JP2004349609A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】銅の配線および接続プラグを有する配線構造において、配線および接続プラグの抵抗上昇を抑えつつ、ストレスマイグレーションによるボイドの発生を抑える。
【解決手段】第1層間絶縁膜1内形成された第1銅配線2上には、バリア絶縁膜4を介して、第2層間絶縁膜5が形成される。第2層間絶縁膜5内には、第2銅配線6および銅の接続プラグ7が形成される。第1銅配線2上部には、接続プラグ7が接続した部分にのみに銅の合金層10が形成される。
【選択図】 図1
【解決手段】第1層間絶縁膜1内形成された第1銅配線2上には、バリア絶縁膜4を介して、第2層間絶縁膜5が形成される。第2層間絶縁膜5内には、第2銅配線6および銅の接続プラグ7が形成される。第1銅配線2上部には、接続プラグ7が接続した部分にのみに銅の合金層10が形成される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造技術に関し、特に、銅を主成分とする配線構造およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年の半導体装置における配線構造の微細化に伴い、配線や接続プラグの材料として銅(Cu)が注目されている。一方、配線に銅を用いた場合の問題として、ストレスマイグレーション(SM:Stress Migration)と呼ばれる現象が存在することが知られている。これは、金属配線に応力(ストレス)が加わることに起因して、当該金属配線が断線に至る現象である。
【0003】
通常、結晶成長により形成された銅配線内には、微小なボイド(マイクロボイド)が存在している。そのような銅配線を有するデバイスにおいて、実使用時の温度上昇により銅配線にストレスが発生すると、銅配線内のマイクロボイドはそのストレスの勾配に従って拡散し、ストレスが集中部分に大きなボイドを発生させる。例えば下記非特許文献1によると、銅を使用した配線構造において、銅配線上部の接続プラグとの接続部分にボイドが形成される傾向にあることが報告されている。
【0004】
このSM不良の対策として、高融点金属あるいは高融点金属を含む合金で銅配線の上面を覆うという手法が提案されている(例えば特許文献1)。高融点金属あるいは高融点金属を含む合金は、銅と比較して融点・硬度が高いため、応力が加わった際に原子の移動が起こり難い。よって、高融点金属あるいは高融点金属で覆われた銅配線上部でのマイクロボイドの移動は抑制され、SMによるボイドの発生を抑えることができる。
【0005】
また、銅配線上のビアホール内に接続プラグとして銅に拡散し得る金属を埋め込み、熱処理を加えることで、銅配線上部の接続プラグと配線との界面に合金層を形成するという技術もある(特許文献2)。さらに、接続プラグ表面に形成するバリアメタルの一部とその下層の銅配線とを反応させ、当該銅配線上部にバリアメタルとの合金層を形成する技術もある(特許文献3)。これらも同様にSMによるボイドの発生を抑えることができる。
【0006】
加えて、銅配線にボロンをドーピングして、当該銅配線上部にボロンを含む合金層を形成する技術もある(特許文献4)。この技術によれば、銅の酸化を防止することによって表面拡散は抑制され、エレクトロマイグレーション(EM:Electro Migration)耐性の向上は期待できる。しかし上記のSMによるボイド発生に対しては十分な効果は得られない。SMによるボイドは、銅の表面拡散のみによって発生するものではなく、銅膜のグレイン界面での拡散等が寄与するものであり、銅のボロン合金はこのグレイン界面での拡散を防止する能力を持たないためである。
【0007】
【非特許文献1】
E. Ogawa et al.「幅広の銅金属配線に接続されるビアの下方の応力に起因するボイド(Stress−Induced Voiding Under Vias connected to Wide Cu Metal Leads)”、IRPS 2002( 2002 IEEE Intenational Reliability Physics Symposium Proceeding)
【特許文献1】
特開2002−118111公報(第3−5頁、第1−2図)
【特許文献2】
特開平11−204644公報(第3−4頁、第1−2図)
【特許文献3】
特許第3329380号公報(第5−8頁、第1,3−5,7−9図)
【特許文献4】
特開2000−252278公報(第5−6頁、第1−4図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1では、本来Cuで充填されるべき配線溝の一部が、高融点金属あるいは高融点金属を含む合金によって占められることになる。高融点金属あるいは高融点金属を含む合金は、銅と比較して10〜100倍以上の高い抵抗率である。このため、配線の抵抗を上昇させてしまうという問題点がある。この抵抗上昇の問題は微細な配線において顕著になる。
【0009】
また特許文献2では、ビアに形成される接続プラグとして銅と比較して高い抵抗率の金属が使用されるため、デバイス全体としての配線抵抗の上昇を招く。さらに、特許文献3では、銅の合金層を形成するための添加金属の種類が、銅の拡散を防止するバリアメタルとして機能する金属に限定される。
【0010】
本発明は、本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、配線および接続プラグの抵抗上昇を抑えつつ、ストレスマイグレーションによるボイドの発生を抑えることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、銅を主成分とする配線と、前記配線上に接続した、銅を主成分とする接続プラグと、前記配線上部の前記接続プラグが接続した部分のみに形成された、銅に所定の金属元素が添加された合金層とを備え、前記所定の金属元素は、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含んでおり、前記接続プラグの側壁には、前記所定の金属元素による金属層が存在しないことを特徴とする。
【0012】
