JP4241669B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置 - Google Patents
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Description
有機エレクトロルミネッセンス（本明細書を通じてＥＬと記す）装置に関する。
近年液晶ディスプレイに替わる自発発光型ディスプレイとして有機物を用いた発光素子の開発が加速している。有機物を発光材料として用いた有機エレクトロルミネッセンス（本明細書を通じてＥＬと記す）素子としては、低分子の有機ＥＬ材料（発光材料）を蒸着法で成膜する方法と（非特許文献１参照）、高分子の有機ＥＬ材料を塗布する方法（非特許文献２参照）が主に報告されている。
カラー化の手段としては低分子系材料の場合、マスク越しに異なる発光材料を所望の画素上に蒸着し形成する方法が行われている。一方、高分子系材料については、インクジェット法を用いた微細パターニングによるカラー化が注目されている。インクジェット法による有機ＥＬ素子の形成方法が提案されている（特許文献１〜７参照）。
インクジェット法は、直径がμｍオーダーの液滴を高解像度で吐出、塗布することができるため、有機ＥＬ材料の高精細パターニングが可能である。しかしながら、基板上に塗布された微小液体の乾燥は極めて速く、さらに、基板上の塗布領域における端（上端、下端、右端、左端）では、画素領域に塗布された微小液体から蒸発した溶媒分子分圧が低いため、一般的に速く乾きはじめる。また、ＴＦＴ素子によるアクティブ駆動を行う場合、ＴＦＴ素子領域や、配線等の形状、配置の関係上、画素配置がＸ，Ｙ方向ともに等間隔にできない場合があり、各画素上に塗布された液滴の周囲で局所的な蒸発溶媒分子分圧差が生じる。このような画素上に塗布された有機材料液体の乾燥時間の差は、画素内、画素間での有機薄膜の膜厚ムラを引き起こす。このような膜厚ムラは、輝度ムラ、発光色ムラ等の表示ムラの原因となってしまう。
そこで本発明の目的とするところは、電極上に有機ＥＬ材料を吐出、塗布し有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ装置の製造において、画素領域に塗布された有機ＥＬ材料溶液の周囲の環境、乾燥を均一にし、有効光学領域における各画素間および画素内で輝度、発光色のムラの無い、均一な有機ＥＬ装置を提供することにある。
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、表示に関係する複数
の表示画素が配置された有効光学領域と、表示に関係しない複数のダミー画素が配置され
たダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記ダミー領域は
前記有効光学領域の周囲を囲うように配置され、前記複数の表示画素の各々及び前記複数
のダミー画素の各々は隔壁によって互いに仕切られており、前記複数の表示画素の各々及
び前記複数のダミー画素の各々には電極が設けられており、前記複数の表示画素の各々が
有する前記電極は、表示に寄与するＴＦＴと電気的に接続されており、前記複数のダミー
画素の各々が有する前記電極は、前記ＴＦＴと電気的に接続されておらず、各々の前記電
極上には、マスクを用いた蒸着法によって又は有機エレクトロルミネッセンス材料を溶媒
に溶解又は分散させた組成物を塗布することにより有機エレクトロルミネッセンス層が配
置されていることを特徴とする。
の表示画素が配置された有効光学領域と、表示に関係しない複数のダミー画素が配置され
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前記有効光学領域の周囲を囲うように配置され、前記複数の表示画素の各々及び前記複数
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有する前記電極は、表示に寄与するＴＦＴと電気的に接続されており、前記複数のダミー
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極上には、マスクを用いた蒸着法によって又は有機エレクトロルミネッセンス材料を溶媒
に溶解又は分散させた組成物を塗布することにより有機エレクトロルミネッセンス層が配
置されていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記複数の表示画素の一部である第１表示画素群と前記複数のダミー画素の一部である第１ダミー画素群とは同一方向に並んで配列されており、前記第１表示画素群における隣り合う表示画素間の距離と、前記第１表示画素群及び前記第１ダミー画素群のうち隣り合う表示画素とダミー画素との間の距離とは略等しく、前記第１表示画素群の画素間のピッチ及び前記第１表示画素群の画素間のピッチは同ピッチであり、前記隔壁の内、前記複数の表示画素の各々を仕切る隔壁と前記複数のダミー画素の各々を仕切る隔壁とは同じ形状であることを特徴とする。
本発明の参考例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、表示に関係する表示画素が複数配置された有効光学領域と、表示に関係しないダミー画素が配置されたダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記表示画素に第1電極が設けられ、前記ダミー画素に第２電極が設けられ、前記第１及び第２電極上に、有機エレクトロルミネッセンス材料が配置されていることを特徴とする。
上記の構造により、有効光学領域において、有効光学領域内に塗布された有機ＥＬ材料液体の周囲の環境、乾燥を均一にし、各画素間及び画素内での膜厚を均一にすることができる。なお、有機エレクトロルミネッセンス層とは、発光に寄与する層を指し、正孔注入層や発光層、電子注入層などを含む。また、有効光学領域とは、例えば有機ＥＬ装置が表示装置である場合は有効光学領域、また有機ＥＬ装置が照明装置である場合は照明に寄与する領域を示す。
本発明の参考例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記有効光学領域には、前記第１電極に接続されたＴＦＴが配置されてなり、
前記ダミー領域には、前記第２電極に接続されたＴＦＴが配置されていないことを特徴とする。
前記ダミー領域には、前記第２電極に接続されたＴＦＴが配置されていないことを特徴とする。
本発明の参考例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記表示画素及び前記ダミー画素の各々は隔壁によって仕切られており、前記隔壁によって仕切られた領域に前記有機エレクトロルミネッセンス材料が形成されていることを特徴とする。
また本発明によれば、上記の有機ＥＬ装置を具備してなる電子機器が提供される。かかる電子機器によれば、各画素間および画素内で輝度、発光色のムラの無い、均一なＥＬ表示や照明が実現される。
以上述べたように、本発明によれば、インクジェット方式で基板上に有機ＥＬ材料を吐出、塗布し有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ装置の製造において、表示画素領域の周囲に、ダミー吐出、塗布領域を導入し、有効光学領域において、塗布液滴を、同間隔で配置することにより、画素領域に塗布された有機ＥＬ材料溶液の乾燥を均一にし、有効光学領域画素間或いは各画素内で輝度、発光色のムラの無い、均一な表示装置を提供することが出来る。
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。なお、有機ＥＬ装置を表示装置として用いた例を示す。
インクジェット方式による有機ＥＬ装置の製造方法とは、画素を形成する有機物からなる正孔注入層材料ならびに発光材料を溶媒に溶解または分散させたインク組成物を、インクジェットヘッドから吐出させて透明電極上にパターニング塗布し、正孔注入／輸送層ならびに発光層を形成する方法である。吐出されたインク滴を精度よく所定の画素領域にパターニング塗布する為に、画素領域を仕切る隔壁（以下バンク）を設けるのが通常である。
図１はインクジェット方式による有機ＥＬ表示の製造に用いられる基板構造の一例の断面図を示したものである。ガラス基板１０上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１を有する回路素子部１１’が形成され、この回路素子部１１’上にＩＴＯからなる透明電極１２がパターンニングされている。更に、透明電極１２を区画する領域にＳｉＯ2バンク１３と撥インク性あるいは撥インク化された有機物からなる有機物バンク１４とが積層されている。バンクの形状つまり画素の開口形は、円形、楕円、四角、いずれの形状でも構わないが、インク組成物には表面張力があるため、四角形の角部は丸みを帯びているほうが好ましい。有機物バンク１４の材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地基板との密着性にすぐれたものであれば、特に限定されるものではない。有機物バンク１４は、元来撥液性を備えた材料、例えば、フッ素系樹脂でなくても、通常用いられる、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をパターン形成し、ＣＦ4プラズマ処理等により表面を撥液化してもよい。バンクは、上述したような無機物と有機物とが積層されてなるものに限らないが、例えば透明電極１４がＩＴＯからなる場合は、透明電極１４との密着性を上げるために、ＳｉＯ2バンク１３がある方が好ましい。有機物バンク１４の高さは、１〜２μｍ程度あれば十分である。
次に、図２を参照して、インクジェット方式による有機ＥＬ装置の製造方法の一例を各工程の断面構造に沿って説明する。
図２（Ａ）において、バンク構造を有する画素基板にインクジェット方式により有機ＥＬ材料を含む溶液（インク組成物）をパターン塗布し、有機ＥＬ薄膜を形成する。有機ＥＬ材料インク組成物１５をインクジェットヘッド１６から吐出し、同図（Ｂ）に示すように着弾させ、パターン塗布する。塗布後、真空およびまたは熱処理あるいは窒素ガスなどのフローにより溶媒を除去し、有機ＥＬ薄膜層１７を形成する（同図（Ｃ））。この有機ＥＬ薄膜層１７は、例えば正孔注入層及び発光層からなる積層膜である。
この際、有効光学領域（表示に関係する画素が形成された領域）の端の表示画素では周囲にインク滴が塗布されていないため、インク溶媒分子分圧が内側の画素上より低くなって溶媒が速く乾燥し、例えば、図２（Ｃ）に示したような、膜厚差が表示画素間で生じてしまう場合がある。
そこで、各画素に塗布された液滴を均一に乾燥するためには、有効光学領域の周囲にもインク組成物を吐出、塗布し、有効光学領域に塗布された各液滴に対して同じ環境をつくることが好ましい。より同じ環境を構築するためには、インクジェットによる有機材料の塗布領域を有効光学領域より大きくし、例えば、有効光学領域の周囲に表示画素と同じ形状のバンク構造を有するダミー領域（表示に関係しないダミー画素が形成された領域）を設置することがより好ましい。
また、有効光学領域の画素間におけるインク組成物の乾燥をより均一にするためには有効光学領域での個々の塗布領域が等間隔であることが望ましい。そのためには画素も等間隔で配置されていることが好ましい。ＴＦＴや配線等の設置により各画素間隔が、Ｘ方向とＹ方向で異なる設計になる場合は、間隔のより広い画素間に、塗布領域の間隔が等しくなるようにインク滴を吐出すればよい。該画素間に画素部と同じ形状のバンク構造を形成したダミー画素を設置できればより好ましい。画素の形状は、円、正方形のような点対称の形状でなくても、長方形、トラック形、楕円形でもよい。長方形、トラック形のような画素が、Ｘ方向とＹ方向で異なる間隔で配置されている場合は、画素部と同じ形状をもたなくても、画素間隔の広い領域に、塗布領域が同間隔になるように塗布領域を形成しても効果はある。
尚、本発明は、有機ＥＬ装置の表示用途だけでなく、有機ＥＬ素子を発光源として用いる発光装置、照明装置に適用することができる。
以下、実施例を参照して本発明を更に、具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
（実施例１）
本実施例に用いた基板は、直径３０μｍ径の円形画素が、Ｘ、Ｙ方向ともに７０．５μｍピッチで配置された2インチＴＦＴ基板である。このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。図３（Ａ）にＴＦＴ基板右端側の一部の断面図（Ｘ方向）を示す。回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、この透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成されている。ＳｉＯ2バンク２８はＴＥＯＳ（tetraethylorthosilicate）をＣＶＤで１５０ｎｍ形成しフォトエッチングでパターン形成される。更にその上に感光性ポリイミドを塗布し、露光、現像により、膜厚２μｍのポリイミドバンク２９が形成される。なお、このバンクを形成する材料は、非感光性材料を用いてもよい。
本実施例に用いた基板は、直径３０μｍ径の円形画素が、Ｘ、Ｙ方向ともに７０．５μｍピッチで配置された2インチＴＦＴ基板である。このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。図３（Ａ）にＴＦＴ基板右端側の一部の断面図（Ｘ方向）を示す。回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、この透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成されている。ＳｉＯ2バンク２８はＴＥＯＳ（tetraethylorthosilicate）をＣＶＤで１５０ｎｍ形成しフォトエッチングでパターン形成される。更にその上に感光性ポリイミドを塗布し、露光、現像により、膜厚２μｍのポリイミドバンク２９が形成される。なお、このバンクを形成する材料は、非感光性材料を用いてもよい。
また、図３において、透明電極２７が形成されている領域が有効光学領域Ａであり、ＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９により透明電極２７が区画されていない領域がダミー領域Ｂである。
インクジェット塗布前に、大気圧プラズマ処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理する。大気圧プラズマ処理の条件は、大気圧下で、パワー３００Ｗ、電極−基板間距離１ｍｍ、酸素プラズマ処理では、酸素ガス流量１００ｍｌ／ｍｉｎ、ヘリウムガス流量１０ｌ／ｍｉｎ、テーブル搬送速度１０ｍｍ/ｓで行い、続けてＣＦ4プラズマ処理では、 ＣＦ4ガス流量１００ｍｌ／ｍｉｎ、ヘリウムガス流量１０ｌ／ｍｉｎ、テーブル搬送速度３ｍｍ/ｓの往復で行う。
正孔注入層材料としてバイエル社のバイトロン（登録商標）を用い、極性溶剤であるイソプロピルアルコール，Ｎ−メチルピロリドン，１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンで分散させたインク組成物３０を調製し、Ｘ，Ｙ方向とも７０．５μｍピッチでインクジェットヘッド（エプソン製ＭＪ−９３０Ｃ）から吐出、塗布する。その際、表示画素の周囲に上下、左右３０ラインずつ余計に同じピッチで吐出する。図３（Ｂ）に正孔注入層材料インク組成物３０をパターン塗布した後の、基板右端側の一部の断面図を示す。有効光学領域Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３０がポリイミドバンク２９上に塗布されている。
次に、真空中（１ｔｏｒｒ（133.3Ｐａ））、室温、２０分という条件で溶媒を除去し、その後、窒素中、２００℃（ホットプレート上）、１０分の熱処理により、図３（Ｃ）に示すように正孔注入層３１を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正孔注入層３１を形成することができる。
次に、発光層として、赤色、緑色、青色に発光するポリフルオレン系材料を用いて、赤色発光層用インク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色発光層用インク組成物３４を3種類調製する。インク溶媒としては、シクロヘキシルベンゼンを用いた。図３（Ｃ）に示すように、これらのインク組成物３２、３３、３４をインクジェットヘッドから吐出させ、Ｘ方向に２１１．５μｍピッチ、Ｙ方向には７０．５μｍピッチでパターン塗布した。その際、ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出する。
次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７が形成される。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３７を形成することができる。
発光層形成後、図３（Ｄ）に示すように、陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができた。
（実施例２）
本実施例では、図４に示すように、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されている。
本実施例では、図４に示すように、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されている。
また、ダミー領域Ｂには、ＳｉＯ2バンクから延びるＳｉＯ2膜２８’が設けられるとともに、このＳｉＯ2膜２８’上に表示画素４２と同じ形状、同ピッチでポリイミドバンク４０が設けられてなるダミー画素４３が形成されている。図４（Ａ）に基板右端側の一部の断面図を示す。
実施例１と同じ、正孔注入層用インク組成物４１を７０．５μｍピッチで、表示画素４２ならびにダミー画素４３にパターニング塗布した様子を図４（Ｂ）に示す。実施例１と同様に乾燥、熱処理して形成された表示画素４２の正孔注入層の膜厚は均一であった。
次に、実施例１同様にポリフルオレン系材料からなる発光層インク組成物を表示画素４２ならびにダミー画素４３にパターニング塗布し、乾燥により形成された発光層膜厚は、表示画素４２内で均一であった。陰極形成、封止を行いできあがった有機ＥＬ装置は、表示画素４２を含む有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない表示の均一なものであった。
（実施例３）
本実施例では、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。図５（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されている。
本実施例では、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。図５（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されている。
また、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２６’上には、表示画素４２と同じ形状、同ピッチでポリイミドバンク２９のみが形成されなるダミー画素４４が設けられている。図５（Ａ）は基板右端側の一部の断面図である。
次に、実施例１と同様に、大気圧プラズマ処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理する。
次に、図５（Ｂ）に示すように、実施例１と同様に、正孔注入層材料を含むインク組成物３０を、Ｘ，Ｙ方向とも７０．５μｍピッチで表示画素４２ならびにダミー画素４４にパターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３０が回路素子部２６’上に塗布されている。
次に、真空中（１ｔｏｒｒ（133.3Ｐａ））、室温、２０分という条件で溶媒を除去し、その後、窒素中、２００℃（ホットプレート上）、１０分の熱処理により、図５（Ｃ）に示すような正孔注入層３１が形成される。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正孔注入層３１を形成することができる。
次に、実施例１と同様に、赤色発光層用インク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色発光層用インク組成物３４を３種類調製し、図５（Ｃ）に示すように、これらのインク組成物３２、３３、３４をインクジェットヘッドから吐出させ、それぞれＸ方向に２１１．５μｍピッチ、Ｙ方向には７０．５μｍピッチでパターン塗布する。その際、ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出することが好ましい。
次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３７を形成することができる。
発光層形成後、図５（Ｄ）に示すように、陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができる。
（実施例４）
本実施例では、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。図６（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されている。
本実施例では、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。図６（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されている。
また、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２６’上には、表示画素４２と同じ形状、同ピッチでＳｉＯ2バンク２８とポリイミドバンク２９とが積層されることによりダミー画素４５が設けられている。図６（Ａ）は基板右端側の一部の断面図である。
次に、実施例１と同様に、大気圧プラズマ処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理し、更に図６（Ｂ）に示すように、正孔注入層材料を含むインク組成物３０を表示画素４２ならびにダミー画素４５にパターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３０が回路素子部２６’上に塗布される。
次に、実施例１と同じ条件で正孔注入層材料インク組成物３０の溶媒を除去し、更に実施例１同じ条件で熱処理を行い、図６（Ｃ）に示すような正孔注入層３１を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正孔注入層３１を形成することができる。
次に、実施例１と同様に、赤色発光層用インク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色発光層用インク組成物３４を調製し、図６（Ｃ）に示すように、各インク組成物３２、３３、３４をインクジェットヘッドから吐出させてパターン塗布する。その際、ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出する。
次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３７を形成することができる。
発光層形成後、図６（Ｄ）に示すように、陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができる。
（実施例５）
本実施例では、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。図７（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されている。
本実施例では、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。図７（Ａ）に示すように、このＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されている。
また、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２６’上には、表示画素４２と同じ形状、同ピッチでＳｉＯ2バンク２８とポリイミドバンク２９とが積層されることによりダミー画素４６が設けられている。尚、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２６’にはＴＦＴ２６が設けられていない。図７（Ａ）に基板右端側の一部の断面図を示す。
次に、実施例１と同様に、大気圧プラズマ処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理し、更に図７（Ｂ）に示すように、正孔注入層材料を含むインク組成物３０を表示画素４２ならびにダミー画素４６にパターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３０が回路素子部２６’上に塗布されている。
次に、実施例１と同じ条件で正孔注入層材料インク組成物３０の溶媒を除去し、更に実施例１と同じ条件で熱処理を行い、図７（Ｃ）に示すような正孔注入層３１を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な正孔注入層３１を形成することができる。
次に、実施例１と同様に、赤色発光層用インク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色発光層用インク組成物３４を調製し、図７（Ｃ）に示すように、各インク組成物３２、３３、３４をインクジェットヘッドから吐出させてパターン塗布する。その際、ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出することが好ましい。
次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発光層３５、３６、３７を形成することができる。
発光層形成後、図７（Ｄ）に示すように、陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができる。
また、ダミー画素４６は、透明電極２７と、この透明電極２７を区画するＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９が設けられて構成されており、ＴＦＴ２６が設けられない点を除いて表示画素４２と同じ構成なので、ダミー画素４６に塗布した正孔注入層材料インク組成物３０を、表示画素４２に塗布した場合と同じ条件で乾燥させることができ、これにより有効光学領域Ａには、膜厚がより均一な正孔注入層３１を形成することができ、輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができる。
（実施例６）
本実施例に用いた基板の表示画素領域とダミー画素領域の一部を図８（Ａ）に示す。図８（Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子は示してない。直径６０μｍの円形画素５０が横（Ｘ）方向に８０μｍピッチで、縦(Ｙ)方向に２４０μｍピッチで配列されている。縦方向ラインの表示画素間には、８０μｍピッチで６０μｍ径のダミーバンク画素５１が有り、有効光学領域の周囲には、同じ形状のダミー画素５２が、上下、左右、３０ライン分、同じく８０μｍピッチで形成されている。表示画素は、これまで同様、ＳｉＯ2バンク５３とポリイミドバンク５４との積層バンクで区画されてなり、画素径、ピッチ以外の基本的な断面構造は、実施例１または２と同様である。
本実施例に用いた基板の表示画素領域とダミー画素領域の一部を図８（Ａ）に示す。図８（Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子は示してない。直径６０μｍの円形画素５０が横（Ｘ）方向に８０μｍピッチで、縦(Ｙ)方向に２４０μｍピッチで配列されている。縦方向ラインの表示画素間には、８０μｍピッチで６０μｍ径のダミーバンク画素５１が有り、有効光学領域の周囲には、同じ形状のダミー画素５２が、上下、左右、３０ライン分、同じく８０μｍピッチで形成されている。表示画素は、これまで同様、ＳｉＯ2バンク５３とポリイミドバンク５４との積層バンクで区画されてなり、画素径、ピッチ以外の基本的な断面構造は、実施例１または２と同様である。
実施例１同様の正孔注入層材料インク組成物５５を表示画素５０ならびにダミー画素５１，５２に、すべて８０μｍピッチでパターン塗布した様子を図８（Ｂ）に示す。実施例１同様に正孔注入層を形成し、発光層においても、実施例１と同じ、発光層組成物を３種類５６，５７，５８をそれぞれ縦８０μｍピッチ、横２４０μｍピッチでパターン塗布し、乾燥により発光層を積層成膜した。発光層インク組成物のパターン塗布の様子を図８（Ｃ）に示す。陰極形成、封止を行いできあがった有機ＥＬ装置は、有効光学領域で輝度ムラ、色ムラのない表示の均一なものであった。
（実施例７）
本実施例に用いた基板の有効光学領域とダミー領域の一部を図９（Ａ）に示す。図９（Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子は示してない。横幅５０μｍ、縦幅２００μｍの長方（角は丸み）形画素６０が横（Ｘ）方向に８０μｍピッチで、縦(Ｙ)方向に２９０μｍピッチで配列されている。横方向の画素間間隔は３０μｍ、縦方向の画素間間隔は９０μｍである。表示画素６０…の周囲には、同じ形状のダミー画素６１が、上下、左右、３０ライン分、同じく８０μｍ、２９０μｍピッチで形成されている。表示画素６０は、これまで同様、ＳｉＯ2６２，ポリイミド６３の積層バンクにより区画されてなり、画素径、ピッチ以外の基本的な断面構造は、実施例１または２と同様である。
本実施例に用いた基板の有効光学領域とダミー領域の一部を図９（Ａ）に示す。図９（Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子は示してない。横幅５０μｍ、縦幅２００μｍの長方（角は丸み）形画素６０が横（Ｘ）方向に８０μｍピッチで、縦(Ｙ)方向に２９０μｍピッチで配列されている。横方向の画素間間隔は３０μｍ、縦方向の画素間間隔は９０μｍである。表示画素６０…の周囲には、同じ形状のダミー画素６１が、上下、左右、３０ライン分、同じく８０μｍ、２９０μｍピッチで形成されている。表示画素６０は、これまで同様、ＳｉＯ2６２，ポリイミド６３の積層バンクにより区画されてなり、画素径、ピッチ以外の基本的な断面構造は、実施例１または２と同様である。
実施例１同様の正孔注入層材料インク組成物６４を表示画素６０ならびにダミー画素６１にすべてパターン塗布し、更に、縦方向の画素間の中央にも図９（Ｂ）に示すように組成物６４をパターン塗布した。乾燥後、形成された画素内の正孔注入層は均一膜厚を示したが、縦方向の画素間の中央に塗布しなかった場合は、画素の縦方向の両端で、極端に膜厚が厚くなってしまった。
正孔注入層を形成後、発光層においても、実施例１と同じ、発光層組成物を３種類６５、６６、６７、それぞれ縦２４０μｍピッチ、横２９０μｍピッチでパターン塗布し、正孔注入層の場合と同様、縦方向の画素間の中央にも図９（Ｃ）に示すように発光層用インク組成物６５、６６、６７、をパターン塗布した。これにより乾燥後得られた発光層の膜厚は画素内、画素間で均一であった。陰極形成、封止を行いできあがった有機ＥＬ装置は、有効光学領域で輝度ムラ、色ムラのない表示の均一なものであった。
（実施例８）
図１０（Ａ）に、本実施例に用いる基板の平面図を示す。図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＭＭ’線に沿う部分断面図である。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、この基板１０１は、正孔注入層及び発光層の形成前の基板であり、ガラス基板１０２上に形成された回路素子部１０３と、回路素子部１０３上に形成された発光素子部１０４とから構成されている。発光素子部１０４には、後述する表示画素とダミー画素とが設けられており、更に発光素子部１０４は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光学領域Ａの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Ｂとに区画されている。
図１０（Ａ）に、本実施例に用いる基板の平面図を示す。図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＭＭ’線に沿う部分断面図である。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、この基板１０１は、正孔注入層及び発光層の形成前の基板であり、ガラス基板１０２上に形成された回路素子部１０３と、回路素子部１０３上に形成された発光素子部１０４とから構成されている。発光素子部１０４には、後述する表示画素とダミー画素とが設けられており、更に発光素子部１０４は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光学領域Ａの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Ｂとに区画されている。
回路素子部１０３は、ガラス基板１０２上に形成された複数のＴＦＴ素子１０５…と、このＴＦＴ素子１０５…を覆う第１，第２層間絶縁膜１０６，１０７とから構成されている。ＴＦＴ素子１０５…はマトリックス状に配置されており、各ＴＦＴ素子１０５…にはＩＴＯからなる透明電極１０８…が接続されている。
透明電極１０８…は第２層間絶縁膜１０７上に形成されると共に、ＴＦＴ素子１０５…に対応する位置に配置されている。なお透明電極１０８は、平面視において略円形、矩形、あるいは四角が円弧状の矩形などの形状で形成されていればよい。
透明電極１０８…は第２層間絶縁膜１０７上に形成されると共に、ＴＦＴ素子１０５…に対応する位置に配置されている。なお透明電極１０８は、平面視において略円形、矩形、あるいは四角が円弧状の矩形などの形状で形成されていればよい。
尚、ＴＦＴ素子１０５と透明電極１０８は、発光素子部１０４の有効光学領域Ａに対応する位置のみに形成されている。
次に、発光素子部１０４の有効光学領域Ａには、ＳｉＯ2バンク１０９とポリイミドバンク１１０とが積層されている。ＳｉＯ2バンク１０９及びポリイミドバンク１１０は、透明電極１０８…の間に設けられており、これにより透明電極１０８を囲む開口部１１１が設けられている。
また、発光素子部１０４のダミー領域Ｂには、第２層間絶縁膜１０７上に形成されたＳｉＯ2薄膜１０９’と、ＳｉＯ2薄膜１０９’上に形成されたポリイミドバンク１１０’とが備えられている。ダミー領域Ｂのポリイミドバンク１１０’により、表示画素領域Ａの表示画素１１１とほぼ同一形状のダミー画素１１１’が設けられている。
ダミー領域Ｂに設けられるダミー画素１１１’の数については、図１０（Ａ）の図示Ｘ方向に沿う幅Ｘ’の間に、Ｒ・Ｇ・Ｂの３つのダミー画素からなる組が１０組以上設けることが好ましい。また、図１０（Ａ）の図示Ｙ方向に沿う幅Ｙ’の間に、Ｒ・Ｇ・Ｂの多数のダミー画素からなる列が１０列以上設けることが好ましい。さらに好ましくは、幅Ｘ'と幅Ｙ'の大きさが等しくなるようにダミー画素を配置する。こうすることにより、ダミー領域Ｂとの境界付近にある画素における組成物インクの乾燥条件を、有効光学領域Ａの中央付近の画素における乾燥条件に、より一致させることができる。幅Ｘ'と幅Ｙ'の大きさが等しくなるようにするには、例えば、各画素（表示画素、ダミー画素のいずれも）をＸ方向に７０．５μｍピッチ、Ｙ方向に２１１．５μｍピッチで形成した場合、幅Ｘ'の間に、Ｙ方向に平行に３０ライン（Ｒ、Ｇ、Ｂの３つのダミー画素からなる組が１０組分のライン）、且つ、幅Ｙ'の間に、Ｘ方向に平行なラインが１０ライン、のダミー画素が形成されればよい。これによって、Ｙ方向のピッチは、Ｘ方向のピッチの３倍であるため、幅Ｘ'と幅Ｙ'の大きさがほぼ等しくなる。ダミー画素の数はこれに限らないが、ダミー画素１１１’の数が過剰になると、表示に関係しない額縁が大きくなり、すなわち表示モジュールが大きくなるので好ましくない。
この基板１０１に対して、実施例１と同様に大気圧プラズマ処理を施してポリイミドバンク１１０，１１０’を撥インク処理し、正孔注入層材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドから吐出させて表示画素１１１ならびにダミー画素１１１’にパターニング塗布する。表示画素１１１では、正孔注入層材料インク組成物が透明電極１０８上に塗布され、一方ダミー１１１’では、正孔注入層材料インク組成物がＳｉＯ2薄膜１０９’上に塗布される。
尚、正孔注入層材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドにより吐出させる際には、例えば、表示素子部１０４幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の幅のノズル列を有するインクジェットヘッドを用意し、このインクジェットヘッドを、図１０（Ａ）の下側から図中矢印Ｙ方向に沿って基板１０１上に移動させながら行うことが好ましい。これにより、インク組成物の吐出順序が、図中下側のダミー領域Ｂ、有効光学領域Ａ、図中上側のダミー領域Ｂの順となり、インク組成物の吐出を、ダミー領域Ｂから始めてダミー領域Ｂで終了させることができる。ダミー領域Ｂで組成物インクを吐出させてから有効光学領域Ａで吐出するため、有効光学領域Ａでのインク組成物を均一に乾燥することができる。
次に、実施例１と同じ条件で正孔注入層材料インク組成物の溶媒を除去し、更に実施例１同じ条件で熱処理を行い、図１１（Ａ）に示すような正孔注入層１３１を形成する。
有効光学領域Ａの外側にはダミー画素１１１’が設けられており、このダミー画素１１１’に対しても表示画素１１１と同様に組成物インクの吐出、乾燥を行うので、ダミー領域Ｂとの境界付近にある表示画素１１１における組成物インクの乾燥条件を、有効光学領域Ａの中央付近の表示画素１１１における乾燥条件にほぼ一致させることができ、これによりダミー領域Ｂとの境界付近にある表示画素１１１でも均一な膜厚の正孔注入層１３１を形成することができる。従って有効光学領域Ａの全体に渡って、膜厚の均一な正孔注入層１３１を形成することができる。
次に、実施例１と同様に、赤色、緑色、青色の発光層用インク組成物をインクジェットヘッドから吐出させて表示画素１１１ならびにダミー画素１１１’にパターン塗布し、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８０℃、５分での熱処理により発光層１３５，１３６，１３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、正孔注入層１３１の場合と同様にして、膜厚の均一な発光層１３５、１３６、１３７を形成することができる。
尚、発光層の形成の際には、正孔注入層の場合と同様にしてインクジェットヘッドを図１０（Ａ）の下側から図中矢印Ｙ方向に沿って基板１０１上に移動させながら行い、インク組成物の吐出順序を、図中下側のダミー領域Ｂ、有効光学領域Ａ、図中上側のダミー領域Ｂの順とし、これによりインク組成物の吐出をダミー領域Ｂから始めてダミー領域Ｂで終了させるようにすることが好ましい。これにより、有効光学領域Ａの全体において、発光層を含むインク組成物の乾燥を均一に行うことができた。
発光層形成後、図１１（Ｂ）に示すように、陰極１３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂１３９により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができる。
（実施例９）
図１２に、本実施例に用いる基板の平面図を示す。図１２に示すように、この基板２０１は、ガラス基板２０２上に形成された図示略の回路素子部と、この回路素子部上に形成された複数の発光素子部２０４…とを主体として構成されている。図１２の基板２０１には、１６個の発光素子部２０４…が４列４行のマトリックス状に配置されている。各発光素子部２０４には、実施例８と同様な図示略の表示画素及びダミー画素が設けられており、更に各発光素子部２０４…は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光学領域Ａの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Ｂとに区画されている。
図１２に、本実施例に用いる基板の平面図を示す。図１２に示すように、この基板２０１は、ガラス基板２０２上に形成された図示略の回路素子部と、この回路素子部上に形成された複数の発光素子部２０４…とを主体として構成されている。図１２の基板２０１には、１６個の発光素子部２０４…が４列４行のマトリックス状に配置されている。各発光素子部２０４には、実施例８と同様な図示略の表示画素及びダミー画素が設けられており、更に各発光素子部２０４…は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光学領域Ａの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Ｂとに区画されている。
有効光学領域Ａにおける表示画素と、ダミー領域Ｂにおけるダミー画素の構成は、実施例８において説明した表示画素１１１及びダミー画素１１１’の構成と同じである。また、図示略の回路素子部の構成も、実施例８の回路素子部１０３の構成と同じである。
このようにして基板２０１には、複数の有効光学領域Ａ…からなる有効光学領域群Ｃが形成されている。
この基板２０１は最終的に、図中一点鎖線に沿って切り離され、１６枚の小さな基板に切り分けられる。これにより、１つの基板から複数の有機ＥＬ装置を同時に製造することができる。
更に基板２０１には、有効光学領域群Ｃの周囲に別のダミー領域Ｄが形成されている。
ダミー領域Ｄに設けられるダミー画素の数は、図１２の図示Ｘ方向に沿う幅Ｘ’の間には、Ｒ・Ｇ・Ｂの３つのダミー画素からなる組を１０組以上設けることが好ましい。また、図１２の図示Ｙ方向に沿う幅Ｙ’の間には、Ｒ・Ｇ・Ｂの多数のダミー画素からなる列を１０列以上設けることが好ましい。
この基板２０１に対して、実施例８と同様にしてポリイミドバンクを撥インク処理し、更に正孔注入層材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドから吐出させて表示画素ならびにダミー画素にパターニング塗布する。
尚、正孔注入層材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドにより吐出させる際には、例えば、１つの表示素子部２０４幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の幅のノズル列を有するインクジェットヘッドを用意し、このインクジェットヘッドを、図１２の図中下側から表示素子部２０４上を図中矢印Ｙ方向に沿って図中上側まで移動させながら行うことが好ましい。インクジェットヘッドの幅は、これに限らず、一つの表示素子部２０４の幅の整数倍であればよい。
このときのインクジェットヘッドの軌跡は、例えば図１３（Ａ）に示すように、インクジェットヘッドＨを図中上側に移動させた後に斜め下側まで空走し、再度上側に向けて移動させるジグザグな軌跡や、図１３（Ｂ）に示すように上側に移動してから横方向にスライド（空走）し、次に下側に移動させるつづら折れ状の軌跡であっても良い。
上記の場合はいずれも、インク組成物の吐出順序が、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域Ａ、ダミー領域Ｂ、Ｄ、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域Ａ、…、ダミー領域Ｂ、Ｄの順となり、インク組成物の吐出を、ダミー領域Ｄから始めてダミー領域Ｄで終了させることができる。
また、実施例８のように、有効光学領域群Ｃの幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の幅のノズル列を有するインクジェットヘッドを用意し、このインクジェットヘッドを、図１２の図中下側から表示素子部２０４上を図中矢印Ｙ方向に沿って図中上側まで移動させながら行ってもよい。この場合のインク組成物の吐出順序は、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域Ａ、ダミー領域Ｂ、Ｄの順となり、インク組成物の吐出を、ダミー領域Ｄから始めてダミー領域Ｄで終了させることができる。
従っていずれの場合も、ダミー領域Ｄでインク組成物を吐出させてから有効光学領域Ａで吐出するため、有効光学領域Ａの全体において、インク組成物の乾燥を均一に行うことができた。
また、インクジェットヘッドがジグザグな軌跡やつづら折れ状の軌跡をとる場合は、空走の後に必ずダミー領域Ｄで吐出することになるので、空走中にインクジェットヘッドに充填されたインクの状態が変化した場合でも、ダミー領域Ｄで予備吐出してから有効光学領域Ａで吐出することになり、有効光学領域Ａでの吐出を安定して行うことができる。
次に、実施例１と同様にして正孔注入層材料インク組成物の溶媒の除去、熱処理を行い、正孔注入層１３１を形成する。
有効光学領域Ａの外側にはダミー領域Ｂのダミー画素が設けられ、更にその外側には別のダミー領域Ｄのダミー画素が設けられているので、ダミー領域Ｂとの境界付近にある表示画素における組成物インクの乾燥条件を、有効光学領域Ａの中央付近の表示画素における乾燥条件にほぼ一致させることができ、これによりダミー領域Ｂとの境界付近にある表示画素でも均一な厚さの正孔注入層を形成することができる。従って有効光学領域Ａの全体に渡って、膜厚の均一な正孔注入層を形成することができる。
特に、ダミー領域Ｄが有効光学領域群Ｃの周囲に設けられているので、１つの基板から多数の表示装置を製造する場合でも、膜厚の均一な正孔注入層を形成できる。
次に、実施例１と同様に、赤色、緑色、青色の発光層用インク組成物をインクジェットヘッドから吐出させて有効光学領域ならびにダミー領域にパターン塗布して熱処理することでＲ・Ｇ・Ｂの発光層を形成する。有効光学領域Ａにおいては、正孔注入層の場合と同様に、膜厚の均一な発光層を形成できる。
尚、発光層の形成の際には、正孔注入層の場合と同様にしてインクジェットヘッドを図１３（Ａ）または図１３（Ｂ）に示すように移動させながら行うことで、インク組成物の吐出順序を正孔注入層の場合と同様とし、これによりインク組成物の吐出をダミー領域Ｄから始めてダミー領域Ｄで終了させるようにできる。
これにより、有効光学領域Ａの全体において、インク組成物の乾燥を均一に行うことができた。
これにより、有効光学領域Ａの全体において、インク組成物の乾燥を均一に行うことができた。
発光層形成後、陰極として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂により封止を行う。
こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができる。
なお、ここでは有機ＥＬ層として高分子材料を用いたが、低分子材料を用いてもよい。低分子材料を用いた場合は、図１４のようにマスク７１を用いた蒸着法によって形成することが好ましい。このとき、有効光学領域Ｅに対応する領域及び有効光学領域Ｅに対応する領域外（ダミー領域Ｆに対応する領域）が開口したマスクを用いて、材料を成膜することで本発明が実現できる。蒸着法を用いた場合も、ダミー領域を設けることによって、有効光学領域全体において均一な有機ＥＬ層を形成することが可能になる。
（実施例１０）
次に、前記の第１〜第９の実施例により製造された有機ＥＬ装置のいずれかを備えた電子機器の具体例について説明する。
次に、前記の第１〜第９の実施例により製造された有機ＥＬ装置のいずれかを備えた電子機器の具体例について説明する。
図１５（Ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１５（Ａ）において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の有機ＥＬ装置のいずれかを用いた表示部を示している。
図１５（Ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１５（Ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の有機ＥＬ装置のいずれかを用いた表示部を示している。
図１５（Ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１５（Ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の有機ＥＬ装置のいずれかを用いた表示部を示している。
図１５（Ａ）〜（Ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の有機ＥＬ装置のいずれかを用いた表示部を備えたものであり、先の実施例１〜９で製造した有機ＥＬ装置の特徴を有するので、いずれの有機ＥＬ装置を用いても表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。
１０、２５、１０２、２０２ ガラス基板
１１ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１２、２７、１０８ 透明電極
１３、２８、５３、６２、１０９ ＳｉＯ2バンク
１４、２９，４０、５４、６３、１１０、１１０’有機物（ポリイミド）バンク１５ 有機ＥＬ材料インク組成物
１６ インクジェットヘッド
１７ 有機ＥＬ薄膜層
２６ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３０、４１，５５、６４ 正孔注入層材料インク組成物
３１ 正孔注入層
３２、５６，６５ 赤色発光材料インク組成物
３３、５７，６６ 緑色発光材料インク組成物
３４、５８，６７ 青色発光材料インク組成物
３５ 赤色発光層
３６ 緑色発光層
３７ 青色発光層
３８ 陰極
４２ 表示画素
４３、４４ ダミー画素
５０ 表示画素
５１ 表示画素領域内ダミー画素
５２ 表示画素領域外ダミー画素
６０ 表示画素
６１ 表示画素領域外ダミー画素
１０１、２０１ 基板
１０３ 回路素子部
１０４，２０４ 表示素子部
１０５ ＴＦＴ素子
１０９’ ＳｉＯ2薄膜
１１１ 表示画素
１１１’ダミー画素
１３１ 正孔注入層
１３５，１３６，１３７ 発光層
Ａ 有効光学領域
Ｂ、Ｄ ダミー領域
Ｃ 有効光学領域群
１１ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１２、２７、１０８ 透明電極
１３、２８、５３、６２、１０９ ＳｉＯ2バンク
１４、２９，４０、５４、６３、１１０、１１０’有機物（ポリイミド）バンク１５ 有機ＥＬ材料インク組成物
１６ インクジェットヘッド
１７ 有機ＥＬ薄膜層
２６ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３０、４１，５５、６４ 正孔注入層材料インク組成物
３１ 正孔注入層
３２、５６，６５ 赤色発光材料インク組成物
３３、５７，６６ 緑色発光材料インク組成物
３４、５８，６７ 青色発光材料インク組成物
３５ 赤色発光層
３６ 緑色発光層
３７ 青色発光層
３８ 陰極
４２ 表示画素
４３、４４ ダミー画素
５０ 表示画素
５１ 表示画素領域内ダミー画素
５２ 表示画素領域外ダミー画素
６０ 表示画素
６１ 表示画素領域外ダミー画素
１０１、２０１ 基板
１０３ 回路素子部
１０４，２０４ 表示素子部
１０５ ＴＦＴ素子
１０９’ ＳｉＯ2薄膜
１１１ 表示画素
１１１’ダミー画素
１３１ 正孔注入層
１３５，１３６，１３７ 発光層
Ａ 有効光学領域
Ｂ、Ｄ ダミー領域
Ｃ 有効光学領域群
Claims (2)
- 表示に関係する複数の表示画素が配置された有効光学領域と、表示に関係しない複数の
ダミー画素が配置されたダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であっ
て、
前記ダミー領域は前記有効光学領域の周囲を囲うように配置され、
前記複数の表示画素の各々及び前記複数のダミー画素の各々は隔壁によって互いに仕切
られており、
前記複数の表示画素の各々及び前記複数のダミー画素の各々には電極が設けられており
、
前記複数の表示画素の各々が有する前記電極は、表示に寄与するＴＦＴと電気的に接続
されており、
前記複数のダミー画素の各々が有する前記電極は、前記ＴＦＴと電気的に接続されてお
らず、
各々の前記電極上には、マスクを用いた蒸着法によって又は有機エレクトロルミネッセ
ンス材料を溶媒に溶解又は分散させた組成物を塗布することにより有機エレクトロルミネ
ッセンス層が配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記複数の表示画素の一部である第１表示画素群と前記複数のダミー画素の一部である
第１ダミー画素群とは同一方向に並んで配列されており、
前記第１表示画素群における隣り合う表示画素間の距離と、前記第１表示画素群及び前
記第１ダミー画素群のうち隣り合う表示画素とダミー画素との間の距離とは略等しく、
前記第１表示画素群の画素間のピッチ及び前記第１表示画素群の画素間のピッチは同ピ
ッチであり、
前記隔壁の内、前記複数の表示画素の各々を仕切る隔壁と前記複数のダミー画素の各々
を仕切る隔壁とは同じ形状であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス装置。
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