TW406328B - Method and apparatus for polishing semiconductor wafers - Google Patents

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TW406328B
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TW
Taiwan
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wafer
polishing
station
conveyor
head
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TW087118807A
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Eric H Engdahl
Edward T Ferri Jr
Wilbur C Krusell
Rahul Jairath
Randall L Green
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Lam Res Corp
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Description

A7 B7 406328 ^———— .. * — ..
五、發明説明（I 發明背景 曰本發明係關於使用化學機械平面化技術平面化半導體 晶圓。特別本發明係關於於單一整合製程路徑上一致且有 效地平面化半導體晶圓之改良系統及方法。 止半導體晶圓典型係以預定積體電路設計之多套複本製 造，、隨後被分開並製造成個別晶片。常用於半導體晶圓上 域電路之技術為微影術^部份微影術製程需要特殊攝影 機聚焦於晶®上而投射電路影像於晶圓上。攝職聚焦於 晶圓表面能力經常受到晶圓表面之不一致或不均句的負面 影響。此種靈敏度隨著電流驅動朝向更小且更高度積體的 十而加虞]曰曰圓之構造通常為成層構造，此處部份電路 幵/成於第陀上及導電通孔係製造成可聯結於電路之次一 階。於晶圓上各層電路被蝕刻後，設置氡化物層允許通孔 貫穿通過但覆蓋其餘先前電路階。各層電路可能促成或增 添曰a圓之不均勻度，而於形成次一層電路層前需要平順之 。晶圓製造是一種精緻製程，其對微粒敏感，因此傳統上 係於、潔淨室〃之經過高度控制的環境下進行。 化學機械拋光（CMP)技術用於平面化粗晶圓及隨後增 加之各層材料。可利用CMP之系統，俗稱晶圓拋光機常 使用旋轉式晶圓套圈，其使晶圓接觸於待平面化晶圓面平 面旋轉中之拋光墊。拋光墊例如化學拋光劑或含微磨料料 f施加於拋光墊而拋光晶圓。然後晶圓套圈壓迫晶圓牴住 旋轉中之拋光墊並旋轉而拋光及平面化晶圓。 雖然此種主要晶圓拋光製程對晶圓製造相當要緊，但 本紙張尺度通则，國家標4M CNS ) Λ4規梠（210X297公楚） -4- ——________406328 五、發明説明（2) 好y南中戎"4,^,-^5消於合竹印y I—^---'----裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 訂 單獨主要晶圓拋光僅構成CMP製程之一部份，CMp製程 乃晶圓可送返潔淨室之前必須完成的製程。於晶圓可送返 潔淨室之前必須完成的C Μ P製程步驟包括由晶圓清潔及 清洗拋光流體接著乾燥。其他於最終洗滌、清洗及乾燥前 之步驟包括利用得自初步拋光製程之不同非相容化學品及 料漿進行額外拋光，額外拋光製程係去除前一拋光墊步驟 留下的細微刮痕。二步驟間之中間清洗步驟也需要。先由 平面化晶圓裝置經常為個別分立機器及佔據大量空間且需 手動或半自動，由一機器輸送晶圓至次一機器。晶圓由一 機器輸送至次一機器之延遲可能使化學料漿開始乾燥因而 促成晶圓拋光或擦光上之極大困難。介於各製程或各機器 間晶圓轉送的延遲也使化學料漿之化學作用持續時間過長 而對拋光製程造成不良影響^現有拋光機器及擦光機具有 不同晶圓處理時間。拋光製程通常所耗時間比擦洗或擦光 製程更長。為獲得最佳晶圓處理時間及最大設備利用率， 部份CMP處理計劃將利用多部晶圓拋光機，其各自僅完 成單一平面化步驟。隨後由個別拋光機所得晶圓各自於同 一部擦洗機或擦光機上處理。此種技術之問題為各批晶圓 係於不同拋光站加工處理，因而更可能發生晶圓間拋光不 -一致情形。為了使不一致減至最低’現有CMP系統需具 有極高設備公差且需於各拋光機確切再現製程條件。不同 晶圓套圈於夾持晶圓牴住拋光機時必須可以相同角度失持 晶圓且施加等量壓力於晶圓。拋光機必須以等速旋轉且提 供相同一致性及等量拋光劑。若未審慎處理公差，可能發 本紙張纽4ϋ’酬家縣Γ^ΪΓΓλ4規格（21GX297公1 ) ~ -- 406328 at —-------------______ B7 五、發明説明（3 )广' ' ----- 生CMP製程不一致，結果對由晶圓形成的半導體電路性 能或產率造成有害影響。 因此需要有-種可以有效且一致方式對複數半導體晶 圓執行CMP之系統及方法。 發明概述 根據本發明之第-方δ，揭示一種於單一製程路徑上 均勻平面化及清潔至少一半導體晶圓表面之方法。該方法 包括下列步驟，設置一半導體晶圓及半導體晶圓抛先系統 ，女裝半導體晶圓於半導體晶圓拋光系統，及輸送半導體 晶圓至晶圓載荷站。晶圓由晶圓載荷站轉運至第一主要拋 光站並執行第一拋光程序而部份平面化半導體晶圓。晶圓 被轉运至第二拋光站及第二拋光程序可完成半導體晶圓之 平面化。對全部接受處理之晶圓重複此等步驟。替代具體 例中，各拋光站利用不同的化學拋光劑及製程。 根據本發明之另一方面，一種執行複數半導體晶圓之 化學機械平面化之裝置可對各該複數半導體晶圓採用單一 製程路徑，該裝置包括第一晶圓輸送機構用於移動半導體 | 晶圓由載荷站至轉運站。一第二晶圓輸送機構設置於毗鄰 ? 轉運站，設計成可移動半導體晶圓由轉運站至半導體晶圓 | -載荷裝置。晶圓載荷裝置可載荷個別晶圓於一晶圓輸送器 | 上。晶圓輸送器具有多個晶圓容納區且可旋轉運動而接納 % 一半導體晶圓於各該複數晶圓容納區。晶圓輸送器之設置 I 方式允許晶圓沿預定製程路徑連續封閉式迴路運動，並調 整為最適化以避免任何沿製程路徑需要逆向回溯。主 7 ； 壯衣------—訂-------泉 (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本錄尺度適财· 趟公楚)' 406328 at '一. 一-> 一 •〜· . ·. ι 1 五、發明説明（4) 抱光站设置沿製程路控用於以預㈣間平面化半導趙晶圓 而產生a平面化之半導趙晶圓。—第二主拋光站係設置 沿製程路徑而完成該被部份平面化之半導體之平面化。一 修整拋光機帛光被平面化的晶圓而去除任何由第一及第二 主拋光站留下的任何微量職。較佳晶圓也於晶圓輸送器 載何器上清洗及於晶圓擦光裝置擦洗及乾燥而完全去除料 漿及微粒。各該半導體晶圓係於單一製程路徑前進。 較佳具體例中，揭示介於晶圓輸送器與晶圓處理點間 輸送半導體晶圓至半導體晶圓轉運機構。轉運機構包括一 旋轉式可軸向移動心軸。一拉桿臂附接於心軸，其具有一 端聯結於活動機架及第二端聯結於附接於活動機架上之細 調整心軸傳動器。粗調整心軸傳動器附接於固定機架並聯 結於活動機架，故粗調整心軸傳動器可於心轴軸向方向相 對固疋機$移動活動機架。半導體晶圓轉運機構較佳與可 卸式晶圓載架頭及旋轉式晶圓輸送器共同合作而移動晶圓 介於晶圓輪送器與拋光站或晶圓輸送器載荷器間。粗及細 調整心轴傳動器提供對晶圓於拋光站夾持牴住拋光墊壓力 的額外控制程度。 圖式之簡單說明 第1圖為根據本發明之較佳具體例之半導體抛光系統 之透視圖。 第2圖為第1圖之晶圓抛光系統之左側視平面圖。 第3圖為第1及2圖之晶圓拋光系統之較佳晶圓製程流 程路徑之示意說明圖。 本紙張尺度通川中囤國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 先 閲 讀 背 ιέ 之 注 意 事 項 再' 填： 寫 本 η 裝 if 旅 ___—___________二________ B7 五、發明説明（5 ) 第4圖為用於第1及2圖之系統之較佳分度臺之透視圖 〇 第5圖為用於第1及2圖之系統之分度臺之第二較佳具 艎例之透視圖》 第6圖為晶圓頭總成之底視透視圖。 第7圖為第6圖之晶圓頭總成之頂視透視圖。 第8圖為用於第1圖之晶圓拋光系統之頭止動器總成及 頭總成之頂視圖。 第9圖為第6圖之頭止動器總成及頭配接器沿第8圖線 9-9所取之剖面圖。 第10圖為設置鄰第4圖分度臺上之頭止動器機構之 頭止動器操作活塞之部分頂視圖。 第11圖為用於第1圖之系統之第二較佳頭止動器機構 之頂視平面圖。 第12圖為用於第11圖之頭止動器機構之第二較佳工具 配接聯桿之頂視平面圖。 第13圖為安裝於第11圖之頭止動器之頭總成之剖面圖 〇 第14圖為用於第1圖之晶圓拋光系統之較佳頭載荷^ 總成之側視平面圖。 第15圖為用於第1圖之晶圓拋光系統之較佳心轴傳動 總成之透視圖。 第16圖為第15圖之心軸傳動總成之側視平面圖。 第17圖為沿第16圖線17-17所取之心軸傳動總成之剖 本纸張尺度適州中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 406328 A7 --、、:_________________ B7 五、發明説明（6 ) — ~ 面圖。 第18圖為較佳心軸傳動總成之電力及氣力控制電路之 示意圖。 第19圖為用於第1圖系統之較佳頭載荷器心轴傳動總 成之側視平面圖。 第20圖為用於第1及2圖之晶圓抛光系統之較佳晶圓拋 光裝置之頂視透視圖。 第21圊為沿第20圖線21 -2 1所取之剖面圖。 第22圖為第20圖之主要晶圓拋光裝置之部分透視圖。 第23圖為沿第20圖線23-23所取之剖面圖。 第24圖為第20圖之主要拋光裝置之較佳電力及氣力控 制電路之示意圖。 第25圖為用於第20圖之主要抛光裝置之較佳偏轉棍之 透視圖。 第26圖為用於第20圖之主要拋光裝置之較佳平臺總成 之透視圖。 第27圖為第26圖之平臺總成之分解視圖。 第28圖為用於第20圖之主要拋光裝置之較佳平臺調整 升降機之透視圖。 • 第29圖為用於第1圖之晶圓拋光系統之較佳修整拋光 機之頂視平面圖。 第30圖為第29圖之修整拋光機之前視圖。 第3 1圖為用於第1及2圖之晶圓拋光系統之控制電路與 通訊路徑之方塊圖。 本紙张尺度通/丨]中囤國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） --J---_----餐----^--IX------^ (誚先閲讀背面之注意事項再试{:,f3本頁) -9- 406328 A7 B7 一-- _ I — .. - .. . | _ 五、發明説明（7) 較佳具體例之詳細說明 晶圓拋光系統10之較佳具體例示例說明於第1_3圖。 系統10具有一前端機架總成12及一後端機架總成14聯結至 前端機架總成12 »系統典型係用於半導體晶圓製造廠，系 統接納來自設置於前端機架總成12末端之至少一晶圓夾具 如卡匣16或卡匣夾具（如Erg〇載荷器得自海因（Hine)設計公 司）之半導體晶圓。容後詳述，半導體晶圓由完全處理後 之卡匣16撤出及於藉系統1 〇清潔、乾燥及均勻平面化條件 下被送返至卡匣16之相同或預定不同位置。 刖知機架總成12之尺寸可接受預定大小之晶圓卡匣^ 6 。各卡匣16含有多晶圓。卡匣16可以人工載荷於輸入/輸 出佇列或使用標準模組介面（SMIF)載架18自動載荷。任何 數目之卡匣16皆可用於較佳晶圓拋光系統，卡匣可由塑勝 如聚丙烯，鐵氟龍材料或任何其他適合夾持晶圓之材料製 成。乾燥環境機械人20設置於前端機架總成12内侧毗鄰卡 匣16。乾機械人20較佳設計成可由卡匣16取出及送返晶圓 適合用於刖端總成12之機械人2〇為海因（Hine)設計公司 製造之型號04300-038。位於前端總成12内部，介於乾機 械人20與後端總成14間之晶圓轉運站22可於製程期間接收 -來自乾機械人之晶圓。轉運站22較佳包括一晶圓接受平臺 ，其適合接受來自乾機械人20之半導體晶圓。轉運站22預 先對正晶圓而其配置中允許接近位於後端總成14之濕環境 機械人24。適當轉運站22可得自海因（Hine)設計公司。
