TW465037B - Self-aligned metal caps for interlevel metal connections - Google Patents

Description

A7 46 50 3 7 ΒΓ 五、發明說明（h 链明背晉 1 .坊領域 本發明是有關於半導體的製造μ a,特別是提供一 金靨帽蓋來改善金屬線間的介面的方法和裝置。 2 .相關抟術的描述_ 連至鋁（A 1 )雙重嵌人層的接點良率時當受到鋁混合物 所限制，例如氧化鋁（A 1 0 X ),其被創造於一導孔的底 部K在藉由一化學懺械拋光（CMP)製程所遺留下的化學 地不穩定的鋁表面之上做為一後來製程步驟的結合。 這些製程步驟典型地包括了絕緣層沈積，在導孔蝕刻 期間的反應式離子蝕刻，光咀去灰，K及化學濕式洗淨 。這些化合物和/或剩下來的在一預金屬沈積濺鍍洗淨 也很難移除，其時常導致良率很糟。另一個嵌人式結構 的問題是在鋁線的上面上並沒有多餘的導體；缺少多餘 的導髖可能使内部連接的可靠性劣化。 後段金屬化结構Μ 了解在積體電路（I C s )的内部連接 可經由減層方法或嵌入方法來了解。在減層方法中，一 毯覆金屬薄膜經由微影成像，Μ及蝕刻使圖案被成形。 金屬薄膜通常是一堆疊，其由一低電阻材料所組成，比 如說夾在阻隔Μ及線性金鼷之間的鋁.比如說鈦，鈦氮 化合物或是其兩者的結合物。所造成位於線間的空間稍 後Μ —介電質來填充。 在嵌入方法的情形下，一介電質是先沈積來做為一毯 覆薄膜。然後溝槽經由微影成像和蝕刻技術來形成。通 本紙張尺度適用尹國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） — I------.---U----裝--------訂----------線· ί. < (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 4 6 5 0 .) _B7_ 五、發明說明（2) 常再用一疊不同型式的金鼷來填滿這些溝槽，然後對該 金鼷背拋光直到介電層的表面（C Μ P )。典型上，可使用 過度拋光來確保在線路間不會經由線留的金_而造成短 路。嵌人製程可Κ藉由後來的形成導孔至較低的層Μ及 溝槽來固定一層的內部連接來輕易的伸廣至一雙重嵌人 製程Μ被了解。在金靨沈積和化學機械拋光（CMP)製程 之前，這些導孔，Μ及溝槽已形成於在一同樣的毯覆的 介電薄膜。由於製程步驟的減少，使得雙重嵌人製程典 型地較不貴。此外，由於基本規則的持績縮小，更加容 易蝕刻介電質，比如說，蝕刻矽氧化物就比蝕刻金屬堆 疊容易。 另一個嵌入和減層金屬化法之間的不同在於嵌人法遺 留下有已拋光鋁或鋁銅的表面，在其背後比呔或氮化鈦 更大的反應。少了這種多餘的導體可能降低內部連接的 可靠性。 因為嵌入式的方法是婼束於一化學機槭摁光（CMP)步 :——.--------*-----裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂- -線/ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 。 的漸介定氧蝕影 的靠逐。而的孔些 述可或關份地導這 描且 ，無成當在於 所的程式的或。究 上好製方地離大歸 如良嵌的當隔越可 面成鑲接的U)就也 表形，連面(C也物 的面層部表銅量合 應表入内的像化混 反的嵌的光到變或 當要重擇拋受的物 相重雙選被於地留 一 這個所著由當殘 下與一和隨 -,.的 留要另這的如響成 遺需是 ，烈例影彤 面層它程強 ，同所 後觸論製會小不中 在接無孔質越的程 其個。導品‘孔度製 ，一面细的導程的 驟下介變面。化刻 本紙張尺度適用尹國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 “650 3 7 a? _B7__j_ 五、發明說明（3) 響。這些影響很難控制或用洗淨步驟來消除。 參考第1圖，一介電層12是被印上圔荼，Μ形成導孔 14和溝槽16。導孔14和溝槽都是用一金屬來填充，比如 說鋁。另一個介電層18是被沈積且被印上圖案Κ形成導 孔20。在印上圖案導孔20之時，鋁的部份22氧化。這種 氧化特別難Μ洗淨。當另一種導電材料2 6 ,比如說鋁， 被沈積時，介於材料2 6和一内部連接2 4之間的介面包括 了一氧化物在其之間，其使電阻增加，良率降低，Μ及 減少可靠度。 所Μ,在金屬連接的層與曆之間需要一個更可靠且更 好的可控制的介面。 太發明的摘要 一種用自我調整的金屬帽蓋來連接金屬結構的方法， 根據本發明，其包括提供一金屬結構於一第一介電層中 。該金屬結構和該第一介電層共同分享了 一實質地平面 的表面。一帽蓋金匾係選擇性的被沈積在該金屬結構上 如此Μ使得帽蓋金屬衹沈積於讀金屬结構之上。一第一 介電層形成於該帽蓋金屬上。該第二介電層被打開以形 成一導孔其终結於該帽蓋金屬之中。一導電材料被沈積 於導孔中，以透過該帽蓋金屬提供一至該金闥结構的接 點。 在另一種交替的方法中，該金屬結構可包括鋁或銅， 而且該帽蓋金屬可包括鏡。該接點可包括鋁或嗣。透過 該一導孔來洗淨該帽蓋金屬的步驟也可被包括。該帽蓋 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —-------ΐ---•裝--------訂 ----------線 ί' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 6 5 Ο 3 ί Α7 __Β7____ 五、發明說明（4) 金屬可包括一介於約30 0埃U )至5 0 0埃U )之間的厚度。 另一種用自我調整的金屬帽蓋來連接金屬結構的方法 ，根據本發明，包括提供一金屬结構於一第一介電層中 。該金屬結構和該第一介電層共同分享了 一實質地平面 的表面。一耐火金屬是被沈積於該金屬結構和該第一介 電曆上。一合金形成該金屬結構和該耐火金屬之間如此 使得該合金祗形成在該金屬结構上的該實質地平面的表 面。該耐火材料從該第一介電層被移除如此使得該合金 的一部份仍屬於該金屬結構中。一第二介電層形成於該 合金上。該第二介電層是被打開Μ形成一導孔其終结於 該合金之中。一導電材料被沈積該導孔中Μ透過該合金 提供一至該金屬結構的接點。 在另一種交替的方法中，該金屬结構可包括鋁或銅。 該耐火金屬可包括鈦，鎂，鎳，钽，铪和/或鈮。該接 點包括鋁或銅。透過該導孔來洗淨該帽蓋金屬的步驟也 可被包括。該帽蓋金屬可包括一介於妁300埃（S )至約 5 0 0埃（ί )之間的厚度。形成一合金的步驟可包括燒結 的步驟其溫度大於攝氐4 0 5 °C。移除該耐火金屬的步驟 可包括用蝕刻劑來對該耐火金屬蝕刻。移除該耐火金_ 的步驟可包括對該耐火金屬拋光。 本發明的這些和其它目標，特徵Μ及優點會從Μ下例 舉的實例的詳细描逑而變的明顯且要隨著附圖一起來閱 讀。 I忒夕簡Μ說明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） ------r ί — ί----裝-------訂---------- _身 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7______ 五、發明說明（5) 將會參考Κ下的圖式來仔细揭露Μ下較佳的實例的描 述。 第1圖是一傳統的接點結構的橫剖面； 第2圖是一具有帽蓋金屬形成於其上的一金屬結構的 横剖面圖，根據本發明。 第3圖是第2圖的結構的橫剖面圖，其顯示出所形成 的一介電層，根據本發明。 第4圖是第3圖的結構的横剖面圖，其顯示出透過介 電層所彤成的導孔旦終結在帽蓋金屬之中，根據本發明。 第5圖是第4圖的結構的横剖面圖，其顯示出在導孔 中所形成的接點且終點在帽蓋金屬之中，根據本發明。 第6圖是一金屬结構的横剖面圖，其顯示出一耐火金 屬層沈積在其上，根據本發明。 第7圖是第6圖的結構的横剖面圖，其顯示出經由燒 結的合金Κ形成一帽蓋金屬，根據本發明。 第8圖是第6圖的結構的橫剖面圖，其顯示出附火金 圏，其係被選擇地移至合金，根據本發明。 第9圖是第8圖的結構的橫剖面圖，其顯示出一形成 接點，其係終結於帽蓋金屬（合金），根據本'發明；且 第]0圖是一形成於介電層中的雙重嵌入结構的橫剖面 圖，根據本發明。 龄住實例的詳細描诚 本發明是關於半導體製造且更特別的是一種方法和裝 置經由提供一金屬帽蓋來改進金屬線之間的介面。經由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —,----：----——-裝---------訂----------4^._ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 46 50 3 7 B7 五、發明說明（6) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的所藉由沈積一自我調整的耐火金屬帽蓋於一金 屬線上或導電的表面上來提供更好的定義的介面。在該 金屬在一導孔中被蝕刻之前，該金屬帽蓋做為蝕刻的终 止且K化學和濺鍍洙淨的觀點來看在下一個金屬沈積之 前提供更容易的操作。本發明的實例包括選擇地沈稹一 耐火金屬層，譬如於一金屬層上或沈積一毯覆膜， 用一金屬導孔Μ形成合金，一燒结步驟，以及移除非合 金耐火金屬。本發明提出了創造一可信賴的且可重覆的 至一金國層的接點的問題Μ創造一更可控制的介面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 琨在請參考圖式的特定詳綑處，其中像參考號碼藉由 遍佈的幾個視圖來識別類似的或相同的元件。且開始至 第2圖，一部份地被製造的半導體裝置1 0 0的横剖面圖 是被顯示出，根據本發明。該裝置100可包括一記憶裝 置，比如說一動態隨機記憶體裝置（D R A Μ ), —在半導體 裝置的任何型式上的處理器，其係利用金腸線和内層接 點。一介電層102是被沈積於一基板104之上或其它層， 根據要被製造的一裝置。介電層可包括任何可被利用在 半導體製程的介電層。在一實例中，介電層102包括砂 二氧化物。一導孔106和溝槽108被蝕刻入介電層102, 導孔1 0 6和溝槽1 0 8可藉由罩幕介電層1 0 2和利用，比如 說，活性離子蝕刻（R I Ε )製程來被蝕刻。交替地，介電 曆012可包括一導孔或一溝槽或其它結構Μ包括一導電 的路徑其為本發明可能的使用。導孔1 0 6和溝槽1 0 8以一 金屬來填充，比如說鋁，銅且它們的合金，Κ形成一導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 0 37 A7 B7 - 五、發明說明（） 電的結構1 1 4。結構1 1 4的頂部表面1 1 2是被平面化的， 比如說藉由化學機械抛光（C Η P )，以提供一平面的表面 。一洗淨步驟可被利用以除去任何負氣化層的表面η 2 (雖然這可能不需要）。 一選擇的沈積製程是被利用來沈積一金屬層πο，比 如説，_於結構114的被抛光的金屬表面上，在一下一 個内層介電層被放上去之前。在一實例中，一選擇的鋁 的沈積是藉由化學氣相沈積法（c V D )所完成。當一金屬 是經由化學氣相法（c V D )而被沈積時，該金屬優先地形 成於金屬表面上而不是在絶縐體上。這種影響一直被 採用以選擇性地沈積_栓塞於導孔中，其傜連接至後來 的金屬層如美國專利號碼5 , 5 8 7，3 3 3所描述淮予至威伯 (Kyborn)以及其它人，藉由參考在此合併，或在一減 層方法中所了解的，在鋁線上的邊牆上覆蓋如美國專利 號碼5 , 1 S 2，7 1 5進行至史利瓦（S 1 i w a )以及人，藉由參 考在此也合併。本發明選擇地沈積金屬層11G,最好是 鋁W,於結構114上。其它金屬和潖合物可被使用，例如 ，氪化鈦，鈦，鉅，氪化鞋，其被選擇地沈積。 在結構1 1 4的化學機械拋光（C Μ P )和金屬層1 1 ϋ沈積之 間，時間可被減至最小以確保表面112在結構η 4上不是 再次被氧化。金屬層1 I Q最好包括一最小的厚度，其大 於蝕刻下一個導孔層至該金屬層11Μ謓看下面）的厚度 。該金屬層110的最大厚度最好被決定，以使下一値的 内層介電〗.2 0 ,如第3圖所示，優先的被沈積如同一毯 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（C'NS)A4規格（210 X 297公釐） ------^丨丨ΙΊ---裝.------訂------線. (請先閱讀背面之注意事項f%寫本頁) A7 4650 3 7 __B7____ 五、發明說明（δ) 覆層（最好藉由一電漿促進化學氣相沈積（PECVD)其具有 有限的滲填能力。同時，Μ下的微影成像不應承受太多 的拓樸學。因此，最佳的金屬層no的厚度是大約在300 埃U )至約5 0 0埃（又）之間。和典型的鋁嵌入式厚度在 2 0 0 0埃U )至5 0 0 0埃U )之間比較趄來，相對地薄。内 層介電120可也包括矽二氧化物或任何其它合適的介電 層。 參考第4圖，在內層介電120沈積之後，微影成像和 一蝕刻步驟被執行Μ創造一導孔1 2 2。在那有一些過度 蝕Μ確保該導孔全程被鑽至下面的金屬，有利的是，根 據本發明，該導孔蝕刻终結於層1 1 〇之中。層U 〇包括一 材料，其很容易洗淨由於降低金屬的化學反應，比如說 II (ΐί)。一洗淨製程有，比如說，氫氟酸或，四甲基-铵 氫氧化物（tetramethyl-ammonium hydroxide(TMAH))可 被執行以移除自然氧化物形成層，根據本發明。 參考第5圔，一導電材料126被沈積，材料126在一方 法中藉由逐漸縮小的導孔或一再緩流技術Μ印上圖案Μ 同時完成導孔填充和下一層金屬薄膜沈積。材料〗26可 包括鋁或其它適合的金屬。那些在技_中的技巧會了解 用來填充導孔122來形成一接點128的其它材料和技術。 本發明導致在金屬層間的内連接有更好的製程制控和良 率改進。 參考第6圖，一部份製造的半導體裝置2 0 0的槇剖面 圖是被顯示，根據本發明。裝置2 0 0可包括一記憶裝置， -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） I ------丨丨 — —--裝 - - ----- 訂 - - ------—^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 B7 _ 五、發明說明（9) 比如說一動態隨機記憶體裝置（DRAM), —在半導體裝置 的任何型式上的處理器，其係利用金屬線和內層接點。 一介電層202被沈積於一基板204上或其它層，根據要被 製造的一裝置。介電層202可包括任何介電材料，其被 利用在半導體製程。在一實例中，介電層202包括矽二 氧化物》金靨結構206被提供在介電層202之中。在沈積 之後，金屬結構2 0 6被平面化，比如說化學機械拋光 (CMP),毯覆式沈積耐火金屬208是被執行Μ覆蓋在结構 206的表面210上。在一實例之中，金臈結構包括鋁，耐 火金屬2 0 8可包括一或更多的钛，钽，鋁，鎂，鈮，Κ 及鍊。其它金屬也可被採用。 參考第7圖，耐火金屬208選擇地形成一合金212於結 構206。合金212在沈積耐火金屬208之時被形成或一額 外退火製程可能被採用Μ提供一混合金屬來形成合金 2 1 2。在一實例中，一鈦層被沈積，比如說漉鍍。其它 耐火金屬也可被採用（比如說鉅，給，鎂，鈮，鎳）。 此外，耐火金薩，例如鈦，iS ,給，鎂，鈮，_被沈 積在，比如說鋁上，一旦在在相對低的溫度下燒結，那 就是大於約4 0 5 1C在一些特定的情況下，很快的和鋁形 成合金。在這熱控制方式下，耐火金屬尚未擴散入絕緣 體比如說介電曆2 0 2 ,其最好是一矽氧化物。該耐火金 屬和它們的合金可被選擇的（乾式或濕式）蝕刻或拋光° 在一實例中，一具有溫度大於4 2 5 °C的燒結製程被執 行。如果為了結構206而鋁被採用，該燒結導致了三鋁 -1 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） 丨 -------------裝 -----丨訂-----I，^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 Α7 Β7 五、發明說明（Η) 化钛（y A 1 3 )(或三鋁化鎳（N i A 1 3 )，三鋁化鈮（N b A 1 3 ) *三鋁化鋁（H f A】3 ),三鋁化二鎂（M s 2 A ] 3 )，三鋁化 鉬（T a A】3 )其它相位也可M達成）的形成於該鋁的上部 之上面，雖然鈦（或其它金屬）仍然賁質地不變在介電層 202之上。如果為了結構206而飼被採用，該燒結導致了 三鋼化钛（T i C u 3 )(或五銅化給（H f C u 5 ),銅化二鋁 (A 1 2 C u )，二銅化鎂（M g C u 2 ),玖飼化二锆（Z r 2 C u 9 ) 其它相位也可Μ達成）的形成於該銅的上部之上面，雖 然钛（或其它金屬）仍然實質地不變在介電曆202之上。 這提供自我調整至結構2 0 6。 參考第8圖，耐火金鼷208被移除且留下合金212的部 份。耐火金匾2 0 8最好藉由一以Μ為基礎的蝕刻來被去 除（比如說，如果耐火金屬208是钛而且結構206是鋁， Κ氟為基礎的蝕刻對钛的蝕刻快於三鋁化钛Μ及介電層 202的蝕刻）或藉由一化學機槭拋光（CMP)(其甚至提供更 好的選擇）（Μ氮為基礎的蝕刻會被採用如果飼被使用） 。即然钛薄瞑可能相對的薄，它的移除可能衹需要一短 暫”觸碰"（t 〇 u c h - u ρ )步驟。比如說，最好使用硝酸 (Η N 0 3 )來選擇性的移除鏡。其它金屬，比如說，鎂t 給，或鈮最好藉由機械化學拋光（C Μ P )來移除。合金2 1 2 最佳的厚度是介於約3 0 0埃U )至約5 0 0埃U )之間。 參考第9圖，在內層介電220沈積之後，微影成像以 及一蝕刻步驟被執行Μ創造一導孔2 2 2。在那裏經常要 過度蝕刻Κ確保該導孔最好被鑽一直至該下一層金屬。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） I ! 1------丨裝------1訂i丨丨II丨丨-*^ (請先閱讀背面之泣意事項再填寫本頁) A7 465037 B7_ 五、發明說明（11) 有利地，根據本發明，該導孔的蝕刻終結於合金2 1 2中 。合金212包括一材料，由於減少化學金屬的再反應， 該材料很容易被洗淨。為了導孔1 2 2 ,導孔2 2 2如Μ上所 述而形成。一洗淨步驟可能被執行以從合金212移除自 然氧化層，根據本發明。 一導電材料226被沈積在導孔222中。材料226在一方 法中經由逐漸變细的導孔或一再媛流技術來同時完成導 孔的填充Κ及下一層金屬薄膜的沈積。材料226可能包 括鋁或其它適合的金屬。那些技藝的技巧會了解用來填 充導孔222 Μ彤成接點224的其它材料和技術。接點導孔 222的介面現由該耐火金屬212所決定，其非常的不活潑 且不平Μ藉由洗淨來侵襲。本發明導致在金屬層間的内 連接有更好的製程控制Μ及良率改進。本發明的另一優 點為它不需要任何的拓撲。 參考第1 0圖，可Μ 了解到本發明許多種變化可被想出 來。材料2 2 β可Μ被沈積於一溝槽以及等孔以形成一雙 重嵌入結構2 3 0如圖所示。其它結構也可以被形成。此 外，第5 _的材料126可能也包括一雙重嵌入結構。 由所述的用來在層間金龎連接的自我調整的金屬帽蓋 的較佳實例（其係用來舉例而不是限制），要注意的是修 改和變化可經由熟悉該技藝的人根據Μ上的說明來達成 。所Μ，可Κ明白在本發明的特別實例中可Μ做許多的 改變，其是在本發明的範圍和精神之中，如同該附加的 申請專利範圍所描述的。因此，已仔细描述本發明和專 -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） — — — — — —---1-1 — * 裝 ------丨訂 -- ----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印4,1衣 4 6 50 37 A7 五、發明說明（12) 利法的要求，申請專利範圍和經由專利証書所需要的保 護在附加的申請專利範圍中已被提出。 參考符號說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 12 .... .介電層 14...· .導孔 16.,.. .溝槽 18.... .介電廇 20 .... .導孔 22 , .部份 24 .... .內部連接 26 .... .材料 100... ..裝置 102… ..介電層 104… ..基板 106… ..導孔 108... ..溝槽 110... ，·層 112... ..表面 114... ..結構 120... ..内層介電 122… ..導孔 126... ..材料 128... ..接點 2 0 0… ..裝置 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 五、發明說明（13 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 2 0 2 .. ..介 电 層 2 0 4 ,. …基 板 2 0 6 .. .•结 構 20 8.. ..耐 火 金 屬 212 .. …合 金 2 2 0 .. ..内 層 介 電 2 2 2 .. ..導 孔 224 .. .，接 點 2 2 6 .. •.材 料 2 3 0 .. .雙 重 嵌 入結構 -15- (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂----- 本紙張尺度適用中画國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. α AS B8 C8 D8 申請專利範圍 方 的 屬 金 蓋 帽 的 整 調 我 自 的 接 連： 屬為 金驟 間步 層的. 在括 來包 用其 種， 一 法 該- 與 構 結 屬 金 該 , 面 層表 電的 介面 一 平 第地 一 質 於實 構一 結有 屜具 金層 一 電 供介 提一 第 致的 以逑 此上 如成 上形 之且 構上 結之 屬構 金結 該靥 於金 屬該 金在 蓋積 帽沈 一 衹 積屬 沈金 地蓋 擇帽 選該 於 上 之 屬 金 蓋 帽 該 於 ; 層 面電 表介 的二 面第 平 一 地成 質形 實 金 提 蓋 屬 帽 金 該 蓋 於 _ 結 該 終 過 其 透 孔 以 導 , 一 中 成 孔 形 導 以 一 層 於 電 料 介 材 二及電 第以導 該；一 開中積 打之沈 0 括 包 t 樺 結 屬 金 該 中 其 法 方 〇 之 構項 結 1 屬第 金圍 α 該範種 至利一 點專之 接請銅 一 申和 供如鋁 括 包 屬 金 蓋 帽 該 中 其 法 方 之 項 11 第 圍 範 ί 專 請 申 〇 如鏡 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂---- 線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第 第 圍 圍 範 範 利 〇 利 專種專 請一請 申之申 如銅如 4 5 和 鋁 括 包 點 接 該 中 其 法 方 之 項 經 括 包 步 1 進 更 中 其 法 方 之 項 了 括 包 蓋 帽 該 。 中 驟其 步 ， 的法 屬方 金之 蓋項 帽 1 該第 淨圍 洗範 來利 孔專 導請 該申 由如 6 至 埃 it 連括 來包 30用其 於種 - 介 一法一 方：. 白 屬 金 蓋 帽 的 整 。調 度我 厚 自 勺 勺 -d &P. 間構： 之結為 埃屬驟 00金步 纟接的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 ASd 6 5 Ο 3 7 g DS六、申請專利範圍 提供一金is結構於一第一介電層中，該金鼷结構和 第一介電層具有一實質地平面的表面； 沈積一耐火金屬於該金屬結構Μ及第一介電層上形 成一合金於該金屬結構和該耐火金屬之間如此Μ致於 合金衹形成在該金属結構的實質地平面的表面上； 從該第一介電層移除該耐火金如此Κ致於該合金的 部份仍然和該金匾結構在一起； 形成一第二介電層於該合金之上； 打開該第二介電層Μ形成一導孔，其終結於該一合 金之中；以及 沈積一導電材料於導孔中，Μ透過該合金形成一至 該金屬結構的接點。 8.如申請專利範圍第7項之方法，其中該金屬結構包括 鋁和銅之一種。 9 .如申請專利範圍第7項之方法，其中該耐火金屬包括 钛，鎂，鎳，鉅，給，Μ及鈮之一種。 1 0 .如申請專利範圍第7項之方法，其中該接點包括鋁 和錮之一種。 1 1 .如申請専利範圍第7項之方法，其中更進一步包括 透過該導孔來洗淨該帽蓋金藤的步驟。 12.如申請專利範圍第7項之方法，其中該帽蓋金屬包 括一介於300埃至500埃之間的厚度。 1 3 .如申請專利範圍第7項之方法，其中形成一合金的 該步驟包括高於4 0 5 °C的燒結的步驟。 -1 7 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--- 訂--------線、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 46 50 37 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 金 火 耐 該 除 移 中 其 法 方 之 項 7 第 圍 範 ο 禾 專 請 申 如 4 屬 金 火 耐 該 刻 触 來 劑 *nj 蝕 用 括 包 驟 步 該 的 屬 金 火 JM- 而 該 除 移 中 其 法 方 之 項 7 第 圍 範 利 專 請 ¢ 如 屬 金 火 附 光 拋 括 包 驟 步 該 的 屬 -------i;—^裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）