JP4042762B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、表示に関係する複数の表示画素が配置されてなる有効光学領域と、前記有効光学領域の周囲に設けられて表示に関係しない複数の第1ダミー画素が配置されてなるダミー領域とを具備し、前記複数の表示画素の隣り合う表示画素間のうち、少なくとも一部の前記隣り合う表示画素間には、表示に関係しない第2ダミー画素を有し、前記複数の表示画素の各々、前記複数の第1ダミー画素の各々及び前記第2ダミー画素は、各々有機エレクトロルミネッセンス層を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、有機エレクトロルミネッセンス材料を溶媒に溶解又は分散させた組成物を前記有効光学領域、前記ダミー領域及び前記隣り合う表示画素間に塗布する工程と、前記塗布された組成物を乾燥させ前記有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程と、を有し、前記第2ダミー画素は、前期ダミー画素に隣接する表示画素に対して間隙を有して形成されることを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、表示に関係する表示画素が複数配置された有効光学領域と、表示に関係しないダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、有機エレクトロルミネッセンス材料を溶媒に溶解または分散させた組成物が、前記表示画素と、隣りあう前記表示画素間と、前記ダミー領域と、に形成されていることを特徴とする。
上記製造方法により製造される有機エレクトロルミネッセンス装置では、有効光学領域における各画素間および画素内で輝度、発光色のムラの無い、均一なEL表示が実現される。
本実施例に用いた基板は、直径30μm径の円形画素が、X、Y方向ともに70.5μmピッチで配置された2インチTFT基板である。このTFT基板は、ガラス基板25と、このガラス基板上に形成されたTFT26を有する回路素子部26 ’とから構成されている。図3(A)にTFT基板右端側の一部の断面図(X方向)を示す。回路素子部26 ’上にITOからなる透明電極27が形成され、この透明電極27を仕切るようにSiO2バンク28及びポリイミドバンク29の2層からなるバンクが回路素子部26 ’上に形成されている。SiO2バンク28はTEOS(tetraethylorthosilicate)をCVDで150nm形成しフォトエッチングでパターン形成される。更にその上に感光性ポリイミドを塗布し、露光、現像により、膜厚2μmのポリイミドバンク29が形成される。なお、このバンクを形成する材料は、非感光性材料を用いてもよい。
本実施例では、図4に示すように、参考例1と同様に、有効光学領域Aの周囲にダミー領域Bを配置したTFT基板を用いた。このTFT基板は、ガラス基板25と、このガラス基板25上に形成されたTFT26を有する回路素子部26 ’とから構成されている。また回路素子部26 ’上にITOからなる透明電極27が形成され、更にこの透明電極27を仕切るようにSiO2バンク28及びポリイミドバンク29の2層からなるバンクが回路素子部26 ’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Aに表示画素42が形成されている。
本実施例では、参考例1と同様に、有効光学領域Aの周囲にダミー領域Bを配置したTFT基板を用いた。図5(A)に示すように、このTFT基板は、ガラス基板25と、このガラス基板25上に形成されたTFT26を有する回路素子部26 ’とから構成されている。また回路素子部26 ’上にITOからなる透明電極27が形成され、更にこの透明電極27を仕切るようにSiO2バンク28及びポリイミドバンク29の2層からなるバンクが回路素子部26 ’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Aに表示画素42が形成されている。
本実施例では、参考例1と同様に、有効光学領域Aの周囲にダミー領域Bを配置したTFT基板を用いた。図6(A)に示すように、このTFT基板は、ガラス基板25と、このガラス基板25上に形成されたTFT26を有する回路素子部26 ’とから構成されている。また回路素子部26 ’上にITOからなる透明電極27が形成され、更にこの透明電極27を仕切るようにSiO2バンク28及びポリイミドバンク29の2層からなるバンクが形成されている。このようにして、有効光学領域Aに表示画素42が形成されている。
本実施例では、参考例1と同様に、有効光学領域Aの周囲にダミー領域Bを配置したTFT基板を用いた。図7(A)に示すように、このTFT基板は、ガラス基板25と、このガラス基板25上に形成されたTFT26を有する回路素子部26 ’とから構成されている。また回路素子部26 ’上にITOからなる透明電極27が形成され、更にこの透明電極27を仕切るようにSiO2バンク28及びポリイミドバンク29の2層からなるバンクが回路素子部26 ’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Aに表示画素42が形成されている。
本実施例に用いた基板の表示画素領域とダミー画素領域の一部を図8(A)に示す。図8(A)は基板の平面図であり、ここではTFT素子は示してない。直径60μmの円形画素50が横(X)方向に80μmピッチで、縦(Y)方向に240μmピッチで配列されている。縦方向ラインの表示画素間には、80μmピッチで60μm径のダミーバンク画素51が有り、有効光学領域の周囲には、同じ形状のダミー画素52が、上下、左右、30ライン分、同じく80μmピッチで形成されている。表示画素は、これまで同様、SiO2バンク53とポリイミドバンク54との積層バンクで区画されてなり、画素径、ピッチ以外の基本的な断面構造は、参考例1または2と同様である。
本実施例に用いた基板の有効光学領域とダミー領域の一部を図9(A)に示す。図9(A)は基板の平面図であり、ここではTFT素子は示してない。横幅50μm、縦幅200μmの長方(角は丸み)形画素60が横(X)方向に80μmピッチで、縦(Y)方向に290μmピッチで配列されている。横方向の画素間間隔は30μm、縦方向の画素間間隔は90μmである。表示画素60…の周囲には、同じ形状のダミー画素61が、上下、左右、30ライン分、同じく80μm、290μmピッチで形成されている。表示画素60は、これまで同様、SiO262,ポリイミド63の積層バンクにより区画されてなり、画素径、ピッチ以外の基本的な断面構造は、参考例1または2と同様である。
図10(A)に、本実施例に用いる基板の平面図を示す。図10(B)は図10(A)のMM ’線に沿う部分断面図である。図10(A)及び図10(B)に示すように、この基板101は、正孔注入層及び発光層の形成前の基板であり、ガラス基板102上に形成された回路素子部103と、回路素子部103上に形成された発光素子部104とから構成されている。発光素子部104には、後述する表示画素とダミー画素とが設けられており、更に発光素子部104は、表示画素群からなる有効光学領域Aと、有効光学領域Aの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Bとに区画されている。
透明電極108…は第2層間絶縁膜107上に形成されると共に、TFT素子105…に対応する位置に配置されている。なお透明電極108は、平面視において略円形、矩形、あるいは四角が円弧状の矩形などの形状で形成されていればよい。
図12に、本実施例に用いる基板の平面図を示す。図12に示すように、この基板201は、ガラス基板202上に形成された図示略の回路素子部と、この回路素子部上に形成された複数の発光素子部204…とを主体として構成されている。図12の基板201には、16個の発光素子部204…が4列4行のマトリックス状に配置されている。各発光素子部204には、参考例8と同様な図示略の表示画素及びダミー画素が設けられており、更に各発光素子部204…は、表示画素群からなる有効光学領域Aと、有効光学領域Aの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Bとに区画されている。
これにより、有効光学領域Aの全体において、インク組成物の乾燥を均一に行うことができた。
次に、前記の第1〜第9の実施例により製造された有機EL装置のいずれかを備えた電子機器の具体例について説明する。
11 薄膜トランジスタ(TFT)
12、27、108 透明電極
13、28、53、62、109 SiO2バンク
14、29,40、54、63、110、110 ’有機物(ポリイミド)バンク15 有機EL材料インク組成物
16 インクジェットヘッド
17 有機EL薄膜層
17 発光層用インク組成物
26 薄膜トランジスタ(TFT)
30、41,55、64 正孔注入層材料インク組成物
31 正孔注入層
32、56,65 赤色発光材料インク組成物
33、57,66 緑色発光材料インク組成物
34、58,67 青色発光材料インク組成物
35 赤色発光層
36 緑発光層
37 青色発光層
38 陰極
42 表示画素
43、44 ダミー画素
50 表示画素
51 表示画素領域内ダミー画素
52 表示画素領域外ダミー画素
60 表示画素
61 表示画素領域外ダミー画素
101、201 基板
103 回路素子部
104,204 表示素子部
105 TFT素子
109 ’ SiO2薄膜
111 表示画素
111 ’ダミー画素
131 正孔注入層
135,136,137 発光層
A 有効光学領域
B、D ダミー領域
C 有効光学領域群
Claims (2)
- 表示に関係する複数の表示画素が配置されてなる有効光学領域と、前記有効光学領域の周囲に設けられて表示に関係しない複数の第1ダミー画素が配置されてなるダミー領域とを具備する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記複数の表示画素の隣り合う表示画素間のうち、少なくとも一部の前記隣り合う表示画素間には、表示に関係しない第2ダミー画素を有し、
前記複数の表示画素の各々、前記複数の第1ダミー画素の各々及び前記第2ダミー画素は、有機エレクトロルミネッセンス材料を溶媒に溶解または分散させた組成物を塗布することにより形成された有機エレクトロルミネッセンス層を有し、
前記第2ダミー画素は、前記第2ダミー画素に隣接する表示画素に対して間隙を有して形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 表示に関係する複数の表示画素が配置されてなる有効光学領域と、前記有効光学領域の周囲に設けられて表示に関係しない複数の第1ダミー画素が配置されてなるダミー領域とを具備し、前記複数の表示画素の隣り合う表示画素間のうち、少なくとも一部の前記隣り合う表示画素間には、表示に関係しない第2ダミー画素を有し、前記複数の表示画素の各々、前記複数の第1ダミー画素の各々及び前記第2ダミー画素は、各々有機エレクトロルミネッセンス層を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
有機エレクトロルミネッセンス材料を溶媒に溶解又は分散させた組成物を前記有効光学領域、前記ダミー領域及び前記隣り合う表示画素間に塗布する工程と、
前記塗布された組成物を乾燥させ前記有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程と、を有し、
前記第2ダミー画素は、前期ダミー画素に隣接する表示画素に対して間隙を有して形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
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