TW434899B - Device with optical communication means - Google Patents

Device with optical communication means Download PDF

Info

Publication number
TW434899B
TW434899B TW088114987A TW88114987A TW434899B TW 434899 B TW434899 B TW 434899B TW 088114987 A TW088114987 A TW 088114987A TW 88114987 A TW88114987 A TW 88114987A TW 434899 B TW434899 B TW 434899B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting
scope
patent application
layer
Prior art date
Application number
TW088114987A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Shimoda
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW434899B publication Critical patent/TW434899B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12004Combinations of two or more optical elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/43Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
    • H01L31/105Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PIN type
    • H01L31/1055Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PIN type the devices comprising amorphous materials of Group IV of the Periodic System
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • H01L31/173Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier formed in, or on, a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K65/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/075Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

Description

4 3 4 8 9 9 A7 B7 五、發明說明(1 ) 【技術範圍】 本發明係關於具備光傳達手段之裝置者。 【背景技術】 以往之半導體裝置(例如,具備T F T元件的液晶顯 示元件)等之裝置中,將所定之元件和所定之元件以電氣 配線加以連接,僅以電氣信號傳達資訊驅動電路。 但是,於前述以往之裝置中,因爲伴隨於電氣配線( 配線)之容量及配線阻抗,會有信號延遲之缺點。愈是達 成半導體裝置之高密度化,此信號之延遲會變大,,其會 成爲半導體高速化之大障礙。又,有由於配線阻抗而發熱 之缺點。 雖有以光纖之光資訊傳達之手段,但該用途係限於較 大型之裝置。 【發明之揭示】 本發明之課題係提供與電氣信號不同之資訊傳達方式 的光傳達手段,尤其可提供具備提高集積度和高速性的光 傳達手段的裝置。 爲解溪如此之課題,於本發明提供下述(1 )〜( 2 1 )之裝置。 (1 )具備具有以薄膜構成之至少一個之發光元件的 發光部,和具有以薄膜構成之至少一個之受光元件的受光 部,和將來自前述發光部之光,與各前述受光部引導的導 本紙張义度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -4 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -0^---------訂——>------線 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 4 3 4 8 9 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -------__ 五、發明說明(2 ) 光路徑堆積所成之光傳達手段者爲特徵之具備光傳達手段 之裝置。 (2 )前述發光部、前述受光部及前述導光部係具備 設於至少一次元方向的上述(1 )記載的具備光傳達手段 之裝置。 (3 )前述發光部、前述受光部及前述導光部係具備 設於同一基板上之上述(i )或(2 )記載的具備光傳達 手段之裝置。 (4 )前述發光部、前述受光部及前述導光部係具備 設於二次元方向的上述(1 )記載的具備光傳達手段之裝 jns. IM. 0 (5 )前述發光部、前述受光部及前述導光部係具備 設於三次元方向的上述(1 )記載的具備光傳達手段之裝 置。 C 6 )堆積具有前述發光部、前述受光部及前述導光 部之至少一層的構造之上述(5 )記載的具備光傳達手段 之裝置。 (7 )前述發光部係具有發光特性之不同複數之發光 元件的上述(1) 、(2) 、(4) ' (5) 、(6)之 任一記載的具備光傳達手段之裝置·。 (8 )前述發光部係具有發光之光尖峰波長不同的複 數發光元件的上述(1 ) 、 ( 2 ) 、( 4 ) 、 ( 5 )、( 6 )之任一記載的具備光傳達手段之裝置。 (9 )前述受光部係具有受光來自對應前述發光元件 ^ ----------訂--------線 '}·’ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張义度適用中國國家標準(CNS)A·!規格(2.10 X 297公t ) - 5 - 434899 A7 B7 五、發明說明(3 ) 之光的複數受光元件的上述(7 )記載的具備光傳達手段 之裝置。 C 1 Q )構成即述發光兀件之至少—個薄膜係經由噴 墨方式形成圖案之上述(1) 、 (2) 、 (4) 、 (5) 、(6 )之任一記載的具備光傳達手段之裝置^ (1 1 )則述發光元件係以有機E L元件所構成之上 述(1 ) 、( 2 ) 、( 4 ) 、( 5 ) 、 C 6 )之任一記載 的具備光傳達手段之裝置。 (1 2 )前述發光元件係以有機e L元件和光學濾色 片所構成之上述(1 ) 、 ( 2 ) ' ( 4 ) 、 ( 5 ) 、 ( 6 )之任一記載的具備光傳達手段之裝置。 (1 3 ) μ述光學濾色片係堆積折射率不同之複數薄 膜的分部反射型多層膜鏡之上述(1 2 )之記載的具備光 傳達手段之裝置。 C 1 4 )構成前述受光元件之至少一個薄膜爲經由噴 墨方式形成圖案之上述(1) 、 (2) 、 (4) 、 (5) 、(6 )之任一記載的具備光傳達手段之裝置。 C 1 5 )前述受光元件係以有機元件所構成之上述( 1 ) 、 C 2 ) 、 C 4 ) 、 ( 5 ) ' ( 6 )之任一記載的具 備光傳達手段之裝置。 (1 6 )前述受光元件係以有機元件和光學濾色片所 構成之上述(1) 、(2) 、(4) 、 (5) 、(6)之 任一記載的光傳達手段之裝置。 (1 7 )前述導光路徑係具備以薄膜構成之上述(1 本紙張反度適用中國國家標準(CNSM4規格(210 X 297公釐) -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,袈 訂—.------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 43 4 8 ; i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(4 ) )、(2 ) 、 ( 4 ) 、( 5 ) ' ( 6 )之任一記載的具備 光傳達手段之裝置 C 1 8 )構成前述導光路徑之至少一個薄膜係經由噴 墨方式形成圖案之上述(1) 、 (2) 、 (4) 、 (5) 、(6 )之任一記載的具備光傳達手段之裝置。 (19)具有薄膜電晶體之上述¢1) 、 (2)、( 4) 、(5) 、(6)之任一記載的具備光傳達手段之裝 置。 (2 0 )於同一基板上具有複數之電路方塊,該各複 數之電路方塊具備前述發光部和前述受光部的上述(1) 、(2 ) 、(4) 、(5) 、(6)之任一記載的具備光 傳達手段之裝置。 (2 1 )前述複數之電路方塊中之所定電路方塊間, 以1前述導光路徑結合,於該電路方塊間,介由該導光路 徑,將信號經由光送訊•收訊地加以構成的上述(2 0 ) 之記載的具備光傳達手段之裝置。 【圖面之簡單說明】 圖1係將具備本發明之一實施形態的光傳達手段之裝 置的主要部分呈模式化地加以顯示之圖。 圖2係於本發明中,顯示做爲發光元件,使用有機 E L元件時的該構成例,和導光路徑之構成例的截面圖。 圖3係爲說明噴墨印刷之有機_E L元件之製造方法圖 木纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A:1規格(21Ό X 297公釐) —1 — ^--------------訂· —,---1—線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______B7 五、發明說明(5 ) 圖4係於本發明中,顯示做爲受光元件使用P I N光 電二極體時之該構成例,和導光路徑之構成例的截面圖。 圖5係顯示本發明之增幅電路之構成例的電路圖。 圖6係顯示本發明之增幅電路之其他構成例的電路圖 〇 圖7係顯示本發明之增幅電路之其他構成例的方塊圖 0 圖8係顯示本發明之電流增幅器之構成例的電路圖。 圖9係具備本發明之其他實施形態之光傳達手段裝置 之主要部分呈模式地加以顯示之圖。 圖1 0係顯示本發明之發光元件之構成例,和導光路 徑之構成例的截面圖。 圖1 1係顯示本發明之受光元件之構成例,和導光路 徑之構成例的截面圖。 圖1 2係圖1 1中之A — A線的截面圖。 圖1 3係具備本發明之更爲其他實施形態之光傳達手 段裝置之主要部分呈模式地加以顯示之圖。 圖1 4係具備本發明之更爲其他實施形態之光傳達手 段裝置之主要部分呈模式地加以顯示之圖。 主要元件對照表 1 :裝置 2 :基板 3 :發光元件 本紙張&度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 X 297公釐) -8 - -----1.--It !| 訂·11.— 1 !線''.r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明說明(6 )3 a :有機E L元件4 :導光路徑 光 路 件 N 路 電 元I 電 置動置 光 P 幅線路裝驅裝 受:增配電 ...... : 3 '. : · nw- OW LQ LO CO VI 00 I~~ΐ 一~! 00 疆 極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ¥ aο 2
C ο 3 3 2 3 3 3 4 3 5 3 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4 2 4
片層 件極 極 色 g 層 、 元電層電壁濾 ο ο b 光明光屬離學 .1 T 、 發透發金隔光 SI 層 2 〇 1 S 3 4 〇 5 5 T-_ 2 5 3 5 d 6 層 5 r 4 ' 3 2 1-_ 第 訂---r------線 極 電 件窗 元部 光光 受受 a 3 型型 p i
S
S 層 C 層 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A.l規格X 297公釐) ^9- 434899 A7 B7 五、發明說明(7 ) 54:11型3 — 31(:層 55:A1-Si-Cu 層 5 6 :光學濾色片 6 1,6 2 :數位增幅電路 6 3 :增幅電路 7 0 :配線 8 1 ’ 8 2 :電路方塊 8 1(A) ( B ):電路方塊 9 0 :噴嘴 1 0 0 ·’裝置 211,212,213:發光板 221,222,223,224,225,226 ’227,264:受光部 301 > 302 :發光元件 3 2 0 :層 501 ,502 :受光元件 6 ◦ 1,6 0 2 :增幅電路 6 3 1 :電流增幅器 6 3 2 : A/D變換器 【實施發明之最佳形態】 以下,將具備本發明之光傳達手段的裝置,根據示於 附加圖面的適切實施形態加以詳細說明。 圖1係將具備本發明之一實施形態的光傳達手段之裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ 1 〇 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂—------線 經濟部智慧財產局3工消費合作社印製 434899 A7 B7 五、發明說明(8 ) 置的主要部分呈模式化地加以顯示之圖。 示於同圖之裝置(半導體裝置)1係具有基板2。於 此基板2上,設置發光元件3 ,和驅動此發光元件3之驅 動電路,於發光元件3各設置送出信號之未圖示的電路( 送訊側之電路),和受光元件(光檢出元件)5 ,和將來 自前述發光元件3之光導向前述受光元件5之導光路徑( 導波路徑)4,和增幅電路6、和配線(電氣配線)7, 和電路8。 即,於基板2上,堆積發光元件3,和構成具備前述 驅動電路送出信號電路的各元件及各配線,和導光路徑4 、和受光元件5、和構成增幅電路6之各元件及各配線, 和配線7,和構成電路8之各元件及各配線。 做爲基板2之構成材料,例如列舉各種玻璃、矽單結 晶、陶瓷、石英等。 又,發光元件3、導光路徑4及受光元件5係一部分 或全部以薄膜加以構成。 經由前述發光元件3構成發光部,經由前述受光元件 5 ’構成受光部,又藉由前述發光元件3、導光路徑4及 受光元件5,構成光傳達手段。 做爲此裝置1之發光元件3 ,例如將有機E L元件, 做爲受光元件5,例如可使用發光二極體。 圖2係顯示做爲示於圖1之構造的發光元件3,使用 有機E L元件時之構成例,和導光路徑4之構成例的截面 圖。 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)Al規格(210 X 297公釐) -11- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂—,------線-_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 434899 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(9 ) 如同圖所示,有機E L元件3 a係以透明電極3 1、 和發光層(有機EL層)3 2、和金屬電極3 3、和兼具 遮光部及墨水擴散防止用壁的隔離壁(區庫)3 4。此有 機E L元件3 a係設置於後述之導光路徑4上。以下,具 體地說明有機E L元件3 a之構造。 隔離壁3 4係形成於後述之導光路徑4之S i ◦ 2層 43上。又,透明電極3 1及發光層3 2係各形成於隔離 壁3 4之內側。此時,於S i ◦ 2層4 3上,形成透明電極 3 1 ,於該透明電極3 1上,形成發光層3 2。然後.,於 前述隔離壁3 4及發光層3 2上,形成金屬電極3 3。 透明電極3 1係例如以I T 0等加以構成。又,透明 電極3 1之厚度係呈5 0〜5 0 0 nm程度者爲佳。 於發光層3 2 ,做爲發光物質雖使用有機發光材料, 此時發光波長之選擇的自由度爲大,事實上經由選擇特定 之材料,將材料複合化地,可選擇任何長度之波長。 做爲有機發光材料,選擇發光材料中之激勵子之能量 爲選擇相當於對應於有機物質之禁止寬度的homo(最 高被佔準位)—L U Μ 0 (最低被佔準位)間之能量差者 。例如選擇低分子、高分子,特別是選擇於主鏈共軛系之 發達的共軛高分子,導電性高分子或色素分子。 做爲有機發光材料,使用低分子有機材料之時,例如 對於藍色發光,使用蒽fBPPCP'Zn (ΟχΖ)2、 D S Β、該衍生物(P E S Β )等。又,例如對於漿綠色 發光,使用A 1 q 3、暈苯等。又,例如對於紅色發光,使 本紙張义度適用中國國家標準(CNS)M規格(210 X 297公f ) - 12 - -----L-------^ --------訂----丨1__!線 /> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 48 Α7 Β7 五、發明說明(ίο ) 用BPpc、紫蘇烯、DCM等。 又,做爲有機發光材料,使用p PV、RO — P PV 、CN-PPV ' pdPhQx、PQx、PVK (聚( N —乙烯基苄唑))、pps、pnPS、PBPS 等。 尤其’ P V K係經由控制E u錯台體等載體輸送能力 之劣化色素分子等之滲雜墨之混合濃度或吐出次數,改變 發光波長(及光色)。例如於P V K所成有機發光材料滲 雜螢光色素時,可調整發光色。於PVK滲雜1 , 1 ,4 ,4一四苯基一1 ,3 — 丁二烯(TPB)、氧染萘6、 D C Μ 1之色素時,各可將發光色呈藍色、綠色、橘色。 又,於Ρ V Κ將3種色素用時滲雜時,可得寬廣之光譜。 又,於Ρ Ρ V呈滲雜若丹明Β或D C Μ地構成時,可將發 光色自綠色至紅色任意地改變。 較佳者係主要將形成發光層3 2之共軛系高分子有機 化合物之先驅體,或將該先驅體,和爲變化發光層3 2之 發光特性的螢光色素等,溶解或分散於所定溶媒的有機 E L元件用組成物(發光層3 2用之組成物)加以加熱處 理*將該有機E L元件用組成物中之前述先驅體,以高分 子化之薄膜(固體薄膜)加以形成。或,做爲其他之例, 前述發光層3 2係於有機溶媒,將可溶共軛系高分子,或 將該共軛系高分子,和將變化發光層3 2之發光特性的螢 光色素等溶解於有機溶媒的組成物(發光層3 2用之組成 物),加以乾燥或加熱處理,以所得高分子之薄膜加以形 成。有關發光層3 2之厚度係呈5 0〜5 0 0程度者爲佳 本紙張反度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂—-------線' 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 3 4 8 9 9 A? B7 五、發明說明(11) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於金屬電極3 3中,例如使用A 1 — L i等。又,金 屬電極3 3之厚度係呈1 〇〜5 0 0 nm程度者爲佳》 於隔離壁3 4中,例如使用聚醯亞胺、S i 0 2等。又 ,隔離壁3 4之厚度係較透明電極3 1和發光層3 2之合 計厚度者爲佳。 如前所述,於圖1所示基板2上,設置具備驅動有機 E L元件3 a之未圖示的驅動電路的送訊側電路。然後, 此有機E L元件3 a中,於自前述驅動電路至透明電極 3 1和金屬電極3 3間,施加所定之電壓時,於發光層 3 2植入電子及正孔(洞),其係經由施加之電壓,經由 所產生之電場,移動發光層3 2中再結合。於此再結合時 ,生成激勵子,此激勵子回到基底狀態時,放出能量(螢 光.磷光)。即,加以發光。將此現象稱之爲E L發光。 接著,說明有機E L元件3 a之製造方法。