TW471011B - Thin film forming apparatus - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 149
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 56
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 105
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 102
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 54
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 10
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 15
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001290864 Schoenoplectus Species 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
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471011 A7 B7 五、發明說明(v) 1 · 發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種薄膜形成裝置使用以製造具有可產 生E L (電致照明)之照明材料,特別是照明有機材料( 以下稱爲有機E L材料)設置在陽極和陰極間之構造之 E L元件。 2 · 相關技藝之說明 近年來,使用EL元件當成使用有機EL材料之EL 現象之自我照明元件之顯示裝置(E L顯示裝置.)已快速 發展。由於此EL顯示裝置爲自我照明型,因此不需要如 同液晶顯示裝置之背光。再者,由於可見之角度較廣,此 種E L顯τρ:裝置被視爲使用在戶外之手提設備之顯示部份 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於此有兩種E L顯示裝置,亦即,被動型(簡單矩陣 型)和主動型(主動矩陣型),且兩種型式皆蓬勃的發展 。特別的,現今,主動矩陣型E L顯示裝置獲得更多的注 意。相關於變成照明層且被視爲E L元件之中央之有機 EL材料而言,雖然已對低分子有機EL材料和高分子有 機E L材料做硏究,但是,由於高分子有機E l材料比低 分子有機E L材料更輕易操控和其熱阻較高,因此更注意 高分子有機E L材料。 關於尚分子有機E L材料之膜形成方法方面,由Seiko Epson公司所提出之噴墨法是較佳的。關於此技術,一可參 考曰本專利第平1 〇 - 1 2 3 77和平1 0 - -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471011 A7 ___ B7 五、發明說明(2〉 153967 或平 11 — 54270 號案。 但是,在此噴墨法中,由於高分子EL材料會噴出且 散佈,如果介於塗覆表面和噴墨頭之噴嘴間之距離未適當 的安排時,會發生如所謂的飛行曲線,其中墨滴落至非需 要之部份。飛行曲線如日本專利第平1 一 5 4 2 7 0所述 ,且其界定爲可發生從目標位置50或更多的偏移。 發明槪要 本發明乃有鑒於上述之問題而製成,且在提供一種方 法,其中以聚合物製成之有機EL材料之膜準確的且高產 能的形成,而無位置偏1幕,和使此膜形成之一薄膜形成裝 置。 本發明之另一目的乃在提供一種具有薄膜形成裝置之 多室系統(亦稱爲叢集工具系統)之元件形成裝置。 爲了達成上述之目的,本發明之特徵在於紅,綠,和 藍色照明層使用如散佈器之薄膜形成裝置形成一條紋狀。 此條紋狀包括一長和薄矩形,具有2或更多的孔徑比,和 一長且薄之橢圓形,具有長軸對短軸2或更大之比例。 本發明之薄膜形成裝置如_ 1 A和1 B所示。圖1 A 爲從側邊觀之,本發明之薄膜形成裝置之外觀,和圖1B 爲從前面觀之,本發明之薄膜形成裝置之外觀。在圖1 A 中,參考數字1 0 0表示一支持台,1 〇 1爲固定有基底 1 0 2之傳送台。傳送台10 1可在X方向(水犀方向) 或Y方向(垂直方向)移動。 ------!!p 裝 ------—訂----I---^線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -5 - 471011 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7___五、發明說明(3 > 一支持柱1 0 3和一保持器1 0 4接附至支持台 100,和塗覆單元105位在傳送台101上。塗覆單 元1 0 5爲一裝置,其提供有一機構以塗覆含有機E L材 料之溶液在一基底上,和一裝置用以傳送壓縮氣體(壓縮 惰性氣體)至一頭部份1 0 6和用以供應含有機E L材料 之溶液。 再者,塗覆單元1 0 5包括一吸回機構(提供有吸回 閥或空氣操作閥之機構)。吸回機構爲藉由使用膜規而改 變體積以降低管中之壓力,用以將聚集在管之噴嘴埠之墨 滴吸入噴嘴之機構。 在圖1 A和1B之薄膜形成裝置中,頭部份1〇 6固 定,和放置有基底1 0 2之傳送台1 〇 1在X或Y方向移 動。亦即,採用此機構以使傳送台移動,因此,頭部份 1 0 6在基底1 0 2上相關的移動。雖然亦可使頭部份 1 0 6移動,但是,當基底側移動時,穩定性較佳。 在上述構造之薄膜形成裝置中,提供有一有機材料( 嚴格而言,一溶劑和溶解在其中之有機E L材料之混合物 )之供應埠之噴嘴之頭部份1 0 6在基底1 0 2上移動, 因此,基底之預定部份以有機$ L材料塗覆。以下說明以 頭部份1 0 6塗覆有機E L材料之方法。 圖2 A爲包含7Γ共軛系統聚合物之有機E L材料之膜 藉由執行本發明而形成之狀態圖。在圖2 A中,參考數字: 1 1 0表示一基底,和以丁 F T製成之一圖素咅_份π 1 ,一源極側驅動電路1 1 2,和一閘極側驅動電路丨丄3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 7〇Ζ ^1— - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471011 A7 _ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(4 ) 乃形成在基底1 1 0上。以多數連接至源極側驅動電路 1 1 2之源極接線和多數連接至閘極側驅動電路1 1 3之 閘極接線所圍繞之區域爲一圖素,和T f T和電連接至 T F T之E L元件形成在圖素中。此圖素以矩陣型式安排 在圖素部份1 1 1中。 於此’參考數字1 1 4 a表示一溶劑和當應用一電壓 會發出紅色光之有機E L材料(有機£ l材料(R))之 混合物(塗覆液體(R ) ) ; 1 1 4 b爲一溶劑和當應用 一電壓會發出綠色光之有機E L材料(有機E L材料(G ))之混合物(塗覆液體(G));和1 14c表示一溶 劑和當應用一電壓會發出藍色光之有機E L材料(有機 EL材料(B))之混合物(塗覆液體(b))。 相關於有機EL材料方面,於此有一方法,其中聚合 化聚合物直接溶解在溶劑中而後應用,和另一方法,其中 在膜以溶解在溶劑中之單體形成後,執行加熱和聚合以形 成聚合物。此兩方法皆可使用在本發明中。於此說明聚合 物之有機E L材料溶解在溶劑中而後應用之例。 在本發明之例中,一塗覆液體(R) 114a,一塗 覆液體(G) 114b,和一_覆液體(b) 分 別從薄膜形成裝置之頭部份1 〇 6應用在如圖1 A和1 B 所示之方向。亦即,條紋狀照明層(嚴格而言爲照明層之 前身)同時形成在發出紅光之圖素線上,發出綠光之圖素 線上,和發出藍光之圖素線上。 ^ 圖素線表示以觸排1 2 1分離之圖素之線,和觸排 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -7 - 471011 A7 _ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(5 ) 1 2 1形成在源極接線上。亦即,多數圖素沿源極接線序 列安排之線稱爲圖素線。但是,雖然此處說明觸排1 2 1 形成在源極接線上,但是,觸排亦可提供在閘極接線上, 和多數圖素沿閘極接線序列安排之線稱爲圖素線。 因此,圖素部份1 1 1可視爲由提供在多數源極接線 或多數閘極線上之條紋觸排所分割之多數圖素線之聚集。 以此觀點,圖素部份1 1包含一圖素線,其中形成有發紅 色光之條紋狀照明層,發綠色光之條紋狀照明層,和發藍 色光之條紋狀照明層。 由於條紋狀觸排提供在多數源極接線或多數閘極接線 上,因此可將圖素部份實質視爲由提供在多數源極接線或 多數閘極線上之條紋觸排所分割之多數圖素線之聚集。 其次,圖2 A所示之頭部份(亦稱爲塗覆部份) 1 0 7之狀態擴大如圖2 B所示。 參考數字1 0 7表示薄膜形成裝置之頭部份,和紅色 噴嘴1 1 6 a,綠色噴嘴1 16b,和藍色噴嘴1 1 6 c 接附於此。此外,一塗覆液體(R ) 1 1 4 a,一塗覆液 體(G ) 1 1 4 b ,和一塗覆液體(B ) 1 1 4 c分別儲 存在每一噴嘴內側。塗覆液體以充塡在管117中之壓縮 氣體壓縮,且受推出至圖素部份1 1 1。頭部份1 0 7沿 垂直於紙面之方向向此側移動,因此,可執行如圖2 A所 示之塗覆步驟。 圖2 C爲由1 1 8所示之塗覆部份附近之擴大圖/。在 基底1 1 0上之圖素部份1 1 1乃爲多數TFT1 1 9 a 本^張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公" ------------i ‘裝 ------訂------I--綠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471011 A7 —_________ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(6 ) 至1 19 C和圖素電極120a至120C所形成之圖素 之聚集。當以壓縮氣體將壓力應用至圖2 B之噴嘴 1 16a至1 1 6c時,塗覆液體1 14a至1 14c受 此壓力推出。 以樹脂材料製成之觸排1 2 1提供在圖素間,和防止 塗覆液體免於混入相鄰圖素間。在此構造中,當觸排 1 2 1之寬度(由光石印之解析度所決定)較窄時,圖素 部份之整合受到改善且可獲得高細微影像。特別的,當塗 覆液體之黏度在1至3 0 c p時,更爲有效。 但是,如果塗覆液體之黏度爲3 0 c p或更大時,或 是其爲溶膠或膠狀時,最好不要使用此觸排。亦即,如果 介於塗覆液體和塗覆表面間之接觸角在塗覆後充分大時, 塗覆液體無法極度展開,因此,變成不需要以觸排阻擋。 在此例中,照明層最後形成橢圓形(長且薄之橢圓形,其 長軸和短軸之比例爲2或更大),典型的爲從圖素部份之 一端延伸至另一端之長且薄之橢圓形。 關於可形成觸排1 2 1之樹脂材料方面,可使用丙烯 酸,聚醯胺,聚醯亞胺,或聚亞氨醯胺。如果碳,黑色染 料等先提供在樹脂材料中以使構f脂材料變黑時,可使用觸 排1 2 1當成介於圖素間之光遮蔽膜。 如果使用光反射之一感應器接附至任一噴嘴1 1 6 a ,116b, 116c之尖端附近時,亦可將介於塗覆表 面和噴嘴間之距離始終保持固定。再者,藉由提供=機構 以依照圖素節距(圖素間之距離)而調整介於噴嘴 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9 - 471011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ __ 五、發明說明(7 ) 1 1 6 a至1 1 6 C間之距離,可配合任何圖素之EL顯 示裝置。 以此方式,從噴嘴1 1 6 a至1 1 6 c應用之塗覆液 體1 1 4 a至1 1 4c分別塗覆圖素電極1 20 a至 1 2 0 c。上述之頭部份1 〇 7之操作由電訊號所控制。 在塗覆液體1 14a至1 14c應用後,在真空中執 行加熱處理(烘烤處理或點火處理),因此,包含在塗覆 液體1 1 4 a至1 1 4 c中之有機溶劑揮發且形成包含有 機E L材料之照明層。因此,必須使用在低於有.機e L.材 料之玻璃臨界溫度(T g )之溫度下會揮發之有機溶劑。 最終形成之照明層之厚度由有機E L材料之黏度所決定。 在此例中,此黏度可藉由選擇有機溶劑或添加劑而調整, 且最好使黏度在1至5 0 c p間(最好爲5至2 〇 c p) 〇 再者,如果有多數會變成結晶核之雜質存在於有機 E L·材料時,當有機溶劑揮發時,有機E l材料結晶之可 能性變高。如果結晶,則照明效率降低,其是不佳的。因 此,最好使在有機E L材料中儘可能不含雜質。 爲了降低雜質,重要的是俾溶劑和有機E L材料徹底 精鍊,且製造溶劑和有機E L材料之環境儘可能乾淨。關 於溶劑之精鍊和有機E L材料之精鍊方面,最好亀複執行 如蒸餾法,昇華法,過濾法,再結晶法,再沉澱法,層析 法,或分解法等技術。最後,最好降低如金屬元·素或^驗金 屬元素之雜質至0 · 1 p pm或更低(最好爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2ί〇 χ’597公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ -------訂---------線 471011 A7 B7 五、發明說明(8 ) O.Olppm或更低)。 此外,當使用如圖1 A和1 B所示之薄膜形成裝置應 用含有機E L材料之塗覆液體時,最.好需充分注意大氣。 特別的,最好使有機E L材料之形成步驟在充塡以如氮之 惰性氣體之淸潔室或手套盒中執行。 藉由使用上述之薄膜形成裝置,可同時形成分別發出 紅色,綠色,和藍色光之三種照明層,因此,可以高產能 形成包含高分子有機E L材料之照明層。再者,和噴墨系 統不同的是,由於可塗覆成條紋狀,而在一圖素線上無間 隙,因此,產能極高。 圖式簡單說明 在圖中: 圖1 A和1 B爲薄膜形成裝置之圖; 圖2 A至2 C爲有機E L材料之塗覆步驟圖; 圖3 A和3 B爲有機E L材料之塗覆步驟圖; 圖4 A和4 B爲有機E L材料之塗覆步驟圖; 圖5爲薄膜形成裝置之圖; 圖6爲薄膜形成裝置之圖;、 圖7爲有機EL材料之塗覆步驟圖;和 圖8 A至8 C爲在薄膜形成裝置中之頭部份之構造圖 〇 - · - . * 符號說明 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)-11 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裘--------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471011 A7 B7五、發明說明(9〉 5 2 噴嘴 5 3 單元 54,57 頭部 5 5 單元 5 6 噴嘴 100 支持台 101 傳送台 10 2 基底 103 支持柱 104 保持器 105 塗覆單元 10 6 頭部 10 7 頭部 110 基底 111 圖素部份 112 源極側驅動電路 113 閘極側驅動電路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 1 4 塗 覆 液 體 1 1 6 噴 嘴 1 1 9 T F T 1 2 〇 圖 素 電 極 1 2 1 觸 排 3 0 1 觸 排 3 0 2 方 形 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -12 - 471011 A7 _B7 五、發明說明(10 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 0 1 觸 排 4 0 2 E L 層 4 0 4 觸 排 4 0 5 E L 層 5 0 0 閘 5 0 1 共 同 室 5 0 2 傳 送 機 構 5 0 3 基 底 5 0 4 傳 送 室 5 0 6 預 先 處 理 室 5 0 7 點 火 處 理 室 5 0 8 傳 送 機 構 5 0 9 傳 送 室 5 1 0 溶 液 塗 覆 處 理 室 5 1 1 點 火 處 理 室 5 1 2 傳 送 機 構 5 1 3 傳 送 室 5 1 4 溶 液 塗 覆 處 理 室 5 1 5 蒸 氣 相 膜 形 成 處理室 r 5 1 6 蒸 氣 相 膜 形成 處理室 5 2 1 手 套 盒 5 2 2 路 徑 盒 5 2 3 閘 5 2 4 紫 外 線 照 射 機 構 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1 裝--------訂----- 氧 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -13 - 471011 A7 _____ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(11 )5 2 5 閘 7 0 1 頭部 較佳實施例之詳細說明 以下說明本發明之實施例。如圖2 A所示,當圖素部 份1 1 1,源極側驅動電路1 1 2,閘極側驅動電路 1 1 3包含TFT在基底1 1 0上時,條紋狀觸排i 2 1 沿源極接線形成(接線連接源極側驅動電路1 1 2至圖素 部份1 1 1和傳送資訊訊號至圖素部份之開關T F 丁)。 其次,準備欲變成照明層之一塗覆液體(R ) 114a,一塗覆液體(G) ll4b,和一塗覆液體( B) 114c。每個塗覆液體114a至114c主要藉 由溶解高分子有機E L材料在一溶劑中而形成。關於高分 子有機E L材料方面,可使用聚對位苯乙嫌撐(p p v ) 系統,聚乙烯(P V K )系統,或聚荀系統。 雖然有各種型式之有機E L材料存在當成p p v系統 ,但是已發表者如附件中之分子式〔化合物1〕和〔化合 物 2〕( H.Shenk,O.Gelsen,E.KIuge,W.Kreuder, 和H.Spreitzer,”用於發光極體之聚合物”,Euro Display Proceedings , 1 999, p.33-37 )。 亦可使用揭示於日本專利第平1 〇 一 9 2 5 7 6號案 之聚苯乙烯。其分子式如附件中之分子式〔化合物3〕和 〔化合物4〕所不。 · ^ 關於P V K系統有機E L材料方面,其分子式如附件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNSXA4規格(210 X 297公f ) 471011 A7 _ B7 五、發明說明(12 ) 之〔化合物5〕所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在聚合物狀態中之材料已溶解在溶劑中後,可應用高 分子有機E L材料,或在材料溶解在溶劑中且以單底狀態 塗覆後,可聚合化。在材料以單體狀態應用之例中/先形 成單體前身,和而後藉由在真空中加熱聚合以形成聚合物 〇 特別的,可使用氰基聚苯撐乙烯撐在塗覆液體(R) 1 1 4 a中;可使用聚苯撐乙烯撐在塗覆液體(G) 1 1 4 b中;和可使用聚苯撐乙烯撐和聚烷基苯撐在塗覆 液體(B ) 1 1 4 c中。關於溶劑方面,可使用氯仿,二 氯仿,T 一丁酯內酯,丁酯溶纖劑,或NMP (N —甲基 - 2 -烷)。亦可有效的添加添加劑以提升塗覆液體之黏 性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 但是,上述之例只是有機E L材料之例,其可使用於 本發明之照明層,但是,本發明並不限於此。在本發明中 ,有機E L材料和溶劑之混合物由圖1 A和1 B之薄膜形 成裝置所應用,且溶劑藉由加熱處理而揮發和移除,因此 可形成照明層。因此,當溶劑揮發時,如果溫度不超過照 明層之玻璃臨界溫度時,可使用任何的有機E L材料。 再者,當使用圖1A和1B之薄膜形成裝置執行塗覆 步驟時,所需的是,處理氣體爲具有極少濕氣之乾燥氣體 ,且此步驟在惰性氣體中執行。由於E L層極易由存在之 濕氣和氧所破壞,當形成E L層時,需要儘可能的排除适 些因素。例如,最好使用乾燥氮氣或乾燥氬氣。因此,最 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- 471011 A7 __ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(13 ) 好將圖1 A和1 B之薄膜形成裝置安裝在一充塡以惰性氣 體之淸潔廂中,且塗覆步驟在該氣體中執行。 〔第一實施例〕 在執行本發明之模式中,將針對發出紅色,綠色,和 藍色光之三種條紋狀照明層同時形成在垂直和水平方向之 例說明。在此實施例中,針對條紋狀照明層在縱向上分成 多數部份之例說明。 如圖3 A所示,當圖素部份1 1 1,源極側.驅動電路 1 1 2,閘極側驅動電路1 1 3包含T F T在基底1 1 0 上時,圖素部份1 1 1以觸排3 0 1分成矩陣型式。在此 實施例中,如圖3 B所示,在由觸排3 0 1所分離之方塊 3 0 2中,設置有多數圖素3 0 3。圖素之數目並無限制 〇 在此狀態下,作用當成照明層之有機E L材料之膜形 成步驟藉由使用本發明之薄膜形成裝置執行。在此例中, 使用頭部份1 0 7選擇性應用紅色塗覆液體1 1 4 a,綠 色塗覆液體1 1 4b,和藍色塗覆液體1 1 4 c。 本實施例之特徵在於可以塗輝液體1 1 4 a至 1 1 4 c選擇性的塗覆相關方塊3 0 2。亦即,在執行本 發明之模式中說明之系統中,可選擇性的以條紋狀塗覆紅 色,綠色,和藍色塗覆液體。另一方面,在此實施例中, 對於每一方塊,顏色之安排並無限制。因此,如獨所 示,可採用之安排爲應用在任意方塊上之塗覆液體之顏色 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱)-16- 471011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 _ 五、發明說明(14) 美隔一列(或一行)移位。 亦可提供一圖素在方塊302中,且在該例中,可形 成一般所謂的三角形安排之圖素構造(一種圖素構造,其 中對應於R G B之圖素始終安排成三角形)。 用以執行此實施例之頭部份1 0 7之操作如下··首先 ,頭部份1 0 7在箭頭” a ”方向移動,因此,三個方塊內部 (分別對應於紅,綠,和藍色之方塊)完全沒入塗覆液體 中。當其終止時,頭部份1 0 7在箭頭’’ b ”方向移動,因此 ,塗覆液體應用在次一個三個方塊上,而後,.以熱處理使 溶劑揮發以形成有機E L材料。 在習知噴墨法中,由於應用墨滴,有機E L材料在表 面上形成圓形。因此,難以塗覆整個長且薄之圖素。特gij 的,當整個圖素作用當成一照明區域時,需要塗覆有機 EL材料在整個圖素上。因此,本實施例具有之優點爲藉 由移動頭部份1 0 7在箭頭” a ”之方向,方塊內側可完全充 - .--· i 塡以塗覆液體。 〔第二實施例〕 當圖2 A所示之圖素線之方,向爲垂直方向時,觸排 1 2 1沿源極接線形成。因此,可結論的是在觸排沿閘極 接線形成之例中,圖素線乃形成在水平方向。亦即,在圖 素線形成在垂直方向之例中,其構造如圖4 A所示,而在 圖素線形成在水平方向之例中,其構造如圖4 B所示 在圖4A中,參考數字401表示在垂直方向形成條 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i !丨 I I 訂--!-後 471011 A7 — B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(15) 紋狀之觸排;4 0 2 a爲發出紅色光之E L層;和 402b爲發出綠色光之EL層。當然,發出藍色光之 EL層形成鄰近發出綠色裝EL層40 2b。觸排40 1 經由一絕緣膜且沿著源極接線而形成在源極接線上。 此處之E L層意即以有助於光發射之有機E L材料製 成之層,如照明層,電荷注入層,或電荷傳送層。雖然可 能有單層之照明層之例,但是,在電洞注入層和照明層疊 層之例中,此疊層膜稱爲EL層。 在此例中,如圖1 B所示之頭部份1 0 6在垂直(.Y )方向移動。亦即,紅,綠,和藍色之三個圖素線同時在 垂直方向掃瞄,且塗覆液體應用在圖素線上。 在圖4B中,參考數字404表示在水平方向形成條 紋狀之觸排;4 0 5 a爲發出紅色光之E L層;4 0 5 b 爲發出綠色光之E L層;和4 0 5 c爲發出藍色光之E L 層。觸排4 0 4經由一絕緣膜且沿著閘極接線而形成在閘 極接線上。 在此例中,如圖1 B所示之頭部份1 0 6在水平(X )方向移動。亦即,紅,綠,和藍色之三個圖素線同時在 水平方向掃瞄,且塗覆液體應用,在圖素線上。 如上所述,即使以選擇的塗覆液體沿垂直方向或沿水 平方向塗覆在每一圖素線上時,藉由電控制頭部份1 〇 6 掃瞄之方向,即可輕易的操控。 〔第三實施例〕 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18 - 471011 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ____B7 __五、發明說明(16 ) 在此實施例中,說明本發明之薄膜形成裝置安裝在多 室系統(亦稱爲叢集工具系統)之薄膜形成裝置中之例, 且E L元件之形成方法連續執行,而未開放至空氣中。 在圖5中,參考數字501表示一共同室,和共同室 5 0 1提供有一傳送機構(A) 5 0 2以傳送一基底 503。共同室501之氣體降低,且共同室50 1從相 關的處理室以閘隔開。當閘打開時,基底之傳送至相關處 理室乃以傳送機構(A ) 5 0 2執行。爲了降低共同室 5 0 1之壓力,雖然可使用如油壓旋轉泵,機械升壓泵, 渦流分子泵,或低溫泵,但是,低溫泵可最有效的移除濕 氣。 下述將說明相關的室。由於共同室5 0 1具有降壓之 氣體,所有直接耦合至共同室5 0 1之處理室提供有排氣 泵(未顯示)。關於排氣泵方面,可使用前述之油壓旋轉 泵,機械升壓泵,渦流分子泵,或低溫泵。 首先,參考數字5 0 4表示一傳送室(A),其中基 底載入和載出,且其亦稱爲一負載鎖室。傳送.室(A ) 5 0 4以閘5 0 0 a與共同室5 0 1隔開,且設置有基底 之載體505乃設置於此。傳每室(A) 504可分成用 以載入基底和用以載出基底者。 在此實施例中,基底503設置在載體上,而元件形 成表面面向下。此乃爲了便於當執行蒸氣相膜形成(以濺 鍍或蒸氣沉積而膜形成)時之面向下系統。此種面師下系 統爲形成膜時,基底之元件形成表面直接面向下之系統。 ---— II----IV 裝--------訂-----1---綾 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -19 - 471011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(17) 依照此系統,可抑制灰塵等之接附。 其次,參考數字5 0 6表示一處理室(以下稱爲預先 處理室)以處理變成E L元件之圖素電極之陰極或陽極之 表面。預先處理室506以閘500b與共同室5 01隔 開。雖然預先處理室可依照E L元件之製造方法而改變, 在此實施例中,其設計成在1 〇 0至1 2 0 °C加熱,而圖 素電極之表面以紫外線照射。當E L元件之陽極表面受處 理時,此預先處理是相當有效的。 其次,參考數字5 0 7表示一點火處理室(A )和以 閘5 0 0 c與共同室5 0 1隔開。如後述,可在點火處理 室(A ) 5 0 7中進行真空排氣和洗滌,其包括用以反向 基底表面之機構。再者,提供有傳送機構(B ) 5 0 8之 傳送室(B ) 5 0 9乃經由閘5 0 0 d連接至點火處理室 (A ) 5 0 7。此外,溶液塗覆處理室(A ) 5 1 0經由 閘500e連接至傳送室(B) 509。 於此說明點火處理室(A ) 5 0 7,傳送室(B ) 5 0 9,和溶液塗覆處理室(A ) 5 1 0之操作。 當基底傳送至點火處理室(A) 5 0 7時,點火處理 室(A ) 5 0 7在降壓狀態,和閘5 0 0 d關閉。當基底 (元件形成表面向下)傳送時,閘5 0 0 c關閉,和點火 處理室(A ) 5 0 7之內側藉由充塡以惰性氣體而恢復大 氣壓力。基底以反向機構(未顯示)翻轉,且元件形成表 面向上。 ...... 在此狀態,閘5 0 0 d和5 0 0 e打開,和基底傳送 ------------^丨裝-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -20 - 471011 A7 B7 五、發明說明(18 ) 至處理室(溶液塗覆處理室(A) ) 5 1 〇,其中應用含 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有機EL材料之溶液。溶液塗覆處理室(a) 5 10爲提 供有如同本發明之圖i A和1 B所示之薄膜形成裝置相同 功能之處理室,且於此應用變成條紋狀照明層之溶劑和有 機E L材料之混合物。所需的是,形成高純度惰性氣體, 以使氧和濕氣不會侵害有機E L材料。 應用有溶劑和有機E L材料之混合物之基底再度返回 點火處理室(A) 507,且在1〇〇至120 °C之溫度 下執行熱處理(點火處理)。所需的是,此室含有高純度 惰性氣體。當點火處理終止時,基底由反向機構(未顯示 )反向,和點火處理室(A) 5 0 7在元件形成表面再度 面向下之狀態時抽真空。此時,閘5 0 0 c和5 0 0 d關 閉。 當點火處理室(A ) 5 0 7抽真空終止時,閘 5 0 0 c打開且基底以傳送機構(a) 5 0 2返回共同室 5 0 1° 上述爲點火處理室(A ) 5 0 7,傳送室(B ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 0 9,和溶液塗覆處理室(A ) 5 1 0之操作。 其次,參考數字5 1 1表苹點火處理室(B ),其以 閘5 0 0 f與共同室5 0 1隔開。真空排氣和洗滌亦可在 點火處理室(B ) 5 1 1中進行,其包括一機構以反向基 底表面。再者,提供有傳送機構(C) 5 12之傳送室( C ) 5 1 3經由閘5 0 0 g連接至點火處理室(B') 一 5 1 1。此外,溶液塗覆處理室(B )經由閘5 0 0 h連 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -21 - 471011 A7 B7_____ 五、發明說明(19) 接至傳送室(C) 513。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於點火處理室(B ) 5 1 1,傳送室(c.) 5 1 3 ,和溶液塗覆處理室(B ) 5 1 4之操作幾乎和點火處理 室(A) 507,傳送室(B) 509,和溶液塗覆處理 室(A) 5 1 〇之操作相同,因此,以下只說明其差異處 〇 傳送至溶液塗覆處理室(B ) 5 1 4之基底應用以有 機E L材料和溶劑之混合物,其以旋轉塗覆法而變成電洞 注入層或電洞傳送層。氣體爲高純度惰性氣體,.因此,.如 同在溶液塗覆處理室(A) 5 1 〇中,氧和濕氣不會侵害 有機E L材料。 當在點火處理室(B ) 5 1 1中之點火處理終止時, 執行在點火處理室(B ) 5 1 1抽真空,閘5 〇 〇 f打開 ,且基底以傳送機構(A) 502返回共同室501。上 述爲點火處理室(B) 511,傳送室(c) 512,和 溶液塗覆處理室(B ) 5 1 4之操作。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次,參考數字5 1 5表示一處理室(蒸氣相膜形成 處理室(A ))以利用蒸氣相膜形成法形成一絕緣膜或一 導電膜(在此實施例中爲導電膜)。雖然蒸氣沉積法或濺 鍍法皆可當成蒸氣相膜形成法,由於其使用於形成一電極 在有機E L材料上,最好使用蒸氣相沉積法,因爲其不會 輕易造成破壞。在此狀態下,以閘5 0 〇 i隔開共同室 5 0 1,和在真空下形成膜。於此以向上沉積系統形-成膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 471011 A7 ___________B7 五、發明說明(20 ) 在蒸氣相膜形成處理室(A) 5 1 5中,當執行蒸氣 相處理時,需要提供蒸氣沉積源。可依照欲形成之膜而提 供或改變多數蒸氣沉積源。此外,亦可採用阻熱系統之蒸 氣沉積源,或EB (電子束)系統之蒸氣沉積源。 其次,參考數字5 1 6表示一處理室(蒸氣相膜形成 處理室(B ))以利用蒸氣相膜形成法形成一絕緣膜或一 導電膜。關於蒸氣相膜形成法方面,雖然可使用電漿 C V D法或濺鍍法,最好爲以最低膜形成溫度形成絕緣膜 。例如,以遠電漿C V D法形成氮化砂膜是較有效的。在 此狀態下,以閘5 0 0 j隔開共同室5 0 1,和在真空下 形成膜。 上述之處理(排氣,傳送,膜形成處理等)可使用電 腦,以一接觸板和序列器全自動控制。 上述構造之多室薄膜形成裝置之主要特徵在於提供有 需要形成E L元件之所有膜形成機構,和執行直到被動膜 形成之步驟而無曝露至大氣中。結果,藉由使用高分子有 機E L材料和簡單的機構,可形成E L元件抵抗損壞之防 護,且可製造具有高可靠度之EL顯示裝置。 即使當執行第一或第二實梅例之構造時,此實施例亦 可使用當成一薄膜形成裝置。 〔第四實施例〕 在此實施例中,參考圖6說明圖5所示之多室薄> 膜形 成裝置之一部份改變之例。特別的,係關於一手套盒 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 J裝 本 · 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -23 - 471011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(21 ) 521和一路徑盒522提供在一傳送室(A) 504之 構造。對於非改變部份之處,可參考第三實施例之說明。 手套盒5 2 1經由閘5 2 3連接至傳送室(A) 504。在手套盒52 1中,執行在封閉空間中之EL裝 置之密封處理。此處理乃用以保護基底(已在圖6之薄膜 形成裝置中處理且返回傳送室(A) 5 0 4之基底),其 已受到來自外部空氣之所有處理,且使用以密封材料將其 機械密封之機構或以熱固樹脂或紫外線硬化樹脂將其密封 之機構。 關於密封材料方面,雖然可使用如玻璃,陶瓷,或金 屬,但是,在光從密封材料側射出之例中,其必須爲半透 明的。密封材料和已受到上述處理之基底使用熱固樹脂或 紫外線硬化樹脂結合,且此樹脂以熱處理或紫外線照明處 理硬化以形成封閉空間。在此封閉空間中,亦可有效的提 供如氧化鋇當成乾燥劑。 亦可在密封材料和形成有E L元件之基底間之空間充 塡以熱固樹脂或紫外線硬化樹脂。在此例中,亦可有效的 添加如氧化鋇在熱固樹脂或紫外線硬化樹脂中當成乾燥劑 〇 如圖6所示之薄膜形成裝置具有之構造爲用以照射紫 外線之機構(紫外線照射機構)5 2 4提供在手套盒 5 2 1內側,和以來自紫外線照射機構5 2 4之紫外線硬 化紫外線硬化樹脂。 ^ 雖然在手套盒5 2 1中之操作可爲手動操作,最好使 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -24- 471011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(22) 此操作爲經由電腦控制機械的執行。當使用密封材料時, 最好安裝有用以塗覆密封劑(熱固樹脂或紫外線硬化樹脂 )之機構,使用在液晶之胞組裝步驟中,用以結合基底之 機構,和用以硬化密封劑之機構。 藉由接附排氣泵,亦可降低手套盒5 2 1之內側壓力 。當上述密封步驟以機器人操作機械的執行時,可在低壓 下有效的執行操作。 其次,路徑盒5 2 2經由閘5 2 5連接至手套盒 5 2 1。藉由接附排氣泵,亦可降低路徑盒5 2 2之壓力 。路徑盒5 2 2爲用以防止手套盒5 2 1免於曝露至外部 空間之設備,且一基底由此處取出。 如上所述,在此實施例之薄膜形成裝置中,由於基底 在E L元件已在密封空間中完全密封時才曝露至大氣中, 因此可完全防止E L元件受到濕氣等之破壞。亦即,可製 造具有高可靠度之E L顯示裝置。 〔第五實施例〕 雖然執行本發明之第一實施例之模式顯示發出紅色光 之照明層,發出綠色光之照明辱,和發出藍色光之照明層 皆使用如圖1 A和1 B所示之薄膜形成裝置形成之例,但 是,於此亦可是至少用於發出紅,綠,和藍色光之照明層 之一使用如圖1所示之薄膜形成裝置。 亦即,在圖2 B中,可省略噴嘴1 1 6 c (·用於/應用 塗覆液體(B) 11 4c之噴嘴)和以其它機構塗覆塗覆 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -25· 471011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(23) 液體(B ) 1 1 4 c。 特別的,在圖5和6中,塗覆液體(R) 114a和 塗覆液體(G ) 1 1 4 b應用在溶液塗覆處理室(A ) 510中,且而後,塗覆液體(B) 114c亦應用在溶 液塗覆處理室(B) 5 14中。當然,顏色之結合並無限 制,而是塗覆液體(R ) 1 1 4 a和塗覆液體(B ) 114c應用在溶液塗覆處理室(A) 510中,且而後 ,塗覆液體(G) 11 4b亦應用在溶液塗覆處理室(B )5 1 4 中。 此實施例之構造亦可藉由與第二實施例之構造之結合 而執行。 〔第六實施例〕 雖然已說明三噴嘴接附至圖2 A至2 C所示之頭部份 1 0 7之例,於此亦可提供對應於多數圖素線更多的噴嘴 。此例如圖7所示。圖中之文字R,G,B分別對應於紅 色,綠色,和藍色。 圖7顯示有機E L材料(嚴格而言爲塗覆液體)應用 在同時形成在圖素部份中之所育圖素線上。亦即,接附至 頭部份7 0 1之噴嘴數目等於圖素線之數目。藉由採用此 種構造,可藉由一掃瞄而塗覆所有圖素線,因此可顯著改 善產能。 此外,圖素部份分成多數區,且可使用在每·一區-提供 有數目等於圖素線之噴嘴之頭部份。亦即,當圖素部份分 ------------'褒--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) · 26 - 471011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(24 > 成η區時,且當掃瞄執行η次時,可塗覆有機EL材料( 塗覆液體)在所有圖素線上。 實際上,由於圖素之尺寸小至數十// m,因此圖素線 之寬度亦變成數十M m。在此例中,由於難以水平的安排 噴嘴在一線上,因此需要設計噴嘴之安排。 圖8 A至8 C爲改變噴嘴接附至頭部份之位置之例。 圖8 A爲噴嘴5 2 a至5 2 c形成而它們傾斜的移位至頭 部份5 1之例。參考數字5 2 a表示應用塗覆液體(R) 之噴嘴:參考數字5 2 b表示應用塗覆液體.(G )之噴嘴 ;和參考數字5 2 c表示應用塗覆液體(B)之噴嘴。箭 頭之每一線對應於一圖素線。 如數字5 3所表示,噴嘴5 2 a至5 2 c當成一單元 ,且一至多單元提供在頭部份。一單元53同時塗覆有機 EL材料在三個圖素線上,和η個單元53同時塗覆有機 E L材料在3 η個圖素線上。 藉由採用此構造,可提升在噴嘴安排空間上之自由度 ,且可以高細微性不受壓迫的執行本發明至圖素部份。此 外,藉由使用圖8Α之頭部份5 1,亦可同時處理在圖素 部份中之圖素線,或亦可將圖寒部份分成多數區且執行處 理多次。 其次,圖8 Β所示之頭部份5 4爲圖8 Α之修改例, 且其爲包含在一單元5 5中之噴嘴數目增加之例。亦即, 在單元5 5中,包括雨噴嘴5 6 a用以塗覆塗覆、液發’(R ),兩噴嘴5 6 b用以塗覆塗覆液體(G),和兩噴嘴 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4 ϋ X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(25〉 56c用以塗覆塗覆液體(B),和有機EL材料同時以 一單元5 5應用在全部六個圖素線上。 在此實施例中,提供有一至多個單元5 5,且當提供 一個單元5 5時,有機E L材料同時應用在六個圖素線上 ,和當提供η個單元時,有機EL材料同時應用在6^個 圖素線上。當然無需限制提供在單元5 5之噴嘴數目爲六 個,亦即,亦可提供更多的噴嘴。 在此構造中,和圖8 Α相似的,在圖素部份之所有圖 素線可同時處理,或亦可將圖素部份分成多數區和執行處 理多次。 此外,亦可使用如圖8 C所示之頭部份5 7。在頭部 份57中,噴嘴58a用以塗覆塗覆液體(R),噴嘴 5 8 b用以塗覆塗覆液體(G),和噴嘴5 8 c用以塗覆 塗覆液體(B )乃以三個圖素線之空間間隔提供。 當此頭部份5 7首先掃瞄一次以塗覆有機E L材料在 圖素線上時,頭部份5 7向右移位三個圖素線且再度掃瞄 。藉由執行上述之掃瞄三次,可以紅色,綠色,藍色之順 序以條紋狀塗覆有機E L材料。 在此構造中,和圖8 A相姆的,在圖素部份之所有圖 素線可同時處理,或亦可將圖素部份分成多數區和執行處 理多次。 如上所述,在圖1所示之薄膜形成裝置中,藉由設計 接附至頭部份之噴嘴位置,即使對於具有高細微牲耵窄圖 素節距(圖素間之距離)之圖素部份而言,亦可執行本發 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)-28- 471011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(26) 明。而後,可提升製造方法之產能。 此實施例之構造亦可藉由與第一至第五實施例之構造 之結合而執行。 〔第七實施例〕 在第一實施例中,雖然共同室5 〇 1具有降壓氣體, 於此亦可採用充塡以惰性氣體之氣壓之氣體。在此例中, 排氣泵可不提供在傳送室(A) 5 0 4, 5 0 6,點火處理室(A ) 5 0 7,和點火處理室(b ) 5 1 1 中。 但是,由於傳送機構(A ) 5 0 2 ,傳送機構(B ) 5 0 8,和傳送機構(C )分別提供在共同室5 0 1,傳 送室(B) 509,和傳送室(C) 5 13中,所充塡之 惰性氣體極有可能受到污染。因此,最好使共同室5 0 1 ,傳送室(B) 509,和傳送室(C) 513形成其壓 力低於其它處理室之壓力之狀態,且因此惰性氣體流入共 同室501,傳送室(B) 509,和傳送室(C) 5 1 3 中。 此實施例之構造亦可藉由缉第三至第六實施例之構造 之結合而執行。 〔第八實施例〕 雖然第三實施例顯示預先處理室5 0 6提供有照^明紫 外線之機構和執行熱處理之機構之例,但是,此實施例顯 ---------- 1/ 裝·----I--訂 -----I--级 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公« ) -29- 471011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(27) 示預先處理室5 0 6提供有用以執行電漿處理之機構之例 0 當對EL元件之陰極表面執行預先處理時,需要移除 陰極表面之自然氧。此實施例包括一機構,其藉由對陰極 表面使用含氟或氯氣之氣體執行電漿處理以移除自然氧。 此實施例之構造亦可藉由與第三至第七實施例之構造 之結合而執行。 〔第九實施例〕 雖然第三實施例顯示預先處理室5 0 6提供有照明紫 外線之機構和執行熱處理之機構之例,但是,此實施例顯 示預先處理室5 0 6提供有用以執行濺鍍處理之機構之例 〇 當對EL元件之陰極表面執行預先處理時,需要移除 陰極表面之自然氧。此實施例包括一機構,其藉由對陰極 表面使用如稀有氣體或氮之惰性氣體執行濺鍍處理以移除 自然氧。 此實施例之構造亦可藉由與第三至第八實施例之構造 之結合而執行。 : 〔第十實施例〕 第三實施例顯示變成照明層之有機E L材料經由溶液 塗覆處理室(A ) 5 Γ 0和點火處理室(A ) 5 Ό r*而形 成,且再者,變成電洞注入層或電洞傳送層之有機E L材 — — — — — — — — — — — — - -III — — — — ^ > I I I i I — II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ 30 · 471011 A7 ----- B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(28) 料經由溶液塗覆處理室(B ) 5 1 4和點火處理室(B ) 5 1 1而形成。 但是,亦可形成之構造爲,首先,電洞注入層或電洞 傳送層經由溶液塗覆處理室(B ) 5 1 4和點火處理室( β ) 5 1 1而形成,而後,變成照明層之有機e l材料經 由溶液塗覆處理室(A ) 5 1 〇和點火處理室(A ) 5 0 7而形成,再而後,變成電洞注入層或電洞傳送層之 有機E L材料經由溶液塗覆處理室(b ) 5 1 4和點火處 理室(B ) 5 1 1而形成。 亦即,在藉由使用圖1 A和1B之薄膜形成裝置選擇 性的塗覆紅色,綠色,和藍色有機E L材料(B )之例中 ,使用溶液塗覆室(A) 5 1 0,在形成有提供在基底之 整個表面上之有機EL材料之例中,可使用溶液塗覆室( B ) 5 1 4。亦可藉由選擇性使用這些溶液塗覆處理室而 形成各種疊層構造之EL層。 ^ 此實施例之構造亦可藉由與第三至第九實施例之構造 之結合而執行。 〔第十一實施例〕 : 雖然第三實施例顯示變成陰極或陽極之導電膜在蒸氣 相膜形成處理室(A ) 5 1 5中形成,於此,有機E L材 料亦可使用蒸氣沉積法形成。亦即,其可使用於當形成選 自電洞注入層,電洞傳送層,電子注入層,和電子貧送層 之層時。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公«) -31 - 471011 A7 ___ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(29) 藉由改變蒸氣沉積源,蒸氣相膜形成處理室(A ) 5 1 5亦可形成有機E L材料之膜和導電膜兩者。亦可以 蒸氣相膜形成處理室(A ) 5 1 5形成有機E L材料,和 以蒸氣相膜形成處理室(B ) 5 1 6形成變成陰極或陽極 之導電膜。 此實施例之構造亦可藉由與第三至第十實施例之構造 之結合而執行。 如上所述,藉由使用本發明之薄膜形成裝置,可形成 有機E L材料而無如習知噴墨法之飛行曲線之問題。亦即 ,由於高分子有機EL材料之膜可準確形成,而無位置偏 移之問題,因此可改善使用高分子有機EL材料之EL顯 示裝置之產能。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -32 -
Claims (1)
- 471011 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 1 .—種薄膜形成裝置,包含: 一平台用以固定一基底; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一頭部份;和 一機構用以相關於基底移動該頭部份; 其中該頭部份包括含有有機E L材料(R )之溶液之 一噴嘴,含有有機E L材料(G )之溶液之一噴嘴,和含 有有機E L材料(B )之溶液之一噴嘴。 2 ·如申請專利範圍第1項之裝置,其中有機e l材料 (R ),有機E L材料(G ),和有機E L .材料(B )爲 聚合物。 3 ·如申請專利範圍第1項之裝置,其中含有有機E l 材料(R )之溶液,含有有機E L材料(G )之溶液,和 含有有機E L材料(B )之溶液以條紋狀應用。 4 ·如申請專利範圍第1項之裝置,其中含有有機e L 材料(R )之溶液,含有有機E L材料(G )之溶液,和 含有有機E L材料(B )之溶液以壓縮氣體從噴嘴推出。 5·—種薄膜形成裝置,包含: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一平台用以固定一基底; —頭部份,包括一噴嘴以,用含有機E L材料之溶液 ;和 一機構用以相關於基底移動該頭部份; 其中該頭部份包括至少含有有機E L材料(r )之溶 液之一噴嘴,含有有機'E L材料(G )之溶液之·〜.嘴, 和含有有機EL材料(B)之溶液之一噴嘴之一。 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公β Πβ3^ - 471011 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 6 ·如申請專利範圍第5項之裝置,其中有機E L材料 (R),有機EL材料(G),和有機EL材料(B)爲 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 聚合物。 7 *如申請專利範圍第5項之裝置,其中含有有機E L 材料(R )之溶液,含有有機E L材料(G )之溶液,和 含有有機E L材料(Β )之溶液以條紋狀應用。 8 ·如申請專利範圍第5項之裝置,其中含有有機E L 材料(R )之溶液,含有有機E L材料(G )之溶液,和 含有有機E L材料(Β )之溶液以壓縮氣體從噴嘴推出。 9 _一種薄膜形成裝置,包含: 一傳送室用以載送基底以進出; 一共同室,包括一機構以傳送基底;和 多數處理室,每一處理室經由一閘連接至共同室; 其中至少一處理室包括一平台用以固定一基底,一頭 部份包括一噴嘴以應用含有機E L材料之溶液,和一機構 用以相關於基底移動該頭部份;和 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 其中該頭部份包括含有有機E L材料(R )之溶液之 一噴嘴,含有有機EL材料(G)之溶液之一噴嘴,和含 有有機E L材料(Β )之溶液之一噴嘴。 1 0 .如申請專利範圍第9項之裝置,其中共同室保持 在降壓狀態,和包括平台以固定基底之處理室,包括噴嘴 以應用含E L材料溶液之頭部份,和用以相關於基底移動 頭部份之機構保持在充塡以惰性氣體之氣壓狀態。……一 1 1 .如申請專利範圍第9項之裝置,進一步包含〜點 34 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 471011 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) kg#Μ同室和包括平台以固定基底之處理室,包括噴 嘴以應、$含E L材料溶液之頭部份,和用以相關於基底移 動頭部份之機構間。 1 2 .如申請專利範圍第9項之裝置,進一步包含一機 構以在共同室和包括平台以固定基底之處理室,包括噴嘴 以應用含E L材料溶液之頭部份,和用以相關於基底移動 頭部份之機構間反向基底。 1 3 .如申請專利範圍第9項之裝置,其中有機E L材 料(R ),有機E L材料(G ),和有機E L材料(Β ) 爲聚合物。 1 4 ·如申請專利範圍第9項之裝置,其中含有有機 E L材料(R )之溶液,含有有機E L材料(G )之溶液 ,和含有有機E L材料(Β )之溶液以條紋狀應用。 1 5 .如申請專利範圔第9項之裝置,其中含有有機 EL材料(R)之溶液,含有有機EL材料(G)之溶液 ,和含有有機E L材料(Β )之溶液以壓縮氣體從噴嘴推 出。 16.—種薄膜形成裝置,包含: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一傳送室用以載送基底以進出; 一共同室,包括一機構以傳送基底;和 多數處理室,每一處理室經由一閘連接至共同室; 其中至少一處理室包括一平台用以固定一基底,一頭 部份包括一噴嘴以應用含有機E L材料之溶液,.和一機構 用以相關於基底移動該頭部份;和 本ί氏張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚〉~· 471011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 _ D8六、申請專利範圍 其中該頭部份包括至少含有有機E L材料(R )之溶 液之一噴嘴,含有有機EL材料(G)之溶液之一噴嘴, 和含有有機E L材料(B )之溶液之一噴嘴之一。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之裝置,其中共同室保 持在降壓狀態,和包括平台以固定基底之處理室,包括噴 嘴以應用含E L材料溶液之頭部份,和用以相關於基底移 動頭部份之機構保持在充塡以惰性氣體之氣壓狀態。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之裝置,進一步包含一 點火室介於共同室和包括平台以固定基底之處理室,包括 噴嘴以應用含E L材料溶液之頭部份,和用以相關於基底 移動頭部份之機構間。 1 9 _如申請專利範圔第1 6項之裝置,進一步包含一 機構以在共同室和包括平台以固定基底之處理室,包括噴 嘴以應用含E L材料溶液之頭部份,和用以相關於基底移 動頭部份之機構間反向基底。 2 0,如申請專利範圍第1 6項之裝置,其中有機E L 材料(R ),有機E L材料(G ),和有機E L材料(B )爲聚合物。 2 1 ·如申請專利範圍第1 6項之裝置,其中含有有機 f E L材料(R )之溶液,含有有機E L材料(G )之溶液 ,和含有有機E L材料(B )之溶液以條紋狀應用。 2 2 .如申請專利範圍第1 6項之裝置,其中含有有機 E L材料(R )之溶液,含有有機e L材料(G 〇·芒溶液 ,和含有有機E L材料(B )之溶液以壓縮氣體從噴嘴推 ------------,裂·-------訂-------線 · 〈請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)-36 - 471011 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍出。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---I-----線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 .37 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29168599 | 1999-10-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW471011B true TW471011B (en) | 2002-01-01 |
Family
ID=17772097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089120283A TW471011B (en) | 1999-10-13 | 2000-09-29 | Thin film forming apparatus |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7115434B2 (zh) |
EP (2) | EP1705692A3 (zh) |
JP (1) | JP4827290B2 (zh) |
KR (1) | KR100783027B1 (zh) |
CN (2) | CN1266985C (zh) |
DE (1) | DE60028492T2 (zh) |
TW (1) | TW471011B (zh) |
Families Citing this family (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW512543B (en) | 1999-06-28 | 2002-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
TW468283B (en) | 1999-10-12 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
TW480722B (en) * | 1999-10-12 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing method of electro-optical device |
TW471011B (en) | 1999-10-13 | 2002-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming apparatus |
KR100812293B1 (ko) * | 1999-10-13 | 2008-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 제작방법 |
TW495808B (en) | 2000-02-04 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus |
EP1124252A2 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for processing substrates |
US20020011205A1 (en) * | 2000-05-02 | 2002-01-31 | Shunpei Yamazaki | Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device |
US6822629B2 (en) * | 2000-08-18 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4801278B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP2003036970A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Sony Corp | 電界発光素子の製造方法及び溶液滴下装置 |
WO2003036738A1 (en) * | 2001-10-19 | 2003-05-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-nozzle printing method for pled displays |
US7483001B2 (en) | 2001-11-21 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device |
US20030146692A1 (en) * | 2002-01-11 | 2003-08-07 | Seiko Epson Corporation | Organic EL device and manufacturing method therefor, electrooptic apparatus, and electronic apparatus |
TWI258317B (en) * | 2002-01-25 | 2006-07-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device and method for manufacturing thereof |
NL1020312C2 (nl) | 2002-04-05 | 2003-10-07 | Otb Groep B V | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een display, zoals bijvoorbeeld een polymere OLED display, een display en een substraat ten gebruike bij de werkwijze. |
JP2004063363A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電界発光素子用材料、およびそれを用いた電界発光素子 |
US20040108061A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-10 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for making a light-emitting display |
WO2004070819A1 (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の製造方法 |
CN100459060C (zh) * | 2003-02-05 | 2009-02-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的制造方法 |
KR101131531B1 (ko) * | 2003-02-06 | 2012-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치의 제작 방법 |
WO2004070821A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の作製方法 |
WO2004070822A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導体装置及び表示装置の製造方法 |
US7153539B2 (en) | 2003-06-24 | 2006-12-26 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method of color tuning a light-emitting display |
JP2005071646A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Chi Mei Electronics Corp | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
JP4393402B2 (ja) * | 2004-04-22 | 2010-01-06 | キヤノン株式会社 | 有機電子素子の製造方法および製造装置 |
US9150953B2 (en) * | 2004-08-13 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including organic semiconductor |
JP4616596B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2011-01-19 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 電子装置の製造方法 |
US20060144819A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Sawin Herbert H | Remote chamber methods for removing surface deposits |
US7469638B2 (en) * | 2004-12-30 | 2008-12-30 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic devices and processes for forming the same |
JP2006216253A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 除去装置 |
US8866707B2 (en) * | 2005-03-31 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, and apparatus using the display device having a polygonal pixel electrode |
RU2008108010A (ru) * | 2005-08-02 | 2009-09-10 | Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи (Us) | Способ применения фторида серы для удаления поверхностных отложений |
KR100756581B1 (ko) * | 2006-02-15 | 2007-09-10 | 삼성전자주식회사 | 표시장치의 제조장치 및 제조방법 |
US8083956B2 (en) * | 2007-10-11 | 2011-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing display device |
WO2009076396A1 (en) | 2007-12-10 | 2009-06-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Multicolor electronic devices and processes of forming the same by printing |
WO2009087966A1 (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-16 | Panasonic Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
KR101254746B1 (ko) * | 2008-05-27 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조방법과 유기전계발광표시장치 |
KR101629637B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2016-06-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 성막방법 및 발광장치의 제조방법 |
US11975546B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-05-07 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US10434804B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-10-08 | Kateeva, Inc. | Low particle gas enclosure systems and methods |
US12018857B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-06-25 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US12064979B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-08-20 | Kateeva, Inc. | Low-particle gas enclosure systems and methods |
KR20110086099A (ko) | 2008-10-21 | 2011-07-27 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 다색 전자 소자 및 이를 인쇄에 의해 형성하는 방법 |
US8459776B2 (en) | 2009-03-06 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Multicolor electronic devices and processes of forming the same by printing |
US8619326B2 (en) | 2009-06-04 | 2013-12-31 | E I Du Pont De Nemours And Company | Multicolor electronic devices and processes of forming the same by printing |
EP2438637A4 (en) * | 2009-06-04 | 2013-09-11 | Du Pont | MULTICOLOR ELECTRONIC DEVICES AND PRINTING METHODS FOR FORMING THE SAME |
JP2011108578A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el発光素子およびその製造方法 |
CN102165592B (zh) * | 2009-12-22 | 2014-10-15 | 松下电器产业株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
JP5852810B2 (ja) | 2010-08-26 | 2016-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2012049715A1 (ja) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
WO2012049713A1 (ja) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
CN102577614B (zh) * | 2010-10-15 | 2015-11-25 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机发光面板及其制造方法以及有机显示装置 |
WO2012049718A1 (ja) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
CN102960066B (zh) | 2010-10-15 | 2015-09-30 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机发光面板及其制造方法以及有机显示装置 |
JP5197882B2 (ja) * | 2010-10-15 | 2013-05-15 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
WO2012049712A1 (ja) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
US10468279B2 (en) | 2013-12-26 | 2019-11-05 | Kateeva, Inc. | Apparatus and techniques for thermal treatment of electronic devices |
KR102022816B1 (ko) | 2014-01-21 | 2019-11-04 | 카티바, 인크. | 전자 장치 인캡슐레이션을 위한 기기 및 기술 |
US9343678B2 (en) | 2014-01-21 | 2016-05-17 | Kateeva, Inc. | Apparatus and techniques for electronic device encapsulation |
CN106233449B (zh) | 2014-04-30 | 2019-07-12 | 科迪华公司 | 用于衬底涂覆的气垫设备和技术 |
TWI790965B (zh) | 2014-05-30 | 2023-01-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 觸控面板 |
KR102525822B1 (ko) | 2017-07-06 | 2023-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 소자 및 그 제조 방법 |
CN112599585A (zh) | 2020-12-30 | 2021-04-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示母板及显示装置 |
CN112712762B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-05-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示母板及显示装置 |
Family Cites Families (134)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3484793A (en) * | 1966-05-02 | 1969-12-16 | Xerox Corp | Image recording apparatus ink droplet recorder with optical input |
US3878517A (en) | 1973-06-01 | 1975-04-15 | Sharp Kk | Ink jet system of charge amplitude controlling type |
US4067020A (en) * | 1976-09-20 | 1978-01-03 | A. B. Dick Company | Noninterrupt ink transfer system for ink jet printer |
US4281332A (en) * | 1978-12-28 | 1981-07-28 | Ricoh Company, Ltd. | Deflection compensated ink ejection printing apparatus |
US4357557A (en) | 1979-03-16 | 1982-11-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Glass sealed thin-film electroluminescent display panel free of moisture and the fabrication method thereof |
JPS6290260A (ja) | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Tdk Corp | サ−マルヘツド用耐摩耗性保護膜 |
US4737803A (en) * | 1986-07-09 | 1988-04-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Thermal electrostatic ink-jet recording apparatus |
US4788629A (en) * | 1986-10-29 | 1988-11-29 | Loctite Luminescent Systems, Inc. | Instrument panel members |
US5142677A (en) | 1989-05-04 | 1992-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Context switching devices, systems and methods |
US5059148A (en) * | 1987-12-21 | 1991-10-22 | Gte Products Corporation | Thin film flat panel displays and method of manufacture |
CA1335424C (en) * | 1987-12-29 | 1995-05-02 | Tohei Moritani | Multilayered packaging materials having high gas barrier property |
US4882518A (en) * | 1988-05-25 | 1989-11-21 | The Cherry Corporation | Back cap for an electroluminescent display |
DE68917803T2 (de) * | 1988-06-13 | 1995-01-05 | Nordson Corp | Verfahren zum Anbringen einer isolierenden feuchtigkeitsgeschützten Schicht auf gedruckten Leiterplatten. |
US5770892A (en) * | 1989-01-18 | 1998-06-23 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Field effect device with polycrystalline silicon channel |
US5189405A (en) | 1989-01-26 | 1993-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent panel |
GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
US4951064A (en) * | 1989-05-15 | 1990-08-21 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film electroluminescent edge emitter assembly and integral packaging |
DE3932171A1 (de) * | 1989-09-27 | 1991-04-04 | Henkel Kgaa | Universalklebespachtel |
US4994540A (en) * | 1990-01-16 | 1991-02-19 | Mobay Corporation | Sag resistant, unfilled, low viscosity urethane structural adhesive |
US5304419A (en) * | 1990-07-06 | 1994-04-19 | Alpha Fry Ltd | Moisture and particle getter for enclosures |
US5334539A (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-02 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Fabrication of poly(p-phenyleneacetylene) light-emitting diodes |
JP3048789B2 (ja) * | 1993-05-31 | 2000-06-05 | 平田機工株式会社 | 流体塗布装置 |
US5923962A (en) * | 1993-10-29 | 1999-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
JP3431033B2 (ja) | 1993-10-29 | 2003-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体作製方法 |
TW264575B (zh) * | 1993-10-29 | 1995-12-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
JPH07168013A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Fujitsu Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
JPH07230085A (ja) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法及び製造装置 |
US5821003A (en) * | 1994-03-16 | 1998-10-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Organic electroluminescent device |
EP0702075A4 (en) * | 1994-03-16 | 1996-08-21 | Sumitomo Electric Industries | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT |
JP3034438B2 (ja) * | 1994-03-31 | 2000-04-17 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造装置 |
JP2701738B2 (ja) | 1994-05-17 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜el素子 |
JP2839134B2 (ja) * | 1994-05-20 | 1998-12-16 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置を備えた装置の製造方法及びカラーフィルタの隣接する着色部間の混色の低減方法 |
US5757396A (en) * | 1994-06-30 | 1998-05-26 | Compaq Computer Corporation | Ink jet printhead having an ultrasonic maintenance system incorporated therein and an associated method of maintaining an ink jet printhead by purging foreign matter therefrom |
WO1996008122A1 (fr) * | 1994-09-08 | 1996-03-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Procede d'enrobage d'un element electroluminescent organique et d'un autre element electroluminescent organique |
JP3254335B2 (ja) | 1994-09-08 | 2002-02-04 | 出光興産株式会社 | 有機el素子の封止方法および有機el素子 |
US5985356A (en) * | 1994-10-18 | 1999-11-16 | The Regents Of The University Of California | Combinatorial synthesis of novel materials |
US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
JP2850820B2 (ja) | 1995-02-09 | 1999-01-27 | 株式会社デンソー | El素子 |
US5663573A (en) * | 1995-03-17 | 1997-09-02 | The Ohio State University | Bipolar electroluminescent device |
KR100265179B1 (ko) * | 1995-03-27 | 2000-09-15 | 야마자끼 순페이 | 반도체장치와 그의 제작방법 |
US6074050A (en) | 1997-12-03 | 2000-06-13 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for venting an ink container |
JP3124722B2 (ja) * | 1995-07-31 | 2001-01-15 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造方法及び製造装置及びカラーフィルタの区画された領域間の混色の低減方法及びカラーフィルタの区画された領域へのインク付与位置の精度向上方法及びカラーフィルタの区画された領域の着色ムラ低減方法 |
US5834894A (en) | 1995-09-14 | 1998-11-10 | Casio Computer Co., Ltd. | Carrier injection type organic electro-luminescent device which emits light in response to an application of a voltage |
US5736754A (en) | 1995-11-17 | 1998-04-07 | Motorola, Inc. | Full color organic light emitting diode array |
JPH09148066A (ja) | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Pioneer Electron Corp | 有機el素子 |
JP3289125B2 (ja) | 1996-03-15 | 2002-06-04 | ソニーケミカル株式会社 | 光情報記録媒体 |
US5981092A (en) | 1996-03-25 | 1999-11-09 | Tdk Corporation | Organic El device |
JP3036436B2 (ja) * | 1996-06-19 | 2000-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法 |
US5817366A (en) * | 1996-07-29 | 1998-10-06 | Tdk Corporation | Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor |
US20020075422A1 (en) * | 1996-09-19 | 2002-06-20 | Seiko Epson Corporation | Matrix type display device and manufacturing method thereof |
CN100481560C (zh) | 1996-09-19 | 2009-04-22 | 精工爱普生株式会社 | 矩阵式显示元件及其制造方法 |
JP3899566B2 (ja) | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
JPH10156228A (ja) * | 1996-12-03 | 1998-06-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜の製造方法および薄膜製造装置 |
WO1998027570A1 (fr) * | 1996-12-17 | 1998-06-25 | Toray Industries, Inc. | Procede de fabrication d'ecran a plasma et dispositif correspondant |
US6117529A (en) | 1996-12-18 | 2000-09-12 | Gunther Leising | Organic electroluminescence devices and displays |
JP3408090B2 (ja) * | 1996-12-18 | 2003-05-19 | ステラケミファ株式会社 | エッチング剤 |
US6091195A (en) | 1997-02-03 | 2000-07-18 | The Trustees Of Princeton University | Displays having mesa pixel configuration |
US6013982A (en) * | 1996-12-23 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor display devices |
KR100226548B1 (ko) * | 1996-12-24 | 1999-10-15 | 김영환 | 웨이퍼 습식 처리 장치 |
US5928794A (en) * | 1996-12-24 | 1999-07-27 | Dow Corning Gmbh | Addition curable composition having self adhesion to substrates |
KR100266532B1 (ko) | 1997-02-03 | 2000-09-15 | 가네꼬 히사시 | 유기 el 소자 |
US5869929A (en) | 1997-02-04 | 1999-02-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Multicolor luminescent device |
US6049167A (en) | 1997-02-17 | 2000-04-11 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same |
US6220912B1 (en) * | 1997-05-09 | 2001-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing electron source using dispenser to produce electron emitting portions |
JPH1125852A (ja) * | 1997-05-09 | 1999-01-29 | Canon Inc | 電子源の製造方法、電子源、画像形成装置の製造方法、画像形成装置及び電子源基板の製造装置 |
JP3290375B2 (ja) | 1997-05-12 | 2002-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
US6175345B1 (en) | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
US5972419A (en) * | 1997-06-13 | 1999-10-26 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent display and method for making the same |
US5920080A (en) | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
US6843937B1 (en) | 1997-07-16 | 2005-01-18 | Seiko Epson Corporation | Composition for an organic EL element and method of manufacturing the organic EL element |
JPH1140346A (ja) | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
US6274979B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Organic light emitting diodes |
CA2306948C (en) * | 1997-10-17 | 2004-09-07 | The Regents Of The University Of California | Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same |
US6134020A (en) * | 1997-11-17 | 2000-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Serial printer with addressable print buffer |
KR100249784B1 (ko) | 1997-11-20 | 2000-04-01 | 정선종 | 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법 |
JP2848383B1 (ja) | 1997-11-26 | 1999-01-20 | 日本電気株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JP3827839B2 (ja) | 1997-11-27 | 2006-09-27 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH11185674A (ja) | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Futaba Corp | 表示管用陽極基板とその製造方法 |
DE69941200D1 (de) | 1998-01-09 | 2009-09-17 | Sony Corp | Elektrolumineszente Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
JP4003273B2 (ja) * | 1998-01-19 | 2007-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法および基板製造装置 |
JPH11219133A (ja) | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Tdk Corp | 画像表示装置 |
US6476783B2 (en) | 1998-02-17 | 2002-11-05 | Sarnoff Corporation | Contrast enhancement for an electronic display device by using a black matrix and lens array on outer surface of display |
GB9803763D0 (en) | 1998-02-23 | 1998-04-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Display devices |
JP3543170B2 (ja) * | 1998-02-24 | 2004-07-14 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子及びその製造方法 |
JPH11251059A (ja) | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Sanyo Electric Co Ltd | カラー表示装置 |
CN100550472C (zh) * | 1998-03-17 | 2009-10-14 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
GB9808806D0 (en) | 1998-04-24 | 1998-06-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Selective deposition of polymer films |
US6394578B1 (en) * | 1998-09-02 | 2002-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Production process of color filter, liquid crystal display device using the color filter produced by the production process, and ink-jet head |
DE69831243T2 (de) | 1998-10-13 | 2006-08-10 | Sony Deutschland Gmbh | Herstellungsverfahren einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix |
US6274887B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
US6617644B1 (en) | 1998-11-09 | 2003-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6277679B1 (en) | 1998-11-25 | 2001-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film transistor |
US6365917B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US6545359B1 (en) | 1998-12-18 | 2003-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring line and manufacture process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof |
US6380007B1 (en) | 1998-12-28 | 2002-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US6506635B1 (en) | 1999-02-12 | 2003-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method of forming the same |
US6674136B1 (en) | 1999-03-04 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having driver circuit and pixel section provided over same substrate |
JP4578609B2 (ja) | 1999-03-19 | 2010-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
US6531713B1 (en) * | 1999-03-19 | 2003-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and manufacturing method thereof |
TW512543B (en) * | 1999-06-28 | 2002-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
JP2001035659A (ja) | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネセント素子およびその製造方法 |
GB9920543D0 (en) * | 1999-08-31 | 1999-11-03 | Cambridge Display Tech Ltd | A formulation for depositing a light-emitting polymer layer |
US6641933B1 (en) | 1999-09-24 | 2003-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting EL display device |
US6833668B1 (en) | 1999-09-29 | 2004-12-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display device having a desiccant |
TW468283B (en) * | 1999-10-12 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
TW480722B (en) * | 1999-10-12 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing method of electro-optical device |
TW471011B (en) | 1999-10-13 | 2002-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming apparatus |
KR100313248B1 (ko) | 1999-12-14 | 2001-11-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | 칼라필터 |
TW493152B (en) | 1999-12-24 | 2002-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
US6750835B2 (en) | 1999-12-27 | 2004-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image display device and driving method thereof |
US6228555B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-05-08 | 3M Innovative Properties Company | Thermal mass transfer donor element |
TW480727B (en) | 2000-01-11 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Laboratro | Semiconductor display device |
US6747638B2 (en) | 2000-01-31 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor |
US6702407B2 (en) | 2000-01-31 | 2004-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Color image display device, method of driving the same, and electronic equipment |
TW495808B (en) | 2000-02-04 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus |
TW521303B (en) | 2000-02-28 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
TW495809B (en) | 2000-02-28 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming device, thin film forming method, and self-light emitting device |
JP2001318627A (ja) | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
TW495812B (en) | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device |
TW495854B (en) | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI226205B (en) | 2000-03-27 | 2005-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-light emitting device and method of manufacturing the same |
US6226890B1 (en) | 2000-04-07 | 2001-05-08 | Eastman Kodak Company | Desiccation of moisture-sensitive electronic devices |
US7579203B2 (en) | 2000-04-25 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US6611108B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and driving method thereof |
TW554637B (en) | 2000-05-12 | 2003-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Display device and light emitting device |
US6528951B2 (en) | 2000-06-13 | 2003-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US6605826B2 (en) | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
US6822629B2 (en) | 2000-08-18 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4086498B2 (ja) | 2000-11-29 | 2008-05-14 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物、発光素子及び表示装置 |
TWI264963B (en) * | 2001-03-29 | 2006-10-21 | Hitachi Ltd | Organic EL display and production device of color filter |
JP3724725B2 (ja) | 2001-11-01 | 2005-12-07 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
US6770502B2 (en) | 2002-04-04 | 2004-08-03 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures |
US6911772B2 (en) | 2002-06-12 | 2005-06-28 | Eastman Kodak Company | Oled display having color filters for improving contrast |
-
2000
- 2000-09-29 TW TW089120283A patent/TW471011B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-10-12 KR KR1020000059931A patent/KR100783027B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-12 JP JP2000311400A patent/JP4827290B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-13 EP EP20060011647 patent/EP1705692A3/en not_active Withdrawn
- 2000-10-13 EP EP00122446A patent/EP1093156B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-13 CN CNB001304933A patent/CN1266985C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-13 DE DE60028492T patent/DE60028492T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-13 CN CNB2005100836847A patent/CN100468696C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-22 US US10/420,383 patent/US7115434B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-08-18 US US11/506,311 patent/US7494837B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-02-19 US US12/389,083 patent/US7919341B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1093156B1 (en) | 2006-06-07 |
US20030196597A1 (en) | 2003-10-23 |
KR20010071141A (ko) | 2001-07-28 |
JP4827290B2 (ja) | 2011-11-30 |
US7115434B2 (en) | 2006-10-03 |
JP2001185355A (ja) | 2001-07-06 |
CN1266985C (zh) | 2006-07-26 |
DE60028492D1 (de) | 2006-07-20 |
EP1705692A3 (en) | 2007-04-04 |
US7494837B2 (en) | 2009-02-24 |
CN1734746A (zh) | 2006-02-15 |
EP1705692A2 (en) | 2006-09-27 |
KR100783027B1 (ko) | 2007-12-07 |
US20060283384A1 (en) | 2006-12-21 |
EP1093156A3 (en) | 2001-08-08 |
CN1293530A (zh) | 2001-05-02 |
US7919341B2 (en) | 2011-04-05 |
CN100468696C (zh) | 2009-03-11 |
US20090186439A1 (en) | 2009-07-23 |
EP1093156A2 (en) | 2001-04-18 |
DE60028492T2 (de) | 2006-11-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |