JPS62162466A - ウエハ用ラツピング装置 - Google Patents
ウエハ用ラツピング装置Info
- Publication number
- JPS62162466A JPS62162466A JP61003072A JP307286A JPS62162466A JP S62162466 A JPS62162466 A JP S62162466A JP 61003072 A JP61003072 A JP 61003072A JP 307286 A JP307286 A JP 307286A JP S62162466 A JPS62162466 A JP S62162466A
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- JP
- Japan
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- wafer
- lapping
- film
- grinding
- chuck
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- Pending
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、シリコン等のウェハの表面仕上げを行うウ
ェハ用ラッピング装置に関する。
ェハ用ラッピング装置に関する。
（ロ）従来の技術
一般に、例えば半導体のシリコンウェハは、シリコン結
晶をスライスした後、研削装置で表面を研削して所定厚
さに仕上げられると共に、この研削装置による研削と、
この研削に続いて行われる強酸による化学処理とにより
所定の面粗度（０，０４’±０．０２″ （最大高さ、
単位μｍ、以下同じ）〕に加工されていた。
晶をスライスした後、研削装置で表面を研削して所定厚
さに仕上げられると共に、この研削装置による研削と、
この研削に続いて行われる強酸による化学処理とにより
所定の面粗度（０，０４’±０．０２″ （最大高さ、
単位μｍ、以下同じ）〕に加工されていた。
上記研削装置の一例としては、第２図にも示されている
三軸立型研削装置が知られている。この三軸立型研削装
置は、ウェハを吸着支持可能な回転テーブル上に、回転
駆動される３つの砥石が設けられて構成されている。そ
して、回転テーブルを低速で回転し、先ず丸目の砥石で
ウェハ表面を研削し、続いて中目の砥石、その後、細目
の砥石で順に研削を行っていた。
三軸立型研削装置が知られている。この三軸立型研削装
置は、ウェハを吸着支持可能な回転テーブル上に、回転
駆動される３つの砥石が設けられて構成されている。そ
して、回転テーブルを低速で回転し、先ず丸目の砥石で
ウェハ表面を研削し、続いて中目の砥石、その後、細目
の砥石で順に研削を行っていた。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
上記従来のウェハ表面仕上方法では、強酸による化学的
処理が不可欠であったため、ウェハ表面仕上作業に危険
を伴うと共に、作業中に有害ガスが発生し、大気公害を
防止するために、有害ガス処理装置など大規模の設備が
必要とされる不都合があると共に、上記処理を別工程と
しなければならず、作業効率並びに歩留が著しく低下す
る不都合があった。
処理が不可欠であったため、ウェハ表面仕上作業に危険
を伴うと共に、作業中に有害ガスが発生し、大気公害を
防止するために、有害ガス処理装置など大規模の設備が
必要とされる不都合があると共に、上記処理を別工程と
しなければならず、作業効率並びに歩留が著しく低下す
る不都合があった。
さらに、強酸による化学反応は強力であるため、ウェハ
に必要以上の化学変化を与え、これらウェハより製造さ
れた半４体製品の信頼性を劣化させる不都合があった。
に必要以上の化学変化を与え、これらウェハより製造さ
れた半４体製品の信頼性を劣化させる不都合があった。
そこで、研削加工のみにより必要とされる面粗度を達成
する努力が続けられており、砥石を構成するダイヤ砥粒
の粒度や、ダイヤ砥粒を結合するダイヤ結合剤の硬度等
を様々に変化させてきたが、砥石の固定砥粒による研削
で達成される面粗度は０．４３ ±０．２”が限界であ
った。この面粗度（０，４’±０．２”）では、後のダ
イポンディング工程においてスクライブされたウェハの
チップをリードフレーム等にボンディングする際に、そ
の融着率が低下する不都合があった。
する努力が続けられており、砥石を構成するダイヤ砥粒
の粒度や、ダイヤ砥粒を結合するダイヤ結合剤の硬度等
を様々に変化させてきたが、砥石の固定砥粒による研削
で達成される面粗度は０．４３ ±０．２”が限界であ
った。この面粗度（０，４’±０．２”）では、後のダ
イポンディング工程においてスクライブされたウェハの
チップをリードフレーム等にボンディングする際に、そ
の融着率が低下する不都合があった。
この発明は、上記不都合に鑑みなされたもので、強酸に
よる化学的加工と同等の面粗度が得られるウェハ用ラッ
ピング装置の提供を目的としている。
よる化学的加工と同等の面粗度が得られるウェハ用ラッ
ピング装置の提供を目的としている。
（ニ）問題点を解決するための手段
上記不都合を解決するための手段として、この発明のウ
ェハ用ラッピング装置は、以下の構成を採用している。
ェハ用ラッピング装置は、以下の構成を採用している。
（ａ）ウェハを取着すると共に回転駆動されるチャック
。
。
（ｂ）前記チャックに取着されたウェハに対峙して帯動
する帯状ラッピングフィルム。
する帯状ラッピングフィルム。
（Ｃ）前記ウェハ上を帯動するラッピングフィルムをウ
ェハの加工面に圧接するための圧接手段、（ｄ）前記ウ
ェハの加工面に研削液を供給する研削液供給手段。
ェハの加工面に圧接するための圧接手段、（ｄ）前記ウ
ェハの加工面に研削液を供給する研削液供給手段。
（ホ）作用
この発明のウェハ用ラッピング装置は、回転するウェハ
の加工面上に、加工面の冷却等のための水等の研削液を
供給しつつ、表面に砥粒が固着されたラッピングフィル
ムを圧接させると共に、このラッピングフィルムを帯動
し、ラッピングフィルムの新しい面で常にラッピングを
行う結果、所定の面粗度を得ることが可能となる。
の加工面上に、加工面の冷却等のための水等の研削液を
供給しつつ、表面に砥粒が固着されたラッピングフィル
ムを圧接させると共に、このラッピングフィルムを帯動
し、ラッピングフィルムの新しい面で常にラッピングを
行う結果、所定の面粗度を得ることが可能となる。
また、研削液としてメチルアミン（ＣＨ３ＮＨｚ）、エ
チルアミン（ＣＨ２ＣＨｚ Ｎ Ｈｚ）、エタノールア
ミン（ＮＨｚ ＣＺ Ｈ２０Ｈ）等のアミン化合物（Ｒ
−Ｎ Ｈｚ、ＲＲ’−Ｎ Ｈ，ＲＲ’Ｒ”−Ｎ、Ｒ，Ｒ
’、Ｒ”は炭化水素残基）の水溶液を使用すれば、これ
らの水溶液はシリコン（Ｓｔ）、ガリウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）等のウェハを、金属イオンで汚染することなく溶解
する性質を有しているため、ラッピングフィルム表面の
砥粒によるラッピング効果との相乗作用により、面粗度
の向上が達成される。
チルアミン（ＣＨ２ＣＨｚ Ｎ Ｈｚ）、エタノールア
ミン（ＮＨｚ ＣＺ Ｈ２０Ｈ）等のアミン化合物（Ｒ
−Ｎ Ｈｚ、ＲＲ’−Ｎ Ｈ，ＲＲ’Ｒ”−Ｎ、Ｒ，Ｒ
’、Ｒ”は炭化水素残基）の水溶液を使用すれば、これ
らの水溶液はシリコン（Ｓｔ）、ガリウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）等のウェハを、金属イオンで汚染することなく溶解
する性質を有しているため、ラッピングフィルム表面の
砥粒によるラッピング効果との相乗作用により、面粗度
の向上が達成される。
この時、前記水溶液はアルミニウム以外の金属とは反応
しないため、ウェハ用ラッピング装置に特別に前記アミ
ン水溶液との反応を防止する手段（例えばコーティング
など）を施す必要はない。
しないため、ウェハ用ラッピング装置に特別に前記アミ
ン水溶液との反応を防止する手段（例えばコーティング
など）を施す必要はない。
（へ）実施例
この発明の一実施例を、第１図及び第２図に基づいて以
下に説明する。
下に説明する。
第１図は、この発明の一実施例に係るウェハ用ラッピン
グ装置（以下、単にラッピング装置という）■の一部を
破断して示す側面図である。
グ装置（以下、単にラッピング装置という）■の一部を
破断して示す側面図である。
このラッピング装置１は、後述の真空チャック５を回転
駆動するためのモータ（図示せず）等を内蔵した基台２
より上方に回転軸３を突出し、さらにこの回転軸３上端
にスピンドル４を取付け、このスピンドル４上面にウェ
ハＷを吸着する真空チャック５を設けている。
駆動するためのモータ（図示せず）等を内蔵した基台２
より上方に回転軸３を突出し、さらにこの回転軸３上端
にスピンドル４を取付け、このスピンドル４上面にウェ
ハＷを吸着する真空チャック５を設けている。
前記ウェハＷ上方には、未使用のラッピングフィルムＦ
のロール９を回転自在に取着するロール取付軸８と、前
記ロール９より引出されたラッピングフィルムＦを巻取
るための図示しない回転駆動手段により回転駆動される
巻取軸１０が並設されている。また、前記ウェハＷ直上
には、上下動可能な定圧ローラ１１が設けられ、ウェハ
Ｗ直上を通過するラッピングフィルムＦの砥粒（酸化ア
ルミ、酸化クロム等）を固着した表面がウェハＷの加工
面Ｓに圧接されるよう、ラッピングフィルムＦの裏面を
ウェハＷに押しつける。なお、定圧ローラ１１に代えて
支持板（ブラッテン）をラッピングフィルムＦの裏面に
押しつけるブラソテン方式を採用することも可能である
。
のロール９を回転自在に取着するロール取付軸８と、前
記ロール９より引出されたラッピングフィルムＦを巻取
るための図示しない回転駆動手段により回転駆動される
巻取軸１０が並設されている。また、前記ウェハＷ直上
には、上下動可能な定圧ローラ１１が設けられ、ウェハ
Ｗ直上を通過するラッピングフィルムＦの砥粒（酸化ア
ルミ、酸化クロム等）を固着した表面がウェハＷの加工
面Ｓに圧接されるよう、ラッピングフィルムＦの裏面を
ウェハＷに押しつける。なお、定圧ローラ１１に代えて
支持板（ブラッテン）をラッピングフィルムＦの裏面に
押しつけるブラソテン方式を採用することも可能である
。
前記ウェハＷの上側方には、ウェハＷの加工面Ｓに水又
はメチルアミン、エチルアミン、エタノールアミン等の
アミン水溶液である研削液を供給する研削液供給手段た
るノズル１２が設けられている。ノズル１２には、図示
しないタンクよりの研削液が、同じく図示しないポンプ
により圧送され、その流量はラッピング条件に合わせて
適宜調整される。
はメチルアミン、エチルアミン、エタノールアミン等の
アミン水溶液である研削液を供給する研削液供給手段た
るノズル１２が設けられている。ノズル１２には、図示
しないタンクよりの研削液が、同じく図示しないポンプ
により圧送され、その流量はラッピング条件に合わせて
適宜調整される。
また、前記回転軸３、スピンドル４及び真空チャック５
の側方には、研削液が周囲に飛散しないようカバー６が
周設されている。このカバー６の底面には、カバー６内
に溜まった研削液を回収するためのドレン７が設けられ
ている。
の側方には、研削液が周囲に飛散しないようカバー６が
周設されている。このカバー６の底面には、カバー６内
に溜まった研削液を回収するためのドレン７が設けられ
ている。
第２図は、上記ラッピング装Ｗ１を従来の三軸立型研削
装置２１に付設した研削ラッピングシステム３０の斜視
図である。三軸立型研削装置２１について簡単に説明す
ると、基台２２上に回転可能に載置されたテーブル２３
上面には、ウェハＷ１・・・・・・、Ｗを真空吸着する
吸着部２４、・・・・・・、２４が周設されている。一
方、前記テーブル２３上方には、上下動可能で回転駆動
される３つのスピンドル２５、・・・・・・、２５が設
けられ、このスピンドル２５、・・・・・・、２５の下
端に取着された砥石２６ａ、２６ｂ、２６ｃがそれぞれ
ウェハＷ１・・・・・・、Ｗに接することにより研削が
行われる。砥石２６ａは丸目、砥石２６ｂは中目、砥石
２６ｃは細目の砥石であり、ウェハＷ、・・・・・・、
Ｗはこの順序で各砥石２６ａ、２６ｂ、２６ｃにより研
削され、所定の厚さ及び面粗度に加工されていく。なお
、砥石２６ａ、２６ｂ、２６ｃの研削面には、適切な手
段により純水が研削液として供給される。
装置２１に付設した研削ラッピングシステム３０の斜視
図である。三軸立型研削装置２１について簡単に説明す
ると、基台２２上に回転可能に載置されたテーブル２３
上面には、ウェハＷ１・・・・・・、Ｗを真空吸着する
吸着部２４、・・・・・・、２４が周設されている。一
方、前記テーブル２３上方には、上下動可能で回転駆動
される３つのスピンドル２５、・・・・・・、２５が設
けられ、このスピンドル２５、・・・・・・、２５の下
端に取着された砥石２６ａ、２６ｂ、２６ｃがそれぞれ
ウェハＷ１・・・・・・、Ｗに接することにより研削が
行われる。砥石２６ａは丸目、砥石２６ｂは中目、砥石
２６ｃは細目の砥石であり、ウェハＷ、・・・・・・、
Ｗはこの順序で各砥石２６ａ、２６ｂ、２６ｃにより研
削され、所定の厚さ及び面粗度に加工されていく。なお
、砥石２６ａ、２６ｂ、２６ｃの研削面には、適切な手
段により純水が研削液として供給される。
次に、このラッピング装置１及び研削ラッピングシステ
ム３０の動作を以下に説明する。
ム３０の動作を以下に説明する。
先ず、加工されるウェハＷは、三軸立型研削装置２１の
第２図中Ａの位置に位置する吸着部２４に吸着される。
第２図中Ａの位置に位置する吸着部２４に吸着される。
テーブル２３は反時計方向に回転しており、ウェハＷは
砥石２６ａ、２６ｂ、２６Ｃによって順次研削される。
砥石２６ａ、２６ｂ、２６Ｃによって順次研削される。
砥石２６ｃによる研削が終了したウェハＷは、第２図中
Ｂの位置に回動すると、図示しない真空チャック等によ
り、三軸立型研削装置２１の吸着部２４よりランピング
装置１の真空チャック５まで搬送される。
Ｂの位置に回動すると、図示しない真空チャック等によ
り、三軸立型研削装置２１の吸着部２４よりランピング
装置１の真空チャック５まで搬送される。
ウェハＷが真空チャック５に吸着されると、チャック５
が回転を開始し、ウェハＷもチャック５と共に回転する
と共に、定圧ローラ１１が下動し、ラッピングフィルム
ＦをウェハＷの加工面Ｓに押しつける。この時、ラッピ
ングフィルムＦは、巻取軸１０によって適当な速度（例
えば２ｃｍ／ｍ１ｎ）で巻取られ、ラッピングフィルム
Ｆの新しい面で常にラッピングが行われる。
が回転を開始し、ウェハＷもチャック５と共に回転する
と共に、定圧ローラ１１が下動し、ラッピングフィルム
ＦをウェハＷの加工面Ｓに押しつける。この時、ラッピ
ングフィルムＦは、巻取軸１０によって適当な速度（例
えば２ｃｍ／ｍ１ｎ）で巻取られ、ラッピングフィルム
Ｆの新しい面で常にラッピングが行われる。
上記ラッピング中は、ノズル１２よりは研削液として水
又はアミン水溶液がウェハＷの加工面Ｓ上に供給される
。
又はアミン水溶液がウェハＷの加工面Ｓ上に供給される
。
ラッピングが終了すると、定圧ローラ１１が上動し、ラ
ッピングフィルムＦがウェハＷの加工面Ｓより離れると
共に、真空チャック５が回転を停止し、図示しない他の
真空チャック等により加工済みのウェハＷは真空チャッ
ク５より取外され、次の工程に搬送される。
ッピングフィルムＦがウェハＷの加工面Ｓより離れると
共に、真空チャック５が回転を停止し、図示しない他の
真空チャック等により加工済みのウェハＷは真空チャッ
ク５より取外され、次の工程に搬送される。
なお、上記実施例においては、この発明のラッピング装
置１は従来の三軸立型研削装置２１に付設されたものと
して示しているが、この発明のラッピング装置は、単独
であるいは他の型式の研削装置と組合わせて使用できる
応用範囲の広いものである。
置１は従来の三軸立型研削装置２１に付設されたものと
して示しているが、この発明のラッピング装置は、単独
であるいは他の型式の研削装置と組合わせて使用できる
応用範囲の広いものである。
また、この発明のラッピング装置における各構成部材の
形状・配置関係は、上記実施例で示したラッピング装置
１のものに限定されず、適宜設計変更可能である。
形状・配置関係は、上記実施例で示したラッピング装置
１のものに限定されず、適宜設計変更可能である。
（ト）発明の効果
この発明のラッピング装置は、ウェハを取着すると共に
回転駆動されるチャックと、このチャックに取着された
ウェハに対峙して帯動する帯状のラッピングフィルムと
、前記ウェハ上を帯動するラッピングフィルムをウェハ
の加工面に圧接するための圧接手段と、前記ウェハの加
工面に研削液を供給する研削液供給手段を備えたもので
あるがら、ウェハ表面の面粗度を０．０４Ｓ ±０．０
２’まで向上させることができる結果、以下の利点を有
する。
回転駆動されるチャックと、このチャックに取着された
ウェハに対峙して帯動する帯状のラッピングフィルムと
、前記ウェハ上を帯動するラッピングフィルムをウェハ
の加工面に圧接するための圧接手段と、前記ウェハの加
工面に研削液を供給する研削液供給手段を備えたもので
あるがら、ウェハ表面の面粗度を０．０４Ｓ ±０．０
２’まで向上させることができる結果、以下の利点を有
する。
第１に、従来行われていた強酸による化学処理が不要と
なり、ウェハ表面仕上作業が安全になり、作業環境が大
幅に改善されると共に、作業中に有害ガスの発生がない
ため、有害ガス処理装置等の公害防止設備が不要となる
。
なり、ウェハ表面仕上作業が安全になり、作業環境が大
幅に改善されると共に、作業中に有害ガスの発生がない
ため、有害ガス処理装置等の公害防止設備が不要となる
。
第２に、強酸により化学処理が不要になった結果、ウェ
ハに必要以上の化学変化を与えることがなくなり、これ
らウェハより製造される半導体製品の信頼性を向上させ
る。
ハに必要以上の化学変化を与えることがなくなり、これ
らウェハより製造される半導体製品の信頼性を向上させ
る。
第３に、ウェハ表面の最終仕上げを別工程とする必要が
なく、実施例において示した如く、従来の研削装置にこ
の発明のラッピング装置を付設することが可能であり、
作業効率が大幅に向上される。
なく、実施例において示した如く、従来の研削装置にこ
の発明のラッピング装置を付設することが可能であり、
作業効率が大幅に向上される。
第１図は、この発明の一実施例に係るウェハ用ラッピン
グ装置の縦断面図、第２図は、同ウェハ用ラッピング装
置を三軸立型研削装置に付設した研削ラッピングシステ
ムの斜視図を示ス。 ５：真空チャック、 １１：定圧ローラ、１２：ノズ
ル、 Ｆ：ラッピングフィルム、Ｗ：ウェハ、
Ｓ：加工面。 特許出願人 ローム株式会社代理人
弁理士 中 村 茂 信第１図 第２ヌ
グ装置の縦断面図、第２図は、同ウェハ用ラッピング装
置を三軸立型研削装置に付設した研削ラッピングシステ
ムの斜視図を示ス。 ５：真空チャック、 １１：定圧ローラ、１２：ノズ
ル、 Ｆ：ラッピングフィルム、Ｗ：ウェハ、
Ｓ：加工面。 特許出願人 ローム株式会社代理人
弁理士 中 村 茂 信第１図 第２ヌ
Claims (3)
- （１）ウェハを取着すると共に回転駆動されるチャック
と、このチャックに取着されたウェハに対峙して帯動す
る帯状のラッピングフィルムと、前記ウェハ上を帯動す
るラッピングフィルムをウェハの加工面に圧接するため
の圧接手段と、前記ウェハの加工面に研削液を供給する
研削液供給手段とを備えてなるウェハ用ラッピング装置
。 - （２）前記研削液供給手段により供給される研削液がア
ミン化合物の水溶液である特許請求の範囲第１項記載の
ウェハ用ラッピング装置。 - （３）前記研削液供給手段により供給される研削液が水
である特許請求の範囲第１項記載のウェハ用ラッピング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61003072A JPS62162466A (ja) | 1986-01-09 | 1986-01-09 | ウエハ用ラツピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61003072A JPS62162466A (ja) | 1986-01-09 | 1986-01-09 | ウエハ用ラツピング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62162466A true JPS62162466A (ja) | 1987-07-18 |
Family
ID=11547133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61003072A Pending JPS62162466A (ja) | 1986-01-09 | 1986-01-09 | ウエハ用ラツピング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62162466A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0487768A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-19 | Noritake Co Ltd | 硬脆性材料ラッピング方法および装置 |
| EP0696495A1 (en) * | 1994-08-09 | 1996-02-14 | Ontrak Systems, Inc. | Linear polisher and method for semiconductor wafer planarization |
| US5558568A (en) * | 1994-10-11 | 1996-09-24 | Ontrak Systems, Inc. | Wafer polishing machine with fluid bearings |
| US6135859A (en) * | 1999-04-30 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing with a polishing sheet and a support sheet |
| US6241583B1 (en) | 1999-02-04 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing with a plurality of polishing sheets |
| US6244935B1 (en) | 1999-02-04 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an advanceable polishing sheet |
| US6336845B1 (en) | 1997-11-12 | 2002-01-08 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
| WO1999053528A3 (en) * | 1998-04-10 | 2002-01-10 | Silicon Genesis Corp | Surface treatment process and system |
| US6419559B1 (en) | 2000-07-10 | 2002-07-16 | Applied Materials, Inc. | Using a purge gas in a chemical mechanical polishing apparatus with an incrementally advanceable polishing sheet |
| US6475070B1 (en) | 1999-02-04 | 2002-11-05 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing with a moving polishing sheet |
| US6520841B2 (en) | 2000-07-10 | 2003-02-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an incrementally advanceable polishing sheet |
| US6561884B1 (en) | 2000-08-29 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Web lift system for chemical mechanical planarization |
| US6626744B1 (en) | 1999-12-17 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Planarization system with multiple polishing pads |
| US6951507B2 (en) | 1993-11-16 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing apparatus |
| US7025660B2 (en) | 2003-08-15 | 2006-04-11 | Lam Research Corporation | Assembly and method for generating a hydrodynamic air bearing |
-
1986
- 1986-01-09 JP JP61003072A patent/JPS62162466A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0487768A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-19 | Noritake Co Ltd | 硬脆性材料ラッピング方法および装置 |
| US6951507B2 (en) | 1993-11-16 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing apparatus |
| EP0696495A1 (en) * | 1994-08-09 | 1996-02-14 | Ontrak Systems, Inc. | Linear polisher and method for semiconductor wafer planarization |
| US5692947A (en) * | 1994-08-09 | 1997-12-02 | Ontrak Systems, Inc. | Linear polisher and method for semiconductor wafer planarization |
| US6231427B1 (en) | 1994-08-09 | 2001-05-15 | Lam Research Corporation | Linear polisher and method for semiconductor wafer planarization |
| US5558568A (en) * | 1994-10-11 | 1996-09-24 | Ontrak Systems, Inc. | Wafer polishing machine with fluid bearings |
| US5593344A (en) * | 1994-10-11 | 1997-01-14 | Ontrak Systems, Inc. | Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems |
| US6416385B2 (en) | 1997-11-12 | 2002-07-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
| US6336845B1 (en) | 1997-11-12 | 2002-01-08 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
| WO1999053528A3 (en) * | 1998-04-10 | 2002-01-10 | Silicon Genesis Corp | Surface treatment process and system |
| US6475070B1 (en) | 1999-02-04 | 2002-11-05 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing with a moving polishing sheet |
| US6379231B1 (en) | 1999-02-04 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an advanceable polishing sheet |
| US6241583B1 (en) | 1999-02-04 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing with a plurality of polishing sheets |
| US7104875B2 (en) | 1999-02-04 | 2006-09-12 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with rotating belt |
| US6244935B1 (en) | 1999-02-04 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an advanceable polishing sheet |
| US6729944B2 (en) | 1999-02-04 | 2004-05-04 | Applied Materials Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with rotating belt |
| US7303467B2 (en) | 1999-02-04 | 2007-12-04 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with rotating belt |
| US6135859A (en) * | 1999-04-30 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing with a polishing sheet and a support sheet |
| US6626744B1 (en) | 1999-12-17 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Planarization system with multiple polishing pads |
| US6419559B1 (en) | 2000-07-10 | 2002-07-16 | Applied Materials, Inc. | Using a purge gas in a chemical mechanical polishing apparatus with an incrementally advanceable polishing sheet |
| US6520841B2 (en) | 2000-07-10 | 2003-02-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an incrementally advanceable polishing sheet |
| US6561884B1 (en) | 2000-08-29 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Web lift system for chemical mechanical planarization |
| US7008303B2 (en) | 2000-08-29 | 2006-03-07 | Applied Materials Inc. | Web lift system for chemical mechanical planarization |
| US7025660B2 (en) | 2003-08-15 | 2006-04-11 | Lam Research Corporation | Assembly and method for generating a hydrodynamic air bearing |
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