本例中, 經由噴墨印刷,製造圖2所示之構造的有機E L元件3 a 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印;1,'4 此噴墨印刷之製造方法係經由噴墨印刷方式,即將所 定之組成物(吐出液),自噴頭吐出,將所定之薄膜(層 )材料圖案形成,將此固化呈薄膜之方法。以下,參照圖 3具體說明噴墨印刷所成之有機E L元件3 a之製造方法 〇 如同圖所示,首先將隔離壁3 4 ’例如經由光蝕刻力口 以形成。接著,將預先準備之透明電極3 1用之組成物’ -14 - 本纸張反度適用中國®家標準(CNSW規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 434899 A7 B7 五、發明說明(12) 經由噴墨印刷方式,於導光路徑4上呈圖案狀地加以形成 。即,自噴墨用之噴頭之噴嘴9 0噴出透明電極3 1用之 組成物,形成所定之圖案。然後,加熱處理該圖案形成之 透明電極3 1用之組成物,加以固化,形成透明電極3 1 〇 接著,將預先準備之發光層3 2用之組成物|經由噴 墨印刷方式加以圖案形成。即,自噴墨用之噴頭之噴嘴 100,吐出發光層32用之組成物,形成所定圖案。然 後,加熱處理此圖案形成之發光層3 2用之組成物之層 3 2 0,高分子化該層3 2 0中之共軛系高妙子有機化合 物之先驅體。即,固化層3 2 0,形成發光層3 2。 於最後,將電極3 3 ,例如經由濺射或蒸著法加以形 成,得圖2所示構造之有機E L元件3 a。 有關之噴墨印刷,即根據噴墨方式時,可將微細之圖 案’容易,於短時間,且正確地加以進行。又,經由組成 物之吐出量之增減,可容易且正確地進行膜厚之調整。由 此,可容易且自由地控制膜之性狀,或發色平衡、亮度等 之發色能。 因此,將具有所期望之特性,尺寸,圖案的有機E L 元件3 a ,於基板2上’特別是於堆積如τ F T (薄膜電 晶體)’或一般之單結晶矽基台之I C等之微細元件的基 板2上,可容易地加以形成。 圖2所示之構造的導光路徑4係以S i 0 2層4 1 、和 S i 〇2層43和設於S i 〇2層4 1和S i 02層43間 本紙張义度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂----------線 _ 4 3^899 a? B7 五、發明說明(13) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之I T 〇層4 2加以構成。此時,於基板2上,形成 S i 〇2層4 1。S i 〇2層4 1之厚度係以5 〇nm〜 1〇#111程度爲佳。11'0層42之厚度係以3〇11111〜 1 〇 /zm程度爲佳。S i 〇2層4 3之厚度係以5 0 nm〜 1 〇 # m程度爲佳。 如圖1所示,此導光路徑4係至少延伸自有機E L元 件3 a (發光元件)至後述P I N光電二極體5 a (受光 元件5 ),將自有機E L元件3 a的光向P I N光電二極 體5 a引導。 此導光路徑4係可使用既有之薄膜形成法(C V D、 P V D等)和光蝕刻加以製造》 更且,導光路徑4係如前述有機E L元件3 a ,可經 由噴墨印刷加以製造。即,構成導光路徑4之至少1個薄 膜(層)係如前述有機E L元件3 a ,將所定組成物經由 噴墨印刷方式’圖案形成,將此固化而製造。此時,可得 前述噴墨印刷之效果= 另一方面,做爲圖1所示構造之受光元件5 ,例如可 使用PIN光電二極體。 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 圖4係顯示做爲受光元件5,使用P I N光電二極體 時之構成例,和導光路徑4之構成例的截面圖。 如同圖所示,P I N光電二極體5 a係以受光部窗電 極51 ,和p型a — S i C層(p型半導體層)52、i 型a~S i層(半導體層)53,η型a-S i C層54 及A 1 一 s i _ C u層5 5係自圖4中下側,以此順序堆 -16- 本紙張&度適用中國國家標準(CN:SM-〗規格(210 X 297公釐) 43 4899 A7 B7 五、發明說明(14) 積。 此P I N光電二極體5 a係該受光部窗電極5 1與前 述導光路徑4之I T 0層4 2呈對面地,設置於該導光路 徑4上。然而,導光路徑4之前述受光部窗電極5 1和對 應部分中’未形成S 1 〇2層4 3。 受光部窗電極5 1係例如以I T 0等加以構成。此受 光部窗電極5 1之厚度係以5 Q nm〜1 程度者爲佳 〇 又,做爲一例P型a — S i c層52、i型a — s 1 層 53、η 型 a — S i C 層 54 及 Al-S i— Cu 層 55之厚度係各可爲5〇nm、8〇nm、5〇nm及1 β m 。 惟,前述各層之厚度係各不限於前述之値。即’有關 於各層之厚度,存在有許多的狀態,各層之厚度係各具有 相當之自由度。 此P I N光電二極體5 a係如前述有機E L元件3 a ,可經由噴墨印刷加以製造。即構成P I N光電二極體 5 a的至少一個薄膜(層),係如前述有機E L元件3 a 1將所定組成物經由噴墨方式圖案形成,將此固化加以製 造。此時,可得前述噴墨印刷之效果。 又,本發明中,做爲受光元件5 ,除了前述p 1 N光 電二極體5 a之外,可使用有機系之光檢出材料(有機元 件)。做爲此有機系之光檢出材料,例如可與前述有機 E L元件3 a同樣地加以使用。例如,使用P P V和氰基 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -i I n I--訂-丨 I-------線.. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張/U复適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- 434899 A7 B7 五、發明說明(15) P P V之混合物等。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖1所示,前述之P I N光電二極體5 a中,連接 增幅電路6之輸入側。 做爲增幅電路6,例如可列舉具有圖5所示之P通道 及N通道之MOS — FET (場效電晶體)的CMOS型 之數位增幅電路6 1,具有如圖6所示之雙極電晶體及 MOS - FET的B i - CMOS型之數位增幅電路6 2 ,圖7及圖8所示之電流增幅器(類比增幅電路)6 3 1 和A / D變換器6 3 2所構成之增幅電路6 3等。 然而,於增幅電路6 3之時,電氣信號(類比信號) 係輸入至電流增幅器6 3 1,增幅該電流値(信號準位) ,輸入至A / D變換器6 3 2。然後,此增幅之信號係以 A / D變換器6 3 2,由類比信號變換至數位信號,加以 輸出。 另一方面,如圖1所示,於前述增幅電路6之輸出側 ,介由配線7,連接所定之電路8。做爲電路8 ,例如列 舉具有形成於矽單結晶上之F E T (場效電晶體)的電路 ,或具有T F T (薄膜電晶體)的電路等。 經濟部智1財產局員工消費合作杜印製 如前述 > 於非示於圖1之送訊側之電路,送訊(生成 )之電氣信號則輸入至驅動電路,此驅動電路係根據該電 氣信號,驅動有機E L元件3 a (發光元件3 ),加以發 光。由此,生成光信號(光)。即,有機E L元件3 a係 經由驅動電路加以驅動,將前述電氣信號變換爲光信號( 光),將此送出(送訊)。 -18- 本紙張&度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 434899 · _ A7 B7 五、發明說明(16) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時,如圖3所示,來自有機E L元件3 a之發光層 3 2之光係以圖2中箭頭所示,透過透明電極3 1及 S i ◦ 2層4 3,入射至I T 0層4 2。然後,該光係以後 以S i 〇2層4 1和I TO層42之界面及S i〇2層43 和I 丁 ◦層42之界面,重覆反射,令I TO層42內向 P I N光電二極體5 a (受光元件5 )前進。 如圖4所示,來自有機E L元件3 a之光係如圖4中 之箭頭所示,自受光部窗電極5 1加以入射。即,以 P I N光電二極體5 a加以受光。 然後,自P I N光電二極體5 a係輸出對應受光光量 之大電流,即輸出電氣信號(光信號變換爲電氣信號加以 輸出)。自P I N光電二極體5 a之信號係以增幅電路6 加以增幅,介由配線7,輸入至電路8。電路8係根據此 信號加以動作。 如以上之說明,根據此裝置1時,於堆積微細之元件 之裝置1內,主要經由光通訊傳達資訊(信號)之故,於 有機E L元件3 a和P I N光電二極體5 a間,無電氣配 線之阻抗的發熱,由此可減低自裝置1的發熱。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,於有機E L元件3 a和P I N光電二極體5 a間 ,無信號之延遲之故,可實現回應性佳之裝置(電路)。 又,有機EL元件3a 、導光路徑4、P IN光電二 極體5 a等係經由噴墨印刷,形成於基板2上時,裝置1 之生產性則提升,有利於量產。 接著,說明具備本發明之光傳達手段的裝置的其他實 -19- 本纸張义度適用中國國家標準(CNS)A:j規格(210 X 297公釐) 434899 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(17) 施例。 圖9所示之裝置(半導體裝置)1 〇中,發光部以發 光特性(本實施形態中爲發光之光尖峰波長)之不同複數 (本實施形態爲3個)之發光元件3 0所構成。將受光部 所對應之前述發光元件3 0的光,以受光之複數(本實施 形態爲3個)之受光元件5 0加以構成。經由如此之構成 ’使用同一之導光路徑4,將複數(本實施形態爲3種) 之資訊(信號)同時地通訊。以下,將此裝置1 0具體地 加以說明。 如圖9所示,裝置1 0係具有基板2。於此基板2上 ,各設置複數(本實施形態爲3個)之發光元件3 0,和 驅動各發光元件3 0未圖示之驅動電路,和複數(本實施 形態爲3個)之受光元件(光檢出元件)5 0 ,和將自前 述發光元件3 0之光向前述受光元件5 0引導之導光路徑 (導波路徑)4,和複數(本實施形態爲3個)之增幅電 路6 0,和複數(本實施形態爲3個)之配線(電氣配線 )7 ◦,和電路8。 即,於基板2上,堆積3個之發光元件3 0,和構成 前述驅動電路之各元件及該配線,和導光路徑4、和3個 之受光元件5 0,和構成3個之增幅電路6 0的各元件及 該配線,和3個之配線7 〇 ’和電路8的各元件及該配線 〇 做爲基板2之構成材料係例如列舉各種玻璃、矽單結 晶、陶瓷、石英等。 本紙張&度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2]〇 x 297公釐) -20- I---- ---- I ------訂1-1--!線 , (請先閱讀背面之注§項再填寫本頁) 434899 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(18) 又’發光元件3 0、導光路徑4及受光元件5 0係一 部分或全部以薄膜加以構成。 如前述,此裝置1 0之各發光元件3 〇所發光之光尖 峰波長有所不同。在此,前述3個之發光元件3 0所發光 之尖峰波長各呈λι、Λ2以及λ3。此等Αι、以及 λ 3係於受光元件5 0側選擇性地加以受光地,有某程度之 乖離者爲佳。 此裝置1 0之各發光元件3 0係各改變有機EL層( 發光層3 2 )之材料或組成,或各改變濾色片特性地加以 構成。 圖1 0係顯示發光元件3 0之構成例,和導光路徑4 之構成例的截面圖。如同圖所示,各發光元件3 0係以透 明電極31 ,和發光層(有機EL層)32,和金屬電極 3 3,和兼具遮光部和墨擴展防止用壁的隔離壁(區庫) 34所構成之有機EL元件3a ,和光學濾色片3 5。各 發光元件3 0係設置於後述之導光路徑4上。 以下,具體地說明發光元件3 0之部分之構造。隔離 壁3 4係形成於後述之導光路徑4之S i 〇2層4 3上。 又,透明電極3 1、發光層3 2及光學濾色片3 5係 各形成於隔離壁3 4之內側。此時,於S 1 0 2層4 3上, 形成光學濾色片3 5 ,於該光學濾色片3 5上,形成透明 電極3 1,於該透明電極3 1上形成發光層3 2 ° 然後,於前述隔離壁3 4及發光層3 2上’形成金屬 電極3 3。此金屬電極係呈各有機EL元件3 a之共通電 本纸張尺度洎用中國國家標準(CNS)A:j規格(210 X 297公釐) -21 - ---------------- 訂---.------線,_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4348S9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 E7 五、發明說明(19)
極D 接著,對於發光層3 2加以說明。做爲發光物質,經 由使用有機發光材料,發光波長之選擇自由度爲大,事實 上經由選擇特定材料,複合化材料,可進行所有長度波長 之選擇。做爲有機發光材料,選擇相當發光材料之激勵子 能量對應有機物質之禁止帶寬度的Η Ο Μ 0 (最高被佔準 位)一 K U Μ 0 (最低空準位)間之能量差。例如選擇低 分子、高分子,特別是選擇於主鏈共軛系之發達的共軛高 分子,導電性高分子或色素分子。具體而言,將前述圖2 所示構造之有機E L元件3 a的發光層3 2所例示使用之 材料,對應所期望之波長適切地加以使用。 又,發光層所得之光波長(尖峰波長或波長帶域等) 係經由光學濾色片3 5可做某種程度之調節。 發光如白色光之波長帶域(帶域)之寬廣光,將該波 長調整之時,做爲光學濾色片3 5 ,可使用通常之吸收型 之光學濾色片(濾色片),由此僅通過所期望之顏色(波 長)之光,而呈光信號。 做爲光學濾色片3 5,例如可使用分布反射型多層膜 鏡(DBR鏡)。例如自有機EL元件3a發光之光,係 通常具有1 0 0 n m以上之波長帶域(波長之寬廣度), 做爲光學濾色片3 5使用D B R鏡時,可將此波長呈狹帶 域化(波長之寬廣度爲窄)。然後,使用複數之DBR鏡 時,例如由具有1 0 0 n m程度之波長之波長帶域的光, 具有不同尖峰波長,可得具尖銳尖峰的複數光。 - - ------όΜ--------訂 ------線;r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張兄度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -22 - 434899 Λ7 B7 五、發明說明(20) 如此地,經由改變有機E L元件3 a之發光層3 2之 材料,亦可將各發光元件3 0之尖峰波長各設定爲λ :、 A 2以及λ 3,又經由改變光學濾色片3 5,可將各發光元 件3 0之尖峰波長設定呈Αΐ、λ2以及λ3。 但是’經由改變有機E L元件3 a之材料,且改變光 學濾色片3 5 ’令各發光元件3 0之尖峰波長各設定於λ i 、入2以及λ3者爲佳。 前述D B R鏡係堆積折射率之不同之複數薄膜,尤其 具有複數折射率不同之2類薄膜所構成之對者(周期性堆 積者)。 做爲構成前述D B R鏡之薄膜的構成成分係例如可列 舉半導體材料或介電質材料,在此之中較佳爲介電質材料 此等係使用通常之真空成膜法加以形成。又,介電質材料 係於有機溶媒,將可溶有機化合物可做爲起始原料加以使 用’可容易達成前述噴墨方式之圖案形成之適用。 發光元件3 0之有機EL元件3 a係如前述裝置1之 有機E L元件3 a ,可經由噴墨印刷加以製造。即,構成 各發光元件3 0之有機E L元件3 a的至少一個薄膜(層 )係如前述裝置1之有機E L元件3 a ,經由噴墨方式加 以形成圖案,將此固化製造。於此時,可得前述經由噴墨 印刷之效果。 又,構成各發光元件3 0之D B R鏡(光學濾色片 3 5 )的薄膜係經由液相成膜法加以形成。 前述液相成膜法係稱將構成前述薄膜之構成成分,溶 本紙im適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂—.------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 434809 A7 B7 五、發明說明(21 ) 解或分散於溶媒之組成物(液體)’做爲薄膜材料(塗佈 液),不氣化該薄膜材料,形成薄膜之方法。 更佳者係各D B R鏡係如前述之裝置1之有機E L元 件3 a ,經由噴墨印刷加以製造者爲佳。即’構成各 DBR鏡之各薄膜係如前述裝置1之有機EL元件3a ’ 將前述組成物經由噴墨方式圖案形成’將此固化製造。於 此時,可得前述噴墨印刷所產生之效果。 如圖1 0所示,導光路徑4係以S i 0 2層4 1 、和 S i 〇2層43 ,和設於S i〇2層4 1和S i〇2層43 間的I T 0層4 2加以構成。此時,於基板2上,形成 S i〇2 層 41。S i〇2 層 41、IT〇層 42 及 S ί 〇2層4 3之厚度係各與前述之裝置1相同。 如圖9所示,此導光路徑4係至少自各發光元件3 0 至各受光元件5 0延伸,將自各發光元件3 0之光’向各 對應之受光元件5 0引導。 此導光路徑4係如前述之有機E L元件3 a ,可經由 噴墨印刷製造。即,構成導光路徑4之至少一個薄膜(層 )係如前述有機E L元件3 a ,將所定組成物’經由噴墨 +方式形成圖案,將此固化製造。於此時,可得前述噴墨印 刷所產生之效果》 做爲受光元件5 0,例如可以p 1 N光電二極體和所 定光學濾色片加以構成,又,以與前述裝置1同樣之有機 元件和所定之光學濾色片加以構成。 圖1 1係顯示受光元件5 0之構成例’和導光路徑4 本纸張又度適用中國國家標準(CN-SW規格(210 X 297公釐) -24- ----- Ί------* I-----—訂'------線一 . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 434899 Α7 Β7 五、發明說明(22) 之構成例的截面圖’圖12係以圖11中之A一A線的截 面圖。 如此等圖所示,各受光元件5 〇係以受光部窗電極 51、和P型a — S 1 C層(P型半導體層)52、和i 型a — S 1層(半導體層)53、和„型3_ s丨c層( N型半導體層)5 4,和兼爲受光部上部電極和配線(電 氣配線)的A 1 - S i — C u層5 5所構成之P I N光電 二極體5 a,和光學濾色片5 6加以構成。 此等光學濾色片5 6、受光郜窗電極5 1、p型a -
Si C 層 52、i 型 a— Si 層 53、η 型 a— Si C 層 5 4及A ί — S i — C u層5 5係由圖1中下側,以此順 序加以堆積。此時’光學濾色片5 6係被覆受光部窗電極 5 1地加以形成。 各受光元件5 0係該受光部窗電極5 1介由光學濾色 片5 6 ’與mu述導先路徑4之I T 〇層4 2呈對面地,設 於該導光路徑4上。然而’於與導光路徑4之受光部窗電 極5 1對應的部分中,不形成S i 〇 2層4 3。 受光部窗電極51之構成材料及該厚度係各與前述裝 ,置1相同。 又,對於P型a - S i C層52、i型a-S i層 53 ' η 型 a — S i C 層 54 及 Ai—s i— Cu 層 55 之厚度,亦各與前述裝置1相同。 各受光元件5 0之光學濾色片5 6係自芍應之發光元 件3 0的光尖峰波長爲λ !、λ 2以及λ 3時,僅將自前述 本紙張义度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0Μ--------訂iJ------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- ^3489 A7 B7 五、發明說明(23) 對應之發光元件3 0的光(將A i、λ2以及λ3中之所定 之1個波長爲尖峰波長的光),選擇性地通過最大程度地 ,各別設定光學特性。 做爲此等光學濾色片5 6,可使用前述分布反射型多 層膜鏡(DBR鏡)。做爲光學濾色片56使用DBR鏡 時,較使用光學濾色片,可選擇更狹窄波長帶域的光,提 高波長之長度方向之解像度。 各受光元件5 0之Ρ I Ν光電二極體5 a係如前述有 機E L元件3 a ,可經由噴墨印刷加以製造。即,構成 P I N光電二極體5 a之至少一個薄膜(層)係如前述有 機E L元件3 a,將所定組成物經由噴墨方式圖案形成, 加以製造。此時,可得前述噴墨印刷所產生之效果。 又,構成各受光元件50之DBR鏡(受光元件5 ◦ )的薄膜係經由前述液相成膜法加以形成。 更佳係各DBR鏡係如前述有機EL元件3a ,經由 噴墨印刷加以製造即可。即,構成各D B R鏡之各薄膜係 如前述有機E L元件3 a,將前述組成物經由噴墨方式圖 案形成,固化此等加以製造者爲佳。此時1可得前述噴墨 印刷所產生之效果。 如圖9所示,於前述各受光兀件5 0之P I N光電二 極體5 a ,各連接對應之增幅電路6 0之輸入側。 然後,於各增幅電路6 0之輸出側’各介由對應之配 線7 0,連接所之之電路8。 然而,對於增幅電路6 0及電路8 ’各與前述之裝置 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂—------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制> 本纸張反度適用中國國家標準(CNS)A:1規格<210 X 297公釐) -26- 經濟邨智慧財產局Μ工消费合作社印製 434899 A7 B7 五、發明說明(24) 1相同之故,省略其說明^ 如此裝置10及前述裝置1係例如自使用最先端之 ◦ · 1 8鮑齠S程的L S I電晶體,至如T F T的2〜3 购齠s程之電晶體電路,可廣泛地對應各種集積度。 接著,說明裝置10之作用。 各發光元件3 0之有機E L元件3 a係各如前述,經 由未圖示之驅動電路加以驅動發光。即,各有機E L元件 3 a係各送出(送訊)光信號(光)°以下,代表性地說 明有關尖峰波長爲A 1的信號傳達之情形。 如圖1 0所示,自有機EL元件3 a之各發光層3 2 ,對應各發光層3 2之材質或構造,發出不同之波長,各 以圖1 0中之箭頭所示,透過透明電極3 1 ,以光學濾色 片35更爲狹帶域化,尖峰波長呈Ai之光、λ2之光以及 入3之光,由光學減色片3 5射出。 自前述所定光學濾色片3 5射出之尖峰波長爲λ i之光 (以下稱「特定波長之光」),即透過光學濾色片35之 特定波長之光係透過S i 〇2層4 3,入射至I T〇層4 2 。然後,該光係以後以S i 〇2層41和I T ◦層42之界 面及S i 〇2層4 3和I T ◦層42之界面,重覆反射’令 I TO層4 2內向P I N光電二極體5 a前進。 如圖1 1及圖1 2所示,來自有機EL元件3 a之特 定波長之光係如圖1 1及圖1 2中之箭頭所示’僅—透過對 應之受光元件5 0之光學濾色片5 6 ,自對應之受# π # 5 0之Ρ I Ν光電二極體5 a的受光部窗電極5 1加以入 本紙度適用中國國家標準(CNS)A:彳規格(210 x 297公釐) -27 - ------------------_ 訂·--·----!線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 434899 : Α7 Β7 五、發明說明(25) 射。即,僅以對應之P I N光電二極體5 a加以受光。 然而,自其他2種之發光元件3 0 ,各發出尖峰波長 λ 2、及λ 3之光,經由導光路徑4向此受光元件5 0引導 ,但此兩光各以此受光元件5 0之光學濾色片5 6所切斷 而不受光。 自前述Ρ I Ν光電二極體5 a的信號係以增幅電路 6 ◦加以增幅,介由配線7 0,輸入至電路8。電路8係 根據此信號加以動作。 然而,關於尖峰波長爲λ 2、及λ 3之信號傳達之時, 係各與前述相同。 根據此裝置1 0,與前述裝置1同樣地’減低自半導 體範圍1 0之發熱,更且大幅改善信號之傳達延遲,實現 回應性佳之裝置(電路),又,提升裝置1 〇之生產性’ 而有利於量產。 然後,於此裝置1 0中,具有發光之光之尖峰波長不 同的複數發光元件3 0,和受光對應來自前述發光元件 3 ◦之光(特定波長之光)的複數受光元件5 0之故’使 用同一之導光路徑4,同時傳達複數之資訊(可進行使用 同一之導光路徑4多通道之光通訊的資訊傳達)。爲此’ 較僅電氣配線之裝置,可減少配線所佔範圍,由此’可將 具有同一機能裝置變小地形成,即,提高集積度。 然而,前述裝置1 0之各發光元件3 0或受光元件 5 0係並列於圖9之橫方向,但本發明中係可各並列於圖 9中縱方向。 本紙張反度適用中國國家標準(Ci\'S)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ - I I I ---—訂!、—----線· 、. 經濟部智慧財產局員工消f合作杜印製 -28- 434899 A7 B7 五、發明說明(26) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,前述裝置1 0之光學濾色片3 5或光學濾色片 5 6係在於本發明中,不限於D B R鏡,其他可使用例如 光學濾色片等之構成。 又,於前述裝置10中,省略光學濾色片35,經由 改變有機E L元件3 a之發光層3 2之發光特性(尤其, 發光之光的尖峰波長),改變發光元件3 0之發光特性( 尤其,發光之光的尖峰波長)亦可。 又,本發明中,於裝置1 0,不省略光學濾色片3 5 ,且改變有機E L元件3 a之發光層3 2之發光特性(尤 其,發光之光的尖峰波長)亦可。 圖1 3係前述裝置1或1 〇,實際上顯示具備利用於 組合於L S I電路或T F T電路之半導體電路時的本發明 光傳送手段的裝置1 0 0之實施形態圖(顯示構件之平面 配置之圖)。 如同圖所示,於同一基板2上,設置(形成)2個之 電路方塊81(Α)及82 (Β)。 電路方塊8 1係各具有發光元件3 Ο 1 ,和驅動此發 光兀件3 0 1之驅動電路1 1 ,和受光兀;件5 0 2,和增 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 幅電路6 ◦ 2。 又,電路方塊8 2係各具有發光元件3 0 2 ,和驅動 此發光元件3 0 2之驅動電路1 2,和受光元件5 0 1 , 和增幅電路6 0 1。 前述發光元件3 0 1係介由設於基板2上之導光路徑 4 0 1,向前述受光元件5 0 1傳達光地,結合於該受光 本紙張度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ 29 - 4348 99 A7 B7 五、發明說明(27 ) 元件5 0 1。與此同樣地,前述發光元件3 0 2係介由設 於基板2上之導光路徑4 0 2,向前述受光元件5 0 2傳 達光地,結合於該受光元件5 0 2。 此裝置1 0 0係於設於內部之電路方塊8 1和電路方 塊8 2間,相互將電氣信號變換呈光信號,可送訊•收訊 該信號。即,將自電路方塊8 1送訊的光信號,以電路方 塊8 2加以受訊,相反地,可將自電路方塊8 2送訊的光 信號,以電路方塊8 1加以受訊。 於裝置1 0 0之基板2之構成材料中,可使用與前述 裝置1同樣之構成材料。 又,對於裝置10 ◦之發光元件301、302、受 光元件501、502、導光路徑401及導光路徑 402,各與前述裝置1同樣之材料,構成即可,又,可 適用與前述裝置1同樣之製造步驟。 又,裝置1 0 0之驅動電路1 1及1 2,係各以通常 使用雙極電晶體或MO S - F E T等的電子電路加以構成 〇 然後,做爲裝置1 〇〇之增幅電路6 0 1及6 0 2 , 各與前述裝置1同樣地,可使用圖5、圖6、圖7及圖8 所示之電子電路。 此裝置1 0 0之作用係幾近與前述裝置1相同,電路 方塊8 1及8 2可各進行送訊和受訊(尤其是平行),即 可進行(尤其平行)自電路方塊8 1向8 2之送訊,和自 電路方塊8 2向8 1之送訊,與裝置1不同。 本紙張义度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公釐) -30 - ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) iv --------訂---.------線' 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 434393 A7 B7 五、發明說明(28) 然而,於此裝置100,如前述裝置1 ,做爲形成光 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 信號1僅使用1種之光,不限於此,如前述裝置1 0地, 可具有使用尖峰波長不同之複數光的送收訊機能亦可。此 時,可實現前述裝置1 0 0和前述裝置之適切組合。 具備本發明之光傳達手段的裝置,係於具體化一般之 半導體積體電路的半導體晶片,適用1個之半導體晶片內 之電路方塊間(所定之電路方塊和其他之電路方塊間)之 信號傳達裝置,所定之半導體晶片和其他之半導體晶片間 之信號傳達裝置,安裝半導體晶片之電路埠和被安裝晶片 間之信號傳達裝置,所定之前述電路埠和其他之電路埠間 之信號傳達裝置等。 更且,具備本發明之光傳達手段裝置係可適用於 TFT電路間(所定之TFT電路和其他之TFT電路間 )之信號傳達裝置,或T F T電路和一般之半導體電路間 之信號傳達裝置。 具備本發明之光傳達手段之裝置,係尤其做爲上述之 實施形態,例如可適用向液晶顯示器,電漿顯示器、有機 E L顯示器等之平面面板顯示器之信號送出裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以上,將具備本發明之光傳達手段之裝置,根據圖示 之各實施形態加以說明,但本發明非限定於此,各部構成 係可置換爲具有同樣機能之任意構成者。 例如,於前述各實施形態中,發光元件、導光路徑及 受光元件則設於一次元方向,本發明亦可設(於基板2設 置2次元方向)於發光元件、導光路徑及受光元件則設於 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)如規格(210 X 297公釐) -31 - 434899 A7 B7 五、發明說明(29) 二次元方向。 又,本發明中,光傳達手段則具有複數組之發光部、 (請先閱婧背面之注意事項再填寫本頁} 受光部及導光路徑亦可。 更且,本發明中,發光元件、導光路徑及受光元件則 可設於三次元方向亦可。以下,對於此實施形態,根據圖 1 4簡單加以說明。 如圖1 4所示,此裝置(半導體裝置)2 ◦係將第1 層20a第2層20b、第3層20c '第4層2d及第 5層2 0 e ,以此順序堆積於基板2上的多層裝置。 此時,第5層2 0 e之發光部2 1 3和受光部2 2 7 之關係係與前述之裝置1或裝置1 〇之發光部和受光部的 關係相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ---- . 又,介由不同層間之(對於基板2之垂直方向)發光 部和未圖示於該發光部之導光路徑連接的受光部關係,即 發光板2 1 1和受光部2 2 3之關係,發光板2 1 2和受 光部2 2 1之關係,發光板2 1 3和受光部2 2 4之關係 、發光板214和受光部222、225及264之關係 ,各與前述裝置1或裝置10之發光部和受光部之關係相 同。 此裝置2 0係例如如下加以製造者爲佳。 首先,將第1層20a第2層20b、第3層20c 、第4層2 d及第5層2 0 e ’各形成於未圖示之所定基 扳上。
接著,將第1層2 0 a自前述基板以所定方法加以剩J -32- 本紙張&度迺用中國國家標準(CN'S)A4规格(210 χ 297公釐) 434B99 A7 B7 五、發明說明(3〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 離’於基板2上轉印。以下,與此同樣地,將第2層 2Qb '第3層2〇c 、第4層2d及第5層2〇e自前 述基板剝離’以所定之方法,進行位置配合,順序地加以 重疊(轉印)。此方法之詳細係採用本案申請人之日本特 開平1 0 — 1 2 5 9 30號記載之方法。 根據此裝置2 0,可得與前述裝置1或裝置1 0同樣 之效果的同時,可容易達成高集積化。 然而’本發明中,構成裝置之層數係不限於5層,例 如可爲2〜4層,或6層以上亦可。 如上述之各實施形態中,發光元件雖以有機E L元件 構成’本發明中,發光元件係不限於此,例如可以無機 E L元件、發光二極體〔l E D )、半導體雷射(雷射二 極體)等加以構成亦可。 又’於上述各實施形態中,受光元件爲雖以P I N光 電二極體構成,本發明中,受光元件不限於此可以例如 P N光電二極體,雪崩光電二極體等之光電二極體,光電 電晶體、光場致元件(有機光場致元件)等加以構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印:^ 又,本發明中,可適切組合上述各實施形態之所定構 成要件亦可。 如以上之說明,根據具備本發明之光傳達手段之裝置 時 > 於堆積微細元件之裝置內,主要經由光通訊傳達資訊 (信號)地’可減低自裝置之發熱,又可減低信號之延遲 ,可實現回應性佳之裝置(電路)。 又,將構成元件之薄膜,經由噴墨方式形成圖案之時 -33- 本紙張义度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4343S9 A7 B7 五、發明說明(31 ) ,可將微細圖案,容易且短時間且正確地加以進行。然後 ,經由組成物之吐出量之增減,可容易且正確進行膜厚之 調整之故,經由此可容易且自由控制膜之性狀等。 如此地經由噴墨方式,可容易地達成發光及受光元件 和半導體元件的高混成化。 因此,將具有所期望之特性、尺寸、圖案的元件,於 基板上(例如如矽單結晶基板,或T F T電路等,堆積微 細元件之基板),可容易地加以形成,由此可提升裝置之 生產性,而有利於量產。 又,發光部具有發光特性不同之複數發光元件之時, 尤其發光部爲具有發光之光尖峰波長之不同複數的發光元 件之時,使用同一之導光路徑,可同時傳達複數之資訊。 爲此較僅爲電氣配線之裝置’可達配線之簡化。然後,較 僅爲電氣配線之裝置,可減少配線所佔之範圍,又可抑制 熱之產生,經此可達成高集積化。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I 1 丨丨 I I ------ 經濟部智慧財產局員工消f合作社印*''衣 -34- 本纸張反度適用中國國家標準(CNS)A-丨規格(2,10 x 297公釐)

Claims (1)

  1. 434890 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 . 一種具備光傳達手段之裝置,其特徵係具備具有 以薄膜構成之至少一個之發光元件的發光部,和具有以薄 膜構成之至少一個之受光元件的受光部,和將來自前述發 光部之光,與各前述受光部引導的導光路徑堆積所成之光 傳達手段者。 2 .如申請專利範圍第1項之具備光傳達手段之裝置 ,其中,前述發光部、前述受光部及前述導光路徑係具備 設於至少一次元方向者。 3 .如申請專利範圍第1'項或第2項之具備光傳達手 段之裝置,其中,前述發光部、前述受光部及前述導光路 徑係具備設於同一基板上者。 4 .如申請專利範圍第1項之具備光傳達手段之裝置 ,其中,前述發光部、前述受光部及前述導光路徑係具備 設於二次元方向者。 5 ·如申請專利範圍第1項之具備光傳達手段之裝置 ,其中,前述發光部、前述受光部及前述導光部係具備設 於三次元方向者。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 6 .如申請專利範圍第5項之具備光傳達手段之裝置 ,其中堆積具有前述發光部、前述受光部及前述導光部之 至少一層的構造者。 7 .如申請專利範圍第1 、2、4、5、6項之任一 項之具備光傳達手段之裝置’其中’則述發光部係具有發 光特性之不同複數之發光元件者。 8 ·如申請專利範圍第1、2、4、5、6項之任一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4規^( 210X297公釐) -35 - 434899 A8 B8 C8 D8 7、申請專利範圍 項之具備光傳達手段之裝置’其中’前述發光部係具有發 光之光尖峰波長不同的複數發光元件者。 9 .如申請專利範圍第7項之具備光傳達手段之裝置 ,其中,前述受光部係具有受光來自對應前述發光元件之 光的複數受光元件者。 1 0 ·如申請專利範圍第1 、2、4、5 ' 6項之任 一項之具備光傳達手段之裝置,其中,構成前述發光元件 之至少一個薄膜係經由噴墨方式形成圖案者。 1 1 .如申請專利範圍第1 、2、4 ' 5、6項之任 一項之具備光傳達手段之裝置,其中,前述發光元件係以 有機E L元件所構成者。 1 2 ·如申請專利範圍第1 、2、4、5、6項之任 一項之具備光傳達手段之裝置,其中,前述發光元件係以 有機E L元件和光學濾色片所構成者。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之具備光傳達手段之 裝置,其中,前述光學濾色片係堆積折射率不同之複數薄 膜的分部反射型多層膜鏡者。 鯉濟部中央標隼局員工消費合作杜甲製 -SI ^^1 HI ^^^1 ml 1^1 1^1 - -- —I >aJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 4 .如申請專利範圍第1 、2、4、5、6項之任 —項之具備光傳達手段之裝置,其中,構成前述受光元件 之至少一個薄膜爲經由噴墨方式形成圖案者。 1 5 .如申請專利範圍第1、2、4、5、6項之任 一項之具備光傳達手段之裝置,其中,前述受光元件係以 有機元件所構成者。 1 6 ,如申請專利範圍第1 、2、4、5、6項之任 本紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -36 - 434SSi ABCD 六、申請專利範圍 一項之具備光傳達手段之裝置,其中,前述受光元件係以 有機元件和光學濾色片所構成者<= (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 1 7 .如申請專利範圍第1、2、4、5、6項之任 一項之具備光傳達手段之裝置,其中,前述導光路徑係具 備以薄膜構成者。 1 8 .如申請專利範圍第1、2、4、5、6項之任 一項之具備光傳達手段之裝置,其中,構成前述導光路徑 之至少一個薄膜係經由噴墨方式形成圖案者。 1 9 .如申請專利範圍第1、2、4、5、6項之任 一項之具備光傳達手段之裝置,其中,具有薄膜電晶體者 〇 2 ◦•如申請專利範圍第1、2、4、5、6項之任 一項之具備光傳達手段之裝置,其中,於同一基板上具有 複數之電路方塊,該各複數之電路方塊具備前述發光部和 前述受光部者。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之具備光傳達手段之 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 裝置,其中,前述複數之電路方塊中之所定電路方塊間, 以前述導光路徑加以結合,於該電路方塊間’介由該導光 路徑,將信號經由光送訊•收訊地加以構成者。 本纸張尺度適用中國國家標芈(CNS ) A4规格(210 X 297公釐) -37 -
TW088114987A 1998-09-04 1999-08-31 Device with optical communication means TW434899B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25101498A JP4258860B2 (ja) 1998-09-04 1998-09-04 光伝達手段を備えた装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW434899B true TW434899B (en) 2001-05-16

Family

ID=17216361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088114987A TW434899B (en) 1998-09-04 1999-08-31 Device with optical communication means

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6430325B1 (zh)
EP (2) EP1569280A3 (zh)
JP (1) JP4258860B2 (zh)
KR (1) KR100626562B1 (zh)
CN (2) CN1277319C (zh)
TW (1) TW434899B (zh)
WO (1) WO2000014813A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11350051B2 (en) 2017-10-04 2022-05-31 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element and electronic device

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4258860B2 (ja) * 1998-09-04 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 光伝達手段を備えた装置
US6555890B2 (en) * 2000-05-23 2003-04-29 Sensors Unlimited, Inc. Method for combined fabrication of indium gallium arsenide/indium phosphide avalanche photodiodes and p-i-n photodiodes
JP3829594B2 (ja) * 2000-06-30 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 素子実装方法と光伝送装置
JP2002299598A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP4036018B2 (ja) * 2001-06-20 2008-01-23 昭和電工株式会社 有機発光素子および発光材料
TW492205B (en) * 2001-07-05 2002-06-21 Delta Optoelectronics Inc Manufacturing method of OLED
KR100787301B1 (ko) 2001-08-30 2007-12-21 샤프 가부시키가이샤 유기 el 장치의 제조 방법 및 유기 el 장치
US6813431B2 (en) * 2002-02-26 2004-11-02 Intel Corporation Integrated photodevice and waveguide
JP3838964B2 (ja) * 2002-03-13 2006-10-25 株式会社リコー 機能性素子基板の製造装置
KR101139283B1 (ko) 2002-05-13 2012-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2003332560A (ja) * 2002-05-13 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びマイクロプロセッサ
CN1282909C (zh) * 2002-08-09 2006-11-01 精工爱普生株式会社 曝光头及使用该曝光头的图像形成装置
JP2004191392A (ja) * 2002-12-06 2004-07-08 Seiko Epson Corp 波長多重チップ内光インターコネクション回路、電気光学装置および電子機器
JP2004348044A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Seiko Epson Corp 表示装置、表示方法及び表示装置の製造方法
JP4115403B2 (ja) * 2004-02-18 2008-07-09 キヤノン株式会社 発光体基板及び画像表示装置
JP4841110B2 (ja) * 2004-02-26 2011-12-21 京セラ株式会社 光電子混在基板
KR100721551B1 (ko) * 2004-03-17 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 백색 발광 유기전계발광소자 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치
WO2006075581A1 (ja) * 2005-01-14 2006-07-20 National University Corporation Gunma University 撮影装置
US20060210215A1 (en) * 2005-03-15 2006-09-21 Shigenori Aoki Optical transceiver array
JP4609374B2 (ja) * 2006-05-01 2011-01-12 パナソニック電工株式会社 発光パネル式照明器具
KR100775377B1 (ko) 2006-06-28 2007-11-12 전자부품연구원 전기 광 회로기판 및 그 제조방법
DE102006040788B4 (de) 2006-08-31 2013-02-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Integrierter Optokoppler mit organischem Lichtemitter und anorganischem Photodetektor
EP1939955A3 (en) * 2006-12-27 2015-12-23 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Optical device and system and method for fabricating the device
JP2008134639A (ja) * 2007-11-30 2008-06-12 Kyocera Corp 半導体装置
CN102856324B (zh) * 2012-09-18 2014-12-10 厦门大学 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片
DE102012222461A1 (de) * 2012-12-06 2014-06-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement
US10230458B2 (en) 2013-06-10 2019-03-12 Nxp Usa, Inc. Optical die test interface with separate voltages for adjacent electrodes
US9094135B2 (en) * 2013-06-10 2015-07-28 Freescale Semiconductor, Inc. Die stack with optical TSVs
US9435952B2 (en) 2013-06-10 2016-09-06 Freescale Semiconductor, Inc. Integration of a MEMS beam with optical waveguide and deflection in two dimensions
US9810843B2 (en) 2013-06-10 2017-11-07 Nxp Usa, Inc. Optical backplane mirror
US9442254B2 (en) 2013-06-10 2016-09-13 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for beam control with optical MEMS beam waveguide
US9766409B2 (en) 2013-06-10 2017-09-19 Nxp Usa, Inc. Optical redundancy
TWI635330B (zh) 2014-01-14 2018-09-11 美國麻省理工學院 用於形成積體電路之方法及相關積體電路
US10644077B1 (en) 2015-10-28 2020-05-05 Apple Inc. Display with array of light-transmitting windows
US10157590B1 (en) 2015-12-15 2018-12-18 Apple Inc. Display with localized brightness adjustment capabilities
US10163984B1 (en) 2016-09-12 2018-12-25 Apple Inc. Display with embedded components and subpixel windows

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3705309A (en) * 1971-02-05 1972-12-05 Westinghouse Electric Corp Thin film optoelectronic semiconductor device using light coupling
JPS4718350U (zh) 1971-03-30 1972-10-31
JPS57167688A (en) * 1981-04-07 1982-10-15 Omron Tateisi Electronics Co Multiwavelength light-emitting and light-receiving element
JPS57181177A (en) * 1981-04-30 1982-11-08 Omron Tateisi Electronics Co Element for light emission and detection
JPS6136982A (ja) * 1984-07-28 1986-02-21 Alps Electric Co Ltd フオトカプラ
WO1990009038A1 (en) * 1989-02-03 1990-08-09 British Telecommunications Public Limited Company Optical detector
US5315129A (en) * 1990-08-20 1994-05-24 University Of Southern California Organic optoelectronic devices and methods
US5233187A (en) * 1991-01-22 1993-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Multi-wavelength light detecting and/or emitting apparatuses having serially arranged grating directional couplers
JPH0697420A (ja) * 1992-09-14 1994-04-08 Nippon Steel Corp 光結合素子
JPH0697489A (ja) * 1992-09-10 1994-04-08 Hitachi Ltd 電子機器結合システム
DE69332579T2 (de) * 1992-10-29 2003-07-31 Sharp Kk Optisch adressierte Anzeigevorrichtung
WO1994017556A1 (en) * 1993-01-26 1994-08-04 Fci-Fiberchem, Inc. Optical sensor with electroluminescent light source and polymer light detector
JPH06268254A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Toshiba Corp 半導体装置
JPH06326348A (ja) * 1993-05-13 1994-11-25 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光カプラ
US5555333A (en) * 1993-07-12 1996-09-10 Ricoh Company, Ltd. Optical module and a fabrication process thereof
US5504323A (en) * 1993-12-07 1996-04-02 The Regents Of The University Of California Dual function conducting polymer diodes
US5682402A (en) * 1995-01-10 1997-10-28 Hitachi, Ltd. Organic luminescent devices with a multiplex structure
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP3036436B2 (ja) 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法
GB2315594B (en) * 1996-07-22 2000-08-16 Cambridge Display Tech Ltd Sensing device
KR100477153B1 (ko) * 1996-09-19 2005-08-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 El장치,el장치의제조방법,매트릭스형el장치,매트릭스형el장치의제조방법
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置の製造方法
JP4258860B2 (ja) * 1998-09-04 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 光伝達手段を備えた装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11350051B2 (en) 2017-10-04 2022-05-31 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
US6775428B2 (en) 2004-08-10
CN1277319C (zh) 2006-09-27
US6430325B1 (en) 2002-08-06
CN1181564C (zh) 2004-12-22
KR100626562B1 (ko) 2006-09-22
JP2000082807A (ja) 2000-03-21
JP4258860B2 (ja) 2009-04-30
EP1043780A1 (en) 2000-10-11
US20030026517A1 (en) 2003-02-06
EP1043780A4 (en) 2004-11-17
CN1519595A (zh) 2004-08-11
WO2000014813A1 (fr) 2000-03-16
EP1569280A3 (en) 2006-06-07
CN1287691A (zh) 2001-03-14
EP1569280A2 (en) 2005-08-31
KR20010031799A (ko) 2001-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW434899B (en) Device with optical communication means
US10725333B2 (en) Display device
US6081632A (en) Method of producing optical waveguide system, optical device and optical coupler employing the same, optical network and optical circuit board
TW476166B (en) LED white-light source with broad-band excitation
US8835941B2 (en) Displays including semiconductor nanocrystals and methods of making same
TWI365006B (en) Green light-emitting microcavity oled
KR101293883B1 (ko) 모노리식 발광 디바이스, 그 구동 방법, 및 조명 장치
CN109545832A (zh) 有机发光二极管显示基板及其制备方法、显示装置
WO2012108384A1 (ja) 蛍光体基板、およびこれを用いた表示装置、照明装置
CN110224012A (zh) 显示面板及显示装置
JPWO2008029775A1 (ja) 色変換基板
KR20070115995A (ko) 색 변환 기판 및 그의 제조 방법, 및 발광 장치
KR20080110754A (ko) 발광 장치
JP2006058332A (ja) 電気光学装置及び電子機器
KR20060024545A (ko) 고휘도 유기 발광 표시장치
CN114721184B (zh) 显示装置
CN217280834U (zh) 一种显示装置
JPS63170978A (ja) 光検出素子
Ohashi et al. Optical interconnect technologies for high-speed VLSI chips using silicon nano-photonics
CN113410744B (zh) 一种多功能有机薄膜激光器件、制备方法及其应用
CN115472641B (zh) 一种微显示芯片及其制备方法
JP4720802B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
CN113241415B (zh) 发光器件和显示装置
TWI839694B (zh) 顯示裝置
WO2000077566A1 (en) Display or imager device with integrated wavelength filter

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees