非線性電阻層181 ’ —鉻製上電極（未圖 示），一行電極182，以及一鋁製端點電極184。 鋁及其合金通常容易腐蝕。然:而，即使以此方式直接 形成端點電極，也可抵抗外界水氣侵入而維持相對地良好 的可靠度。 以曰本專利公開案號8 —1 22822所揭露之關於薄膜電晶

五、發明說明（4) 體的技術為另—你丨.θ _ 線和閑極，並覆η使用鋁或其合金形成的掃描 端點部份具有：！％極氧化物。此技術特點為對間極 係顯示此極氧化物層界面控制能力。第圖 …信號』薄在上製成掃描線 12和薄膜電晶體體“ ’以及晝素電極15。掃描線 、电日日溫14之閘極以鋁或其合金製成。 或其合金’鈦或叙’和銦錫氧化物(IT〇)疊合 ，膜在鈦；t开2 ί閘極電極被覆以一層鋁的陽極氧化膜， 該膜在鈦層已形成的情形下以陽極氧化製程製作。 I本專利公開案號43_23274亦揭露一方法，用於以鋁 i i二ί f,掃描線12和閘極電極，並在所需部份覆以-曰鋁的％極氧化膜之薄臈電晶體基板。 然而，在日本專利公開案號6〇_26〇 :揭技術中，…額外的光學微影步=中 碭，其理由如下所述。根據日本專利公開案號 6二2 6 L ’ Λ要藉著在端點電極部份形成光阻形狀以執 I二^處理製程。根據日本專利公開案號3_28〇〇21，則需 要精著在端點電極部份上將鉻低電極轉換成鋁。 這些技術具有另一問題為端點電極部份和TCP間可能 無法得到電性連接，戋造忐古B T± Μ拉細# «、 飞每成间且不穩疋的連接電阻（或加 制接觸電阻）。此因在這二種技術中皆可能，由於在陣列 1程最後一步驟執行的退火步驟或在單元形成製程中執 :配向膜J、结(由於基板昇溫製程後的降溫時很可能曝露 在咼湓下空氣中）所造成鋁表面可能的氧化；或是在單元 473627 五、發明說明（5) I 5裝程Ϊ執行的清洗時（由於基板在清洗後很可能以熱 7 /洗或瘵氣吹乾）所造成鋁表面可能的氧化或氫氧化， 而在鋁上形成絕緣層。 另個問題疋可能有不正常的顯示或良率及可靠度的 ^此因在單TL形成製程中執行的清洗步驟不可能使用 ^或酸（由於端點電極部份的紹會被驗或酸蚀刻），故造成 或酸性離子去除不徹底，而使得殘留的離子遷移 並停留在液晶中。 …ΐί另一個問題是端點電極部份的鋁會產生突起，造 的配向膜遭破壞，或在單元形成製程中執行的 驟：污染刷向滾輪…在合金製程中的退火步驟 ‘掉；I : Ϊ f程中燒結配向膜時所產生的突起物被擠壓 ΐί ^部份上且在配向時黏貼在刷向滾輪上。 習矣利公開案號Η 22822和3~232274中所揭露的 有需要額外的光學微影步驟的問題，故造成 極邛伤中的鈦或鉬膜應該要形成 端點電 開案號3-232274，端點電極部份中的4，^艮據日本專利公 成路或组。 、、呂掃描線應該要轉換 因此，本發明之一目的為提供— 一 確保具TCP之端點電極部份有低而穩液θθ顯不面板’可 高連接可靠度，以及其製作的方法穩，的加壓接觸電随和 括·根發明的第一形態，提供-種液晶顯示面板 主動矩陣基板；另—包

473627 五、發明說明（6) 以及液晶，充填於二基板之間，其中： 陣基板包括：一透“板，其上有複數條掃描 線，複數條仏號線，與掃描線交錯H關S件，位在掃描 線和信號線的交會點；4素電極，連接至開關元件；以及 連接電極，位在形成掃描線和信號線的導線終端部份；

且至少連接電極的連接部份是使用鋁或主要以其組 之合金所形成。 ' X .根據本發明的第二形態，提供一種液晶顯示面板，包 括.一主動矩陣基板；另一基板，與主動矩陣基板相對； 以及液晶’充填於二基板之間，其中： .主動矩：基板包括：一透明基板，其上有複數條掃描 線；複數條信號線，與掃描線交錯；開關元件，位在掃描 線和信號線的交會點；畫素電極，連接至開關元件；以^ 相對電極和連接電極，位在形成掃描線和信號線的 端部份； 且至少連接電極的連接部份是使用鋁或主要以其組 之合金所形成。 根據本發明的第三形態，提供一種液晶顯示面板，包 括.一主動矩陣基板；另一基板，與主動矩陣基 以及液晶，充填於二基板之間，其中： 土板相對’ 主動矩陣基板包括：一透明基板，其上有複數條信號 線；開關元件，位在信號線上；畫素電極，連接至開& = 件；以及連接電極，位在形成信號線的導線終端部份； 且至少連接電極的連接部份是使用铭或主要以其址成

47362V 五、發明說明（7) 之合金所形成。 根據本發明 括：一主動矩陣 以及液晶，充填 主動矩陣基 、線；複數條信號 線和信號線的交 連接電極，位在 且至少連接 之合金所形成； 在主動矩陣 覆盖掃描線，信 根據本發明 括：一 主動矩陣 以及液晶，充填 主動矩陣基 、線；複數條信號 線和信號線的交 相對電極和連接 端部份； 的第四形態’提供一種液晶顯示面板，包 基板；另-基板’與主動矩陣基板相對； 於二基板之間，其中： ?包括丄一透明基板，其上有複數條掃描 線，與掃描線交錯；％關元件，位在 會點；晝素電極’連接至開關元件；以： 形成掃描線和信號線的導線終端部份； 電極的連接部份是使用鋁或 以及 飞主要以其組成 基板有充填液晶存在的範圍内，一 號線，和開關元件電極之最上 、’層 的第五形態，提供一種液晶顯示面板面； 基板…基板’與主動矩 匕 於二基板之間，其中： 慨和對， 板包括：一透明基板，其上有 線，與掃描線交錯；開關元件，位才插 會點；晝素電極，連接至開關元件掃描 電極，位在形成掃描線和信號線的導：J 、’、々 且主少、運接電 之合金所形成；以及 在主動矩陣基板有充填液晶存在的範圍内，一 復盍掃描線，信號線，和開關元件電極與 絕緣) 穴仰對電極之最

473627 五、發明說明（8) 層的表面。 根據本發明 括：一主動矩陣 以及液晶，充填 主動矩陣基 線；複數個開關 開關元件；以及 份； 且至少連接 之合金所形成； 信號線的部 層。 根據本發明 面板包括：一主 相對；以及液晶 一主動矩陣 金的連接電極上 端點接觸孔之保 由在連接電極的 組成； 連接電極的 續的製造過程中 移除。 根據本發明 的第六形態，提供一種液晶顯示面板包 基板；另一基板，與主動矩陣基板相對； 於二基板之間，其中： 板包括：一透明基板，其上有複數條信號 疋件，位在信號線上；晝素電極，連接至 連接電極，位在形成信號線的導線終端部 電極的連接部份是使用鋁或主要以其组成 以及 伤在有充填液晶存在的範圍内覆蓋一絕緣 ’提供一種液晶顯示面板的製造方法，此 動矩陣基板；另一基板，與主動矩陣基板 ，充填於二基板之間；該方法包括： 基板製備步驟：在鋁或主要以其組成之合 ，成保護絕緣層；形成具到達連接電極的 濩絕緣層；在熱水製程中形成一絕緣層， 連接部份上之氧化鋁和氫氧化鋁的疊合膜 連接。卩份上之絕緣層，在液晶顯示面板連 最後一步驟之後的接續步驟中被選擇性地 之另一形態，提供—種液晶顯示面板的製

