TW434671B - Cleaning and dry apparatus, wafer processing system and wafer processing method - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 130
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 155
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 170
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 86
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 62
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 claims description 10
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 409
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 15
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 38
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
- H01L21/67781—Batch transfer of wafers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
434671 A7 B7 五、發明説明(1 ) 發明之背景 發明領域 本發明係有關於一種洗淨及乾燥裝置,經由將晶圓浸 入一洗淨液體中,且於洗淨後將該晶圓乾燥,以供洗淨一 將被處理之晶圓(例如爲一半導體晶圓,或供LCDs用 的一玻璃基板),及有關於一種晶圓處理系統與晶圓處理 方法。 習知技術之說明 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —般而言,由一半導體裝置製造系統執行的一半導體 裝置製造過程中,使用一已知之洗淨方法來洗淨將被處理 之晶圓(於後僅以 > 晶圓#代表),該晶圓例如爲一半導 體晶圓或爲供L C D s用的一玻璃基板,該方法屯,依序 的將晶圓浸入容納在處理槽內的一液體化學物,一淸洗液 體(洗淨液體)中。供執行該種洗淨方法的洗淨系統中, 具有一乾燥裝置,該乾燥裝置將容納有揮發性有機溶劑( 例如爲異丙醇)的蒸汽之乾燥氣體,接觸晶圓上之洗淨液 體的表面,自該晶圓移除濕氣,且該晶圓經由Marangoni效 應而乾燥(參照日本專利JP — A N 〇 . 8 -1 4 8 4 5 8 )。 此種類的傳統洗淨及乾燥裝置,包含了^貯存洗淨液體 (例如爲液體化學物或淸洗液體)的一洗淨槽,該槽具有 之開口’由一罩(外蓋)所覆蓋。通常的,該外蓋由堅硬 材料所製成(例如爲聚丙烯或不銹鋼),以使於乾燥處理 本^氏張尺度適用中國國家標準(〇灿)六4規格(210父297公釐)~~ 434671 A7 B7 五、發明説明(2) 中..密封該洗淨槽°於此一洗淨與乾燥裝置中,一載運臂經 由該開啓開口載運一晶圓進入該洗淨槽,將該晶圓運送至 移動在一運送單元內的晶圓支承機構,且移出該洗淨槽。 然後,該開口以外蓋封閉’該晶圓在洗淨槽內洗淨,且然 後,該晶圓自該洗淨槽中取出以供乾燥。 但是,當以此傳統的洗淨及乾燥裝置洗淨該晶圓時, 因爲該晶圓係自置於該洗淨槽之上側部份內的運送單元上 方,而被載運進入該洗淨槽內,且該晶圓在洗淨之後係自 洗淨槽內取出,因此,該載運臂具有大的垂直長度(高度 ),且該洗淨與乾燥裝置係很大的。特別的,已有自8英 吋直徑晶圓,改變爲使用1 2英吋直徑晶圓來製造半導體 裝置的趨勢,由於半導體裝置之逐漸小型化,I c複雜性 的進步至大尺寸積體,及近年來的大量生產之進展。使用 1 2英吋直徑晶圓,使得進一步的加大該洗淨及乾燥裝置 ,且造成產量的減少。 ’ 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因爲·該外蓋及該洗淨槽,均由聚丙烯或不銹鋼所製成 ,會產生微粒,且由於多年使用後之劣化,自該外蓋與該 洗淨槽沉澱或溶離出金屬不純物。該金屬不純物粘附至該 晶圓,而減少了產量。 本發明之槪要說明 本發明係針對以前的問題而製造,因而,本發明之一 目的,係提供一種較小構造的洗淨及乾燥裝置,其可以執 行一洗淨處理及一乾燥處理,且於一改良的產量下作業, 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-5 _ 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 4346 7 1 A7 ____B7_ 五、發明説明(3) 本.發明亦提供了—種晶圓處理系統及一晶圓處理方法。 以前述目的之觀點,依據本發明之第一方面一種洗淨 及乾燥裝置,包含了容納供洗淨晶圓的洗淨液體之一洗淨 槽,一被置於該洗淨槽上方且具有一乾燥室的一乾燥單元 ,及一用以握持晶圓且移動該晶圓進入該洗淨槽與乾燥室 的晶圓握持機構。該具有乾燥室的乾燥單元,具有連接至 洗淨槽的一固定底座,以使環繞形成在該洗淨槽內的一開 口,及一被置於該固定底座上且與該固定底座緊密接觸之 可升降之頂蓋。 雖然該頂蓋可以爲一隨意的形狀,以提供該頂蓋可相 關於環繞該洗淨槽之開口而垂直移動,且較佳的在該固定 底座與該頂蓋之間插入一密封構件,且提供該洗淨槽的開 口 一蓋板,以互相隔離由洗淨槽所界定的洗淨室與該乾燥 室。較佳的,該頂蓋爲石英製成的構件,且具有組成倒U 形字母的形狀之橫剖面。其亦較佳的,該頂蓋爲石英製成 的外蓋,且具有組成倒U形字母之形狀的橫剖面,且該固 定底座與洗淨槽亦均由石英製成。 如果該頂蓋由石英製成,加熱元件可被置於該頂蓋之 外側。如果該加熱元件係被置於該頂蓋之外側,較佳的, 將反射板置於該加熱元件之後方。該加熱元件可以例如爲 加熱燈或橡膠加熱器。 v 較佳的,經由乾燥氣體供應單元,將乾燥氣體供應進 入該乾燥室。較佳的,該乾燥氣體供應單元被於固定底座 之上,且更佳的,該乾燥氣體供應單元被設計來使乾燥氣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)-6 - |>-----------裝------訂------泉 一 卜 (讀先閱讀背面之注意寧項再填寫本頁) 經濟部中喪搮準局貝工消费合作社印製 4 3 46 7 1 A7 B7__ 五、發明説明(4 ) 體J乾燥室的一側邊上之位置而向上方地供應《較佳的, 該乾燥單元的固定底座係具有一乾燥氣體排出單元。 該乾燥氣體可以爲鈍氣,有機溶劑氣體,或鈍氣有機 溶劑氣體的混合氣體。 依據本發明之一種晶圓處理系統,包含了容納供洗淨 晶圓的洗淨液體之一洗淨槽,一具有連接至該洗淨槽的固 定底座的乾燥單元,以使環繞_形成在該洗淨槽內的一開口 ,及一被置於該固定底座上且與該固定底座緊密接觸之頂 蓋,以一密封構件被插入固定底座與頂蓋之間,並界定出 一乾燥室,及一用以握持晶圓且移動該晶圓進入該洗淨槽 與乾燥室的晶圓握持機構,供垂直的移動該頂蓋之第一升 降機構,及供垂直的移動該晶圓握持機構的第二升降機構 。該第一與第二升降機構,均爲分享共用導軌的滾珠絲杠 機構。 '其較佳的延伸連接至該晶圓握持機構的一桿’以通過 該形成在頂蓋內的通孔,且連接至該第二升降機構’並由 密封結構密封在頂蓋與該桿之間的間隙,該結構具有氣密 的,彈性的,環形管形式,且充塡入氣體。 較佳的,該第一升降機構具有一制動器,以供相關於 該頂蓋,而限制該晶圓握持機構的向上移動。 進一步的,該晶圓握持機構包含了一對<下支承構件’ 以合適之間隔支承複數個晶圓於一垂直位置,及一對被置 於該下支承構件上方的區域旁之上支承構件’每—下支承 構件具有一剛性芯及環繞該剛性芯的支承塊,該支承塊係 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-7· ----------'«:------1T------,f -- .-(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 43 46 7 1 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 A7 B7 五、發明説明(5) 由可抗拒不同種類之洗淨液體的合成樹脂製成’每—下支 承構件具有實際上爲v型橫剖面的凹槽,以供接收該晶圓 於其內,且每一上支承構件具有實際上爲y形橫剖面的凹 槽,用以防止該晶圓傾斜- 依據本發明,由固定於該洗淨槽的固定底座的界定之 乾燥室,係環繞該洗淨槽之開α,該頂蓋緊密的連接至該 固定底座,且該頂蓋可垂直地移動以提供一空間,經由該 空間,該晶圓由舉起該頂蓋而被載入該洗淨槽內》因而, 該晶圓可自橫向地移動進入該空間之晶圓載運機構,運送 至該晶圓握持機構,且自後者運送至前者。依此,該洗淨 與乾燥裝置可以小的構造形成,且可以高產量來操作。 依據本發明,因爲該頂蓋係由石英製成,且組成例υ 形字母的形狀,因此,該乾燥室之體積可被減少至最少的 需要程度。其結果,該洗淨與乾燥裝置可以更進一步減少 的尺寸來建造,金屬不純物的沉澱或溶離不會發生,且可 抑制該微粒之產生。如果不只該頂蓋,該固定底座與洗淨 槽亦均由石英製成時,該微粒之產生可更進一步的有效抑 制。加熱燈被置於該頂蓋之外側,且反射板被置於該加熱 燈之後方,並以該加熱燈加熱該乾燥室,而改良了乾燥效 -缚i. 〇 依據本發明,該洗淨與乾燥裝置可提供<具有一乾燥氣 體供應裝置,以供應乾燥氣體進入該乾燥室,完美且快速 的經由將乾燥氣體均一的包覆該晶圓而乾燥該晶圓。 依據本發明,供垂直的移動該頂蓋之第一升降機構, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐} _ 8 - ---------裝— - V {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 象 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 434671 A7 B7 五、發明説明(6) 及.供垂直的移動該晶圓握持機構的第二升降機構,均爲分 享共用導軌之滾珠絲杠機構,其簡化了供嫗動該頂蓋與該 晶圓支承機構的驅動單元之構造’且改良了驅動作業的準 確性》 一連接至該晶圓握持機構的一桿,延伸通過形成在頂 蓋內的通孔,且連接至該第二升降機構,並由密封結構密 封在頂蓋與該桿之間的間隙,該結構具有氣密的,彈性的 環形管形態,且充塡入氣體。因此,可以改良在該頂蓋與 連接至晶圓握持機構的該桿之間的間隙之密封。該第一升 降機構具有一制動器,以供相關於該頂蓋,而限制該晶圓 握持機構的向上移動,以防止該晶圓握持機構移動超過一 頂部限制而碰撞該頂蓋。 該晶圓握持機構包含了一對下支承構件,以合適之間 隔支承複數個晶圓於一垂直位置 > 及一對被置於下支承構 件上方的區域旁之上支承構件,每一下支承構件具有一剛 性芯及環繞該剛性芯的支承塊,該支承塊係由可抗拒不同 種類之洗淨液的合成樹脂製成,每一下支承構件具有實際 上爲V形橫剖面的凹槽,以供接收該晶圓於其內,且每一 上支承構件具有實際上爲Y形橫剖面的凹槽,用以防止該 晶圓傾斜。因此,該支承構件之體積(即該晶圓握持機構 )可被減少至最少的可能程度。依此,該洗\淨槽不需要爲 非常的大,且具有預定之乾燥室貯存容量,該洗淨與乾燥 裝置可以小構造建造》且該晶圓被穩定的握持。 依據本發明之第二方面的一晶圓處理系統,包含了一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八料見格(210X297公釐).9 - ----------.裝------ΐτ------1 I h (#先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央摞準局貝工消費合作社印繁 4346 7 1 A7 B7 五、發明説明(7 ) 或,複數個處理槽,以於其內處理被安排平行在一垂直位置 的複數個晶圓’一被置於處理槽上方之載運機構,且可以 水平的於處理槽之上方移動,以載運晶圓,及用以握持該 晶圓於處理槽內的晶圓握持機構,將該晶圓移動於處理槽 內的位置與處理槽上方的運送位置。該載運機構具有第一 支承構件,支承該周邊之下側區段,及防傾構件,被個別 地置於第一支承構件的下側上,以使嚙合該晶圓之周邊部 份的側邊區段’以防止該晶圓傾斜。該晶圓握持機構具有 第二支承構件,支承該晶圓的周邊部份之下側區段。該第 —支承構件與防傾構件'以及第二支承構件的配置方式, 於一平面觀之,該第一支承構件與防傾構件,不會重疊該 第二支承構件,以使當第二支承構件與被置於該處理槽上 方之載運機構一起的垂直移動時,防止該載運機構的第一 支承構件與防傾構件,干擾到第二支承構件》當該載運機 構與該第二支承構件水平地移動於處理槽上方的運送位置 時,該載運機構的防傾構件可移動至一位置,於該位置, 該防傾構件不會被該晶圓或第二支承構件所干擾。 依據本發明,該晶圓係由第一支承構件支承該晶圓在 周邊部份的下側區段,該防傾構件被置於該晶圓之周邊部 份旁,以防此該晶圓傾斜,當載運晶圓至該處理槽時,該 載運機構載運複數個在垂直位置之平行晶圓^,至該處理槽 上方的運送位置。該晶圓握持機構的第二支承構件,在該 載運機構已被移動至該處理槽上方之運送位置之後上昇, 以經由該第二支承構件支承該晶圓於周邊部份的下側區段 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)-10· -----------裝------訂------東 -' (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 434671 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社"製 五 、發明説明( 8) 處 ',且 該 晶 圓自 第 —' 支承 構 件與防傾 構 件 運 送 至 該 第 二 支 承 構件 〇 接 下來 » 該 防傾 構 件移 動 至 一 位 置 於 該 位 置 * 該 防傾 構 件 不會 干 擾 到該 晶 圓 ffrt ER 該 第 二 支承 構 件 該 載 m 機 構水 平 地移動 以 自處 理 槽 上 方 的 運 送 位 置 縮 回 移 開 該 晶 圓。 然 後 ,支 承 該 運送 的 晶 圓 之 第 二 支 承 構 件 係被 降 低 進入 該 處 理槽 〇 當 自該 處 理 槽 取 出 晶 圓 時 該 握 持 該 晶 圓 的晶 圓 握 持機 構 之 笛一 支承 構 件 被 舉 起 至 該 處 理 槽 上 方之運 送 位 置, 以移 動該 晶 圓 至 該 處 理槽 上 方 之 運 送 位 置 〇 然後 該 載運 機 稱 水平地 移 動 至 該 處 理 槽 上 方 的 運 送 位 置 ,且 該 防傾構 件移 動至 —' 位 置 於此位 置 該 防 傾 構 件 不 會接 觸 到 該晶 圓 與 第二 支承 構 件 〇 然 後 該 第 二 支承 構 件被降低 以將 晶 圓 自第 二 支承 構 件 運 送 至 第 二 支承 構 件 以使 該 第 一支承 構 件支 承 該 晶 圓 於周 邊 部 份 之 下 側 區 段 〇 然後 該 載運 機 構 水平地 移 動 且 該 防 傾 構 件 被 置 於 該 晶 圓的 周 邊 部份 之 旁 0 於 該 載 運機 構 內 ,該 防傾 構 件 需 要 可 被 降 低 至 實 際 上 相 對應 於 該 第一 支承 構件之水平面的位 置 因 此 該 防 傾 構 件不 會 干 擾到 該 晶 圓與 該 第 二 支 承 構 件 0 較 佳 的 ,在 第 -* 支承 構 件 的 上 表 面上 形成 用 以 接 收 該 晶_ 之 周 邊部 份 的 下側 區 段 之 凹 槽 且 於 每 1~~-* 該 防傾 稱 件 的內 表 面 中, 形成用以 接 收 該 晶 圓 之 周 邊 ^份的 側 邊 1品 段的凹 槽 以使於 該 晶圓 被 載 運 時 > 可 穩 定 的 支承 該 晶 圓 Q 較佳的 每一 第 二 支承 構 件的 上 表 面 » 形成用 以 接 收 該 晶 圓之 周 邊 部份 的 下 側區 段 之 凹 槽 9 以使 該 晶 圓 可被 穩 定 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐)-11 · 經濟部中央標芈局員工消費合作社印製 434671 A7 B7 五、發明説明(9 ) 的..握持在該處理槽中。 較佳的’該第一支承構件與防傾構件之間形成一空間 ,且該晶圓握持機構的第二支承機構,垂直地移動通過該 空間,以與該載運機構移動至該處理槽上方之運送位置, 因而可防止該第一支承構件與防傾構件干擾到該第二支承 構件。該第一支承構件可包含複數個支承元件,於相鄰之 支承構件之間形成空間,以供該第二支承構件垂直地移動 通過該空間,而與該載運機構移動至該處理槽上方之一運 送位置。 較佳的,在該載運機構的防傾構件降低時,該防傾構 件自該晶圓的周邊部份之側邊區段分離開。 經由該第一支承構件,支承該晶圓於周邊部份之下側 區段,將防傾構件與該晶圓的周邊部份之側邊區段結合, 以防止該物件傾斜,且該載運機構將複數個在垂直位置之 平行的晶圓,載運至該處理槽上方的運送位置,舉起該晶 圓握持機構的第二支承構件,以與該載運機構置於該處理 槽上方之運送位置處,並由第二支承構件支承該晶圓於周 邊部份之下側區段,將該載運機構的防傾構件,移動至該 防傾搆件不會干擾到該晶圓或第二支承構件的位置,水平 地將載運機構自該處理槽上方的運送位置移開,降低該晶 圓握持機構的第二支承構件,以將該晶圓置<入該處理槽中 ,在該晶圓已被處理之後,舉起該晶圓握持機構的第二支 承構件,以將該晶圓置於該處理槽上方的運送位置,水平 地移動該載運機構至處理槽上方的運送位置,且該防傾構 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐} - 12 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 4 3 4 6 7 1 A7 B7 五、發明説明(1〇) 件係被維持在不會干擾到該晶圓或第二支承構件的位置上 ,降下該晶圓握持機構的第二支承構件,以將該晶圓自該 第二支承構件運送至第一支承構件,因此,該第一支承_ 件支承該晶圓於周邊部份之下側區段處,該防傾構件嚙合 該晶圓的周邊部份之側邊區段,且水平地移動該載運機構 ,以將該晶圓自該處理槽上方之運送位置移開。 在晶圓被處理後,該晶圓握持機構的第二支承構件降 下以支承該被處理的晶圓之前,該防傾構件係移動至一位 置,於該位置上,可防止由第一支承構件支承在周邊部份 之下側區段的晶圓傾斜。 圖形之簡要說明 圖1係依據本發明之第一實施例內之應用洗淨與乾燥 裝置的一洗淨系統的槪略平面圖; 圖2係圖1中之該洗淨系統的槪略側視圖; 圖3係第一實施例中的該洗淨與乾燥裝置之槪略透視 圖; 圖4係圖3中之該洗淨與乾燥裝置的一剖視圖; 圖5係依據本發明之一頂蓋的上升機構,與晶圓握持 機構的上升機構之槪略剖視圖; 圖6係類似於圖5之一槪略剖視圖,用k協助說明該 頂蓋的上升機構,與該晶圓握持機構的上升機構之作業方 式, 圖7 ( a )係依據本發明之密封結構的剖面透視圖; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS >A4規格(210X297公釐)-13- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,.裝 訂 434671 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 五 1發明説明( 11) 1 圖 7 (b )係圖7 ( a )中 之 該 密 封 結 構 的 基 本部分 ! 之放大 剖 視圖 4 ) ! 圖 8 (a )係依據本 發 明之 晶 圓 握 持 機 構 的 --- 基 本部 1 I 許 1 - 份之局部平面 I Β» I · 圖, 先 閱 1 | 圖 8 (b )係圖8 ( a )中 的 晶 圓 握 持 機 構 之 前 視 圖 讀-背 1 之 1 I 意 1 1 圖 9 (a )係包含在 圖 8 ( a ) 中 之晶 圓 握 持 機 構 內 事 項 1 I 再 1 S 的- -下支承構 件之剖面前 視 圖, 填 寫 本 圖 9 (b )係圖9 ( a )中 之下 支 承 構 件 的 剖 面 側 視 頁 -— 1 | 圖 ' 1 I 圖 1 0( a)係顯示形成在 圖 9 ( a ) 中 之 下 支 承 構 1 1 I 件內的 支承凹 槽之放大剖 視 1 圖, 1 訂 圖 1 0( b)係顯示形成在依 據 本 發 明 之 上 支承 構 件 1 1 內的防 傾 凹槽 之放大剖視 圖 » 1 I 圖 1 1係 顯不在晶圓 被 運送 之 前的狀 態 之 槪 略剖 視 1 C3 1 圖 1 1 f J t I 圖 1 2係 顯示於晶圓 運 送中 的 狀 態 之 槪 略剖 視 圖 1 1 圖 1 3係 顯示該晶圓 被 置於 — 洗淨 槽 的狀 態 之 槪 略 剖 i 視圖; 1 圖 1 4係 顯示於晶圓 洗 淨處 理 中 的 狀 態 之 槪 略 剖 視 圖 1 I 9 圖 1 5係 顯示該晶圓 被 載入 — 乾 燥 室 內 的 狀 態 之 槪 略 1 1 1 剖視圖 » 1 1 圖 1 6係 顯不於晶圓 乾 燥處 理 中 的狀 態 之 槪 略剖 視 圖 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4规格(210X297公釐)-14- 43467 1 A 7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(12) 圖1 7係顯示完成晶圓乾燥處理之後的狀態之槪略剖 視圖; 圖18係顯示在運送該乾燥晶圓之前的狀態之槪略剖 視圖; 圖19係顯示於運送該乾燥晶圓中的狀態之槪略剖視 圖; 圖2 0係顯示該晶圓被載運離開的狀態之槪略剖視圖 t 圖21係依據本發明之第二實施例內之一洗淨系統的 槪略透視圖: 圖2 2係一載運裝備之放大槪略透視圖; 圖2 3係一圖示用以協助說明自該載運裝備運送至該 晶圓握持機構,及自該後者運送至前者的該晶圓的運送操 作作業; 圖2 4係該晶圓握持機構的透視圖; 圖2 5係一槪略平面圖,顯示在第一支承構件與防傾 構件之間的位置關係,且第二支承構件係於該載運裝備位 於該處理槽之上方的狀態; 圖2 6係一圖示顯示該晶圓被載運至於處理槽上方之 運送位置的狀態; < 圖2 7係圖示顯示該晶圓已被置於該處理槽上方之狀 態; 圖2 8係一圖示用以協助說明將該晶圓自該載運裝備 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐)· 15 - 434671 A7 B7 五、發明説明(1今 運送至該晶圓握持機構的處理過程; 圖2 9係一圖示用以協助說明將該晶圓自該載運裝備 運送至該晶圓握持機構的處理過程; 圖3 0係一圖示用以協助說明將該晶圓自該載運裝備 運送至該晶圓握持機構的處理過程: 圖3 1係一圖示顯示該晶圓被置於處理槽內之狀態; 圖3 2係一圖示顯示該晶圓被舉至該處理槽上方之運 送位置的狀態; 圖3 3係一圖示顯示該晶圓自該晶圓握持機構運送至 該載運裝備之處理過程; 圖3 4係一圖示顯示該晶圓自該晶圓握持機構運送至 該載運裝置之處理過程; 圖3 5係一圖示顯示該晶閫自該晶圓握持機構運送至 該載運裝備之處理過程; 圖3 6係一圖示顯示自該處理槽上方之運送位置,將 該晶圓載運離開之處理過程;及 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 圖3 7係一視圖,顯示自由複數個支承構件組成之第 一支承結構,及由複數個的防傾構件組成之防傾結構,將 晶圓運送至第二支承構件之程序,以及自後者運送至前者 之程序。 主要元件對照表 1 2 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 洗淨系統 承載單元 本紙乐尺度適用中國國家榡準(CMS ) A4規格(2丨0X297公釐)-16- 4346 7 1 A7 B7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明( 3 4 4 a 4 b 4 c 5 5 a 5 b 6 6 a 6 b 7 8 - 9 10 11 12 1 3 1 3 A 14 1 7 8 洗淨單元 接介單元 第一室 第二室 分隔牆 接收站 入口 出口 運送站 入口 出口 滑動桌台 盒升降裝置 盒貯存單元 晶圓輸送臂 ' 凹口對準器 間隔調整裝置 第一位置變換裝置 第二位置變換裝置 晶圓運送臂 晶圓貯存臂 第一處理單元 第二處理單元 洗淨與乾燥裝置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-17 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明( 19 2 0 2 1 2 2 2 2a 2 2b 2 3 2 4 2 4a 2 5 2 6 2 6a 2 7 2 7a 2 8 2 9 2 9a 3 0 3 1 3 2 a 3 2b 3 3 3 4 3 5 夾頭洗淨單元 載運路徑 晶圓載運臂 洗淨槽 內槽 外槽 乾燥容器 晶圓船形容器 桿 噴灑噴嘴 排洩管 排洩閥 排洩管 排洩閥 排氣盒 排氣管 排氣閥 底部盒 水平分隔板 上室 下室 排氣窗 排氣窗 排洩開口 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(210X297公釐)-18- 434671 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(β 3 6 3 7 3 8 3 9 3 9a 4 0 4 1 4 2 4 3 4 4 4 5 4 6 4 6 A 4 7 4 7 A 4 8 4 8 A 4 9
4 9 A 5 0 5 1 5 1 A 5 2 5 2a 蓋板 固定底座 〇形環 頂蓋 通孔 乾燥氣體供應裝置 乾燥氣體排出開口 加熱燈 反射板 第一升降機構 第二升降機構 馬達 馬達 螺釘軸 螺釘軸 螺紋塊 螺紋塊 滑動塊 滑動塊 導軌 托架 托架 密封結構 管 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)-19 - 434671 A7 B7 五、 發明説明(1ϊ) 5 2 b 氣體 5 3 制動器 5 4 下支承構件 5 5 上支承構件 5 6 連接板 5 7 a 剛性芯管 5 7 b 支承塊 5 8 支承凹槽 5 9 防傾凹槽 5 9 a 寬V形區段 5 9 b 窄V形區段 10 1 洗淨系統 10 2 晶圓艢送單元 10 3 洗淨單元 10 4 桌台 1 0 5 晶圓輸送臂裝置 10 6 導引裝置 10 7 位置變換裝置 1 0 8 握持裝置 11 0 載運裝置 11 1 第一支承構件 11 la 支承構件 11 lb 支承構件 11 2 a 防傾構件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐)-20- 434671 A7 B7 經濟部中央標率局員Η消費合作社印製 五、發明説明(1号 1 1 2 a ^ 112b 1 1 2 b ^ 12 0 12 1 12 2 12 3 12 4 13 0a 13 0b 13 1 13 2 13 3 14 0 14 1a 1 4 1 a ^ 14 1b 1 4 1 b ^ 14 1c 14 2 14 3 14 4 14 5 15 0 防傾構件 防傾構件 防傾構件 洗淨與乾燥箱 處理槽 處理槽 處理槽 乾燥槽 曲柄軸 曲柄軸 底座單元 凹槽 凹槽 晶圓握持裝置 第二支承構件 第二支承構件 第二支承構件 第二支承構件 第二支承構件 凹槽 T型握持裝置 升降機構 升降機構 空間 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)-21 - A7 B7 五、發明説明( 15 1 空間 16 0 空間 16 1 空間 16 2 空間 C 載運盒 W 晶圓 a 第一位置 b ^ /-L. 第一位置 c 第三位置 w / 晶圓 2 2 C 開口 較佳實施例之詳細說明 第一實施例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. ,ιτ 經濟部中央椁準局員Η消費合作社印聚 —參照圖1至2 0,將說明依據本發明之第一實施例內 的一種洗淨與乾燥裝置,被應用在半導體晶圓洗淨系統內 之狀況。 圖1係以範例的方式,顯示依據本發明之第一實施例 內之應用洗淨與乾燥裝置1 8的一洗淨系統之槪略卒面圖 ,圖2則爲圖1之洗淨系統的一槪略側視圖。 該洗淨系統的主要構件,包含了一載運單元2,該載 運單元2載運了一容納半導體晶圓w(物件)(於後僅以 "晶圓"代表)於水平位置上的一載運盒C;一洗淨單元 3 ’該洗淨單元3處理該晶圓W,以例如爲液體化學物之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公發).22 - 434671 A7 _B7___________ 五、發明説明( 洗淨液體洗淨該晶圓W,並乾燥該洗淨的晶圓W ;及一介 接單元4,該介接單元4插入於該載運單元2與該洗淨單 元3之間|以執行該晶圓W之運送,該晶圓W的位置調整 ,及該晶圓W之位置的變換(conversion)。 該載運單元2具有一接收站5及一運送站6,其放置 於該洗淨系統的一側邊上。供裝載該載運盒C進入該接收 站5,且自該運送站6卸載該載運盒C的滑動桌台7,係 被置於該接收站5的一入口 5 a及運送站6的一出口 6 b 處。於該接收站5與運送站6內,置有一盒升降裝置8( 盒載運構件)。經由該盒升降裝置8,載運盒C係被載運 於該接收站5與運送站6內。如示於圖2,空的載運盒C ,係被運送至被置於該載運單元2上方之一盒貯存單元9 ,且經由該盒升降裝置8而自該承載盒貯存單元9所接收 〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該介接單元4的內部空間,經由分隔牆4 c分隔成爲 一連續於該接收站5的第一室4a,與連續於該運送站6 的第二室4 b。置於該第一室4 a內的,係一晶圓輸送臂 10(晶圓輸送構件),其可自一載運盒C內取出複數個 晶圓w,該載運盒C以水平方向(X —及γ_方向)及垂 直方向(Ζ —方尚)載運該晶圓w,且以一反向方向( -direction)轉動該晶圓W ;—用以偵測形成在晶圓W內之 凹口的凹口對準器11(位置尋找構件);用以調整自該 載運盒C取出之複數個晶圓W之間的間隔之一間隔調整裝 置1 2 ;及一第一位置變換裝置1 3 (位置變換構件), 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS } A4規格< 210X297公釐)_ 23 - 434671 A7 ____B7 ___ 五、發明説明(21) 用以將置於水平位置的晶圓W設定在垂直位置。 置於該第二室4 b內的,係一晶圓傳送臂14 (晶圓 載運構件),其可自該洗淨單元3於一垂直位置來接收複 數個已處理之晶圓W : —第二位置變換裝置1 3 A (位變 換裝置),用以將置於垂直位置及自該晶圓傳送臂14所 接收之晶圓W,設定在水平位置:及一晶圓貯存臂1 5 ( 晶圓貯存構件),用以接收經由該第二位置改變裝置1 3 A設定於水平位置之複數個晶圓W,且將該晶圓W放入空 的載運盒C內,該載運盒C可以在水平方向(X —及Y — 方向)及垂直方向(Z-方向)上移動該晶圓W,且以反 向方向轉動該晶圓W »該第一室4 b係爲密封的,且第二 室4 b內的空氣以鈍氣來取代,例如氮氣(N 2 g a s ), 該鈍氣係由未示於圖中之鈍氣供應單元所供應。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 ΐ-i I. t / m n^i n^i 0¾-5 - r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該洗淨單元3包含了第一處理單元1 6,用以自該晶 圓W去除微粒與有機污染物;第二處理單元1 7,·用以自 該晶圓W去除金屬性污染物;本發明之洗淨與乾燥單元1 8 ;及被配置成列的一夾頭洗淨單元1 9。一晶圓載運臂 2 1 (載運機構)被放置以使沿著該單元1 6至1 9延伸 之載運路徑移動。該晶圓載運臂2 1係可以移動於水平方 向(X —及Υ —方向)與垂直方向(Ζ —方向)中,且於 一反向方向中轉動。該晶圓載運臂2 1可經由使用在本發 明之第二實施例內之載運裝置1 1 0所替代,此將於後詳 述。 參照圖3至圖5,該洗淨與乾燥單元1 8的主要構件 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Α4規格(210X297公釐)-24 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 3 4 6 7 1 A7 B7 五、發明説明(22) 包含了一容納有洗淨液體的洗淨槽22(液體化學物,例 如爲氫氟酸,或純水):一被置於該洗淨槽2 2上方的乾 燥容器23:及一晶圓船容器24(物件握持機構),用 以支承該複數個晶圓W (例如爲5 0個晶圓W),且載運 該晶圓W進入該洗淨槽2 2與該乾燥容器2 3內。該晶圓 W係被浸入在洗淨槽2 2內的洗淨液體內。 該洗淨槽2 2具有由石英或聚丙烯製成的內槽2 2 a ,且一外槽2 2 b環繞該內槽2 2 a之上側部份,以接收 自該內槽2 2 a溢出之洗淨液體。用以噴灑置於洗淨槽 2 2內的晶圓W的洗淨液體之洗淨液體噴灑噴嘴2 5,係 被配置在接近於該內槽2 2 a的相對之側壁。一未示於圖 的液體化學物供應源,及一未示於圖的純水供應源,經由 一未示於圖的選擇閥,連接至該洗淨液體噴灑噴嘴2 5。 該選擇閥係用以控制將液體化學物或純水,經由該洗淨液 體噴灑噴嘴,而供應進入該洗淨槽2 2內。該內槽2 2 a 之底部壁內提供一排洩口,且一排洩管2 6經由一排洩閥 2 7 a而連接至該排洩口。一排氣盒2 8被置於環繞該外 槽2 2b,且一排氣管2 9經由一排氣閥2 9 a而連接至 該排氣盒2 8。 該洗淨槽2 2與因而形成之排氣盒2 8均被置於一底 部盒3 0內。該盒3 0的內部經由一水平分隔板3 1,分 隔成爲容納該洗淨槽22的上室32a ,與容納該排洩管 2 6與2 7的下室3 2 b,該排洩管2 6與2 7個別的連 接至內槽22a與外槽22b,及該排氣管29。該分隔 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-25- I----------裝-- J * (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4346 7 1 Α7 Β7 五、發明説明(2今 板3 1防止下室3 2 b與該排氣之噴灑進入該上室3 2 a 內,以維持該上室3 2 a的淸淨。一排氣窗3 3形成在界 定該上室3 2 a的一側壁內,排氣窗3 4形成在界定該下 室3 2 b的一側壁之上側部份內,及一排洩開口 3 5形成 在該側壁的下側部份內。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該乾燥容器2 3具有一固定底座3 7,具有一開口與 該洗淨槽2 2的開口 2 2 c相連通,一蓋板3 6被置於該 固定底座3 7的開口與該洗淨槽2 2的開口 2 2 c之間, —頂蓋39 (可升降之頂蓋)可緊密的接合至該固定底座 3 7,及一 ◦型環3 8 (即,一密封構件)插入於固定底 座3 7與該頂蓋3 9之間。可以省略掉該固定底座3 7, 而使該頂蓋3 9直接的置於洗淨槽2 2上。該固定底座 3 7可以較大高度形成,且該頂蓋3 9可以較小高度形成 。該頂蓋3 9係由石英所製成,且具有組成倒U形的橫剖 面。該固定底座3 7亦由石英所製成。因而,被置於乾燥 容器2 3內的晶圓W之狀況,可經由目視辨識。被置於乾 燥容器2 3的固定底座3 7內之乾燥氣體供應裝置4 0, 向上地射出乾燥氣體(即,例如爲異丙醇的溶劑之蒸氣) ,且一乾燥氣體排出開口 4 1形成在該固定底座3 7的側 壁內。一未不於圖的異丙醇(i s 〇 p r 〇 p y 1 a 1 c 〇 h ο 1 )氣體產 生器’與一用以加熱該氣體以強迫饋入該乾燥氣體(例如 爲N 2氣體)之未示於圖中的一乾燥氣體載運氣體加熱裝置 ,均連接至該乾燥氣體供應裝置40。一未示於圖中的排 出裝置係連接至該排出開口41。該乾燥氣體供應裝置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Ad規格(210X297公釐>~· 434671 A7 __. _B7 _ 五、發明説明(2今 4 0與該排出開口 4 1的放置方式,使得該乾燥氣體4 1 如圖4中之箭頭所示的,沿著該頂蓋3 9之側壁的內表面 向上地流動,經由該頂蓋3 9所界定之空間的中央區域向 下地流動,且經由該排出開口 4 1而排出。其結果,該乾 燥氣體均一的包覆置於乾燥容器2 3內的晶圓W,並凝結 於該晶圓W之整個表面上,以使經由該凝結乾燥氣體的更 換效應,均一的乾燥該晶圓W。 加熱燈4 2 (加熱元件)被置於該頂蓋3 9的相對側 牆之外側,且反射板4 3被置於該加熱燈4 2之後方。該 乾燥容器2 3之內部,被加熱燈4 2所直接放射之加熱光 線,以及由加熱燈4 2所放射且由該反射板4 3所反射之 加熱光線所照射,以加熱該乾燥容器2 3之內部,因此, 可增進被置於乾燥容器2 3內之晶圓W的乾燥。 經由一第一升降機構4 4,該頂蓋3 9可被帶往與該 固定底座3 7緊密的接觸,及自該固定底座3 7上升離開 。如示於圖5及圖6,該第一升降機構4 4係爲一滾珠絲 杠機構,包含了由一馬達4 6所驅動旋轉的一螺釘軸4 7 ’一經由滾珠而連續至該螺釘軸4 7之螺紋塊4 8,及固 定於該螺紋塊4 8的第一連接構件。用以平行於該螺釘軸 4 7而由二導軌5 0導引滑動動作的二滑動塊4 9,係固 定於被固定在該螺紋塊4 8的第一連接構件。該第一升降 機構4 4經由一托架5 1而連接至該頂蓋3 9,以垂直的 移動該頂蓋3 9。 一第二升降機構4 5垂直地移動該晶圓船形容器2 4 本紙張尺度適用中國國家標芈(CNS ) A4規格(210X297公釐)-27 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 4 346 7 1 A7 B7 五、發明説明(玛 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於洗淨槽2 2與乾燥容器2 3內。該第二升降機構4 5, 包含了平行於第一升降機構4 4之螺釘軸4 7延伸並由一 馬達4 6 A驅動旋轉的螺釘軸4 7 A,一經由滾珠而連結 至該螺釘軸4 7 A之一螺紋塊4 8 A,及固定於該螺紋塊 4 8 A的第二連接構件。由二導軌5 0導引滑動動作的二 滑動塊4 9 A,係固定至被固定在該螺紋塊4 8 A的第二 連接構件'該第二升降機構4 5經由一托架5 1 A而連接 至接著於該晶圓船形容器2 4的一桿2 4a,以垂直地移 動該晶圓船形容器2 4。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印黎 該第一升降機構4 4向上舉起該頂蓋3 9,以在該洗 淨槽2 2的開口 2 2 c之上方形成一晶圓輸送空間。經由 該晶圓載運臂2 1,該晶圓W被側向的載入該晶圓輸送空 間內,且然後,該晶圓船形容器2 4被第二升降機構4 5 舉起,以將該晶圓W自該晶圓載運臂2 1運送至該晶圓船 形容器24 (圖6)。當將該晶圓W自該晶圓載運臂2 1 運送至該晶圓船形容器2 4時,該晶圓載運臂2 1係置於 固定底座3 7與頂蓋3 9之間的空間之一側邊上(在頂蓋 39下方之空間的一側邊上)。 滾珠絲杠機構係被應用爲該第一升降機構4 4與第二 升降機構4 5,且該滑動塊4 9與4 9 A分享共用之導軌 5 0。因而,簡化了一驅動機構,且可以高度準確度來垂 直的移動該頂蓋3 9與該晶圓船形容器2 4。 該頂蓋3 9於頂部的一側邊部份中提供有—通孔3 9 a,且接著至該晶圓船容器2 4之該桿24a,通過該通 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-28- 434671 A7 _B7_ 五、發明説明(2芎 孔3 9 a而滑動的延伸,位於該通孔3 9 a與該桿2 4 a 的周邊之間的間隙,係以一密封結構5 2封閉的密封。如 示於圖7(a)與7(b)中,該密封結構52經由密封 例如爲空氣的氣體5 2 b,於一氣密,彈性,環形管 5 2 a內而形成。該環形管5 2 a係由密封於其內之氣體 5 2 b所擴展,因此,可密封在通孔3 9 a與該桿2 4 a 的周邊之間的間隙。 如示於圖5與圖6,連接該螺紋塊4 8與第一升降機 構4 4的滑動塊4 9之該第一連接構件,提供具有一制動 器5 3,以使相關於該第一連接構件,而限制連接該螺紋 塊48A與第二升降機構4 5之滑動塊49A之第二連接 構件的向上移動。因爲相關於該第一升降機構的螺紋塊 4 8之該第二升降機構的螺紋塊4 8 A之向上移動,被該 制動器5 3所限制,可防止該晶圓船形容器2 4向著該頂 蓋3 9產生之意外的碰撞。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如示於圖8 (a)與8 (b),該晶圓船形容器24 包含了一對下支承構件5 4,以垂直的位置支承例如5 0 個晶圓W的複數個晶圓W於其上,且一對上支承構件5 5 自該下支承構件5 4,互相離開的向上斜角的延伸。該下 支承構件5 4與該上支承構件5 5,係延伸於未示於圖中 之連接至該桿2 4 a的一支承板與連接板5 6之間。如示 於圖9 (a)與9 (b),每一該支承構件54具有例如 爲不銹鋼管的一剛性芯管5 7 a,及一由可抗拒不同種類 之洗淨液體(例如爲液體化學物與純水)的合成樹脂(例 本紙張尺度適用中國國家標举(CMS ) A4規格< 210X297公釐) -29 - 一 4346 7 1 A7 ____B7_ 五、發明説明(2乃 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 如爲聚醚酮醚(PEEK))製成的支承塊57b,該支 承塊5 7 b包含了具有支承凹槽5 8的一晶圓支承表面, 該支承槽58係實際上爲V形橫剖面,且如圖9 (b)與 1 0 ( a )所示的合適間隔安排,該支承塊5 7 b被置於 該芯管5 7 a上以完全的覆蓋該芯管5 7 a。每一上支承 構件5 5係由例如爲PEEK的合成樹脂製成,且於其上 表面提供實際上爲Y形的防傾凹槽5 9,每一防傾凹槽 5 9由以合適間隔安排的一寬V形區段5 9 a與窄V形區 段5 9 b組成。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 每一支承構件5 4經由組合該不銹鋼的剛性芯管而形 成,且該P E EK的支承塊5 7 b具有足夠之強度,且該 下支承構件5 4的體積可被減少至最少的可能程度,因此 ,貯存在洗淨槽2 2內的洗淨液體之體積可依此而增加。 其結果,該洗淨槽2 2可形成一小的體積。