JP4042763B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Description
有機エレクトロルミネッセンス（本明細書を通じてＥＬと記す）装置および電子機器に
関する。
関する。
近年液晶ディスプレイに替わる自発発光型ディスプレイとして有機物を用いた発光素子
の開発が加速している。有機物を発光材料として用いた有機エレクトロルミネッセンス（
本明細書を通じてＥＬと記す）素子としては、低分子の有機ＥＬ材料（発光材料）を蒸着
法で成膜する方法と（非特許文献１参照）、高分子の有機ＥＬ材料を塗布する方法（非特
許文献２参照）が主に報告されている。
の開発が加速している。有機物を発光材料として用いた有機エレクトロルミネッセンス（
本明細書を通じてＥＬと記す）素子としては、低分子の有機ＥＬ材料（発光材料）を蒸着
法で成膜する方法と（非特許文献１参照）、高分子の有機ＥＬ材料を塗布する方法（非特
許文献２参照）が主に報告されている。
カラー化の手段としては低分子系材料の場合、マスク越しに異なる発光材料を所望の画
素上に蒸着し形成する方法が行われている。一方、高分子系材料については、インクジェ
ット法を用いた微細パターニングによるカラー化が注目されている。インクジェット法に
よる有機ＥＬ素子の形成方法が提案されている（特許文献１〜７参照）。
特開平７−２３５３７８号公報
特開平１０−１２３７７号公報
特開平１０−１５３９６７号公報
特開平１１−４０３５８号公報
特開平１１−５４２７０号公報
特開平１１−３３９９５７号公報
米国特許第００６０８７１９６号
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）、２１ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ（１９８７）９１３.
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１（１）、７ Ｊｕｌｙ（１９９７）３４.
素上に蒸着し形成する方法が行われている。一方、高分子系材料については、インクジェ
ット法を用いた微細パターニングによるカラー化が注目されている。インクジェット法に
よる有機ＥＬ素子の形成方法が提案されている（特許文献１〜７参照）。
インクジェット法は、直径がμｍオーダーの液滴を高解像度で吐出、塗布することがで
きるため、有機ＥＬ材料の高精細パターニングが可能である。しかしながら、基板上に塗
布された微小液体の乾燥は極めて速く、さらに、基板上の塗布領域における端（上端、下
端、右端、左端）では、画素領域に塗布された微小液体から蒸発した溶媒分子分圧が低い
ため、一般的に速く乾きはじめる。また、ＴＦＴ素子によるアクティブ駆動を行う場合、
ＴＦＴ素子領域や、配線等の形状、配置の関係上、画素配置がＸ，Ｙ方向ともに等間隔に
できない場合があり、各画素上に塗布された液滴の周囲で局所的な蒸発溶媒分子分圧差が
生じる。このような画素上に塗布された有機材料液体の乾燥時間の差は、画素内、画素間
での有機薄膜の膜厚ムラを引き起こす。このような膜厚ムラは、輝度ムラ、発光色ムラ等
の表示ムラの原因となってしまう。
きるため、有機ＥＬ材料の高精細パターニングが可能である。しかしながら、基板上に塗
布された微小液体の乾燥は極めて速く、さらに、基板上の塗布領域における端（上端、下
端、右端、左端）では、画素領域に塗布された微小液体から蒸発した溶媒分子分圧が低い
ため、一般的に速く乾きはじめる。また、ＴＦＴ素子によるアクティブ駆動を行う場合、
ＴＦＴ素子領域や、配線等の形状、配置の関係上、画素配置がＸ，Ｙ方向ともに等間隔に
できない場合があり、各画素上に塗布された液滴の周囲で局所的な蒸発溶媒分子分圧差が
生じる。このような画素上に塗布された有機材料液体の乾燥時間の差は、画素内、画素間
での有機薄膜の膜厚ムラを引き起こす。このような膜厚ムラは、輝度ムラ、発光色ムラ等
の表示ムラの原因となってしまう。
そこで本発明の目的とするところは、電極上に有機ＥＬ材料を吐出、塗布し有機ＥＬ層
を形成することにより製造される有機ＥＬ装置において、画素領域に塗布された有機ＥＬ
材料溶液の周囲の環境、乾燥を均一にし、有効光学領域における各画素間および画素内で
輝度、発光色のムラの無い、均一な有機ＥＬ装置を提供することにある。
を形成することにより製造される有機ＥＬ装置において、画素領域に塗布された有機ＥＬ
材料溶液の周囲の環境、乾燥を均一にし、有効光学領域における各画素間および画素内で
輝度、発光色のムラの無い、均一な有機ＥＬ装置を提供することにある。
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置は、複数の画素を有する有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記複数の画素は、表示に関係する複数の表示画素、及び表示に関係しない複数のダミー画素を含み、前記有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記複数の表示画素が配置されてなる有効光学領域、及び前記複数のダミー画素を含んでなるとともに、前記有効光学領域の周囲を囲うように配置されたダミー領域とを具備し、前記複数の表示画素の各々、及び前記複数のダミー画素の各々は隔壁によって仕切られており、前記隔壁が無機物バンク層及び前記無機物バンク層上に形成された有機物バンク層を含んでおり、前記隔壁によって仕切られた領域に有機エレクトロルミネッセンス材料を溶媒に溶解または分散させた組成物を塗布することにより形成された有機エレクトロルミネッセンス層が配置されてなることを特徴とする。
また本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置は、前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記有効光学領域においては前記複数の表示画素の各々に設けられた電極上に、前記ダミー領域においては前記無機物バンク層と同一材料からなる層上に、それぞれ形成されてなることを特徴とする。
また本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置は、前記有機エレクトロルミネッセンス装置において、基板と、前記基板上に設けられた回路素子部と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記有効光学領域においては前記回路素子部上に形成された電極上に、前記ダミー領域においては前記回路素子部上に、それぞれ形成されてなることを特徴とする。
また本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置は、前記有効光学領域及び前記ダミー領域には電極が形成されており、前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記有効光学領域及び前記ダミー領域において前記電極上に形成されてなることを特徴とする。
また本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置は、前記有効光学領域及び前記ダミー領域の両方の前記エレクトロルミネッセンス層上に陰極が形成されてなることを特徴とする。
また本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置は、前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記有効光学領域においては前記複数の表示画素の各々に設けられた電極上に、前記ダミー領域においては前記無機物バンク層と同一材料からなる層上に、それぞれ形成されてなることを特徴とする。
また本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置は、前記有機エレクトロルミネッセンス装置において、基板と、前記基板上に設けられた回路素子部と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記有効光学領域においては前記回路素子部上に形成された電極上に、前記ダミー領域においては前記回路素子部上に、それぞれ形成されてなることを特徴とする。
また本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置は、前記有効光学領域及び前記ダミー領域には電極が形成されており、前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記有効光学領域及び前記ダミー領域において前記電極上に形成されてなることを特徴とする。
また本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置は、前記有効光学領域及び前記ダミー領域の両方の前記エレクトロルミネッセンス層上に陰極が形成されてなることを特徴とする。
また本発明によれば、上記の有機ＥＬ装置を具備してなる電子機器が提供される。かか
る電子機器によれば、各画素間および画素内で輝度、発光色のムラの無い、均一なＥＬ表
示や照明が実現される。
る電子機器によれば、各画素間および画素内で輝度、発光色のムラの無い、均一なＥＬ表
示や照明が実現される。
以上述べたように、本発明によれば、複数の画素を有する有機エレクトロルミネッセン
ス装置において、前記複数の画素は、表示に関係する複数の表示画素、及び表示に関係し
ない複数のダミー画素を含み、前記エレクトロルミネッセンス装置は、表示画素が配置さ
れてなる有効光学領域、及び前記複数のダミー画素を含んでなるとともに前記有効光学領
域外に配置されたダミー領域とを具備し、前記複数の表示画素の各々、及び前記複数のダ
ミー画素の各々は隔壁によって仕切られており、前記隔壁によって仕切られた領域に有機
エレクトロルミネッセンス層が形成されてなることを特徴とするので、画素領域に形成さ
れた有機ＥＬ材料溶液の乾燥が均一になり、有効光学領域画素間或いは各画素内で輝度、
発光色のムラの無い、均一な表示装置ならびに表示装置を提供することが出来る。
ス装置において、前記複数の画素は、表示に関係する複数の表示画素、及び表示に関係し
ない複数のダミー画素を含み、前記エレクトロルミネッセンス装置は、表示画素が配置さ
れてなる有効光学領域、及び前記複数のダミー画素を含んでなるとともに前記有効光学領
域外に配置されたダミー領域とを具備し、前記複数の表示画素の各々、及び前記複数のダ
ミー画素の各々は隔壁によって仕切られており、前記隔壁によって仕切られた領域に有機
エレクトロルミネッセンス層が形成されてなることを特徴とするので、画素領域に形成さ
れた有機ＥＬ材料溶液の乾燥が均一になり、有効光学領域画素間或いは各画素内で輝度、
発光色のムラの無い、均一な表示装置ならびに表示装置を提供することが出来る。
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。なお、有機ＥＬ装置を表示装置とし
て用いた例を示す。
て用いた例を示す。
インクジェット方式による有機ＥＬ装置の製造方法とは、画素を形成する有機物からな
る正孔注入層材料ならびに発光材料を溶媒に溶解または分散させたインク組成物を、イン
クジェットヘッドから吐出させて透明電極上にパターニング塗布し、正孔注入／輸送層ら
びに発光層を形成する方法である。吐出されたインク滴を精度よく所定の画素領域にパ
ターニング塗布する為に、画素領域を仕切る隔壁（以下バンク）を設けるのが通常である
。
る正孔注入層材料ならびに発光材料を溶媒に溶解または分散させたインク組成物を、イン
クジェットヘッドから吐出させて透明電極上にパターニング塗布し、正孔注入／輸送層ら
びに発光層を形成する方法である。吐出されたインク滴を精度よく所定の画素領域にパ
ターニング塗布する為に、画素領域を仕切る隔壁（以下バンク）を設けるのが通常である
。
図１はインクジェット方式による有機ＥＬ表示の製造に用いられる基板構造の一例の断
面図を示したものである。ガラス基板１０上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１を有する
回路素子部１１’が形成され、この回路素子部１１’上にＩＴＯからなる透明電極１２が
パターンニングされている。更に、透明電極１２を区画する領域にＳｉＯ2バンク１３と
撥インク性あるいは撥インク化された有機物からなる有機物バンク１４とが積層されてい
る。バンクの形状つまり画素の開口形は、円形、楕円、四角、いずれの形状でも構わない
が、インク組成物には表面張力があるため、四角形の角部は丸みを帯びているほうが好ま
しい。有機物バンク１４の材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地基板との密着
性にすぐれたものであれば、特に限定されるものではない。有機物バンク１４は、元来撥
液性を備えた材料、例えば、フッ素系樹脂でなくても、通常用いられる、アクリル樹脂や
ポリイミド樹脂等の有機樹脂をパターン形成し、ＣＦ4プラズマ処理等により表面を撥液
化してもよい。バンクは、上述したような無機物と有機物とが積層されてなるものに限ら
ないが、例えば透明電極１４がＩＴＯからなる場合は、透明電極１４との密着性を上げる
ために、ＳｉＯ2バンク１３がある方が好ましい。有機物バンク１４の高さは、１〜２μ
ｍ程度あれば十分である。
面図を示したものである。ガラス基板１０上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１を有する
回路素子部１１’が形成され、この回路素子部１１’上にＩＴＯからなる透明電極１２が
パターンニングされている。更に、透明電極１２を区画する領域にＳｉＯ2バンク１３と
撥インク性あるいは撥インク化された有機物からなる有機物バンク１４とが積層されてい
る。バンクの形状つまり画素の開口形は、円形、楕円、四角、いずれの形状でも構わない
が、インク組成物には表面張力があるため、四角形の角部は丸みを帯びているほうが好ま
しい。有機物バンク１４の材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地基板との密着
性にすぐれたものであれば、特に限定されるものではない。有機物バンク１４は、元来撥
液性を備えた材料、例えば、フッ素系樹脂でなくても、通常用いられる、アクリル樹脂や
ポリイミド樹脂等の有機樹脂をパターン形成し、ＣＦ4プラズマ処理等により表面を撥液
化してもよい。バンクは、上述したような無機物と有機物とが積層されてなるものに限ら
ないが、例えば透明電極１４がＩＴＯからなる場合は、透明電極１４との密着性を上げる
ために、ＳｉＯ2バンク１３がある方が好ましい。有機物バンク１４の高さは、１〜２μ
ｍ程度あれば十分である。
次に、図２を参照して、インクジェット方式による有機ＥＬ装置の製造方法の一例を各
工程の断面構造に沿って説明する。
工程の断面構造に沿って説明する。
図２（Ａ）において、バンク構造を有する画素基板にインクジェット方式により有機Ｅ
Ｌ材料を含む溶液（インク組成物）をパターン塗布し、有機ＥＬ薄膜を形成する。有機Ｅ
Ｌ材料インク組成物１５をインクジェットヘッド１６から吐出し、同図（Ｂ）に示すよう
に着弾させ、パターン塗布する。塗布後、真空およびまたは熱処理あるいは窒素ガスなど
のフローにより溶媒を除去し、有機ＥＬ薄膜層１７を形成する（同図（Ｃ））。この有機
ＥＬ薄膜層１７は、例えば正孔注入層及び発光層からなる積層膜である。
Ｌ材料を含む溶液（インク組成物）をパターン塗布し、有機ＥＬ薄膜を形成する。有機Ｅ
Ｌ材料インク組成物１５をインクジェットヘッド１６から吐出し、同図（Ｂ）に示すよう
に着弾させ、パターン塗布する。塗布後、真空およびまたは熱処理あるいは窒素ガスなど
のフローにより溶媒を除去し、有機ＥＬ薄膜層１７を形成する（同図（Ｃ））。この有機
ＥＬ薄膜層１７は、例えば正孔注入層及び発光層からなる積層膜である。
この際、有効光学領域（表示に関係する画素が形成された領域）の端の表示画素では周
囲にインク滴が塗布されていないため、インク溶媒分子分圧が内側の画素上より低くなっ
て溶媒が速く乾燥し、例えば、図２（Ｃ）に示したような、膜厚差が表示画素間で生じて
しまう場合がある。
囲にインク滴が塗布されていないため、インク溶媒分子分圧が内側の画素上より低くなっ
て溶媒が速く乾燥し、例えば、図２（Ｃ）に示したような、膜厚差が表示画素間で生じて
しまう場合がある。
そこで、各画素に塗布された液滴を均一に乾燥するためには、有効光学領域の周囲にも
インク組成物を吐出、塗布し、有効光学領域に塗布された各液滴に対して同じ環境をつく
ることが好ましい。より同じ環境を構築するためには、インクジェットによる有機材料の
塗布領域を有効光学領域より大きくし、例えば、有効光学領域の周囲に表示画素と同じ形
状のバンク構造を有するダミー領域（表示に関係しないダミー画素が形成された領域）を
設置することがより好ましい。
インク組成物を吐出、塗布し、有効光学領域に塗布された各液滴に対して同じ環境をつく
ることが好ましい。より同じ環境を構築するためには、インクジェットによる有機材料の
塗布領域を有効光学領域より大きくし、例えば、有効光学領域の周囲に表示画素と同じ形
状のバンク構造を有するダミー領域（表示に関係しないダミー画素が形成された領域）を
設置することがより好ましい。
また、有効光学領域の画素間におけるインク組成物の乾燥をより均一にするためには有
効光学領域での個々の塗布領域が等間隔であることが望ましい。そのためには画素も等間
隔で配置されていることが好ましい。ＴＦＴや配線等の設置により各画素間隔が、Ｘ方向
とＹ方向で異なる設計になる場合は、間隔のより広い画素間に、塗布領域の間隔が等しく
なるようにインク滴を吐出すればよい。該画素間に画素部と同じ形状のバンク構造を形成
したダミー画素を設置できればより好ましい。画素の形状は、円、正方形のような点対称
の形状でなくても、長方形、トラック形、楕円形でもよい。長方形、トラック形のような
画素が、Ｘ方向とＹ方向で異なる間隔で配置されている場合は、画素部と同じ形状をもた
なくても、画素間隔の広い領域に、塗布領域が同間隔になるように塗布領域を形成しても
効果はある。
効光学領域での個々の塗布領域が等間隔であることが望ましい。そのためには画素も等間
隔で配置されていることが好ましい。ＴＦＴや配線等の設置により各画素間隔が、Ｘ方向
とＹ方向で異なる設計になる場合は、間隔のより広い画素間に、塗布領域の間隔が等しく
なるようにインク滴を吐出すればよい。該画素間に画素部と同じ形状のバンク構造を形成
したダミー画素を設置できればより好ましい。画素の形状は、円、正方形のような点対称
の形状でなくても、長方形、トラック形、楕円形でもよい。長方形、トラック形のような
画素が、Ｘ方向とＹ方向で異なる間隔で配置されている場合は、画素部と同じ形状をもた
なくても、画素間隔の広い領域に、塗布領域が同間隔になるように塗布領域を形成しても
効果はある。
尚、本発明は、有機ＥＬ装置の表示用途だけでなく、有機ＥＬ素子を発光源として用い
る発光装置、照明装置に適用することができる。
る発光装置、照明装置に適用することができる。
以下、実施例を参照して本発明を更に、具体的に説明するが、本発明はこれらに制限さ
れるものではない。
れるものではない。
本実施例に用いた基板は、直径３０μｍ径の円形画素が、Ｘ、Ｙ方向ともに７０．５μ
ｍピッチで配置された2インチＴＦＴ基板である。このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と
、このガラス基板上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されて
いる。図３（Ａ）にＴＦＴ基板右端側の一部の断面図（Ｘ方向）を示す。回路素子部２６
上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、この透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2
バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成
されている。ＳｉＯ2バンク２８はＴＥＯＳ（tetraethylorthosilicate）をＣＶＤで１５
０ｎｍ形成しフォトエッチングでパターン形成される。更にその上に感光性ポリイミドを
塗布し、露光、現像により、膜厚２μｍのポリイミドバンク２９が形成される。なお、こ
のバンクを形成する材料は、非感光性材料を用いてもよい。
ｍピッチで配置された2インチＴＦＴ基板である。このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と
、このガラス基板上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されて
いる。図３（Ａ）にＴＦＴ基板右端側の一部の断面図（Ｘ方向）を示す。回路素子部２６
上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、この透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2
バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成
されている。ＳｉＯ2バンク２８はＴＥＯＳ（tetraethylorthosilicate）をＣＶＤで１５
０ｎｍ形成しフォトエッチングでパターン形成される。更にその上に感光性ポリイミドを
塗布し、露光、現像により、膜厚２μｍのポリイミドバンク２９が形成される。なお、こ
のバンクを形成する材料は、非感光性材料を用いてもよい。
また、図３において、透明電極２７が形成されている領域が有効光学領域Ａであり、Ｓ
ｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９により透明電極２７が区画されていない領域
がダミー領域Ｂである。
ｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９により透明電極２７が区画されていない領域
がダミー領域Ｂである。
インクジェット塗布前に、大気圧プラズマ処理によりポリイミドバンク２９を撥インク
処理する。大気圧プラズマ処理の条件は、大気圧下で、パワー３００Ｗ、電極−基板間距
離１ｍｍ、酸素プラズマ処理では、酸素ガス流量１００ｍｌ／ｍｉｎ、ヘリウムガス流量
１０ｌ／ｍｉｎ、テーブル搬送速度１０ｍｍ/ｓで行い、続けてＣＦ4プラズマ処理では、
ＣＦ4ガス流量１００ｍｌ／ｍｉｎ、ヘリウムガス流量１０ｌ／ｍｉｎ、テーブル搬送速
度３ｍｍ/ｓの往復で行う。
処理する。大気圧プラズマ処理の条件は、大気圧下で、パワー３００Ｗ、電極−基板間距
離１ｍｍ、酸素プラズマ処理では、酸素ガス流量１００ｍｌ／ｍｉｎ、ヘリウムガス流量
１０ｌ／ｍｉｎ、テーブル搬送速度１０ｍｍ/ｓで行い、続けてＣＦ4プラズマ処理では、
ＣＦ4ガス流量１００ｍｌ／ｍｉｎ、ヘリウムガス流量１０ｌ／ｍｉｎ、テーブル搬送速
度３ｍｍ/ｓの往復で行う。
正孔注入層材料としてバイエル社のバイトロン（登録商標）を用い、極性溶剤であるイ
ソプロピルアルコール，Ｎ−メチルピロリドン，１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノ
ンで分散させたインク組成物３０を調製し、Ｘ，Ｙ方向とも７０．５μｍピッチでインク
ジェットヘッド（エプソン製ＭＪ−９３０Ｃ）から吐出、塗布する。その際、表示画素の
周囲に上下、左右３０ラインずつ余計に同じピッチで吐出する。図３（Ｂ）に正孔注入層
材料インク組成物３０をパターン塗布した後の、基板右端側の一部の断面図を示す。有効
光学領域Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、一方ダ
ミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３０がポリイミドバンク２９上に塗布され
ている。
ソプロピルアルコール，Ｎ−メチルピロリドン，１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノ
ンで分散させたインク組成物３０を調製し、Ｘ，Ｙ方向とも７０．５μｍピッチでインク
ジェットヘッド（エプソン製ＭＪ−９３０Ｃ）から吐出、塗布する。その際、表示画素の
周囲に上下、左右３０ラインずつ余計に同じピッチで吐出する。図３（Ｂ）に正孔注入層
材料インク組成物３０をパターン塗布した後の、基板右端側の一部の断面図を示す。有効
光学領域Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、一方ダ
ミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３０がポリイミドバンク２９上に塗布され
ている。
次に、真空中（１ｔｏｒｒ（133.3Ｐａ））、室温、２０分という条件で溶媒を除去し
、その後、窒素中、２００℃（ホットプレート上）、１０分の熱処理により、図３（Ｃ）
に示すように正孔注入層３１を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正孔
注入層３１を形成することができる。
、その後、窒素中、２００℃（ホットプレート上）、１０分の熱処理により、図３（Ｃ）
に示すように正孔注入層３１を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正孔
注入層３１を形成することができる。
次に、発光層として、赤色、緑色、青色に発光するポリフルオレン系材料を用いて、赤
色発光層用インク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色発光層用インク組成
物３４を3種類調製する。インク溶媒としては、シクロヘキシルベンゼンを用いた。図３
（Ｃ）に示すように、これらのインク組成物３２、３３、３４をインクジェットヘッドか
ら吐出させ、Ｘ方向に２１１．５μｍピッチ、Ｙ方向には７０．５μｍピッチでパターン
塗布した。その際、ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出す
る。
色発光層用インク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色発光層用インク組成
物３４を3種類調製する。インク溶媒としては、シクロヘキシルベンゼンを用いた。図３
（Ｃ）に示すように、これらのインク組成物３２、３３、３４をインクジェットヘッドか
ら吐出させ、Ｘ方向に２１１．５μｍピッチ、Ｙ方向には７０．５μｍピッチでパターン
塗布した。その際、ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出す
る。
次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８０℃、５分での熱処理により発光層３５，３
６，３７が形成される。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３
７を形成することができる。
６，３７が形成される。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３
７を形成することができる。
発光層形成後、図３（Ｄ）に示すように、陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎ
ｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３
９により封止を行う。
ｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３
９により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得る
ことができた。
ことができた。
本実施例では、図４に示すように、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー
領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラ
ス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。
また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２
７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが
回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２
が形成されている。
領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラ
ス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。
また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２
７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが
回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２
が形成されている。
また、ダミー領域Ｂには、ＳｉＯ2バンクから延びるＳｉＯ2膜２８’が設けられるとと
もに、このＳｉＯ2膜２８’上に表示画素４２と同じ形状、同ピッチでポリイミドバンク
４０が設けられてなるダミー画素４３が形成されている。図４（Ａ）に基板右端側の一部
の断面図を示す。
もに、このＳｉＯ2膜２８’上に表示画素４２と同じ形状、同ピッチでポリイミドバンク
４０が設けられてなるダミー画素４３が形成されている。図４（Ａ）に基板右端側の一部
の断面図を示す。
実施例１と同じ、正孔注入層用インク組成物４１を７０．５μｍピッチで、表示画素４
２ならびにダミー画素４３にパターニング塗布した様子を図４（Ｂ）に示す。実施例１と
同様に乾燥、熱処理して形成された表示画素４２の正孔注入層の膜厚は均一であった。
２ならびにダミー画素４３にパターニング塗布した様子を図４（Ｂ）に示す。実施例１と
同様に乾燥、熱処理して形成された表示画素４２の正孔注入層の膜厚は均一であった。
次に、実施例１同様にポリフルオレン系材料からなる発光層インク組成物を表示画素４
２ならびにダミー画素４３にパターニング塗布し、乾燥により形成された発光層膜厚は、
表示画素４２内で均一であった。陰極形成、封止を行いできあがった有機ＥＬ装置は、表
示画素４２を含む有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない表示の均一なものであった。
２ならびにダミー画素４３にパターニング塗布し、乾燥により形成された発光層膜厚は、
表示画素４２内で均一であった。陰極形成、封止を行いできあがった有機ＥＬ装置は、表
示画素４２を含む有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない表示の均一なものであった。
本実施例では、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置したＴ
ＦＴ基板を用いた。図５（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、こ
のガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されて
いる。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明
電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバ
ンクが回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画
素４２が形成されている。
ＦＴ基板を用いた。図５（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、こ
のガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されて
いる。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明
電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバ
ンクが回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画
素４２が形成されている。
また、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２６’上には、表示画素４２と同じ形状、同ピ
ッチでポリイミドバンク２９のみが形成されなるダミー画素４４が設けられている。図５
（Ａ）は基板右端側の一部の断面図である。
ッチでポリイミドバンク２９のみが形成されなるダミー画素４４が設けられている。図５
（Ａ）は基板右端側の一部の断面図である。
次に、実施例１と同様に、大気圧プラズマ処理によりポリイミドバンク２９を撥インク
処理する。
処理する。
次に、図５（Ｂ）に示すように、実施例１と同様に、正孔注入層材料を含むインク組成
物３０を、Ｘ，Ｙ方向とも７０．５μｍピッチで表示画素４２ならびにダミー画素４４に
パターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電
極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３０が回路素
子部２６’上に塗布されている。
物３０を、Ｘ，Ｙ方向とも７０．５μｍピッチで表示画素４２ならびにダミー画素４４に
パターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電
極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３０が回路素
子部２６’上に塗布されている。
次に、真空中（１ｔｏｒｒ（133.3Ｐａ））、室温、２０分という条件で溶媒を除去し
、その後、窒素中、２００℃（ホットプレート上）、１０分の熱処理により、図５（Ｃ）
に示すような正孔注入層３１が形成される。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正
孔注入層３１を形成することができる。
、その後、窒素中、２００℃（ホットプレート上）、１０分の熱処理により、図５（Ｃ）
に示すような正孔注入層３１が形成される。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正
孔注入層３１を形成することができる。
次に、実施例１と同様に、赤色発光層用インク組成物３２、緑色発光層用インク組成物
３３、青色発光層用インク組成物３４を３種類調製し、図５（Ｃ）に示すように、これら
のインク組成物３２、３３、３４をインクジェットヘッドから吐出させ、それぞれＸ方向
に２１１．５μｍピッチ、Ｙ方向には７０．５μｍピッチでパターン塗布する。その際、
ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出することが好ましい。
３３、青色発光層用インク組成物３４を３種類調製し、図５（Ｃ）に示すように、これら
のインク組成物３２、３３、３４をインクジェットヘッドから吐出させ、それぞれＸ方向
に２１１．５μｍピッチ、Ｙ方向には７０．５μｍピッチでパターン塗布する。その際、
ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出することが好ましい。
次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８０℃、５分での熱処理により発光層３５，３
６，３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３７
を形成することができる。
６，３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３７
を形成することができる。
発光層形成後、図５（Ｄ）に示すように、陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎ
ｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３
９により封止を行う。
ｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３
９により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得る
ことができる。
ことができる。
本実施例では、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置したＴ
ＦＴ基板を用いた。図６（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、こ
のガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されて
いる。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明
電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバ
ンクが形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されてい
る。
ＦＴ基板を用いた。図６（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、こ
のガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されて
いる。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明
電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバ
ンクが形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されてい
る。
また、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２６’上には、表示画素４２と同じ形状、同ピ
ッチでＳｉＯ2バンク２８とポリイミドバンク２９とが積層されることによりダミー画素
４５が設けられている。図６（Ａ）は基板右端側の一部の断面図である。
ッチでＳｉＯ2バンク２８とポリイミドバンク２９とが積層されることによりダミー画素
４５が設けられている。図６（Ａ）は基板右端側の一部の断面図である。
次に、実施例１と同様に、大気圧プラズマ処理によりポリイミドバンク２９を撥インク
処理し、更に図６（Ｂ）に示すように、正孔注入層材料を含むインク組成物３０を表示画
素４２ならびにダミー画素４５にパターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が回路素子部２６’上に塗布される。
処理し、更に図６（Ｂ）に示すように、正孔注入層材料を含むインク組成物３０を表示画
素４２ならびにダミー画素４５にパターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が回路素子部２６’上に塗布される。
次に、実施例１と同じ条件で正孔注入層材料インク組成物３０の溶媒を除去し、更に実
施例１同じ条件で熱処理を行い、図６（Ｃ）に示すような正孔注入層３１を形成する。有
効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正孔注入層３１を形成することができる。
施例１同じ条件で熱処理を行い、図６（Ｃ）に示すような正孔注入層３１を形成する。有
効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正孔注入層３１を形成することができる。
次に、実施例１と同様に、赤色発光層用インク組成物３２、緑色発光層用インク組成物
３３、青色発光層用インク組成物３４を調製し、図６（Ｃ）に示すように、各インク組成
物３２、３３、３４をインクジェットヘッドから吐出させてパターン塗布する。その際、
ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出する。
３３、青色発光層用インク組成物３４を調製し、図６（Ｃ）に示すように、各インク組成
物３２、３３、３４をインクジェットヘッドから吐出させてパターン塗布する。その際、
ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出する。
次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８０℃、５分での熱処理により発光層３５，３
６，３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３７
を形成することができる。
６，３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３７
を形成することができる。
発光層形成後、図６（Ｄ）に示すように、陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎ
ｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３
９により封止を行う。
ｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３
９により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得る
ことができる。
ことができる。
本実施例では、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置したＴ
ＦＴ基板を用いた。図７（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、こ
のガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されて
いる。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明
電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバ
ンクが回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画
素４２が形成されている。
ＦＴ基板を用いた。図７（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、こ
のガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されて
いる。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明
電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバ
ンクが回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画
素４２が形成されている。
また、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２６’上には、表示画素４２と同じ形状、同ピ
ッチでＳｉＯ2バンク２８とポリイミドバンク２９とが積層されることによりダミー画素
４６が設けられている。尚、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２６’にはＴＦＴ２６が設
けられていない。図７（Ａ）に基板右端側の一部の断面図を示す。
ッチでＳｉＯ2バンク２８とポリイミドバンク２９とが積層されることによりダミー画素
４６が設けられている。尚、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２６’にはＴＦＴ２６が設
けられていない。図７（Ａ）に基板右端側の一部の断面図を示す。
次に、実施例１と同様に、大気圧プラズマ処理によりポリイミドバンク２９を撥インク
処理し、更に図７（Ｂ）に示すように、正孔注入層材料を含むインク組成物３０を表示画
素４２ならびにダミー画素４６にパターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が回路素子部２６’上に塗布されている。
処理し、更に図７（Ｂ）に示すように、正孔注入層材料を含むインク組成物３０を表示画
素４２ならびにダミー画素４６にパターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が回路素子部２６’上に塗布されている。
次に、実施例１と同じ条件で正孔注入層材料インク組成物３０の溶媒を除去し、更に実
施例１と同じ条件で熱処理を行い、図７（Ｃ）に示すような正孔注入層３１を形成する。
有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正孔注入層３１を形成することができる。
施例１と同じ条件で熱処理を行い、図７（Ｃ）に示すような正孔注入層３１を形成する。
有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正孔注入層３１を形成することができる。
次に、実施例１と同様に、赤色発光層用インク組成物３２、緑色発光層用インク組成物
３３、青色発光層用インク組成物３４を調製し、図７（Ｃ）に示すように、各インク組成
物３２、３３、３４をインクジェットヘッドから吐出させてパターン塗布する。その際、
ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出することが好ましい。
３３、青色発光層用インク組成物３４を調製し、図７（Ｃ）に示すように、各インク組成
物３２、３３、３４をインクジェットヘッドから吐出させてパターン塗布する。その際、
ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出することが好ましい。
次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８０℃、５分での熱処理により発光層３５，３
６，３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３７
を形成することができる。
６，３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３７
を形成することができる。
発光層形成後、図７（Ｄ）に示すように、陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎ
ｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３
９により封止を行う。
ｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３
９により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得る
ことができる。
ことができる。
また、ダミー画素４６は、透明電極２７と、この透明電極２７を区画するＳｉＯ2バン
ク２８及びポリイミドバンク２９が設けられて構成されており、ＴＦＴ２６が設けられな
い点を除いて表示画素４２と同じ構成なので、ダミー画素４６に塗布した正孔注入層材料
インク組成物３０を、表示画素４２に塗布した場合と同じ条件で乾燥させることができ、
これにより有効光学領域Ａには、膜厚がより均一な正孔注入層３１を形成することができ
、輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができる。
ク２８及びポリイミドバンク２９が設けられて構成されており、ＴＦＴ２６が設けられな
い点を除いて表示画素４２と同じ構成なので、ダミー画素４６に塗布した正孔注入層材料
インク組成物３０を、表示画素４２に塗布した場合と同じ条件で乾燥させることができ、
これにより有効光学領域Ａには、膜厚がより均一な正孔注入層３１を形成することができ
、輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができる。
本実施例に用いた基板の表示画素領域とダミー画素領域の一部を図８（Ａ）に示す。図
８（Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子は示してない。直径６０μｍの円形
画素５０が横（Ｘ）方向に８０μｍピッチで、縦(Ｙ)方向に２４０μｍピッチで配列され
ている。縦方向ラインの表示画素間には、８０μｍピッチで６０μｍ径のダミーバンク画
素５１が有り、有効光学領域の周囲には、同じ形状のダミー画素５２が、上下、左右、３
０ライン分、同じく８０μｍピッチで形成されている。表示画素は、これまで同様、Ｓｉ
Ｏ2バンク５３とポリイミドバンク５４との積層バンクで区画されてなり、画素径、ピッ
チ以外の基本的な断面構造は、実施例１または２と同様である。
８（Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子は示してない。直径６０μｍの円形
画素５０が横（Ｘ）方向に８０μｍピッチで、縦(Ｙ)方向に２４０μｍピッチで配列され
ている。縦方向ラインの表示画素間には、８０μｍピッチで６０μｍ径のダミーバンク画
素５１が有り、有効光学領域の周囲には、同じ形状のダミー画素５２が、上下、左右、３
０ライン分、同じく８０μｍピッチで形成されている。表示画素は、これまで同様、Ｓｉ
Ｏ2バンク５３とポリイミドバンク５４との積層バンクで区画されてなり、画素径、ピッ
チ以外の基本的な断面構造は、実施例１または２と同様である。
実施例１同様の正孔注入層材料インク組成物５５を表示画素５０ならびにダミー画素５
１，５２に、すべて８０μｍピッチでパターン塗布した様子を図８（Ｂ）に示す。実施例
１同様に正孔注入層を形成し、発光層においても、実施例１と同じ、発光層組成物を３種
類５６，５７，５８をそれぞれ縦８０μｍピッチ、横２４０μｍピッチでパターン塗布し
、乾燥により発光層を積層成膜した。発光層インク組成物のパターン塗布の様子を図８（
Ｃ）に示す。陰極形成、封止を行いできあがった有機ＥＬ装置は、有効光学領域で輝度ム
ラ、色ムラのない表示の均一なものであった。
１，５２に、すべて８０μｍピッチでパターン塗布した様子を図８（Ｂ）に示す。実施例
１同様に正孔注入層を形成し、発光層においても、実施例１と同じ、発光層組成物を３種
類５６，５７，５８をそれぞれ縦８０μｍピッチ、横２４０μｍピッチでパターン塗布し
、乾燥により発光層を積層成膜した。発光層インク組成物のパターン塗布の様子を図８（
Ｃ）に示す。陰極形成、封止を行いできあがった有機ＥＬ装置は、有効光学領域で輝度ム
ラ、色ムラのない表示の均一なものであった。
本実施例に用いた基板の有効光学領域とダミー領域の一部を図９（Ａ）に示す。図９（
Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子は示してない。横幅５０μｍ、縦幅２０
０μｍの長方（角は丸み）形画素６０が横（Ｘ）方向に８０μｍピッチで、縦(Ｙ)方向に
２９０μｍピッチで配列されている。横方向の画素間間隔は３０μｍ、縦方向の画素間間
隔は９０μｍである。表示画素６０…の周囲には、同じ形状のダミー画素６１が、上下、
左右、３０ライン分、同じく８０μｍ、２９０μｍピッチで形成されている。表示画素６
０は、これまで同様、ＳｉＯ2６２，ポリイミド６３の積層バンクにより区画されてなり
、画素径、ピッチ以外の基本的な断面構造は、実施例１または２と同様である。
Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子は示してない。横幅５０μｍ、縦幅２０
０μｍの長方（角は丸み）形画素６０が横（Ｘ）方向に８０μｍピッチで、縦(Ｙ)方向に
２９０μｍピッチで配列されている。横方向の画素間間隔は３０μｍ、縦方向の画素間間
隔は９０μｍである。表示画素６０…の周囲には、同じ形状のダミー画素６１が、上下、
左右、３０ライン分、同じく８０μｍ、２９０μｍピッチで形成されている。表示画素６
０は、これまで同様、ＳｉＯ2６２，ポリイミド６３の積層バンクにより区画されてなり
、画素径、ピッチ以外の基本的な断面構造は、実施例１または２と同様である。
実施例１同様の正孔注入層材料インク組成物６４を表示画素６０ならびにダミー画素６
１にすべてパターン塗布し、更に、縦方向の画素間の中央にも図９（Ｂ）に示すように組
成物６４をパターン塗布した。乾燥後、形成された画素内の正孔注入層は均一膜厚を示し
たが、縦方向の画素間の中央に塗布しなかった場合は、画素の縦方向の両端で、極端に膜
厚が厚くなってしまった。
１にすべてパターン塗布し、更に、縦方向の画素間の中央にも図９（Ｂ）に示すように組
成物６４をパターン塗布した。乾燥後、形成された画素内の正孔注入層は均一膜厚を示し
たが、縦方向の画素間の中央に塗布しなかった場合は、画素の縦方向の両端で、極端に膜
厚が厚くなってしまった。
正孔注入層を形成後、発光層においても、実施例１と同じ、発光層組成物を３種類６５
、６６、６７、それぞれ縦２４０μｍピッチ、横２９０μｍピッチでパターン塗布し正孔
注入層の場合と同様、縦方向の画素間の中央にも図９（Ｃ）に示すように発光層用インク
組成物６５、６６、６７、をパターン塗布した。これにより乾燥後られた発光層の膜厚は
画素内、画素間で均一であった。陰極形成、封止を行いできあがった有機ＥＬ装置は、
有効光学領域で輝度ムラ、色ムラのない表示の均一なものであった。
、６６、６７、それぞれ縦２４０μｍピッチ、横２９０μｍピッチでパターン塗布し正孔
注入層の場合と同様、縦方向の画素間の中央にも図９（Ｃ）に示すように発光層用インク
組成物６５、６６、６７、をパターン塗布した。これにより乾燥後られた発光層の膜厚は
画素内、画素間で均一であった。陰極形成、封止を行いできあがった有機ＥＬ装置は、
有効光学領域で輝度ムラ、色ムラのない表示の均一なものであった。
図１０（Ａ）に、本実施例に用いる基板の平面図を示す。図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）
のＭＭ’線に沿う部分断面図である。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、この
基板１０１は、正孔注入層及び発光層の形成前の基板であり、ガラス基板１０２上に形成
された回路素子部１０３と、回路素子部１０３上に形成された発光素子部１０４とから構
成されている。発光素子部１０４には、後述する表示画素とダミー画素とが設けられてお
り、更に発光素子部１０４は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光学領域Ａの
周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Ｂとに区画されている。
のＭＭ’線に沿う部分断面図である。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、この
基板１０１は、正孔注入層及び発光層の形成前の基板であり、ガラス基板１０２上に形成
された回路素子部１０３と、回路素子部１０３上に形成された発光素子部１０４とから構
成されている。発光素子部１０４には、後述する表示画素とダミー画素とが設けられてお
り、更に発光素子部１０４は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光学領域Ａの
周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Ｂとに区画されている。
回路素子部１０３は、ガラス基板１０２上に形成された複数のＴＦＴ素子１０５…と、
このＴＦＴ素子１０５…を覆う第１，第２層間絶縁膜１０６，１０７とから構成されてい
る。ＴＦＴ素子１０５…はマトリックス状に配置されており、各ＴＦＴ素子１０５…には
ＩＴＯからなる透明電極１０８…が接続されている。
透明電極１０８…は第２層間絶縁膜１０７上に形成されると共に、ＴＦＴ素子１０５…に
対応する位置に配置されている。なお透明電極１０８は、平面視において略円形、矩形、
あるいは四角が円弧状の矩形などの形状で形成されていればよい。
このＴＦＴ素子１０５…を覆う第１，第２層間絶縁膜１０６，１０７とから構成されてい
る。ＴＦＴ素子１０５…はマトリックス状に配置されており、各ＴＦＴ素子１０５…には
ＩＴＯからなる透明電極１０８…が接続されている。
透明電極１０８…は第２層間絶縁膜１０７上に形成されると共に、ＴＦＴ素子１０５…に
対応する位置に配置されている。なお透明電極１０８は、平面視において略円形、矩形、
あるいは四角が円弧状の矩形などの形状で形成されていればよい。
尚、ＴＦＴ素子１０５と透明電極１０８は、発光素子部１０４の有効光学領域Ａに対応
する位置のみに形成されている。
する位置のみに形成されている。
次に、発光素子部１０４の有効光学領域Ａには、ＳｉＯ2バンク１０９とポリイミドバ
ンク１１０とが積層されている。ＳｉＯ2バンク１０９及びポリイミドバンク１１０は、
透明電極１０８…の間に設けられており、これにより透明電極１０８を囲む開口部１１１
が設けられている。
ンク１１０とが積層されている。ＳｉＯ2バンク１０９及びポリイミドバンク１１０は、
透明電極１０８…の間に設けられており、これにより透明電極１０８を囲む開口部１１１
が設けられている。
また、発光素子部１０４のダミー領域Ｂには、第２層間絶縁膜１０７上に形成されたＳ
ｉＯ2薄膜１０９’と、ＳｉＯ2薄膜１０９’上に形成されたポリイミドバンク１１０’と
が備えられている。ダミー領域Ｂのポリイミドバンク１１０’により、表示画素領域Ａの
表示画素１１１とほぼ同一形状のダミー画素１１１’が設けられている。
ｉＯ2薄膜１０９’と、ＳｉＯ2薄膜１０９’上に形成されたポリイミドバンク１１０’と
が備えられている。ダミー領域Ｂのポリイミドバンク１１０’により、表示画素領域Ａの
表示画素１１１とほぼ同一形状のダミー画素１１１’が設けられている。
ダミー領域Ｂに設けられるダミー画素１１１’の数については、図１０（Ａ）の図示Ｘ
方向に沿う幅Ｘ’の間に、Ｒ・Ｇ・Ｂの３つのダミー画素からなる組が１０組以上設ける
ことが好ましい。また、図１０（Ａ）の図示Ｙ方向に沿う幅Ｙ’の間に、Ｒ・Ｇ・Ｂの多
数のダミー画素からなる列が１０列以上設けることが好ましい。さらに好ましくは、幅Ｘ
と幅Ｙ’の大きさが等しくなるようにダミー画素を配置する。こうすることにより、ダミ
―領域Ｂとの境界付近にある画素における組成物インクの乾燥条件を、有効光学領域Ａの
中央付近の画素における乾燥条件に、より一致させることができる。幅Ｘ’と幅Ｙ’の大
きさが等しくなるようにするには、例えば、各画素（表示画素、ダミー画素のいずれも）
をＸ方向に７０．５μｍピッチ、Ｙ方向に２１１．５μｍピッチで形成した場合、幅Ｘ’
の間に、Ｙ方向に平行に３０ライン（Ｒ、Ｇ、Ｂの３つのダミー画素からなる組が１０組
分のライン）、且つ、幅Ｙ’の間に、Ｘ方向に平行なラインが１０ライン、のダミー画素
が形成されればよい。これによって、Ｙ方向のピッチは、Ｘ方向のピッチの３倍であるた
め、幅Ｘ’と幅Ｙ’の大きさがほぼ等しくなる。ダミー画素の数はこれに限らないが、ダ
ミー画素１１１’の数が過剰になると、表示に関係しない額縁が大きくなり、すなわち表
示モジュールが大きくなるので好ましくない。
方向に沿う幅Ｘ’の間に、Ｒ・Ｇ・Ｂの３つのダミー画素からなる組が１０組以上設ける
ことが好ましい。また、図１０（Ａ）の図示Ｙ方向に沿う幅Ｙ’の間に、Ｒ・Ｇ・Ｂの多
数のダミー画素からなる列が１０列以上設けることが好ましい。さらに好ましくは、幅Ｘ
と幅Ｙ’の大きさが等しくなるようにダミー画素を配置する。こうすることにより、ダミ
―領域Ｂとの境界付近にある画素における組成物インクの乾燥条件を、有効光学領域Ａの
中央付近の画素における乾燥条件に、より一致させることができる。幅Ｘ’と幅Ｙ’の大
きさが等しくなるようにするには、例えば、各画素（表示画素、ダミー画素のいずれも）
をＸ方向に７０．５μｍピッチ、Ｙ方向に２１１．５μｍピッチで形成した場合、幅Ｘ’
の間に、Ｙ方向に平行に３０ライン（Ｒ、Ｇ、Ｂの３つのダミー画素からなる組が１０組
分のライン）、且つ、幅Ｙ’の間に、Ｘ方向に平行なラインが１０ライン、のダミー画素
が形成されればよい。これによって、Ｙ方向のピッチは、Ｘ方向のピッチの３倍であるた
め、幅Ｘ’と幅Ｙ’の大きさがほぼ等しくなる。ダミー画素の数はこれに限らないが、ダ
ミー画素１１１’の数が過剰になると、表示に関係しない額縁が大きくなり、すなわち表
示モジュールが大きくなるので好ましくない。
この基板１０１に対して、実施例１と同様に大気圧プラズマ処理を施してポリイミドバ
ンク１１０，１１０’を撥インク処理し、正孔注入層材料を含むインク組成物をインクジ
ェットヘッドから吐出させて表示画素１１１ならびにダミー画素１１１’にパターニング
塗布する。表示画素１１１では、正孔注入層材料インク組成物が透明電極１０８上に塗布
され、一方ダミー１１１’では、正孔注入層材料インク組成物がＳｉＯ2薄膜１０９’上
に塗布される。
ンク１１０，１１０’を撥インク処理し、正孔注入層材料を含むインク組成物をインクジ
ェットヘッドから吐出させて表示画素１１１ならびにダミー画素１１１’にパターニング
塗布する。表示画素１１１では、正孔注入層材料インク組成物が透明電極１０８上に塗布
され、一方ダミー１１１’では、正孔注入層材料インク組成物がＳｉＯ2薄膜１０９’上
に塗布される。
尚、正孔注入層材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドにより吐出させる際に
は、例えば、表示素子部１０４幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の幅のノズル列を有するイ
ンクジェットヘッドを用意し、このインクジェットヘッドを、図１０（Ａ）の下側から図
中矢印Ｙ方向に沿って基板１０１上に移動させながら行うことが好ましい。これにより、
インク組成物の吐出順序が、図中下側のダミー領域Ｂ、有効光学領域Ａ、図中上側のダミ
―領域Ｂの順となり、インク組成物の吐出を、ダミー領域Ｂから始めてダミー領域Ｂで終
了させることができる。ダミー領域Ｂで組成物インクを吐出させてから有効光学領域Ａで
吐出するため、有効光学領域Ａでのインク組成物を均一に乾燥することができる。
は、例えば、表示素子部１０４幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の幅のノズル列を有するイ
ンクジェットヘッドを用意し、このインクジェットヘッドを、図１０（Ａ）の下側から図
中矢印Ｙ方向に沿って基板１０１上に移動させながら行うことが好ましい。これにより、
インク組成物の吐出順序が、図中下側のダミー領域Ｂ、有効光学領域Ａ、図中上側のダミ
―領域Ｂの順となり、インク組成物の吐出を、ダミー領域Ｂから始めてダミー領域Ｂで終
了させることができる。ダミー領域Ｂで組成物インクを吐出させてから有効光学領域Ａで
吐出するため、有効光学領域Ａでのインク組成物を均一に乾燥することができる。
次に、実施例１と同じ条件で正孔注入層材料インク組成物の溶媒を除去し、更に実施例
１同じ条件で熱処理を行い、図１１（Ａ）に示すような正孔注入層１３１を形成する。
１同じ条件で熱処理を行い、図１１（Ａ）に示すような正孔注入層１３１を形成する。
有効光学領域Ａの外側にはダミー画素１１１’が設けられており、このダミー画素１１
１’に対しても表示画素１１１と同様に組成物インクの吐出、乾燥を行うので、ダミー領
域Ｂとの境界付近にある表示画素１１１における組成物インクの乾燥条件を、有効光学領
域Ａの中央付近の表示画素１１１における乾燥条件にほぼ一致させることができ、これに
よりダミー領域Ｂとの境界付近にある表示画素１１１でも均一な膜厚の正孔注入層１３１
を形成することができる。従って有効光学領域Ａの全体に渡って、膜厚の均一な正孔注入
層１３１を形成することができる。
１’に対しても表示画素１１１と同様に組成物インクの吐出、乾燥を行うので、ダミー領
域Ｂとの境界付近にある表示画素１１１における組成物インクの乾燥条件を、有効光学領
域Ａの中央付近の表示画素１１１における乾燥条件にほぼ一致させることができ、これに
よりダミー領域Ｂとの境界付近にある表示画素１１１でも均一な膜厚の正孔注入層１３１
を形成することができる。従って有効光学領域Ａの全体に渡って、膜厚の均一な正孔注入
層１３１を形成することができる。
次に、実施例１と同様に、赤色、緑色、青色の発光層用インク組成物をインクジェット
ヘッドから吐出させて表示画素１１１ならびにダミー画素１１１’にパターン塗布し、Ｎ
2雰囲気中、ホットプレート上８０℃、５分での熱処理により発光層１３５，１３６，１
３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、正孔注入層１３１の場合と同様にして、膜
厚の均一な発光層１３５、１３６、１３７を形成することができる。
ヘッドから吐出させて表示画素１１１ならびにダミー画素１１１’にパターン塗布し、Ｎ
2雰囲気中、ホットプレート上８０℃、５分での熱処理により発光層１３５，１３６，１
３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、正孔注入層１３１の場合と同様にして、膜
厚の均一な発光層１３５、１３６、１３７を形成することができる。
尚、発光層の形成の際には、正孔注入層の場合と同様にしてインクジェットヘッドを図
１０（Ａ）の下側から図中矢印Ｙ方向に沿って基板１０１上に移動させながら行い、イン
ク組成物の吐出順序を、図中下側のダミー領域Ｂ、有効光学領域Ａ、図中上側のダミー領
域Ｂの順とし、これによりインク組成物の吐出をダミー領域Ｂから始めてダミー領域Ｂで
終了させるようにすることが好ましい。これにより、有効光学領域Ａの全体において、発
光層を含むインク組成物の乾燥を均一に行うことができた。
１０（Ａ）の下側から図中矢印Ｙ方向に沿って基板１０１上に移動させながら行い、イン
ク組成物の吐出順序を、図中下側のダミー領域Ｂ、有効光学領域Ａ、図中上側のダミー領
域Ｂの順とし、これによりインク組成物の吐出をダミー領域Ｂから始めてダミー領域Ｂで
終了させるようにすることが好ましい。これにより、有効光学領域Ａの全体において、発
光層を含むインク組成物の乾燥を均一に行うことができた。
発光層形成後、図１１（Ｂ）に示すように、陰極１３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２
０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹
脂１３９により封止を行う。
０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹
脂１３９により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得る
ことができる。
ことができる。
図１２に、本実施例に用いる基板の平面図を示す。図１２に示すように、この基板２０
１は、ガラス基板２０２上に形成された図示略の回路素子部と、この回路素子部上に形成
された複数の発光素子部２０４…とを主体として構成されている。図１２の基板２０１に
は、１６個の発光素子部２０４…が４列４行のマトリックス状に配置されている。各発光
素子部２０４には、実施例８と同様な図示略の表示画素及びダミー画素が設けられており
、更に各発光素子部２０４…は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光学領域Ａ
の周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Ｂとに区画されている。
１は、ガラス基板２０２上に形成された図示略の回路素子部と、この回路素子部上に形成
された複数の発光素子部２０４…とを主体として構成されている。図１２の基板２０１に
は、１６個の発光素子部２０４…が４列４行のマトリックス状に配置されている。各発光
素子部２０４には、実施例８と同様な図示略の表示画素及びダミー画素が設けられており
、更に各発光素子部２０４…は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光学領域Ａ
の周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Ｂとに区画されている。
有効光学領域Ａにおける表示画素と、ダミー領域Ｂにおけるダミー画素の構成は、実施
例８において説明した表示画素１１１及びダミー画素１１１’の構成と同じである。また
、図示略の回路素子部の構成も、実施例８の回路素子部１０３の構成と同じである。
例８において説明した表示画素１１１及びダミー画素１１１’の構成と同じである。また
、図示略の回路素子部の構成も、実施例８の回路素子部１０３の構成と同じである。
このようにして基板２０１には、複数の有効光学領域Ａ…からなる有効光学領域群Ｃが
形成されている。
形成されている。
この基板２０１は最終的に、図中一点鎖線に沿って切り離され、１６枚の小さな基板に
切り分けられる。これにより、１つの基板から複数の有機ＥＬ装置を同時に製造すること
ができる。
切り分けられる。これにより、１つの基板から複数の有機ＥＬ装置を同時に製造すること
ができる。
更に基板２０１には、有効光学領域群Ｃの周囲に別のダミー領域Ｄが形成されている。
ダミー領域Ｄに設けられるダミー画素の数は、図１２の図示Ｘ方向に沿う幅Ｘ’の間に
は、Ｒ・Ｇ・Ｂの３つのダミー画素からなる組を１０組以上設けることが好ましい。また
、図１２の図示Ｙ方向に沿う幅Ｙ’の間には、Ｒ・Ｇ・Ｂの多数のダミー画素からなる列
を１０列以上設けることが好ましい。
は、Ｒ・Ｇ・Ｂの３つのダミー画素からなる組を１０組以上設けることが好ましい。また
、図１２の図示Ｙ方向に沿う幅Ｙ’の間には、Ｒ・Ｇ・Ｂの多数のダミー画素からなる列
を１０列以上設けることが好ましい。
この基板２０１に対して、実施例８と同様にしてポリイミドバンクを撥インク処理し、
更に正孔注入層材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドから吐出させて表示画素
ならびにダミー画素にパターニング塗布する。
更に正孔注入層材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドから吐出させて表示画素
ならびにダミー画素にパターニング塗布する。
尚、正孔注入層材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドにより吐出させる際に
は、例えば、１つの表示素子部２０４幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の幅のノズル列を有
するインクジェットヘッドを用意し、このインクジェットヘッドを、図１２の図中下側か
ら表示素子部２０４上を図中矢印Ｙ方向に沿って図中上側まで移動させながら行うことが
好ましい。インクジェットヘッドの幅は、これに限らず、一つの表示素子部２０４の幅の
整数倍であればよい。
は、例えば、１つの表示素子部２０４幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の幅のノズル列を有
するインクジェットヘッドを用意し、このインクジェットヘッドを、図１２の図中下側か
ら表示素子部２０４上を図中矢印Ｙ方向に沿って図中上側まで移動させながら行うことが
好ましい。インクジェットヘッドの幅は、これに限らず、一つの表示素子部２０４の幅の
整数倍であればよい。
このときのインクジェットヘッドの軌跡は、例えば図１３（Ａ）に示すように、インク
ジェットヘッドＨを図中上側に移動させた後に斜め下側まで空走し、再度上側に向けて移
動させるジグザグな軌跡や、図１３（Ｂ）に示すように上側に移動してから横方向にスラ
イド（空走）し、次に下側に移動させるつづら折れ状の軌跡であっても良い。
ジェットヘッドＨを図中上側に移動させた後に斜め下側まで空走し、再度上側に向けて移
動させるジグザグな軌跡や、図１３（Ｂ）に示すように上側に移動してから横方向にスラ
イド（空走）し、次に下側に移動させるつづら折れ状の軌跡であっても良い。
上記の場合はいずれも、インク組成物の吐出順序が、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域
Ａ、ダミー領域Ｂ、Ｄ、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域Ａ、…、ダミー領域Ｂ、Ｄの順
となり、インク組成物の吐出を、ダミー領域Ｄから始めてダミー領域Ｄで終了させること
ができる。
Ａ、ダミー領域Ｂ、Ｄ、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域Ａ、…、ダミー領域Ｂ、Ｄの順
となり、インク組成物の吐出を、ダミー領域Ｄから始めてダミー領域Ｄで終了させること
ができる。
また、実施例８のように、有効光学領域群Ｃの幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の幅のノ
ズル列を有するインクジェットヘッドを用意し、このインクジェットヘッドを、図１２の
図中下側から表示素子部２０４上を図中矢印Ｙ方向に沿って図中上側まで移動させながら
行ってもよい。この場合のインク組成物の吐出順序は、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域
Ａ、ダミー領域Ｂ、Ｄの順となり、インク組成物の吐出を、ダミー領域Ｄから始めてダミ
―領域Ｄで終了させることができる。
ズル列を有するインクジェットヘッドを用意し、このインクジェットヘッドを、図１２の
図中下側から表示素子部２０４上を図中矢印Ｙ方向に沿って図中上側まで移動させながら
行ってもよい。この場合のインク組成物の吐出順序は、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域
Ａ、ダミー領域Ｂ、Ｄの順となり、インク組成物の吐出を、ダミー領域Ｄから始めてダミ
―領域Ｄで終了させることができる。
従っていずれの場合も、ダミー領域Ｄでインク組成物を吐出させてから有効光学領域Ａ
で吐出するため、有効光学領域Ａの全体において、インク組成物の乾燥を均一に行うこと
ができた。
で吐出するため、有効光学領域Ａの全体において、インク組成物の乾燥を均一に行うこと
ができた。
また、インクジェットヘッドがジグザグな軌跡やつづら折れ状の軌跡をとる場合は、空
走の後に必ずダミー領域Ｄで吐出することになるので、空走中にインクジェットヘッドに
充填されたインクの状態が変化した場合でも、ダミー領域Ｄで予備吐出してから有効光学
領域Ａで吐出することになり、有効光学領域Ａでの吐出を安定して行うことができる。
走の後に必ずダミー領域Ｄで吐出することになるので、空走中にインクジェットヘッドに
充填されたインクの状態が変化した場合でも、ダミー領域Ｄで予備吐出してから有効光学
領域Ａで吐出することになり、有効光学領域Ａでの吐出を安定して行うことができる。
次に、実施例１と同様にして正孔注入層材料インク組成物の溶媒の除去、熱処理を行い
、正孔注入層１３１を形成する。
、正孔注入層１３１を形成する。
有効光学領域Ａの外側にはダミー領域Ｂのダミー画素が設けられ、更にその外側には別
のダミー領域Ｄのダミー画素が設けられているので、ダミー領域Ｂとの境界付近にある表
示画素における組成物インクの乾燥条件を、有効光学領域Ａの中央付近の表示画素におけ
る乾燥条件にほぼ一致させることができ、これによりダミー領域Ｂとの境界付近にある表
示画素でも均一な厚さの正孔注入層を形成することができる。従って有効光学領域Ａの全
体に渡って、膜厚の均一な正孔注入層を形成することができる。
のダミー領域Ｄのダミー画素が設けられているので、ダミー領域Ｂとの境界付近にある表
示画素における組成物インクの乾燥条件を、有効光学領域Ａの中央付近の表示画素におけ
る乾燥条件にほぼ一致させることができ、これによりダミー領域Ｂとの境界付近にある表
示画素でも均一な厚さの正孔注入層を形成することができる。従って有効光学領域Ａの全
体に渡って、膜厚の均一な正孔注入層を形成することができる。
特に、ダミー領域Ｄが有効光学領域群Ｃの周囲に設けられているので、１つの基板から
多数の表示装置を製造する場合でも、膜厚の均一な正孔注入層を形成できる。
多数の表示装置を製造する場合でも、膜厚の均一な正孔注入層を形成できる。
次に、実施例１と同様に、赤色、緑色、青色の発光層用インク組成物をインクジェット
ヘッドから吐出させて有効光学領域ならびにダミー領域にパターン塗布して熱処理するこ
とでＲ・Ｇ・Ｂの発光層を形成する。有効光学領域Ａにおいては、正孔注入層の場合と同
様に、膜厚の均一な発光層を形成できる。
ヘッドから吐出させて有効光学領域ならびにダミー領域にパターン塗布して熱処理するこ
とでＲ・Ｇ・Ｂの発光層を形成する。有効光学領域Ａにおいては、正孔注入層の場合と同
様に、膜厚の均一な発光層を形成できる。
尚、発光層の形成の際には、正孔注入層の場合と同様にしてインクジェットヘッドを図
１３（Ａ）または図１３（Ｂ）に示すように移動させながら行うことで、インク組成物の
吐出順序を正孔注入層の場合と同様とし、これによりインク組成物の吐出をダミー領域Ｄ
から始めてダミー領域Ｄで終了させるようにできる。
これにより、有効光学領域Ａの全体において、インク組成物の乾燥を均一に行うことがで
きた。
１３（Ａ）または図１３（Ｂ）に示すように移動させながら行うことで、インク組成物の
吐出順序を正孔注入層の場合と同様とし、これによりインク組成物の吐出をダミー領域Ｄ
から始めてダミー領域Ｄで終了させるようにできる。
これにより、有効光学領域Ａの全体において、インク組成物の乾燥を均一に行うことがで
きた。
発光層形成後、陰極として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡ
ｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂により封止を行う。
ｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得る
ことができる。
ことができる。
なお、ここでは有機ＥＬ層として高分子材料を用いたが、低分子材料を用いてもよい。
低分子材料を用いた場合は、図１４のようにマスク７１を用いた蒸着法によって形成する
ことが好ましい。このとき、有効光学領域Ｅに対応する領域及び有効光学領域Ｅに対応す
る領域外（ダミー領域Ｆに対応する領域）が開口したマスクを用いて、材料を成膜するこ
とで本発明が実現できる。蒸着法を用いた場合も、ダミー領域を設けることによって、有
効光学領域全体において均一な有機ＥＬ層を形成することが可能になる。
低分子材料を用いた場合は、図１４のようにマスク７１を用いた蒸着法によって形成する
ことが好ましい。このとき、有効光学領域Ｅに対応する領域及び有効光学領域Ｅに対応す
る領域外（ダミー領域Ｆに対応する領域）が開口したマスクを用いて、材料を成膜するこ
とで本発明が実現できる。蒸着法を用いた場合も、ダミー領域を設けることによって、有
効光学領域全体において均一な有機ＥＬ層を形成することが可能になる。
次に、前記の第１〜第９の実施例により製造された有機ＥＬ装置のいずれかを備えた電
子機器の具体例について説明する。
子機器の具体例について説明する。
図１５（Ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１５（Ａ）において、符号
６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の有機ＥＬ装置のいずれかを用いた表示
部を示している。
６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の有機ＥＬ装置のいずれかを用いた表示
部を示している。
図１５（Ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図
である。図１５（Ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードな
どの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の有機ＥＬ装置のいずれ
かを用いた表示部を示している。
である。図１５（Ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードな
どの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の有機ＥＬ装置のいずれ
かを用いた表示部を示している。
図１５（Ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１５（Ｃ）におい
て、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の有機ＥＬ装置のいずれかを用いた
表示部を示している。
て、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の有機ＥＬ装置のいずれかを用いた
表示部を示している。
図１５（Ａ）〜（Ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の有機ＥＬ装置のいずれかを
用いた表示部を備えたものであり、先の実施例１〜９で製造した有機ＥＬ装置の特徴を有
するので、いずれの有機ＥＬ装置を用いても表示品質に優れた効果を有する電子機器とな
る。
用いた表示部を備えたものであり、先の実施例１〜９で製造した有機ＥＬ装置の特徴を有
するので、いずれの有機ＥＬ装置を用いても表示品質に優れた効果を有する電子機器とな
る。
１０、２５、１０２、２０２ ガラス基板
１１ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１２、２７、１０８ 透明電極
１３、２８、５３、６２、１０９ ＳｉＯ2バンク
１４、２９，４０、５４、６３、１１０、１１０’有機物（ポリイミド）バンク１５ 有
機ＥＬ材料インク組成物
１６ インクジェットヘッド
１７ 有機ＥＬ薄膜層
１７ 発光層用インク組成物
２６ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３０、４１，５５、６４ 正孔注入層材料インク組成物
３１ 正孔注入層
３２、５６，６５ 赤色発光材料インク組成物
３３、５７，６６ 緑色発光材料インク組成物
３４、５８，６７ 青色発光材料インク組成物
３５ 赤色発光層
３６ 緑発光層
３７ 青色発光層
３８ 陰極
４２ 表示画素
４３、４４ ダミー画素
５０ 表示画素
５１ 表示画素領域内ダミー画素
５２ 表示画素領域外ダミー画素
６０ 表示画素
６１ 表示画素領域外ダミー画素
１０１、２０１ 基板
１０３ 回路素子部
１０４，２０４ 表示素子部
１０５ ＴＦＴ素子
１０９’ ＳｉＯ2薄膜
１１１ 表示画素
１１１’ダミー画素
１３１ 正孔注入層
１３５，１３６，１３７ 発光層
Ａ 有効光学領域
Ｂ、Ｄ ダミー領域
Ｃ 有効光学領域群
１１ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１２、２７、１０８ 透明電極
１３、２８、５３、６２、１０９ ＳｉＯ2バンク
１４、２９，４０、５４、６３、１１０、１１０’有機物（ポリイミド）バンク１５ 有
機ＥＬ材料インク組成物
１６ インクジェットヘッド
１７ 有機ＥＬ薄膜層
１７ 発光層用インク組成物
２６ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３０、４１，５５、６４ 正孔注入層材料インク組成物
３１ 正孔注入層
３２、５６，６５ 赤色発光材料インク組成物
３３、５７，６６ 緑色発光材料インク組成物
３４、５８，６７ 青色発光材料インク組成物
３５ 赤色発光層
３６ 緑発光層
３７ 青色発光層
３８ 陰極
４２ 表示画素
４３、４４ ダミー画素
５０ 表示画素
５１ 表示画素領域内ダミー画素
５２ 表示画素領域外ダミー画素
６０ 表示画素
６１ 表示画素領域外ダミー画素
１０１、２０１ 基板
１０３ 回路素子部
１０４，２０４ 表示素子部
１０５ ＴＦＴ素子
１０９’ ＳｉＯ2薄膜
１１１ 表示画素
１１１’ダミー画素
１３１ 正孔注入層
１３５，１３６，１３７ 発光層
Ａ 有効光学領域
Ｂ、Ｄ ダミー領域
Ｃ 有効光学領域群
Claims (6)
- 複数の画素を有する有機エレクトロルミネッセンス装置において、
前記複数の画素は、表示に関係する複数の表示画素、及び表示に関係しない複数のダミー画素を含み、
前記有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記複数の表示画素が配置されてなる有効光学領域、及び前記複数のダミー画素を含んでなるとともに、前記有効光学領域の周囲を囲うように配置されたダミー領域とを具備し、
前記複数の表示画素の各々、及び前記複数のダミー画素の各々は隔壁によって仕切られており、
前記隔壁が無機物バンク層及び前記無機物バンク層上に形成された有機物バンク層を含んでおり、
前記隔壁によって仕切られた領域に有機エレクトロルミネッセンス材料を溶媒に溶解または分散させた組成物を塗布することにより形成された有機エレクトロルミネッセンス層が配置されてなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記有効光学領域においては前記複数の表示画素の各々に設けられた電極上に、前記ダミー領域においては前記無機物バンク層と同一材料からなる層上に、それぞれ形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記有機エレクトロルミネッセンス装置において、
基板と、
前記基板上に設けられた回路素子部と、を有し、
前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記有効光学領域においては前記回路素子部上に形成された電極上に、前記ダミー領域においては前記回路素子部上に、それぞれ形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記有効光学領域及び前記ダミー領域には電極が形成されており、
前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記有効光学領域及び前記ダミー領域において前記電極上に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記有効光学領域及び前記ダミー領域の両方の前記エレクトロルミネッセンス層上に陰極が形成されてなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2005165063A JP4042763B2 (ja) | 2000-11-27 | 2005-06-06 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JP2005165063A JP4042763B2 (ja) | 2000-11-27 | 2005-06-06 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003420940A Division JP4042692B2 (ja) | 2000-11-27 | 2003-12-18 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005322656A JP2005322656A (ja) | 2005-11-17 |
| JP4042763B2 true JP4042763B2 (ja) | 2008-02-06 |
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ID=35469726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005165063A Expired - Lifetime JP4042763B2 (ja) | 2000-11-27 | 2005-06-06 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP5624047B2 (ja) | 2010-06-30 | 2014-11-12 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ表示パネルとその製造方法 |
| KR20130010879A (ko) | 2010-07-15 | 2013-01-29 | 파나소닉 주식회사 | 유기 ｅｌ 표시 패널, 유기 ｅｌ 표시 장치의 제조 방법 |
| JP6976571B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2021-12-08 | 株式会社Joled | 有機ｅｌ表示パネルの製造方法、及び有機ｅｌ表示パネル |
-
2005
- 2005-06-06 JP JP2005165063A patent/JP4042763B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JP2005322656A (ja) | 2005-11-17 |
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