TW407352B - Semiconductor device - Google Patents

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Description

五、發明說明（1) 發明背景 發明之領域 本發明係關於封裝半導體裝置。 此申請案基於日本專利申請案平〇 9 - 2 9 2 9 4 1號，參考之並 在此包含其内容。 相關技術之描述 過去，為了除去包含突起電極之封裝半導體裝置如反 裝晶片所吸收的濕氣，建議使用封裝半導體裝置在帽部形 成有通氣孔，與封裝半導體裝置包含形成在絕緣基板的通 氣孔。 圖6顯示封裝半導體裝置之一例，其包含形成在絕緣 基板上之平行於半導體晶片厚度方向上的通氣孔。 在圖6中，參考號數1〜9分別表示帽部、補強環、絕緣 基板、半導體晶片、封入樹脂、B G A焊錫凸塊、黏著材 料、焊錫凸塊與通氣孔。 如圖6所示，在習知封裝半導體裝置中的濕氣通常經 由絕緣基板3上未放置半導體晶片4處所形成的通氣孔9而 排出。 此外，舉例來說，濕氣也可經由圖7所顯示之封裝半 導體裝置之帽部1中平行於半導體晶片厚度方向上所形成 的通氣孔1 0而排出。 如圖7所示在絕緣基板3中形成通氣孔9並非必需；因
C:\Program Files\Patent\P1240. ptd 第5頁 __407352_ 五、發明說明（2) 此，可以增加絕緣基板3上的配線密度，而回應於增加引 腳的趨勢。 當將封裝半導體裝置裝載在使用如習用焊錫之連結材 料的印刷基板上時，封裝半導體裝置與印刷基板間的連結 係使用一回流烘箱將連結材料加熱至高於其融化溫度，藉 此將連結材料融化、冷卻並固化。在此情況中將封裝半導 體裝置加熱；因此，吸收在封裝半導體裝置内部的濕氣將 蒸發，或者形成在封裝半導體裝置内部的空氣將膨脹。因 此，封裝半導體裝置内部的壓力突然上升。接著，封裝半 導體裝置内部的應力變高，而半導體裝置則龜裂；因此， 封裝半導體裝置的可靠度降低。為了維持習知封裝半導體 裝置的可靠度，藉由經圖6或7所顯示之通氣孔9與10除去 濕氣以將施加在封裝半導體裝置的應力減小。 在習知封裝半導體裝置中，將用於連接半導體晶片4 與絕緣基板3的電極，與配線並排著排列在絕緣基板3上並 圍繞其四週。因此，當欲將通氣孔9形成在絕緣基板3上未 放置半導體晶片4處時，則產生以下問題：弓丨腳的數量愈 大，愈難確保通氣孔的位置。再者，將通氣孔9的直徑做 小以確保用於形成通氣孔9的位置，並產生價格增加的問 題。再者，用於裝載封裝半導體裝置的BGA焊錫凸塊6係放 置在絕緣基板3的下面；因此，應將通氣孔9形成在該B G A 焊錫凸塊6之間。因此，當將封裝半導體裝置裝載在印刷 板如母板上時，熔接劑及熔接劑的清洗溶劑會進入通氣孔 9中，結果封裝半導體裝置的可透性變差。
C:\Program Files\Patent\P1240. ptd 第6頁 407352 五、發明說明（3) 由於這些原因，在絕緣基板3上形成通氣孔9變得愈來 愈困難。 此外，如圖7所示在帽部1形成通氣孔1 0曾被建議使 用。當在帽部1放置一散熱片以增進散熱性時，產生通氣 孔1 0被該散熱片覆蓋的問題；因此無法確保封裝半導體裝 置的可透性。再者，在反裝晶片封裝中，封裝半導體裝置 中產生的熱藉由半導體晶片的表面與帽部1接觸而散失。 因此，當如圖8所示在帽部1中形成通氣孔1 0時，用於散熱 的面積很小。因此，產生封裝半導體裝置的散熱性變差的 問題。 發明概要 因此本發明的一目的為提供一種封裝半導體裝置，其 具有高可靠度可解決由裝載大量引腳所導致的問題，亦即 配線密度變高且其散熱性降低的問題；且其可將氣相的高 壓濕氣從其内部釋放到外部。 依照本發明的一實施態樣，本發明提供一種封裝半導 體裝置包含： 補強環，其位在包含突起電極於絕緣基板上之半導體 晶片的四周， 樹脂，用以填充該半導體晶片與該絕緣基板間的空 隙；與 帽部，位在該半導體晶片與該補強環上， 其中在垂直於半導體晶片之厚度的方向上形成至少一
C:\Program Files\Patent\P1240. ptd 第7頁 4Π7352 五 '發明說明（4) 通氣孔。 依照本發明之封裝半導體裝置，可確保通氣孔的 性。因此，可將氣相的高壓濕氣從其内部釋放到外部 避免其中的龜裂發生。因此，可增進封裝半導體裝置 靠度。 此外，可將通氣孔形成在各種絕緣基板與帽部上 再者，將通氣孔形成在各種絕緣基板與帽部上並 需；因此，本發明的封裝半導體裝置可以滿足增加引 數量的趨勢。 特別是，當在帽部與補強環之間的邊界或補強環 緣基板之間的邊界形成通氣孔時，可更容易地得到具 可靠度而低成本的封裝半導體裝置。 此外，當補強環係包含補強環片段時，通氣孔係 在補強環片段之間的空間中，且通氣孔可藉由補強環 之排列而形成。可比本發明之上述封裝半導體裝置更 地得到該封裝半導體裝置；且可降低成本。 依照本發明之另一實施態樣，本發明提供一種用 裝半導體裝置的帽部，其中在垂直其厚度的方向上形 氣孔。 依照本發明之再另一實施態樣，本發明提供一種 封裝半導體裝置的補強環，其中在垂直其厚度的方向 成通氣孔。 圖式之簡單說明 可透 ，並 的可 非必 腳之 與絕 有南 形成 片段 容易 於封 成通 用於 上形
第8頁 C: \Program Files\Patent\P1240. ptd 五、發明說明（5) 圖1為顯示本發明第1實施例之封裝半導體裝置的橫剖 面圖。 圖2A為顯示圖1所顯示之封裝半導體裝置中所使用的 包含通氣孔的帽部的示意平面圖。 圖2B為顯示圖1所顯示之封裝半導體裝置中所使用的 包含通氣孔的帽部的示意側面圖。 圖3為顯示本發明第2實施例之封裝半導體裝置中所使 用的補強環的橫剖面圖。 圖4A為顯示圖3所顯示之封裝半導體裝置中所使用的 包含通氣孔的補強環的示意平面圖。 圖4 B為顯示圖3所顯示之補強環的示意側面圖。 圖5 A為顯示本發明第3實施例之封裝半導體裝置所構 成的補強環片段的示意平面圖。 圖5 B為顯示本發明第3實施例之封裝半導體裝置所構 成的補強環片段的示意平面圖。 圖6為顯示習知封裝半導體裝置包含形成在絕緣基板 上之平行於半導體晶片厚度方向上的通氣孔的橫剖面圖。 圖7為顯示習知封裝半導體裝置包含形成在帽部上之 平行於半導體晶片厚度方向上的通氣孔的橫剖面圖。 圖8為顯示包含圖7所顯示之封裝半導體裝置之帽部的 示意平面圖。 符號說明 1〜帽部
C:\Program Files\Patent\P1240. ptd 第9頁 4G7352 五、發明說明（6) 2 ~補強環 3 ~絕緣基板 4 ~半導體晶片 4a〜半導體電路 5〜封入樹脂. 6〜BGA焊錫凸塊 7〜黏著材料 8〜焊錫凸塊 9 - 1 3〜通氣孔 2 0〜補強環 2 0 a〜補強環片段 較佳實施例之詳細說明 以下將以圖1 ~ 5詳細說明本發明的封裝半導體裝置。 此外，為了簡化關於圖1〜5所顯示之組成物的說明，與圖 6〜8所顯示之構造相同的構造將以與圖6〜8相同的參考號數 表示。 將半徑150 mm且包含突起電極如焊錫凸塊8的半導體 晶片4裝載在絕緣基板3上而形成圖1所顯示之封裝半導體 裝置；以封入樹脂5如環氧基樹脂填充焊錫凸塊8與絕緣基 板3之間的空隙；黏著以銅製成的補強環2 ;將半徑0 . 6 mm 的焊錫球6黏著於絕緣基板3上；將黏著材料7如環氧基樹 脂塗布在半導體晶片4的表面與補強環2的表面；並將圖2A 與2B所示具有寬度2 mm之溝槽的帽部以黏著材料7黏著至
C:\Program Files\Patent\P1240. ptd 第10頁 407352 五、發明說明（7) 半導體晶片4與補強環2。 圖2 A與2 B顯示本實施例中所使用的帽部。此外，在圖 2A中，參考號數4a表示位在半導體晶片4中心的半導體電 路。在帽部1的邊緣形成複數個溝槽1 2。 如圖1所示，帽部係以黏著材料7黏著至補強環2與半導 體晶片4。以黏著材料7將帽部1黏著至半導體晶片4的表面 與補強環2的表面而不覆蓋溝槽12，其將形成為通氣孔 12 ° 本實施例之包含帽部1的半導體裝置具有極佳的可透 性。此外，可以經由形成在本實施例之帽部1的溝槽1 2即 通氣孔1 2，充份地除去封裝半導體裝置所吸收的濕氣。 圖3顯示本發明第2實施例之封裝半導體裝置的橫剖面 圖。此封裝半導體裝置係以與第1實施例中相同的方式而 得到的，除了 ：將具有溝槽1 1 ，其形成通氣孔1 1 ，的補強 環2黏著至帽部1來取代將具有溝槽1 2，其形成通氣孔1 2， 的帽部1黏著至半導體晶片4與補強環2。此外，也以黏著 材料7將補強環2黏著至帽部1而不覆蓋將形成通氣孔1 1的 溝槽1 1。 本實施例之包含補強環2的半導體封裝具有極佳的可 透性。此外，可以經由本實施例之形成在補強環2的溝槽 1 1即通氣孔1 1充份地除去封裝半導體裝置所吸收的濕氣。 圖5顯示用於本發明第3實施例之補強環2 0的平面圖。 補強環20包含由銅製成的補強環片段20a。將這些補強環 片段2 0 a放置在絕緣基板3上以圍繞半導體晶片4。使用這
C:\Program Files\Patent\P1240. ptd 第11頁 407352 五、發明說明（8) 些補強環片段2 0 a所得到的封裝半導體裝置的構造係實際 上與圖1所顯示之封裝半導體裝置的構造相同。 本發明之包含補強環片段2 0 a的半導體封裝具有極佳 的可透性。此外，可以藉由本實施例之形成在補強環片段 2 0 a之間的空間1 3即通氣孔1 3充份地除去封裝半導體裝置 所吸收的濕氣。 在這些實施例中將這些通氣孔1 1 、1 2與1 3形成在並不 接觸散熱片或補強環2之帽部1的表面上；因此，可以確保 這些通氣孔1 1、1 2與1 3的可透性，即使當將散熱片裝載在 封裝半導體裝置上以確保其散熱性時也是如此。 此外，這些通氣孔11、12與13未被形成在與散熱片或 絕緣基板3接觸以從半導體晶片4散熱之帽部1的表面上； 因此，可以確保用於散熱之足夠大的面積。因此，本封裝 半導體裝置具有極佳的散熱性。 再者，如圖6所示之在絕緣基板3具有通氣孔9的習知 封裝半導體裝置的龜裂發生率，與如圖7所示之在帽部1形 成通氣孔10的習知封裝半導體裝置的龜裂發生率約為40 %。對照之下，本發明之這些實施例的封裝半導體裝置不 會龜裂。此外，不論半導體晶片4與絕緣基板3的種類為 何，可以將本實施例的通氣孔分別形成在帽部1與補強環2 上。因此，本發明的封裝半導體裝置可以滿足增加引腳之 數量的趨勢。
C:\Program Files\Patent\P1240. ptd 第12頁

Claims (1)

  1. /補充 室號 871174RR 六、申請專利範圍 1 . 一種半導體封裝，包含： 晶片：：：：其位在包含突起電極於絕緣基板上之半導體 樹脂’用以填充該半導體晶片與該絕緣基板間的空 隙，與 帽部’位在該半導體晶片與該補強環上， 其中在垂直於半導體晶片之厚度的方向上形成至少一 通氣孔。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝，其中該 至少一通氣孔係形成在該帽部上》 3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體封裝，其中該 至少一通氣孔係形成在與該補強環接觸之該帽部的表面 上。 4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝，其中該 至少一通氣孔係形成在該補強瓖上。 5. 如申請專利範圍第2項所述之半導艘封裝，其中該 矣少通氣孔係形成在與該絕緣泰板接觸之該補強環的表 面上。 6. 如申請專利範圍第丨項所述之半導體封裝，其中該 補強瓖包含補強環片段’且該多少一通氣孔係形成在補強 環片段之間的空間中。 7. —種封裝半導體裝置，其包含如申請專利範圍第1 項所述之半導體封裝。
    2000.05.17.014
    /補充 室號 871174RR 六、申請專利範圍 1 . 一種半導體封裝，包含： 晶片：：：：其位在包含突起電極於絕緣基板上之半導體 樹脂’用以填充該半導體晶片與該絕緣基板間的空 隙，與 帽部’位在該半導體晶片與該補強環上， 其中在垂直於半導體晶片之厚度的方向上形成至少一 通氣孔。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝，其中該 至少一通氣孔係形成在該帽部上》 3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體封裝，其中該 至少一通氣孔係形成在與該補強環接觸之該帽部的表面 上。 4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝，其中該 至少一通氣孔係形成在該補強瓖上。 5. 如申請專利範圍第2項所述之半導艘封裝，其中該 矣少通氣孔係形成在與該絕緣泰板接觸之該補強環的表 面上。 6. 如申請專利範圍第丨項所述之半導體封裝，其中該 補強瓖包含補強環片段’且該多少一通氣孔係形成在補強 環片段之間的空間中。 7. —種封裝半導體裝置，其包含如申請專利範圍第1 項所述之半導體封裝。
    2000.05.17.014
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000349178A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
TW454320B (en) * 2000-05-12 2001-09-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor devices with heat-dissipation stiffener and manufacturing method thereof
US6391683B1 (en) * 2000-06-21 2002-05-21 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Flip-chip semiconductor package structure and process for fabricating the same
US6362522B1 (en) * 2000-06-28 2002-03-26 Advanced Micro Devices, Inc. Cool frame for protecting packaged electronic devices
US6979595B1 (en) * 2000-08-24 2005-12-27 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic devices with pressure release elements and methods for manufacturing and using such packaged microelectronic devices
US7242088B2 (en) * 2000-12-29 2007-07-10 Intel Corporation IC package pressure release apparatus and method
US7015072B2 (en) * 2001-07-11 2006-03-21 Asat Limited Method of manufacturing an enhanced thermal dissipation integrated circuit package
JP3983120B2 (ja) * 2001-07-30 2007-09-26 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 Ｉｃチップの実装構造及びディスプレイ装置
US6552267B2 (en) * 2001-08-13 2003-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Microelectronic assembly with stiffening member
US6813162B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and apparatus for supporting circuit component having solder column array interconnects using interposed support shims
US6882041B1 (en) * 2002-02-05 2005-04-19 Altera Corporation Thermally enhanced metal capped BGA package
US6703704B1 (en) * 2002-09-25 2004-03-09 International Business Machines Corporation Stress reducing stiffener ring
US6773964B2 (en) * 2002-09-30 2004-08-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated circuit package including sealed gaps and prevention of vapor induced failures and method of manufacturing the same
US6900531B2 (en) * 2002-10-25 2005-05-31 Freescale Semiconductor, Inc. Image sensor device
TWI286832B (en) * 2002-11-05 2007-09-11 Advanced Semiconductor Eng Thermal enhance semiconductor package
US6818978B1 (en) * 2002-11-19 2004-11-16 Asat Ltd. Ball grid array package with shielding
US6833628B2 (en) * 2002-12-17 2004-12-21 Delphi Technologies, Inc. Mutli-chip module
US7071545B1 (en) 2002-12-20 2006-07-04 Asat Ltd. Shielded integrated circuit package
JP4390541B2 (ja) 2003-02-03 2009-12-24 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2004265929A (ja) * 2003-02-13 2004-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波多層プリント基板
US7126210B2 (en) * 2003-04-02 2006-10-24 Stmicroelectronics, Inc. System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid
US7218000B2 (en) * 2003-06-27 2007-05-15 Intel Corporation Liquid solder thermal interface material contained within a cold-formed barrier and methods of making same
US7180745B2 (en) * 2003-10-10 2007-02-20 Delphi Technologies, Inc. Flip chip heat sink package and method
JP4423462B2 (ja) * 2003-12-22 2010-03-03 富士電機システムズ株式会社 半導体パワーモジュール
US6905910B1 (en) * 2004-01-06 2005-06-14 Freescale Semiconductor, Inc. Method of packaging an optical sensor
JP4198072B2 (ja) * 2004-01-23 2008-12-17 シャープ株式会社 半導体装置、光学装置用モジュール及び半導体装置の製造方法
WO2005096731A2 (en) * 2004-03-30 2005-10-20 Honeywell International Inc. Heat spreader constructions, integrated circuitry, methods of forming heat speader contruictions, and methods of forming integrated circuitry
TWI244150B (en) * 2004-12-09 2005-11-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Flash preventing substrate and fabrication method thereof
JP4572383B2 (ja) * 2004-12-13 2010-11-04 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス
JP2006210852A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Toshiba Corp 表面実装型回路部品を実装する回路基板及びその製造方法
JP4746358B2 (ja) * 2005-06-09 2011-08-10 新光電気工業株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4492454B2 (ja) * 2005-06-20 2010-06-30 富士電機システムズ株式会社 パワー半導体モジュール
TWI324378B (en) * 2005-10-21 2010-05-01 Freescale Semiconductor Inc Method of making semiconductor package with reduced moisture sensitivity
EP3527079A1 (en) 2006-10-12 2019-08-21 Galera Labs, LLC Methods of treating oral mucositis
JP4846019B2 (ja) * 2007-02-27 2011-12-28 富士通株式会社 プリント基板ユニットおよび半導体パッケージ
CN101689534A (zh) 2007-07-19 2010-03-31 株式会社藤仓 半导体封装体及其制造方法
JP4909848B2 (ja) * 2007-09-14 2012-04-04 株式会社フジクラ 半導体パッケージの製造方法
JP5252977B2 (ja) * 2007-10-30 2013-07-31 パナソニック株式会社 光学デバイス及びその製造方法
US8008133B2 (en) * 2008-02-11 2011-08-30 Globalfoundries Inc. Chip package with channel stiffener frame
JP5256848B2 (ja) * 2008-05-29 2013-08-07 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US7724526B2 (en) * 2008-10-10 2010-05-25 Delphi Technologies, Inc. Electronic module with heat sink
JP2010103647A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス
JP2010180265A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Minami Kk 板材の貼合方法
JP4798725B2 (ja) * 2009-03-25 2011-10-19 スタンレー電気株式会社 照明装置
JP2010245337A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
WO2011074541A1 (ja) * 2009-12-18 2011-06-23 三菱電機株式会社 電子部品パッケージ
KR101443477B1 (ko) 2010-02-26 2014-09-22 유보틱 인텔릭츄얼 프라퍼티 컴퍼니 리미티드 Ｍｅｍｓ 장치용 반도체 패키지 및 그 제조 방법
CN103097282B (zh) 2010-04-30 2016-01-13 优博创新科技产权有限公司 被配置成用于电气连接到印刷电路板上的气腔封装体以及其提供方法
CN103125019A (zh) 2010-04-30 2013-05-29 优博创新科技产权有限公司 被配置成用于电气连接到印刷电路板上的半导体封装体以及其提供方法
JP5368377B2 (ja) * 2010-06-02 2013-12-18 三菱電機株式会社 電子部品パッケージおよびその製造方法
US20120081872A1 (en) * 2010-09-30 2012-04-05 Alcatel-Lucent Canada Inc. Thermal warp compensation ic package
US20120188721A1 (en) * 2011-01-21 2012-07-26 Nxp B.V. Non-metal stiffener ring for fcbga
DE102011086048A1 (de) 2011-04-07 2012-10-11 Continental Teves Ag & Co. Ohg Gehäuseseitige Trennschicht zur Stressentkopplung von vergossenen Elektroniken
WO2013048965A1 (en) 2011-09-26 2013-04-04 Galera Therapeutics, Llc Methods for treatment of diseases
US20130119529A1 (en) * 2011-11-15 2013-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device having lid structure and method of making same
JP5865115B2 (ja) * 2012-02-21 2016-02-17 セイコーインスツル株式会社 光学センサ装置及びその製造方法
JP2013235123A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 光接続部材および光モジュール
KR102005234B1 (ko) 2012-09-25 2019-07-30 삼성전자주식회사 가이드 벽을 갖는 반도체 패키지
KR101465067B1 (ko) * 2013-08-30 2014-11-26 린나이코리아 주식회사 콘트롤러용 피시비(pcb) 케이스
JP6187144B2 (ja) * 2013-10-23 2017-08-30 富士ゼロックス株式会社 露光装置及び画像形成装置
JP6318556B2 (ja) * 2013-11-11 2018-05-09 セイコーエプソン株式会社 パッケージの製造方法および電子デバイスの製造方法
JP6279414B2 (ja) * 2014-06-12 2018-02-14 浜松ホトニクス株式会社 投受光モジュール
US9666556B2 (en) * 2015-06-29 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Flip chip packaging
MX2018001605A (es) 2015-08-11 2018-09-26 Galera Labs Llc Complejos de anillos macrocíclicos de pentaaza que poseen biodisponibilidad oral.
JP6572118B2 (ja) * 2015-12-04 2019-09-04 日本電信電話株式会社 光部品構造
CN108511404B (zh) * 2017-02-28 2020-03-10 华为技术有限公司 芯片封装系统
FR3066643B1 (fr) * 2017-05-16 2020-03-13 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Boitier electronique pourvu d'une fente locale formant un event
CN109786336A (zh) * 2017-11-13 2019-05-21 华为技术有限公司 封装结构及电子装置
KR102613515B1 (ko) * 2018-01-05 2023-12-13 삼성전자주식회사 솔리드 스테이트 드라이브 장치 및 이를 가지는 데이터 저장 시스템
US10607928B1 (en) 2019-04-08 2020-03-31 International Business Machines Corporation Reduction of laminate failure in integrated circuit (IC) device carrier
US11282763B2 (en) * 2019-06-24 2022-03-22 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Semiconductor device having a lid with through-holes
JP2022126407A (ja) 2021-02-18 2022-08-30 浜松ホトニクス株式会社 光半導体装置
US11923331B2 (en) * 2021-02-25 2024-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Die attached leveling control by metal stopper bumps
CN114203655B (zh) * 2021-11-19 2023-11-03 苏州浪潮智能科技有限公司 芯片封装结构

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57170554A (en) 1981-04-15 1982-10-20 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS61102757A (ja) * 1984-10-26 1986-05-21 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JP2503685B2 (ja) * 1989-10-23 1996-06-05 日本電気株式会社 ヒ―トシンク付半導体装置
JP2924387B2 (ja) 1991-12-16 1999-07-26 株式会社デンソー Ｉｃ応用製品の防水構造
JPH05299536A (ja) 1992-04-17 1993-11-12 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH06132413A (ja) 1992-10-20 1994-05-13 Hitachi Ltd 半導体パッケージ
JP2536456B2 (ja) * 1994-06-27 1996-09-18 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2982631B2 (ja) 1994-11-01 1999-11-29 株式会社村田製作所 電子部品の外装構造
JP3414017B2 (ja) 1994-12-09 2003-06-09 ソニー株式会社 半導体装置
US5956576A (en) * 1996-09-13 1999-09-21 International Business Machines Corporation Enhanced protection of semiconductors with dual surface seal
US5881944A (en) * 1997-04-30 1999-03-16 International Business Machines Corporation Multi-layer solder seal band for semiconductor substrates
US5909057A (en) * 1997-09-23 1999-06-01 Lsi Logic Corporation Integrated heat spreader/stiffener with apertures for semiconductor package

Also Published As

Publication number Publication date
CN1215919A (zh) 1999-05-05
US6410981B2 (en) 2002-06-25
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US20010013640A1 (en) 2001-08-16

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