JPH09109022A - 半導体ウエハの全自動研磨装置 - Google Patents
半導体ウエハの全自動研磨装置Info
- Publication number
- JPH09109022A JPH09109022A JP29727195A JP29727195A JPH09109022A JP H09109022 A JPH09109022 A JP H09109022A JP 29727195 A JP29727195 A JP 29727195A JP 29727195 A JP29727195 A JP 29727195A JP H09109022 A JPH09109022 A JP H09109022A
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- Japan
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- polishing
- wafer
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- side cassette
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- Pending
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
全自動化を計ると共に、複数枚の半導体ウエハを連続し
て研磨加工をするために能率化が図れるものであり、更
に、研磨加工面に吸着パットによる吸着痕を残留させな
い全自動研磨装置を提供する。 【構成】基台と、送出側エレベータ機構と、送出側カセ
ット載置台と、送出側カセットと、ウエハ移送機構と、
研磨前仮置台と、半導体ウエハを貼着させるチャックを
下端に備えた二組のスピンドル軸と、二組のスピンドル
軸を回転自在且つ相対位置に担持して回動停止自在なタ
ーンコラムと、研磨テーブルと、研磨後仮置台と、ウエ
ハ流出口を開口させたウエハ流通部と、収納側カセット
と、収納側カセット載置台と、収納側エレベータ機構と
を備え、ウエハ移送機構と研磨前仮置台と研磨後仮置台
とを搭載させると共にウエハ流通部を形設したスライド
装置は送出側カセットと収納側カセットとの間をスライ
ド可能に配設した。
Description
に超高精度の研磨加工を施すポリッシングマシーン、ラ
ッピングマシーンの全自動研磨装置に関するものであ
る。
ンピュータ等の電子関連機器、所謂OA機器等の集積回
路に使用されており、その開発は日々進歩しており機器
そのものの小型化に伴う極薄化と、歩留まりの観点から
のより超高精度の加工精度と、生産性の観点からより一
層の拡径化が要求されてきている。
ン結晶体を一定の厚さにスライシングし、そのスライシ
ングした半導体ウエハを更に所望の厚さにするために研
削加工を行っている。
下端に取着されたカップホイールダイヤモンド砥石によ
って粗研削、仕上研削等に分けて行われているが、昨今
要求される半導体ウエハは超高精度の平坦精度と鏡面加
工であり、従来のようなカップホイールダイヤモンド砥
石で研削するだけでは、半導体ウエハに研削によるダメ
ージが残り今求められる超高精度の平坦精度、鏡面加工
を施すのは不可能と成ってきており、研削加工後に研磨
加工を必要としている。
は、生産性の観点から比較的大径とした下方定盤と略同
径の上部定盤との間にキャリァ等を介して複数枚の半導
体ウエハを挟圧させて同時にラッピング加工、或いは、
ポリッシング加工の研磨加工を施しているが、昨今の極
薄化、拡径化する半導体ウエハでは加工前後の定盤への
着脱の際、或いは、加工中に破壊してしまうことが屡々
あり、又、加工後の加工精度にバラツキが有り品質の均
一化が計れない等に苦慮している実情である。
ットを用いて収納側カセットへ収納するタイプの研磨装
置では、半導体ウエハの吸着パットの吸着面に吸着痕が
残留し、超高精度の加工精度に課題を有するものであっ
た。
ので、鋭意研鑚の結果、これらの問題点を一挙に解決す
るもので、ポリッシングマシーン、ラッピングマシーン
の全自動化を計ると共に、複数枚の半導体ウエハを連続
して研磨加工をするために能率化が図れるものであり、
更に、研磨加工面に吸着パットによる吸着痕を残留させ
ない全自動研磨装置に創達し、これを提供する目的であ
る。
ータ機構と、送出側カセット載置台と、送出側カセット
と、ウエハ移送機構と、研磨前仮置台と、半導体ウエハ
を貼着させるチャックを下端に備えた二組のスピンドル
軸と、二組のスピンドル軸を回転自在且つ相対位置に担
持して回動停止自在なターンコラムと、研磨テーブル
と、研磨後仮置台と、ウエハ流出口を開口させたウエハ
流通部と、収納側カセットと、収納側カセット載置台
と、収納側エレベータ機構とを備え、ウエハ移送機構と
研磨前仮置台と研磨後仮置台とを搭載させると共にウエ
ハ流通部を形設したスライド装置は送出側カセットと収
納側カセットとの間をスライド可能に配設した構成であ
る。
磨装置を以下実施例の図面によって説明する。
説明のための概要平面図であり、図2は本発明の全自動
研磨装置の実施例の説明のための概要側面図である。
度の研磨加工を施すポリッシングマシーン、ラッピング
マシーンの全自動研磨装置に関するものであって、基台
1と、該基台1に設けた送出側エレベータ機構2と、該
送出側エレベータ機構2と機械的に接続された昇降可能
な送出側カセット載置台3と、該送出側カセット載置台
3へ載置され複数枚の半導体ウエハが収納された送出側
カセット4と、該送出側カセット4の半導体ウエハを単
品毎に移送させるウエハ移送機構5と、該ウエハ移送機
構5で移送された半導体ウエハを乗載させる研磨前仮置
台6と、該研磨前仮置台6へ乗載させた半導体ウエハを
貼着させるチャック7aを下端に備えた回転自在な二組
のスピンドル軸7と、該二組のスピンドル軸7を昇降自
在に且つ相対位置に担持して回動停止自在なターンコラ
ム8と、該ターンコラム8の近傍に配設した研磨テーブ
ル9と、該研磨テーブル9の上面で研磨された加工後の
半導体ウエハを乗載させる研磨後仮置台10と、該研磨
後仮置台10から液体によって流出する半導体ウエハの
流路と成りウエハ流出口11aを開口させたウエハ流通
部11と、該ウエハ流出口11aから流出する半導体ウ
エハを複数枚収納する収納側カセット12と、該収納側
カセット12を載置する収納側カセット載置台13と、
該収納側カセット載置台13と機械的に接続された昇降
可能な収納側エレベータ機構14とを備え、前記ウエハ
移送機構5と前記研磨前仮置台6と前記研磨後仮置台1
0とを搭載させると共にウエハ流通部11を形設したス
ライド装置15は少なくとも前記送出側カセット4と前
記収納側カセット12との間をスライド可能に配設した
ものである。
エハの極薄化、拡径化、超高精度の平坦面、鏡面加工に
充分に対応できる全自動のポリシングマシーン、ラッピ
ングマシーンの研磨装置に関するものである。
各機構を組設するためものであり、全体的には矩形状を
呈しており、高さは作業性を考慮し適宜に設定されるも
のである。
配設された駆動源のモーター(図示しない)と機械的に
接続された棒螺子、歯車、ベルト等の伝導機構によって
後述する送出側カセット4を送出側カセット載置台3に
載置し半導体ウエハを送出させる際に、上下位置を調整
可能に昇降自在として組設されているもので、モーター
の駆動力を棒螺子等の伝導機構に伝え、伝導機構の回転
によって昇降する昇降部材を基台1内に組設し、該昇降
部材と共に昇降する送出側カセット載置台3を上下動自
在に配設したものである。
の桟体で仕切った棚へ複数枚の半導体ウエハの外周縁部
を支持して単品毎に収納している函状のものであり、該
送出側カセット4は前記送出側カセット載置台3へ着脱
自在に載置され、該送出側カセット載置台3の昇降によ
って高さを調整し後述するウエハ移送機構5によって移
送されるものである。
送アームへエア又はオイルで進退するシリンダを配し、
該移送アームの先端には半導体ウエハをバキューム吸着
させる吸着パットを備えたものであり、前記送出側カセ
ット4に収納されている半導体ウエハを送出側カセット
載置台3の昇降と、前記ウエハ移送機構5の移送アーム
を伸縮させることによって、送出側カセット4に収納さ
れている半導体ウエハを吸着パットで吸着させて移送ア
ームの反転によって半導体ウエハを単品毎に研削前仮置
台に移送されるものである。
等の液体の水流を絶えず噴流させるための複数の噴流孔
を設けているもので、液体の水流によって半導体ウエハ
をリフトすると共に洗浄させているものであり、周縁は
立壁によって囲まれて半導体ウエハが研磨前仮置台6か
ら流出することを防止しているものである。
ターンコラム8の相対する位置へ夫々回転自在且つ昇降
自在に担持されており、下端へは半導体ウエハを液体に
よって貼着するチャック7aを夫々設けているものであ
る。
前記二組のスピンドル軸7を回転自在に且つ相対する位
置に夫々担持させたものであり、該ターンコラム8は後
述するスライド装置15と研磨テーブル9との間に立設
させ、水平方向に180°回動して停止することによっ
て、前記二組のスピンドル軸7の下端に貼着された半導
体ウエハをスライド装置15と研磨テーブル9との間を
移送させるものである。
設けており、前記スピンドル軸7の下端に設けられたチ
ャック7aに貼着された半導体ウエハをスピンドル軸7
の降下によって挟着して、ポリシング、又は、ラッピン
グするものであり、モーターの駆動源により回転自在に
基台1上に立設しているものであり、研磨テーブル9の
軸心は前記スピンドル軸7の軸心とはずらせており、夫
々逆方向に回転させて研磨加工を施すものである。
ャック7aに挟着されて研磨された加工後の半導体ウエ
ハはスピンドル軸7の上昇及びターンコラム8の回動に
よって研磨後仮置台10へ移送されると共に、該研磨後
仮置台10は円板状の底面へ純水等の液体の水流を絶え
ず噴流させるための複数の噴流孔を設けているもので、
純水等の水流によって研磨加工後の半導体ウエハをリフ
トすると共に、半導体ウエハは後述するスライド装置1
5に備えたウエハ流通部11を水流によって流出させる
ものである。
配設された前記送出側カセット4と後述する収納側カセ
ット12の間をスライドするもので、異型状の水層と成
っており、基台1の上方にレールを敷設し、該レールと
合着するレール受けを設けてスライドするものであり、
又、スライドはモーター、流体圧を用いてスライド機構
を構成しており、スライド装置15へはウエハ移送機構
5と研磨前仮置台6と研磨後仮置台10とを夫々組込み
スライド装置15のスライドに伴って移動するものであ
り、前記ウエハ流通部11は前記研磨後仮置台10の液
体の水流によって流れて来る半導体ウエハを収納側カセ
ット12に移送するために水路となるもので、スライド
装置15の周縁へ液体が半導体ウエハと共に流出するウ
エハ流出口11aを開口させているものである。
11から流出する半導体ウエハを複数枚収納する収納側
カセット12、及び、収納側カセット12を載置する収
納側カセット載置台13、収納側カセット載置台13と
機械的に接続された昇降可能な収納側エレベータ機構1
4は前述の送出側カセット4、及び、送出側カセット載
置台3、送出側エレベータ機構2と同構成であり、送出
側と逆に作動するだけであり、ここでは省略する。
を説明すると、送出側カセット4に収納されている複数
枚の半導体ウエハは順次規則的に且つ自動的に送出され
るものであるが、一枚の半導体ウエハについて説明す
る。
複数枚収納されており、該送出側カセット4は送出側カ
セット載置台3に載置され、該送出側カセット載置台3
と機械的に接続された送出側エレベータ機構2の昇降に
よって送出される位置を調整するものである。
の移送アームに備えた吸着パットのバキューム吸着によ
って持ち上げられ、移送アームの進退と反転とによって
研削前仮置台の上方に移送され、バキューム吸着を解除
することによって研削前仮置台の上に乗載させられるも
のである。
を絶えず噴流させており、半導体ウエハは水流によって
リフトされると共に洗浄されるものである。
スピンドル軸7が降下して、下端のチャック7aへ研削
前仮置台でリフトされている半導体ウエハを貼着し、ス
ピンドル軸7は上昇するものであり、ターンコラム8が
水平方向に180°回動して停止することによって、半
導体ウエハは研磨テーブル9の上方に移送されるもので
ある。
降下することによって、研磨テーブル9の研磨定盤との
間に挟着されて研磨加工が施されるものである。
7の上昇とターンコラム8の回動によってスライド装置
15に搭載された研磨後仮置台10の上方に移送され、
スピンドル軸7のチャック7aからエア圧等の手段によ
って研磨後仮置台10の上面に乗載されるものである。
絶えず噴流しており、半導体ウエハをリフトすると共
に、スライド装置15に備えたウエハ流通部11を水流
によってウエハ流出口11aまで移送されるものであ
り、半導体ウエハはウエハ流出口11aから収納側カセ
ット12の桟体の間に水流によって収納されるものであ
り、収納側カセット載置台13に載置された収納側カセ
ット12は収納側エレベータ機構14の昇降によって内
設された複数の桟体の間に半導体ウエハを順次収納する
ものである。
ト12の近傍にスライドしているものであり、つまり、
半導体ウエハの一連の移送の中でスライド装置15が送
出側カセット4と収納側カセット12の間をスライドす
ることと、ターンコラム8の回動停止によって自動的に
順次複数枚の半導体ウエハに研磨加工を施すことを可能
としたものである。
的に繰返し、一つの送出側カセット4に収納されている
全ての半導体ウエハの研磨加工を施すことを可能とした
ものであり、送出を終えた送出側カセット4は未加工の
半導体ウエハが収納された次の送出側カセット4と取り
替えるものであり、加えて、研磨加工後の移送は総て液
体の水流によって行なうものである。
された送出側カセットの半導体ウエハを送出、洗浄、研
磨加工、洗浄、収納までを全自動で行なえ、且つ、研磨
