TW418424B - High voltage shield - Google Patents

High voltage shield Download PDF

Info

Publication number
TW418424B
TW418424B TW088110860A TW88110860A TW418424B TW 418424 B TW418424 B TW 418424B TW 088110860 A TW088110860 A TW 088110860A TW 88110860 A TW88110860 A TW 88110860A TW 418424 B TW418424 B TW 418424B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
integrated circuit
ring
semiconductor
conductive
item
Prior art date
Application number
TW088110860A
Other languages
English (en)
Inventor
Richard Goldman
David Miles
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Application granted granted Critical
Publication of TW418424B publication Critical patent/TW418424B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/585—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Cable Accessories (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Insulated Conductors (AREA)

Description

㈣處之4 五、 發明說明（1) 發 明 之 技術範圍 本 發 明關於積 體 電 路 ， 特 別 關 於 — 電 路 具 有 保 護 環供保 護 積 體 電路之精 密 零 件 不 受 積 體 電 路 其 他 零 件 之 影 響，該 等 零 件 可能對精 密 有 不 良 影 響 0 本 發 明 特 別 關 於 一高壓 (HV) 保 護環以保 護 敏 感 低 壓 區 不 受 同 一 積 體 電 路 1¾ 壓區之 影 響 0 背 景 當 積 體電路以 高 壓 操 作 9 其 壓 可 感 應 高 能 粒 子 在積體 路 之 表面漂移 〇 此 等 粒 子 可 負 面 影 響 某 型 式 df?· 路，特 別 是 低 電壓CMOS 電 路 其 在 同 *— 積 體 電 β- 上 〇 傳 統 之敏感電 路 之 屏 蔽 方 法 為 設 置 金 屬 或 矽 保 護 環在敏 感 區 之 四周。但 此 _ _ 方 法 無 法 經 常 防 止 高 能 粒 子 在矽表 面 之 漂 移，因為 保 護 環 位 於 隔 離 鈍 化 之 頂 層 之 下 0 本發 明之目的 為 供 .—— 改 進 之 方 法 以 屏 蔽 高 能 粒 子 ，因而 防 止 其 干擾敏感 電 路 0 本發 明 之概述 根 據 本發明， 備 有 一 保 護 環 以 將 積 體 電 路 之 第 一區與 積 體 電 路之第二 加 以 屏 蔽 3 積 體 電 路 至 少 具 有 W _ 氧化物 隔 層 一半導體 層 及 一 鈍 Λ 化 層 J 其 中 之 保 護 環 包 含 ;一導 電 保 護 環，其部 分 通 過 積 體 電 路 之 鈍 化 層 而 暴 路 * — -半導 體 保 護 環，其與.半 導 體 層 中 之 其 他 半 導 體 以 至 少 二 溝道環 隔 離 3 該環位於 半 導 體 保 護 環 之 每 一 側 ;及複數個導電元 件 將 導 電保護環 與 半 導 體 保 護 環 以 空 間 相 隔 方 式 成 電連 接 > 導 電保護壤 ， 半 導 體 保 護 環 及 導 電 元 件 均 連 接 至接地
第6頁 f A 2 --, 五、發明說明（2) 源。 ' . 根據本發明另一特性，備有一具有保護環之積體電路以 保護積體電路之第一區自第二區分隔，積體電路具有至少 一氧化物隔離層，一半導體層及一鈍化層，其中之保護環 包含；一導電保護環，其部分通過積體電路中之鈍化層而 暴露；一半導體保護環，其由至少二溝道環將其與半導體 層中其他半導體隔離，該環位於半導體保護環之每一側； 及，複數個導電元件供將導電保護環與半導體保護環以空 間相隔方式成電連接，導電保護環，半導體保讓環及導電“ 元件均連接至接地源。 ^ 根據本發明又一特性，備有一方法以保護積體電路之第 一區不受積體電路第二區之影響，其中之積體電路包含至 少一氧化，物隔離層，一半導體層及純化層，此方法包含步 驟；在積體電路第一區之四周提供一保護環，其中之保護 環包含；一半導體保護環供將在積體電路之第一區之半導 體層與積體電路中之第二區之其他半導體予以隔離；及一 導電保護環以便吸收自第二區發出之有害效應，及將其導 入接地。 圖式簡略說明 、 為更佳了解本發明，及顯示其如何實施，參考以下伴隨 之圖式，其中；. 圖1顯示本發明較佳實施例之積體電路； 圖2顯示本發明較佳實施例之保護環之詳細說明； 圖3顯示本發明較佳實施例之保護環之剖面圖；
第7頁 ί 418424 五、發明說明（3) --------- 圖4顯不本發明較佳實施例之保護環之平面圖。 詳細敘述 圖1為積體電路（，其具有一敏感低壓區2及高壓區3 感低壓區2與高壓^ 蚁 壓區2包圍以保護環 以屏蔽，該保護環將低 等ίΪ用中之連接墊(此 預篮電路連接在印^刷-電-路~板上）。 f I顯:本發明較佳實施例之高壓保護環之部分詳圖。 1二ί ί，3 一金屬保護環6,其一部分通過積，體電路1上 ^ m 之開口7而暴露。在金屬保護r環6下面，備有一 隔^ Ϊ環以形⑨一石夕*護環8 °此石夕保護環由：冑道環9a ，9b與其他矽（即高壓及低壓矽）隔離，該溝道環最好安 士使發保護環8較金屬#護環為寬。金屬保護 > ^由導電元件10(圖中僅顯示一元件)成空間分隔電：護 接二導電70件10亦連接至低阻抗電壓源或至地，意即金 保護裱6及矽保護環8亦連接至低阻抗電壓源或至地。此— 連接係經由金屬連接（未示出）至一連接墊（未示出），因 該塾連接至地或印刷電路板上之低阻抗電壓源。 位於積體電路1之周璋為另一溝道u(通常在絕緣體“ 發現之矽）及劃線金屬12 ^此等特性對本發明並非重要。上 圖3為一剖面圖取自與保護之長度成垂直，並顯示本 明較佳實施例之保護環之詳細圖。如上所述，直由—金^ 保護環6組成，該保護環通過鈍化層13中一間隙而暴露离 積體電路1之表面。在金屬保護環6之下面為矽保護環δ。 418424 五、發明說明（4) 自矽之高壓區及低壓區'1.4及1 5由矽氧化物溝道1 6予以隔 離。每一矽氧化物溝道1 6自下面層2丨（通常由矽玻璃制 及使表面平面化及隔離金屬之不同層）向下延伸至氧化物 :離層17。換言之溝道自外延層或矽向下延伸至氧化 離層17 ’在隔離層17之下為積體電路}之積體2〇。隔離 之區域形成矽保護環8。 7 金屬保護環6及矽保護環8以空間隔開方式成電連接。 一連接器含一金屬連接板18，其與矽保護環8成接觸。 屬連接板1 8由通道1 9連接至金屬保護環6 ^保策環包括 數個此等連接器，其由金屬連接板18及趟路19組成，最 好，在金屬及矽保護環6及8之長度上空間分開約1〇〇私^。 連接在一起之金屬保護環6及矽保護環8亦連接至低阻 壓源或地.。 % 積體電路1之區域3之高壓之存在可能造成高能粒子跨裝 置之表面漂移□保護環存在之意義為如此等粒子向積體 路之低壓區移動時，其將遭遇通過鈍化層13暴露之金屬區 故被此金屬區吸收，其電荷被導向地。以此方式，電荷被 阻止向低壓區移動，在該處可能造成擊穿問題，或影響 MOS之性能。此隔離矽傷護環8亦可協助將高壓區及低壓區 隔離。 圖4為屏蔽之平面圖，顯示矽保護環之細節及較佳之尺 寸三金，保濩環6最好約為8以m寬，約3 # m通過鈍化層丄3 暴露。氧化物溝道1 6如此安排可使矽保護環為較金屬保護 環6寬4 #ιη。
I _ --------- ----^__· 五：發明說明（5) 在4b ΕΆΙ接點2 2 (最好約1.，2: y m X1. 2 # m )為；ε夕保護環8 (外延 層）及金屬連接板18(最妤為3.6#]〇叉7,2从!11)間之連接器。 通道19(最好约為1.6 #mX1.6 #m)為金屬連接板18與金屬 保護環6間之連接器。在金屬連接板18之下面為一源—沒 (51))11+擴散區24(最好約為2‘8#111}(2.8#111)，此區可使與 矽保護環8 (外延層）成低阻抗連接，其僅為輕摻雜（n_ )。 總之，石夕保護環8由EP I接點2 2連接至金屬連接板丨8。金屬 連接板18再由通路19連接至金屬保護環6。金屬保護環6由 一金屬連接器（未示出）連接至—連接墊（未示出），其連接‘ 至低阻抗電壓源或地。 , ^ 僅管圖中顯示之實施例使用一環形屏蔽，但其可包含任 何形狀包圍積體電路之敏感區。 所述之屏蔽之結構需要溝道隔離s〇I(在絕緣體上之矽） 程序。 最後」僅官保護環已被說明由"矽„及,，金屬,，形成保護 環’彼等可破其他等值品代替，及被選之半導體材料供矽 保護環，及被選之導體如多矽供金屬保護環之用。
第10頁

Claims (1)

  1. illII Μ 六、申請專利範圍 1. 一種保護 之第一區加以 一半導體層及二鈍 導電保護環 露； 一半 其他半 複數 分隔之 元件均連接至一接 導體保護環 導體隔離， 個導電元件 區間成電連 2.如 一區包 3 ·如 約為8 4. 如 護環之 5. 如 保護環 6. 如 間分開 7 ·如石夕。 8.如 環由金 申請專利範 含低壓電路 申，請專利範 从m寬，約3 申請專利範 寬度約為1 2 申請專利範 之溝道之寬 申請專利範 約 1 0 0 # m。 申請專利範 自一積體電路上之第二區將積體電路上 ，該積體電路具有至少一氧化隔離層， 化層，其中之保護環包含； 其一部分通過積體電路中之純化層暴 ，其由至少二溝道環而與半導體層中之 溝道環位於半導體保護環之每側；及 供將導電保護環與半導體保護環在空間 接，導電保護環，半導體保讓環及導電 地源。. / 圍第1項之保護環，其中積體電路之第 ，及第二區含高壓電路。 圍第1或2項之保護環，其中導電保護環 /ΖΠ1通過純化層暴露。 圍第1或2項之保護環 β m。 圍第1或2項之保護環 度約為1 /z m。 圍第.1或2項之保護環 其中之半導體保 其中隔離半導體 其中導電元件空 圍第1或2項之保護環，其中之半導體為 申請專利範圍第1或2項之保護環，其中之導電保護 屬製成。
    O:\59\59211PTD 第11頁 A\a 在 六、申請專利範圍 9. 種積體電有,一保護環以保護積體電路之第一區 不受第二區之影.積體電路具有至少一氧化物隔離層， —半導體層，及化層，其中之保護環包含： 一導電保護環，其一部分通過積體電路中一她化層暴 露； 一半導體保護環，其與半導體層中之其他半導體由至少 二溝道環所隔離，每一溝道環位於半導體保護環之每一 側；及 複數個導電元件供將導電保護環與半導體保護環在分隔 區間方式成電連接，導電保護環，半導，體保護環及導電元 件均連接至一接地源。 1 0.如申請專利範圍第9項之積體電路，其中積體電路之 第一區含低壓電路，及第二區含高壓電路。 11. 如申請專利範圍第9項或1 0項之積體電路，其中導電 保護環約為寬，其約3/zm通過鈍化層暴露。 12. 如申請專利範圍第9或10項之積體電路，其中半導體 保護環之寬度約為1 2 // m。 1 3.如申請專利範圍第9或1 0項之積體電路，.其中之隔離 半導體保護環之溝道約、為1 in寬。 1 4.如申請專利範圍第9或1 0項之積體電路，其中導電元 件以約1· 0 0 /z m空.間分隔。 1 5.如申請專利範圍第9或1 0項之積體電路，其中之半導 體為矽。 1 6.如申請專利範圍第9或1 0項之積體電路，其中之導電
    O:\59\59212.PTD 第12頁 418424 六、申請專利範圍 保護環由金成。' . 1 7.—種穷保護積體電路之第一區不受積體電路之 第二區之影其中積體電路含至少一氧化物隔離層，一 半導體層及化層，此方法包含提供一保護環於積體電 路之第一區之四周，其中之保護環包含： 一半導體保護環供將積體電路之第一區中之半導體層與 積體電路之第二區中之其餘半導體隔離；及 一導電保護環供吸引自第二區發出之不良效應，並將其 導向地。 , 18.如申請專利範圍第17項之方法，♦中積體電路第一 區包含低壓電路，及第二區包含高壓電路。 1 9.如申請專利範圍第1 7或1 8項之方法，其中導電保護 環約為寬，其3/zm通過鈍化層暴露。 2 0.如申請專利範圍第1 7或1 8項之方法，其中之矽保護 環約為1 2 /z m寬。 2 1.如申請專利範圍第1 7或1 8項之方法，其中隔離矽保 護環之溝道約為1 /z m寬。 2 2.如申請專利範圍第1 7或1 8項之方法，其中之導電元 件約以1 0 0 /z m空間隔開、。 2 3.如申請專利範圍第1 7或1 8項之方法，其中之半導體 為矽。 . ' 2 4,如申請專利範圍第1 7或1 8項之方法，其中之導電保 護環為金屬製成。
    0:\59\59212.PTD 第13頁
TW088110860A 1998-09-03 1999-06-28 High voltage shield TW418424B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9819248A GB2341272B (en) 1998-09-03 1998-09-03 High voltage shield

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW418424B true TW418424B (en) 2001-01-11

Family

ID=10838308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088110860A TW418424B (en) 1998-09-03 1999-06-28 High voltage shield

Country Status (12)

Country Link
US (2) US6384463B1 (zh)
EP (1) EP1114459B1 (zh)
JP (1) JP4695261B2 (zh)
KR (1) KR100649808B1 (zh)
CN (1) CN1197154C (zh)
AT (1) ATE505814T1 (zh)
AU (1) AU5373099A (zh)
CA (1) CA2342904A1 (zh)
DE (1) DE69943351D1 (zh)
GB (1) GB2341272B (zh)
TW (1) TW418424B (zh)
WO (1) WO2000014801A1 (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2187397A (en) * 1996-03-22 1997-10-10 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Semiconductor device shielded by an array of electrically conducting pins and a method to manufacture such a device
CN1230046C (zh) 1999-10-01 2005-11-30 精工爱普生株式会社 布线基板、半导体装置及其制造、检测和安装方法
JP4424830B2 (ja) * 2000-06-30 2010-03-03 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置
SE522123C2 (sv) * 2001-04-10 2004-01-13 Volvo Lastvagnar Ab Metod för rekonditionering av ett friktionspar i en färdbroms samt fordon innefattande en anordning för rekonditionering av ett friktionspar i en färdbroms anordnad i nämnda fordon
US6552597B1 (en) * 2001-11-02 2003-04-22 Power Integrations, Inc. Integrated circuit with closely coupled high voltage output and offline transistor pair
JP3813562B2 (ja) 2002-03-15 2006-08-23 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4519411B2 (ja) * 2003-04-01 2010-08-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP4619705B2 (ja) * 2004-01-15 2011-01-26 株式会社東芝 半導体装置
US7541652B1 (en) * 2004-05-05 2009-06-02 Xilinx, Inc. Substrate coupled noise isolation for integrated circuits
US8624346B2 (en) * 2005-10-11 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Exclusion zone for stress-sensitive circuit design
US7608913B2 (en) * 2006-02-23 2009-10-27 Freescale Semiconductor, Inc. Noise isolation between circuit blocks in an integrated circuit chip
CN100459145C (zh) * 2006-12-15 2009-02-04 东南大学 高压功率集成电路隔离结构
US7646078B2 (en) * 2007-01-17 2010-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Die saw crack stopper
US7952167B2 (en) * 2007-04-27 2011-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scribe line layout design
US8125052B2 (en) * 2007-05-14 2012-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Seal ring structure with improved cracking protection
US8643147B2 (en) * 2007-11-01 2014-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Seal ring structure with improved cracking protection and reduced problems
US8334582B2 (en) * 2008-06-26 2012-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protective seal ring for preventing die-saw induced stress
US7906836B2 (en) * 2008-11-14 2011-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heat spreader structures in scribe lines
JP5535490B2 (ja) * 2009-01-30 2014-07-02 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置
US8368180B2 (en) * 2009-02-18 2013-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scribe line metal structure
CN102456671A (zh) * 2010-10-25 2012-05-16 上海华虹Nec电子有限公司 射频单芯片系统中的屏蔽环结构
US8957496B2 (en) * 2013-04-17 2015-02-17 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit chip with discontinuous guard ring
US9377502B2 (en) * 2013-12-19 2016-06-28 Infineon Technologies Ag Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof
US11056449B2 (en) * 2016-12-30 2021-07-06 Intel Corporation Guard ring structures and their methods of fabrication

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3558366A (en) * 1968-09-17 1971-01-26 Bell Telephone Labor Inc Metal shielding for ion implanted semiconductor device
JPS52104061A (en) * 1976-02-27 1977-09-01 Hitachi Ltd Plastic seal type semiconductor integrated circuit unit
US4364078A (en) * 1978-08-15 1982-12-14 Synertek Edge barrier of polysilicon and metal for integrated circuit chips
DE3132791A1 (de) 1981-08-19 1983-03-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Hochspannungsgleichrichter
EP0160941A3 (en) * 1984-05-07 1987-03-25 General Electric Company High voltage interconnect system for a semiconductor integrated circuit
JPS6252934U (zh) * 1985-09-24 1987-04-02
US4825278A (en) * 1985-10-17 1989-04-25 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Radiation hardened semiconductor devices
US4959708A (en) 1988-08-26 1990-09-25 Delco Electronics Corporation MOS integrated circuit with vertical shield
FR2652449A1 (fr) 1989-09-22 1991-03-29 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif de protection electrostatique pour broche de circuit integre.
FR2656156A1 (fr) * 1989-12-16 1991-06-21 Sgs Thomson Microelectronics Circuit integre entierement protege des rayons ultra-violets.
JP2656416B2 (ja) 1991-12-16 1997-09-24 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに半導体装置に用いられる複合基板および複合基板の製造方法
JPH05304154A (ja) 1992-04-28 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置
DE4308624A1 (de) 1993-03-18 1994-09-22 Abb Management Ag MOS-gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement
US5381031A (en) 1993-12-22 1995-01-10 At&T Corp. Semiconductor device with reduced high voltage termination area and high breakdown voltage
GB2286286B (en) * 1993-12-31 1998-05-27 Hyundai Electronics Ind Improvements in or relating to the fabrication of semiconductor devices
DE69410251T2 (de) * 1994-06-20 1998-10-01 Sgs Thomson Microelectronics Integrierte Anordnung mit einer Abgrenzungsstruktur für das elektrische Oberflächenfeld und Herstellungsverfahren
US5629552A (en) * 1995-01-17 1997-05-13 Ixys Corporation Stable high voltage semiconductor device structure
KR100196524B1 (ko) 1994-11-08 1999-06-15 김영환 반도체 칩 보호용 고전압 차단 장치
JP2998662B2 (ja) * 1996-11-15 2000-01-11 日本電気株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB2341272B (en) 2003-08-20
AU5373099A (en) 2000-03-27
JP2002524877A (ja) 2002-08-06
WO2000014801A1 (en) 2000-03-16
CN1197154C (zh) 2005-04-13
JP4695261B2 (ja) 2011-06-08
CN1325545A (zh) 2001-12-05
US20010038138A1 (en) 2001-11-08
EP1114459A1 (en) 2001-07-11
GB9819248D0 (en) 1998-10-28
DE69943351D1 (de) 2011-05-26
EP1114459B1 (en) 2011-04-13
US6492219B2 (en) 2002-12-10
KR100649808B1 (ko) 2006-11-24
US6384463B1 (en) 2002-05-07
GB2341272A (en) 2000-03-08
CA2342904A1 (en) 2000-03-16
KR20010074942A (ko) 2001-08-09
ATE505814T1 (de) 2011-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW418424B (en) High voltage shield
US8222698B2 (en) Bond pad with integrated transient over-voltage protection
US8044457B2 (en) Transient over-voltage clamp
EP1187214A2 (en) Semiconductor device with a protection against ESD
US7888703B2 (en) ESD protection apparatus and electrical circuit including same
US20050205928A1 (en) Circuits and methods for electrostatic discharge protection in integrated circuits
JPH10504424A (ja) 静電放電保護回路
US20170194315A1 (en) Electrostatic discharge protection semiconductor device
JP3144330B2 (ja) 半導体装置
CN108962886B (zh) 半导体装置
EP1515371B1 (en) Semiconductor device comprising a MOS transistor and method of making the same
KR101051684B1 (ko) 정전기 방전 보호소자 및 그 제조방법
CN103154719A (zh) 用于离子敏感场效应晶体管的静电放电保护
US8519480B2 (en) Electrostatic discharge protection device
US7102195B2 (en) Transistor structure for electrostatic discharge protection circuit
JP2004363136A (ja) 半導体回路装置
JPH09500761A (ja) 半導体素子に使用される寄生的ｍｏｓトランジスタを有するパッド構造
CN102237341B (zh) 静电放电保护元件及其制作方法
US7075156B1 (en) Collector structure for electrostatic discharge protection circuits
TW589730B (en) ESD protection device
CN108933120B (zh) 半导体结构及其操作方法
TW506113B (en) Semiconductor device having electrostatic discharge protection function
JP2022161434A (ja) 半導体装置
CN116825765A (zh) 半导体结构
CN112185954A (zh) 垂直式双极性晶体管装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees