TW406348B - Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same, and a support apparatus with the cover layer - Google Patents

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五、發明説明（ i〇634« A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 發明领域： 本發明係關於在半導體晶圓處理系統内之一種基材 支撐吸盤。更特定地’本發明係關於一基材支撐吸盤之覆 蓋層。 發明背景： 基材支撐吸盤係廣泛地應用在半導體處理系統内用 以支撐基材。用於高溫半導體處理系統内如高溫物理氣相 沉積（PVD)之-特殊類型之吸盤為陶资靜電吸盤。此等吸 盤被用於在處理期間保持半導體晶圓或其它工件於一固 定位置。此等靜電吸盤包含__或多個電極包埋於—陶完吸 盤王禮。該S免材料典型為銘_氮化物，蝴-氛化物或氧化 鋁摻雜金屬氧化物如二氧化鈦（Ti〇2)或鉻·氧化物或某些 其它具類似阻抗性質之陶走材料。此等型式之陶受在高溫 下特別具有導性。 於使用時&一吸盤電壓被施加至該電極時，一晶圓 齊平地靜止於該吸盤主禮的表面。因為該陶受材料在高溫 下的導電本質’該晶圓主要係藉由強生雷貝克—咖· Rahbek)效應來保持靠於該陶资支撐。此類吸盤係揭示於 1992年3月26核准之美國專利第5，117121號。使用由 陶资製造之吸盤主趙之一缺點為在支撐製造期間該陶走 材料係被”褶疊”以產生相對平滑之表面。此種褶疊產生粒 子黏附至該支撐之表面。此等粒子非常難由諸表面完全移 除。此外，褶*方法可能使該吸盤主體之表面碎裂。從而， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 、-ιτ 線 表紙張尺度ϋ财關家料（CNS ) Α4規格（210X 29^ 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 ___ 406348 bj____ 五、發明説明（） 〜 當吸盤被使用時，粒子自此等碎裂處中不斷地產生。同樣 地，在晶圓處理時，該陶瓷材料會由該晶圓底部磨損該晶 圓氧化物，導致在該處理環境中進一步引入粒狀污染物。 於吸盤使用期間’於吸盤使用期間，該粒子本身可黏附至 晶圓底部且被攜帶到其它處理室或導致於晶圓上所製造 電路之污染。業已發現數萬的污染粒子可在經陶瓷靜電吸 盤夾持後於一已知晶圓之背面發現。 曰本專利申請案第60-261377,於1985年12月24日 公告，揭示一種陶瓷靜電吸盤具有一包埋之支撐表面。該 包埋減少該陶瓷支撐之表面積，其接觸該晶圓•從而，轉 移至晶圓之污染粒子數目被減少。然而，此等被包埋表 面’於該陶資材料及該晶圓底部間保持某程度之接觸。故 而’污染雖然降低但實質上仍存在。 類似地，用於低溫處理（例如低於攝氏3 〇 〇度）之基材 支撐吸盤亦可產生污染粒子其干擾該晶圓處理。此等低溫 吸盤包括靜電吸盤及機械夹持吸盤，其含有晶圓支撐表面 典型由介電材料如氧化銘來製成。此等類型之吸盤亦已發 現會產生粒子污染物其能於晶圓處理期間黏附至該晶圓 之底側。 故而，於此技藝中對一種裝置存在—種需要，該裝置 可於as圓被支撐於一吸盤上時減少該晶囷底部吸附之污 染粒子量。 發明概論； __ 第5頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 士衣·

