KR20030048682A - 반도체 웨이퍼 가이드 및 이를 구비한 반도체 습식세정장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 가이드 및 이를 구비한 반도체 습식세정장치 Download PDF

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Abstract

반도체 웨이퍼 가이드 및 이를 구비한 반도체 웨이퍼 습식세정장치가 개시되어 있다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가이드는, 소정각격 서로 이격되고, 측부 고정홈이 상부 표면에 형성된 한쌍의 측부 지지대, 상기 측부 지지대 사이에 위치하고, 하나의 외부 접촉선이 내측부에 구비된 중앙부 고정홈이 상부 표면에 형성된 중앙부 지지대 및 상기 측부 지지대 및 중앙부 지지대 양측에 연결된 한쌍의 고정판을 구비하여 이루어지고, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 습식세정장치는 상기 반도체 웨이퍼 가이드를 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 웨이퍼 가이드의 중앙부 고정홈과 웨이퍼 사이의 접촉을 최소화함으로써 습식세정 후, 웨이퍼 상에 박막이 잔류하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 가이드 및 이를 구비한 반도체 습식세정장치{Wafer guide and wet etching apparatus having it}
본 발명은 반도체 웨이퍼 가이드 및 이를 구비한 반도체 웨이퍼 습식세정장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 웨이퍼와 중앙부 고정홈의 접촉을 최소화함으로써 웨이퍼 상에 박막이 잔류하는 것을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 가이드 및 이를 구비한 반도체 웨이퍼 습식세정장치에 관한 것이다.
통상, 반도체소자는 웨이퍼 상에 산화막, 질화막 및 금속막 등의 다수의 박막을 형성하게 되고, 상기 박막을 사진식각하여 소정형상의 패턴을 형성하게 된다.
그리고, 세정액애 저장된 배스(Bath) 내부에 박막이 형성된 복수의 웨이퍼를 수납한 웨이퍼 가이드를 투입하여 습식세정공정을 수행함으로써 웨이퍼 상의 박막을 제거하는 습식세정공정이 진행되고 있다.
이와 같은 상기 습식세정공정이 수행되는 웨이퍼는 웨이퍼 가이드에 수납되어 습식세정공정이 진행됨으로써 웨이퍼 가이드와 웨이퍼의 접촉면에 충분한 양의 세정액이 공급되어 잔류 박막이 형성되는 것을 억제하기 위한 노력이 진행되고 있다.
국내 1998년 공개실용신안공보 제 062317 호에는 별도의 동력원에 의해서 웨이퍼 가이드를 습식세정장치의 배스 내부에서 유동시킴으로써 웨이퍼 가이드와 웨이퍼 접촉면 사이에 충분한 양의 세정액이 침투되어 잔류 박막이 형성되는 것을 방지하는 기술이 개시되어 있다.
그러나, 상기 국내 1998년 공개실용신안공보 제 062317 호는 웨이퍼 가이드를 유동시키기 위한 별도의 동력원이 반드시 구비되어야 하는 문제점이 있다.
또한, 일본 특개평 11-288910에는 웨이퍼 지지구 본체에 하나 이상의 웨이퍼 지지홈을 형성하고, 상기 웨이퍼를 그 웨이퍼 지지홈에 배치하는 것에 의하여 1매 이상의 웨이퍼를 지지하도록 한 웨이퍼 지지구에 있어서, 해당 웨이퍼 지지홈의 개구측의 1단째 V홈의 개구 각도를 크게하고, 바닥부측의 2단째 V홈의 개구 각도를 작게하여 세정효율을 향상시키는 기술이 개시되어 있다.
그리고, 세정액 배스 내에 설치되는 종래의 반도체 웨이퍼 가이드(2)는, 도1에 도시된 바와 같이 소정간격 이격된 한쌍의 측부 지지대(10a, 10b)와 상기 한쌍의 측부 지지대(10a, 10b) 사이의 중앙부 지지대(12)가 한쌍의 고정판(14a, 14b)에 의해서 고정되어 있다.
또한, 상기 각 측부 지지대(10a, 10b) 상부 표면에는 수납된 웨이퍼(18)가외부로 이탈되는 것을 방지하는 V형 홈으로 이루어지는 복수의 측부 고정홈(11a, 11b)이 형성되어 있고, 상기 중앙 지지대(12) 상부 표면에는 수납된 웨이퍼(18)를 고정하도록 내측 접촉면이 구비된 Y형 홈으로 이루어지는 복수의 중앙부 고정홈(13)이 형성되어 있다.
