JP2004363136A - 半導体回路装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱性の優れたESD保護素子を提供する。
【解決手段】保護素子は、リング状のゲート電極202、その内側のN+ドレイン領域201、外側のN+ソース領域203、そして、シールド・プレート電極204を備えている。リング・ゲートとソース領域はスルーホールを介してグランドに接続され、ドレイン領域は外部パッドに接続される。シールド・プレート電極はグランドもしくは電源に接続される。シールド・プレート電極によって、LOCOSなどの素子分離酸化膜形成することなく、素子分離が達成される。これによって、酸化膜による熱伝播の遮断を回避することができ、保護素子の放熱性及びESD耐量を改善することができる。
【選択図】 図2
【解決手段】保護素子は、リング状のゲート電極202、その内側のN+ドレイン領域201、外側のN+ソース領域203、そして、シールド・プレート電極204を備えている。リング・ゲートとソース領域はスルーホールを介してグランドに接続され、ドレイン領域は外部パッドに接続される。シールド・プレート電極はグランドもしくは電源に接続される。シールド・プレート電極によって、LOCOSなどの素子分離酸化膜形成することなく、素子分離が達成される。これによって、酸化膜による熱伝播の遮断を回避することができ、保護素子の放熱性及びESD耐量を改善することができる。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体回路装置に関し、特に、ESDなどから回路を保護する保護素子を備える半導体回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体回路装置において、基板上または基板内に形成される複数の素子が電気的に相互干渉を起こさないように、各素子を電気的に分離する必要がある。半導体集積回路に対する高集積化、多機能化、高速化、あるいは低消費電力化の要求は益々厳しいものになり、これまでに様々な素子分離技術が提案されている。最も典型的な素子分離法の一つは、LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)構造である。LOCOS法は、窒化膜をマスクとして基板上の素子間に熱酸化膜を形成することによって、素子分離を行う。このような酸化を行うと、シリコン基板内部に向けて酸化が進み、埋め込み酸化膜(LOCOS)が形成される。
【0003】
他の素子分離技術として、STI(Shallow Trench Isolation)法が知られている。STI法は、シリコンにドライエッチングによって溝を形成し、その中にSiO2を埋め込んだ後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)によって溝以外に形成されたSiO2を除去する。溝のみに平坦酸化膜が埋め込まれた分離構造が形成される。STIは、アイソレーション幅をLOCOS構造と比較して小さくすることができるため、デバイスの高密度化に大きく寄与する。
【0004】
基板そのものを含有するアイソレーション技術としてSOI(Silicon On Insulator)構造が知られている。SOI構造は、絶縁膜上のシリコン薄膜(SOI層)に形成されたデバイスを備えている。バルクCMOSデバイスは、P/N型MOSトランジスタがウェル層にて分離されるが、SOI−MOSデバイスは、図8に示すように、Si支持基板と埋め込み酸化膜にて分離される。SOI層の厚みを薄くし、チャネル下のボディ領域が全て空乏化しているものを完全空乏型SOI、ボディ領域底部に空乏化されていない領域をもつものを部分空乏型SOIという。図8は、部分空乏型SOIの構造の一例を示している。各素子間は、例えば、LOCOS酸化膜によって分離され、動作領域(SOI層)が絶縁体にて完全に分離される構造を備えている。
【0005】
SOI構造は、ラッチアップや寄生接合容量などの問題に対して有効であり、デバイスの高密度化、高速化、あるいは低消費電力化に大きく寄与する。しかし、埋め込み酸化膜によって、引き起こされる問題がある。埋め込み酸化膜は電気的分離を与える一方で、熱の伝播を阻害するため、放熱効果を大きく低下させる。これは、特に電流密度の大きな素子に、無視できない影響を与えうる。
【0006】
ESD(Electro Static Discharge)による回路の内部破壊を防止するための保護素子として、ゲートがグランドに接続されたNMOS(GGNMOS:Gate Grounded NMOS)が知られている。ESDは、例えば、半導体回路装置と人もしくは機械などとの接触によって、外部接続パッドと内部回路の間において、パルス上のサージ電圧を発生させる。GGNMOSは、高電圧がかかると、ソース−ドレイン間のブレーク・ダウンが生じ、外部パッドとグランド配線と間において電流を流すことによって、内部回路のゲート電極にサージ電圧が印加されることを防ぐ。保護素子にはSOI構造において、埋め込み酸化膜によって熱の伝播が阻害されるため、サージ電流によってESD保護素子の温度が大きく上昇し、ESD保護素子自身のESD耐圧が低下するという問題がある。
【0007】
このため、SOI素子の放熱性問題を解決するための提案がなされている(例えば、特許文献1を参照)。埋め込み酸化膜を貫通するポリシリコン・プラグを基板上に形成し、MOSFETデバイス領域と反対極性のシリコン基板とを連結する。ポリシリコン・プラグは、MOSFETデバイスのソースもしくはドレインと接触しており、ポジティブもしくはネガティブのESDを伝播する機能を備えている。同時に、ポリシリコン・プラグは熱を伝播する機能を備えており、素子の熱破壊を防止することができる。しかし、このような構造は製造プロセスを複雑とする問題がある。
【0008】
一方、素子の電気的な分離を行うための技術として、シールド・プレート素子分離法が知られている(例えば、特許文献2を参照)。この技術は、半導体基板上の素子領域の間に酸化膜とシールド・プレート電極を設ける。シールド・プレート電極は、例えば、素子を囲むように形成することができる。シールド・プレートに逆バイアス電圧を印加することによって空乏層がシールド・プレート電極によって囲まれた領域外に伸長することを防止し、素子間の電気的な分離を実現する。
【0009】
しかし、このようなシールド・プレート電極が、SOI基板(もしくはSOI素子)における熱問題との観点から検討されたことはない。特に、入力保護用の素子における熱破壊の問題とシールド・プレート電極とを関連付ける検討は一切なされていない。又、上記参照文献は、シールド・プレート電極と交差する直線状のゲート電極を備えているが、この交差部はESDにおいて大きな問題となる可能性が高い。あるいは、外部端子に接続される拡散層がシールド・プレート電極で分離されるため、放電経路断面積が小さく、ESD耐量が小さい。
【0010】
尚、保護素子として使用されるトランジスタにおいて、電流分布を均一化するために、ワッフル型のパターン・レイアウトを備えるゲート電極構造が提案されている(例えば、特許文献3を参照)。ワッフル型のパターンのゲート電極によって、ソース−ドレイン間を流れるブレーク・ダウン電流の電流密度が均一化されるため、保護素子の静電破壊強度を向上することができる。しかし、このようなゲート電極構造と、保護素子の熱による静電耐圧の低下との問題について、これまで全く検討がなされていない。
【0011】
【特許文献1】
USP6352882号公報
【0012】
【特許文献2】
特開平11−126899号公報
【0013】
【特許文献3】
特開平6−112482号公報
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の一つの目的は、保護回路の耐圧を向上することができる、半導体素子構造を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の態様は、高電圧から回路を保護する保護回路を備える半導体回路装置であって、前記保護回路は、第1の電位が与えられるリング・ゲートと、前記リング・ゲートの内側に形成された第1の不純物拡散層と、前記リング・ゲートの外側に形成された第2の不純物拡散層と、前記第2の不純物拡散層を囲むように形成され、第2の電位が与えられるシールド電極と、を備え、前記第1及び第2の不純物拡散層の一方は保護すべき回路に接続され、他方は前記第1の電位が与えられるものである。この構成を有することによって、保護回路の電圧耐量を改善することができる。
【0016】
上記第1の態様において、前記第1の電位はグランド電位であり、前記第2の電位はグランド電位もしくは電源電位であることが好ましい。あるいは、前記第1の電位は電源電位であり、前記第2の電位はグランド電位もしくは電源電位であることが好ましい。これにより、効果的に素子分離を行うことができる。
