JP2007150301A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、下部配線110、層間絶縁膜100、200、拡散防止膜120、240、上部配線230を備えている。層間絶縁膜200は、下部配線110上に形成され、下部配線110の上面が露出するビアホール230aを有する。拡散防止膜240は、ビアホール230aの両側壁に形成される。上部配線230は、ビアホール230aを埋め込み、下部配線110と直接接触する。下部配線110内にはビアホール230aの延びる方向に拡散防止膜120の成分を含む不純物領域130が形成される。
【選択図】図1
Description
本発明が達成しようとする他の技術的課題は、抵抗特性が改善され信頼性が向上する半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及していないまた他の技術的課題は下記記載によって当業者が明確に理解できるものである。
第1に、下部配線と上部配線との間に拡散防止膜が介在しないため、銅配線の比抵抗を低減することができる。
第2に、半導体装置における配線のSIV特性などの信頼性を向上させることができる。
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付する図面と共に詳細に後述する実施形態による明確になる。しかし、本発明は以下にて開示する実施形態に限定されるものではなく、異なる多様な形態によって実施することができるものである。本実施形態は、単に本発明の開示が十分にすることを目的とするものであり、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に発明の範囲を明確にするために提供されるものであって、本発明は請求項によってのみ定義されるものである。明細書の全体に亘り、同一の参照符号は同一構成要素を示す。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の断面を示す。図1を参照すれば、本発明の一実施形態に係る半導体装置は、下部配線110、層間絶縁膜200、上部配線230、および拡散防止膜240を備える。
下部配線110の上部に形成され、ビアホール230aを備える層間絶縁膜200は、単一膜であってもよく、図1に示すように複数の絶縁膜210、220が積層された構造であってもよい。また、ビアホール230a上に形成された層間絶縁膜220内には、ビアホール230aと連結されて上部配線230を形成するトレンチ230bを備えていてもよい。層間絶縁膜200は、例えばシリコン酸化膜(SiOx)、PE−TEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate)、PEOX(Plasma Enhanced Oxide)、FSG(Fluoride Silicate Glass)、PSG(Phosphor Silicate Glass)、BPSG(Boro Phospho Silica Glass)、USG(Undoped Silica Glass)、SiOC(H)、またはこれらの積層膜で形成される。
このような工程は、当業界によく知らされた工程によることであるため、具体的な説明は省略する。
拡散防止膜240aは、TiN、Ti、Ta、TaN、TiSiN、またはTaSiNなどのような導電性材質で形成されるが、これらに限定するものではない。また、拡散防止膜240aは、PVD、ALD、またはMOCVDなどのような方法によって形成される。ここで、例えばPVDによって拡散防止膜240aを形成する場合、図4に示すようにビアホール230aの内壁と底面には層間絶縁膜220の上部やトレンチ230bの内壁より相対的に薄い薄膜で形成される。
ここで、不純物領域130は、熱処理によって所定の拡散防止膜240と下部配線110成分とが互いに反転されることによって形成される。具体的には、ビアホール230aの底面に形成され下部配線110と接触している拡散防止膜240は、熱処理によって下部配線110がビアホール230a側に広がり、相対的に拡散防止膜240は下部配線110内に広がる。このため、下部配線110内には、拡散防止膜240の成分が下部配線110成分と金属間化合物を生成したり、粒界内に偏析したりする。その結果、下部配線110内には、ビアホール230aの延びる方向に拡散防止膜240の成分を含む不純物領域130が形成される。したがって、ビアホール230aの底面にあった拡散防止膜240が除去される効果をもたらし、ビアホール230aによって下部配線110が再び露出する。ここで、下部配線110の上面プロファイルは、ビアホール230aの底面と当接するか、ビアホール230aの内部に突出する。
上部配線を形成するために、先ず図6に示すように、ビアホールとトレンチの内壁とにシード層250を形成する。シード層250は、例えばPVD方法で銅を蒸着し、約100〜2000Åの厚さを有するように形成する。
以後、当業界によく知らされた後続工程によって半導体装置を完成する。
図7Aは、前述した図4によって説明した結果物について測定された表面分析写真である。具体的には、拡散防止膜が形成されたビアホールの底面の表面を示す。図7Aに示すように、表面は拡散防止膜によって覆われている。
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、より詳しくは、下部配線と上部配線との間に拡散防止膜が介在しないことによって、銅配線の比抵抗を低減することができ、信頼性が向上した配線を備えた半導体装置およびその製造方法に関する技術分野に適用することができる。
Claims (15)
- 下部配線と、
前記下部配線上に形成され、前記下部配線の上面が露出するビアホールを有する層間絶縁膜と、
前記ビアホールの両側壁に形成された拡散防止膜と、
前記ビアホールを埋め込み、前記下部配線と直接接触する上部配線と、を備え、
前記下部配線内には前記ビアホールが延びる方向に前記拡散防止膜の成分を含む不純物領域が形成されている半導体装置。 - 前記下部配線は、前記ビアホールの底面と当接、または前記ビアホール内に突出した上面プロファイルを有する請求項1に記載の半導体装置。
- 前記下部配線および前記上部配線は、各々銅または銅合金を含む請求項1に記載の半導体装置。
- 前記拡散防止膜は、TiN、Ti、Ta、TaN、TiSiN、またはTaSiNを含む請求項1に記載の半導体装置。
- 前記拡散防止膜の厚さは、10〜500Åである請求項1に記載の半導体装置。
- 下部配線を形成する段階と、
前記下部配線の上面が露出するビアホールを有する層間絶縁膜を形成する段階と、
前記ビアホールの内壁および底面を覆う拡散防止膜を形成する段階と、
熱処理して前記ビアホールの底面に形成された前記拡散防止膜とこれに隣接する前記下部配線とを互いに反転させ、前記下部配線内に前記拡散防止膜の成分を含む不純物領域を形成する段階と、
前記ビアホールを埋め込み、前記下部配線と直接接触する上部配線を形成する段階と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記下部配線および前記上部配線は、各々銅または銅合金を含む請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記拡散防止膜は、TiN、Ti、Ta、TaN、TiSiN、またはTaSiNで形成する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記拡散防止膜は、その厚さを10〜500Åで形成する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記拡散防止膜は、前記ビアホールの底面に100Å以下の厚さで形成する請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理は、400〜700℃で行う請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理は、RTP工程または炉工程で実施する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアホールを埋め込むとき、
前記ビアホールの側壁に形成された前記拡散防止膜上に銅シード層を形成する段階と、
電気メッキで銅層を形成する段階と、
を含む請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記層間絶縁膜を形成するとき、前記ビアホールの上部にトレンチを形成する段階をさらに含み、
前記拡散防止膜を形成するとき、前記トレンチの内壁に前記拡散防止膜を同時に形成し、
前記ビアホールを埋め込むとき、前記トレンチを同時に埋め込む請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理は、
前記下部配線の上面を前記ビアホールから露出させる段階と、
前記下部配線の上面プロファイルを、前記ビアホールの底面と当接させる、または前記ビアホールの内部に突出させる段階と、
を含む請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050113818A KR100714476B1 (ko) | 2005-11-25 | 2005-11-25 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007150301A true JP2007150301A (ja) | 2007-06-14 |
JP2007150301A5 JP2007150301A5 (ja) | 2010-01-14 |
Family
ID=38086643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006312571A Pending JP2007150301A (ja) | 2005-11-25 | 2006-11-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7482684B2 (ja) |
JP (1) | JP2007150301A (ja) |
KR (1) | KR100714476B1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7122898B1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-10-17 | International Business Machines Corporation | Electrical programmable metal resistor |
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TW201532247A (zh) | 2013-10-16 | 2015-08-16 | Conversant Intellectual Property Man Inc | 形成嵌入動態隨機存取記憶體電容器的成本效益佳的方法 |
US9997457B2 (en) | 2013-12-20 | 2018-06-12 | Intel Corporation | Cobalt based interconnects and methods of fabrication thereof |
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-
2005
- 2005-11-25 KR KR1020050113818A patent/KR100714476B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-11-02 US US11/591,762 patent/US7482684B2/en active Active
- 2006-11-20 JP JP2006312571A patent/JP2007150301A/ja active Pending
-
2008
- 2008-12-16 US US12/336,028 patent/US7629239B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090098730A1 (en) | 2009-04-16 |
US20070120242A1 (en) | 2007-05-31 |
US7482684B2 (en) | 2009-01-27 |
KR100714476B1 (ko) | 2007-05-07 |
US7629239B2 (en) | 2009-12-08 |
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A02 | Decision of refusal |
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