本発明に係る半導体装置の製造方法の第1の局面は、(a)半導体基板上の第1絶縁膜内に、銅を主成分とする配線を形成する工程と、(b)前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成し、前記第2絶縁膜に前記配線に達するビアホールを形成する工程と、(c)前記ビアホールが形成された第2絶縁膜をマスクとして、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含む所定のイオンを注入することにより、前記ビアホール内の前記配線上部に銅の合金層を形成する工程と、(d)前記ビアホール内に銅を主成分とする接続プラグを形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0013】
本発明に係る半導体装置の製造方法の第2の局面は、(a)半導体基板上の第1絶縁膜内に、銅を主成分とする配線を形成する工程と、(b)前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成し、前記第2絶縁膜に前記配線に達するビアホールを形成する工程と、(c)前記ビアホール内に露出した前記配線上に選択的に、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含む所定の金属膜を堆積する工程と、(d)熱処理により前記配線と前記金属膜とを反応させ、前記ビアホール内の前記配線上部に銅の合金層を形成する工程と、(e)前記ビアホール内に銅を主成分とする接続プラグを形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0014】
本発明に係る半導体装置の製造方法の第3の局面は、(a)半導体基板上の第1絶縁膜内に、銅を主成分とする配線を形成する工程と、(b)前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成し、前記第2絶縁膜に前記配線に達するビアホールを形成する工程と、(c)前記ビアホール内に、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含む所定の金属膜を堆積する工程と、(d)熱処理により前記配線と前記金属膜とを反応させ、前記ビアホール内の前記配線上部に銅の合金層を形成する工程と、(e)前記工程(d)において未反応であった前記金属膜を除去する工程と、(f)前記ビアホール内に、銅を主成分とする接続プラグを形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態の説明において、簡単のため2層配線構造を例に挙げるが、本発明は3層以上の多層配線構造に対しても適用可能である。
【0016】
<実施の形態1>
図1は本発明に係る半導体装置の配線構造を示す図である。半導体装置は、半導体基板(不図示)上に形成された第1層間絶縁膜1内に、第1銅配線2を有する。第1銅配線2の側面および側面には、銅の層間絶縁膜への拡散防止機能を有するバリアメタル3(例えば、Ta,TaN,TiN,WN等)が形成されている。第1層間絶縁膜1および第1銅配線2上には、銅の層間絶縁膜への拡散防止機能を有するバリア絶縁膜4(例えば、SiN,SiC等)を介して、第2層間絶縁膜5が形成されている。第2層間絶縁膜5内には、第2銅配線6、並びに、当該第2銅配線6と前記第1銅配線2とを接続する銅の接続プラグ7が形成される。
【0017】
そして、第1銅配線2上部には、銅の合金層10が形成されている。当該合金層10は、第1銅配線2上部の接続プラグ7が接続した部分にのみに形成される。また、第2銅配線6および接続プラグ7の表面にはバリアメタル8が形成され、第2層間絶縁膜5および第2銅配線6上にはバリア絶縁膜9が形成されている。
【0018】
上述のようにSMによるボイドは、銅配線上部の接続プラグとの接続部分に形成される傾向にある。つまり図1の構造では、第1銅配線2上部の接続プラグ7が接続した部分にボイドが形成されやすい。本実施の形態では、その部分に銅の合金層10が形成される。一般に、銅の合金は純粋な銅と比較して硬度が高いので、マイクロボイドの移動が起こり難く、SMによるボイドは発生し難い。よって、本実施の形態に係る配線構造によれば、SM不良の発生を抑える効果が得られる。また、銅の合金は純粋な銅と比較して抵抗率が高いが、合金層10は、そのボイドが形成されやすい部分のみに形成されており、第1銅配線2の抵抗上昇は最小限に抑えられている。また、接続プラグ7も銅により形成されており、その側壁に、合金層10を形成するために用いた比較的高抵抗な金属層が存在しないため、デバイス全体としての配線抵抗は低く抑えられる。
【0019】
以下、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図2〜図8はその工程を示す図である。まず、不図示の半導体基板上に第1層間絶縁膜1を形成し、常法(例えばダマシンプロセス)により当該第1層間絶縁膜1内に、第1銅配線2およびバリアメタル3を形成する。そして第1層間絶縁膜1および第1銅配線2の上面にバリア絶縁膜4を形成する(図2)。
【0020】
さらに、バリア絶縁膜4上に第2層間絶縁膜5を形成する(図3)。そして第2層間絶縁膜5に、第2銅配線6を形成するためのトレンチ61、並びに、接続プラグ7を形成するための第1銅配線2に達するビアホール71を形成する(図4)。
【0021】
その後、トレンチ61およびビアホール71が形成された第2層間絶縁膜5をマスクとして、所定のイオンを注入する。それにより、ビアホール71内に露出した第1銅配線2上部のみに、自己整合的に銅の合金層10が形成される(図5)。
【0022】
当該工程で注入するイオンは、形成される合金層10に充分高い硬度を得ることができるものであり、例えば、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alの金属のうち少なくとも1種を含むものとする。これらを用いることにより、SMによるボイド抑制の効果を効率的に得ることができる。イオン注入の条件としては、例えばZrをイオン種とする場合、注入エネルギー30keV、ドーズ量1×1019atom/cm2程度で行う。またイオン注入後、合金層10中の欠陥を除去するために、例えば400℃、30分程度の熱処理を施してもよい。
【0023】
続いて、例えばPVD(physical vapor deposition)法やCVD(chemical vapor deposition)法によりバリアメタル8を成膜し(図6)、続いてPVD法、CVD法あるいはメッキ法等により、銅膜15を成膜してトレンチ61およびビアホール71を埋める(図7)。そしてCMP法などを用いて、第2層間絶縁膜5上面の余分なバリアメタル8、銅膜15を除去することで、トレンチ61およびビアホール71内にそれぞれ第2銅配線6および接続プラグ7を形成する(図8)。最後に、第2層間絶縁膜5および第2銅配線6上にバリア絶縁膜9を形成することにより、図1に示した配線構造が得られる。
【0024】
以上の工程によれば、SMによるボイドが発生しやすい第1銅配線2上部の接続プラグ7が接続した部分のみに、自己整合的に銅の合金層10を形成することができる。また、合金層10を形成するための材料は、上記特許文献3のようにバリアメタルとして機能する金属に限定されるようなことはなく、イオン注入可能な材料であればよい。言い換えれば、第2銅配線6および接続プラグ7に形成されるバリアメタル8を、合金層10の形成のためにイオン注入される元素を含まないものとすることができる。つまり、合金層10形成のために使用する材料の選択の幅は広がる。
【0025】
なお、第1銅配線2、第2銅配線6並びに接続プラグ7は、必ずしも純粋な銅でなくてもよく、銅を主成分とするものであればよいことは言うまでも無い。
【0026】
また、バリアメタル3,8やバリア絶縁膜4,9は、銅の層間絶縁膜への拡散が他の手段により防止されるのであれば、必ずしも必要なものではない。例えば、第1層間絶縁膜1および第2層間絶縁膜5の銅と接する表面に対し銅の拡散を防止するための処理を施した場合や、第1層間絶縁膜1および第2層間絶縁膜5の材料として銅が拡散しないものを使用した場合には、それらを設ける必要は無い。バリアメタル3,8やバリア絶縁膜4,9を用いない場合はその分だけ、低抵抗な第1銅配線2、第2銅配線6並びに接続プラグ7の断面積を大きくとることができるので、配線抵抗を低く抑えることができる。
【0027】
また、第1銅配線2の上部に合金層10が形成される際に、体積膨張が生じる場合がある。それにより、合金層10の上面が第1層間絶縁膜1の上面よりも図9に示す長さdだけ高く形成されることもある。図9のような構成であっても、本発明の主旨から逸脱するものではなく、上記と同様にSM不良の効果を得ることができる。
【0028】
また、以上の説明においては、トレンチ61およびビアホール71への銅膜15の埋め込みを同時に行うことで、第2銅配線6と接続プラグ7とを同時に形成する、いわゆるデュアルダマシン法により形成するものとして説明したが、本発明の適用はこれに限定されるものではない。例えば接続プラグ7と第2銅配線6とを順次埋め込み形成する、いわゆるシングルダマシン法にも適用可能であることは明らかである。
【0029】
<実施の形態2>
実施の形態2では、図1に示した本発明に係る半導体装置の別の形成手法を示す。まず、実施の形態1と同様に、半導体基板上に第1層間絶縁膜1、第1銅配線2、バリアメタル3、バリア絶縁膜4、第2層間絶縁膜5を形成する(図2,図3)。次いで第2層間絶縁膜5に、第2銅配線6を形成するためのトレンチ61、並びに、接続プラグ7を形成するための第1銅配線2に達するビアホール71を形成する(図4)。
【0030】
そして、選択CVD法により、下地が銅の部分に選択的に所定の金属膜20を成膜する。即ち、金属膜20は、ビアホール71内に露出した第1銅配線2上にのみに成膜され、第2層間絶縁膜5上面やトレンチ61内面、ビアホール71側面には成膜しない(図10)。上記所定の金属膜20は、銅と反応して銅の合金層を形成し得るものであり、例えばCr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alの金属のうち少なくとも1種を含むものとする。例えばタングステン膜を、基板温度400℃、WF6流量を15sccm、H2流量を100sccm、圧力を20mTorrの条件で10nm程度成膜する。
【0031】
続いて、熱処理(例えば400℃、60分程度)を加えることにより、第1銅配線2と金属膜20とを反応させ、銅の合金層10を形成する。即ち、ビアホール71内の第1銅配線2上部にのみ合金層10が形成される(図11)。
【0032】
以降、実施の形態1と同様に、バリアメタル8および銅膜15を成膜し(図6,図7)、第2層間絶縁膜5上面の余分なバリアメタル8、銅膜15を除去することで、第2銅配線6および接続プラグ7を形成する(図8)。最後にバリア絶縁膜9を形成して、図1に示した配線構造が得られる。
【0033】
以上の工程によれば、SMによるボイドが発生しやすい第1銅配線2上部の接続プラグ7が接続した部分のみに、自己整合的に銅の合金層10を形成することができる。また、合金層10を形成するための材料は、上記特許文献3のようにバリアメタルとして機能する金属に限定されるようなことはなく、選択CVDにより銅の下地部分に選択的に成膜可能な材料であればよい。言い換えれば、バリアメタル8として、銅と共に合金層10を組成する元素を含まないものを使用することができる。従って、合金層10形成のために使用する材料の選択の幅は広がる。
【0034】
また上記金属膜20は銅に比較して高抵抗であるが、金属膜20はビアホール71内に露出した第1銅配線2上にのみに成膜されるので、結果として銅の接続プラグ7の側壁には金属膜20は形成されない。よって、デバイス全体としての配線抵抗は低く抑えられる。
【0035】
<実施の形態3>
実施の形態3においても、図1に示した本発明に係る半導体装置の別の形成手法を示す。ここでも、実施の形態1と同様に、半導体基板上に第1層間絶縁膜1、第1銅配線2、バリアメタル3、バリア絶縁膜4、第2層間絶縁膜5を形成する(図2,図3)。次いで第2層間絶縁膜5に、第2銅配線6を形成するためのトレンチ61、並びに、接続プラグ7を形成するための第1銅配線2に達するビアホール71を形成する(図4)。
【0036】
本実施の形態では、非選択CVD法やPVD法により、トレンチ61およびビアホール71内部を含むの全面に、所定の金属膜30を成膜する(図12)。金属膜30は、銅と反応して銅の合金層を形成し得るものであり、例えばCr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alの金属のうち少なくとも1種を含むものとする。例えばアルミニウム膜を10nm程度成膜する。
【0037】
続いて、熱処理(例えば400℃、30分程度)を加えることにより、第1銅配線2と金属膜20とを反応させ、銅の合金層10を形成する。即ち、ビアホール71内の第1銅配線2上部にのみ合金層10が形成される(図13)。
【0038】
次に、金属膜30を溶解し且つ合金層10や第2層間絶縁膜5を溶解しない薬液を用い、未反応の金属膜30のみを選択的に除去する(図14)。上記薬液は金属膜30の種類によって変わるが、例えば金属膜30としてアルミニウム膜やクロム膜を用いる場合には塩酸または硫酸を使用すればよい。
【0039】
このようにトレンチ61およびビアホール71内の未反応の金属膜30を除去することは重要である。未反応金属層が残っていると、その後に形成される第2銅配線6および接続プラグ7の断面積が、その分だけ減少し、配線抵抗の上昇が生じてしまうためである。
【0040】
以降、実施の形態1と同様に、バリアメタル8および銅膜15を成膜し(図6,図7)、第2層間絶縁膜5上面の余分なバリアメタル8、銅膜15を除去することで、第2銅配線6および接続プラグ7を形成する(図8)。最後にバリア絶縁膜9を形成して、図1に示した配線構造が得られる。
【0041】
以上の工程によれば、SMによるボイドが発生しやすい第1銅配線2上部の接続プラグ7が接続した部分のみに、自己整合的に銅の合金層10を形成することができる。また、合金層10を形成するための材料は、上記特許文献3のようにバリアメタルとして機能する金属に限定されるようなことはない。但し、CVDにおいて成膜可能な材料で、且つ、合金層10との選択性をもって除去可能である必要がある。
【0042】
また上記金属膜30は銅に比較して高抵抗であるが、本実施の形態によればトレンチ61およびビアホール71内の未反応の金属膜30を除去されるので、結果として銅の接続プラグ7の側壁には金属膜30は残留しない。よって、デバイス全体としての配線抵抗は低く抑えられる。
【0043】
また、図12の金属膜30の成膜工程の前に、図4のトレンチ61およびビアホール71が形成された第2層間絶縁膜5をマスクにして、アルゴンイオンや窒素イオンを第1銅配線2上面に注入し、第1銅配線2の合金層10が形成される部分をアモルファス化しておくことも有効である。その後の熱処理による合金層10の形成の際に、第1銅配線2と金属膜30との反応が活性化され、均一性に優れた合金層10が得られる。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体装置によれば、SMによるボイドが発生しやすい、銅を主成分とする配線上部の接続プラグとの接続部分に銅と所定の金属元素との合金層が形成される。一般に、銅の合金は純粋な銅と比較して硬度が高いので、マイクロボイドの移動が起こり難く、SMによるボイドは発生し難い。よって、SM不良の発生を抑える効果が得られる。また、合金層は、そのボイドが形成されやすい部分のみに形成されており、配線の抵抗上昇は最小限に抑えられている。また、接続プラグも銅により形成され、その側壁には上記所定の金属元素による金属層を有しないため、デバイス全体としての配線抵抗は低く抑えられる。
【0045】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、SMによるボイドが発生しやすい銅を主成分とする配線上部の接続プラグが接続した部分のみに、自己整合的に銅の合金層を形成することができる。合金層を形成するために銅に添加される金属元素は、バリアメタルとして機能するものに限定されない。また、接続プラグの表面に形成するバリアメタルの材料の選択の幅も広がる。さらに、接続プラグの側壁には、合金層を形成するために銅に添加した金属元素による金属層が形成されないため、デバイス全体としての配線抵抗は低く抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体装置の配線構造を示す図である。
【図2】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図3】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図4】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図5】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図6】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図7】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図8】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図9】実施の形態1の変形例を示す図である。
【図10】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図11】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図12】実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図13】実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図14】実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
1 第1層間絶縁膜、2 第1銅配線、3 バリアメタル、4 バリア絶縁膜、5 第2層間絶縁膜、6 第2銅配線、7 接続プラグ、8 バリアメタル、9 バリア絶縁膜、10 合金層、15 銅膜、20,30 金属膜、61 トレンチ、71 ビアホール。
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造技術に関し、特に、銅を主成分とする配線構造およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年の半導体装置における配線構造の微細化に伴い、配線や接続プラグの材料として銅(Cu)が注目されている。一方、配線に銅を用いた場合の問題として、ストレスマイグレーション(SM:Stress Migration)と呼ばれる現象が存在することが知られている。これは、金属配線に応力(ストレス)が加わることに起因して、当該金属配線が断線に至る現象である。
【0003】
通常、結晶成長により形成された銅配線内には、微小なボイド(マイクロボイド)が存在している。そのような銅配線を有するデバイスにおいて、実使用時の温度上昇により銅配線にストレスが発生すると、銅配線内のマイクロボイドはそのストレスの勾配に従って拡散し、ストレスが集中部分に大きなボイドを発生させる。例えば下記非特許文献1によると、銅を使用した配線構造において、銅配線上部の接続プラグとの接続部分にボイドが形成される傾向にあることが報告されている。
【0004】
このSM不良の対策として、高融点金属あるいは高融点金属を含む合金で銅配線の上面を覆うという手法が提案されている(例えば特許文献1)。高融点金属あるいは高融点金属を含む合金は、銅と比較して融点・硬度が高いため、応力が加わった際に原子の移動が起こり難い。よって、高融点金属あるいは高融点金属で覆われた銅配線上部でのマイクロボイドの移動は抑制され、SMによるボイドの発生を抑えることができる。
【0005】
また、銅配線上のビアホール内に接続プラグとして銅に拡散し得る金属を埋め込み、熱処理を加えることで、銅配線上部の接続プラグと配線との界面に合金層を形成するという技術もある(特許文献2)。さらに、接続プラグ表面に形成するバリアメタルの一部とその下層の銅配線とを反応させ、当該銅配線上部にバリアメタルとの合金層を形成する技術もある(特許文献3)。これらも同様にSMによるボイドの発生を抑えることができる。
【0006】
加えて、銅配線にボロンをドーピングして、当該銅配線上部にボロンを含む合金層を形成する技術もある(特許文献4)。この技術によれば、銅の酸化を防止することによって表面拡散は抑制され、エレクトロマイグレーション(EM:Electro Migration)耐性の向上は期待できる。しかし上記のSMによるボイド発生に対しては十分な効果は得られない。SMによるボイドは、銅の表面拡散のみによって発生するものではなく、銅膜のグレイン界面での拡散等が寄与するものであり、銅のボロン合金はこのグレイン界面での拡散を防止する能力を持たないためである。
【0007】
【非特許文献1】
E. Ogawa et al.「幅広の銅金属配線に接続されるビアの下方の応力に起因するボイド(Stress−Induced Voiding Under Vias connected to Wide Cu Metal Leads)”、IRPS 2002( 2002 IEEE Intenational Reliability Physics Symposium Proceeding)
【特許文献1】
特開2002−118111公報(第3−5頁、第1−2図)
【特許文献2】
特開平11−204644公報(第3−4頁、第1−2図)
【特許文献3】
特許第3329380号公報(第5−8頁、第1,3−5,7−9図)
【特許文献4】
特開2000−252278公報(第5−6頁、第1−4図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1では、本来Cuで充填されるべき配線溝の一部が、高融点金属あるいは高融点金属を含む合金によって占められることになる。高融点金属あるいは高融点金属を含む合金は、銅と比較して10〜100倍以上の高い抵抗率である。このため、配線の抵抗を上昇させてしまうという問題点がある。この抵抗上昇の問題は微細な配線において顕著になる。
【0009】
また特許文献2では、ビアに形成される接続プラグとして銅と比較して高い抵抗率の金属が使用されるため、デバイス全体としての配線抵抗の上昇を招く。さらに、特許文献3では、銅の合金層を形成するための添加金属の種類が、銅の拡散を防止するバリアメタルとして機能する金属に限定される。
【0010】
本発明は、本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、配線および接続プラグの抵抗上昇を抑えつつ、ストレスマイグレーションによるボイドの発生を抑えることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、銅を主成分とする配線と、前記配線上に接続した、銅を主成分とする接続プラグと、前記配線上部の前記接続プラグが接続した部分のみに形成された、銅に所定の金属元素が添加された合金層とを備え、前記所定の金属元素は、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含んでおり、前記接続プラグの側壁には、前記所定の金属元素による金属層が存在しないことを特徴とする。
【0012】
本発明に係る半導体装置の製造方法の第1の局面は、(a)半導体基板上の第1絶縁膜内に、銅を主成分とする配線を形成する工程と、(b)前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成し、前記第2絶縁膜に前記配線に達するビアホールを形成する工程と、(c)前記ビアホールが形成された第2絶縁膜をマスクとして、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含む所定のイオンを注入することにより、前記ビアホール内の前記配線上部に銅の合金層を形成する工程と、(d)前記ビアホール内に銅を主成分とする接続プラグを形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0013】
本発明に係る半導体装置の製造方法の第2の局面は、(a)半導体基板上の第1絶縁膜内に、銅を主成分とする配線を形成する工程と、(b)前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成し、前記第2絶縁膜に前記配線に達するビアホールを形成する工程と、(c)前記ビアホール内に露出した前記配線上に選択的に、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含む所定の金属膜を堆積する工程と、(d)熱処理により前記配線と前記金属膜とを反応させ、前記ビアホール内の前記配線上部に銅の合金層を形成する工程と、(e)前記ビアホール内に銅を主成分とする接続プラグを形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0014】
本発明に係る半導体装置の製造方法の第3の局面は、(a)半導体基板上の第1絶縁膜内に、銅を主成分とする配線を形成する工程と、(b)前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成し、前記第2絶縁膜に前記配線に達するビアホールを形成する工程と、(c)前記ビアホール内に、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含む所定の金属膜を堆積する工程と、(d)熱処理により前記配線と前記金属膜とを反応させ、前記ビアホール内の前記配線上部に銅の合金層を形成する工程と、(e)前記工程(d)において未反応であった前記金属膜を除去する工程と、(f)前記ビアホール内に、銅を主成分とする接続プラグを形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態の説明において、簡単のため2層配線構造を例に挙げるが、本発明は3層以上の多層配線構造に対しても適用可能である。
【0016】
<実施の形態1>
図1は本発明に係る半導体装置の配線構造を示す図である。半導体装置は、半導体基板(不図示)上に形成された第1層間絶縁膜1内に、第1銅配線2を有する。第1銅配線2の側面および側面には、銅の層間絶縁膜への拡散防止機能を有するバリアメタル3(例えば、Ta,TaN,TiN,WN等)が形成されている。第1層間絶縁膜1および第1銅配線2上には、銅の層間絶縁膜への拡散防止機能を有するバリア絶縁膜4(例えば、SiN,SiC等)を介して、第2層間絶縁膜5が形成されている。第2層間絶縁膜5内には、第2銅配線6、並びに、当該第2銅配線6と前記第1銅配線2とを接続する銅の接続プラグ7が形成される。
【0017】
そして、第1銅配線2上部には、銅の合金層10が形成されている。当該合金層10は、第1銅配線2上部の接続プラグ7が接続した部分にのみに形成される。また、第2銅配線6および接続プラグ7の表面にはバリアメタル8が形成され、第2層間絶縁膜5および第2銅配線6上にはバリア絶縁膜9が形成されている。
【0018】
上述のようにSMによるボイドは、銅配線上部の接続プラグとの接続部分に形成される傾向にある。つまり図1の構造では、第1銅配線2上部の接続プラグ7が接続した部分にボイドが形成されやすい。本実施の形態では、その部分に銅の合金層10が形成される。一般に、銅の合金は純粋な銅と比較して硬度が高いので、マイクロボイドの移動が起こり難く、SMによるボイドは発生し難い。よって、本実施の形態に係る配線構造によれば、SM不良の発生を抑える効果が得られる。また、銅の合金は純粋な銅と比較して抵抗率が高いが、合金層10は、そのボイドが形成されやすい部分のみに形成されており、第1銅配線2の抵抗上昇は最小限に抑えられている。また、接続プラグ7も銅により形成されており、その側壁に、合金層10を形成するために用いた比較的高抵抗な金属層が存在しないため、デバイス全体としての配線抵抗は低く抑えられる。
【0019】
以下、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図2〜図8はその工程を示す図である。まず、不図示の半導体基板上に第1層間絶縁膜1を形成し、常法(例えばダマシンプロセス)により当該第1層間絶縁膜1内に、第1銅配線2およびバリアメタル3を形成する。そして第1層間絶縁膜1および第1銅配線2の上面にバリア絶縁膜4を形成する(図2)。
【0020】
さらに、バリア絶縁膜4上に第2層間絶縁膜5を形成する(図3)。そして第2層間絶縁膜5に、第2銅配線6を形成するためのトレンチ61、並びに、接続プラグ7を形成するための第1銅配線2に達するビアホール71を形成する(図4)。
【0021】
その後、トレンチ61およびビアホール71が形成された第2層間絶縁膜5をマスクとして、所定のイオンを注入する。それにより、ビアホール71内に露出した第1銅配線2上部のみに、自己整合的に銅の合金層10が形成される(図5)。
【0022】
当該工程で注入するイオンは、形成される合金層10に充分高い硬度を得ることができるものであり、例えば、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alの金属のうち少なくとも1種を含むものとする。これらを用いることにより、SMによるボイド抑制の効果を効率的に得ることができる。イオン注入の条件としては、例えばZrをイオン種とする場合、注入エネルギー30keV、ドーズ量1×1019atom/cm2程度で行う。またイオン注入後、合金層10中の欠陥を除去するために、例えば400℃、30分程度の熱処理を施してもよい。
【0023】
続いて、例えばPVD(physical vapor deposition)法やCVD(chemical vapor deposition)法によりバリアメタル8を成膜し(図6)、続いてPVD法、CVD法あるいはメッキ法等により、銅膜15を成膜してトレンチ61およびビアホール71を埋める(図7)。そしてCMP法などを用いて、第2層間絶縁膜5上面の余分なバリアメタル8、銅膜15を除去することで、トレンチ61およびビアホール71内にそれぞれ第2銅配線6および接続プラグ7を形成する(図8)。最後に、第2層間絶縁膜5および第2銅配線6上にバリア絶縁膜9を形成することにより、図1に示した配線構造が得られる。
【0024】
以上の工程によれば、SMによるボイドが発生しやすい第1銅配線2上部の接続プラグ7が接続した部分のみに、自己整合的に銅の合金層10を形成することができる。また、合金層10を形成するための材料は、上記特許文献3のようにバリアメタルとして機能する金属に限定されるようなことはなく、イオン注入可能な材料であればよい。言い換えれば、第2銅配線6および接続プラグ7に形成されるバリアメタル8を、合金層10の形成のためにイオン注入される元素を含まないものとすることができる。つまり、合金層10形成のために使用する材料の選択の幅は広がる。
【0025】
なお、第1銅配線2、第2銅配線6並びに接続プラグ7は、必ずしも純粋な銅でなくてもよく、銅を主成分とするものであればよいことは言うまでも無い。
【0026】
また、バリアメタル3,8やバリア絶縁膜4,9は、銅の層間絶縁膜への拡散が他の手段により防止されるのであれば、必ずしも必要なものではない。例えば、第1層間絶縁膜1および第2層間絶縁膜5の銅と接する表面に対し銅の拡散を防止するための処理を施した場合や、第1層間絶縁膜1および第2層間絶縁膜5の材料として銅が拡散しないものを使用した場合には、それらを設ける必要は無い。バリアメタル3,8やバリア絶縁膜4,9を用いない場合はその分だけ、低抵抗な第1銅配線2、第2銅配線6並びに接続プラグ7の断面積を大きくとることができるので、配線抵抗を低く抑えることができる。
【0027】
また、第1銅配線2の上部に合金層10が形成される際に、体積膨張が生じる場合がある。それにより、合金層10の上面が第1層間絶縁膜1の上面よりも図9に示す長さdだけ高く形成されることもある。図9のような構成であっても、本発明の主旨から逸脱するものではなく、上記と同様にSM不良の効果を得ることができる。
【0028】
また、以上の説明においては、トレンチ61およびビアホール71への銅膜15の埋め込みを同時に行うことで、第2銅配線6と接続プラグ7とを同時に形成する、いわゆるデュアルダマシン法により形成するものとして説明したが、本発明の適用はこれに限定されるものではない。例えば接続プラグ7と第2銅配線6とを順次埋め込み形成する、いわゆるシングルダマシン法にも適用可能であることは明らかである。
【0029】
<実施の形態2>
実施の形態2では、図1に示した本発明に係る半導体装置の別の形成手法を示す。まず、実施の形態1と同様に、半導体基板上に第1層間絶縁膜1、第1銅配線2、バリアメタル3、バリア絶縁膜4、第2層間絶縁膜5を形成する(図2,図3)。次いで第2層間絶縁膜5に、第2銅配線6を形成するためのトレンチ61、並びに、接続プラグ7を形成するための第1銅配線2に達するビアホール71を形成する(図4)。
【0030】
そして、選択CVD法により、下地が銅の部分に選択的に所定の金属膜20を成膜する。即ち、金属膜20は、ビアホール71内に露出した第1銅配線2上にのみに成膜され、第2層間絶縁膜5上面やトレンチ61内面、ビアホール71側面には成膜しない(図10)。上記所定の金属膜20は、銅と反応して銅の合金層を形成し得るものであり、例えばCr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alの金属のうち少なくとも1種を含むものとする。例えばタングステン膜を、基板温度400℃、WF6流量を15sccm、H2流量を100sccm、圧力を20mTorrの条件で10nm程度成膜する。
【0031】
続いて、熱処理(例えば400℃、60分程度)を加えることにより、第1銅配線2と金属膜20とを反応させ、銅の合金層10を形成する。即ち、ビアホール71内の第1銅配線2上部にのみ合金層10が形成される(図11)。
【0032】
以降、実施の形態1と同様に、バリアメタル8および銅膜15を成膜し(図6,図7)、第2層間絶縁膜5上面の余分なバリアメタル8、銅膜15を除去することで、第2銅配線6および接続プラグ7を形成する(図8)。最後にバリア絶縁膜9を形成して、図1に示した配線構造が得られる。
【0033】
以上の工程によれば、SMによるボイドが発生しやすい第1銅配線2上部の接続プラグ7が接続した部分のみに、自己整合的に銅の合金層10を形成することができる。また、合金層10を形成するための材料は、上記特許文献3のようにバリアメタルとして機能する金属に限定されるようなことはなく、選択CVDにより銅の下地部分に選択的に成膜可能な材料であればよい。言い換えれば、バリアメタル8として、銅と共に合金層10を組成する元素を含まないものを使用することができる。従って、合金層10形成のために使用する材料の選択の幅は広がる。
【0034】
また上記金属膜20は銅に比較して高抵抗であるが、金属膜20はビアホール71内に露出した第1銅配線2上にのみに成膜されるので、結果として銅の接続プラグ7の側壁には金属膜20は形成されない。よって、デバイス全体としての配線抵抗は低く抑えられる。
【0035】
<実施の形態3>
実施の形態3においても、図1に示した本発明に係る半導体装置の別の形成手法を示す。ここでも、実施の形態1と同様に、半導体基板上に第1層間絶縁膜1、第1銅配線2、バリアメタル3、バリア絶縁膜4、第2層間絶縁膜5を形成する(図2,図3)。次いで第2層間絶縁膜5に、第2銅配線6を形成するためのトレンチ61、並びに、接続プラグ7を形成するための第1銅配線2に達するビアホール71を形成する(図4)。
【0036】
本実施の形態では、非選択CVD法やPVD法により、トレンチ61およびビアホール71内部を含むの全面に、所定の金属膜30を成膜する(図12)。金属膜30は、銅と反応して銅の合金層を形成し得るものであり、例えばCr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alの金属のうち少なくとも1種を含むものとする。例えばアルミニウム膜を10nm程度成膜する。
【0037】
続いて、熱処理(例えば400℃、30分程度)を加えることにより、第1銅配線2と金属膜20とを反応させ、銅の合金層10を形成する。即ち、ビアホール71内の第1銅配線2上部にのみ合金層10が形成される(図13)。
【0038】
次に、金属膜30を溶解し且つ合金層10や第2層間絶縁膜5を溶解しない薬液を用い、未反応の金属膜30のみを選択的に除去する(図14)。上記薬液は金属膜30の種類によって変わるが、例えば金属膜30としてアルミニウム膜やクロム膜を用いる場合には塩酸または硫酸を使用すればよい。
【0039】
このようにトレンチ61およびビアホール71内の未反応の金属膜30を除去することは重要である。未反応金属層が残っていると、その後に形成される第2銅配線6および接続プラグ7の断面積が、その分だけ減少し、配線抵抗の上昇が生じてしまうためである。
【0040】
以降、実施の形態1と同様に、バリアメタル8および銅膜15を成膜し(図6,図7)、第2層間絶縁膜5上面の余分なバリアメタル8、銅膜15を除去することで、第2銅配線6および接続プラグ7を形成する(図8)。最後にバリア絶縁膜9を形成して、図1に示した配線構造が得られる。
【0041】
以上の工程によれば、SMによるボイドが発生しやすい第1銅配線2上部の接続プラグ7が接続した部分のみに、自己整合的に銅の合金層10を形成することができる。また、合金層10を形成するための材料は、上記特許文献3のようにバリアメタルとして機能する金属に限定されるようなことはない。但し、CVDにおいて成膜可能な材料で、且つ、合金層10との選択性をもって除去可能である必要がある。
【0042】
また上記金属膜30は銅に比較して高抵抗であるが、本実施の形態によればトレンチ61およびビアホール71内の未反応の金属膜30を除去されるので、結果として銅の接続プラグ7の側壁には金属膜30は残留しない。よって、デバイス全体としての配線抵抗は低く抑えられる。
【0043】
また、図12の金属膜30の成膜工程の前に、図4のトレンチ61およびビアホール71が形成された第2層間絶縁膜5をマスクにして、アルゴンイオンや窒素イオンを第1銅配線2上面に注入し、第1銅配線2の合金層10が形成される部分をアモルファス化しておくことも有効である。その後の熱処理による合金層10の形成の際に、第1銅配線2と金属膜30との反応が活性化され、均一性に優れた合金層10が得られる。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体装置によれば、SMによるボイドが発生しやすい、銅を主成分とする配線上部の接続プラグとの接続部分に銅と所定の金属元素との合金層が形成される。一般に、銅の合金は純粋な銅と比較して硬度が高いので、マイクロボイドの移動が起こり難く、SMによるボイドは発生し難い。よって、SM不良の発生を抑える効果が得られる。また、合金層は、そのボイドが形成されやすい部分のみに形成されており、配線の抵抗上昇は最小限に抑えられている。また、接続プラグも銅により形成され、その側壁には上記所定の金属元素による金属層を有しないため、デバイス全体としての配線抵抗は低く抑えられる。
【0045】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、SMによるボイドが発生しやすい銅を主成分とする配線上部の接続プラグが接続した部分のみに、自己整合的に銅の合金層を形成することができる。合金層を形成するために銅に添加される金属元素は、バリアメタルとして機能するものに限定されない。また、接続プラグの表面に形成するバリアメタルの材料の選択の幅も広がる。さらに、接続プラグの側壁には、合金層を形成するために銅に添加した金属元素による金属層が形成されないため、デバイス全体としての配線抵抗は低く抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体装置の配線構造を示す図である。
【図2】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図3】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図4】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図5】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図6】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図7】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図8】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図9】実施の形態1の変形例を示す図である。
【図10】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図11】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図12】実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図13】実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図14】実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
1 第1層間絶縁膜、2 第1銅配線、3 バリアメタル、4 バリア絶縁膜、5 第2層間絶縁膜、6 第2銅配線、7 接続プラグ、8 バリアメタル、9 バリア絶縁膜、10 合金層、15 銅膜、20,30 金属膜、61 トレンチ、71 ビアホール。
Claims (5)
- 銅を主成分とする配線と、
前記配線上に接続した、銅を主成分とする接続プラグと、
前記配線上部の前記接続プラグが接続した部分のみに形成された、銅に所定の金属元素が添加された合金層とを備え、
前記所定の金属元素は、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含んでおり、
前記接続プラグの側壁には、前記所定の金属元素による金属層が存在しない
ことを特徴とする半導体装置。 - (a)半導体基板上の第1絶縁膜内に、銅を主成分とする配線を形成する工程と、
(b)前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成し、前記第2絶縁膜に前記配線に達するビアホールを形成する工程と、
(c)前記ビアホールが形成された第2絶縁膜をマスクとして、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含む所定のイオンを注入することにより、前記ビアホール内の前記配線上部に銅の合金層を形成する工程と、
(d)前記ビアホール内に銅を主成分とする接続プラグを形成する工程とを備える、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体基板上の第1絶縁膜内に、銅を主成分とする配線を形成する工程と、
(b)前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成し、前記第2絶縁膜に前記配線に達するビアホールを形成する工程と、
(c)前記ビアホール内に露出した前記配線上に選択的に、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含む所定の金属膜を堆積する工程と、
(d)熱処理により前記配線と前記金属膜とを反応させ、前記ビアホール内の前記配線上部に銅の合金層を形成する工程と、
(e)前記ビアホール内に銅を主成分とする接続プラグを形成する工程とを備える、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体基板上の第1絶縁膜内に、銅を主成分とする配線を形成する工程と、
(b)前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成し、前記第2絶縁膜に前記配線に達するビアホールを形成する工程と、
(c)前記ビアホール内に、Cr,Zr,Zn,Sc,Y,In,Sn,Mg,Co,Ag,W,Ti,Alのうち少なくとも1種を含む所定の金属膜を堆積する工程と、
(d)熱処理により前記配線と前記金属膜とを反応させ、前記ビアホール内の前記配線上部に銅の合金層を形成する工程と、
(e)前記工程(d)において未反応であった前記金属膜を除去する工程と、
(f)前記ビアホール内に、銅を主成分とする接続プラグを形成する工程とを備える、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程(c)に先立って、
(g)前記ビアホールが形成された第2絶縁膜をマスクとして所定のイオンを注入することにより、前記ビアホール内に露出した前記配線上部をアモルファス化する工程が実行される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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