加工後の半導体ウエハの収納は液体の水流によって行な
うものであり、研磨加工面を超高精度に維持できる画期
的な発明である。
のための概要平面図である。
のための概要側面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体ウエハへ研磨加工を自動的に施すた
めの研磨装置であって、基台と、該基台に設けた送出側
エレベータ機構と、該送出側エレベータ機構と機械的に
接続された昇降可能な送出側カセット載置台と、該送出
側カセット載置台へ載置され複数枚の半導体ウエハが収
納された送出側カセットと、該送出側カセットの半導体
ウエハを単品毎に移送させるウエハ移送機構と、該ウエ
ハ移送機構で移送された半導体ウエハを乗載させる研磨
前仮置台と、該研磨前仮置台へ乗載させた半導体ウエハ
を貼着させるチャックを下端に備えた回転自在な二組の
スピンドル軸と、該二組のスピンドル軸を昇降自在に且
つ相対位置に担持して回動停止自在なターンコラムと、
該ターンコラムの近傍に配設した研磨テーブルと、該研
磨テーブルの上面で研磨された加工後の半導体ウエハを
乗載させる研磨後仮置台と、該研磨後仮置台から液体に
よって流出する半導体ウエハの流路と成りウエハ流出口
を開口させたウエハ流通部と、該ウエハ流出口から流出
する半導体ウエハを複数枚収納する収納側カセットと、
該収納側カセットを載置する収納側カセット載置台と、
該収納側カセット載置台と機械的に接続された昇降可能
な収納側エレベータ機構とを備え、前記ウエハ移送機構
と前記研磨前仮置台と前記研磨後仮置台とを搭載させる
と共にウエハ流通部を形設したスライド装置は少なくと
も前記送出側カセットと前記収納側カセットとの間をス
ライド可能に配設したことを特徴とする半導体ウエハの
全自動研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29727195A JPH09109022A (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 半導体ウエハの全自動研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29727195A JPH09109022A (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 半導体ウエハの全自動研磨装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09109022A true JPH09109022A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=17844367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29727195A Pending JPH09109022A (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 半導体ウエハの全自動研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09109022A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0916452A2 (en) * | 1997-11-12 | 1999-05-19 | LAM Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
-
1995
- 1995-10-23 JP JP29727195A patent/JPH09109022A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0916452A2 (en) * | 1997-11-12 | 1999-05-19 | LAM Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
EP0916452A3 (en) * | 1997-11-12 | 2001-01-31 | LAM Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
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---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050107 |
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