【0017】
上記第1の態様の半導体回路装置は、前記第1及び第2の不純物拡散層より下の層に、絶縁層が形成されている回路に適用することが好ましい。この構成を有することにより、シリコン層より下層に酸化膜を備える半導体回路装置の保護回路を改善することができる。
上記第1の態様において、前記シールド電極の外側に、前記第2の不純物拡散層と反対導電型の拡散層が形成されていることが好ましい。これにより、効果的に素子分離を行うことができる。
【0018】
上記第1の態様において、さらに、前記保護回路の請求項1に記載された構成要素と同一の構成要素を含む他の保護回路を備え、前記保護回路と前記他の保護回路との間には、電気的分離のための絶縁物層が形成されていないことが好ましい。これにより、保護回路からの熱伝播を改善することができる。
【0019】
上記第1の態様において、さらに、前記保護回路の請求項1に記載された構成要素と同一の構成要素を含む他の保護回路と、前記保護回路と前記他の保護回路との間に形成された、第1の回路間シールド電極、及び第2の回路間シールド電極と、前記第1の回路間シールド電極と前記第2の回路間シールド電極の間のシリコン層に形成された、前記シリコン層と反対導電型の拡散層と、を備えることが好ましい。この構成を有することによって、保護回路間の電気的分離を改善することができる。
【0020】
さらに、前記保護回路と他の保護回路とは、外部パッドと内部回路との間に接続されており、さらに、前記内部回路と前記保護回路との間、及び、前記内部回路と前記他の保護回路との間において、2つの回路間シールド電極と、前記2つの回路間シールド電極の間のシリコン層に形成された前記シリコン層と反対導電型の拡散層と、を備える、ことが好ましい。これにより、内部回路と保護回路との分離を改善することができる。あるいは、前記第1及び第2の回路間シールド電極には、前記保護回路と他の保護回路間のインジェクションを引き起こすキャリアを集めるように電位が与えられていることが好ましい。さらに、前記シリコン層と反対の導電型の拡散層には、前記保護回路と他の保護回路間のインジェクションを引き起こすキャリアを集めるように電位が与えられていることが好ましい。この構成を有することによって、回路間の分離を改善することができる。
【0021】
上記第1の態様において、前記保護回路は、並列に接続された複数の回路要素を備え、前記複数の回路要素のそれぞれは、第1の電位が与えられるリング・ゲートと、前記リング・ゲートの内側に形成された第1の不純物拡散層と、前記リング・ゲートの外側に形成された第2の不純物拡散層と、前記第2の不純物拡散層を囲むように形成され、第2の電位が与えられるシールド電極と、を備え、前記第1及び第2の不純物拡散層の一方は保護すべき回路に接続され、他方は前記第1の電位が与えられることが好ましい。この構成を有することによって、保護回路の電圧耐量を改善することができる。さらに、前記シールド電極は、隣接する回路要素間で共有されていることができる。
【0022】
本発明の第2の態様は、高電圧から回路を保護する複数の保護回路を備える半導体回路装置であって、第1の保護回路と、前記第1の保護回路と異なる第2の保護回路と、前記第1の保護回路と前記第2の保護回路との間に素子分離絶縁膜を形成することなく、前記第1の保護回路と前記第2の保護回路との間に形成された素子分離のためのシールド電極と、を備えるものである。この構成を有することによって、保護回路の放熱性を改善することができ、電圧耐量を改善する。
上記第2の態様において、前記半導体回路装置は、外部パッドと内部回路とを備え、前記第1の保護回路と前記内部回路との間にシールド電極が形成されていることが好ましい。これによって、保護回路の素子分離を改善することができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。又、各図において同一の符号を付されたものは、実質的に同様の構成要素を示すものであり、説明の明確化のため、必要とされない説明が省略される。
【0024】
実施の形態1.
図1は、本発明を適用可能な回路構成を示す回路図である。本発明の半導体素子構造もしくは半導体回路構造は、MMOSもしくはPMOSによって形成された、ESD(Electro Static Discharge)入力保護回路もしくはESD入力保護素子に好適である。以下の説明において、NMOS構造を例として本発明の実施形態が説明されるが、本発明はPMOS構造にも適用することが可能である。PMOS構造は、基本的に、以下の説明における半導体層の導電型と逆の導電型となる構成を備える。又、以下の説明において接続とは、電気的に接続されていれば十分であり、物理的に直接接続されることは要求されない。
【0025】
又、外部入力パッドと内部回路との間の入力保護回路を例として、以下に本実施の形態の説明がなされるが、本発明は、パッド−内部回路間のESD保護のための保護回路に限らず、電源とグランド間に挿入される電源保護素子など、他の領域もしくは他の態様において使用される保護回路もしくは保護素子に適用することが可能であることは、当業者にとって自明なことであろう。以下において、説明の明確のため、素子もしくは回路の用語を使用するが、回路の概念は複数の素子、もしくは他の素子と電気的に接続されている素子を含む。同様に、素子は複数の素子から構成されうる。同一の要素が、素子であり回路でありうる。
【0026】
図1は、パッドと内部回路の入力部との間に接続された入力保護回路の回路構成を示している。図1において、101は外部からの信号が入力される外部入力パッド、102は半導体回路装置の内部回路、103は内部回路と並列に接続されている入力保護回路である。本例の内部回路102は、入力回路部としてCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)インバータ回路を備えている。
【0027】
入力保護回路103は、入力保護素子としてのGG(Gate Grounded)NMOS104を備えている。GGNMOS104は、ゲートとソース(ドレイン)がグランド配線に接続され、ドレイン(ソース)が外部入力パッド101と内部回路102とを接続する配線に接続されている。ドレインは、例えば、抵抗を介して外部入力パッド101に接続することができる。又、グランド電位は低電位として与えられるものであって、電位値は設計によって適切なものが決定される。GGNMOS104は、ESD(Electro−Static Discharge)による高電圧がかかると、ソース(エミッタ)−基板(ベース)−ドレイン(コレクタ)からなる寄生バイポーラトランジスタがONし、外部パッド101とグランド配線と間において電流を流す。これによって、内部回路102のゲート電極にサージ電圧が印加されることを防ぐことができる。尚、PMOS構造によって保護素子を形成する場合、ソース(ドレイン)とゲートには電源電位Vccが供給され、ドレイン(ソース)は外部入力パッドに接続される。
【0028】
図2は、本形態における入力保護素子としてのGGNMOS104の上面構造を示す平面図である。図2において、201はドレイン(あるいはソース)領域、202はゲート電極、203はソース(あるいはドレイン)領域、204はシールド・プレート電極である。以下において、201はドレイン領域、203はソース領域として説明される。電極とシリコン層の間、及び各要素の上には絶縁膜(不図示)が形成される。
【0029】
ドレイン領域201の絶縁膜には、外部パッド101との接続を提供するための複数のコンタクト・ホール205が形成されている。このコンタクト・ホール205を介して、GGNMOS104のドレインが、外部パッド101と内部回路102に接続される。ソース領域203の絶縁膜には、GGNMOS104のソースとグランドとの接続を提供するための複数のコンタクト・ホール206が形成されている。スルーホールを介した接続は、典型的には、アルミ配線層によって行うことができる。
【0030】
ゲート電極202上の絶縁膜には、ゲート電極202とグランドとの接続を提供するためのコンタクト・ホール207が形成されている。シールド・プレート電極204上の絶縁膜にはシールド・プレート電極204とグランドもしくは電源配線との接続を提供するためのコンタクト・ホール208が形成されている。シールド・プレート電極204は、グランドもしくはVccに接続することができる。回路構造をより単純化したものとするためには、シールド・プレート電極204は、グランドに接続されることが好ましい。シールド・プレート電極204は、所定の電位に固定されることによって、各素子間の電気的分離を提供することができる。
【0031】