前端總成12也含有=顯示器26顯示操作整個晶圓拋光
-10- A7 B7 406328 五、發明説明（8) 系統10之使用者圖形介面（GUI)28。GUI較佳位置毗鄰於 前端總成凸進潔淨室部份之卡匣16。GUI較佳允許使用者 與系統10互動而改變製程參數及監控製程之進展。顯示器 26可為標準陰極射線管、液晶顯示器或其他適當視訊顯示 裝置。 過濾器30較佳為高效率微粒稀薄器（HEpA)過濾器， 安裝於前端總成12以防微粒污染晶圓。又擦光器總成32係 定位於前端總成12，其一端係毗鄰後端總成14，及另一端 係毗鄰乾機械人20。擦光機以機械及化學方式清洗已經於 後端總成製程處理的晶圓，然後於乾機械人2〇將晶圓送返 卡匣16之前清洗及乾燥晶圓。由後端總成送出之晶圓經常 需要機械擦光俾便測定去除於後端總成14進行的拋光或擦 光製程所留下的化學料漿粒子。適當擦光機為〇nTrak系 統公司製造之雙邊擦光機（DSS®)。目前較佳方法及系統 之優點為"乾入-乾出〃製程處理晶圓，此處晶圓係於乾 燥無微粒條件下置於系統内及由系統取出。 如則述’半導體晶圓係透過濕機械人24由前端總成12 轉送至後端總成14。'"濕〃以此表示機械人係工作於濕環 境。濕環境係由於晶圓於後端總成14拋光及擦光期間存在 有化學品、使用及產生的水氣及濕度形成。雖然單一機械 人可用於系統10處理晶圓於卡匣16與各製程站間之轉運， 但以一機械人20、24為佳，俾便改進化學料襞及微粒之由 卡E及任何處理後晶圓上分立。適合使用之濕機械人24為 海因（Hine)設計公司製造的型號04300-25。 (誚先閲讀背面之注意事項再功寫本頁) -裳- ip 泉 -11 - 一一 1_______4 0 C 3 2 8 B7 五、發明説明（9) · ~ 於後端總成14中，濕機械人24與頭載荷器34共同合作 ，如第3圏最明白顯示。頭載荷器34可裝載及卸載半導體 晶圓於晶圓輸送裝置，較佳為如第4圖所示之旋轉分度臺36 。分度臺36可脫離式夾持多個晶圓，各晶圓彼此獨立夾持 。分度臺36於單一方向前進，載運各晶圓通過加工站之完 整路徑隨後返回頭載荷器34,於此處全然拋光之半導體晶 圓對卸載並經由則端總成12移送回卡匣16。於後端總成14 沿分度臺36路徑之第一及第二製程站為主要晶圓拋光裝置 38，較佳為可進行化學機械平面化CMp之線性晶圓拋光 機。雖然以線性拋光機為較佳，但其他類型拋光裝置如旋 轉拋光機也發現於晶圓拋光系統1〇之模組設計執行。用於 本揭示内容之目的，主要晶圓拋光裝置表示配置成可以至 少母分鐘1，000埃（埃/分鐘）示於由晶圓去除物質的拋光機 〇 於分度臺輸送一晶圓至各主要晶圓拋光裝置後，分度 臺36輸送晶圓至第三製程站較佳為修整拋光裝置4〇如旋轉 擦光機。適當修整拋光裝置40為得自Guard公司之軌道拋 光機。可使用多種旋轉式或線性修整拋光裝置之任一者。 供本揭示目的之用，修整拋光裝置以此表示可於低於U00 ,埃/分鐘及最佳50-500埃/分鐘速率去除由主拋光步驟殘留 於晶圓面上之殘餘刮痕。前文後端總成14各組件之概略說 明容後詳述。後文使用製程站以此概略指示頭載荷器34、 主要拋光裝置48及修整拋光裝置40。 晶圓輸送器 本纸張尺度適扪中囤國家標準（〔阳）八4規格（2丨0乂297公釐） ---------^ —— '· * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 訂 線 -—^ϋ - I I - -12- A7 B7 406328 五、發明説明（10) 第4圖最明白顯示分度臺36之第一較佳具體例，分度 臺係安裝於後端機架總成14於全部主要及修整拋光裝置38 、40上方。如前述’分度臺36作動而輸送半導體晶圓至各 製程站’故全部半導趙晶圓通過相同製程站上之相同製程 步驟。分度臺36較佳具有複數頭接納器42等距環繞於分度 臺周圍。分度臺36有一中轂44，中轂44透過安裝於分度臺 36上方或下方之馬達傳動分度器45聯結至轉轴46(第2圖） 。分度臺36較佳安裝於馬達傳動分度器45下方。此種分度 臺36與分度器45之配置允許製程站更緊密群集於分度臺下 方。此種配置也可防止可能之污染由分度臺滴落至分度器 或承托總成。分度臺36係於單向以精確遞增藉聯結於馬達 傳動分度器45之馬達連續進行360度旋轉。聯結於分度器45 之馬達47於所示具體例係傳動分度器旋轉9〇度。其他具體 例中可使用適當選用之分度器而執行更小或更大的旋轉增 量。例如若有多於四個晶圓接納區，因而有多於四個晶圓 係設置於分度臺36上，旋轉增量可成比例設計俾確保各晶 圓精確定位於分度臺下方之一製程站上。分度臺36於晶圓 抛光過程較佳於單一方向前進而不會逆向前進。 旋轉反饋系統49監控分度臺36位置。旋轉反饋系統係 •由旋轉編碼器5 1藉編碼器傳動鏈輪53及編碼器傳動鏈55聯 結於轉轴46組成。來自旋轉編碼器5 1之信號路由至輸送模 組控制器316(參考第31圖），其監控晶圓的進展及控制傳 動分度器45之馬達47。塑膠塗層鋁或不鏽鋼乃分度臺之適 當材料。馬達傳動分度器如Cameo 902RDM4H32-330可用 本紙张尺度適州十®國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） --J---；----装----.--訂------旅丨Μ (誚先閱讀背面之注意事項再价寫本萸) -13- A7 B7 406328 五、發明説明（11) ~~~~ -- 於準確旋轉分度臺。 請 先 閱._ 讀 背 面 之- 注 意 事 項 再 填 I裳 頁 八另-較佳具體例中，晶圓輸送器可為配置重量較輕之 分度臺436，如第5圖所示。此具體例中，分度臺436使用 由中較444延伸出之支承臂448製成的機架而非使用實心材 料。晶圓接納區442係設置於支承臂448末端。設置於周邊 之支座450可增添分度臺436之強度及剛性。如業界人士顯 然易知’可實現其他分度臺配置。 頭總成及頭止動總成 訂 半導體晶圓當沿分度板界定的製程路徑前進時，各自 由不同頭總成52炎持。如第6及7圖所示，各頭總成52夹持 一晶圓。第6圖顯示頭總成52之晶圓容納板54。頭總成52 當夾持一晶圓時可制動晶圓牴住晶圓容納板54位於由止動 環56界定之邊界内部，止動環包圍且延伸超出晶圓容納板 Μ之平面。複數鑽孔或流體管路58分佈環繞晶圓容納板54 。流體管路58可透過表面張力或介於晶圓與容納板54間形 成的部份真空而輔助頭總成52止動晶圓。外環6〇及頭配接 器66將頭總成52之下部夾持在一起《如第7圖所示，長槽64 及同心凸環62設置於頭配接器66上。 長槽64及環62允許頭配接器66活動式聯結於工具更換 •器配接器80。頭總成配接器與工具更換器配接器間之互聯 顯示於第8及9圖。頭配接器66設計成可聯結頭。工具更換 器配接器80較佳設計成一邊可匹配頭配接器66及另一邊匹 配標準二件式工具交換器之母半部。適當二件式工具更換 器可得自俄亥俄州提普城之Robotic附接公司。頭總成52 本紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X29*7公浼） -14- 五、發明説明（12) 之優點為多種常用晶圓夾持頭及工具更換器之任一者皆可 藉由扣接適當頭配接器板或工具更換器配接器8〇使用。 參照第4、8及9圖，工具更換器配接器8〇也可脫離式 聯結至附接於分度臺36之各頭容納區42之頭止動總成68， 如此聯結頭總成52至分度臺36。頭止動總成68係由環形壁 7〇以螺絲72安裝於分度臺36組成。雖然第4圖僅顯示一個 頭止動器供舉例說明之用，但頭止動總成68較佳安裝於分 度臺36之各晶圓容納器42。較佳具體例中，開槽環湘定 設置於環形壁70,此處環74係由金屬材料製成，而壁_ 由塑膠材料製成以減輕重量。環形壁7〇聯結於由環形壁川 伸出之一凸部76。凸部76移動而旋轉壁7〇及附接環74。旋 轉回縮夾持頭總成之工具更換器配接器部8〇之滚珠抽承78 。開槽環74之長槽容納滾珠軸承78，及允許心軸傳動總成 刚（第16圖）f合並向下移動頭總成至製程站。當晶圓由 製程站被容納於分度臺時，頭總成52再被聯結至頭止動機 構68。此聯結再度係藉推至凸部76而旋轉環形壁7〇及開槽 環74,及使滾珠軸承接觸頭總成52之工具更換器配接^ 8〇之環形切槽75達成。 頭止動總成6 8也設置用於晶圓於分度臺上旋轉期間以 -去離子水清洗晶圓及頭總成。頭止動總成外側之去離子水 槔口 69可接受來自分度臺36管路（圖中為顯示）之去離子水 。參照第9圖，去離子水痒口 69聯結周邊槽道^而提供去 離子水給頭總成。頭止動總成之通道73於介於頭總成⑽ 頭止勒總成_之清《㈣向上敞開。去離子水或^ —-dQjSb^a_ B7_ 五、發鳴13) " " ~~--— 預定清潔劑可链至去離子水槔口 69内部並流至晶圓及神 成52上而去除殘留清潔劑。清潔過程係於晶圓介於各製程 站間前進之同時進行，如此有助於不同製輕站使用化學不 相容的拋光劑。 如第1〇圖所示，一對頭止動操作活塞59與頭止動總成 =之凸部76共同合作而鎖定或釋放頭總成與頭止動總成。 對頭止動作動活塞59係設置於後端總成機架上吼鄰系統 1〇之4製程站。活塞由托架61扣接於機架而不會於分度臺 上移動。活塞於分度臺之增量旋轉運動使安裝於分度臺上 之各個晶圓位於個別次—製程站時，活塞對正各頭止動機 構。活塞59於轴65末端各有一接觸頭63設計成可推靠凸部 因而鎖定或釋放頭總成與分度臺％。可使用多種市售 氣力或液力活塞之任-者。活塞59較佳由輸送模組控制器 316(第31圖）控制與心轴傳動總成⑽、卿(參考第圖 )協調而鎖定或釋放頭總成52。 第1M3圖示例說明頭止動器總成私8之第二較佳具體 例。本具體例中無需個別頭止動器作動活塞。如第U圖所 不，頭止動益總成468包括一頭總成聯結環469，其係附接 於環形壁470位於分度臺之頭容納區。環469具有一内凸緣 - 有複數工具更換器配接器通過以對稱樣式設置 於内凸緣471周圍之長槽472。通過長槽472設計為可接受 由附接於頭總成之工具更換器配接器彻之外周邊於控向 方向延伸之銷474。各次通過長槽472與銷止動灣間間 隔預定圓周距離。各銷止動灣係由内凸緣471上之凹部界 •· 、 A 7 '^' B7 ----—--------------------- 五、發明説明（14) 定。 谷後詳述’心抽傳動總成於各製程站鎖定第13圖 之頭止動機制之頭總成，鎖定方式係經由對正工具更換器 配接器之銷474與貫穿長槽472，升高頭總成至銷474通過 貫穿長槽472 ’及旋轉然後下降頭總成至銷停靠於銷止動 灣473。長槽及對應銷之非對稱樣式提供偏極化嵌合俾破 保頭總成每次移動於分度臺與製程站間係於相同取向載於 分度臺上。第11-13圖所示頭止動器總成之優點為無需個 別活塞來鎖定或釋放頭止動器總成。反而心軸傳動總成可 執行所需對正及鎖定頭總成於分度臺之步驟。 頭載荷器 裝-- '·- (請先閲讀背面之注意事項再镇巧本頁}
線 訂 -17- 釾浐·ΐ!中"^^'x'J;jil.消於合竹.7t印 f 406328 A7 _~：------------------- Β7 五、發明説明（丨5) ~~ 期間允許晶圓與頭總成齊平所需。封可為〇形環9ι設置環 繞盆90開口。 於盆内部頭對正環及晶圓支承環96、94可透過升降桿 101藉線性引動器97與盆獨立運動.線性引動器97可移動 對正環96及晶圊支承環94二者。線性引動器97升高頭對正 環96及晶圓支承環94至頭對正環96齧合且對正附有頭總成 52之晶圓支承環94。一旦於頭總成52達成對正，第二引動 器121獨立升高晶圓支承環94而轉運晶圓至頭總成。或接 納來自頭總成的晶圓。晶圓及頭總成接受設置於支座i〇3 此鄰頭對正環及晶圓支承環94、96之喷濃噴嘴1〇〇之清洗 。較佳喷嘴噴灑去離子水及額外清潔化學品如介面活性劑 而清洗拋光後之晶圓同時也清洗頭隨後將待處理之未拋光 晶圓轉運至頭上。 心轴傳動總成 除了頭載荷器升降晶圓至分度臺3 6外，心軸傳動總成 可由分度臺下降頭總成5 2。兩型心軸傳動總成較佳用於較 佳系統10。第一型心軸傳動總成位置與頭載荷器34相對。 第二型心軸傳動總成係位於沿分度臺界定的製程路徑上之 其餘各分度臺。兩型心軸傳動總成使用機器人工具交換器 .由分度臺上方可卸式聯結心轴至頭總成，該交換器具有一 公部81係聯結至心軸110及母部83係聯結至各頭總成52。 第1及2圖最明白顯示用於晶圓拋光系統10之主要拋光 機及修整拋光機之心軸傳動總成所在位置。雖然於頭 載荷器34之心轴傳動總成較佳為於其他製程站之心軸傳動 本紙張尺度適州中囤國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公釐） , . 丨裳 訂 線 (誚先閱讀背面之注意事項4·-填g本頁j -18 - 406328 一 ____________________ D / 五、發明説明（16) 總成108之簡化版本，但於頭載荷器可使用更複雜的心轴 傳動總成108。如前述，頭總成52藉頭止動器總成68活動 式附接於旋轉分1臺。》沿分度臺路徑之各製程站，心轴 傳動總成108齧合頭總成，失持頭總成52同時由分度臺％ 之頭止動器總成上釋玫，及向下移動被釋放的頭總成52及 晶圓至製程站。於製程站處理完成後，心轴傳動總成1〇8 升兩頭、總成及晶圓返回分度臺，帛定晶圓與頭總成於頭止 動機構，及由頭總成脫離。然後分度臺自由旋轉至次一分 度點，同時於晶圓拋光系統1〇之各製程站重複進行由分度 臺脫離晶圓及頭總成過程。 另外，若使用第11-13圖之頭止動機構，則心轴傳動 總成108可直接釋玫或鎖定頭總成。心軸傳動總成1〇8旋轉 頭總成至銷474對正貫穿槽472。然後心轴傳動總成略微升 向頭總成及％轉至銷停靠於凸緣471上之銷止動灣473為 止。然後心軸傳動總成藉由從工具交換器之母部脫離聯結 而釋放頭總成。當於次一製程站，頭總成再度被心軸傳動 總成抓住且下降接受處理時過程逆轉。本較佳系統1〇之優 點為使用可卸式頭總成，接受處理的晶圓可同時於各製程 站間移動，而無需嘗試移動整個心轴傳動總成重量與龐大 〇 較佳心軸傳動總成108之細節顯示於第15_18圖。心軸 傳動總成108包括一心軸11〇垂直延伸貫穿總成1〇8。心軸 110係於一對設置成朝向心軸丨10之兩相對端的軸承總成 112上旋轉滑動。轴承總成較佳為滾珠花鍵軸承，其允 本紙張尺度適/Π中®國家梯率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） (誚先閱讀背面之注意事項再、与寫本頁) .裝-
-X 線 -19- 好牙部中决1-.?^-而，-]|工消於合作·>!)印«.').?' ―一—」06328 ^__ 五、奋明説明（17) 心軸110沿其軸滑動及以其軸為軸旋轉。適當滾珠花鍵轴 承為得自THK公司之型號LTR軸承。 如第17圖所示，心軸no有一中空搪孔114延伸於心軸 11〇全長。複數流道116設置於中空塘孔114。流道U6可容 納空氣或液體或容納真空。依據該系統使用之頭總成52類 型而疋’將利用部分或全部流道116。轉子聯結器118係附 接於心軸110之頭總成52反端。軟管（圖中未顯示）載運任 何預定流體或真空，附接於轉子聯結器118及聯結至心轴 110之流道116 » 心軸110藉固定於心抽傳動總成1 〇 8之框架之伺服齒輪 馬達120旋轉。伺服齒輪馬達12〇轉動皮帶（圖中未顯示）， 而其又旋轉聯結於心軸110之配接器傳動滑車122。心轴11〇 之軸向移動係由粗調節機構124及細調節機構126控制。粗 調節機構124較佳為螺桿傳動引動器，例如得自Axidyne2 BC35螺桿傳動引動器。粗調節機構移動心軸110，細調節 機構126 ’轴承總成112及其餘心轴傳動總成108於附接於 固定機架132之軌130。粗調節機構124附接於固定機架132 ’及有一傳動部附接於滑動轴承，該滑動轴承係滑動式聯 結心軸傳動總成108之其餘部分至軌no。較佳具體例中， •粗調節機構124設計成可連同心轴傳動總成log之其餘部分 移動心轴約3-4吋，故頭總成52向下通過分度臺毗鄰主要 晶圓拋光裝置38或修整拋光裝置40。 一旦頭總成52透過粗調節機構124向下到達製程區， 細調節機構126移動晶圓經過其餘距離及控制施加於晶圓 本紙張尺度ϊΐϊϋ!，國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公產) 一 .V---：----裝----.--ir------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -20 - A7 B7 406328 五、發明説明（18) 之向下方向力。較佳細調節機構丨26係由附接於拉桿臂136 之隔膜雙重作動缸134作動。拉桿臂之一端附接於缸軸138 ，及另一端附接於固定於軌13〇之樞轴點14〇。推出軸承142 係聯結於拉桿臂136介於樞軸點14〇與缸軸Π8間。推出軸 承142具有一軸向固定的旋轉式聯結於心軸11()，故缸134 可於心軸110旋轉時上下移動心軸丨丨〇。拉桿臂可使用較小 較輕且較非強力缸或其他類型引動器同時也可增高缸之轴 向解析度或細調整能力之優點。較佳替代例中，高解析度 、速動型導螺桿可取代細調整機構126上之雙重作動缸134 。適€隔膜雙重作動虹為得自Beii〇frarn之型號D-12-E-BP-UM雙重作動缸。 由於於各晶圓抛光裝置38維持經過控制之向下方向力 於晶圓的重要性，細調整機構較佳可控制於〇5磅/平方吋 (P.S.I.)及2至10 p.s.i·之範圍。用作細調整機構之另外較佳 裝置為鬲解析度線性引動器。安裝於固定機架132上之線 性位移感測器141提供電反饋至控制電路，指示粗調整機 構124之移動及位置^缸延伸感測器143係位置細調整機構 126，提供電力仏號給控制電路，指示拉桿臂相對於缸 134之位置。較佳指示拉桿臂及缸之位置之電信號用於維 •持缸轴138於其運動範圍中心。此外於主要抛光及擦光(修 整拋光）程序期間心軸係以約5至5〇 r.pm^轉晶圓，同時 心軸傳動總成維持預定向下方向力。 為了維持適當控制心軸及於心軸傳動總成1〇8上施加 於晶圓之向下方向力，使用閉路控制電路144，如第18圖 本紙張尺度刺巾關糾轉（CNS) Α4^( 210X 297^^7 ^^、1τ------^ (請先閱讀背面之注意事項再濟寫本頁) -21 - 406328 at ______ B7 五、發明説明（19) 所示。控制電路144包括粗運動控制電路146，心軸旋轉控 制電路148及頭向下力控制電路15〇。粗運動控制電路146 電聯結至粗調整機構124馬達而控制運動速度及時間。下 限感測器152及上限感測器154與粗運動控制電路146通訊 而於到達極端位置時切斷粗調整機構124。線性位移感測 器141及缸延伸感測器143與控制電路通訊。複數控制線路 156也與系統1〇之GUI 28通訊而傳播來自製程模組控制器 314之指令（第31圖）》心轴旋轉控制電路148透過皮帶及配 接器控制聯結於心抽110之馬達12 〇 〇複數馬達控制線路15 8 被致能及指令馬達120以預定速度於預定方向旋轉心轴。 細調整機構126係由頭向下力控制電路丨50控制。較佳 具體例中，為了獲得最佳控制壓力，控制電路15〇監控於 麼力轉換器160之雙重作動缸134之隔膜兩邊的壓差，及作 動控制閥162而由隔膜任一邊增減壓力。較佳缸為汽紅但 也可使用油缸。個別頭向下力感測器例如載荷單元也可用 於測量由細調整機構126施加之絕對壓力。施加於控制間 162之氣力壓力透過加壓管線164輸送，於粗調整機構完成 其形成後透過電磁閥開關166使壓力管線被激發。控制管 線168指令頭向下力電路150升降心軸110及基於透過GUI ,28接收自使用者的指令指示施加多少力β 較佳具體例中，頭載荷器心軸傳動總成1〇9係設置於 頭載荷器34上方。如第19圖所示，頭載荷器心軸傳動總成 109乃第15-17圖之心轴傳動總成之簡化版本。頭載荷器心 軸傳動總成109包括一心軸U1旋轉式安裝於軸承座u3。 本紙張尺度適;fl屮囤國家標率（CNS )八4規格（210X 297公釐）-- -22- 鉀浐部中呔4T^·而，消作合竹."卬-4,:?: 406328 a? _ ;、 B7 五、發明説明（20) 軸承座113滑動式架設於固定於支柱117之垂直取向軌115 。支柱117透過扣件附接於晶圓拋光系統1〇之機架。 頭載荷器心軸傳動總成109使用單一線性引動器119移 動心轴111，轴承座113並附接於垂直分度臺平面的軸承座 。不似第15-17圖之心轴傳動總成108，由於頭載荷器未執 行拋光故無需細調整機構。另外，頭載荷器心轴傳動總成 109僅旋轉頭總成+/-360度。由於頭載荷器無需於單一方 向連讀迴轉，故頭載荷器心軸傳動總成109未使用轉子聯 結器來將流體或真空向下導引通過心轴1 1 1 β反而任何流 想或真空流道單純繞徑於心抽111外側並提供足量寬鬆而 允許心轴高達+/-360度轉動。伺服馬達127透過齒輪箱125 傳動皮帶及滑車系統123而轉動心轴111。如前述，心轴u ! 旋轉而允許頭載荷器之喷嘴清洗晶圓及/或頭總成。本較 佳頭載荷器心轴傳動總成109比較主及修整拋光機38、4〇 所需心轴傳動總成1 0 8提供成本下降及複雜度減低之優點 〇 主晶圓拋光裝置 心轴傳動總成108與設置於沿分度臺所界定之製程路 徑各點的製程站共同合作。如第1_3圖所示，其中二製程 •站為主晶圓拋光裝置38。較佳主晶圓拋光裝置38為設計用 於CMP處理半導體晶圓之線性拋光機。晶圓拋光系統1〇 於另一例中可合併旋轉式拋光機。較佳線性晶圓拋光裝置 38顯示於第20-25圖。主晶圓拋光裝置38包括一皮帶178套 於傳動耗180及惰輥182周圍。帶較佳由高抗拉強度材料如 本纸張尺度適州中囤國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ ^ 裳"'I 線 1 (誚先閱讀背面之注意事項再^^?本買) -23- 4〇6328 A7 B7 — — — —»· 1 . -,. , ... 五、發明説明（21) 聚合物或不鏽鋼材料製成》帶178用於拋光直徑12吋或以 下之晶圓時寬約13-14吋。吸收墊179覆蓋帶178且與拋光 流體如化學機或含微磨料量漿共同合作而由晶圓面去除物 質β較佳晶圓拋光系統使用之主晶圓拋光機38係構造成可 以每分鐘至少1000埃（埃/分鐘）之速率由晶圓面去除物質 。此外拋光機38較佳合併墊調理器（圖中未顯示）來粗化墊 179表面，提供料漿輸送用之微槽道及去除CMP過程產生 的碎屑。可使用多種已知之墊調理器。 輥180、182係安裝於内襯鋼機架184。機架184較佳由 不鏽鋼板製成，具有由塑膠或塑膠塗層材料製成之内襯186 。由於化學料漿亦即磨蝕物質用於晶圓拋光機38，故拋光 機之内側及外側因儘可能密封以防磨料及拋光過程產生之 微粒接觸精緻軸承總成或污染後端總成14。防護罩188遮 蔽輥180、182兩端。二輥180、182具有由不鏽鋼或其他非 腐蝕性高強度材料製成之管形令心190。橡膠塗層192成形 於管形中心190上而提供帶178與輥180、182間之拖良力。 較佳帶178外伸於輥180、182末端以防水及化學料漿滲流 於帶178與輥180、182間。此外橡膠塗層可具有切槽面而 防止水或料漿確實滲流於帶與輥間時之水上滑行效應。排 .放過量水及料漿之洩放口 194係位於機架184底部。 輥傳動齒輪馬達196設置於機架184外側之傳動親18〇 下方。馬達196轉動傳動皮帶198 ’皮帶聯結馬達至輥18〇 之傳動軸200。傳動軸旋轉式安裝於機架184之密封轴承總 成202上。輥180之管形中心190剛性附接於傳動軸2〇〇。 本紙张尺度適;丨]中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210Χ297公釐） ---------#----1--ΪΤ-------k • * (誚先閱讀背面之注意事項再績寫本5 ) -24- —____________B7__ 五、發明説明（22) 不似傳動輥180 ’惰輥182有一轴204，轴204不會旋轉 。惰輥182之管形中心190以位於管形中心190與轴204間之 密封軸承206之軸204為軸被動旋轉《惰輥182之帶178之張 力與傳動輥180同步轉動惰輥。惰輥182上軸204之各端係 枢接式附接於滑動式安裝於機架184上之滑桿206，如第22 圖所示。滑桿206構成拋光件38之轉向與張緊機構208之部 件，容後詳述。 如第21-22圖最明白顯示，輥180、182上帶178之張緊 與對正可以轉向與張緊機構208自動調整。轉向與張緊機 構208係由汽缸210(例如得自STARCYL之多階汽缸）透過 連桿總成212聯結於各滑桿206組成。連桿總成212較佳罩 住一載荷單元214而監控惰輥182兩邊之載荷，滑桿2〇6各 自固定於捲帶殼體216内，捲帶殼體係安裝於機架184各邊 毗鄰惰輥軸204末端。捲帶殼體係由二密封線性軸承總成 218安裝於軸204殼體開口之兩相對邊組成。轴承總成較佳 對正而允許滑桿206於平行輥180、182平面之直線方向運 動。 如第21圖所示，滑桿及惰輥軸共同合作而允許惰輥轴 末端彼此獨立移動。為了調整帶178之總張力，活塞21〇可 _將滑桿206移離或移向傳動輥180。此種調整可自動進行而 無需任何手動調整或拆卸輥。與張緊調整同時，轉向與張 緊機構208可相對於傳動輥轉向惰輥，故帶保持妥為對正 輥而不會偏離一端。轉向係透過獨立移動滑桿與活塞2⑺ 而當帶178環繞親周圍旋轉時對正帶完成。轉向調整係根 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（21〇χ297公釐) ----~~~一 -25- (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁j -裝 訂
406328 A7 B"7 五、發明説明（23) ~ 據設置帶178 —緣或雙緣之對正感測器244(第24圖）接收得 之信號進行。多種感測器之任一種皆可用於完成閉路電路 其控制惰輥之相對運動與轉向。 如第21-22圖最明白顯示，惰輥轴2〇4任一端之長槽219 可容納滑桿206並於旋轉式接合聯結於滑桿，較佳為一銷 220貫穿滑桿206及軸204。軸204之長槽219底部與滑桿2〇6 邊緣間隙222於轉向與張緊機構2〇8要求惰輥182末端彼此 獨立移動時提供餘隙供惰輥軸2〇4環繞各銷22〇之樞轉運動 。撓性環形封224密封轴204與機架184之軸開口間之間隙 。撓性封224也提供於轉向與張緊調整期間轴之直線運動 。有關帶178之張緊與轉向之額外資訊來源，帶張緊與轉 向包括一線性位移感測器226位於惰輥轴204各端。感測器 226之固定部228較佳附接於捲帶殼體216,及活動部230附 接於滑桿206。 指示各滑桿206與已知起點相對位置之電信號係由各 感測器發送給轉向與張緊控制電路232，如第24圖所示。 各搬光機38之轉向與張緊控制電路232管理加壓空氣於加 壓空氣管線234之分布。當拋光機被作動時電磁閥236由資 料信號遙控觸發。壓力開關238監控空氣壓力確保存在有 預定足夠空氣壓力。來自連桿總成212之載荷單元214之資 料信號由中央處理器（圖中未顯示）用於調整壓力控制閥 240。壓力控制閥24〇可改變由汽缸21〇壓諸帶上之張力。 結果帶示蹤控制器242接收透過放大器電路246來自帶緣位 置感測器244較佳為感應近處感測器之資訊。較佳具體例 本紙张尺度過fl]中關家標準（CNS)八4規格（210>< 297公瘦） —'J---：-----裝----^--1T'------線 (銷先閱讀背面之注意事項再功，Ht本哀) -26- A7 B7 五、發明説明（24) 中，帶緣位置感測器可為光學感測器例如視訊攝影機設置 於可監控帶緣位置並提供帶位置的相關電信號給帶示蹤控 制器。 帶示蹤控制器242電控帶示縱控制閥248。控制閥248 根據由帶示蹤控制器指示的轉向需求分配空氣壓力給各汽 缸210。較佳由帶緣位置感測器244之帶示蹤控制器242之 反饋迴路可提供4-20 mA範圍之調整信號給帶示蹤控制器 ’而‘止南度或帶中心咼度設定於此範圍的中點。於氣壓 管線上介於汽缸210與控制閥248間之壓力錶250允許人工 檢視壓力設定值。 除張力及轉向方面外，當晶圓藉心轴傳動總成1〇8由 分度臺下降時，帶178必須儘可能保持平坦。如前述，心 轴傳動總成108對晶圓迫牴帶1 78之向下方向壓力提供審慎 控制。此種壓力將導致帶介於傳動輥與惰輥丨8〇、；； 82間之 向下彎弓。重要地跨越晶圓面必須呈現平坦帶面，故可一 致進行拋光程序，一對帶偏轉輥252較佳設置於帶178之晶 圓接納侧上。 如第22、23及25圖最明白顯示’帶偏轉輥252係設置 成平行傳動輥及惰輥180、182且介於其間。帶偏轉輥於傳 -動輥及惰輥平面上方略微向上凸起。較佳帶偏轉輥偏轉帶 为於傳動輥及惰輥平面0.06-0.13吋範圍。如第22及25圖所 .示’各帶偏轉輥252藉輥支座254固定於拋光機38之機架184 ’輥支座懸吊輥252之軸256於任一端。 較佳具體例中，輥252有一固定軸256及旋轉式套筒258 本紙張尺度通 (CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ·* · 裝 、1Γ線 (請先閱讀背面之注意事項再辦荇本頁) -27 麫沪部中^^:^x,J,'jiT,消於合竹·"卬f .. A 7 ________ B7 五 '發明説明（25) — 安裝於套於該轴上之密封軸承上。旋轉式套筒258較佳比 帶178更寬。可使用可支持數百磅分配壓力之多種目前可 得之輥總成作為偏轉輥252 » 平臺總成 再度參照第23圖，拋光機38也包括一平臺總成26〇。 平臺總成結合平臺高度調節器262控制帶ι78背側與平臺 264間之間隙。本較佳平臺總成之優點為平臺總成可作高 度調整而無需拆卸整個抛光機。平臺總成26〇可於拋光期 間調整南度及維持跨越晶圓極為準埃的壓力分布。如第Μ 圖所示，平臺總成260活動式附接於拋光機38之機架184上 介於二帶偏轉輥252間。 如第26-27圖所示，平臺總成26〇包括一可置換盤形平 臺264安裝於盤形平臺套圈266上。於盤形平臺套圈266下 方之歧管缚成268設計成可以準確量分配流體至盤形平臺 。盤形平臺套圈266較佳包括一列前濕潤喷嘴267設置沿垂 直帶Π8運動方向之至少―緣。流體由歧管總成268之前濕 潤歧管2 71導引至前濕潤嗔嘴2 6 7。前濕潤喷嘴藉由提供小 量流體於帶初步通過平臺總成26〇時潤滑帶，而減少帶相 對於盤形平臺總成套圈邊緣之摩擦。較佳使用流體為空氣 -，歧管總成268有複數氣力快速解除聯結口27〇，其容易接 合及拆除空氣之供給平臺總成。平臺盤形襯塾272提供 平臺264與平臺套圈266間之封。同理，平臺套圏襯墊274 供給介於歧管總成268與平臺套圈挪間之封。複數扣件加 將平臺總成260固定在-起，四連接器孔278與扣件（圖中 裝---_ , (誚先閱讀背面之注意事項再破寫本頁) 1T- 線 • 1 - 1^1 m 本紙張尺度適中囤國家辟（CNS ) Μ規格（--- -28- 406328 at ;. B7 五、發明説明（26) ' 未顯示）共同合作而可由拋光機38裝卸平臺總成260。 工作時，平臺總成260接受設置於系統10後端總成14 之平臺流體質量流量控制器280(第1圖）之經控制的空氣或 其他流體供給。其他流體流動控制裝置也可用於本較佳平 臺總成。來自質量流量控制器280之經控制流體流接納於 歧管總成268並分布於盤形平臺264之複數空氣分布通風口 282。空氣或其他流體由分布通風口 282送出，而以精確可 控制的方式形成流體承托器，其加壓於帶178，同時減少 當帶連續移動通過空氣承托器時的摩擦。另一較佳具體例 中，可刪除歧管總成，各軟管或管可分布流體至平臺總成 之適當喷嘴或通風口。 拋光機38之另一主要方面為平臺高度調整器262,用 於調整平臺260相對帶178之高度，以及維持平臺260與帶 之平行對正。平臺高度調整器262較佳由三個獨立作動升 降機構284組成。如第21及23圖所示，升降機構284係間隔 為三角形樣式，故平臺總成262可調整至與帶178之任何夾 角。升降機構284設置於傳動輥與惰輥180、182間，恰位 於機架184之密封腔室之平臺總成260下方。 第28圖最明白顯示較佳升降機構284之構造。升降機 構284係由編碼器288透過資料線290控制的馬達286傳動。 馬達286透過配接器294傳動行星齒輪箱292。齒輪箱較佳 具有極高齒輪比，故可作精細調整。一種適當齒輪比為100 :1。凸輪機構295可將步進器馬達286之旋轉運動轉成升 降軸296之垂直運動。環形轴承298具有公球面及母球面（ 本紙張尺度適/1】中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ---------扯衣----^--ΐτ-------^ *» (請先閲讀背面之注意事項再垓寫本頁) -29- 406328 A7 A 7 ^_________________B7_ 五、發明说明（27) 參考第23圖）可提供多種運動程度允許平臺高度調整器262 上之升降機構284升降而當平臺於三個接觸點調整時不會 造成平臺安裝板300與軸296間之過高應力。軸296各自以 螺栓302及墊圈304聯結於安裝板。伸縮節座3〇6及夾具308 於平臺高度調整器262透過安裝板300聯結於平臺總成260 時’於安裝板300形成密封接合。 修整拋光裝置 修整拋光機40安裝於分度臺下方（第1圖），與安裝於 系統10於分度臺36反側的心轴傳動總成1〇8共同合作而形 成沿製程路徑前進的各晶圓之最末拋光步驟。用於晶圓拋 光系統10之修整拋光機可為多種已知旋轉拋光裝置之任一 者’例如得自Engis公司。一具體例中修整拋光裝置40可 為類似前述主晶圓拋光機38之線性拋光裝置，適合藉由以 低於1000,(埃/分鐘）速率由晶圓去除物質而擦光平面化晶 圓。 另一種用於晶圓拋光系統10之修整拋光機40顯示於第 29-30圖。此修整拋光機4〇具體例執行拋光板33〇之同時旋 轉與線性擺動運動。拋光板330支持拋光墊332，拋光墊用 於由各半導體晶圓面去除細微刮痕及痕跡。拋光墊332較 佳利用拋光流體如含微磨料之料漿供給而以低於1〇〇〇埃/ 分鐘速率由晶圓去除物質。心軸傳動總成於晶圓被夾持牴 住旋轉同時線性擺動之修整拋光機40時旋轉晶圓。 旋轉板330透過軸336聯結於馬達338。一具體例中， 旋轉板係以每分鐘10-200轉（r.p.m·)控制於+/_ 1 r.p.m.之速 本紙張尺度過川中關家梯卑.（cNS )从絲（21〇χ297公楚） 裝 „--、1J-------fel -- , (誚先閱讀背面之注意事項再/.¾本頁) -30- A7 B7 i〇M28 五、發明説明（μ) 度旋轉。馬達338，轴336及旋轉板330滑動式安裝於線性 導件總成340上，該導件總成係設置平行旋轉板33〇表面。 線性導件總成固定於修整拋光機4〇之機架346。聯結於線 性導件總成340之線性引動器344擺動安裝板及附件，故旋 轉板330沿線性導件總成340於直線方向來回運動，而旋轉 板330同時旋轉。線性引動器344可以每分鐘6〇6〇〇衝程速 率沿線性導件總成擺動旋轉板及附件，此處一衝程為單一 方向之最大行程。衝程可為2吋，線性引動器沿線性導件 總成距基本位置移動+/_ 1 a寸。 線性引動器可為任一型可以預定速率線性移動旋轉板 及聯結附件的任一型線性引動器。旋轉拋光機構例如Engis 公司製造者可用作較佳修整拋光機40之旋轉板部。雖然第 29-30圖所示修整拋光機具體例可作動而同時旋轉旋轉板 與於直線方向擺動旋轉板’但修整拋光機也可控制為僅以 直線方向移動旋轉板而未同時旋轉旋轉板。相反地，晶圓 也可藉僅旋轉旋轉板而未於直線方向擺動旋轉板適當擦光 控制架構 第31圖示例說明管理晶圓拋光系統1〇之工作之較佳通 訊網路與控制架構。較佳用於前端機架總成12之顯示器28 之使用者圖形介面30允許使用者與叢集工具控制器 (CTC)310間之直接交互作用。CTC 310為系 統之主處理器 。適當叢集工具控制器為執行微軟NT 4.0之小型基於PCI 之電°使用者圖形介面3〇較佳使用Wonderware InTouch 本紙張尺度適用中國國家棉率（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐） ^-----^--IT------.^ ζ* {請先閲讀背面之注意事項寫本頁) :4-. 部 中 Jk 準 ]j .τ 消 t: 合 竹 卬 t -31 - A7 一一 '.__________406328 B7 _—_ 五、發明説明（29) 工具寫。SECS/GEM介面使用GW Associates工具寫並透過 118-232聯結埠312工作用與其他裝置通訊。（：1^310較佳 透過乙太網路318與製程模組控制器（PMC)314及輸送模組 控制器（PMC)316通訊。 PMC 314根據來自CTC 310之指令控制晶圓處理裝置 之工作（亦即主拋光機38 ’修整拋光機40及擦光機總成32) 。：PMC 314較佳為執行pS〇S+軟體之小型基於pci之電腦 且可透過乙太網路318與TMC 316及其他PMC 314通訊。 TMC 316也較佳為執行pS0S+軟體之小型基於pci之 電腦。TMC控制頭载荷器34，乾及濕機械人2〇、24及分 度臺36。TMC 316較佳也含有排程軟體俾確保半導體晶圓 可適當通過系統1〇前進。 製程之概略說明 使用前述系統1 〇處理晶圓之較佳方法說明如後。填充 以複數半導體晶圓之卡匣16安裝於前端總成12而開始製程 。乾機械人20移動晶圓將各晶圓置於轉運站22。轉運站藉 由旋轉晶圓至特徵參考記號例如凹痕或扁平妥為對正而對 正晶圓。濕機械人24接近轉運站22移動並顛倒晶圓故有電 路側（若有）面向下。濕機械人24載運晶圓進入後端機架總 _成14並沉積於頭載荷器34上。然後頭載荷器升高晶圓至頭 總成52。 由頭載荷器轉運晶圓至頭總成之步驟係透過於頭載荷 器34及設置於頭載荷器上方之頭載荷器心轴傳動總成刚 之同步動作達成。於頭載荷器，濕機械人僅設定晶圓於升 本紙 ί认度剌，1’_家料（CNSU4im ( 2l0x^i^y . ^-----^-- (請先閲讀背面之注意事項再楨."本買) 線 J* -32- A7 ^沪>叫中^拆if^y T.消於竹"卬4,,?: 406328 ---------—----------------五、發明説明（30) 高支承環94。對正環94向上移動而對正晶圓於支承環94。 其次頭載荷器升高盆90並濕潤背侧而輔助頭總成52使用真 空或流艘之表面張力抓住晶圓。由於晶圓事先顛倒，故晶 圓背面面朝頭總成52 ^於濕潤完成後盆9〇下降。對正環與 支承環向上移動而會合頭總成與轉運晶圓。 當晶圓之背側被濕潤時，心軸傳動總成向下移動而抓 住頭總成。於心軸與頭總成上之工具更換器之公部及母部 個別鎖定。然後頭止動機構68由分度臺36釋放頭總成52。 現在心軸傳動總成下降頭總成通過分度臺而會合晶圓。支 承環94移動濕晶圓向上至通過晶圓容納板54之空氣通道 之空氣抽取力抓住晶圓為止◊頭總成升高至分度臺，鎖定 於頭止動機構並由心軸釋放。 分度臺旋轉晶圓至第一主晶圓抛光機38開始拋光。如 前述’夾待晶圓之頭總成聯結至心軸並向下調整至主晶圓 拋光機38。主晶圓拋光機之心軸傳動總成1〇8由分度臺下 移晶圓約4吋，同時以恆速旋轉晶圓，以經過測量之向下 力向下壓迫晶圓於移動中之帶178之拋光墊。心軸傳動總 成108 ’平臺總成260及平臺高度調整器262接受來自支承 模组控制器3 14之指令且共同合作維持晶圓與帶之適當壓 *力與對正。又化學拋光劑如1 〇%微磨料料漿連續或間歇餵 送至帶上之拋光墊並開始晶圓拋光過程。晶圓僅部分拋光 ，較佳於第一主拋光裝置38僅半拋光。心軸總成於部分拋 光晶圓後將晶圓拉回分度臺，頭總成再聯結至分度臺而心 軸脫離後，分度臺輸送晶圓至次一主晶圓拋光裝置38。移 本紙張尺政適用中國囤家標準（CNS )六4規格（2〗0X297公釐） (諳先閱讀背面之注意事項再"寫本頁} -裳- 訂 -33- 奵浐部中央4Τ£?·^Ί 消於合竹w卬舻 A7 __^―:______ B7五、發明説明（31) 動與拋光晶圓步驟重複而完成晶圓的拋光。 晶圓再聯結於分度臺並移動至修整裝置用於去除主拋 光步驟留下之任何刮痕或瑕疵。於修整拋光機擦光後，晶 圓再度藉分度臺輸送並送返頭載荷器。頭載荷器於卸載動 作期間執行若干步驟。盆90升高並相對分度臺密封。頭載 荷器之喷嘴噴壤去離子水於晶圓表面。晶圓支承環94升高 至頭總成，頭總成以溫和喷送氣體或液體推離晶圓。對正 環96并高而套住支承環對正晶圓，然後支承環與對正環下 降Μ圓。盆仍相對於分度臺密封情況下，噴嘴丨〇〇清洗晶 圓责面及頭總成之晶圓扣住部分。清洗後盆下降，濕機械 人由頭載荷器移出晶圓，顛倒晶圓然後將平面化晶圓置於 擦洗器内進行最終清潔與乾燥。然後濕機械人即刻由晶圓 轉運站拾取未拋光晶圓並置於頭載荷器上。乾機械人接受 來自擦光機之已被清潔與乾燥晶圓並將其置回卡匣。 此等步驟對各晶圓重複而使晶圓以相同裝置處理。當 系統全然作動時分度臺上四個頭接納區皆全部被晶圓佔據 。頭載荷器由頭總成移離已拋光之晶圓後，新晶圓置於空 出的頭總成上。較佳具體例中，每次分度臺旋轉頭總成於 人製程站之新位置，分度臺停止，心軸傳動總成移動位 ~ 下方之頭總成（及附接之晶圓）進行處理。全部製程站 皆可同時執行其個別任務。較佳系統及方法之優點為藉由 I同‘程路役上處理各晶圓改良一致性而防止各晶圓平 之歧異。又系統藉由將拖光步驟於二或多拋光裝置上 打斷為多步驟而更有效處理晶圓。沿拋光路徑上架設最佳 (〇呢）八4規格（210/297公釐） 誚先閱讀背面之注意事項再楨朽本貫) -裝· 訂 瘃 --J· • 34 - A7 B7 ^06328 ' ――- — w 五、發明説明（32) 數目抛光機38、40可使晶圓連續流沿製程路徑輸送而達到 提高通量。前述具體例中，假定拋光總時間為擦光與乾燥 步驟之兩倍’故設置兩部拋光機而各自執行半部拋光。如 此分度臺可以怪定間隔由一製程站旋轉至一製程站。如所 見，依據製程站之限制或執行之拋光類型而定可使用其他 多種拋光裝置或其他製程站。 替代具體例中，本較佳系統可修改成沿同—製程路徑 執行分開拋光過程。例如若晶圓係使用二或多化學不相容 之拋光處理最佳拋光，則系統10配置成沿製程路徑隔開各 個拋光裝置並於二拋光步驟間清洗晶圓。另一替代具體例 中，可地鄰頭載荷器増加濕晶圓保留區而於擦洗器總成故 障時存放已處理的濕晶圓。藉此方式至擦洗器之問題校正 為止料漿化合物將保持濕潤。 前文已經說明拋光半導體晶圓之改良系統及方法。該 方法包括於單一製程路徑處理全部晶圊之步驟，及將抛光 步驟拆開於至少二拋光機進行之步驟俾提高一致性與通量 。系統包括利用分度臺輸送器可沿單一製程路徑存取之整 合式拋光、擦洗及擦光裝置。系統包括可卸式頭總成用於 分度臺與設置於各製程站之心軸傳動總成間更換頭總成。 頭載荷器設計成可裝載、卸載及清洗移至及移離分度臺的 晶圓。線性晶圓拋光裝置包括自動氣力帶張緊與轉向。此 外，拋光裝置包括氣動平臺有一歧管而可免除不必要的管 路。平臺係活動式安裝於平臺高度調整器，該調整器可於 拋光期間準確對正平臺及帶與晶圓。也設置利用二階式垂 本紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐）~ --~~ , -35- 406328 A7 B7 iL、發明说明（33) 直調整及準確控制向下方向力之心轴傳動總成。 前文詳細說明意圖視為供舉例說明而非限制性，須瞭· 解後文申請專利範圍包括全部相當例意圖用於界定本發明 之範圍。 (請先閲讀背面之注意事項再«寫本頁) 裝.
V 本紙張尺度適川屮國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -36 - A7 B7 406328 五、發明説明（34) 元件標號對照 10...晶圓抛光系統 49...旋轉反饋系統 12...前端機架總成 51...旋轉編碼器 14...後端機架總成 52...頭總成 16...卡匣 53...編碼器傳動鏈輪 18...標準模組介面載架 5 4...晶圓容納板 20…乾環境機械人 5 5...編碼傳動鍵 22…晶圓轉運站 56...止動環 24...濕環境機械人 58...流體管路 2 6…顯示器 59...活塞 28...使用者圖形介面 60...外環 30...過濾器 61 ·.. ·^ 架 32...擦光器總成 62...凸環 34...頭載荷器 63...接觸頭 36...分度臺 64...長槽 38...主晶圓拋光裝置 65".轴 40···修整拋光裝置 66...頭配接器 42...頭容納區 68...頭制動總成 44...中心轂 69...去離子水槔口 45...馬達傳動分度器 70...環形壁 46...轉軸 72...螺絲 47...馬達 73...通路 48...主拋光裝置 74...開槽環 裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再琪寫本頁) 本紙張尺度適川中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -37- 406328 五、發明説明（35) 75.. .清洗間隙 76…凸部 7 8...滾珠轴承 79.. .環形切槽 80…工具更換器配接器 90.. .清洗容納盆 91.. .0.環 9 2...晶圓轉運總成 94.. .筒形支承環 96.. .對正環 97.. .線性引動器 98.. .汽缸 99.. .機架 100.. .噴嘴 101.. .升降桿 102.. .缸軸 103.. .支座 10 8...心抽傳動總成 109.. .頭載荷器心轴傳動總 110…心軸 111 · _ ·心轴 112.. .軸承總成 113.. .軸承座 114.. .中空搪孔 A7 B7 115."軌 116.. .流道 117.. .支柱 118…轉子聯接器 119…線性引動器 120.. .伺服齒輪馬達 121.. .引動器 122…配接器傳動滑車 123.. .帶與滑車系統 124.. .粗調整機構 125.. .齒輪箱 126…細調整機構 127.. .伺服馬達 130.. .軌 132.. .固定機架 134.. .雙重作動缸 136.. .拉桿臂 138···缸抽 成 140...樞軸點 141.. .線性位移感測器 142.. .推出軸承 143.. .缸延伸感測器 144.. .控制電路 146.. .粗動作控制電路 誚先閱讀背面之注意事項再W寫本頁) -裳 線 本紙张尺度適川屮國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公f ) -38- A7 B7 202…密封軸承總成 204…軸 2 0 6…密封軸承 208.. .轉向與張緊機構 210…汽缸 212.. .連桿總成 214.. .載荷單元 216.. .帶殼體 218.. .線性軸承總成 219.. .長槽 220.. .銷 222…間隙 224.. .環形封 226.. .線性位移感測器 228.. .固定活塞 230.. .活動部 232.. .轉向與張緊控制電路 234.. .加壓空氣管線 236.. .電磁閥 238.. .壓力開關 240·.·壓力控制閥 242.. .帶示蹤控制器 244.. .對正感測器 244.. .帶緣位置感測器 ---：------^------ΐτ-------^ I r (誚先閱讀背面之注意事項再i#l本頁) 406328 五、發明説明（π) 148…心轴旋轉控制電路 150.. .頭向下力控制電路 152.. .下限感測器 154.. .上限感測器 15 6...控制線路 158.. .馬達控制線路 160…壓力轉換器 162.. .控制闊 164.. .加壓管線 166.. .電磁閥開關 168.. .控制線路 178.••帶 179.. .吸收墊 180.. .傳動輥 182.. .惰輥 184.. .内襯鋼架 186.. .内襯 188.. .防護罩 190.. .管形中心 * 192...橡膠塗層 194.. .洩放口 196.. .輥傳動齒輪馬達 198.. .傳動帶 200…傳動軸 本紙張尺度適;i】中國國家捸準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） -39- 柯浐部中^杞1?^，，^^消於^:^:"04,:"' 406328 ： A7 B7 五、發明説明（37) 246...放大器電路 292...齒輪頭 248...帶示蹤控制閥 294...配接器 250...壓力錶 295...凸輪機構 252...帶偏轉輥 296...升降機軸 254...輥支座 298...環形軸承 256…軸 300...平臺安裝板 258...轉套筒 302...螺栓 2 6 0...平臺總成 304...墊圈 264...平臺 306...伸縮節座 266...平臺套圈 308...夾具 267...前濕潤噴嘴 310…叢集工具控制器 268...歧管總成 312...聯結 270...解除聯結埠口 314...製程模組控制器 271...前濕潤歧管 314...製程模組控制器 272...平臺圓盤襯墊 316…輸送模組控制器 274...平臺套圈襯墊 3 16...輸送模組控制器 276...扣件 318...乙太網路 278...聯結器孔 3 3 0...抛光板 280…質量流量控制器 332...拋光墊 282...通風口 336·.·軸 284...升降機構 338...馬達 286...馬達 340...線性導件總成 2 8 8...編瑪益 344...線性引動器 290...資料線 346...機架 ---------^-------#------0 ^ J (誚先閱讀背面之注意事項再i,:!i本頁) 本紙张尺度遍川中國1家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（38) 436.. .分度臺 442.. .晶圓谷納區 444…中心較 448.. .支承臂 450.. .支座 468.. .頭制動總成 469.. .聯結環 470.. .環形壁 471…内凸緣 472.. .長槽 473…銷止動灣 474.. .銷 ---------裝------訂 r > (請先閱讀背面之注意事項^寫本頁) 線 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） -41 -

Claims (1)

  1. 經濟部中央榡隼局員工消費合作社印製 Αδ ρ—_ gj κ'申請專利範圍 - l —種均勻平面化及清潔至少一半導體晶圓表面之方法 ’其包含下列步驟： 提供一半導體晶圓及一半導體晶圓拋光系統； 安裝半導體晶圓於半導體晶圓拋光系統之晶圓座 上； 由晶圓座輸送半導體晶圓至半導體拋光系統之晶 圓輸送器載荷裝置； 由晶圓輸送器載荷裝置轉運半導體晶圓至晶圓輸 送器’及輸送半導體晶圓至第一拋光站； 執行第一拋光程序而部份平面化半導體晶圓表面 輸送於晶圓輸送器上之半導體晶圓至第二拋光站 :及 執行第二拋光程序而完成半導體晶圓之平面化。 如申叫專利祀圍第1項之方法，其進一步包含下列步驟 ，於執行第二拋光程序後透過晶圓輸送器輪送半導體 晶圓至第三拋光站，及於第三拋光站對半導體晶圓執 仃最末拋光，藉此去除由第一及第二拋光程序留在半 導體晶圓上之任何殘餘刮痕。 -3.如申請專利範圍第2項之方法，其進一步包含輸送半導 體晶圓至晶圓清潔器及清潔晶圓而由晶圓去除全部殘 餘物之步驟。 4·如申請專利範圍第丨項之方法’其中執行第—及第二拋 光程序之步驟包含使用線性晶圓拋光機由半導體晶圓 II-----^-------ir------^ (請先閱讀背面之注意事項^r¾c寫本頁)
    •42 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印袈 406328 as 、 B8 s-- g 、申請專禾" —' - 表面去除物質。 5·如申請專利範圍第！項之方法，其中該執料—拋光程 序之步驟包含使用第一拋光流體於第—線性晶圓抛光 機上拋光晶圓，及該執行第二拋光程序之步驟包含使 用第二拋光流體於第二線性晶圓拋光機拋光晶圓。 6.如申請專利範圍第5項之方法，其進一步包含清洗半導 體晶圓同時由第一線性晶圓拋光機輸送半導體晶圓至 第二線性晶圓拋光機，藉此於執行第二拋光程序前去 除第一拋光流趙。 7·—種均勻平面化及清潔各該複數半導體晶圓之方法， 其包含下列步驟： 提供複數半導體晶圓； 提供一晶圓拋光裝置其具有複數拋光站設置於環 繞一半導體晶圓輸送器； a) 轉運一半導體晶圓至半導體晶圓輸送器； b) 移動該半導體晶圓至複數搬光站之第一站； c) 由半導體晶圓輸送器移出晶圓； d) 於第一拋光站拋光半導體晶圓經歷設定時間長 度； e) 轉運晶圓至晶圓輸送器； f) 移動該半導體晶圓至複數拋光站之下一站； g) 由晶圓輸送器移出晶圓； h) 於次一拋光站拋光半導體晶圓歷設定時間長度 :及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） II!-. 裝---------訂------ii (請先閲讀背面之注意事3/.4'寫本頁) ABCD 4〇^328 中請專利範圍 1)重覆步驟e)至h)至半導體晶圓完全平面化為止， 其中該設定時間長度等於完成平面化半導體晶圓所需 預定總拋光時間除以複數拋光站總數。 如申請專利範圍第1項之方法，其中該輸送半導體晶圓 於晶圓輸送器至第一拋光站之步驟包含下列步驟： 將半導體晶圓設置於晶圓夾持頭，晶圓夾持頭活 動時：ic裝於可旋轉且可軸向移動之心軸上； 移動晶圓夾持頭至晶圓輸送器上之晶圓頭制動件 由心轴解除晶圓夾持頭之齧合及釋放晶圓夾持i 鎖定之晶圓輸送器； 移動晶圓輸送器，故晶圓夾持裝置移動至第一圭 光站； 9 由甲曰圓頭制動件移出晶圓夾持頭，及輸送晶圓； 持頭由晶圓輸送器至第—晶圓拋光站；及 於第一晶圓拋光站處理該晶圓。 鎚濟部中夬榡準局員工消費合作社印製 如申請專利範圍第8項之方法，其中該設置半導體曰曰“ 於晶圓夹持頭之步驟包含預Μ潤晶圓，以支承環f 高晶圓至晶圓央持頭’由支承環推出晶圓及藉於晶0 與晶圓夾持頭間形成抽取聯結。 10.如申請專利範圍第9 乐項之方法，其中該預先濕潤晶圓4 步驟包含於升高晶圓至晶圓夾持頭前，以液體噴灑E 圓，其中該液體輔助藉於晶圓與晶圓夾持頭間形^ 取聯結。 本紙張纽適用中國國家標準(CNS 一~-__ A - 44 - 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 · A8 ； B8 州328____ os 六、申請專利範圍 ~~~~":~~~~~~-— π.-種執行複數半導體晶圓之化學機械+面化用之裝置 ，該裝置可實現對該各複數半導體晶圓之單一製程路 徑，該裝置包含： -晶圓輸送器具有複數晶圓容納區，晶圓輸送器 可移動而接納來自晶圓輸送器載荷裝置之一半導體晶 圓於各該複數晶圓容納區，及循序移動各該複數半導 體晶圓沿一製程路徑； 一第一拋光站設置於沿該製程路徑用於平面化一 半導體晶圓歷預定時間而生產部份平面化之半導體晶 圓；及 一第二拋光站設置於沿該製程路徑，第二拋光站 係設置成可平面化已部份平面化之半導體經歷預定時 間而生產全然平面化之半導體晶圓，藉此各該複數半 導體晶圓透過晶圓輸送器於製程路徑前進，及各該複 數半導體晶圓係於第一及第二主拋光站平面化。 12. 如申請專利範圍第"項之裝置，其進一步包含—第三 椒光站設置於沿製程路徑而容納來自晶圓輸送器之全 然平面化半導體晶圓，第三拋光站用於由全然平面化 晶圓去除殘餘到痕及拋光流趙。 13. 如申請專利範圍第12項之裝置，其中該第三拋光站包 含一旋轉擦光裝置。 14. 如申請專利範圍第η項之裝置，其中該第三拋光站包 含一線性擦光裝置。 15. 如申請專利範圍第12項之裝置，其進一步包含一晶圓 本紙張中國國家榇準（CNS)从雜（210><297公釐） ;—：-----裝丨- (請先閱讀背面之注意事項—填寫本頁)
    -45 - 8 8 8 8 ABCD 406328 '中請專利範圍 清潔單元設置毗鄰晶圓輸送器，晶圓清潔單元具有晶 圓輸入站及晶圓輸出站，其中該晶圓清潔單元可介於 晶圓輸入站與輸出站間清潔與乾燥全然平面化晶圓。 16.如申請專利範圍第^項之裝置，其中該晶圓輸送器包 含： 一旋轉分度臺，旋轉分度臺設置於旋轉分度器下 方且由旋轉分度器懸吊；及 —馬達工作式聯結於旋轉分度器，可控制成於單 一方向與預先界定之增量移%度臺，藉此旋轉分度 臺於晶圓拋光期間以連續360；^'式增量轉動。 如申請專利範圍第16項之矣，其中該晶圓輸 送器係設置於第一及第二站上方。 18,如申請專利範圍第17項之裝置，其中該分度臺包含複 數水平攀置臂。 19‘如申請專利範圍第18項之裝置，其中各該臂之第一端 係聯結於各別晶圓容納區。 20. 如申請專利範圍第19項之裝置，其中各該臂之第二端 係附接於中心轂，該中心轂係聯結至旋轉分度器。 21. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中該第一及第二拋 光站各自包含一線性帶式拋光機。 22. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中該第一拋光站利 用第一拋光流體及第二拋光站利用第二拋光流體。 23. 如申請專利範圍第11項之裝置，其進一步包含一心軸 傳動總成設置於各該拋光站上方，各心軸傳動總成具 本紙張从卵縣馨（2iqx297公兼） (請先閲讀背面之注意事項^^寫本頁) -裝- 、1T 經濟部中夬榡準局員工消費合作社印製 -46 * 靡328六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央#率局員工消費合作社印製 有一心軸用於移動晶圓由晶圓輸送器至其各別撤光站 〇 24. 如申請專利範圍第23項之裝置，其中該心軸係活動式 聯結於粗調節機構與細調節機構間，其中該粗調節機 構移動心轴由晶圓輸送器至主晶圓拋光機之大致全部 距離’及細調節機構移動心軸由晶圓輸送器至拋光站 之其餘距離’直至晶圓被壓迫牴住晶圓拋光站至拋光 墊為止。 25. 如申清專利範圍第丨丨項之裝置，其進一步包含一半導 體晶圓轉運機構用於輸送一半導體晶圓介於晶圓輸送 器與晶圓拋光站間，該轉運機構包含： 一可旋轉且可轴向移動之心軸； 一拉桿臂附接於心軸，其具有第一端聯結至活動 機架及第二端聯肖至細調節心㈣動器，該細調節心 轴傳動器係附接於活動機架； 粗調節心軸傳動器係附接於固定機架並聯結於 活動機架，其中該粗調節心轴傳動T卿於心轴之轴 向方向相對於固定機架移動活動; 26. 如申請專利範圍第25項之，其 該心轴進一步包含一晶圓失持端，t晶圓灸持端可 動式附接於晶圓夾持裝置，藉此心轴可使用不同晶 夾持裝置。 w 27. 如申請專利範圍第26項之，其 該心軸係旋轉式且可於轴向方向運^裝於至少 中國® 中 活圓 中 (請先閲讀背面之注意事項^寫本頁) .裝· 線 -47 - 侧328
    經濟部中央標準局員工消費合作社印製 * 40632S — _ _申請專利範圍 圊輸送器上時該密封件可相對於晶圓钩 33.如申請專利範圍第3〇項之晶，其中 該至少一喷嘴係配置成可供給去離子水:嗔霧至清洗容 納盆内部。 l·.:' 34·如申請專利範圍第30項之裝置，其中 該至少一喷嘴包含一喷嘴其係配冕成可供給去離子水 噴霧及一喷嘴其係配置成可喷霧清潔劑。 5·如申吻專利範圍第16項之裝置，其進一步包含一頭制 動機構安裝於晶圓輸送器之各該晶圓容納區，各該頭 制動機構係用於可釋放式固定一晶圓夾持頭於晶圓輸 送器上。 36. 如申請專利範圍第35項之裝置，其中該頭制動機構包 括一旋轉齧合部其具有可回縮凸部沿内部直徑，可回 縮凸部係設計成可釋放式齧合晶圓夾持頭上之凹陷區 〇 37. 如申請專利範圍第35項之裝置其中該頭制動機構包 括一環形部設置包圍晶圓輸送器之晶圓容納區周圍， 該環形臂具有複數銷容納區用於容納複數設置環繞 圓夾持頭周圍之銷。 38·如申請專利範圍第11項之裝置，其進一步包含一中 控制器其係電連接至晶圓輸送器，及第一、第二及 二拋光站，其令該中央控制器可管理複數半導體晶 沿該制程路徑至製程。 39.如申請專利範圍第38項之裝置，其進一步包含： A8 B8 C8 D8 呈密封。 央 第 圓 --„--.-----裝------訂--------線 (請先聞讀背面之注意事項寫本頁)
    -49 - 4〇632δ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
    申請專利範圍 晶 Α8 Β8 C8 D8 圓夹持卡匣用於容納複數半導體晶圓； 、一第—晶圓轉運機械人，該晶圓轉運機械人係配 置成可由半導趙夾持卡E移進及移出各別半導體晶圓 i 轉運站置於第一晶圓轉運機械人與第二晶圓 轉運機械人間’該轉運站具有一晶圓容納區用於容納 來自第一晶圓轉運機械人至晶圓； 。。第二晶圓轉運機械人係設置於轉運站與晶圓輸送 器載荷器間’第二晶圓轉運機械人也設置破鄰擦光機 構其中該第一晶圓轉運機械人係由中央控制器控制 成可轉運已處理的晶圓由晶圓輸送器載荷裝置至擦光 機及-未處理晶圓由轉運站至晶圓輸送器載荷裝置Λ 40.如申請專利範圍第39項之裝置，其中該第三抛光站 含—線性拋光機其適合以低於每分鐘^(^埃之速率 王然平面化晶圓上去除物質。 ^如申請專利範圍第40項之裝置，其中該第一及第二拋 光站各自包含一線性拋光機其適合以每分鐘至少1000 埃之速率由晶圓上去除物質。 請 閱Γ 背 之 注 意 事 I 項 II I %裝f I 訂— 包 由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -50 "
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Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5593852A (en) * 1993-12-02 1997-01-14 Heller; Adam Subcutaneous glucose electrode
US6336845B1 (en) * 1997-11-12 2002-01-08 Lam Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
US6244121B1 (en) * 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
US6423642B1 (en) * 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US7217325B2 (en) * 1999-01-22 2007-05-15 Semitool, Inc. System for processing a workpiece
US6431959B1 (en) 1999-12-20 2002-08-13 Lam Research Corporation System and method of defect optimization for chemical mechanical planarization of polysilicon
US6705930B2 (en) 2000-01-28 2004-03-16 Lam Research Corporation System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques
US6340326B1 (en) 2000-01-28 2002-01-22 Lam Research Corporation System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers
US6368968B1 (en) * 2000-04-11 2002-04-09 Vanguard International Semiconductor Corporation Ditch type floating ring for chemical mechanical polishing
US6659116B1 (en) 2000-06-26 2003-12-09 Lam Research Corporation System for wafer carrier in-process clean and rinse
US6505636B1 (en) * 2000-06-26 2003-01-14 Lam Research Corporation Apparatus for wafer carrier in-process clean and rinse
US6486550B1 (en) 2000-06-29 2002-11-26 Lam Research Corporation Locking mechanism for detachably securing a wafer carrier to a conveyor
US6991512B2 (en) * 2001-03-30 2006-01-31 Lam Research Corporation Apparatus for edge polishing uniformity control
US6790768B2 (en) * 2001-07-11 2004-09-14 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for polishing substrates comprising conductive and dielectric materials with reduced topographical defects
JP2003077993A (ja) * 2001-08-30 2003-03-14 Nec Yamagata Ltd ウェーハ用ホルダ、及び、ウェーハの吸着解放方法
US6586337B2 (en) 2001-11-09 2003-07-01 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection during chemical mechanical polishing
US6808442B1 (en) * 2001-12-20 2004-10-26 Lam Research Corporation Apparatus for removal/remaining thickness profile manipulation
US6758724B2 (en) * 2002-01-09 2004-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Online tension monitor system for robot x-belt of mirra CMP
US6722946B2 (en) * 2002-01-17 2004-04-20 Nutool, Inc. Advanced chemical mechanical polishing system with smart endpoint detection
US6955914B2 (en) * 2002-04-10 2005-10-18 Geneohm Sciences, Inc. Method for making a molecularly smooth surface
US6726545B2 (en) * 2002-04-26 2004-04-27 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Linear polishing for improving substrate uniformity
US6887338B1 (en) * 2002-06-28 2005-05-03 Lam Research Corporation 300 mm platen and belt configuration
US6567725B1 (en) * 2002-07-15 2003-05-20 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for teaching robot station location
JP2004079587A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Reitetsukusu:Kk ウエハ回転装置とこれを有する端部傷検査装置
US7111328B2 (en) * 2003-02-13 2006-09-26 Robison's Inc. Hybrid ventilated garment
JP2004288727A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Seiko Epson Corp Ｃｍｐ装置、ｃｍｐ研磨方法、半導体装置及びその製造方法
US7018273B1 (en) 2003-06-27 2006-03-28 Lam Research Corporation Platen with diaphragm and method for optimizing wafer polishing
US7025660B2 (en) * 2003-08-15 2006-04-11 Lam Research Corporation Assembly and method for generating a hydrodynamic air bearing
US7418978B2 (en) * 2004-01-30 2008-09-02 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for providing fluid to a semiconductor device processing apparatus
US6969307B2 (en) * 2004-03-30 2005-11-29 Lam Research Corporation Polishing pad conditioning and polishing liquid dispersal system
US6958005B1 (en) * 2004-03-30 2005-10-25 Lam Research Corporation Polishing pad conditioning system
US7641762B2 (en) * 2005-09-02 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber
JP4814677B2 (ja) * 2006-03-31 2011-11-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および研磨装置
US7776178B2 (en) * 2006-10-25 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Suspension for showerhead in process chamber
DE102008045534B4 (de) * 2008-09-03 2011-12-01 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
KR100969390B1 (ko) * 2008-10-30 2010-07-09 현대자동차주식회사 가공용 지그장치
DE102010025250A1 (de) * 2009-08-18 2011-02-24 Sms Logistiksysteme Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Handhaben von Brammen zum Schleifen der Brammen-Oberflächen
JP5746553B2 (ja) * 2011-04-28 2015-07-08 株式会社東芝 基板加工システム、および基板加工プログラム
US20140310895A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 Applied Materials, Inc. Scrubber brush force control assemblies, apparatus and methods for chemical mechanical polishing
CN105397632B (zh) * 2015-12-28 2018-09-11 北京中电科电子装备有限公司 一种气浮式旋转工作台工位切换的控制方法及装置
KR102050975B1 (ko) * 2017-12-27 2020-01-08 주식회사 케이씨텍 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치
KR102564114B1 (ko) * 2018-05-16 2023-08-07 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치
KR20200130545A (ko) * 2019-05-08 2020-11-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20220122363A (ko) * 2021-02-26 2022-09-02 주식회사 케이씨텍 기판 연마 시스템
CN113967874B (zh) * 2021-11-17 2022-10-14 江苏纳沛斯半导体有限公司 一种半导体晶圆制备用硅晶棒研磨加工设备
CN116344348A (zh) * 2023-05-29 2023-06-27 深圳辰达行电子有限公司 屏蔽栅沟槽sgt-mosfet半导体器件的制备方法

Family Cites Families (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2606405A (en) 1946-08-17 1952-08-12 Bell Telephone Labor Inc Polishing means and method
US3504457A (en) 1966-07-05 1970-04-07 Geoscience Instr Corp Polishing apparatus
US3615955A (en) 1969-02-28 1971-10-26 Ibm Method for polishing a silicon surface
US3631634A (en) 1970-01-26 1972-01-04 John L Weber Polishing machine
US3708921A (en) 1970-08-17 1973-01-09 Monsanto Co Apparatus and process for polishing semiconductor or similar materials
US3857123A (en) 1970-10-21 1974-12-31 Monsanto Co Apparatus for waxless polishing of thin wafers
US3691694A (en) 1970-11-02 1972-09-19 Ibm Wafer polishing machine
US3731435A (en) 1971-02-09 1973-05-08 Speedfam Corp Polishing machine load plate
US3753269A (en) 1971-05-21 1973-08-21 R Budman Abrasive cloth cleaner
US3747282A (en) 1971-11-29 1973-07-24 E Katzke Apparatus for polishing wafers
DE2306660A1 (de) 1973-02-10 1974-08-15 Wehner Kg Bandschleifmaschine
US3903653A (en) 1973-04-11 1975-09-09 Harold J Imhoff Lapping machine
US3924361A (en) 1973-05-29 1975-12-09 Rca Corp Method of shaping semiconductor workpieces
US3888053A (en) 1973-05-29 1975-06-10 Rca Corp Method of shaping semiconductor workpiece
US3833230A (en) 1973-09-13 1974-09-03 Corning Glass Works Vacuum chuck
US3986433A (en) 1974-10-29 1976-10-19 R. Howard Strasbaugh, Inc. Lap milling machine
DE2451549A1 (de) 1974-10-30 1976-08-12 Mueller Georg Kugellager Belade- und entladevorrichtung fuer plattenfoermige halbleitermaterialien
US4009539A (en) 1975-06-16 1977-03-01 Spitfire Tool & Machine Co., Inc. Lapping machine with vacuum workholder
US4020600A (en) 1976-08-13 1977-05-03 Spitfire Tool & Machine Co., Inc. Polishing fixture
US4098031A (en) 1977-01-26 1978-07-04 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for lapping semiconductor material
US4104099A (en) 1977-01-27 1978-08-01 International Telephone And Telegraph Corporation Method and apparatus for lapping or polishing materials
US4132037A (en) 1977-02-28 1979-01-02 Siltec Corporation Apparatus for polishing semiconductor wafers
DE2712521C2 (de) 1977-03-22 1987-03-05 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zum Aufkitten von Scheiben
US4141180A (en) 1977-09-21 1979-02-27 Kayex Corporation Polishing apparatus
US4193226A (en) 1977-09-21 1980-03-18 Kayex Corporation Polishing apparatus
US4194324A (en) 1978-01-16 1980-03-25 Siltec Corporation Semiconductor wafer polishing machine and wafer carrier therefor
DE2809274A1 (de) 1978-03-03 1979-09-13 Wacker Chemitronic Verfahren zur vergleichmaessigung des polierabtrages von scheiben beim polieren
US4187645A (en) 1978-07-26 1980-02-12 Timesavers, Inc. Reactive system for accommodating belt stretch and tracking
US4239567A (en) 1978-10-16 1980-12-16 Western Electric Company, Inc. Removably holding planar articles for polishing operations
US4380412A (en) 1979-08-02 1983-04-19 R. Howard Strasbaugh, Inc. Lap shaping machine with oscillatable point cutter and selectively rotatable or oscillatable lap
US4519168A (en) 1979-09-18 1985-05-28 Speedfam Corporation Liquid waxless fixturing of microsize wafers
US4256535A (en) 1979-12-05 1981-03-17 Western Electric Company, Inc. Method of polishing a semiconductor wafer
US4337598A (en) * 1979-12-21 1982-07-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Endless belt with automatic steering control
US4316757A (en) 1980-03-03 1982-02-23 Monsanto Company Method and apparatus for wax mounting of thin wafers for polishing
US4318250A (en) 1980-03-31 1982-03-09 St. Florian Company, Ltd. Wafer grinder
SU975360A1 (ru) 1981-06-02 1982-11-23 Предприятие П/Я Р-6793 Устройство дл нагружени притира доводочного станка
US4450652A (en) 1981-09-04 1984-05-29 Monsanto Company Temperature control for wafer polishing
US4373991A (en) 1982-01-28 1983-02-15 Western Electric Company, Inc. Methods and apparatus for polishing a semiconductor wafer
FR2523892A1 (fr) 1982-03-26 1983-09-30 Procedes Equip Sciences Ind Perfectionnements aux machines de polissage a plateau tournant
JPS58171255A (ja) 1982-03-29 1983-10-07 Toshiba Corp 両面鏡面研摩装置
SU1057258A1 (ru) 1982-07-05 1983-11-30 Московское Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Высшее Техническое Училище Им. Н.Э.Баумана Устройство дл двусторонней доводки деталей
JPS5914469A (ja) 1982-07-08 1984-01-25 Disco Abrasive Sys Ltd ポリツシング装置
EP0100648A3 (en) 1982-07-29 1985-08-07 Yoshiaki Nagaura Holding a workpiece
US4512113A (en) 1982-09-23 1985-04-23 Budinger William D Workpiece holder for polishing operation
JPS59161262A (ja) 1983-03-04 1984-09-12 Masanori Kunieda 磁気吸引式研摩方法
JPS6080555A (ja) * 1983-10-08 1985-05-08 Shinko Kogyo Kk ベルトサンダ−のベルト走行装置
US4593495A (en) 1983-11-25 1986-06-10 Toshiba Machine Co., Ltd. Polishing machine
GB2174936B (en) 1984-04-23 1988-07-13 Timesavers Inc Sanding and polishing machine
JPS6144571A (ja) * 1984-07-31 1986-03-04 Toshio Takegawa 斜行バンド式ベルトサンダ−
JPS61152357A (ja) * 1984-12-24 1986-07-11 Hitachi Ltd 加工装置
US4680893A (en) 1985-09-23 1987-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for polishing semiconductor wafers
JPS62162466A (ja) 1986-01-09 1987-07-18 Rohm Co Ltd ウエハ用ラツピング装置
US4627169A (en) 1986-01-27 1986-12-09 Westinghouse Electric Corp. Remote center compliance device
US4711610A (en) 1986-04-04 1987-12-08 Machine Technology, Inc. Balancing chuck
US4918870A (en) 1986-05-16 1990-04-24 Siltec Corporation Floating subcarriers for wafer polishing apparatus
US4720939A (en) 1986-05-23 1988-01-26 Simpson Products, Inc. Wide belt sander cleaning device
JPS63200965A (ja) 1987-02-12 1988-08-19 Fujitsu Ltd ウエ−ハ研磨装置
US4811522A (en) 1987-03-23 1989-03-14 Gill Jr Gerald L Counterbalanced polishing apparatus
JPS63251166A (ja) 1987-04-07 1988-10-18 Hitachi Ltd ウエハチヤツク
JPS63267155A (ja) 1987-04-24 1988-11-04 Babcock Hitachi Kk 研磨装置
DE3802561A1 (de) 1988-01-28 1989-08-10 Josef Kusser Vorrichtung zur lagerung einer schwimmenden kugel
US5095661A (en) 1988-06-20 1992-03-17 Westech Systems, Inc. Apparatus for transporting wafer to and from polishing head
US4934102A (en) 1988-10-04 1990-06-19 International Business Machines Corporation System for mechanical planarization
JPH079896B2 (ja) 1988-10-06 1995-02-01 信越半導体株式会社 研磨装置
US4910155A (en) 1988-10-28 1990-03-20 International Business Machines Corporation Wafer flood polishing
JPH0811356B2 (ja) 1989-04-06 1996-02-07 ロデール・ニッタ株式会社 ポリッシング方法およびポリッシング装置
JP2525892B2 (ja) 1989-04-06 1996-08-21 ロデール・ニッタ 株式会社 ポリッシング方法およびポリッシング装置
US5257478A (en) 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
EP0486696B1 (en) 1990-06-09 1995-11-22 Bando Kiko Co. Ltd. Surface grinder for glass plate
DE4027628A1 (de) 1990-08-31 1992-03-05 Wolters Peter Fa Vorrichtung zur steuerung oder regelung von laepp-, hon- oder poliermaschinen
US5081051A (en) 1990-09-12 1992-01-14 Intel Corporation Method for conditioning the surface of a polishing pad
FR2677292B1 (fr) 1991-06-04 1995-12-08 Seva Machine de polissage a regulation pneumatique de l'effort de l'outil de la piece a polir.
FR2677276B1 (fr) 1991-06-06 1995-12-01 Commissariat Energie Atomique Machine de polissage a table porte-echantillon perfectionnee.
JPH04363022A (ja) 1991-06-06 1992-12-15 Enya Syst:Kk 貼付板洗浄装置
JPH05177523A (ja) 1991-06-06 1993-07-20 Commiss Energ Atom 張設された微小研磨剤小板、および改良されたウエハー支持ヘッドを備えた研磨装置
US5148632A (en) 1991-06-14 1992-09-22 Corning Incorporated Cavity forming in plastic body
JP3334139B2 (ja) 1991-07-01 2002-10-15 ソニー株式会社 研磨装置
US5230184A (en) 1991-07-05 1993-07-27 Motorola, Inc. Distributed polishing head
US5212910A (en) 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
EP0609226A1 (en) 1991-07-22 1994-08-10 SMITH, Robert Keith Belt cleaner
US5193316A (en) 1991-10-29 1993-03-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium
US5205082A (en) 1991-12-20 1993-04-27 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head having floating retainer ring
EP0911115B1 (en) 1992-09-24 2003-11-26 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5658183A (en) 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
US5679059A (en) 1994-11-29 1997-10-21 Ebara Corporation Polishing aparatus and method
US5885138A (en) * 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
US5456627A (en) 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
US5547417A (en) 1994-03-21 1996-08-20 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning a semiconductor polishing pad
US5622526A (en) 1994-03-28 1997-04-22 J. D. Phillips Corporation Apparatus for trueing CBN abrasive belts and grinding wheels
US5649854A (en) 1994-05-04 1997-07-22 Gill, Jr.; Gerald L. Polishing apparatus with indexing wafer processing stations
US5536202A (en) 1994-07-27 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor substrate conditioning head having a plurality of geometries formed in a surface thereof for pad conditioning during chemical-mechanical polish
ATE186001T1 (de) * 1994-08-09 1999-11-15 Ontrak Systems Inc Linear poliergerät und wafer planarisierungsverfahren
JPH08195363A (ja) 1994-10-11 1996-07-30 Ontrak Syst Inc 流体軸受を有する半導体ウェーハポリシング装置
US5593344A (en) 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
US5575707A (en) 1994-10-11 1996-11-19 Ontrak Systems, Inc. Polishing pad cluster for polishing a semiconductor wafer
US5643044A (en) 1994-11-01 1997-07-01 Lund; Douglas E. Automatic chemical and mechanical polishing system for semiconductor wafers
US5655954A (en) 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
US6069081A (en) 1995-04-28 2000-05-30 International Buiness Machines Corporation Two-step chemical mechanical polish surface planarization technique
US5643064A (en) 1995-09-08 1997-07-01 The Whitaker Corporation Universal polishing fixture for polishing optical fiber connectors
US5624501A (en) 1995-09-26 1997-04-29 Gill, Jr.; Gerald L. Apparatus for cleaning semiconductor wafers
US5611943A (en) 1995-09-29 1997-03-18 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning of chemical-mechanical polishing pads
US5655951A (en) 1995-09-29 1997-08-12 Micron Technology, Inc. Method for selectively reconditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
JPH09109022A (ja) * 1995-10-23 1997-04-28 Rap Master S F T Kk 半導体ウエハの全自動研磨装置
US5961372A (en) * 1995-12-05 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Substrate belt polisher
DE29600447U1 (de) 1996-01-12 1996-02-29 Paul Ernst Maschinenfabrik GmbH, 74927 Eschelbronn Breitbandschleifmaschine
US5618447A (en) 1996-02-13 1997-04-08 Micron Technology, Inc. Polishing pad counter meter and method for real-time control of the polishing rate in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
JP4284707B2 (ja) * 1996-04-16 2009-06-24 ラップマスターエスエフティ株式会社 ４軸のスピンドル軸を備えた半導体ウエハの全自動研磨装置
JP3696690B2 (ja) 1996-04-23 2005-09-21 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置システム
US5800248A (en) * 1996-04-26 1998-09-01 Ontrak Systems Inc. Control of chemical-mechanical polishing rate across a substrate surface
US5916012A (en) * 1996-04-26 1999-06-29 Lam Research Corporation Control of chemical-mechanical polishing rate across a substrate surface for a linear polisher
US5871390A (en) * 1997-02-06 1999-02-16 Lam Research Corporation Method and apparatus for aligning and tensioning a pad/belt used in linear planarization for chemical mechanical polishing
US6059643A (en) * 1997-02-21 2000-05-09 Aplex, Inc. Apparatus and method for polishing a flat surface using a belted polishing pad
US5735733A (en) * 1997-04-07 1998-04-07 Drum Workshop, Inc. Drum sanding apparatus
DE29709755U1 (de) 1997-05-07 1997-09-04 Peter Wolters Werkzeugmaschinen GmbH, 24768 Rendsburg Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Objektes, insbesondere eines Halbleiterwafers
US6062959A (en) * 1997-11-05 2000-05-16 Aplex Group Polishing system including a hydrostatic fluid bearing support
US6336845B1 (en) * 1997-11-12 2002-01-08 Lam Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
US5897426A (en) * 1998-04-24 1999-04-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with multiple polishing pads
US6126512A (en) * 1998-07-10 2000-10-03 Aplex Inc. Robust belt tracking and control system for hostile environment
US6143147A (en) 1998-10-30 2000-11-07 Tokyo Electron Limited Wafer holding assembly and wafer processing apparatus having said assembly
US6231428B1 (en) 1999-03-03 2001-05-15 Mitsubishi Materials Corporation Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring
US6135859A (en) * 1999-04-30 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a polishing sheet and a support sheet
US6186880B1 (en) 1999-09-29 2001-02-13 Semiconductor Equipment Technology Recyclable retaining ring assembly for a chemical mechanical polishing apparatus
JP7111256B2 (ja) 2019-05-22 2022-08-02 村田機械株式会社 自動倉庫システム

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