473627 五、發明說明（9) 造方法，此面板包括：一主動矩陣 動矩陣基板相對.以及浚曰古： —基板，與主 包括，扳相肖，以及液S曰，充填於二基板之間；該方法 -金：=陣基板製備步驟：形成銘或主要以其組成之 氣氧化㈣疊合膜組成之絕緣層在 声的:H絕緣層；形成具到達連接電極上形成之絕： 日的點接觸孔之保護絕緣層； 緣 連接電極的連接部份上之絕緣層，在液s鹿-品4 續的製造過程中最德一 +赚夕& 在液日日顯不面板連 移除。 十最I #驟之後的接續步驟中被選擇性地 造方Ϊ據了：態，提供-種液晶顯示面板的製 動矩陣.主動矩陣基板；另一基板，與主 t陣基板㈣；以及液晶，充填於二基板之間。該方法 合金基板製備步驟：形成紹或主要以其組成之 成-氧化銘或！氧熱水製程在連接電極上形 層丨 由氧化鋁和虱巩化鋁的疊合膜組成之絕緣 續的製造：在液晶顯示面板連 移除。 v驟之後的接續步驟中被選擇性地 造方法據t=明之另—形態’提供—種液晶顯示面板的製

第12頁 473627 五、發明説明（ίο) - i H㊆&的主動矩陣基板上开)成端'點電極部 使用銘或在呂合冬遠拉JJJ从血J 1 1 .e .叫仪的王動矩嗶基板上形成端點電極部 伤 ，鋁合金連接至外部驅動電路，至少其連接 τϋΡΛ::皮/蓋以氧化铭或由氧化紹和氫氧化銘的疊合 膜組成之絕緣層；以及 絕緣層在液晶顯示面板連續的製造過程中最後一步驟 之後的接續步驟中被選擇性地移除 種液晶顯示面板的製 根據本發明之另一形態，提供 造方法’包括以下步驟： 2由選擇性地在透明基板上形成第一金屬層以形成端 點電極， ，成具到達第一金屬層之端點接觸孔之層間絕緣層，· 膜鈕觸孔選擇性地形成第二金屬[其為單-層 描’.$ “、、其合金，或為包括最上層鋁或其合金的疊合 膜，以及 形成具到達端點接觸孔之保護絕緣層。 造方：據ί發明之另一形態，提供-種液晶顯示面板的製 也万法，包括以下步驟： 點電Ϊ由選擇性地在透明基板上形成第-金屬層以形成端 $ ^具到達第一金屬層之端點接觸孔之層間絕緣層； 端點接觸孔選擇性地形成第二金屬層，其為單二層 描、’或為其合金，或為包括最上層鋁或其合金的疊 和氫氣孔中之絕緣層，其為氧化15或由氧化銘 風氧化銘的疊合膜；以及

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47362V 五、發明說明（11) 形成保護絕緣層及具到達 絕緣層，· 罘—金屬層之端點接觸孔之 根據本發明之另一形態，提供 造方法，包括以下步驟·· 液日日顯不面板的製 藉由選擇性地在透明基 點電極； 板上形成第-金屬層以形成端 :ϊ ΐ ΐ ΐ第一金屬層之端點接觸孔之層間絕緣屌 在=觸孔選擇性地形成第二 層以層； 膜； 次為包括最上層鋁或其合金的疊合θ 形成絕緣層，其為氧 合膜，以霜甚道始— 氧化紹和氫氧化紹的矗 。膜W覆蓋導線和電#的最上層表面。 站的疊 在根據本發明之液 或合金之連接端點的表面曰顯：；；：化接Τ〜 氧化紹的疊合膜形成之絕緣層所覆蓋，且此絕和氫 何額外的黃光微影製^ ί擇性地钱刻去除，因此無需任 電性連接，且改善電J遠：保端：電極部份至TCP可靠的 為讓本發明：：L ί的可靠度。 顯易懂，下文特舉較他目的、特徵、和優點能更明 說明如下： 圭實施例，並配合所附圖式，作詳細 【圖式簡單說明】

第1(a)和1(b)圖係4日访L 示液晶顯示面板的工c明之第-較佳實施例，顯 動起陣基板之端點電極在短邊方向的 473627 五、發明說明（12) 剖面圖和平面圖； 第2(a)和2(b)圖係根據本發明之 一 示液晶顯示面板的主動矩陣基板之姓一較佳實施例，顯 剖面圖和平面圖； 板之端點電極在短邊方向的 第3 (a)和3 (b)圖係根據本發明之 示液晶顯示面板的主動矩陣基板之地一較佳實施例，顯 剖面圖和平面圖； 鸲點電極在短邊方向的 第4(a)和4(b)圖係根據本發明 示液晶顯示面板的主動矩陣基板之端較佳實施例’顯 剖面圖和平面圖； 端點電極在短邊方向的 第5(a)和5(b)圖係根據本發明之一 示液晶顯示面板的主動矩陣基板在單—:二佳實施例’顯 件（TFT)的剖面圖和平面圖； —里素部份之開關元 -二:a-)r=:根據本發明之第三較佳實施例，顯 員：面板的主動矩陣基板之端點電極在短邊方向的 剖面圖和平面圖； 第7=和7⑻圖所示為液晶顯示面板的主動矩陣基板 在早一晝素部份之開關元件（TFT)的剖面圖和平面圖； 第8(a)和8(b)圖係根據本發明之第三較佳實施例，顯 示進一步修改後之液晶顯示面板的端點電極在短邊方向的 剖面圖和平面圖； 一第9(a)和9(b)圖係根據本發明之第三較佳實施例，顯 不更進步修改後之主動矩陣基板在單—畫素部份之開關 元件（MIM)的剖面圖和平面圖；

第15頁 五、發明說明（13) 第10(a)，10(b)，和10(c)圖所示為， 之第一與第二較佳實施例之縱向電場型液曰〜用本發明 主動矩陣基柘夕„關开杜I液日日顯示面板中’ 坂之開關兀件CMIM)的剖面圖和平 第11(a) ’ 11(b)，和11(c)圖所示為， 圖， 之第一盘第— 马’在應用本發明 ., 二〜較佳貫把例之橫向電場型液曰g§ _ & 4 主動矩陣基板夕M M开杜rMTM、从 履日日顯不面板中， 第mu 件（）的剖面圖和平面圖； 顯示另一修改尨 ±毹 击 第一較佳貫施例， 圖和平面圖； "板之開關元件（MIM)的剖面 第13(a)和13(1))圖係顯示第* 之第r齡伟资， ^ 吗’、乐ΰ圖所不之本發明 罘一敉佳實施例的製作方法； +貧明 第1 4圖係顯示主動矩陣式液晶 第15圖戶斤示為使用薄膜電曰曰面圖； 面板的電路架構圖； ' B曰 動矩陣式液晶顯示 6〇产cH(a)0和16(b)圖所示為起始加壓接觸電阻，與在之 〇度C’ 90%高相對濕度狀態 ，之 觸電阻； r <保存測试後的加壓接 熱寫 第1 7圖係顯 入型液晶顯 ^ =本專利公開案號60-260 920所揭露的 示器基板之剖面圖； 動 膜 第1 8圖係顯示曰本專利公開案 矩陣基板之主動矩陣型光電裝置 第1 9圖係顯示曰本專利公開案 電晶體陣列基板的剖面圖。〃 號3-280021所揭露的主 之剖面圖；以及 號8-1 22822所揭露之薄 473627 Λ 五、發明說明（14) 卜主動矩陣基板；2〜另一基板；3〜封框膠；4〜液曰.5 =片；1卜透明基板；12〜掃描線；13〜信號線；14〜薄膜曰電曰 體；15〜畫素電極；16〜掃描線端點；17〜信號線端點=曰 目對電極；2卜金屬膜；22〜間層絕緣層⑴〜金屬液曰曰 緣層32保：層η”門端點接觸孔;26〜端點接觸孔;31〜絕 緣層，打〜絕緣層；4卜間層絕緣層42〜第- 巴 電極上==;51〜 薄膜n楚4 緣層；56〜閘極電極；57〜n型第一半導體 膜.8;下方：ί導體薄膜;59〜孔;6卜端點接觸孔;64〜金屬 二2〜第二絕緣層;1。3〜第-半導體薄膜;;。4〜第第 極.端點=〜非線性電阻層；182〜行電極；183〜上電 【實施例】 如下：文特舉較佳實施例，i配合所附圖式，作詳細說明 (第一模式） 晶县貝2 : f 1山(a)圖，所示為根據本發明之第-模式的液 即2:= 電極部份，依在第1⑻圖中的1-1，線， 1艰側方向，所山4 _ 顯示面板的上視圖。面圖。第1⑻圖則顯示同-液晶 板中Ί: i U本發明之第一模式的液晶顯示器面 端點電極以：在透明基板11上選擇性地形成之 Η 第17頁 473627 五、發明說明（15) 金屬膜21，形成具到達金屬膜21之端點接 緣層22，在端點接觸孔25中選擇性地形成 ㈣ 絕緣層24,所製成。、金屬膜二 或為其金，或為包括最上層鋁或其合金 的疊合膜。 曰〜穴口隻 "畐如L(a)=圖所示之根據本發明之第-模式的液 點電極部份上或自其移除而不需要任何光 少步驟數目。 予 U能降 (第二模式） 請參照第2(a)圖，所示為根據本發明之第二模 晶顯不面板之端點電極部份，依在第2(b 卜续' :短侧：向，所取出之剖面圖。第⑽圖則顯；同一;Ϊ: 顯不面板的上視圖。 』 展曰日 凊參照這些圖，在本發明夕證__ 1«. 中，每個端點電極以：在透明基板顯示面板 屬額，形成具到達金屬臈2;===成之金 層22，在端點接觸孔25中選擇性地形成金屬膜23::= 絕緣層31，以及形成具端點接、 ，、上的 = == = :膜。絕_為-氧化 也可能無需金屬膜21而只：’但 第18頁 473627 五、發明說明（16) (第三模式） 請參照第4(a)，4(b)\ . 本發明之第三模式的液晶顯示面板。5第u圖：不為根據 第4(b)圖巾的Ι-Γ、線，即短 ^⑷圖所示為依在 4(b)圖則顯示同一液晶顯 ^斤取出之剖面圖。第 為依在第5(b)圖，顯示根據本發明之】圖，5(a)圖所示 =板的單-畫素部份之開關元件（tft)，二中模的^晶顯示 圖。 關顯不n 日日顯示面板的上祝 請參照這些圖，在本發明 中，每個端點電極以：在透明美厂、式的液晶顯示面板 屬膜21，形成具到達金屬上選擇性地形成 層22 ’以及在端點接觸孔25 =門層絕緣 製成。 停注地形成金屬膜23，所 金屬膜23為一單層膜銘’哎為 層紹或其合金的疊合膜。在有所充填：J:2為包括最上 陣基板範圍中，形成絕緣層31以覆、，曰曰存在的主動矩 面。絕緣層31為一氧化鋁膜或氧化鋁盥，電極最上層表 膜。 ，、虱氧化鋁之疊合 (第一實施例） 根據本發明之第一模式的液晶顯示 第一實施例說明如下： ’、卸板之明確實例以 第1(a)和1(b)圖係顯示根據本發 之液晶顯示面板。此顯示面板包括— < 第—較佳實施例 t % _陣基板1 ;另 mm

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達金屬膜23之端點接觸孔26約2〇〇ηιη厚以如電漿化學氣相 成長形成之低溫氮化矽層之保護絕緣層24，所製成 在第1(a) ’l(b) ’2(a)，和2(b)圖中之第—與第二實 施例，為一主動矩陣基板上之端點電極的實例，其使用反 向堆疊（inverted staggered)結構之TFT作為開關元件。 在這些實例中，掃描線端點丨6將透明基板丨丨上的掃描線】2 直接連接到金屬膜21，而信號線端點1 7將間層絕緣層22 (即閘極絕緣層）上的信號線丨3經由分開的接觸孔（未圖示） 連接到金屬膜21。 ” 请參照第10(a)至10(c)圖，所示為一主動矩陣基板之 單一畫素部份’根據本發明之第l(a)，l(b)，2(a)，和 2(b)圖中所示之第一與第二實施例，在縱向電場型液晶顯 示面板的應用而形成。第l〇(a)圖所示為依在第1〇((：)圖， 顯示第1 (a)和1 (b)圖中所示之本發明第一實施例之主動矩 陣基板的應用中之單一畫素部份，中的I — I ’線所取出之剖 面圖。第10(b)圖所示為依在第l〇(c)圖，顯示第2(a)和 2 (b)圖中所示之本發明第二實施例之主動矩陣板的應用中 之單一畫素部份，中的Ι-Γ線所取出之剖面圖。第l〇(a) 至10(c)圖係顯示通道蝕刻型的TFT。 請參照第10(a)和10(b)圖，所示之底閘極型TFT 14形 成於厚度〇. 7mm之玻璃透明基板11上，且由下層側開始， 具有：一約200nm厚之鋁/鈮合金閘極電極56 ; —間層絕緣 層22 (即閘極絕緣層），為約i59nm厚以濺鍍形成之低溫氧 化矽層之第一閘極絕緣層101與約3 50nm厚以電漿化學氣相

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成長形成之低溫氮化矽層之筮_ -^ ^ 弟—閘極絕緣層102的疊層； 島狀平導體廣54，具有35ilnm+ =tfc η ?? ^ φ ^ nm之非晶矽經由間層絕緣層 ^興閘極電極5 6面對；一调炻如 ，， 二i 分開的相對側部份，為-包括約 第一實施例)或氮化鈕膜(第二實施例)及-約20nm厚之鋁/鈦合金膜之疊合膜。 閘極電極56連接至亦為2〇〇nm厚之鋁/鈥合金膜之疊合 膜=掃描線12。源極電極52連接至亦為—包括糊㈣厚之 鉬膜（第-實施例）或氮化钽膜（第二實施例）及一約2〇〇· 厚之鋁/鈦合金膜之疊合膜的信號線13。汲極電極53連接 至約lOOnm厚ITO之畫素電極15。 在第10(b)圖中所示之第二實施例中，一約2〇〇nm厚的 氧化鈕和氧化鋁之絕緣膜31覆蓋源極和汲極電極52和53與 佗號線13。島狀半導體層54為一疊合骐，由約3〇〇 nm厚未 摻入任何雜質之非晶矽之第一半導體層1〇3和約5〇nm厚摻 入磷之η型第二半導體層1〇4所組成。第二半導體層1〇4在 源極和汲極電極52和53上形成分開的部份。 凊參照第11(a)和11(b)圖’所示為一主動矩陣基板之 單一畫素部份，根據本發明之第1(a)，1(b)，2(a)，和 2(b)圖中所示之第一與第二實施例，在橫向電場型液晶顯 示面板的應用而形成。第11(a)圖所示為依在第ii(c)圖， 顯示第1 (a)和1 (b )圖中所示之本發明第一實施例對應橫向 電場型液晶顯示面板之主動矩陣板的應用中之單一畫素部 份’中的I - I ’線所取出之剖面圖。第11 (b )圖所示為依在

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第11(c)圖’顯*第2(a)和2(b)圖中所示之本發明第二實 ::對^向電場：液晶顯示面板之主動矩陣板的應用中 之早一畫素部份’中的1-1’線所取出之剖面圖。 ^10(a)和10(b)圖所示之縱向電場型液晶顯示面板 ::相：電極形成於另-基板侧，而在川⑷和n(b)圖 向電場型液晶顯示面板中，相對電極形成於主動 矩陣基板上，且畫素電極和相對電極為梳狀。然而，二種 面板型的TFT具有相同的結構。 4參照第11 (a)和11(b)圖，所示之底閑極型TFT “形 成於厚度0.7·之玻璃透明基板丨丨上，且由下層側開始， 具有：一約200ηιη厚之鋁/鈮合金閘極電極56 ; 一間層絕緣 層22 (即閘極絕緣層），&約⑸㈣厚以濺鍍形成之低溫氧 化矽層之第一閘極絕緣層1〇1與約35〇nm厚以電漿化學氣相 成長形成之低溫氮化矽層之第二閘極絕緣層丨〇 一島狀半導體層54,具有350nm之非晶石夕經由間層U層 22與閘極電極56面對；一源極和一汲極電極52和53，形成 於島狀半導體層54間隔分開的相對側部份，為一包括約 5Onm厚之鉬膜（第一實施例）或氮化钽膜（第二實施例）及一 約20nm厚之鋁/鈥合金膜之疊合膜。 閘極電極5 6連接至亦為2〇〇nm厚之鋁/鈥合金膜之疊合 膜的掃描線12。源極和汲極電極52和53，各自連接至亦為 一包括約50nm厚之鉬膜（第一實施例）或氮化】鈕膜（第二實 施例）及一約20 Onm厚之鋁/斂合金膜之疊合膜的信號線貝 13，以及約l〇〇nffl厚ιτο之畫素電極15。相對電極19由與閘 473627 五、發明說明（21) 極電極同層，即20Onm厚之鋁/歛合金膜之疊合膜，所形 成，以與晝素電極1 5相對。 在第11 (b)圖中所示之第二實施例中，一約2〇〇ηπι厚的 氧化組和氧化紹之絕緣膜31覆蓋源極和汲極電極5 2和5 3與 信號線13。半導體層54的結構與第1〇圖中所示之第一實施 例相同。 製造在第10(a)和l〇(b)圖所示之縱向電場型液晶顯示 面板之實施例的方法說明如下： 首先’閘極電極5 6 ’掃描線1 2 ’和端點電極部份之金 屬膜21，以濺鍍方式，由約2〇〇nm厚之鋁/鈮合金膜，形成 於厚度0.7mm之玻璃透明基板丨丨上，且以光學微影的方式 將膜製出形狀。接著，以高頻濺鍍之低溫氧化矽，形成厚 度如約1 5 0 nra的閘極絕緣層〗〇 !。 然後’由本質第一半導體薄膜1〇3及η型第二半導體薄 膜104疊合組成之島狀半導體層54，以電漿化學氣相成長 的方式，連續形成：約350nm厚之低溫氮化矽膜約3〇〇nm 厚未摻入任何雜質之非晶矽膜，和約5〇nm厚摻入磷之η型 非晶麥膜’且以光學微影的方式將膜製出形狀。 之後濺鑛ΙΤΟ至約i〇〇nm厚以形成晝素電極15，且以 光學微影的方式將膜製出形狀。 接著，以光學微影的方式，在端點電極部份 2 1上形成接觸孔2 5。 、 然後’源極和汲極電極52和53與信號線丨3以連續濺鍍 的方式形成：在第二實施例中之約50nm厚的鉬膜與約

第24頁 五、發明說明（22) 2^00|im厚的鋁/鈥合金膜，和在第二實施例中之約厚的 =i«膜與約2〇〇nm厚的鋁/钕合金膜，且以光學微影的方 式將膜製出形狀。 在第一實施例中’源極和沒極電極52和53，信號線 及端點電極部份之金屬膜23，帛：在如3%酒石酸和氨 7和而成的溶液，肖乙二醇之比例為i ·· 9之混合溶液 贫，以陽極氧化的方式，所形成之約2〇〇nm厚的氧化钽和 =化鋁之絕緣膜31，所覆蓋。陽極氧化的方式實行為：漸 漸增加所施於陽極氧化端之直流電壓，以至最後得到一約 2mA/cm2之定電流，並且最後保持在約12〇v之定電壓下約 1 5分鐘。 後、’ 11型第二半導體薄膜104使用源極和汲極電極52 和5 3作為遮罩’以蚀刻形成通道。 然後，形成如約2〇〇㈣之以電漿化學氣相成長的低溫 氮化㈣之保護絕緣層24 ’且以光學微影的方式，在畫素 電極15上形成孔59，以及在端點電極部份 成接觸孔26。 |仞之金屬膜23上形 w 施例中’絕緣膜31為由約100⑽厚之氫氧化 鋁（上層）和5〇nm厚之氧化鋁（下層）所組成的疊合膜，在 3膜23的I呂/敍合金連接部份表面上，以如在了㈣的執 分鐘所形成。最後，實行退火製程以完成具 TFT之基板。 之後，對具TFT之基板及另一基板作配向膜之印刷， 燒結，及接著滾刷。然後，二基板相接合以定義其間空

第25頁 473627 五、發明說明（24) 水中和而成的溶液，與乙二 中，以上述之陽極氧化方式，例為1:9之混合溶液 鈕和氧化鋁之絕緣膜31，所覆蓋形成之約20〇11111厚的氧化 之後，η型第二半導體薄膜 和53作為遮罩，以蝕刻形成通道〇。4使用源極和汲極電極52 然後，形成如約200nm之以電總太 氮化矽膜之保護絕緣層24，且以井g子軋相成長的低溫 電極15上形成孔59，以及在端點電極 旦常 成接觸孔1極^之金屬賴上形 在第一實施例中，絕緣膜31為由約1〇〇nm厚之氫氧化 铭（上層）和SOnm厚之氧化銘（下層）所組成的疊人膜，在 金屬膜23的銘/敍合金連接部份表面上，以如在度c的熱 水處理約1 0分鐘所形成。最後’實行退火製程以完""成具… TFT之基板。 凡八 之後’形成如前所述之液晶單元。之後在單元形成製 程最後的一步，選擇性地蚀去端點電極的連接部份之絕緣 層31，而完成液晶顯示面板。 ' ” (第三實施例） 請參照第3 (a)圖，所示為根據本發明之第二實施例的 液晶顯示面板修正（即第三實施例）之端點電極部份，依在 第3 (b)圖中的I - Γ線，即短侧方向，所取出之剖=圖。第 3 ( b )圖則顯示同一液晶顯示面板的上視圖。 第3 (a)和3(b)圖係顯示根據本發明之第三較佳實施例 如第14圖中所示之液晶顯示面板。此顯示面板包括一主動 473627

五、發明說明（25) 矩陣基板1 ;另一基板2 ’與主動矩陣基板相對；以及液晶 4，充填於基板1和基板2之間。主動矩陣基板i αΜΙΜ作為曰9 開關元件。 ~ 在根據本發明之第三較佳實施例之液晶顯示面板中， 每個端點電極以：在約0· 7mm厚之玻璃透明基板n上選擇 性地形成約20〇nm厚的鋁/鈕合金之金屬膜23和約2〇〇11111厚 以覆蓋金屬膜23之絕緣層31，及形成具到達金屬膜23之端 點接觸孔2之金屬膜23上之絕緣層31和約2〇〇nm厚以電裝化 學氣相成長形成之低溫氮化矽層，所製成。在本實施例 中’信號線端點17使信號線13直接連接至金屬膜23。 一 第12(a)圖所示為，根據本發明之第三模式的液晶顯 不面板的單一畫素部份之開關元件（MIM)，依Ι-Γ線所取 出之剖面圖。第12(b)圖則顯示同一單一畫素部份的上視 所不之ΜIM 91 上，具有：一約2〇nm厚之鋁/鈕 形成於厚度〇 穴π . 一約Mnm厚之鋁/鈕合金之下電極92，和一約 之nm厚以覆蓋下電極92之氧化鋁絕緣層31，和一約1 50nm 銘' f上電極93。一約20Onm厚以電漿化學氣相成長形成 低溫氮化石夕之保護絕緣膜24覆蓋MIM 91。 下電極92連接至亦以約2〇〇ηιη厚之鋁/钽合金形成之信 說線13，而r 15。 a 上電極93連接至約5〇nm厚之IT0之畫素電極 (如挺保u3蔓、絕緣膜24在畫素電極1 5上具有一開口。掃描線 (即知描電極)形成於另一側。 製迭笛一企 乐二實施例的方法如下所述：首先’鋁/钽合金

第28頁 473627 五、發明說明（27) 點電極部份的起始加壓接觸電阻。 第4(a)圖所示為，根據本 板的端點電極部份，依卜丨，線之實靶例的液晶顯示面 則顯不同一單一晝素部份的上視出圖。第4 (b)圖 液晶顯示面板的單一晝素部份之關^圖所示為同一 線所取出之剖面圖。第5(b)圖:二nnFT)，依卜1， 上視圖。 〜顯不同一早一晝素部份的 第三較佳實施例之如第14圖中路—* %曰a 括：-主動矩陣基板"另一基圖板中2所：==示面板包 對.w » y b , 士士 ^ 泰板2 ’與主動矩陣基板相 對，以及液晶4，充填於基板丨和基板2之間。 此實施例為縱向電場型液晶顯示面板之一例，其相對 電極形成於另一基板侧。請參照第4(&)和圖，每個端 點電極以：在約0.7厚之玻璃透明基板丨丨上，選擇性地 ，成約30〇nm厚以正常壓力電漿化學氣相成長形成之低溫 氧化矽之薄間層絕緣膜41，形成約5 〇㈣厚的〗τ〇薄膜和約 ljOnm尽的钥膜之金屬膜21 ;形成如約3〇〇nm厚以電漿化學 氣相成長形成之低溫氮化矽，具到達金屬膜21之端點接觸 孔25之第二閘極絕緣層42 ;及在端點接觸孔25中選擇性地 形成約200 nm厚之鋁/钽合金之金屬膜23，所製成。 在第5(a)圖中所示之TFT部份中’在約〇. 7mm厚之玻璃 透明基板11上，選擇性地形成約1 5 〇nni厚的鉬膜之遮光膜 51 ’以及約300nm厚以正常壓力電漿化學氣相成長形成之 低温氧化矽之間層絕緣膜41。上閘極型TFT 1 4形成於間層 絕緣膜41上而使其與遮光膜51相對。

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TFT 14係以連續疊合：約5〇nm厚ΐτο之源極和汲極電 極52和53，包括形成於源極和汲極電極52和53上約5〇顏厚 非晶矽島？半導體層54 ’約5〇nm厚以化學電漿氣相成長形 成之低溫氮化矽第一閘極絕緣層55，和約3〇〇1^厚以化學 電漿氣相成長形成之低溫氮化矽第二閘極絕緣層42 ;以及 約200nm厚鋁/鈦/鉅合金膜，經閘極絕緣55和42與島狀半 導體層54相對之閘極電極56，所製成。 閘極電極56連接至亦為2〇〇nm厚之鋁/鈦/鈕合金膜之 疊合膜的掃描線12。源極電極52連接至亦為一包括約5〇nm 厚之IT0膜及一約l50nm厚之鉬膜之疊合膜的信號線13。汲 極電極53連接至約亦為ιτο之晝素電極Η。 一絕緣膜31，以約200nm厚的氧化鋁或約15〇11111厚的氫 氧化鋁與約10〇nm厚的氧化鋁疊合膜形成，覆蓋掃描線12 和閘極電極56。 島狀半導體層54為一疊合膜，由在源極和汲極電極5 2 和53分開部份上形成，約5nm厚摻入磷之n型非晶矽之第一 半導體層57，以及約45mn厚未含有任何雜質之第二半導體 層5 8所組成。 第三實施例為主動矩陣型基板之一例，使用正向堆疊 (forward staggered)結構之TFT作為開關元件。在此結構 中，信號線端點1 7藉透明基板1丨上的信號線丨3直接連接到 端點電極部份的金屬膜2 1，而掃描線端點丨6以掃描線丨2連 接至形成在第二閘極絕緣層42之分開的接觸孔131 (示於第 13(a)圖）中的金屬膜21。

第31頁 473627 五、發明說明（29) 請參照第13(a)和13(b)圖，製造第三實施例的方描述 如下：以濺鍍形成約150nm鉬膜及光學微影製出形狀而製 成遮光層51。接著，以常壓化學氣相成長形成約300nm之 低溫氧化矽而製成間層絕緣膜41。 然後，以濺鍍形成約50nm之I TO膜及光學微影製出形 狀’而製成源極和汲極電極52和53之下層膜，晝素電極 15，和信號線13。 之後’其表面部份以磷化物（p H3)電漿處理的方式摻 ~碟。接著’以化學電漿氣相成長連續形成約5〇nm厚非晶 石夕和同一厚度之低溫氮化矽及光學微影製出形狀，而製成 島狀半導體層54之疊合膜和第一閘極絕緣層55。 〜該化學電漿氣相成長在保持基板溫度在約3〇〇度C下實 行在此製程中，源極和没極電極52和53表面部份的鱗因 二，散至本質非晶矽膜中，因此形成約5nm的η型第一半導 薄膜57，使源極和汲極電極至半導體層的電性連接生 狀，而 然 化砂而 電極15 孑 1* 2 5。 之 影製出 f，、以濺鍍形成約i 5〇nm之鉬膜及光學微影製出形 製成信號線1 3。 ί出^化學電漿氣相成長形成約3〇〇nm厚之低溫氮 上之；^閘極絕緣層42，並以光學微影製出在畫素 和端點電極部份之金屬膜21上之端點接觸 ί狀以iC 30 0nm之鋁鈦鈕合金膜及光學微 衣成知描線1 2和端點電極部份之金屬膜

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47362V 五、發明說明（30) 23。接著，如同第二實施例，以主要成份為酒石酸之氧化 溶液作陽極氧化，在其表面覆蓋約2〇〇nm厚之氧化鋁絕緣 層31，然後以濺鍍約15〇11111鉻膜的方式形成上電極，且 以光學微影將膜製出形狀。或者，如同第一實施例，以在 的熱水處理約20分鐘，在其表面覆蓋以約i5〇nm厚之 氫氧化鋁（上層）和10〇11111厚之氧化鋁（下層）組成之疊合膜 所形成的絕緣膜31。最後，實行退火製程以完成具打了 、 基板（第 13(a)®)。 〃 然後，對具TFT之基板及另一基板作配向膜印 Γ並=著滾刷。之後，二基板相接合以定義其“ 丨承並在此空隙中填入液晶（第1 3 ( b)圖）。 點電元形成製程最後的一步’選擇性地蝕去端 13(〇圖）。°卩份之絕緣層31，而完成液晶顯示面板（第 (第四實施例） 液晶圖’所示為根據本發明之第三實施例的 1-1，绫士板C正（即第四實施例）之端點電極部份，依 1 1線’由短側方向，所取出之剖面圖：二 貝不面板的上視圖。第7(a)圖所示A翩_二> 主動矩陣基柘 布、^口所不為顯不面板之 干丞板之早一畫素 Τ部份 7(b)圖則顯 丨伪之剖面圖。第 . J 早一畫素部份之上視圖。 中所示：包括第四較佳實施例之液晶顯示面板，如第1 4圖 陣基板相游以二矩陣Λ板1丄另一基板2，與主動矩 以及液晶4，充填於基板〗和基板2之間。第

第33頁 473627 五、發明說明（31) 四實施例為橫向電場型液晶顯示面板之一例，其相對電極 形成於主動矩陣側。 請參照第6 (a )和6 (b )圖’端點電極以：在約〇. 7mm厚 之玻璃透明基板11上選擇性地形成約200nm厚的鋁/鈦合金 之金屬膜2 1，以及一間層絕緣層2 2 (即閘極絕緣層），為 如約150nm厚以濺鍍形成之低溫氧化矽層與約35〇nm厚以電 漿化學氣相成長形成之低溫氮化矽層的疊層，所形成。 凊參照第7(a)和7(b)圖，所示之底閘極型τρτ 14連續 形成於厚度0.7mm之玻璃透明基板^上，具有：一約2〇〇ηπι 厚之鋁/鈥合金閘極電極56 ; 一間層絕緣層22 (即閘極絕 緣層），為約1 50nm厚以濺鍍形成之低溫氧化矽層之第一閘 ^絕緣層101與約35〇nm厚以電漿化學氣相成長形成之低溫 氮化矽層之第二閘極絕緣層丨02的疊層；一島狀半導體層 54，具有350nm之非晶矽經由間層絕緣層22與閘極電極56 面對；一源極和一汲極電極52和53，為約3〇〇nm厚之鉬 膜’以分開的膜部份形成於島狀半導體層54上；以及一保 護絕緣膜24，為一如約2〇〇nm厚以電漿化學氣相成長形成 之低溫氮化石夕層。 、=極電極56連接至亦為200nm厚之鋁/鉉合金膜之疊合 =的掃描線12。源極和汲極電極52和53各自連接至亦^ nm厚之鉬臈的信號線13和梳狀晝素電極丨5。 ，對電極被一由約2〇〇nm厚之氧化鋁膜或約15〇nm厚之 之紹^臈與約1〇〇11111厚之氧化鋁膜組成之疊合膜’所形成 、'邑緣層3所覆蓋。半導體層54與前述第一實施例相關之

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47362V 五、發明說明（32) 結構相同。 第四實施例為一主動矩陣基板上之端點電極的實例， 其使用反向堆疊（inverted staggered)結構之TFT作為開 關元件。在此實例中，掃描線端點1 6將透明基板丨丨上的婦 描線1 2直接連接到金屬膜21，而信號線端點1 7將間層絕緣 層2 (即閘極絕緣層）上的信號線丨3連接到金屬膜23。 製造在第三實施例的方法說明如下：首先，閘極電極 56 ’掃描線12，和端點電極部份之金屬膜21，以濺鍍方 式，由約200nm厚之鋁/鈥合金膜，形成於厚度〇7mm之坡 璃透明基板11上，且以光學微影的方式將膜製出形狀。接 著’以高頻錢鍍之低溫氧化矽，形成約丨5〇nm厚的第一 極絕緣層1 01。 Ψ 然後’由本質第一半導體薄膜1〇3及η型第二半導體薄 膜104疊合組成之島狀半導體層54，以電漿化學氣相成長 的方式’連續形成：約35〇nm厚之低溫氮化矽膜約 厚未摻入任何雜質之非晶矽膜，和約5 〇nm厚摻入磷之η型 非晶石夕膜’且以光學微影的方式將膜製出形狀。 之後’在端點電極部份之金屬膜21上形成接觸孔25。 然後L源極和汲極電極52和53，信號線13，畫素電極 15 ’以及端點部份之金屬膜23，以⑽形成約3q〇^厚的 钥膜’且以光學微影的方式將膜製出形狀。 '^第_半導體薄膜104使用源極和沒極雷極52 和53作為料1㈣形成通道。 ^極電極52 然後，形成如約200nmi以電漿化學氣相成長的低溫

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47362V 五、發明說明（33) ' ' ^ ^ ^膜之保護絕緣層24，且以光學微影的方式，在端點 電極邛份之金屬膜23上形成接觸孔26。 接著，相對電極和端點電極部份之金屬膜64以濺鑛 式形成約30〇nm厚之鋁/鈥合金膜，且以光學微影的方式 將膜，出形狀。然後，如第二實施例，以主要成份為酒石 酸之氧化溶液作陽極氧化，在相對電極丨9和端點電極部份 之金屬膜64上覆蓋約200nm厚之氧化鋁絕緣層31。或者， 如第二實施例’以在70度C的熱水處理’在其表面覆蓋以 約l〇〇nm厚之氫氧化鋁（上層）和1〇〇ηιη厚之氧化鋁（下層） 組成之疊合膜所形成的絕緣膜31。 最後，實行退火製程以完成具TFT之基板。之後，對 具TFT之基板及另一基板作配向膜之印刷，燒結，及接著 滾刷。然後，二基板相接合以定義其間空隙，並在此空隙 中填入液晶。之後在單元形成製程最後的一步，選擇性地 蝕去端點電極的連接部份之絕緣層3丨，而完成液晶顯示面 板。 (第五實施例） 請參照第8 ( a )圖，所示為根據本發明之第三實施例的 液晶顯示面板進一步修正（即第五實施例）之端點電極部 份，依1-1’線，由短侧方向，所取出之剖面圖。第8(b)圖 則顯示同一液晶顯示面板的上視圖。第9 (a)圖所示為顯示 面板之主動矩陣基板之單一畫素部份中MIM部份之剖面 圖。第9 (b)圖則顯示同一單一畫素部份之上視圖。 此液晶顯示面板，如第14圖中所示，包括：一主動矩

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基二於:二板二動矩陣基板相對；以及液 之换照第8(心和8(b)圖’端點電極形成在約Ο.—厚 之破璃透明基板11上，在約50nm厚之氧化鈕之下方絕 ^上’選擇性地形成約2〇〇nm厚的鋁/鈦/鈕合金之金屬膜 請參照第9(a)和9(b)圖，約50nm厚之氧化鈕之下方絕 緣膜81形成於厚度〇.7mm之玻璃透明基板丨〗上。—MIM 91 以連續疊合：一約2〇〇 nm厚之鋁/鈦/鈕合金之下電極92， 一約200nm厚以覆蓋下電極92之氧化鋁絕緣層31，和一約 150nm之鉻之上電極93，所形成。 、 下電極92連接至亦以約20〇nm厚之鋁/鈦/鈕合金形成 之信號線13 ’而上電極93連接至約50nm厚之ITO之畫素電 極1 5 °在第五實施例中’信號線直接連接至金屬膜23。掃 描線（即掃描電極）形成於另一基板侧。 製造第五實施例的方法如下所述：首先，連續賤鑛約 50nm之氧化鈦膜和約3〇nm厚的鋁/鈦/钽合金膜於厚度 0· 7mni之玻璃透明基板^上，且以光學微影定義鋁/鈦/钽 合金膜的形狀，形成下電極92，信號線13，和端點電極部 份之金屬膜23。 接著’如第二實施例，以主要成份為酒石酸之氧化溶 液作陽極氧化，在下電極92，信號線1 3，和端點電極部份 之金屬膜23的表面覆蓋約2〇〇nm厚之氧化鋁絕緣層31，然 後以濺鍍約150nm鉻膜的方式形成上電極93，且以光學微

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47362V 五、發明說明（35) ' 影將膜製出形狀。 之後’以濺鑛約50 nm厚之1το的方式形成晝素電極 15，且以光學微影將膜製出形狀。最後，實行退火製程以 完成具MIM之基板。之後，對具TFT之基板及另一基板作配 向膜之印刷，燒結，及接著滚刷。然後，二基板相接合以 定義其間空隙，並在此空隙中填入液晶。 之後在單元形成製程最後的一步，選擇性地蝕去端點 電極的連接部份之絕緣層3 1，而完成液晶顯示面板。 在前述第三實施例之製造方法為根據本發明關於第 13(a)和13(b)圖之一典型製造方法，同樣的方法可應用於 其他實施例。此外，上述實施例中，端點電極的連接部份 之絕緣層3 2在單元形成製程的最後—步被選擇性地濕蝕刻 去除，也可能利用機械研磨連接部份的表面而去除膜32。 進一步地，也可能在液晶模組組合製程之加壓接合Tcp之 月ό去除膜3 1。還有，在上述實施例中以通道姓刻型τ ρ τ作 為描述範例’但本發明也可能應用於通道保護型TFT。 在熱水處理形成絕緣膜31的案例中形成氫氧化鋁（上 層）和氧化鋁（下層）組成之疊合膜之事實，已由本發明人 實驗確認，且其與日本專利發明編號N〇. 6〇_26〇92〇中所 揭露的習知技術不同。此因根據該發明可能只對膜表面作 分析。 如上所示’氧化鋁膜或氫氧化鋁和氧化鋁組成之疊合 膜之絕緣層，基本上形成於連接端點的表面，且在單元形 成製程或模組形成製程中加壓接合TCP之前被選擇性地钱

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去。因此可能減低熱處理製 和單元形成製程中的配向膜 化銘之不利效應，並確保端 阻低且穩定。 程（如陣列形成製程中的退火 燒結等）中接觸端點表面的氧 點電極部份之起始加壓接觸電 此外，藉由設定絕緣層3之厚度在1〇〇四或以上，可使 用=或酸以在單元形成製程巾清洗，幻肖除端點電極部份 鋁表面產生之突起，因而改進良率和可靠度。 雖然自然氧化鋁膜形成於連接端點部份的表面，其厚 大於5nm，且可輕易地在加壓接合κρ時被acf顆粒所 破壞，並確保接觸電阻低且穩定。 第16(a)和1 6(b)圖係顯示在本發明第三實施例中和習 知技術鋁端點例之加壓接觸電阻。明確地說，第16(3)圖 2。顯不起始接觸電阻，而第丨6 (a)圖係顯示在6 〇度c高溫， 高相對濕度狀態下之保存測試後的加壓接觸電阻。所 二電阻為20個串聯之端點的結果阻值。使用的ACF為3轉 = mlcai公司製造之新版"cp7U1"。加壓接合在18〇度c和 = 的狀況下進行，熱處理在3,3〇〇度〇的狀況下進行 3〇分鐘’而熱水處理在7〇度C的狀況下進行1〇分鐘。 ^由第16(a)和16(b)圖可明顯看出’習知技術鋁端點製 =方法會在鋁端點表面形成絕緣層，故不可能在端點電極 二伤得到電性連接。相反地，根據本發明，可得到低且穩 疋的起始接觸加壓電阻，因而改進連接可靠度。 、.如如所述’根據本發明’可在陣列形成製程中省去一 欠光予微影，因而改進良率和可靠度。此因不需任何光罩

第39頁 473627 五、發明說明（37) 即可在端點電極部份中形成或去除氧化鋁或氫氧化鋁絕緣 層’因而減少所需步驟的數目。 也可能得到低且穩定的起始接觸加壓電阻，因而也改 進連接可靠度。此因氧化鋁或氫氧化鋁絕緣層，基本上至 少形成於端點部份的連接電極表面，以致可能防止鋁的連 接表面，在後續熱處理製程（即陣列形成製程中之退火， 在單元形成製程中之配向膜燒結，和清洗製程中之熱水處 理以及蒸氣吹乾）中被氧化或氫氧化。 進一步地，可能減低顯示不正常及改進良率和可靠 度。此因氧化鋁或氫氧化鋁絕緣層基本上形成覆蓋曝露之 端點電極部份的鋁，以致可能在單元形成製程中使用鹼或 酸清洗並充分去除鹼離子和函素離子。 還有，在第二和第三實施例中，可能保護畫素部份之 銘導線電極的最上層受來自配向膜或類似物中的水氣侵 入’因而防止鋁腐蝕。 更進一步地，可能改進單元形成製程之良率和生產 ，^此因氧化鋁或氫氧化鋁絕緣層基本上形成於端點電極 邛份的鋁表面，以致可能避免突起物產生，也避免對在端 點電極部份的配向膜造成破壞，與單元形成製程中配向時 露如上，然其並非用以 在不脫離本發明之精神 此本發明之保護範圍當 準〇 雖然本發明已以較佳實施例揭 限^本發明，任何熟習此技藝者， 和範圍内’當可作更動與潤飾，因 視後附之申請專利範圍所界定者為

Claims (1)

1. 1. 一種液晶顯示面板，包括： 一主動矩陣基板； 另基板，與主動矩陣基板相對；以及 液晶，充填於二基板之間； 其中’該主動矩陣基板包括： 一透明基板，其上有複數條掃描線； 複數條信號線，與掃描線交錯； 開關元件，位在掃描線和信號線的交會點； 晝素電極’連接至開關元件；以及 連接電極，位在形成掃描線和信號線的導線終端部 f至少連接電極的連接部份是使用鋁或主要以其組成 之合金所形成。 2· 一種液晶顯示面板，包括： —主動矩陣基板； 另基板’與主動矩陣基板相對；以及 液晶，充填於二基板之間； j中’該主動矩陣基板包括： 透明基板’其上有複數條掃描線； 不數條信號線，與掃描線交錯； 查胃元件’位在掃描線和信號線的交會點； ^素電極，連接至開關元件；以及 後炊# ^電極和連接電極，位在形成掃描線和信號線的導

   第41頁 47362V

   六、申請專利範圍 且至少連接電極的連接部份是使用鋁或主要以其組成 之合金所形成。 3. —種液晶顯示面板，包括： 一主動矩陣基板； 另一基板’與主動矩陣基板相對；以及 液晶’充填於二基板之間； 其中，該主動矩陣基板包括： 一透明基板，其上有複數條信號線； 開關元件，位在信號線上； 晝素電極，連接至開關元件；以及 連接電極’位在形成信號線的導線終端部份； 且至少連接電極的連接部份是使用鋁或主要以其組成 之合金所形成。 4. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之液晶顯示面 =二其中保護絕緣膜至少形成於連接電極上，且具有 連接電極之端點接觸孔。 違 5. 一種液晶顯示面板，包括： 一主動矩陣基板； 與主動矩陣基板相對 暴板 液晶，充填於二基板之間； 其中，該主動矩陣基板包括： :ί Ϊ基板，其上有複數條掃描線； 2條信號線，與掃描線交錯； 汗凡件，位在掃描線和信號線的交會點

   473627 六、申請專利範圍 晝素電極，連接至開關元件；以及 連接電極，位在形成掃描線和信號線的導線終端部 且至少連接電極的連接部份是使用鋁或主要以其組成 之合金所形成；以及 —在主動矩陣基板有充填液晶存在的範圍内，一絕緣層 蓋掃描線，信號線，和開關元件電極之最上層的表面。 6’ 種液晶顯不面板，包括： —主動矩陣基板； 另一基板，與主動矩陣基板相對；以及 液·晶’充填於二基板之間； 其中’該主動矩陣基板包括： 透明基板，其上有複數條掃描線； 複數條信號線，與掃描線交錯； 開關元件，位在掃描線和信號線的交會點； 晝素電極，連接至開關元件；以及 相對電極和連接電極，位在形成掃描線和信號線的導 線終端部份； 且至少連接電極的連接 之合金所形成；以及 在主動矩陣基板有充填液晶存在的範圍 盍掃描線，信號線，和開關元件電極與相一絕緣層 層的表面。 鮮電極之最_t 7 · 種液晶顯示面板，包括：

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   473627 六、申請專利範圍 一主動矩陣基板； 另一基板，與主動矩陣基板相對；以及 液晶，充填於二基板之間； 其中，該主動矩陣基板包括： -透明基板’其上有複數條信號線； 複數個開關元件，位在信號線上； 畫素電極，連接至開關元件；以及 連接電極，位在形成信號線的導線終端部份； 之人接電極的連接部份是使用銘或主要以其組成 之合金所形成；以及 六 層。信號線的部份在有充填液晶存在的範圍内覆蓋一絕緣 板 I;、！；專利範圍第5、6或7項所述之液晶顯示面 其中沒有保濩絕緣膜形成於連接電極上。 9甘:申請專利範圍第5、6或7項所述之液晶顯示面 =成八中絕緣膜由氧化鋁或氧化鋁與氫氧化鋁之疊合膜所 10· —種液晶顯示面板的製造方法，此面勺 一 動矩陣基板；另一基板，與主動矩陣基板相 已 主 充填於二基板之間，該方法包括： ，夂液日日， 么认了 ί動矩陣基板製備步‘驟：在紹或主要以其組成之人 電極上形成保護絕緣層；形成具到達連接電極： 鈿點接觸孔之保護絕緣層；以及在熱水製程中形成一絕 層’由在連接電極的連接部份上之氧化鋁和氫氧化鋁的、聂 第44頁 六、申請專利範圍 合膜所組成； 連接電極的連接部份上之絕緣層，在液晶顯示面板連 软^製造過程中最後一步驟之後的接續步驟中被選擇性地 移除。 11. 一種液晶顯示面板的製造方法，此面板包括一主 :?陣基板’ ~基板，與主動矩陣基板相對；及液晶， 充填於二基板之間；該方法包括： 一主動矩陣基板製備步驟〔形成鋁或主要以其組成之 二λ，，，電ί三在陽極氧化或熱水製程中形成一氧化銘 二ν :a /呂和氫氧化鋁的疊合膜組成之絕緣層；在連接電 極上形成保護絕緣層. ^ € 絕緣層的端點接觸孔之;到達連接電極上形成之 續的ί ί j:ί η=之絕緣層，在液晶顯示面板連 移除。 4步驟之後的接續步驟中被選擇性地 12. —種液晶顯示 、止 動矩陣基板；另-美柘也的k方法’此面板包括-主 充填於二基板之間：；方^動矩陣基板相對；及液晶， J，邊方法包括： 主動矩陣基板_供丰 合金之連接電^以及形成紹或主要以其組成之 上形成一氧化鋁或由轰 氧化或熱水製程在連接電極 緣層； ’和氫氧化紹的疊合膜組成之絕 連接電極的連接部份 續的製造過程中最播 π上之浥緣層，在液晶顯示面板連 敢後—步驟之後的接續步驟中被選擇性地

   第45頁 473627 六、申請專利範圍 移除。 1 3.如申請專利範圍第丨〇、丨丨或丨2項所述之液晶顯示 面板的製造方法，其中絕緣膜的厚度至少1〇〇nm。 14. 一種液晶顯示面板的製造方法包括： 在液晶顯示面板的主動矩陣基板上形成端點電極部 份，使用鋁或鋁合金連接至外部驅動電路，至少其連接 TCP的表面被覆蓋以氧化铭或由氧化銘和氫氧化紹人 膜組成之絕緣層；以及 σ 絕緣層在液晶顯示面板連續的製造過程中最後一 之後的接續步驟中被選擇性地移除。 步驟 15. —種液晶顯示面板的製造方法，包括以下步驟. 點電=選擇性地在透明基板上形成第〜金屬層以形成端 形成具到達第一金屬層之端點接觸孔之層間絕緣層. 在端點接觸孔選擇性地形成第二金屬層，其為單一層 膜鋁，或為其合金，或為包括最上層鋁或其合金 人 膜；以及 、 ® 口 形成具到達端點接觸孔之保護絕緣層。 16. —種液晶顯示面板的製造方法，包括以下步驟： 藉由選擇性地在透明基板上形成第〜金屬層形· 點電極； 93 w Α小成端 形成具到達第一金屬層之端點接觸孔之層間絕緣層，· 在端點接觸孔選擇性地形成第二金屬層，其為單二芦 臈鋁，或為其合金，或為包括最上層鋁或其合金的疊合曰

   第46頁 473627 六、申請專利範圍 膜上和在端點接觸孔中之絕緣層，其為氧化銘 和氫氧化鋁的疊合膜；以及 乳化銘 形成保護絕緣層及具到達第二金屬廢 絕緣層。 隻弟一金屬層之端點接觸孔之 17. —種液晶顯示面板的製造方法，包括以下步 點電：由選擇性地在透明基板上形成第一金屬層以形成端 J =具到達第一金屬層之端點接觸孔之層間絕緣屏. 膜铭=觸孔選擇性地形成第二金屬，，其為單二芦 臈；或為其合金，或為包括最上層鋁或其合金的疊合曰 形緣層，纟為氧化鋁或由氧化鋁和氫氧化鋁的疊 ° 、 覆蓋導線和電極的最上層表面。