ゲート電極202はリング状に形成されている。リング・ゲート電極202の内部にドレインが形成され、リング・ゲート電極202の外部にソースが形成されている。本例のゲート電極202は、実質的に矩形状に形成され、各コーナが面取りされている。コーナの面取りを行うことによって、コーナにおけるソース−ドレイン間の電流密度の不均一を抑制することができる。ゲート電極202は、好ましくは、8角形以上の多角形、もしくは円状に形成される。これにより、ソース−ドレイン間の電流密度をより均一化することができる。
【0032】
リング・ゲート電極202のゲート長Lは、保護素子として最適なLが選択される。スルーホール207は、グランドに接続されるソース側に突出した、ゲート電極202の突出部上に形成されている。ゲート電極202とソースは、共にグランドに接続されるため、スルーホール207がゲート電極202を突き抜けた場合の問題を防ぐことができる。
【0033】
シールド・プレート電極204はリング状に形成されており、MOS構造の周囲を囲んでいる。つまり、シールド・プレート電極204は、ドレイン(ソース)領域201、ゲート電極202、及びソース(ドレイン)領域203を囲んでいる。シールド・プレート電極204とゲート電極202との間にソース(ドレイン)領域203が形成されている。シールド・プレート電極204の電極長Lは、ゲート電極202よりも大きく設定することができる。本形態のGGNMOS構造は、様々なプロセスによって製造することができる。例えば、シールド・プレート電極204とゲート電極202とを同一のポリシリコン形成工程において、あるいは異なるポリシリコン形成工程によって形成することができる。
【0034】
ゲート絶縁膜とシールド・プレート電極下の絶縁膜の厚さが異なるように、GGNMOS構造を形成することができる。第1の絶縁膜を基板全面に形成し、シールド・プレート電極をその上に形成する。シールド・プレート電極をパターニングした後に、第1の絶縁膜を除去する。その後、全面にゲート絶縁膜を形成し、MOSFETのゲート電極を形成する。この場合、シールド・プレート電極下の絶縁膜厚さを、ゲート絶縁膜と独立に設定することができ、設計のフレキシビリティが向上する。この逆に、先にゲート絶縁膜、ゲート電極を形成し、その後、シールド・プレート電極絶縁膜とシールド・プレート電極を形成してもよい。
【0035】
図3は、GGNMOS104の構造を示す断面図であって、図2における矢視X−X‘間の断面構造を示している。説明の明確化のため、基板上のゲート酸化膜、層間絶縁膜あるいは金属配線層などの一部構成が省略され、あるいは簡略化された構造が示されている。図3において、301はPシリコン基板、302は埋め込み酸化膜層、304はSOI(Silicon On Insulator)層である。SOI層304(以下、シリコン層)には、予め不純物注入がなされており、比較的低濃度のP−層となっている。
【0036】
シリコン層304には、N+ソース拡散層305及びN+ドレイン拡散層306が形成されている。ゲート電極202の内側のシリコン層にN+ソース拡散層305が形成され、外側のシリコン層にN+ドレイン拡散層306が形成されている。N+ソース拡散層305及びN+ドレイン拡散層306の間であって、ゲート電極202の下には、Nチャネルが形成されるP−シリコン領域307がある。さらに、シリコン層304は、シールド・プレート電極240の外側に、P+拡散層308が形成されている。P+拡散層308とN+ソース拡散層305の間であって、シールド・プレート電極240の下は、P−シリコン領域309である。本形態のGGNMOS104の構造は、LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)酸化物層やSTI(Shallow Trench Isolation)酸化物層によって、素子を分離していない。
【0037】
本形態の保護回路は、素子間の電気分離を、素子の周囲を囲い、所定電位に固定されたシールド・プレート電極240によって行う。シールド・プレート電極240は、好ましくは、グランド電位もしくは電源電位Vccが与えられる。この構造において、埋め込み酸化膜302の上層において、素子間に電気的分離を行うための酸化物層が形成されていないため、GGNMOS104からの熱伝播を効果的に行うことができ、高い放熱効果を実現することができる。これにより、GGNMOS104のESD耐量を向上することができる。さらに、GGNMOS104はリング状のゲート電極202を備えており、ソース−ドレイン間の電流密度低下することによって、素子の発熱を抑制することができる。このように、リング・ゲート電極とリング状のシールド・プレート電極を併せ持つことによって、GGNMOS104の熱によるESD耐量の低下を効果的に抑えることができる。
【0038】
図3は、埋め込み酸化物層が拡散領域の直下に形成され、チャネル下のボディ領域が全て空乏化される完全空乏型SOI−MOSの例を示している。本発明は、完全空乏型SOI構造に限らず、部分空乏型SOI構造、あるいはSOI構造とは異なる、いわゆるバルク構造の半導体回路装置にも適用することができる。これら構成において、保護素子を構成する拡散層側面(基板表面に平行な方向)に素子分離酸化物層が必要とされないため、保護素子の放熱性を向上することができる。
【0039】
尚、熱伝播の観点から、本発明は、SOI構造、特に完全空乏型SOI−MOSにおいて大きな効果を奏し、これら構造に適用することが特に好ましい。尚、図3において、シールド・プレート電極204の外側にはP+拡散層が形成されているが、SOI層の不純物濃度層、もしくは、N型の不純物拡散層であることが可能である。シールド・プレート電極204へ供給される電位は、構造に従って適切なものが選択される。
【0040】
実施の形態2.
図4は、第2の実施形態における保護回路400の上面構造を示す平面図である。本形態の保護回路は、隣接するGGNMOS間に、さらに、素子間シールド・プレート電極を備えている。素子間シールド・プレート電極は、素子間のキャリア注入などの影響を抑制することができる。図4において、401は第1の保護素子のシールド・プレート電極、402は第2の保護素子のシールド・プレート電極、403は第1の素子間シールド・プレート電極、404は第2の素子間シールド・プレート電極である。第1及び第2の素子間シールド・プレート電極は所定の電位に固定され、好ましくはグランド電位もしくは電源電位Vccが与えられる。特に好ましくは、電源電位Vccが与えられる。第1及び第2の素子間シールド・プレート電極は、物理的に連続した電極として形成すること、あるいは、分離された電極として形成することができる。これら2つの電極には、必ずしも同一電位が供給されなくともよい。
【0041】
図5は、保護回路400の構造を示す断面図であって、図4における矢視Y−Y‘によって指示されている部分の断面構造を示している。シリコン層304には、第1及び第2のシールド・プレート電極403、404の間に、N+拡散層501が形成されている。N+拡散層501とP+拡散層308の間であって、第1及び第2の素子間シールド・プレート電極403の下は、P−シリコン層502である。第1及び第2の素子間シールド・プレート電極403、404には、グランド電位または電源電位Vccが与えられることが好ましい。N+拡散層501は、好ましくは、電源電位Vccが与えられる。電源電位Vccを与えることによって電子を集めることができる。
【0042】
保護素子の間に2つのシールド・プレート電極を配置し、シールド・プレート電極間のシリコン層に、シリコン層の導電型とは反対導電型の拡散層を形成することによって、他の保護素子がサージ放電時に発生するキャリアのインジェクションを抑制することができる。これによって、素子分離をより効果的に行うことができる。上記素子間分離構造によって、保護素子間のピッチを小さくすることができる。特に、シールド・プレート電極あるいは反対導電型の拡散層に、キャリアを集める電位を与えることによって、キャリア注入の抑制効果をさらに大きくすることができる。
【0043】
尚、第1及び第2の素子間シールド・プレート電極は、保護素子のシールド・プレート電極と同様のプロセスによって形成することができる。図4は保護素子間に形成された拡散層と素子間シールド・プレート電極を示しているが、拡散層と素子間シールド・プレート電極は、内部回路と保護素子との間を含む、保護素子が形成されている領域の周囲に形成され、保護素子の周囲を囲むことが好ましい。尚、スクライブ線がある場合、スクライブ線側には拡散層と素子間シールド・プレート電極は形成しなくともよい。
【0044】
内部回路と保護素子間に拡散層と素子間シールド・プレート電極を形成することによって、内部回路と保護素子間の素子分離酸化膜を省くことができ、放熱性を向上する。あるいは、N+拡散層を、Nウェル内に設けることは効果的である。又、本発明の保護回路構造は、2以上の拡散層、及び各拡散層の両側に配置される素子間シールド・プレート電極を備えることができる。
【0045】
実施の形態3.
図6は、第3の実施形態における保護回路600の構成を示す平面図である。本形態の保護回路600は、複数の保護素子が並列に接続された保護素子群を、複数備えている。601は外部パッドであって、本例においては3つの外部接続パッド601a−cが示されている。602は複数の保護素子が並列に接続されている保護素子群であって、本例においては3つの保護素子群602a−cが示されている。保護素子群602a−cのそれぞれは、外部接続パッド601a−cのそれぞれに対応し、各保護素子群は、外部接続パッドに接続される内部回路の保護回路、もしくは保護素子として機能する。保護素子群602に含まれる保護素子の数は、適宜設計によって決定される。
【0046】
603は保護素子群の間に形成された、保護素子群間シールド・プレート電極である。本例においては、各保護素子群の間に、2つのシールド・プレート電極のペア603a・b、あるいは603c・dが形成されている。さらに、保護素子群602と内部回路との間に、2つのシールド・プレート電極603e・fが形成されている。SOI層と反対導電型の拡散層と、その拡散層を挟むシールド・プレート電極を備えることによって、隣接する保護素子群からのインジェクションを抑制することができる。又、内部回路と保護素子群との間に拡散層と素子間シールド・プレート電極を形成することによって、電気的分離をより効果的に行うことができる。さらに、内部回路と保護素子群との間の分離酸化物層を省くことができ、放熱性を向上することができる。シールド・プレート電極下部の断面構造は、図5に示された構造と実質的に同様である。
【0047】
シールド・プレート電極603及び電極間拡散層にはスルーホール(不図示)を介して、好ましくはグランド電位、もしくは、さらに好ましくはVcc電位が供給される。各外部パッド601には、実質的に、図2に示した複数の保護素子が並列に接続されている。これによって、各MOSのソース−ドレイン間電流密度を小さくすることができるので、保護回路における発熱量を小さくすることができる。又、一つの大きなリング・ゲートとシールド・プレート電極を備える保護素子と比較し、複数の保護素子を並列に接続することによって、電流密度の均一性を向上することができる。
【0048】
図7は、保護素子群602の一部構成を示す平面図である。図7において、701はリング状のゲート電極、702は格子状のシールド・プレート電極である。本例においては、格子状シールド・プレート電極702の開口部内にゲート電極701が配置される構成が示されている。図7においては、4つのリング・ゲート電極701a−dが例示されている。保護素子群602の各保護素子はそれぞれ並列に接続されており、各リング・ゲート電極701はアルミ配線層で接続され、グランド電位が供給されている。シールド・プレート電極702は、隣接する各素子間において共有されている。シールド・プレート電極702は、好ましくはグランド電位が供給される。
【0049】
NMOS構造において、リング・ゲート電極701の内側及び外側のシリコン層には、N+拡散層が形成されている。リング・ゲート電極701及びシールド・プレート電極702の下のシリコン層は、P−層である。保護素子群602の外側のシリコン層には、典型的には、P+拡散層が形成される。本形態においては、隣接する保護素子がシールド・プレート電極702を共有しているが、各保護素子はそれぞれ異なるシールド・プレート電極を備えることができる。
【0050】
例えば、図2および図3に示された構造を備える保護素子を、基板上に配列することによって、保護素子群を形成することができる。各保護素子のシールド・プレート電極は、上層のアルミ配線層において接続され、アルミ配線層はグランド配線に接続される。尚、保護回路分離用拡散層と素子間シールド・プレート電極は、内部回路と保護素子群との間を含む、保護素子群が形成されている領域の周囲に形成され、保護素子群の周囲を囲むことが好ましい。これによって、保護素子群の電気的分離をより効果的に行うことができる。
【0051】
【発明の効果】
本発明は、保護回路の電圧耐量を向上する半導体回路構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係る保護回路の回路構成を示す回路図である。
【図2】第1の実施形態に係る保護素子の上面構造を示す平面図である。
【図3】第1の実施形態に係る保護素子の断面構造を示す断面図である。
【図4】第2の実施形態に係る保護回路の上面構造を示す平面図である。
【図5】第2の実施形態に係る保護回路の断面構造を示す断面図である。
【図6】第3の実施形態に係る保護回路の上面構造を示す平面図である。
【図7】第3の実施形態に係る保護回路の断面構造を示す平面図である。
【図8】従来の技術における保護素子の断面構造を示す断面図である。
【符号の説明】
101 外部入力パッド、102 内部回路、103 入力保護回路、104 GGNMOS、201 ドレイン領域、202 ゲート電極、203 ソース領域、204 シールド・プレート電極、205、206、207、208 コンタクト・ホール、301 Pシリコン基板、302 埋め込み酸化膜層、304SOI層、305 N+ソース拡散層、306 N+ドレイン拡散層、307P−シリコン領域、308 P+拡散層、309 P−シリコン領域、401第1の保護素子のシールド・プレート電極、402 第2の保護素子のシールド・プレート電極、403 第1の素子間シールド・プレート電極、404 第2の素子間シールド・プレート電極、501 N+拡散層、502 P−シリコン層、601 外部接続パッド、602 保護素子群、603保護素子群間シールド・プレート電極、701 リング・ゲート、702格子状シールド・プレート電極
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体回路装置に関し、特に、ESDなどから回路を保護する保護素子を備える半導体回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体回路装置において、基板上または基板内に形成される複数の素子が電気的に相互干渉を起こさないように、各素子を電気的に分離する必要がある。半導体集積回路に対する高集積化、多機能化、高速化、あるいは低消費電力化の要求は益々厳しいものになり、これまでに様々な素子分離技術が提案されている。最も典型的な素子分離法の一つは、LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)構造である。LOCOS法は、窒化膜をマスクとして基板上の素子間に熱酸化膜を形成することによって、素子分離を行う。このような酸化を行うと、シリコン基板内部に向けて酸化が進み、埋め込み酸化膜(LOCOS)が形成される。
【0003】
他の素子分離技術として、STI(Shallow Trench Isolation)法が知られている。STI法は、シリコンにドライエッチングによって溝を形成し、その中にSiO2を埋め込んだ後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)によって溝以外に形成されたSiO2を除去する。溝のみに平坦酸化膜が埋め込まれた分離構造が形成される。STIは、アイソレーション幅をLOCOS構造と比較して小さくすることができるため、デバイスの高密度化に大きく寄与する。
【0004】
基板そのものを含有するアイソレーション技術としてSOI(Silicon On Insulator)構造が知られている。SOI構造は、絶縁膜上のシリコン薄膜(SOI層)に形成されたデバイスを備えている。バルクCMOSデバイスは、P/N型MOSトランジスタがウェル層にて分離されるが、SOI−MOSデバイスは、図8に示すように、Si支持基板と埋め込み酸化膜にて分離される。SOI層の厚みを薄くし、チャネル下のボディ領域が全て空乏化しているものを完全空乏型SOI、ボディ領域底部に空乏化されていない領域をもつものを部分空乏型SOIという。図8は、部分空乏型SOIの構造の一例を示している。各素子間は、例えば、LOCOS酸化膜によって分離され、動作領域(SOI層)が絶縁体にて完全に分離される構造を備えている。
【0005】
SOI構造は、ラッチアップや寄生接合容量などの問題に対して有効であり、デバイスの高密度化、高速化、あるいは低消費電力化に大きく寄与する。しかし、埋め込み酸化膜によって、引き起こされる問題がある。埋め込み酸化膜は電気的分離を与える一方で、熱の伝播を阻害するため、放熱効果を大きく低下させる。これは、特に電流密度の大きな素子に、無視できない影響を与えうる。
【0006】
ESD(Electro Static Discharge)による回路の内部破壊を防止するための保護素子として、ゲートがグランドに接続されたNMOS(GGNMOS:Gate Grounded NMOS)が知られている。ESDは、例えば、半導体回路装置と人もしくは機械などとの接触によって、外部接続パッドと内部回路の間において、パルス上のサージ電圧を発生させる。GGNMOSは、高電圧がかかると、ソース−ドレイン間のブレーク・ダウンが生じ、外部パッドとグランド配線と間において電流を流すことによって、内部回路のゲート電極にサージ電圧が印加されることを防ぐ。保護素子にはSOI構造において、埋め込み酸化膜によって熱の伝播が阻害されるため、サージ電流によってESD保護素子の温度が大きく上昇し、ESD保護素子自身のESD耐圧が低下するという問題がある。
【0007】
このため、SOI素子の放熱性問題を解決するための提案がなされている(例えば、特許文献1を参照)。埋め込み酸化膜を貫通するポリシリコン・プラグを基板上に形成し、MOSFETデバイス領域と反対極性のシリコン基板とを連結する。ポリシリコン・プラグは、MOSFETデバイスのソースもしくはドレインと接触しており、ポジティブもしくはネガティブのESDを伝播する機能を備えている。同時に、ポリシリコン・プラグは熱を伝播する機能を備えており、素子の熱破壊を防止することができる。しかし、このような構造は製造プロセスを複雑とする問題がある。
【0008】
一方、素子の電気的な分離を行うための技術として、シールド・プレート素子分離法が知られている(例えば、特許文献2を参照)。この技術は、半導体基板上の素子領域の間に酸化膜とシールド・プレート電極を設ける。シールド・プレート電極は、例えば、素子を囲むように形成することができる。シールド・プレートに逆バイアス電圧を印加することによって空乏層がシールド・プレート電極によって囲まれた領域外に伸長することを防止し、素子間の電気的な分離を実現する。
【0009】
しかし、このようなシールド・プレート電極が、SOI基板(もしくはSOI素子)における熱問題との観点から検討されたことはない。特に、入力保護用の素子における熱破壊の問題とシールド・プレート電極とを関連付ける検討は一切なされていない。又、上記参照文献は、シールド・プレート電極と交差する直線状のゲート電極を備えているが、この交差部はESDにおいて大きな問題となる可能性が高い。あるいは、外部端子に接続される拡散層がシールド・プレート電極で分離されるため、放電経路断面積が小さく、ESD耐量が小さい。
【0010】
尚、保護素子として使用されるトランジスタにおいて、電流分布を均一化するために、ワッフル型のパターン・レイアウトを備えるゲート電極構造が提案されている(例えば、特許文献3を参照)。ワッフル型のパターンのゲート電極によって、ソース−ドレイン間を流れるブレーク・ダウン電流の電流密度が均一化されるため、保護素子の静電破壊強度を向上することができる。しかし、このようなゲート電極構造と、保護素子の熱による静電耐圧の低下との問題について、これまで全く検討がなされていない。
【0011】
【特許文献1】
USP6352882号公報
【0012】
【特許文献2】
特開平11−126899号公報
【0013】
【特許文献3】
特開平6−112482号公報
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の一つの目的は、保護回路の耐圧を向上することができる、半導体素子構造を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の態様は、高電圧から回路を保護する保護回路を備える半導体回路装置であって、前記保護回路は、第1の電位が与えられるリング・ゲートと、前記リング・ゲートの内側に形成された第1の不純物拡散層と、前記リング・ゲートの外側に形成された第2の不純物拡散層と、前記第2の不純物拡散層を囲むように形成され、第2の電位が与えられるシールド電極と、を備え、前記第1及び第2の不純物拡散層の一方は保護すべき回路に接続され、他方は前記第1の電位が与えられるものである。この構成を有することによって、保護回路の電圧耐量を改善することができる。
【0016】
上記第1の態様において、前記第1の電位はグランド電位であり、前記第2の電位はグランド電位もしくは電源電位であることが好ましい。あるいは、前記第1の電位は電源電位であり、前記第2の電位はグランド電位もしくは電源電位であることが好ましい。これにより、効果的に素子分離を行うことができる。
【0017】
上記第1の態様の半導体回路装置は、前記第1及び第2の不純物拡散層より下の層に、絶縁層が形成されている回路に適用することが好ましい。この構成を有することにより、シリコン層より下層に酸化膜を備える半導体回路装置の保護回路を改善することができる。
上記第1の態様において、前記シールド電極の外側に、前記第2の不純物拡散層と反対導電型の拡散層が形成されていることが好ましい。これにより、効果的に素子分離を行うことができる。
【0018】
上記第1の態様において、さらに、前記保護回路の請求項1に記載された構成要素と同一の構成要素を含む他の保護回路を備え、前記保護回路と前記他の保護回路との間には、電気的分離のための絶縁物層が形成されていないことが好ましい。これにより、保護回路からの熱伝播を改善することができる。
【0019】
上記第1の態様において、さらに、前記保護回路の請求項1に記載された構成要素と同一の構成要素を含む他の保護回路と、前記保護回路と前記他の保護回路との間に形成された、第1の回路間シールド電極、及び第2の回路間シールド電極と、前記第1の回路間シールド電極と前記第2の回路間シールド電極の間のシリコン層に形成された、前記シリコン層と反対導電型の拡散層と、を備えることが好ましい。この構成を有することによって、保護回路間の電気的分離を改善することができる。
【0020】
さらに、前記保護回路と他の保護回路とは、外部パッドと内部回路との間に接続されており、さらに、前記内部回路と前記保護回路との間、及び、前記内部回路と前記他の保護回路との間において、2つの回路間シールド電極と、前記2つの回路間シールド電極の間のシリコン層に形成された前記シリコン層と反対導電型の拡散層と、を備える、ことが好ましい。これにより、内部回路と保護回路との分離を改善することができる。あるいは、前記第1及び第2の回路間シールド電極には、前記保護回路と他の保護回路間のインジェクションを引き起こすキャリアを集めるように電位が与えられていることが好ましい。さらに、前記シリコン層と反対の導電型の拡散層には、前記保護回路と他の保護回路間のインジェクションを引き起こすキャリアを集めるように電位が与えられていることが好ましい。この構成を有することによって、回路間の分離を改善することができる。
【0021】
上記第1の態様において、前記保護回路は、並列に接続された複数の回路要素を備え、前記複数の回路要素のそれぞれは、第1の電位が与えられるリング・ゲートと、前記リング・ゲートの内側に形成された第1の不純物拡散層と、前記リング・ゲートの外側に形成された第2の不純物拡散層と、前記第2の不純物拡散層を囲むように形成され、第2の電位が与えられるシールド電極と、を備え、前記第1及び第2の不純物拡散層の一方は保護すべき回路に接続され、他方は前記第1の電位が与えられることが好ましい。この構成を有することによって、保護回路の電圧耐量を改善することができる。さらに、前記シールド電極は、隣接する回路要素間で共有されていることができる。
【0022】
本発明の第2の態様は、高電圧から回路を保護する複数の保護回路を備える半導体回路装置であって、第1の保護回路と、前記第1の保護回路と異なる第2の保護回路と、前記第1の保護回路と前記第2の保護回路との間に素子分離絶縁膜を形成することなく、前記第1の保護回路と前記第2の保護回路との間に形成された素子分離のためのシールド電極と、を備えるものである。この構成を有することによって、保護回路の放熱性を改善することができ、電圧耐量を改善する。
上記第2の態様において、前記半導体回路装置は、外部パッドと内部回路とを備え、前記第1の保護回路と前記内部回路との間にシールド電極が形成されていることが好ましい。これによって、保護回路の素子分離を改善することができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。又、各図において同一の符号を付されたものは、実質的に同様の構成要素を示すものであり、説明の明確化のため、必要とされない説明が省略される。
【0024】
実施の形態1.
図1は、本発明を適用可能な回路構成を示す回路図である。本発明の半導体素子構造もしくは半導体回路構造は、MMOSもしくはPMOSによって形成された、ESD(Electro Static Discharge)入力保護回路もしくはESD入力保護素子に好適である。以下の説明において、NMOS構造を例として本発明の実施形態が説明されるが、本発明はPMOS構造にも適用することが可能である。PMOS構造は、基本的に、以下の説明における半導体層の導電型と逆の導電型となる構成を備える。又、以下の説明において接続とは、電気的に接続されていれば十分であり、物理的に直接接続されることは要求されない。
【0025】
又、外部入力パッドと内部回路との間の入力保護回路を例として、以下に本実施の形態の説明がなされるが、本発明は、パッド−内部回路間のESD保護のための保護回路に限らず、電源とグランド間に挿入される電源保護素子など、他の領域もしくは他の態様において使用される保護回路もしくは保護素子に適用することが可能であることは、当業者にとって自明なことであろう。以下において、説明の明確のため、素子もしくは回路の用語を使用するが、回路の概念は複数の素子、もしくは他の素子と電気的に接続されている素子を含む。同様に、素子は複数の素子から構成されうる。同一の要素が、素子であり回路でありうる。
【0026】
図1は、パッドと内部回路の入力部との間に接続された入力保護回路の回路構成を示している。図1において、101は外部からの信号が入力される外部入力パッド、102は半導体回路装置の内部回路、103は内部回路と並列に接続されている入力保護回路である。本例の内部回路102は、入力回路部としてCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)インバータ回路を備えている。
【0027】
入力保護回路103は、入力保護素子としてのGG(Gate Grounded)NMOS104を備えている。GGNMOS104は、ゲートとソース(ドレイン)がグランド配線に接続され、ドレイン(ソース)が外部入力パッド101と内部回路102とを接続する配線に接続されている。ドレインは、例えば、抵抗を介して外部入力パッド101に接続することができる。又、グランド電位は低電位として与えられるものであって、電位値は設計によって適切なものが決定される。GGNMOS104は、ESD(Electro−Static Discharge)による高電圧がかかると、ソース(エミッタ)−基板(ベース)−ドレイン(コレクタ)からなる寄生バイポーラトランジスタがONし、外部パッド101とグランド配線と間において電流を流す。これによって、内部回路102のゲート電極にサージ電圧が印加されることを防ぐことができる。尚、PMOS構造によって保護素子を形成する場合、ソース(ドレイン)とゲートには電源電位Vccが供給され、ドレイン(ソース)は外部入力パッドに接続される。
【0028】
図2は、本形態における入力保護素子としてのGGNMOS104の上面構造を示す平面図である。図2において、201はドレイン(あるいはソース)領域、202はゲート電極、203はソース(あるいはドレイン)領域、204はシールド・プレート電極である。以下において、201はドレイン領域、203はソース領域として説明される。電極とシリコン層の間、及び各要素の上には絶縁膜(不図示)が形成される。
【0029】
ドレイン領域201の絶縁膜には、外部パッド101との接続を提供するための複数のコンタクト・ホール205が形成されている。このコンタクト・ホール205を介して、GGNMOS104のドレインが、外部パッド101と内部回路102に接続される。ソース領域203の絶縁膜には、GGNMOS104のソースとグランドとの接続を提供するための複数のコンタクト・ホール206が形成されている。スルーホールを介した接続は、典型的には、アルミ配線層によって行うことができる。
【0030】
ゲート電極202上の絶縁膜には、ゲート電極202とグランドとの接続を提供するためのコンタクト・ホール207が形成されている。シールド・プレート電極204上の絶縁膜にはシールド・プレート電極204とグランドもしくは電源配線との接続を提供するためのコンタクト・ホール208が形成されている。シールド・プレート電極204は、グランドもしくはVccに接続することができる。回路構造をより単純化したものとするためには、シールド・プレート電極204は、グランドに接続されることが好ましい。シールド・プレート電極204は、所定の電位に固定されることによって、各素子間の電気的分離を提供することができる。
【0031】
ゲート電極202はリング状に形成されている。リング・ゲート電極202の内部にドレインが形成され、リング・ゲート電極202の外部にソースが形成されている。本例のゲート電極202は、実質的に矩形状に形成され、各コーナが面取りされている。コーナの面取りを行うことによって、コーナにおけるソース−ドレイン間の電流密度の不均一を抑制することができる。ゲート電極202は、好ましくは、8角形以上の多角形、もしくは円状に形成される。これにより、ソース−ドレイン間の電流密度をより均一化することができる。
【0032】
リング・ゲート電極202のゲート長Lは、保護素子として最適なLが選択される。スルーホール207は、グランドに接続されるソース側に突出した、ゲート電極202の突出部上に形成されている。ゲート電極202とソースは、共にグランドに接続されるため、スルーホール207がゲート電極202を突き抜けた場合の問題を防ぐことができる。
【0033】
シールド・プレート電極204はリング状に形成されており、MOS構造の周囲を囲んでいる。つまり、シールド・プレート電極204は、ドレイン(ソース)領域201、ゲート電極202、及びソース(ドレイン)領域203を囲んでいる。シールド・プレート電極204とゲート電極202との間にソース(ドレイン)領域203が形成されている。シールド・プレート電極204の電極長Lは、ゲート電極202よりも大きく設定することができる。本形態のGGNMOS構造は、様々なプロセスによって製造することができる。例えば、シールド・プレート電極204とゲート電極202とを同一のポリシリコン形成工程において、あるいは異なるポリシリコン形成工程によって形成することができる。
【0034】
ゲート絶縁膜とシールド・プレート電極下の絶縁膜の厚さが異なるように、GGNMOS構造を形成することができる。第1の絶縁膜を基板全面に形成し、シールド・プレート電極をその上に形成する。シールド・プレート電極をパターニングした後に、第1の絶縁膜を除去する。その後、全面にゲート絶縁膜を形成し、MOSFETのゲート電極を形成する。この場合、シールド・プレート電極下の絶縁膜厚さを、ゲート絶縁膜と独立に設定することができ、設計のフレキシビリティが向上する。この逆に、先にゲート絶縁膜、ゲート電極を形成し、その後、シールド・プレート電極絶縁膜とシールド・プレート電極を形成してもよい。
【0035】
図3は、GGNMOS104の構造を示す断面図であって、図2における矢視X−X‘間の断面構造を示している。説明の明確化のため、基板上のゲート酸化膜、層間絶縁膜あるいは金属配線層などの一部構成が省略され、あるいは簡略化された構造が示されている。図3において、301はPシリコン基板、302は埋め込み酸化膜層、304はSOI(Silicon On Insulator)層である。SOI層304(以下、シリコン層)には、予め不純物注入がなされており、比較的低濃度のP−層となっている。
【0036】
シリコン層304には、N+ソース拡散層305及びN+ドレイン拡散層306が形成されている。ゲート電極202の内側のシリコン層にN+ソース拡散層305が形成され、外側のシリコン層にN+ドレイン拡散層306が形成されている。N+ソース拡散層305及びN+ドレイン拡散層306の間であって、ゲート電極202の下には、Nチャネルが形成されるP−シリコン領域307がある。さらに、シリコン層304は、シールド・プレート電極240の外側に、P+拡散層308が形成されている。P+拡散層308とN+ソース拡散層305の間であって、シールド・プレート電極240の下は、P−シリコン領域309である。本形態のGGNMOS104の構造は、LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)酸化物層やSTI(Shallow Trench Isolation)酸化物層によって、素子を分離していない。
【0037】
本形態の保護回路は、素子間の電気分離を、素子の周囲を囲い、所定電位に固定されたシールド・プレート電極240によって行う。シールド・プレート電極240は、好ましくは、グランド電位もしくは電源電位Vccが与えられる。この構造において、埋め込み酸化膜302の上層において、素子間に電気的分離を行うための酸化物層が形成されていないため、GGNMOS104からの熱伝播を効果的に行うことができ、高い放熱効果を実現することができる。これにより、GGNMOS104のESD耐量を向上することができる。さらに、GGNMOS104はリング状のゲート電極202を備えており、ソース−ドレイン間の電流密度低下することによって、素子の発熱を抑制することができる。このように、リング・ゲート電極とリング状のシールド・プレート電極を併せ持つことによって、GGNMOS104の熱によるESD耐量の低下を効果的に抑えることができる。
【0038】
図3は、埋め込み酸化物層が拡散領域の直下に形成され、チャネル下のボディ領域が全て空乏化される完全空乏型SOI−MOSの例を示している。本発明は、完全空乏型SOI構造に限らず、部分空乏型SOI構造、あるいはSOI構造とは異なる、いわゆるバルク構造の半導体回路装置にも適用することができる。これら構成において、保護素子を構成する拡散層側面(基板表面に平行な方向)に素子分離酸化物層が必要とされないため、保護素子の放熱性を向上することができる。
【0039】
尚、熱伝播の観点から、本発明は、SOI構造、特に完全空乏型SOI−MOSにおいて大きな効果を奏し、これら構造に適用することが特に好ましい。尚、図3において、シールド・プレート電極204の外側にはP+拡散層が形成されているが、SOI層の不純物濃度層、もしくは、N型の不純物拡散層であることが可能である。シールド・プレート電極204へ供給される電位は、構造に従って適切なものが選択される。
【0040】
実施の形態2.
図4は、第2の実施形態における保護回路400の上面構造を示す平面図である。本形態の保護回路は、隣接するGGNMOS間に、さらに、素子間シールド・プレート電極を備えている。素子間シールド・プレート電極は、素子間のキャリア注入などの影響を抑制することができる。図4において、401は第1の保護素子のシールド・プレート電極、402は第2の保護素子のシールド・プレート電極、403は第1の素子間シールド・プレート電極、404は第2の素子間シールド・プレート電極である。第1及び第2の素子間シールド・プレート電極は所定の電位に固定され、好ましくはグランド電位もしくは電源電位Vccが与えられる。特に好ましくは、電源電位Vccが与えられる。第1及び第2の素子間シールド・プレート電極は、物理的に連続した電極として形成すること、あるいは、分離された電極として形成することができる。これら2つの電極には、必ずしも同一電位が供給されなくともよい。
【0041】
図5は、保護回路400の構造を示す断面図であって、図4における矢視Y−Y‘によって指示されている部分の断面構造を示している。シリコン層304には、第1及び第2のシールド・プレート電極403、404の間に、N+拡散層501が形成されている。N+拡散層501とP+拡散層308の間であって、第1及び第2の素子間シールド・プレート電極403の下は、P−シリコン層502である。第1及び第2の素子間シールド・プレート電極403、404には、グランド電位または電源電位Vccが与えられることが好ましい。N+拡散層501は、好ましくは、電源電位Vccが与えられる。電源電位Vccを与えることによって電子を集めることができる。
【0042】
保護素子の間に2つのシールド・プレート電極を配置し、シールド・プレート電極間のシリコン層に、シリコン層の導電型とは反対導電型の拡散層を形成することによって、他の保護素子がサージ放電時に発生するキャリアのインジェクションを抑制することができる。これによって、素子分離をより効果的に行うことができる。上記素子間分離構造によって、保護素子間のピッチを小さくすることができる。特に、シールド・プレート電極あるいは反対導電型の拡散層に、キャリアを集める電位を与えることによって、キャリア注入の抑制効果をさらに大きくすることができる。
【0043】
尚、第1及び第2の素子間シールド・プレート電極は、保護素子のシールド・プレート電極と同様のプロセスによって形成することができる。図4は保護素子間に形成された拡散層と素子間シールド・プレート電極を示しているが、拡散層と素子間シールド・プレート電極は、内部回路と保護素子との間を含む、保護素子が形成されている領域の周囲に形成され、保護素子の周囲を囲むことが好ましい。尚、スクライブ線がある場合、スクライブ線側には拡散層と素子間シールド・プレート電極は形成しなくともよい。
【0044】
内部回路と保護素子間に拡散層と素子間シールド・プレート電極を形成することによって、内部回路と保護素子間の素子分離酸化膜を省くことができ、放熱性を向上する。あるいは、N+拡散層を、Nウェル内に設けることは効果的である。又、本発明の保護回路構造は、2以上の拡散層、及び各拡散層の両側に配置される素子間シールド・プレート電極を備えることができる。
【0045】
実施の形態3.
図6は、第3の実施形態における保護回路600の構成を示す平面図である。本形態の保護回路600は、複数の保護素子が並列に接続された保護素子群を、複数備えている。601は外部パッドであって、本例においては3つの外部接続パッド601a−cが示されている。602は複数の保護素子が並列に接続されている保護素子群であって、本例においては3つの保護素子群602a−cが示されている。保護素子群602a−cのそれぞれは、外部接続パッド601a−cのそれぞれに対応し、各保護素子群は、外部接続パッドに接続される内部回路の保護回路、もしくは保護素子として機能する。保護素子群602に含まれる保護素子の数は、適宜設計によって決定される。
【0046】
603は保護素子群の間に形成された、保護素子群間シールド・プレート電極である。本例においては、各保護素子群の間に、2つのシールド・プレート電極のペア603a・b、あるいは603c・dが形成されている。さらに、保護素子群602と内部回路との間に、2つのシールド・プレート電極603e・fが形成されている。SOI層と反対導電型の拡散層と、その拡散層を挟むシールド・プレート電極を備えることによって、隣接する保護素子群からのインジェクションを抑制することができる。又、内部回路と保護素子群との間に拡散層と素子間シールド・プレート電極を形成することによって、電気的分離をより効果的に行うことができる。さらに、内部回路と保護素子群との間の分離酸化物層を省くことができ、放熱性を向上することができる。シールド・プレート電極下部の断面構造は、図5に示された構造と実質的に同様である。
【0047】
シールド・プレート電極603及び電極間拡散層にはスルーホール(不図示)を介して、好ましくはグランド電位、もしくは、さらに好ましくはVcc電位が供給される。各外部パッド601には、実質的に、図2に示した複数の保護素子が並列に接続されている。これによって、各MOSのソース−ドレイン間電流密度を小さくすることができるので、保護回路における発熱量を小さくすることができる。又、一つの大きなリング・ゲートとシールド・プレート電極を備える保護素子と比較し、複数の保護素子を並列に接続することによって、電流密度の均一性を向上することができる。
【0048】
図7は、保護素子群602の一部構成を示す平面図である。図7において、701はリング状のゲート電極、702は格子状のシールド・プレート電極である。本例においては、格子状シールド・プレート電極702の開口部内にゲート電極701が配置される構成が示されている。図7においては、4つのリング・ゲート電極701a−dが例示されている。保護素子群602の各保護素子はそれぞれ並列に接続されており、各リング・ゲート電極701はアルミ配線層で接続され、グランド電位が供給されている。シールド・プレート電極702は、隣接する各素子間において共有されている。シールド・プレート電極702は、好ましくはグランド電位が供給される。
【0049】
NMOS構造において、リング・ゲート電極701の内側及び外側のシリコン層には、N+拡散層が形成されている。リング・ゲート電極701及びシールド・プレート電極702の下のシリコン層は、P−層である。保護素子群602の外側のシリコン層には、典型的には、P+拡散層が形成される。本形態においては、隣接する保護素子がシールド・プレート電極702を共有しているが、各保護素子はそれぞれ異なるシールド・プレート電極を備えることができる。
【0050】
例えば、図2および図3に示された構造を備える保護素子を、基板上に配列することによって、保護素子群を形成することができる。各保護素子のシールド・プレート電極は、上層のアルミ配線層において接続され、アルミ配線層はグランド配線に接続される。尚、保護回路分離用拡散層と素子間シールド・プレート電極は、内部回路と保護素子群との間を含む、保護素子群が形成されている領域の周囲に形成され、保護素子群の周囲を囲むことが好ましい。これによって、保護素子群の電気的分離をより効果的に行うことができる。
【0051】
【発明の効果】
本発明は、保護回路の電圧耐量を向上する半導体回路構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係る保護回路の回路構成を示す回路図である。
【図2】第1の実施形態に係る保護素子の上面構造を示す平面図である。
【図3】第1の実施形態に係る保護素子の断面構造を示す断面図である。
【図4】第2の実施形態に係る保護回路の上面構造を示す平面図である。
【図5】第2の実施形態に係る保護回路の断面構造を示す断面図である。
【図6】第3の実施形態に係る保護回路の上面構造を示す平面図である。
【図7】第3の実施形態に係る保護回路の断面構造を示す平面図である。
【図8】従来の技術における保護素子の断面構造を示す断面図である。
【符号の説明】
101 外部入力パッド、102 内部回路、103 入力保護回路、104 GGNMOS、201 ドレイン領域、202 ゲート電極、203 ソース領域、204 シールド・プレート電極、205、206、207、208 コンタクト・ホール、301 Pシリコン基板、302 埋め込み酸化膜層、304SOI層、305 N+ソース拡散層、306 N+ドレイン拡散層、307P−シリコン領域、308 P+拡散層、309 P−シリコン領域、401第1の保護素子のシールド・プレート電極、402 第2の保護素子のシールド・プレート電極、403 第1の素子間シールド・プレート電極、404 第2の素子間シールド・プレート電極、501 N+拡散層、502 P−シリコン層、601 外部接続パッド、602 保護素子群、603保護素子群間シールド・プレート電極、701 リング・ゲート、702格子状シールド・プレート電極
Claims (14)
- 保護回路を備える半導体回路装置であって、前記保護回路は、
第1の電位が与えられるリング・ゲートと、
前記リング・ゲートの内側に形成された第1の不純物拡散層と、
前記リング・ゲートの外側に形成された第2の不純物拡散層と、
前記第2の不純物拡散層を囲むように形成され、第2の電位が与えられるシールド電極と、を備え、
前記第1及び第2の不純物拡散層の一方は保護すべき回路に接続され、他方は前記第1の電位が与えられる、半導体回路装置。 - 前記第1の電位はグランド電位であり、前記第2の電位はグランド電位もしくは電源電位である、請求項1に記載の半導体回路装置。
- 前記第1の電位は電源電位であり、前記第2の電位はグランド電位もしくは電源電位である、請求項1に記載の半導体回路装置。
- 前記第1及び第2の不純物拡散層より下の層に、絶縁層が形成されている、請求項1に記載の半導体回路装置。
- 前記シールド電極の外側に、前記第2の不純物拡散層と反対導電型の拡散層が形成されている、請求項1に記載の半導体回路装置。
- さらに、前記保護回路の請求項1に記載された構成要素と同一の構成要素を含む他の保護回路を備え、
前記保護回路と前記他の保護回路との間には、電気的分離のための絶縁物層が形成されていない、請求項1に記載の半導体回路装置。 - さらに、前記保護回路の請求項1に記載された構成要素と同一の構成要素を含む他の保護回路と、
前記保護回路と前記他の保護回路との間に形成された、第1の回路間シールド電極、及び第2の回路間シールド電極と、
前記第1の回路間シールド電極と前記第2の回路間シールド電極の間のシリコン層に形成された、前記シリコン層と反対導電型の拡散層と、
を備える、請求項1に記載の半導体回路装置。 - 前記保護回路と他の保護回路とは、外部パッドと内部回路との間に接続されており、
さらに、前記内部回路と前記保護回路との間、及び、前記内部回路と前記他の保護回路との間において、2つの回路間シールド電極と、前記2つの回路間シールド電極の間のシリコン層に形成された前記シリコン層と反対導電型の拡散層と、を備える、請求項7に記載の半導体回路装置。 - 前記第1及び第2の回路間シールド電極には、前記保護回路と他の保護回路間のインジェクションを引き起こすキャリアを集めるように電位が与えられている、請求項7記載の半導体回路装置。
- 前記シリコン層と反対の導電型の拡散層には、前記保護回路と他の保護回路間のインジェクションを引き起こすキャリアを集めるように電位が与えられている、請求項9に記載の半導体回路装置。
- 前記保護回路は、並列に接続された複数の回路要素を備え、
前記複数の回路要素のそれぞれは、
第1の電位が与えられるリング・ゲートと、
前記リング・ゲートの内側に形成された第1の不純物拡散層と、
前記リング・ゲートの外側に形成された第2の不純物拡散層と、
前記第2の不純物拡散層を囲むように形成され、第2の電位が与えられるシールド電極と、を備え、
前記第1及び第2の不純物拡散層の一方は保護すべき回路に接続され、他方は前記第1の電位が与えられる、請求項1に記載の半導体回路装置。 - 前記シールド電極は、隣接する回路要素間で共有されている、請求項11に記載の半導体回路装置。
- 複数の保護回路を備える半導体回路装置であって、
第1の保護回路と、
前記第1の保護回路と異なる第2の保護回路と、
前記第1の保護回路と前記第2の保護回路との間に素子分離絶縁膜を形成することなく、前記第1の保護回路と前記第2の保護回路との間に形成された素子分離のためのシールド電極と、
を備える半導体回路装置。 - 前記半導体回路装置は外部パッドと内部回路とを備え、前記第1の保護回路と前記内部回路との間にシールド電極が形成されている、請求項13に記載の半導体回路装置。
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