例如爲1 2英 吋的大直徑晶圓W,可經由將該晶圓W支撐在形成於下支 承構件5 4內的支承槽5 8中,而被穩定的支承,且將該 每一晶圓W的周邊部份之下側區段(些微的低於該晶圓W 之中央的水平處),配合在該上支承構件55的防傾凹槽 5 9內。 參照圖1 1至2 0,於下將說明本發明之該洗淨與乾 燥單元1 8之作業。該洗淨與乾燥單元1 8之作業,係由 —未示於圖中的控制器所控制。 用以封閉該洗淨槽2 2的開口 2 2 c之蓋板3 6係封 閉的,該第一升降機構4 4被驅動以提升該頂蓋3 9,因 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐)-30 · 434671 ΑΊ Β7 五、發明説明(28) 此,在洗淨槽2 2之上方形成一空間。該握持晶圓W的晶 圓載運臂2 1,側向地移動以載運該晶圓W進入示於圖 1 1中的空間內。然後,該第二升降機構4 5被驅動以提 升該晶圓船形容器2 4,且如示於圖1 2的,該晶圓W自 該晶圓載運臂2 1運送至該晶圓船形容器2 4。在該晶圓 載運臂2 1已縮回之後*該蓋板3 6開啓,且如圖1 3中 所示的,該第二升降機構4 5被驅動,以將握持該晶圓W 的晶圓船形容器2 4下降進入該洗淨槽2 2內。該第一升 降機構4 4可被驅動以降低該頂蓋3 9,因此,該頂蓋 3 9緊密的接合至該固定底座3 9。該蓋板3 6可以於起 始時被開啓。 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經由洗淨液體噴灑噴嘴5噴灑例如爲氫氟酸的液體化 學物以洗淨該晶圓W。該液體化學物亦可事先的貯存在該 洗淨槽2 2內》接下來,經由該洗淨液體噴灑噴嘴2 5供 應該純水,以使用純水來水洗並替換潤濕該晶圓W之表面 的液體化學物(圖14)。在該晶圓W被洗淨之後,如示 於圖1 5,該第二升降機構4 5被驅動以昇起該晶圓船形 容器2 4進入該乾燥容器2 3的乾燥室內,且然後,該蓋 板3 6封閉,以自該洗淨槽2 2分離該乾燥容器2 3,且 將該乾燥室自大氣中隔離。該蓋板3 6於、在洗淨槽2 2內 處理該晶圓時,可被維持於封閉的狀態。 接下來,一例如爲異丙醇氣體與N2氣體的混合氣體之 乾燥氣體,經由乾燥氣體供應裝置4 0而被供應進入該乾 燥容器2 3內,以使在該乾燥容器2 3的乾燥室內,製造 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐> -31 - 3467〗 a, ________ 五、發明説明(29 一異丙醇大氣。如示於圖1 6,該乾燥氣體包覆了該晶圓 w,以乾燥晶圓w。於此一乾燥作業中,部份的乾燥氣體 經由該排出開口 4 1而排出。 如示於圖1 7,在潤濕該晶圓W之水已被異丙醇替換 之後,或完成該乾燥處理之後,經由該乾燥氣體供應裝置 4 0將氣體供應進入該乾燥容器2 3內’該異丙醇已自 該乾燥容器2 3的乾燥室淸除,該第一升降機構4 4被驅 動以昇起該頂蓋3 9,因此,在頂蓋3 9與洗淨槽2 2之 間形成了 一空間。然後,該晶圓載運臂2 1側面的移動至 位於該晶圓船形容器2 4之下方的位置(圖18) ’且該 第二升降機構4 5被驅動以降低該晶圓船形容器2 4,因 此,如示於圖1 9,該晶圓W均自該晶圓船形容器2 4運 遂至該晶圓載運臂2 1。然後,該晶圓載運臂2 1自該洗 淨槽2 2上方之運送位置移開,以載運該晶圓W至下一步 的處理(圖2 0 )。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經由提昇該頂蓋3 9,該晶圓載運臂2 1可側面的移 動進入該洗淨槽2 2上方形成的空間內,以將該晶圓W自 該晶圓載運臂2 1運送至該晶圓船形容器2 4,及自後者 運送至前者。因而,該洗淨與乾燥單元1 8的高度,可以 小於相對應之相同形態之傳統洗淨與乾燥裝置,於該傳統 裝置中,該晶圓W係自一乾燥室的上方移動進入該乾燥室 內且向上移動以離開該乾燥室,且因此,該洗淨與乾燥單 元1 8可以相當小的尺寸形成。因爲該晶圓載運臂2 1需 要移動相當短的距離,可以減少該晶圓載運臂2 1移動以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐)-32 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 434671 A7 __B7 五、發明説明(3〇) 載運該晶圓w所需要的時間,且因而,可以強化該洗淨與 乾燥單元1 8的產量。 雖然已說明的第一實施例中之該洗淨與乾燥裝置,係 被應用爲一半導體晶圓洗淨系統內之洗淨與乾燥單元中, 自然的,該洗淨與乾燥裝置可應用在除了該半導體晶圓洗 淨系統之外的其他處理系統內,且可應用在洗淨除了半導 體晶圓之外的其他板,例如爲供L CD / s用的玻璃基板 〇 由前述之說明可淸楚的看出本發明之洗淨與乾燥裝置 ,可具有下列之極佳的效果。 1 )該乾燥室係由固定至該洗淨槽之固定底座所界定 ,以使可與該洗淨槽的開口連通,該頂蓋緊密的連接至該 固定底座,經由提昇該頂蓋,該頂蓋可被重直地移動以提 供一空間,且該晶圓經由該空間嵌入該洗淨槽內。因而, 該晶圓可自禎向地移動進入該空間內的該晶圓載運機構運 送至晶圓握持機構,及自後者運送至前者。依此,該洗淨 與乾燥裝置可以一小構造形成,且可以改良洗淨與乾燥之 產量。 2 )因爲由石英形成之該頂蓋,組成倒U形的橫剖面 ,該乾燥室之體積可被減少至最小的需要程度。其結果, 該洗淨與乾燥裝置可以更進一步的減小尺寸來製造,金屬 不純物的沉澱與溶解不會發生,可壓抑微粒之產生,且可 改良產能。如果不只該頂蓋,該固定底座與洗淨槽亦均以 石英形成,微粒之產生可進一步的有效壓抑,並進一步的 本紙張尺度適用中國國家標ifcNS ) A4規格(210X297公釐)~-33 - ---;-------裝-- - * (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 訂 4346 7 1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(31) 改良產能< 3 )加熱燈(加熱元件)均被置於該底蓋的相對側壁 之外側,且反射板被置於該加熱燈之後方。該乾燥容器的 內部,被加熱燈所直接放射之加熱光線,以及由加熱燈所 放射且由該反射板所反射之加熱光線所照射,因此,可增 進被置於乾燥容器內之晶圓W的乾燥。 4)用以供應一乾燥氣體進入該乾燥室的乾燥氣體供 應裝置,依置於乾燥室內。因而,經由將該乾燥氣體均一 的包覆該晶圓,該晶圓可完蒐的且快速的被乾燥。 5 )用以垂直移動該頂蓋的該第一升降機構,與用以 垂直地移動該晶圓支承構件的第二升降機構*均爲分享共 用導軌之滾珠絲杠機構。因而,用以驅動該頂蓋及該支承 構件的驅動單元之構造可以簡化,且改良了驅動/f乍業之準 確性》 6 )連接至該晶圓握持機構的該桿,係延伸通過形成 在該頂蓋內的通孔,且連接至該第二升降機構,位於該頂 蓋與該桿之間的間隙,係由一密封結構所密封,該密封結 構具有一氣密、彈性、環形管的形狀,且以氣體充塡。因 此,可以改善在該頂蓋與連接至該晶圓握持機構的該桿之 間的間隙之密封。 7 )該第一升降機構具有一制動器,以供限制該晶圓 握持機構相關於該頂蓋的向上移動,以防止該晶圓握持機 構移動超過一頂部極限,且防止向著該頂蓋產生碰撞。因 此,可強化該洗淨與乾燥裝置的安全性與可靠性。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格< 210X297公釐)-34 - {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. ,ιτ 4346 7 A7 B7 五、發明説明(珥 8 )該晶圓握持機構包含了一對支承構件,以使在合 適之間隔於垂直位置支承複數個晶圓’及一對上支承構件 ,被置於該下支承構件上方之一區域側’每一該下支承構 件具有剛性芯,及一由可抗拒不同種類之洗淨液體的合成 樹脂製成的支承塊,每一該下支承構件具有實際上爲V形 橫剖面之凹槽,以供支承晶圓於其內•且每一該上支承構 件具有實際上爲γ形橫剖面之凹槽,以供防止該晶圓傾斜 。因此,該支承構件(即,該晶圓固持機構)的體積,可 被減少至最小的可能程度。依此,該洗淨槽不需要非常大 且具有一預定之洗淨液體貯存容量,該洗淨與乾燥裝置可 被內裝至一小構造內,且可穩定的支承該晶圓。 第二實施例 . 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參照圖2 1至3 5,將說明依據本發明之第二實施例 內的一洗淨系統。示於圖2 1中的第二實施例內之洗淨系 統101,具有一晶圓輸送單元102,該單元102接 收一以水平位置容納晶圓W (物件)的載運盒C,將洗淨 之晶圓W放入該載運盒C,且送出該容納有洗淨之晶圓W 的載運盒C :及一洗淨單元1 〇 3,其相對應於該二載運 盒C之容量,而於一分批處理系統內,洗淨及乾燥例如爲 5 0個晶圓W的複數晶圓W。 該晶圓輸送單元1 0 2具有一桌台1 0 4,於該桌台 1 0 4上裝配於水平位置上容納例如爲2 5個晶圓W之一 載運盒C。該晶圓輸送單元1 〇 2具有一晶圓輸送臂裝置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(2丨0X297公釐)-35 - 4 3 4 6 7 1 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(叫 105 ’一導引裝置;L〇6,一位置變換裝置1. 07,及 —握持裝置1 0 8,以自裝配在該桌台1 0 4上之載運盒 C取出一晶圓W,運送該於垂直位置的晶圓W至該洗淨單 元1 0 3,並接收該洗淨的晶圓,且以水平位置貯存該洗 淨晶圓W於載運盒C內。 該晶圓輸送臂裝置1 0 5,將一晶圓W自該載運盒C 載運至第一位置a,且自該第一位置a載運至該載運盒C 。該導引裝置1 0 6對準一晶圓W。該位置變換裝置 1 0 7,在將一晶圓W自該第一位置a承載至一第二位置 b時,將該晶圓W自一水平位置變換至垂直位置,且在將 一晶圓W自該第二位置b載運至第一位置3時,將該晶圓 W自一垂直位置變換至水平位置β該握持裝置1 〇 8將握 持於垂直位置的晶圓W自該第二位置b載運至第三位置C ,及自第三位罝c載運至第二位置b » 當將一於垂直位置的晶圓W,自該晶圓輸送單元 1 0 2載運至該洗淨單元1 0 3時,首先,該晶圓輸送臂 裝置1 0 5自一載運盒C取出一晶圓W,將在水平位置的 晶圓W載運至該第一位置a,且運送該晶圓W至該導引裝 置1 0 6 〇該導引裝置1 0 6對準排列該晶圓W,且然後 ,該導引裝置1 0 6於第一位置a處,將該晶圓W運送至 該位置變換裝置1 0 7。該位置變換裝置1 0 7於載運該 晶圓W至該第二位置b時,將該晶圓W自一水平位置變換 至一垂直位置'該位置變換裝置1 〇 7於第二位置b,運 送該晶圓W至該握持裝置1 0 8,該握持裝置1 0 8將在 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS > A4規格(2丨OX297公釐)-36 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 4346 71 a7 B7__ 五、發明説明(叫 垂直位置的晶圓w載運至該第三位置c °然後’該晶圓w 由一載運裝置11〇 (承載機構)(此將於後詳述)’自 第三位置c載運至該洗淨單元1 〇 3。在該晶圓W已洗淨 之後,前述之晶圓載運過程逆向進行’以將在水平位置的 晶圓W,放入該載運盒c內。 該載運裝置1 1 0係被置於該洗淨單元1 〇 3的前方 側邊上(圖2 1中的底部側邊)’以使沿著該洗淨系統 1 ◦ 1縱向滑動。 該載運裝置1 1 0具有一第一支承構件1 1 1,及防 傾構件1 1 2 a與1 1 2 b。該載運裝置相對應於該二載 運盒C的容量,而支承例如爲5 0個晶圓的複數個晶圓W 於第一支承構件1 1 1上,且經由防傾構件1 1 2 a與 1 12b,握持該晶圓W於垂直位置。因此,該複數個晶 圓W,係成批的自該晶圓輸送單元1 〇 2載運至該洗淨單 元 1 0 3。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 如示於圖2 1,由左至右的配置於該洗淨單元1 0 3 內的,係爲一用以洗淨與乾燥該第一支承構件1 1 1及該 載運裝置1 1 〇的防傾構件1 1 2 a與1 1 2 b之支承構 件洗淨與乾燥槽1 2 0 ;供以洗淨液體洗淨該晶圓W且以 純水淸洗該晶圓W的處理槽121、 122及123;經 由使用例如爲異丙醇蒸汽來乾燥於處理槽1 2 1至1 2 3 內洗淨的晶圓W之一乾燥槽1 2 4 » 該處理槽的配置與組合,可依據該晶圓W即將遭受之 洗淨與洗淨之形式的處理來決定。例如,某些前述之處理 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐)-37 - 434671 A7 _ B7 五、發明説明(35) 槽可省略掉,或該洗淨單元10 3可提供某些額外的處理 槽。 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 如示於圖2 2,可用以握持5 0個晶圓W之載運裝置 1 1 0,具有第一支承構件1 1 1以於該晶圓之周邊部份 的下側區段處支承該5 0個晶圓W,且該防傾構件1 1 2 a與1 1 2 b係被置於該第一支承構件1 1 1之相對側邊 上。 曲柄軸1 3 0 a與1 3 Ob,係個別的連接至該防傾 構件1 1 2 a與1 1 2b之下側末端。該曲柄軸1 30a 與1 3 0 b由一未示於圖中之轉動機構所轉動,該機構包 含了容納在底座單元1 3 1內的固定馬達。該防傾構件 1 1 2 a與1 1 2 b均由轉動機構同時的轉動,以使個別 地轉動至相對應於該晶圓W之周邊的互相朝向之上側位置 ,或與該晶圓W之周邊分離之互相離開之下側位置《於圖 2 2中,由連續線所代表的防傾構件1 1 2 a與1 1 2D ,係該防傾構件1 1 2 a與1 1 2 b被轉動至該上側位置 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 的狀態,且與該晶圓W的周邊之直徑的相對側邊區段相接 觸,由長短虛線所代表的防傾構件1 1 2 a <與 1 1 2b >,係該防傾構件1 1 2 a與1 1 2b已被轉動 至互相離開的下側位置之狀態,且與該晶圓W爲分離的。 該第一支承構件1 1 1具有一上表面,該上表面具有 用以接收該晶圓W之周邊部份的下側區段之凹槽1 3 2。 該防傾構件1 1 2 a與1 1 2b的內表面,亦具有用以接 收該晶圓W之周邊部分的側邊區段之槽1 3 3。當支承該 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4规格(210X297公釐)-38- 434671 A7 ___B7 五、發明説明(3今 晶圓W與載運裝置1 1 1上時,該晶圓W的周邊剖分之下 側區段,係嵌入該第一支承構件1 1 1的凹槽1 3 2內, 該防傾構件1 1 2 a與1 1 2 b則由該轉動機構互相朝向 的轉動至上側位置,因此,該防傾構件1 1 2 a與 1 1 2 b之凹槽1 3 3,個別的接收該晶圓W之周邊部分 的側邊區段,以防止該晶圓W傾斜。 示於圖2 3中之連續線所代表之防傾構件1 1 2 a與 1 1 2b,係經由容納在底座單元1 3 1內的轉動機構轉 動至上側位置,且已將該晶圓W的周邊部分之直徑相對的 側邊區段,接收在凹槽1 3 3內的狀態,以預防該晶圓W 傾斜。示於圖23中之長短虛線112a >與112b/ 之防傾構件1 1 2 a與1 1 2 b,係經由容納在底座單元 1 3 1內的轉軌機構轉動至互相離開之下側位置,該下側 位置係實際上的與第一支承構件111在相同之水平面* 如示於圖24,每一處理槽121、 122及123 ,均具有一晶圓握持裝置(物件握持機構)1 4 0 «因爲 組合在處理槽121、 122與123內之晶圓握持裝置 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱請背面之注^^項再填寫本頁) 1 4 0均爲相同之構造,故僅說明與處理槽1 2 1組合之 晶圓握持裝置1 4 0。 參照圖2 4,該晶圓握持裝置1 4 0具有一對第二支 承構件1 4 1 a與1 4 1 b,以相對應於二載運盒C之容 量而支承5 0個晶圓W。該第二支承構件1 4 1 a與 1 4 1 b具有提供凹槽1 4 2的上表面,以接收晶圓W的 周邊部分之下側區段。第二支承構件1 4 1 a與1 4 1 b 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS} A4規格(210X297公釐)-39- 4 3 46 71 ΑΊ Β7 五、發明説明(37} 的凹槽1 4 2、第一支承構件1 1 1的凹槽1 3\2、與該 防傾構件1 1 2 a與1 1 2b的凹槽1 3 3之間距,係均 爲相同的。 (請先闕讀背面之注意事項再填商本頁) 圖2 5係一平面圖,顯示在置於處理槽1 2 1上方之 載運裝置1 1 〇的第一支承構件1 1 1與防'傾構件 1 1 2 a與1 1 2b,與該第二支承構件1 4 1 a及 1 4 1 b之間的位置關係。由圖2 5可淸楚看出,該第二 支承構件1 4 1 a係置於第一支承構件1 1 1與防傾構件 1 1 2 a之間的空間1 5 0內’且該第二支承構件 1 4 1 b係置於第一支承構件1 1 1與防傾構件1 1 2b 之間的空間1 5 1內。因此,當該第二支承構件1 4 1 a 與1 4 1 b均與置於該處理槽1 2 1上方之載運裝置 1 1 0垂直移動時,該第二支承構件1 4 1 a與1 4 1 b ,個別地經由該空間1 5 0與1 5 1移動。 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 如果該第二支承構件141a與141b均提昇至該 處理槽1 2 1上方的水平時,且與該第一支承構件1 1 1 及防傾構件1 1 2 a與1 1 2b —起支承在處理槽1 2 1 上方的晶圓W時,該第二支承構件1 4 1 a與1 4 1 b係 經由示於圖2 3的空間1 5 0與1 5 1,而提昇至該第一 支承構件1 1 1上方的水平。其結果,如圖2 3中之長及 短虛線1 4 1 a —與1 4 1 b,所示的,該第二支承構件 1 4 1 a與1 4 1 b自下方接收該晶圓W於其上,以自該 第一支承構件1 1 1與防傾構件1 1 2 a與1 1 2 b接收 該晶圓W。如果因此而支承該晶圓双之第二支承構件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4現格(210X297公嫠)-40- 4346 7 1 A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明(3芍 141a與141b,經由該空間150與151而下降 至在處理槽1 2 1內的下側位置,該晶圓W自第二支承構 件141 a與141b運送至該第一支承構件1 1 1。該 第一支承構件1 1 1與防傾構件1 1 2 a與1 1 2 b之配 置方式,與該第二支承構件1 4 1 a與1 4 1 b的配置方 式,係使該第一支承構件1 1 1與防傾構件1 1 2 a與 1 1 2b,與該第二支承構件1 4 1 a與1 4 1 b不會互 相干擾,以使可將晶圓W自第一支承構件1 1 1運送至第 二支承構件1 4 1 a與1 4 1 b,及自後者運送至前者。 該處理槽1 2 2與1 2 3均具有類似於與該處理槽1 2 1 組合之晶圓握持裝置1 4 0的晶圓握持裝置1 4 0。 於下將說明由該洗淨系統執行處理該晶圓W的方法。 一未示於圖的載運機械臂,將容納有例如爲2 5個將被洗 淨之晶圓的一第一載運盒C,載運至且置於該晶圓輸送單 元1 0 2的桌台1 0 4上。自該第一載運盒C取出之晶圓 W,被對準排列且裝配在該握持裝置1 〇 8上。將空的第 一載運盒C載運移開,容納有將被洗淨之晶圓W的一第二 載運盒C,被裝配在該桌台1 〇 4上,且然後重複相同的 程序,以將5 0個晶圓W裝配在該握持裝置1 〇 8上。 接下來,在支承構件洗淨與乾燥箱1 2 0內洗淨與乾 燥的該載運裝置110之第一支承構件111與防傾構件 112a與112b,自該握持裝置108 5個一批的 接收該晶圓W,且該載運裝置1 1 〇截運該5 〇個晶圓W 自晶圓輸送單元1 〇 2至該洗淨單元1 0 3。該晶圓W依 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(2丨0X297公釐)-41 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 丁 •-=·5 4 346 7 1 A7 __B7 五、發明説明(39) 序地在處理槽121、 122及123中處理,以自該晶 圓W去除有機污染物及包含微粒的不純物。 參照圖2 6至3 6,將說明在處理槽1 2 1內執行的 過程。如示於圖2 6,該載運裝置1 1 〇將該5 0個於垂 直位置之.平行的晶圓W,載運至該處理槽1 2 1上方的運 送位置。相關於圖2 2的如前所述,當載運該晶圓W時, 該晶圓W被支承該第一支承構件1 1 1上,且經由防傾構 件1 1 2 a與1 1 2b防止傾斜。於此階段,該第二支承 構件141a與141b,經由該升降機構145,而被 維持在該處理槽1 2 1內的下側位置。如示於圖27,該 載運裝置110停止在該處理槽121上方的運送位置。 於此狀態,該第一支承構件1 1 1與防傾構件1 1 2 a與 1 1 2 b,以平面圓觀之,不會重疊該第二支承構件 1 4 1 a與1 4 1 b,如前之相關於圖2 5所說明的。 然後,如示於圖2 8,該升降機構1 4 5被操作以將 第二支承構件1 4 1 a與1 4 1 b提升至高於第一支承構 件1 1 1的水平。其結果,於晶圓W之周邊部份的下側區 段,係被置於該第二支承構件1 4 1 a與1 4 1 b上,因 此,如前之相關連於圖2 3所述的,該晶圓W自第一支承 構件11.1與該防傾構件112a及112b,運送至該 第二支承構件141a與141b。然後,如示於圖29 ,該防傾構件1 1 2 a與1 1 2 b被向下轉動至該第一支 承構件1 1 1的水平,因此,該第一支承構件1 1 1與防 傾構件1 1 2 a及1 1 2 b,均位於低第二支承構件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨ΟΧ297公釐)-42 - (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝' 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 43 46 7 1 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印装 五 、發明説明( 40) 1 I 1 4 1 a 與 1 4 1 b 之水平 上 〇 然 後, 如示於 圖 3 0 該 1 1 載 運裝 置 1 1 0 的 該 第 一支 承 構 件 11 1 與 防 傾 構 件 1 1 1 12 a 及 1 1 2 b 水平地移 動 ,以 白 該 處 理 槽 1 2 1 S. 1 上 方的 運 送 位 置 縮 回 〇 因爲 該 第 —' 支承 構 件 1 1 1 與防傾 請 先 閱 I I 構 件1 1 2 a 及 1 1 2 b, 係位於低於 第 二 支承 稱 件 讀 背 1 1 1 4 1 a 與 1 4 1 b 之水平上 故可在 不 被 該 第 二 支承 構 之 注 意 1 r 1 件 14 1 a 與 1 4 1 b 所干 擾 的 情 況下 ♦ 該 防 傾 構 件 事 項 其 1 1 1 12 a 與 1 1 2 b 可水平地移 動 離開 該 處 理 槽 1 2 1 上 % 本 袭 方的運 送 位 置 〇 接 下 來 ,該 升 降 機 構1 4 5 被 操 作 以 將 頁 1 1 第 二支承 構 件 1 4 1 a 與1 4 1 b 支承 該 晶 圓 W 進 入 該 處 < i | 理 室1 2 1 〇 I 1 該 晶 圓 W 在 處 理 槽 12 1 內 進 行一 預 定的洗 淨 過 程 1 訂 且 然後 經 由 下 列 程 序 ,將 晶 圓 W 自該 處 理 槽 1 2 1 取 出 1 1 | 如 示 於 圖 3 2 該 升降 機 構 1 4 5 提 升 該 第 二 支承 構 1 1 I 件 14 1 a 與 1 4 1 b 至該 處 理槽 12 1 上 方 之 運 送 位 置 1 t 〇 如示於 圖 3 3 9 該 載 運裝 置 1 1 0的 該 第 一 支承 構 件 1 1 1 11 Ha 防 傾 構 件 1 1 2 a 及 1 1 2 b 係水平的移 動 至 1 該 處理 槽 1 2 1 上 方 的 運送 位 置 且該 防 傾 構 件 1 1 2 a 1 及 11 2 b 握 持在如 第 一支 承 構 件 11 1 之 相 同 水平 〇 於 1 I 此 階段 該 第 — 支承 構 件1 1 1 與 防傾 構 件 1 1 2 a 及 1 1 1 1 12 b y 係在低於 第 二支承 Γ-4Τ» 構 件 14 1 a 與 1 4 1 b 的 1 1 水平上 > 且 因 而 > 該 第 一支 承 構 件 11 1 與 防 傾 構 件 1 1 1 12 a 及 1 1 2 b > 可在 不 被 第 二支承 構 件 1 4 1 a 與 1 ! 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)-43 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 4346 7 1 A7 _B7 五、發明説明(41) 1 4 1 b干擾的情況下,水平地移動至該處理槽1 2 1上 方之運送位置。 然後,如示於圖3 4,該防傾構件1 1 2 a與 1 1 2 b向上轉動至相對應於該晶圓W之周邊部分之側邊 區段的位置。然後,如示於圖3 5,該晶圓握持裝置 1 40降低該第二支承構件1 4 1 a與1 4 1 b進入該處 理槽1 2 1。其結果,該晶圓W被置於第一支承構件 1 1 1上,且其周邊部分的側邊區段,被支承在該防傾構 件1 1 2 a與1 1 2b上。因此,該晶圓W自第二支承構 件141a與141b運送至該載運裝置110。然後, 如示於圖3 6,該載運裝置1 1 0的該第一支承構件1 1 1及防傾構件112a與112b,水平的自處理槽12 1上方之運送位置移開,而運送至下一處理槽1 2 2上方 的運送位置。 因此,該晶圓W以相同方式輸送,以供在處理槽 1 2 2與1 2 3中進行洗淨處理。在該晶圓w已因此而洗 淨後,該晶圓W在乾燥槽1 2 4內乾燥。在處理單元 1 0 3中完成該晶圓W之預定之洗淨處理之後,經由載運 裝置1 1 0,將該5 0個晶圓W載運且運送至該握持裝置 1 0 8。該2 5個晶圓W以水平位置,自該握持裝置1 0 8運送至第一載運盒C,且然後,因此而裝載之第一載運 盒C,自該洗淨系統1〇 1運送出去。然後,一空的第二 載運盒C被供應至該洗淨系統1 〇 1,剩餘之2 5個晶圓 W,自該握持裝置1 〇 8運送至該第二載運盒C,且然後 本紙張尺度適用中國國家標率(CMS ) A4規格(210X297公釐)-44- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j -裝. .丁 、-u 4 3 46 7 1 A7 ___ B7 五、發明説明(42) ,該因此而裝載之第二載運盒C,自該洗淨系統運送出去 〇 因此,依據本發明之第二實施例的洗淨系統1 〇 1中 ,該防傾構件1 1 2 a與1 1 2 b,係被移動至該防傾構 件112a與112b不會接觸到該晶圓W與該第二支承 構件1 4 1 a及1 41 b的位置,該晶圓握持裝置1 40 之第二支承構件1 4 1 a及1 4 1 b,係被提昇至些微的 高於第一支承構件1 1 1的水平,以將晶圓W自載運裝置 1 1 0運送至該晶圓握持裝置1 4 0,及自後者運送至前 者。 依此’僅需要以一小空間提昇該晶圓握持裝置1 4 0 的第二支承構件141a與141b,且因而,可以小的 構造形成該洗淨系統《經由該晶圓握持裝置1 4 0的第二 支承構件1 4 1 a與1 4 1 b減少了距離,且因而依此, 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 I I - - - ^^1 - ' ' m i 1^1 1 - - - r' (諸先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 可減少升起該第二支承構件1 4 1 a與1 4 1 b所需要的 時間,因而改良了該洗淨系統之產量。其結果,可以改良 所附隨之半導體裝置生產方法的產能。如示於圖2 3,該 防傾構件1 .1 2 a與1 1 2 b可被升起至高於該該晶圓 W /的頂部極限(由長及短虛線所示)。在該防傾構件 1 1 2 a與1 1 2 b因此而被提昇超過該晶圓W之頂部極 限的狀態下,類似於該防傾構件1 1 2 a與1 1 2 b降低 第一支承構件1 1 1的水平之狀態,該載運裝置可在不被 晶圓W及第二支承構件1 4 1 a與1 4 1 b干擾的情況下 ,被水平地移動。雖然本發明以範例的方式,經由應用在 本纸張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4规格(210X297公釐)-45- 4346 7 1 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(42!> 供洗淨晶圓的洗淨系統中來說明,本發明亦可應用在供處 理LCD / s用的基板之處理系統,供執行除了該洗淨處 理及類似物的處理系統,且用以執行該處理的方法》 雖然於第二實施例中的洗淨系統,僅應用該第一支承 構件1 1 1以支承該晶圓W,但可使用複數個支承構件( 如示於圖3 7,例如爲二支承構件1 1 1 a與1 1 1 b, 來取代該第一支承構件111。如果應用該二支承構件 111a與111b,該支承構件Ilia與iiib係 間隔開,以提供一空間1 6 0於其之間,一空間1 6 1係 形成在支承構件1 1 1 a與防傾構件1 1 2 a之間,及一 空間1 6 2係形成在該支承構件1 1 1 b與防傾構件 1 1 2 b之間。該晶圓握持裝置1 4 0除了具有該第二支 承構件1 4 1 d與1 4 1 b.之外,額外地具有一第二支承 構件1 4 1 c。當該晶圓握持裝置1 4 0 ,係與該被置於 該處理槽121上方之傳送位置處之載運裝置一起的垂直 移動時’該第二支承構件141a、141b與141c ’可個別的通過該空間161、 162與160移動。 依據本發明,該握持機構的支承構件,減少了被升起 之距離至最少的可能程度,且因而,可以相當小的高度形 成該處理裝置,且可縮短供運送晶圓所需之時間。依此, 該洗淨與乾燥裝置,可以相當小的尺寸建造,且可改良該 洗淨與乾燥裝置之產量。因此,依據本發明,該晶圓可被 平順的處理,且可以改良例如一半導體裝置生產過程的產 量。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨〇><297公釐> -46 - ^^1 ^^^1 m am —I- - - - -I 1 , m m m ^^^1 一 < 0¾-e >' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Claims (1)
- 434671 A8 B8 C8 D8 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 .一種洗淨與乾燥裝置,包含了: 供洗淨物件於其內的一洗淨槽,於其上側之上具有一 開口,且其界定出一洗淨室; 供乾燥物件的一乾燥單元,其界定出一乾燥室並被置 於該洗淨槽之上方;及 供握持該物件,且移動該物件於洗淨槽與乾燥單元之 間的物件握持機構; 其中該乾燥單元具有一可相對於該洗淨槽而垂直地移 動之可升降的頂蓋。 2 .如申請專利範圍第1項之洗淨與乾燥裝置,其中 配置可載運該置於水平方向的物件之載運機構用以運送該 物件自該載運機構至該物件握持機構,且自後者運送至前 者。 3 .如申請專利範圍第2項之洗淨與乾燥裝置,其中 該載運機構包含了: 支承該物件於該物件之周邊部份的下側區段的支承構 件;及 個別置於該支承構件之外側上的防傾構件,以使支承 該物件於該物件之周邊部份的相對側區段。 4 .如申請專利範圍第1項之洗淨與乾燥裝置,其中 該乾燥單元具有一被置於可升降之頂蓋下方的固定底座, 而且一密封構件被置於該可升降的頂蓋與該固定底座之 間。 5 .如申請專利範圍第1項之洗淨與乾燥裝置,其中 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) ϋ [L ft. , .~1 I — - - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 43^671 Αδ BS C8 D8 六、申請專利範圍 配置一蓋板以便覆蓋該洗淨槽之開口而使該洗淨室與該乾 燥室彼此隔開。 --------裝-----—訂 '••' (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 6 .如申請專利範圍第1項之洗淨與乾燥裝置,其中 該可升降之頂蓋係一具有橫斷面的形狀酷似倒U字母的石 英構件。 7 .如申請專利範圍第6項之洗淨與乾燥裝置,其中 該乾燥單元具有一被置於該可升降之頂蓋下方的固定底 座,而且該固定底座與洗淨槽均由石英製成。 8 .如申請專利範圍第6項之洗淨與乾燥裝置,其中 加熱元件被配置在該可升降之頂蓋的外側,並且反射板被 配置於該加熱元件之後方。 9 .如申請專利範圍第1項之洗淨與乾燥裝置,其中 更包含了一乾燥氣體供應裝置,其用以供應乾燥氣體進入 該乾燥室內。 1 〇 :如申請專利範圍第9項之洗淨與乾燥裝置,其 中該乾燥單元具有一被置於該可升降之頂蓋下方的固定底 座,並且該乾燥氣體供應裝置被配置於固定底座之上° 經濟部中夬標率局員工消費合作社印聚 11.如申請專利範圍第1〇項之洗淨與乾燥裝置’ 其中該乾燥氣體供應裝置自該乾燥室的側邊區域向上供應 乾燥氣體。 1 2 .如申請專利範圍第9項之洗淨與乾燥裝置,其 中該乾燥單元具有一乾燥氣體排出機構。 1 3 .如申請專利範圍第9項之洗淨與乾燥裝置,其 中該乾燥氣體係鈍氣。 本纸張尺度逍用中國國家標毕(CNS ) A4規格(210X297公釐) 434671 A8 bs C8 D8 六、申請專利範圍 1 4 .如申請專利範圍第9項之洗淨與乾燥裝置,其 中該乾燥氣體係一種有機溶劑氣體,或者爲鈍氣與有機溶 劑氣體的混合氣體。 1 5 .如申請專利範圍第1項之洗淨與乾燥裝置,其 中更包含了:用以垂直移動該可升降之頂蓋的一第一升降 機構,及用以垂直移動該晶圓握持機構之一第二升降機 構:其中該第一與第二升降機構包含驅動用以沿著共用之 導軌滑行移動之滑動塊的滾珠絲杠機構。 16. 如申請專利範圍第15項之洗淨與乾燥裝置, 其中該物件握持機構經由一桿而連接至該第二升降機構, 該桿係延伸通過形成在可升降之頂蓋中的通孔,且介於咳 可升降之頂蓋與該桿之間的間隙被一密封結構所密封,該 結構具有氣密、彈性、環形管的形狀,並且充塡入氣體。 17. 如申請專利範圍第15項之洗淨與乾燥裝置, 其中該第一升降機構具有一用以相對於該第一升降機構限 制該第二升降機構與該固件固持機構的向上移動之制動 器。 1 8 .如申請專利範圍第1項之洗淨與乾燥裝置,其 中該物件握持機構包含了一對下支承構件,其用來以合適 之間隔支承該物件於一垂直位置、及一對被置於該下支承 構件上方的上支承構件,每一個下支承構件具有由可抗拒 不同種類之洗淨液體的合成樹脂製成之一剛性芯及環繞該 剛性芯的支承塊,每一個下支承構件具有實際爲V形橫剖 面的凹槽用以支承該物件於其內*而且每一個上.支承構件 ^—^1 ^^^1 ^^^1 —^1 ί 1^1 m* nn ^^^1 :·V . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局負工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標芈(CNS ) A4規格(210X297公釐> -49 - 4346 71 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 具有實際爲γ形橫剖面的凹槽用以防止該物件傾斜。 19 種物件處理系統,包含了: (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 用以處理物件於其內的處理槽; 配置於該處理槽之上並且能夠水平地於處理槽之上移 動,以載運該物件的載運機構;及 物件握持機構,其用以握持該物件於處理槽內並且移 動該物件介於在處理槽內的位置與在處理槽上方的運送位 置之間; 其中該載運機構具有第一支承構件,其支承該物件於 周邊部份之下側區段,及防傾構件,其被個別地配置於第 一支承構件的外側上以便與該物件之周邊部份的側邊區段 相嚙合以防止該物件傾斜, 該物件握持機構-具有第二支承構件,其支撐該物件於 周邊部份之下側區段, 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 該第一支承構件與防傾構件,以及第二支承構件被配 置而使得,於一平面觀之,該第一支承構件與防傾構件, 不會該第二支承構件重疊,以使當第二支承構件與位在該 處理槽上方之載運機構一起垂直移動時,防止該載運機構 的第一支承構件與防傾構件干擾到該第二支承構件,及 - 當該載運機構與該第二支承構件水平地移動於處理槽 上方的運送位置時,該載運機構的防傾構件可移動至一位 置,於該位置,該防傾構件不會干擾到該物件或第二支承 構件。 2 0 .如申請專利範圍第1 9項之物件處理系統,其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 50 - 434671 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範園 中該防傾構件可被降低至實際上相對應於該第一支承構件 的水平面的位置。 2 1 .如申請專利範圍第1 9項之物件處理系統,其 中該第一支承構件具有一上表面,該上表面被提供有用以 接收該物件之周邊部份的下側區段之凹槽,且每一防傾構 件具有一內表面,該內表面被提供有用以接收該物件之周 邊部份的側邊區段之凹槽。 2 2 .如申請專利範圍第1 9項之物件處理系統,其 中每一第二支承構件具有一上表面,該上表面被提供有用 以接收該物件之周邊部份的下側區段之凹槽。 2 3 ·如申請專利範圍第1 9項之物件處理系統,其 中該第一支承構件與防傾構件之間形成一空間,且該物件 握持機構的第二支承構件垂直地移動通過該空間,以與該 載運機構移動至該處理槽上方之一運送位置。 2 4 ·如申請專利範圍第1 9項之物件處理系統,其 中該載運機構的第一支承構件包含了複數個支承構件,且 於相鄰之支承構件之間形成空間,用以供該第二支承構件 垂直地移動通過該空間,而與該載運機構移動至該處理槽 上方之一運送位置。 2 5 ·如申請專利範圍第1 9項之物件處理系統,其 中該載運機構的防傾構件可向下地移動以便自該物件的周 邊部份之側邊區..段分離。 2 6 . — 理7方法,包含了下列步驟: \八' * 經由該載運機構一支承構件,支承該物件的周邊 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I -裝· 434671 Α8 Β6 C8 D8 六、申請專利範圍 部份之下側區段,將防傾構件與該物件的周邊部份之側邊 區段結合,以防止該物件傾斜,且將該物件以該物件採取 一垂直位置的方式,由該載運機構載運至一處理槽上方的 運送位置; 舉起該物件握持機構的第二支承構件連同位於該處理 槽上方之運送位盧處的該載運機構而藉由第二支承構件支 承該物件於周邊部份之下側區段;. 將該載運機構的防傾構件,移動至該防傾構件不會干 擾到該晶圓或該第二支承構件的位置; 水平地將該載運機構自該處理槽的上方之運送位置分 離; 降低該物件握持機構的第二支承構件以便將該物件置 入該處理槽: 在該物件已被處理之後,舉起該物件握持機構的第二 支承構件而將該物件置於該處理槽上方的運送位置; 水平地移動該載運機構至處理槽上方的運送位置並且 該防傾構件被維持在該防傾構件不會干擾到該晶圓或該第 二支承構件的位置上: 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 降低該物件握持機構的第二支承構件,以將該物件自 該第二支承構件運送至該第一支承構件,因此,第一支承 構件支承該物件該周邊部份之下側區段處;及 將防傾構件嚙合該物件的周邊部份之側邊區段,且水 平地移動該載運機構以載運該物件離開該處理槽上方的運 送位置。 本紙張尺度適用中國國家標牟(CNS > Α4規格(2丨Ο X 297公釐) · 52 · 4 3^67 I as BS C8 D8 六、申請專利範圍 2 7 ·如申請專利範圍第2 6項之物件處理方法,其 中在該物件握持機構的第二支承構件降低以支承該被處理 的物件之前,該防傾構件移動至一位置,於該位置上,可 防止由第一支承構件支承在周邊部份之下側區段的物件之 傾斜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -53 -
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09099803A JP3128643B2 (ja) | 1997-04-02 | 1997-04-02 | 洗浄・乾燥処理装置 |
JP11878497A JP3336225B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 基板の処理システム及び処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW434671B true TW434671B (en) | 2001-05-16 |
Family
ID=26440909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087104721A TW434671B (en) | 1997-04-02 | 1998-03-30 | Cleaning and dry apparatus, wafer processing system and wafer processing method |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6068002A (zh) |
EP (2) | EP0869542B1 (zh) |
KR (1) | KR100395997B1 (zh) |
DE (2) | DE69842125D1 (zh) |
TW (1) | TW434671B (zh) |
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KR100395997B1 (ko) | 2003-12-01 |
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