이때, 상기 측부 지지대(10a, 10b)의 측부 고정홈(11a, 11b)은 웨이퍼(18) 상의 박막과 접촉하지 않으며 웨이퍼(18)의 지지 및 이탈방지의 기능을 수행하고, 상기 중앙부 지지대(12)의 중앙부 고정홈(13)은 웨이퍼(18) 상의 박막과 접촉하며 웨이퍼(18)의 고정 기능을 수행한다.
따라서, 배스(Bath) 내부에 도1에 도시된 웨이퍼 가이드(2)를 설치한 후, 소정의 세정액을 배스 내부에 공급한다.
그리고, 상기 배스의 웨이퍼 가이드(2)에 일련의 반도체 제조공정의 수행에 의해서 박막이 형성된 웨이퍼(18)를 웨이퍼 가이드(2)의 측부 지지대(10a, 10b) 및 중앙부 지지대(12) 상부 표면에 형성된 측부 고정홈(11a, 11b) 및 중앙부 고정홈(13)에 수납 고정시켜 세정공정을 진행한다.
이때, 상기 웨이퍼(18) 상에 형성된 박막과 배스 내부의 세정액은 화학적 반응을 함으로써 웨이퍼(18) 상에 형성된 박막은 식각 제거된다.
마지막으로, 상기 웨이퍼 가이드(2)를 배스 외부로 방출시킴으로써 웨이퍼(18)에 대한 세정공정을 종료한다.
그런데, 종래의 웨이퍼 가이드(2)의 측부 지지대(10a, 10b)의 측부 고정홈(11a, 11b)과 웨이퍼(18)는 도2a에 도시된 바와 같이 서로 접촉하지 않음으로써 세정액과 웨이퍼(18) 상의 박막이 충분히 접촉하여 측부 고정홈(11a, 11b)에 수납된 웨이퍼(18) 상의 박막이 완전히 제거된다.
그러나, 중앙부 지지대(12)의 중앙부 고정홈(13)에 삽입된 웨이퍼(18)는 도2b에 도시된 바와 같이 서로 접촉함으로써 충분한 양의 세정액이 중앙부 고정홈(13)과 웨이퍼(18) 사이의 접촉면으로 공급되지 못함으로써 웨이퍼(18) 상에 박막이 잔류하는 문제점이 있었다.
상기 중앙부 고정홈(13)에 박막이 잔류하는 이유를 보다 상세히 살펴보면, 도3a에 도시된 바와 같이 박막(19)이 형성된 웨이퍼(18)를 세정액이 담긴 배스에 내설된 웨이퍼 가이드(2)의 중앙부 지지대(12)의 중앙부 고정홈(13)에 삽입 고정하면, 도3b에 도시되 바와 같이 1차적으로 중앙부 고정홈(13)과 비접촉하는 웨이퍼(18)의 박막(19)은 식각액과 반응하여 제거된다.
그리고, 2차적으로 중앙부 고정홈(13)과 접촉하는 웨이퍼(18) 상의 박막(19)의 측부가 세정액의 등방성 식각특성에 의해서 등방성 식각 제거되나, 중앙부 고정홈(13)과 접촉하는 웨이퍼(18) 상의 박막(19)의 중앙부는 세정액에 의해서 제거되지 못하고 잔류하게 된다.
본 발명의 목적은, 웨이퍼 가이드의 중앙부 고정홈에 삽입된 웨이퍼 상의 박막과 중앙부 고정홈의 면접촉에 의해서 세정액을 이용한 습식세정공정후, 웨이퍼 상에 박막이 잔류하는 것을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 가이드 및 이를 구비한 반도체 웨이퍼 습식세정장치를 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체 웨이퍼 가이드의 사시도이다.
도2a는 도1에 도시된 측부 지지대의 횡단면도이고, 도2b는 도1에 도시된 중앙부 지지대의 횡단면도이다.
도3a 내지 도3c는 종래의 반도체 웨이퍼 가이드의 문제점을 설명하기 위한 도면들이다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가이드의 사시도이다.
도5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가이드의 사시도이다.
도6은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가이드를 구비한 습식세정장치의 구성도이다.
도7a 내지 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가이드의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도8a 내지 8c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가이드의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
2, 4, 6 : 반도체 웨이퍼 가이드 10, 30, 40 : 측부 지지대
11, 31, 41 : 측부 고정홈 12, 32, 42 : 중앙부 지지대
13, 33, 43 : 중앙부 고정홈 14, 34, 44 : 고정판
16, 36, 46 : 걸림돌기 18, 38, 48 : 웨이퍼
50 : 내부배스 52 : 외부배스
54 : 순환라인 56 : 펌프
58 : 필터 60 : 배기라인
62 : 밸브
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가이드는, 소정각격 서로 이격되고, 측부 고정홈이 상부 표면에 형성된 한쌍의 측부 지지대; 상기 측부 지지대 사이에 위치하고, 하나의 외부 접촉선이 내측부에 구비된 중앙부 고정홈이 상부 표면에 형성된 중앙부 지지대; 및 상기 측부 지지대 및 중앙부 지지대 양측에 연결된 한쌍의 고정판;을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 중앙부 고정홈의 내측부는 라운딩(Rouding)되어 상기 외부 접촉선을 형성할 수 있고, 상기 중앙부 고정홈의 내측부는 측부의 중앙에서 외측으로 경사커팅되어 상기 외부 접촉선을 형성할 수 있다.
그리고, 상기 중앙부 고정홈의 상단부는 상기 중앙부 고정홈 방향으로 20°내지 45°경사커팅될 수 있다.
또한, 상기 측부 고정홈은 V형상의 홈으로 이루어질 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 다른 반도체 웨이퍼 가이드는, 소정각격 서로 이격되고, 하나의 외부 접촉선이 내측부에 구비된 고정홈이 상부 표면에 형성된 복수의 지지대 및 상기 복수의 지지대 양측에 연결된 한쌍의 고정판을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 습식세정장치는, 소정각격 서로 이격되고, 측부 고정홈이 상부 표면에 형성된 한쌍의 측부 지지대와 상기 측부 지지대 사이에 위치하고, 하나의 외부 접촉선이 내측부에 구비된 중앙부 고정홈이 상부 표면에 형성된 중앙부 지지대 및 상기 측부 지지대 및 중앙부 지지대 양측에 연결된 한쌍의 고정판을 구비하는 웨이퍼 가이드가 설치된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가이드를 설명하기 위한 사시도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가이드(4)는, 도4에 도시된 바와 같이 소정간격 이격된 한쌍의 측부 지지대(30a, 30b)와 상기 한쌍의 측부 지지대(30a, 30b) 사이의 중앙부 지지대(32)가 한쌍의 고정판(34a, 34b)에 의해서 고정되어 있다.
또한, 상기 각 측부 지지대(30a, 30b) 상부 표면에는 수납된 웨이퍼(38)가 외부로 이탈되는 것을 방지하는 V형 홈으로 이루어지는 복수의 측부 고정홈(31a, 31b)이 종래와 동일하게 형성되어 있고, 상기 중앙 지지대(32) 상부 표면에는 수납된 웨이퍼(38)와의 접촉이 최소화되도록 즉, 하나의 외부 접촉선이 내측부에 구비되도록 내측부가 라운딩(Rounding)된 Y형 홈으로 이루어지는 복수의 중앙부 고정홈(33)이 형성되어 있다.
이때, 상기 측부 지지대(30a, 30b)의 측부 고정홈(31a, 31b)은 웨이퍼(38) 상의 박막과 접촉하지 않으며 웨이퍼(38)의 지지 및 이탈방지의 기능을 수행하고, 상기 중앙부 지지대(32)의 중앙부 고정홈(33)은 웨이퍼(38) 상의 박막과 하나의 외부 접촉선에 의해서 최소로 접촉하며 웨이퍼(38)의 고정 기능을 수행한다.
그리고, 상기 중앙부 고정홈(33)의 상단부는 중앙부 고정홈(33) 방향으로 20° 내지 45°경사커팅되어 중앙부 고정홈(33)에 수납되는 웨이퍼(38)가 경사면을 따라 용이하게 중앙부 고정홈(33)에 수납될 수 있도록 되어 있다.
또한, 상기 고정판(34a, 34b) 상단부 외부로 돌출턱(36a, 36b)이 구비되어 습식세정장치의 배스에 고정할 수 있도록 되어 있고, 상기 반도체 웨이퍼 가이드(4)는 석영(Quartz) 또는 테플론(Teflon) 재질로 형성되어 있다.
도5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가이드를 설명하기 위한 사시도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가이드(6)는, 도5에 도시된 바와 같이 소정간격 이격된 한쌍의 측부 지지대(40a, 40b)와 상기 한쌍의 측부 지지대(40a, 40b) 사이의 중앙부 지지대(42)가 한쌍의 고정판(44a, 44b)에 의해서 고정되어 있다.
또한, 상기 각 측부 지지대(40a, 40b) 상부 표면에는 수납된 웨이퍼(48)가 외부로 이탈되는 것을 방지하는 V형 홈으로 이루어지는 복수의 측부 고정홈(41a, 41b)이 종래와 동일하게 형성되어 있고, 상기 중앙 지지대(42) 상부 표면에는 수납된 웨이퍼(48)와의 접촉이 최소화되도록 즉, 하나의 외부 접촉선이 내측부에 구비되도록 내측부는 측부의 중앙에서 외측으로 경사커팅된 Y형 홈으로 이루어지는 복수의 중앙부 고정홈(43)이 형성되어 있다.
이때, 상기 측부 지지대(40a, 40b)의 측부 고정홈(41a, 41b)은 웨이퍼(48) 상의 박막과 접촉하지 않으며 웨이퍼(48)의 지지 및 이탈방지의 기능을 수행하고, 상기 중앙부 지지대(42)의 중앙부 고정홈(43)은 웨이퍼(48) 상의 박막과 하나의 접촉선에 의해서 최소로 접촉하며 웨이퍼(48)의 고정 기능을 수행한다.
그리고, 상기 중앙부 고정홈(43)의 상단부는 중앙부 고정홈(43) 방향으로 20° 내지 45°경사커팅되어 중앙부 고정홈(43)에 수납되는 웨이퍼(48)가 경사면을 따라 용이하게 중앙부 고정홈(43)에 수납될 수 있도록 되어 있다.
또한, 상기 고정판(44a, 44b) 상단부 외부로 돌출턱(46a, 46b)이 구비되어 습식세정장치의 배스에 고정할 수 있도록 되어 있고, 상기 반도체 웨이퍼 가이드(6)는 석영(Quartz) 또는 테플론(Teflon) 재질로 형성되어 있다.
도6은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가이드를 구비한 습식세정장치의 구성도이다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가이드(4, 6)는 도6에 도시된 바와 같이 복수의 웨이퍼를 수납하여 일정량의 세정액이 담긴 내부배스(50) 내부에 설치된다.
이때, 상기 반도체 웨이퍼 가이드(4, 6)는 걸림턱(36, 46)이 내부배스(50) 상에 거취됨으로써 내부배스(50) 내부에 설치된다.
그리고, 상기 내부배스(50) 외측에 외부배스(52)가 구비되어 내부배스(50)로부터 오버플로우(Overflow)된 세정액을 저장할 수 있도록 되어 있고, 상기 외부배스(52)의 저면부와 내부배스(50)의 저면부가 펌프(56) 및 필터(58)가 설치된 순환라인(54)에 의해서 서로 연결되어 있다.
또한, 상기 펌프(56)와 필터(58) 사이의 순환라인(54)에서 밸브(62)가 설치된 배기라인(60)이 분기 형성되어 있다.
따라서, 복수의 웨이퍼를 수납한 본 발명에 따른 웨이퍼 가이드(4, 6)가 내설된 내부배스(50)의 세정액은 순환라인(54) 상에 설치된 펌프(56)의 펌핑에 의해서 외부배스(52)로 오버플로우된다.
그리고, 상기 외부배스(52)로 오버플로우된 세정액은 다시 순환라인(54) 상에 설치된 펌프(56)의 펌핑에 의해서 필터(58)를 통과하며 필터링되어 다시 내부배스(50)로 순환 공급된다.
또한, 세정공정 과정에 내부배스(50) 내부의 세정액의 특성이 열화되면, 배기라인(60) 상에 설치된 밸브(62)를 개방함으로써 내부배스(50) 및 외부배스(52) 내부에 담긴 세정액을 외부로 방출시키고 새로운 세정액을 내부배스(50)에 공급한다.
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가이드(4)의 중앙부 고정홈(33)은 도7a에 도시된 바와 같이 내측면의 라운딩에 의해서 중앙부 고정홈(33)의 하나의 외부 접촉선과 수납된 웨이퍼(38) 상의 박막(39)이 최소로 접촉하게 된다.
따라서, 도7b에 도시되 바와 같이 1차적으로 중앙부 고정홈(33)과 비접촉하는 웨이퍼(38)의 박막(39)은 내부배스(50)의 식각액과 반응하여 제거된다.
그리고, 도7c에 도시된 바와 같이 2차적으로 중앙부 고정홈(33)과 접촉하는 웨이퍼(38) 상의 박막(39)은 세정액의 등방성 식각특성에 의해서 등방성 식각 제거됨으로써 웨이퍼(38) 상의 박막(39)은 완전히 제거된다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 가이드(6)의 중앙부 고정홈(43)은 도8a에 도시된 바와 같이 내측면이 중앙에서 외측으로 경사커팅되어 있어서 중앙부 고정홈(43)의 하나의 외부 접촉선과 수납된 웨이퍼(48) 상의 박막(49)이 최소로 접촉하게 된다.
따라서, 도8b에 도시되 바와 같이 1차적으로 중앙부 고정홈(43)과 비접촉하는 웨이퍼(48) 상의 박막(49)은 식각액과 반응하여 제거된다.
그리고, 도8c에 도시된 바와 같이 2차적으로 중앙부 고정홈(43)과 접촉하는 웨이퍼(48) 상의 박막(49)은 세정액의 등방성 식각특성에 의해서 등방성 식각 제거됨으로써 웨이퍼(48) 상의 박막(49)은 완전히 제거된다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 가이드의 중앙부 지지대의 중앙부 고정홈과 웨이퍼 사이의 접촉이 최소화되도록 중앙부 고정홈 내측부를 라운딩하거나 중앙에서 외측으로 경사커팅함으로써 습식세정 후, 웨이퍼 상에 박막이 잔류하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (14)

  1. 소정각격 서로 이격되고, 측부 고정홈이 상부 표면에 형성된 한쌍의 측부 지지대;
    상기 측부 지지대 사이에 위치하고, 하나의 외부 접촉선이 내측부에 구비된 중앙부 고정홈이 상부 표면에 형성된 중앙부 지지대; 및
    상기 측부 지지대 및 중앙부 지지대 양측에 연결된 한쌍의 고정판;
    을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 중앙부 고정홈의 내측부는 라운딩(Rouding)되어 상기 외부 접촉선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 중앙부 고정홈의 내측부는 측부의 중앙에서 외측으로 경사커팅되어 상기 외부 접촉선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 중앙부 고정홈의 상단부는 상기 중앙부 고정홈 방향으로 소정각도 경사커팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 중앙부 고정홈의 상단부는 상기 고정홈 방향으로 20°내지 45°경사커팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 측부 고정홈은 V형 홈으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 고정판 상단부에 외부로 돌출된 걸림턱이 더 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 가이드는 석영(Quartz) 또는 테플론(Teflon) 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  9. 소정각격 서로 이격되고, 하나의 외부 접촉선이 내측부에 구비된 고정홈이 상부 표면에 형성된 복수의 지지대; 및
    상기 복수의 지지대 양측에 연결된 한쌍의 고정판;
    을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 고정홈의 내측부는 라운딩(Rouding)되어 상기 외부 접촉선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 고정홈의 내측부는 측부의 중앙에서 외측으로 경사커팅되어 상기 외부 접촉선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 중앙부 고정홈의 상단부는 상기 중앙부 고정홈 방향으로 소정각도 경사커팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 중앙부 고정홈의 상단부는 상기 고정홈 방향으로 20°내지 45°경사커팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가이드.
  14. 소정각격 서로 이격되고, 측부 고정홈이 상부 표면에 형성된 한쌍의 측부 지지대와 상기 측부 지지대 사이에 위치하고, 하나의 외부 접촉선이 내측부에 구비된 중앙부 고정홈이 상부 표면에 형성된 중앙부 지지대 및 상기 측부 지지대 및 중앙부 지지대 양측에 연결된 한쌍의 고정판을 구비하는 웨이퍼 가이드가 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 습식세정장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100487541B1 (ko) * 2002-09-06 2005-05-03 삼성전자주식회사 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드들
KR100781723B1 (ko) * 2006-07-31 2007-12-03 에이펫(주) 웨이퍼용 캐리어
KR100888046B1 (ko) * 2007-08-31 2009-03-10 세메스 주식회사 웨이퍼 세정 장치
KR100933593B1 (ko) * 2007-12-15 2009-12-23 주식회사 동부하이텍 습식세정장치의 웨이퍼 지지구조
WO2012165853A2 (en) * 2011-06-02 2012-12-06 Lg Innotek Co., Ltd. Etching treatment apparatus

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100631928B1 (ko) * 2005-12-02 2006-10-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정장치에서의 웨이퍼 가이드
KR100921521B1 (ko) * 2007-10-12 2009-10-12 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 장치
CN103157640A (zh) * 2011-12-09 2013-06-19 龙焱能源科技（杭州）有限公司 一种玻璃清洗花篮
JP6169399B2 (ja) * 2013-04-16 2017-07-26 京セラ株式会社 耐食膜形成方法
CN103325720A (zh) * 2013-05-31 2013-09-25 中利腾晖光伏科技有限公司 一种新型扩散用石英舟
JP6501102B2 (ja) * 2014-11-07 2019-04-17 日本電気硝子株式会社 ガラス板収容治具
TWI569351B (zh) * 2015-04-30 2017-02-01 環球晶圓股份有限公司 晶圓旋轉裝置
CN106862215B (zh) * 2017-02-22 2020-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种利用漂洗机漂洗显示面板的方法
CN110544654B (zh) * 2019-08-27 2022-04-15 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种硅片处理装置和处理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980005422U (ko) * 1996-06-04 1998-03-30 엘지반도체주식회사 반도체 웨이퍼 캐리어
KR19980066881U (ko) * 1997-05-20 1998-12-05 문정환 웨이퍼가이드(wafer guide)
US5960960A (en) * 1996-10-15 1999-10-05 Nec Corporation Wafer carrier
KR20000020923A (ko) * 1998-09-24 2000-04-15 김덕중 웨이퍼 로딩용 보트
JP2000133699A (ja) * 1998-10-26 2000-05-12 Nec Kyushu Ltd ウェハキャリア

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4566839A (en) * 1983-05-18 1986-01-28 Microglass, Inc. Semiconductor wafer diffusion boat and method
US4653636A (en) * 1985-05-14 1987-03-31 Microglass, Inc. Wafer carrier and method
US4872554A (en) * 1987-07-02 1989-10-10 Fluoroware, Inc. Reinforced carrier with embedded rigid insert
US5429251A (en) * 1993-09-22 1995-07-04 Legacy Systems, Inc. Semiconductor wafer end effector
US5534074A (en) * 1995-05-17 1996-07-09 Heraeus Amersil, Inc. Vertical boat for holding semiconductor wafers
JPH09306980A (ja) * 1996-05-17 1997-11-28 Asahi Glass Co Ltd 縦型ウエハボート
US6041938A (en) * 1996-08-29 2000-03-28 Scp Global Technologies Compliant process cassette
US6068002A (en) * 1997-04-02 2000-05-30 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus, wafer processing system and wafer processing method
FR2775675B1 (fr) * 1998-03-09 2000-06-09 Soitec Silicon On Insulator Support de plaquettes pour la micro-electronique et procede d'utilisation de ce support
JP3698403B2 (ja) * 2000-02-28 2005-09-21 東京エレクトロン株式会社 回転式液処理装置
US6871657B2 (en) * 2001-04-06 2005-03-29 Akrion, Llc Low profile wafer carrier
US6845779B2 (en) * 2001-11-13 2005-01-25 Fsi International, Inc. Edge gripping device for handling a set of semiconductor wafers in an immersion processing system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980005422U (ko) * 1996-06-04 1998-03-30 엘지반도체주식회사 반도체 웨이퍼 캐리어
US5960960A (en) * 1996-10-15 1999-10-05 Nec Corporation Wafer carrier
KR19980066881U (ko) * 1997-05-20 1998-12-05 문정환 웨이퍼가이드(wafer guide)
KR20000020923A (ko) * 1998-09-24 2000-04-15 김덕중 웨이퍼 로딩용 보트
JP2000133699A (ja) * 1998-10-26 2000-05-12 Nec Kyushu Ltd ウェハキャリア

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100487541B1 (ko) * 2002-09-06 2005-05-03 삼성전자주식회사 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드들
KR100781723B1 (ko) * 2006-07-31 2007-12-03 에이펫(주) 웨이퍼용 캐리어
KR100888046B1 (ko) * 2007-08-31 2009-03-10 세메스 주식회사 웨이퍼 세정 장치
KR100933593B1 (ko) * 2007-12-15 2009-12-23 주식회사 동부하이텍 습식세정장치의 웨이퍼 지지구조
WO2012165853A2 (en) * 2011-06-02 2012-12-06 Lg Innotek Co., Ltd. Etching treatment apparatus
WO2012165853A3 (en) * 2011-06-02 2013-03-28 Lg Innotek Co., Ltd. Etching treatment apparatus

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