,1T 4‘ 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇X2?7公釐） ~~ 406348A7 B7 五、發明説明（ 先前技藝士 缺點藉由本發明用來支撐一晶圓或其它 工件，以相對於— ^ 、 吸盤或其它工件支撐體間隔分離之一覆 蓋層所克服 . 符疋地’本發明係一種設置於該吸盤支掠 表面之覆蓋層。妨 琢覆蓋層包含複數個導電板及一種絕緣材 料之塗層。該链4表 ••彖材料大體上覆蓋該吸盤整個表面；然 而’各導電板之—丄 、 上表面穿過該塗層被曝露出。如此，一 晶圓當被置放# 於該覆蓋層時’接觸該導電板且由其所支 撐。 該復蓋層以相對於該吸盤之支撐表面間隔分離下維 持晶圓或其它工件。於該晶圓底側及該吸盤間之距離係 由該導電板之厚度來界定。於該晶圓底側及該絕緣材料面 間之距離’塗層應大於可能會位在該復蓋層表面之污染粒 子預期直枚。以此方式，污染粒子不會在晶圓處理期間黏 附至晶圓底側。 該覆蓋廣係係製自藉由在該吸盤面上沉積導電板，以 絕緣材料塗覆該吸盤面或墊，且由該墊上表面移除絕緣 層以曝露該導電板.更特定地，該導電板係藉由在該基材 支撐吸盤表面上放置一軍版（mask)或型版（stencil)且於該 軍版及吸盤上沉積一導電材料而製成。該罩版確保該導電 材料以一既定方式來沉積，如以一種複數個間隔分離墊， 輻射狀細片’同心環，或其組合。在該等墊沉積後，該罩 版被移除且該絕緣塗層被沉積於該等墊及吸盤面。絕緣材 料層而後特別經由一種回蝕刻（etch-back)技術或拋光方法 來移除以曝露各導電板之上表面，亦即相對於該基材支撐 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 x 29·/公釐） HM —-I1—- - - I —Ml J( In -—- 士衣 1 - 1 I -- ?1 I -- *1τI I --- - HI (諳先閲讀背面之注意事項再填耗本買) 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印聚 -3S4X- 五、發明説明（ A7 B7 ，4〇GSi^ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 吸盤面該導電板之上表面。故而，：當一晶圓被放置在具有 本發明覆蓋層之基材支撐吸盤上，該等導電板支撐該晶圓 於該吸盤面上且提供由晶圓至該陶瓷吸盤本體之導電路 徑0 於半導體晶圓處理期間使用本發明之結果，於處理後 黏附在一晶圓底側之粒子污染物之數目已由數萬個粒子 減少至數百個粒子。此種對粒子數目之實質改進已十明顯 減少於晶圓處理期間所發現有缺陷之晶圓之數目。此外， 於高溫下，於基材支撐吸盤及晶圓間之強生-雷貝克效應 仍維持。此外’該絕緣材料層將陶瓷與大氣分離，故而阻 隔碳氫化合物及其它污染物無法於該吸盤表面形成一導 電膜。 選簡軍說明： 本發明之教示可考量如下詳細描述配合下列的圖式 而輕易地被了解，其中： 第1圖為一本發明覆蓋層之橫截面圖，該覆蓋層位於一基 材支撐吸盤之表面，以支撐一晶圓； 第2圖為於一基材支撐吸盤面上該覆蓋層之描述性頂視 ret · 圃， 第3 A-3F囷顯示製造本發明覆蓋層方法之各個步驟下之基 材支撐吸盤； 為了增進了解，在可能下以相同參照號碼來指示圖中 共同之相同元件。 本紙張尺度通用中關家標隼（CNS ) A4現格（21GX297公發） (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • —- — 五 ---— 一一_1〇6348 A7 B7 發明説明（） 照說明： 100 覆蓋層 102 導電板 104 絕緣材料塗層 106 上表面 108 部份絕緣材料 ‘ 110 支撐夾塊 112 支撐表面，基材支撐件 1 14 電極 120 晶圓 122 晶圓底侧 124 距離 126 間隙 312 漱射遮革 314 開口 350 層

J ：--1—--f--裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --I I -I - - --- · 經濟部中央樣隼局員工消費合作社印製 細說明： 第1囷顯示設置於一基材支撐吸盤之表面上本發明 覆蓋層100之橫截梘圖。該層支撐一晶圓12〇於該基材一 擇吸盤110之表面Π2上方。第2圖顯示於第1囷之覆蓋 層1〇〇内（無晶圓120時）諸導電板102之舉例性囷案之頂 視囷》為求最佳地了解本發明，讀者在讀如下揭示時應同 時參照第1囷及第2圖兩者。 雖然本發明較佳具體例係以一陶瓷靜電吸盤配合使 用來討論，本發明亦可用於支持基材之任何形式之吸^ 括非陶瓷靜電吸盤，機械性夾持吸盤等等。 於該較佳具體例中，該靜電吸盤11()包含— , 或多個 極114包埋於一陶瓷吸盤主體中。該陶资吸 ®王趙為例如 由鋁·氮化物或硼氮化物所製成。該等材料於* w 、问下為 份導電性（相對低電阻性）。如此，於高溫處理期間 訂 支 .泉 包 電 部 該晶 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A 7 ---ia&348_B2___ 五、發明説明（） 一 圓藉強生-雷貝克效應被保持。其它部份導電性陶瓷亦構 成有用高溫吸盤材料，例如氧化鋁摻雜一種鈦-氧化物或 鉻-氧化物。若吸盤僅於低溫使用，而後其它陶瓷及/或介 電材料如氧化鋁被用於形成吸盤主體。一種舉例性陶瓷靜 電吸盤大體上揭示於1 996年4月30號核准之美國專利 5,5 1 1，799號，其併此以為參考。非陶瓷性靜電吸盤之實 例係揭示於1980年1月15號核准之美國專利4，184，188 號及於1983年5月24號核准之美國專利4,3 84,91 8號， 兩者併此以為參考。 覆蓋層100包含複數個導電板102置於該吸盤no之 支撐表面112。典型地’各導電板具有直徑約2毫米且厚 度2-5微米，彼此等距間隔且覆蓋該晶圓表面5%至4〇% 之範圍。較佳地，該金屬材料覆蓋該吸盤11〇之表面積10〇/〇 至25%之範圍。通常，導電板之數目、間距及大小係由靜 電吸盤施加之夾持力之量來決定。例如若力量大且導電板 彼此間隔遠，晶圓於導電板間變弓形。 除了諸導電板以外，該覆蓋層100亦包含一種絕緣材 料之塗層之塗層104。該絕緣材料塗層實質覆蓋該吸盤之 整個表面；然而，各導電板102之一上表面1〇6係透過該 導電材料塗層而曝露^該塗層一種舉例性厚度為約〇.8-1.0 微米。該絕緣材料塗層包覆（blanket)該基材支撐吸盤面及 各導電板侧邊。 故而，當一晶圓120被放置在該覆蓋層1〇〇上，該覆 蓋層以一種相對於該基材支撐表面相隔開來的方式來維 _______IQX_—__ 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---— ^------装------訂—--J---東 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 持該晶圓120。該晶圓底側122接觸各導電板1〇2之上表 面106及緊鄰各導電板1〇2之部份絕緣材料1〇8。從該晶 圓底側122及該吸盤11〇之面U2間之距離ι24係由導電 板102之厚度來決定❶於該晶圓底面122及絕緣材料塗層 104之面116間之間隙126應大於存在於該覆蓋層表面之 污染粒子118之預期直徑。雖然污染粒子傾向於積陷於該 間味126中，該覆蓋層1〇〇可輕易被清除以確保接觸晶圓 120之任何表面實質上不具污染物。 為了促進由晶圓至吸盤本體間熱轉移，一種熱轉移介 質如一種氣體如氦’被泵至該晶圓背面丨22與絕緣材料塗 層面104間之空間126。此冷卻技術以，，背面冷卻”所習知。 該熱轉移介質係經由一開口 210提供，該開口係穿過該吸 盤11〇及覆蓋層100形成。該介質典型係以2-3Osccm之 速率被供應至晶圓底側122。該介質通常由該開口 210向 外朝晶圓邊緣流動且逸入反應室環境中。此種背面冷卻乃 為此技藝中所習知且係一般地揭示於例如於1 993年7月 20日核准’授予Tepman等人之美國專利第5,228,5〇1號 中。重要地’當背面冷卻被使用時，該覆蓋層具有雙重目 的：U)支撐晶圓以減少背側粒子黏附及（2)於吸盤支樓面 上製造熱轉移介質分佈管道。然而，额外熱轉移介質分佈 管道（未顯示）可以於吸盤本體内形成以進一步輔助熱轉移 介質通過晶圓底側122之分佈。 本發明之主要特性為該晶圓係藉由於該覆蓋層内之 導電板相對於該吸盤面分離地被支撐。該特殊導電板圖案 駕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公f ) J— -- --- -:-- I - ij —1 1·*""I —I- - -I 11 - I 1 1^1 ,1 -5 - --- —Mu - I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局貝工消費合作社印製 —--40634^__B7 五、發明~~ ~rr 係由用以形成該板圖案之一種沉積.（濺射）遮軍所決定。該 囷案係基於該吸盤之特殊應用，且考量吸盤.電壓、吸力、 晶圓厚度、晶圓電極囷案、該晶圓所接受之特殊處理等等 來選用。 . 第3A-3F囷顯示於製造本發明覆蓋層ι〇〇之方法於各 個步驟下之基材支撐吸盤丨10。為最佳地了解製造覆蓋層 乏本發明方法，讀者於閱讀如下揭示時應同時參照第3a 闽至3F囷。 第3A围顯示於覆蓋層製造前之一積材支撐吸盤 110。第3B囷顯示第3A囷之基材支撐吸盤u〇具有—溅 射遮罩312(或雕空遮罩）置於基材支撐吸盤面112上以沉 積導電板102。典型地，一金屬如钽、鈦、鎢、鈦_氮化物 等等’於沉積處理期間以放置該濺射遮罩312於該支揮面 112來被沉積於該吸盤本體11〇之支撐面112上β進而， 此等金屬之组合可以”雙層，，來沉積，就此等組合，第—金 屬如&被沉積於支撐面及雕空面軍，及第二金屬如欽-氛 化物被沉積於第一金屬上。一種例示係之濺射遮軍係一般 地揭示於1996年10月25日提出之美國專利申請序號第 08/73 6,8 87號，且併此以為參考。該濺射遮罩具有複數個 開口 314’其界定於該吸盤面112上沉積位置。該等導電 材料係例如使用一種物理氣相沉積方法（PVD)或使用化學 氣相沉積方法（CVD)，電漿喷淋沉積，銅焊接，火燄喷淋 沉積等等來沉積。 第3C圖顯示於導電材料沉積後（層3 5〇)於基材支撐吸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公f ) J---~I I -------袭------訂 I,---«---泉’， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 406348 五、發明説明（） 一 盤丨10<面Π2上之濺射遮軍3121該濺射遮軍由該基材 支轉吸盤110之面112上移除以曝露該基材支撐吸盤11〇 之面112上之導電板102，如第3D囷所示。該導電材料 係以既定囷案沉積，該‘圖案係由該濺射遮軍之開口所決 疋。於移除該遮軍時，在該基材支撐吸盤11()之面112上 留下預定囷案之導電板。， 移除該避射遮罩312後’一絕緣材料1〇4被沉積於該 基材支撐面112及該導電板上，形成一絕緣材料塗層ι〇4 如第3E囷所示。所沉積之絕緣材料委一種材料如矽-氮化 物（ShN4)，矽-氧化物（Si〇2)等等。進而，苡一種此等絕緣 材料之组合可以”雙層”來沉積β就此等組合，第一絕緣材 料層如ShN4被沉積於該支樓面及該導電板，及第二絕緣 材料層如Si〇2被沉積於第一絕緣材料層上。該絕緣材料 典型係使用化學氣相沉積（CVD)方法或其它此等方法來毯 覆式沉積（blanket-deposited)。該絕緣材料層1〇4典型為 1.0微米厚。 於導電材料上之絕緣材料塗層1〇4(如位置342)使用 一種反蝕刻技術或者拋光技術（例如化學-機械拋光（CMp) 方法）來移除絕緣材料104而變薄且曝露各導電板1〇2之 頂面106 。 另外，除了包覆沉積絕緣材料104外，該絕緣材料可 使用遮軍技術選擇性地沉積於導電板間，使得各導電板 102之頂面1〇6未使用反蝕刻或拋光步驟而曝露。 第3F圖顯示具本發明覆蓋層100之基材支撐吸盤。 --- - ^1?·Τ_ 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐) — ^—；--1----. J--表-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,1Τ 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 __406348 B7_ 五、發明説明（） 如此，當一晶圓被放置在具有本發明之基材支撐吸盤時， 該晶圓間隔分離地接觸該覆蓋層且為該覆蓋層所£撐且 實質上與基材支撐體之表面平行。 使用在一陶瓷吸盤表面之本發明覆蓋層導致實質減 少晶圓粒子污染。實驗資料顯示直接於支撐面上支撐一晶 圓之習知陶瓷支撐吸盤會轉移數萬個粒子至一晶圓底 側。然而，使用本發明覆蓋層將位在一晶圓底側之粒子的 粒子數減少至數百個粒子。重要地，該覆蓋層不明顯地干 擾夹持步驟或影響夾持力，例如影響保持晶圓於吸盤上之 強生-雷貝克效應。 此外’該覆蓋層亦將該陶瓷吸盤與大氣分離。實驗資 料顯示該覆蓋層減少吸盤面經驗之大氣有機污染。無此等 吸盤面之分離時，已知有一種導電膜在一陶瓷吸盤表面上 生長。隨著時間，此膜干擾且降解吸力。本發明之使用確 保大氣不接觸陶瓷吸盤面；以此，延長吸盤使用期限· 進而，於吸盤面及晶圓底側間之空間内之一種介電材 料之添加增加該吸力。例如基於該強生雷貝克效應之吸 力（F)已知如下：

F = κ ε' s II t2 其中： κ為一常數； 〆為於該晶圓及該吸盤面間之空間内之介電常數； 本紙張尺度適用中Ϊ國家規格(210¾¾----- I - «II「H--- - n i n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本瓦) ,11 406348 五、發明説明（) t為於該晶圓及該吸盤面間之空間内之長度； V為通過該空間之電壓降；及 S為該吸盤之表面積。 假設於厚度t之空間内之一真空，該介電常數為εο。 當該覆蓋層被採用時，該空間之介電常數變為 Γ，一 £„£ ε-α(ε-ε〇) 其中：£為該覆蓋層之絕緣材料之介電常數；且 α為由該絕緣材料填充之空間厚度之百分率。 由於Si〇2或si3N4之介電常數係約4ε〇，而後ε，>ε() 且使用一絕緣層所產生之吸力大於未使用該絕緣層者。 雖然併入本發明之不同具體例業已在此顯示及詳細 說明，熟悉此技藝者將可輊易設計其它不同具體例其亦併 入此等教示。 ----r,--1!裝------訂-------線 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標挲局貝工消費合作社印製 I準 標 一家 國 一國 尺 i張 -紙 本 Μ \/ Ns

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1. 一種用於覆蓋一工件支撐吸盤之支撐面的覆蓋層，該覆 蓋層至少包含： 複數個導電板位於該支撐面上，其中各導電板具有 一上表面；及 一絕緣材料塗層覆蓋於該支撐面上且曝露該各導電 板之該上表面，該絕緣材料塗層及該導電板被構圖 (patterned)以相對於該工件支撐吸盤之該支撐面間隔開 來的關係來支撐一工件。 2. 如申請專利範圍第1項所述之覆蓋層，其中上述之複數 個導電板為金屬者。 3. 如申請專利範圍第1項所述之覆蓋層，其中製造該導電 板之材料係選自赵、鈥、鎢及鈥-氮化物。 4. 如f請專利範圍第1項所述之覆蓋層，其中各導電板包 含複數層，其中各層之材料係選自钽、鈦、鎢及鈦-氮 化物。 5 .如申請專利範圍第1項所述之覆蓋層，其中製造該絕緣 材料塗層之材料係四氮化三矽。 6.如申請專利範圍第1項所述之覆蓋層，其中製造該絕緣 材料塗層之材料係二氧化矽。 第15頁 裝 訂 ‘承 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1. 一種用於覆蓋一工件支撐吸盤之支撐面的覆蓋層，該覆 蓋層至少包含： 複數個導電板位於該支撐面上，其中各導電板具有 一上表面；及 一絕緣材料塗層覆蓋於該支撐面上且曝露該各導電 板之該上表面，該絕緣材料塗層及該導電板被構圖 (patterned)以相對於該工件支撐吸盤之該支撐面間隔開 來的關係來支撐一工件。 2. 如申請專利範圍第1項所述之覆蓋層，其中上述之複數 個導電板為金屬者。 3. 如申請專利範圍第1項所述之覆蓋層，其中製造該導電 板之材料係選自赵、鈥、鎢及鈥-氮化物。 4. 如f請專利範圍第1項所述之覆蓋層，其中各導電板包 含複數層，其中各層之材料係選自钽、鈦、鎢及鈦-氮 化物。 5 .如申請專利範圍第1項所述之覆蓋層，其中製造該絕緣 材料塗層之材料係四氮化三矽。 6.如申請專利範圍第1項所述之覆蓋層，其中製造該絕緣 材料塗層之材料係二氧化矽。 第15頁 裝 訂 ‘承 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 406348 申請專利範圍 7.如申請專利範圍"项所述之覆蓋層，其中該絕緣材料 塗層包含複數層’含有第一之四氮化三矽層及第二之二 氧化矽層。 8’種基材支撐裝置，其至少包含： 一工件支撐吸盤，其具有一支撐面；及 一復蓋層，用以復蓋該工件支撐吸盤之該支撐面， 該覆蓋層包含： 複數個導電板於該支撐面上，其中各導電板具有_ 上表面；及 一絕緣材料塗層覆蓋該支撐面且不覆蓋該複數個導 電板之上表面，該絕緣材料塗層及該導電板被構圖用以 相對於該工件支撐吸盤之支撐面以間隔開來的關係來 支撐一工件》 9. 如申請專利範圍第8項所述之基材支撐裝置，其中該複 數個導電板為金屬性者。 10. 如申請專利範圍第8項所述之基材支撐裝置，其中製造 該導電板之材料係選自钽、鈦、鎢及鈦-氮化物。 11·如申請專利範圍第8項所述之基材支撐裝置，其中各導 電板包含複數材料層，其中材料係選自钽、鈦、.鎢及鈦 -氮化物。 第16貫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） (靖先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 406348 申請專利範圍 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12. 如申請專利範圍第8項所述之基材支撐裝置，其中製造 該絕緣材料塗層之材料係四氮化二碎。 13. 如申請專利範圍第8項所述之基材支撐裝置’其中製造 該絕緣材料塗層之材料係二氧化矽。 14. 如申請專利範圍第8項所述之基材支撐裝置，其中該絕 緣材料塗層包含一種複合層，含有第一之四氮化三矽層 及第二之二氧化矽層。 15. 如申請專利範圍第8項所述之基材支撐裝置’其中該工 件支撐吸盤包含一種具有陶瓷吸盤本體之靜電吸盤。 H一種製造用以覆蓋一工件支撐吸盤之支撐面之覆蓋層 之方法，包含如下步驟： 沉積一導電材料以於該工件支撐吸盤之支撐面上形 成複數個導電板，該複數個導電板之各導電板具有一上 表面；且 沉積一絕緣材料塗層，覆蓋該支撐面且未覆蓋該複 數個導電板之上表面。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之方法，其中該絕緣材料 係沉積在該支撐面及該導電板上，且該方法進一步包含 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 、1T 線 A8 B8 C8 D8 406348 申請專利範圍 如下步驟： 由各導電板之上表面移除该絕緣材料。 1 8.如申請專利範圍第丨6項所述之方法’其中該絕緣材料 係使用一沉積遮罩來沉積以避免於該複數個導電板之 上表面上沉積。 1 9.如_請專利範圍第1 7項所述之方法’其中該移除步驟 進一步包含由各導電板上表面選擇性蚀刻該絕緣材料 之步驟。 2 0.如申請專利範圍第1 7項所述之方法’其中該移除步锦 進一步包含由各導電板上表面拋光該絕緣材料之步 驟。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- -1T 丨.線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐）